JP2010034555A - 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】流体ハンドリング構造は、平面図で線状に配置された複数の開口を有する。流体ハンドリング構造は、開口が使用時に対向表面に向かって配向されるように構成され、対向表面は基板及び/又は基板テーブルである。基板テーブルは基板を支持するように構成される。開口の線の外側にはダンパがある。ダンパは、開口の線に沿って変化する幅を有することができる。ダンパ幅は、開口の線と対向するダンパ縁部との間に画定される。
【選択図】図8
Description
− 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
R=静止メニスカスの半径
T=尾部の長さ
R=静止したメニスカスの半径
H=尾部の直線部分の高さ
T=尾部の長さ
1)DCAモデルは、流体力学的力の効果が主に接触角ヒステリシスの減少であることを示すことができる。
2)言及したデータセットでは、丸い尾部から角がある尾部への遷移部の開始は約50°のDCAで開始した。
3)角尾部では、接触線速度は両方の実験システムで一定で、ニードルジオメトリでは290mm/s、シリンダジオメトリでは460mm/sとすることができる。
4)両方のケースでHVTの法則を当てはめた結果、移動する尾部の接触線のDCAがそれぞれ47°及び45°になる。
5)静止接触角が78°の基板上の後退メニスカス上に高速の気体流があるので、限界速度を575mm/sから730mm/sに上げることができる。
Claims (15)
- リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造は平面図で線状に配置された複数の開口を有し、また該流体ハンドリング構造は前記開口が使用時に対向表面に向かって配向されるように構成され、前記対向表面が基板及び/又は前記基板を支持する基板テーブルであり、前記開口の線の外側にはダンパがあり、前記ダンパが前記開口の線に沿って変化する幅を有し、前記幅が前記開口の線と対向するダンパ縁部との間に画定される、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造。
- 前記線が前記ダンパ縁部とは異なる曲率半径を有する、請求項1に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記線が有角形状を形成し、前記ダンパが、各角を伴う角部分及び各角部分間の辺部分を有する、請求項1又は2に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記有角形状の角にて、前記開口の1つが、好ましくは前記角の頂点にて、湾曲した角開口である、請求項3に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記角開口が、前記対向するダンパ縁部の曲率半径とは異なる曲率半径を有する、請求項4に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記角開口の前記曲率半径が、前記対向するダンパ縁部の前記曲率半径以上である、請求項5に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記ダンパ幅が辺部分より角部分で大きくなる、請求項3から6のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記開口が、前記流体ハンドリング構造に入る気体及び/又は液体が通過する入口である、前記請求項のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記開口によって画定された前記線が、連続的であり、且つ連続的に変化する方向を有する、前記請求項のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記ダンパが前記開口の線の半径方向外側にある、前記請求項のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記流体ハンドリング構造が、前記対向表面から液体を除去するドライヤである、請求項1に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記請求項のいずれかに記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造は平面図で線状に配置された複数の開口を有し、また該流体ハンドリング構造は前記開口が自身の下面に形成され且つ使用時に対向表面に向かって配向されるように構成され、前記対向表面が基板及び/又は前記基板を支持する基板テーブルの表面であり、前記線の外側にダンパがあり、前記ダンパが前記下面に対して傾斜した表面を有する、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造。
- リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造は平面図で線状に配置された複数の開口を有し、また該流体ハンドリング構造は前記開口が使用時に対向表面に向かって配向されるように構成され、前記対向表面が基板及び/又は前記基板を支持する基板テーブルの表面であり、前記開口の線の外側にダンパがあり、前記ダンパが前記開口の線と対向するダンパ縁部との間に画定された幅を有し、前記幅が少なくとも0.3mmである、リソグラフィ装置の流体ハンドリング構造。
- 基板テーブル及び/又は前記基板を支持する基板テーブルの表面に流体を提供すること、及び
流体ハンドリング構造の複数の開口に低圧を加えることによって、前記基板及び/又は前記基板テーブルの前記表面の間から液体を回収することを含み、前記開口が平面図で線状に配置され且つ基板及び/又は基板テーブルに向かって配向され、前記液体を回収する際に前記液体の接触線がダンパによって支持され、前記ダンパが前記開口の線の半径方向外側に配置され且つ前記開口の線に沿って変化する幅を有し、前記幅が前記開口の線と対向するダンパ縁部との間に画定される、デバイス製造方法。
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