CN101666983B - 流体处理结构、光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

流体处理结构、光刻设备和器件制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。公开的流体处理结构设计用于全浸湿浸没光刻术。流体处理结构具有用于将流体提供到投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间的第一开口、阻挡液体流出流体处理结构和衬底之间的空间的阻挡件、以及第二开口，所述第二开口通入所述空间的径向外侧处的区域，用于将来自流体处理结构的流体提供到在所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上。控制器可以设置成使得朝向衬底台中心的流体的流量大于在远离衬底台中心的方向上的流体的流量。

Description

流体处理结构、光刻设备和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种流体处理结构、一种光刻设备和一种制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高的折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一个实施例中液体为蒸馏水，尽管可以应用其他液体。本发明的实施例将参考液体进行描述。然而，其他流体可能也是合适的，尤其是润湿性流体、不能压缩的流体和/或具有比空气高的折射率的流体，期望地是具有比水高的折射率的流体。除气体之外的流体尤其是期望的。这样能够实现更小特征的成像，因为曝光辐射在液体中将会具有更短的波长。(液体的作用也可以看作提高系统的有效数值孔径(NA)并且也增加了焦深。)还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米悬浮颗粒(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃(例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液)。
将衬底或衬底和衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利US4,509,852)意味着在扫描曝光过程中需要加速很大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。
提出来的布置方案之一是液体供给系统通过使用液体限制系统只将液体提供在衬底的局部区域上(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面积)和在投影系统的最终元件和衬底之间。提出来的一种用于设置上述布置方案的方法在公开号为WO99/49504的PCT专利申请出版物中公开了。如图2和图3所示，液体优选地沿着衬底相对于最终元件移动的方向，通过至少一个入口供给到衬底上，并且在已经通过投影系统下面后，液体通过至少一个出口去除。也就是说，当衬底在所述元件下沿着-X方向扫描时，液体在元件的+X一侧供给并且在-X一侧去除。图2是所述布置的示意图，其中液体通过入口供给，并在元件的另一侧通过与低压源相连的出口去除。在图2的示图中，液体沿着衬底相对于最终元件的移动方向供给，尽管这并不是必须的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口，图3示出了一个实例，其中在最终元件的周围在每侧上以规则的重复方式设置了四组入口和出口。图2及图3中液体流动的方向由箭头所表示。
在图4中示出了另一个采用液体局部供给系统的浸没式光刻方案。液体由位于投影系统PS每一侧上的两个槽状入口供给，由布置在入口沿径向向外的位置上的多个离散的出口去除。所述入口和出口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通过该孔投影。液体由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口提供，而由位于投影系统PS的另一侧上的多个离散的出口去除，这造成投影系统PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口组合可以依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口组合是不起作用的)。图4中液体流动及衬底W的方向由箭头所表示。
在欧洲专利申请公开出版物No.EP1420300和美国专利申请公开出版物No.US2004-0136494中，公开了一种成对的或双台浸没式光刻设备的方案。这种设备具有两个用于支撑衬底的台。调平(levelling)测量在没有浸没液体的工作台的第一位置处进行，曝光在存在浸没液体的工作台的第二位置处进行。可选的是，所述设备仅具有一个台。
PCT专利申请公开出版物WO 2005/064405公开一种全浸湿布置，其中浸没液体是不受限制的。在这种系统中，衬底的整个顶部表面覆盖在液体中。这可以是有利的，因为衬底的整个顶部表面基本上在相同条件下进行曝光。这对于衬底的温度控制和处理是有利的。在WO 2005/064405中，液体供给系统提供液体到投影系统的最终元件和衬底之间的间隙。允许该液体泄露到衬底的其他部分。衬底台的边缘处的阻挡件防止液体溢出，使得液体可以从衬底台的顶部表面上以受控制的方式去除。虽然这样的系统改善了衬底的温度控制和处理，但是浸没液体的蒸发仍然可能出现。帮助缓解这个问题的一种方法在美国专利申请公开出版物No.US2006/0119809中有记载。设置构件，其覆盖衬底W的所有位置，并且布置成使浸没液体在所述构件和衬底和/或保持衬底的衬底台的顶部表面之间延伸。
发明内容
浸没光刻术中(尤其是在全浸湿光刻术中)的困难在于衬底台的一个或更多个部分的反浸湿风险。反浸湿是自发产生的或诱发产生在衬底和/或衬底台上的流体层中的干斑点，以及随后形成在衬底和/或衬底台上的流体层中的干斑点的生长。反浸湿会导致热控制的损失、受扰动的总体液体流离开衬底台而引起飞溅、以及抽取问题和/或引入不想要的动态力和缺陷(干燥污渍和气泡)。
本发明旨在例如提供一种流体处理结构，其中采用措施以解决上面提到的困难中的一个或更多个，或解决这里没有说到的一个或更多个其他困难。
根据本发明的一方面，提供一种流体处理结构，其配置用于提供流体到(i)投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间，和(ii)提供到在所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面，所述流体处理结构包括通入所述空间以将流体流从流体处理结构提供入所述空间的第一开口、用于阻挡流体流出所述流体处理结构和所述衬底之间的所述空间的阻挡件和相对于所述投影系统的光轴位于所述阻挡件的径向外侧处的第二开口，所述第二开口用于将流体流从流体处理结构提供到在所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上。
根据本发明的一方面，提供一种流体处理结构，其配置用于将流体提供到投影系统和衬底之间的空间和在所述空间径向外侧处的所述衬底台和/或衬底的顶部表面，所述流体处理结构包括：开口，所述开口用于将流体从所述流体处理结构提供到所述顶部表面上；和控制器，其配置用于控制流出所述开口的流体的流动，使流体在朝向衬底台中心的方向上的流量大于在离开衬底台中心的方向上的流量。
根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括步骤：通过经由流体处理结构的第一开口提供到投影系统和衬底之间的空间的浸没液体，将辐射束投影到衬底台上的所述衬底的顶部表面上，其中所述流体处理结构的阻挡件阻挡液体从流体处理结构和衬底之间的空间流出，并且所述流体处理结构中的第二开口将流体提供到在所述空间的径向外侧处的衬底和/或衬底台的顶部表面上。
根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括步骤：通过由流体处理结构提供到投影系统和衬底之间的空间的浸没液体，将辐射束投影到衬底台上的衬底的顶部表面上；和将流体提供到在所述空间的径向外侧处的衬底和/或衬底台的顶部表面上，使得沿朝向衬底台中心的方向的流体的流量大于沿远离所述中心的方向的流体的流量。
根据本发明的一方面，提供一种用于浸没式光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构在使用时限定投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间，所述流体处理结构包括：限定所述流体处理结构的外表面的表面；限定在所述外表面中的开口，所述开口配置用于将流体供给到在所述空间的径向外侧的衬底台和/或衬底的表面的顶部表面；和位于所述外表面和所述空间之间的阻挡件，所述阻挡件配置用于阻挡所述流体流入到所述空间。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2和3示出用在光刻投影设备中的液体供给系统；
图4示出用在光刻投影设备中的另一液体供给系统；
图5示出用在光刻投影设备中的另一液体供给系统；
图6示出根据本发明一个实施例的流体处理结构的横截面视图；
图7示出图6中的流体处理结构的局部横截面视图；
图8a-c以横截面视图的方式示出了从第二开口流出的流量对液体行为的影响；
图9a和9b用平面图示出了流体处理结构和衬底台；
图10用平面图示出了流体处理结构的一个实施例；
图11用平面图示出了流体处理结构的另一实施例；和
图12用平面图示出了流体处理结构的还一实施例。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：
-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和
投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT保持图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或者可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
在投影系统PS的最终元件和衬底W之间提供液体的布置可以分成两种主要类别。它们是：浴器型布置，在这种类型的布置中整个衬底W和(任选地)一部分衬底台WT浸入到液体浴器中；和所谓的局部浸没系统，这种系统采用仅将液体提供到衬底W的局部区域的液体供给系统。在后一种类别中，液体填满的空间11在平面中小于衬底W的顶部表面，并且填满液体的区域相对于投影系统PS基本上保持静止，同时，衬底W在所述区域下面移动。本发明实施例涉及的另一种布置是全浸湿方案，其中液体是不受限制的。在这种布置中，衬底W的基本上整个顶部表面和衬底台WT的全部或一部分被浸没液体覆盖。至少覆盖衬底W的液体的深度小。所述液体可以是位于衬底W上的液体膜，例如位于衬底上的液体薄膜。图2-5中的任何液体供给装置都可以用于这种系统；然而，密封特征并不存在，不起作用，不如正常状态有效，或者以其它方式不能有效地仅将液体密封在局部区域。图2-5中示出了四种不同类型的液体局部供给系统。以上描述了图2-4中公开的液体供给系统。
已经提出的另一种布置是提供液体限制构件12给液体供给系统，所述液体限制构件12沿投影系统PS的最终元件和衬底台WT之间的空间11的边界的至少一部分延伸。图5中示出了这种布置，其中示意地示出了具有阻挡构件或液体限制构件12(IH)的液体局部供给系统或液体处理结构。尽管可以在Z方向上存在一些相对移动(在光轴的方向上)，但是液体限制构件12相对于投影系统PS在XY平面内基本上是静止的。在一个实施例中，在液体限制构件12(IH)和衬底W的表面之间形成密封，并且可以是非接触密封，例如流体密封，期望地是气体密封。(要注意的是，如果没有特意声明，下文中指的“衬底W的表面”也附加地或可选地指“衬底台WT的表面”)。
液体限制构件12至少部分地将液体保持在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11内。在投影系统PS的像场周围可以形成对衬底W的非接触密封，例如气体密封16，使得液体被限制在衬底W的表面和投影系统PS的最终元件之间的空间11内。所述空间11至少部分地由位于投影系统PS的最终元件下面并围绕投影系统PS的所述最终元件的液体限制构件12所形成。液体通过液体入口13被引入到投影系统PS下面和液体限制构件12内的所述空间11。液体可以通过液体出口13去除。液体限制构件12可以延伸略微超过投影系统PS的最终元件上方。液面高于最终元件，从而提供液体的缓冲。在一个实施例中，液体限制构件12具有内周，所述内周在上端处与投影系统PS或其最终元件的形状接近一致，并且可以是例如圆形的。在底部，所述内周与像场的形状接近一致，例如矩形，但这不是必需的。
液体通过在使用过程中形成在液体限制构件12的底部和衬底W的表面之间的气体密封16而被限制在空间11中。气体密封16由气体形成，例如空气或合成空气，但是在一个实施例中是由氮气或其他惰性气体形成。气体密封16中的气体在压力下通过入口15提供到液体限制构件12和衬底W之间的间隙。气体通过出口14被抽取。在气体入口15上的过压、出口14上的真空水平和间隙的几何形状布置成使得存在向内的、限制所述液体的高速气流。气体作用在液体限制构件12和衬底W之间的液体上的力将液体限制在空间11中。入口/出口可以是围绕空间11的环形槽。环形槽可以是连续的或非连续的。气流有效地将液体限制在空间11中。这样的系统在美国专利申请公开出版物No.US 2004-0207824中公开。
图6示出了根据本发明实施例的流体处理结构100的横截面视图。流体处理结构100设计用于全浸湿(或非限制的)布置。在全浸湿布置中，流体处理结构100将液体提供到投影系统PS的最终元件和衬底W和/或衬底台WT之间的空间11，这依赖于衬底W和衬底台WT中哪一个在投影系统PS下面。流体处理结构100还将液体提供到不在投影系统PS下面的衬底台WT和/或衬底W的顶部表面上。换一种描述方式，即，流体处理结构100还将液体提供到在空间11的径向外侧处的衬底台WT和/或衬底W的顶部表面上。因而，在曝光过程中基本上衬底W和衬底台WT的整个顶部表面总是被浸没液体覆盖。
不在投影系统PS下面的衬底台WT和/或衬底W的顶部表面上的液体高度(或层厚度)的变化可能有助于液体指状物不稳定性(liquid fingerinstabilities)的增长。这种不稳定性会导致液体飞溅出和/或溅出衬底台WT的边缘和/或形成干斑点(也就是反浸湿)。流体处理结构100解决这些问题中的一个或更多个问题。
首先，流体处理结构100被设计使得投影系统PS和衬底W和/或衬底台WT之间的空间11中的浸没液体流(所谓的局部供给)和在不处于投影系统PS下面的衬底台WT和/或衬底W的顶部表面上的液体流(所谓的总体供给(bulk supply))基本上是分隔开的或是不耦合的。这样的优点在于两个液体不混合。结果，防止在总体流中获取的污染物转移到空间11中去，这些污染物可能会产生缺陷。通过设置至少一个第一开口110以将液体提供到空间11中和设置至少一个第二开口120以将液体提供到不在投影系统PS下面的衬底W和/或衬底台WT的顶部表面上，可以部分地获得这种不耦合。流体处理结构100设置有阻挡件130，以阻挡液体流出流体处理结构100和衬底W之间的空间11(也就是在阻挡件130的下面)。第一和第二开口110、120位于阻挡件130的相对侧。也就是说，相对于投影系统的光轴，第二开口120位于阻挡件130的径向外侧处。
因为局部流和总体流基本上是不耦合的，所以第一开口110专门地提供液体到空间11中。类似地，第二开口120基本上专门地提供液体到不位于投影系统PS下面的衬底W和/或衬底台WT的顶部表面。
这种不耦合例如通过控制通过第一开口110和通过第二开口120的液体流来部分地实现。控制这些液体流，使得空间11内的液体的压力基本上等于空间11外侧和邻近流体处理结构100的区域(即，在不处于投影系统PS下面的衬底W和/或衬底台WT的顶部表面上)内的液体压力。如果没有压力梯度，就不会有混合两种液体的驱动力。
第二，流体处理结构100被控制以能够减少总体供给中产生高度差或厚度差的机会。这可以通过使用下面将要描述的控制器140控制从第二开口120流出的液体流来实现。如果总体供给中的液体的水平流的弗劳德数保持在0到2之间，期望地在0到1之间，则基本上可以避免总体流中的高度阶跃变化(也就是水跃(hydraulic jump))。
使流体处理结构100能够避免出现高度差的第三种方式是：确保总体流中朝向衬底台WT的中心P(见图9a和b)的液体流量大于沿远离衬底台WT的中心P的方向的液体流量。下面参考图9a到12详细描述这种方式。
上面三种方法中的每一种方法的特征可以单独地应用，也可以组合起来应用。下面结合另一流体处理结构100的改进详细描述这些方法。
在图6中示出的流体处理结构100包括主体105。主体105存在形成空间11的表面的内表面106。也就是说，空间11在顶部处由投影系统PS的最终元件形成边界，在底部处由衬底W(或衬底台WT或遮蔽构件)形成边界，而在侧部处由主体105的表面106形成边界。因而，主体105可以看作阻挡构件或者液体限制构件12(IH)。主体105还具有阻挡件130，阻挡件130是流体处理结构100最靠近衬底W的部分。阻挡件130可以是阻挡来自内部第一开口110(进入投影系统PS、衬底台WT和液体限制构件12的主体105之间的浸没空间11)的流体(即浸没液体)沿径向向外(相对于通过液体限制构件12的光轴)流动的阻挡件(即，具有阻止所述流体沿径向向外流动的限制作用)。期望地，阻挡件130配置成基本上阻止从第二开口120供给的液体流入空间11。期望地，阻挡件130配置成限制/阻挡供给到空间11的浸没流体沿径向向外流出阻挡件130和衬底W和/或衬底台WT之间的空间11。在阻挡件130的底部和衬底W之间存在间隙107。通过阻挡件130产生高的流阻。这可以通过使所述间隙107的高度在50-250μm之间来实现。期望地，该间隙107高度为0.1-0.2mm。这与投影系统PS的最终元件和衬底W之间的大约3mm的间距相比较。将间隙107保持小，以限制液体流出空间11。也就是说，主体105形成阻挡液体从流体处理结构100和衬底W之间的空间11流出的阻挡件130。
液体通过第一开口110提供到空间11。第一开口110位于流体处理结构100的内表面106中。第一开口110可以包括多个开口。这些多个开口可以是那些例如在2008年4月16日递交的美国专利申请第61/071,161号中公开的开口。
穿过空间11的液体流动是期望的。因此，在流体处理结构100中相对于投影系统PS的光轴在空间11的相对侧上与第一开口110相对的位置处，设置至少一个另外的开口112，其用于从所述空间11中抽取出液体。通过控制器140控制液体从第一开口110进入空间11以及控制通过另一开口112从空间11抽取出液体。控制器140所提供的控制使得通过第一开口110的流动是低速的，而通过另一开口112的抽取是基于固定的体积流量的。示例参数为：从第一开口110流出的流量在0.5到1.5升/分(lpm)(小于0.3m/秒的速度)之间，而从另一出口112抽取的固定体积抽取是2到4升/分。
设置第二开口120用来将液体提供到不在投影系统PS下面的衬底W和/或衬底台WT的顶部表面上。也就是说，第二开口120将液体提供到在空间11的径向外侧处的衬底W和/或衬底台WT的顶部表面。第二开口120设置在限定流体处理结构的外表面108的流体处理结构100的表面上。从第二开口120流出的液体流通过控制器140来控制。第二开口120将流体提供到相对于投影系统PS的光轴处于阻挡件130径向外侧的位置处。相反，第一开口110将流体提供到相对于投影系统PS的光轴处于阻挡件130径向内侧的位置处。在一个实施例中，第二开口120可以位于阻挡件130的径向外侧处，和/或第一开口110可以位于阻挡件130的径向向内位置处。
正如所看到的，第二开口120在流体处理结构100的基本上面对衬底W的外表面108中。该外表面108不是流体处理结构100的最低的表面。也就是说，该外表面108比形成间隙107的阻挡件130的底部表面远离衬底W。阻挡件130位于流体处理结构100的外表面108和空间11之间。
在一个实施例中，期望地，第二开口120离开衬底W的顶部表面的距离是阻挡件130和衬底W和/或衬底台WT之间的距离的至少五倍(即，间隙107尺寸的五倍)。期望地，第二开口120离开衬底W和/或衬底台WT的距离是间隙107尺寸的至少7倍、10倍或15倍。另一种看待这种结构的方式是：流体处理结构100的底部到衬底W和/或衬底台WT的距离是变化的。在一个实施例中，第二开口120在基本上平行于衬底W和/或衬底台WT的部分中，该部分比平行于衬底W和/或衬底台WT的另一部分更远离衬底W和/或衬底台WT。
第二开口120可以包括多个第二开口120。第二开口120可以具有任何形状。例如，可以仅仅是围绕流体处理结构100的整周(例如，圆周)延伸的单一狭缝。可选地或附加地，两个或更多个第二开口120可以规则地或不规则地围绕流体处理结构100的周边定位。第二开口120可以是圆形孔、方形孔、狭槽的形式或任何其他形状。多个开口120可以以围绕流体处理结构100的周边的任何一维或两维方式间隔设置。
阻挡件130(或限制件)防止总体供给的液体和浸没空间11内的局部供给的液体发生混合。局部供给的液体(即，空间11内的液体)具有更加严格的热调节和污染物控制。在实际应用中，存在两种液体的一些混合。期望地，通过偏置总体供给和局部供给之间的压力差，基本上阻止向内的流动，使得如果存在任何流动，则它都是从空间11到总体供给沿径向向外的。期望阻止向内的流动。容易地限制了向外的流动。因而，阻挡件130配置成限制流体流出空间11，并且期望地，基本上阻止流体流入空间11。
在一个实施例中，还可以基本上阻止流体流出所述空间11。
期望地，总体供给(是热调节液体)与局部供给是分开的。混合可能造成污染物的转移，而使空间11内的液体的热稳定性更差。
从流体处理系统100供给的总体供给的液体应该被控制用于帮助确保衬底W和衬底台WT上的液体薄膜的厚度是均匀的。衬底台WT相对于流体处理系统100的移动可能引起薄膜中的扰动。这种扰动引起可能发生飞溅并且可能引起反浸湿的波；衬底W的热调节将会被破坏。即使没有反浸湿和飞溅，膜厚度变化也会比膜厚度均匀的情况提供更差的热调节；膜的具有较薄深度的部分的蒸发将比深度更大处的膜部分的蒸发施加更大的局部热损失到衬底W。
正如图6中示出的，可以设置至少一个第三开口122。第三开口122可以设置用于从不在投影系统PS下面的衬底W和/或衬底台WT的顶部表面抽取液体。通过第三开口122抽取液体能够有助于控制总体流动的速度。通过第三开口122的抽取可以通过控制器140来控制。
在流体处理结构100中可以设置气体开口125。气体开口125位于其中形成第二开口120的表面上方的流体处理结构100的表面内。被润湿的气体可以通过气体开口125提供到位于不在投影系统PS下面的衬底W和/或衬底台WT的顶部表面上的液体的上方的区域。这种气体可以具有至少40％的所述液体的相对湿度，期望是至少70％，期望是至少90％，最期望地是超过95％，而期望是小于99％，更期望是小于97％。在液体上方的气氛中提供润湿的气体能够降低液体的蒸发(因而降低冷却负载)。如果浸没液体是可降解的(例如类似用于高NA(数值孔径)设备中的一些液体)，则通过气体开口125供给的气体可以是非氧化气体，例如可以使用纯净的惰性气体。事实上，可能期望使用已经用浸没液体的蒸汽润湿过的惰性气体。为了容纳润湿过的气体，可以在液体上方设置板。
图7示出了流体处理结构100的细节视图。正如所看到的，其中形成第二开口120的表面135可以相对于衬底W和/或衬底台WT的顶部表面成角度。在流体处理结构100是圆形的实施例中，其中形成第二开口120的表面将是截头锥形的形状。期望地，表面135与衬底W和/或衬底台WT的平面所成的角度θ在0到15°之间，期望地是在0到10°之间。表面135的沿径向方向处于最内部的部分比表面135的沿径向方向处于最外部的部分更靠近衬底W。也就是说，表面135最靠近投影系统PS的光轴的部分比表面135较远离投影系统PS的光轴的部分更靠近衬底W和/或衬底台WT。
代替使其中形成第二开口120的表面135成角度，第二开口120本身可以是成角度的(也就是，通过形成以一定角度穿过基本上与衬底W和/或衬底台WT的顶部表面平行的表面135的通道)。开口120(或更精确地说，是开口后面的通道的角度)还可以是角度θ。
改变角度θ可以影响在总体供给中以特定流量产生的压力。因而，角度θ的选择可以用来平衡空间11内的液体和空间11外的液体之间的压力。正如上面所述，通过匹配这些压力，可以减小或最小化两种液体流之间的混合。
期望地，第二开口120被设计用于减小或最小化通过穿过第二开口120的液体流动传递给衬底W和/或衬底台WT的流体动力。实现这种功能的一种方式是：将第二开口120的宽度(例如直径)设置为小于间隙107的尺寸除以6，期望地，小于间隙107的尺寸除以20。此外，期望地，流出第二开口120的液体的流动速度设置为小于重力常数g乘以间隙107的尺寸的结果开平方根再乘以3，期望地小于重力常数g乘以间隙107的尺寸的结果开平方根。
图8a-c是沿Z方向(即，光轴)的横截面示图，示意地示出了流体处理结构100的外表面108的径向外侧的液体高度可以如何作为流体处理结构100下面平行于衬底W的顶部表面且沿径向向外的流速v的函数进行变化的。期望地，弗劳德数(等于重力常数g乘以衬底W和/或衬底台WT的顶部表面与第二开口之间的距离(h)的结果的平方根除液体速度v)小于1(即0到1之间)。在弗劳德数为上述大小时，能够使在流体处理结构100径向外侧的衬底W和/或衬底台WT的顶部表面上的液体具有稳定的高度。在图8a中示出这种情况。如果液体的速度v在第二开口120到衬底W的距离h保持恒定的情况下增大，就能够预期流体处理结构100径向外侧的液体的高度发生改变。在外表面108处开始并沿径向向外移动的液体的高度的改变为：首先高度减小，之后高度增大，在之后高度进一步减小。如果弗劳德数保持小于2(即0到2之间)，就能够避免所谓的水跃，见图8b。如果速度使得弗劳德数高于2，则产生水跃。在图8c中示出了水跃。这是因为离开第二开口的液体的速度太高(或者距离h太低)。水跃的存在能够导致气泡夹杂和液体层的中断(反浸湿)。这样会导致带来缺陷的干斑点(干燥的污渍、痕迹、粘性泡等)。
看待这种情况的另一种方式是：当存在水跃时，流速高于表面重力波(surface gravity waves)。也就是说，液体的水平速度低于波的速度。
期望地，高度h在1到4mm之间，期望地，高度h在1.5到3mm之间，期望地高度是2mm。
可以增大液体的水平速度v，使得仅在衬底台WT的外部发生水跃(也就是，不在衬底台WT的上方发生水跃)，也就是说，图8c中示出的水跃沿径向被移动远离流体处理结构100，使得水跃不再发生。然而，在衬底台WT的边缘处以这样的速度收集流体可能会变得困难。
图9a和9b示意地示出了衬底台WT的平面图并示出了本发明的实施例的另一个原理。正如所示的那样，不管流体处理结构100在衬底台WT的顶部表面上的位置，在流体处理结构100径向外侧，液体在朝向衬底台WT中心P的方向上的总体流量总是大于其他方向上的总体流量。在其他方向可以存在流动，也可以不存在流动。
通过第三开口122流入流体处理结构100的流能够用来调节总体液体的压力和/或用来调节总体液体中的流量和/或用来调节总体液面和/或用来减小波幅和/或用来减小由于其他原因而作用在流体处理结构100上的波力。通过第三开口122的流能够用来调节沿给定方向上的流量。例如，仅那些沿流体处理结构100的周边的一部分的第三开口122(或仅第三开口122的部分)能够使液体通过它们(或它)被抽取，以便减小从所述周边的所述一部分流出的液体的流量。
正如图9a示出的，如果流体处理结构100和衬底台WT的相对位置使得流体处理结构100位于衬底台WT的右手下面区域的位置(从上向下看)，朝向衬底台WT的中心P的流体的流动(因而从上向下看，朝向衬底台WT的左手上角)被增强超过沿其他方向上的流动。类似地，如果从上向下看，流体处理结构100位于衬底台WT的中心偏左(如图9b所示)，则如从上向下看到的沿朝向右边的方向从流体处理结构100流出的液体的流量将会大于沿其他方向的液体的流量。
图10-12示出能够根据围绕流体处理结构100的周边位置来改变从衬底台WT流出的液体流的流量的另外三种方式。在图10中，第二开口120被分成两个节段150、152。每个节段可以包括一个第二开口或多个第二开口120。与第一节段150相关的第二开口120能够一起进行控制。类似地，与第二节段152相关的第二开口120能够一起进行控制。可以通过控制器140来进行控制。
因而，如果流体处理结构100位于衬底台WT的左手边，则通过第二节段152的第二开口120的液体流量将会大于通过第一节段150中的第二开口120的液体流量。相反，如果流体处理结构100位于衬底台WT的右手边，则通过第一节段150中的第二开口120流出的液体流量将会大于通过第二节段152中的第二开口120流出的液体流量。
图11示出了流体处理结构100的周边被分成四个不同节段154、156、158、160的情形。这些节段具有相同的尺寸，并且与每个节段相对应的第二开口120(和与每个节段相对应的第三开口122)能够独立于其他节段的第二开口120进行控制。在这种情形中，如果流体处理结构100位于衬底台WT的右手上角处，从流体处理结构100的左边和底部上的节段154和156流出的液体流将会比从其他两个节段158和160流出的流体流量大。
应当理解，流体处理结构100的周边可以被分成任何数量的节段，并且这些节段可以沿该周边的任何部分延伸。接着，控制器140能够根据开口在哪个节段中来控制所有第二开口120和另外开口122。
图12示出了另一实施例。在这个实施例中，包括第二开口120的流体处理结构100或流体处理结构100的一部分是可旋转的。这样，仅需要沿流体处理结构100的周边的一部分162设置第二开口120(或能够沿该周边的一部分162增大开口120的密度)。然后，流体处理结构100或流体处理结构100的所述部分能够被旋转，使得在朝向衬底台WT的中心P的方向上从第二开口120流出的较强的液体流能够是其最大值。
在本发明第一方面中，提供一种流体处理结构，所述流体处理结构用于将流体提供到(i)投影系统的最终元件和衬底和/衬底台之间的空间，和(ii)在所述空间的径向外侧处的衬底和/或衬底台的顶部表面。所述流体处理结构包括：第一开口，所述第一开口通入所述空间并且用于将流体流从流体处理结构提供到所述空间中；阻挡件，所述阻挡件用于阻挡流体从流体处理结构和衬底之间的空间流出；和第二开口，所述第二开口相对于投影系统的光轴处于阻挡件的径向外侧，用于将流体流从流体处理结构提供到所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上。
在根据第一方面的本发明第二方面中，所述流体处理结构还包括控制器，其配置用于控制从第一开口和/或第二开口流出的流体的流动。
在根据第二方面的本发明第三方面中，所述控制器配置用于控制从第二开口流出的流体的流动，使得沿流体处理结构径向向外流动的流体具有0到2之间的弗劳德数，期望地，具有0到1之间的弗劳德数。
在根据第二或第三方面的本发明第四方面中，所述控制器配置成依赖于流体处理结构相对于衬底台的位置来改变从第二开口流出的流体的流量。
在根据第四方面的本发明第五方面中，所述控制器配置用于控制从第二开口流出的流动，使得沿朝向衬底台中心的方向的流量大于沿远离衬底台中心的方向的流量。
在根据第二至第五方面中任一方面的本发明第六方面中，所述控制器配置用于通过第二开口和/或通向围绕所述空间的区域的第三开口来控制流体处理结构外部的流体的流动。
在根据第六方面的本发明第七方面中，所述控制器配置用于改变从流体处理结构的周边的一部分周围去除流体的流量。
在根据第二至第七方面中任一方面的本发明第八方面中，所述控制器配置用于控制通过第一开口和通过第二开口的流体的流动，使得在所述空间中的流体压力基本上等于所述空间外部和流体处理结构邻近的区域中的流体压力。
在根据第八方面的本发明第九方面中，所述控制器配置用于通过改变流量、和/或流动方向、和/或流动角度来控制压力。
在根据前述任一方面的本发明第十方面中，所述第二开口位于与衬底台和/或衬底的顶部表面平行的表面中或位于相对于衬底台和/或衬底的平面以选自0-10°的角度倾斜的表面中，所述表面在投影系统的光轴附近位置上更靠近衬底和/或衬底台，而在远离投影系统处更远离光轴。
在根据前述任一方面的本发明第十一方面中，所述流体处理结构构造和设置成使得已经离开第一开口的流体与已经离开第二流体开口的流体基本上是不耦合的。
在根据前述任一方面的本发明第十二方面中，所述流体处理结构还包括气体开口，所述气体开口通向所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上的液体。
在根据第十二方面的本发明第十三方面中，所述气体开口连接到润湿的气体源以将湿润的气体提供到所述顶部表面上方。
在本发明第十四方面中，提供一种浸没式光刻设备，在使用时所述浸没式光刻设备中基本上衬底台和衬底的整个顶部表面被流体覆盖，并且所述设备包括根据前述任一方面所述的流体处理结构。
在根据第十四方面的本发明第十五方面中，所述阻挡件和衬底台和/或衬底的顶部表面之间的距离在50到250μm之间。
在根据第十四方面或第十五方面的本发明第十六方面中，第二开口和衬底和/或衬底台之间的距离是阻挡件和衬底和/或衬底台之间的距离的至少5倍。
在根据第十四至第十六方面中任一方面的本发明第十七方面中，第二开口的宽度至少大于所述开口和衬底和/衬底台之间距离的6分之一，期望地大于所述距离的20分之一。
在根据第十四至第十七方面中任一方面的本发明第十八方面中，从第二开口流出的流体的流速小于g乘以所述开口到衬底和/或衬底台的距离的积的平方根的3倍，其中g是重力常数。
在根据第十四至第十八方面中任一方面的本发明第十九方面中，从第二开口流出的流体的流量选自0.2-6.0升/分的范围。
在本发明第二十方面中，提供一种流体处理结构，所述流体处理结构被配置用于将流体提供到所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面。该流体处理结构包括：开口，所述开口用于将流体从流体处理结构提供到所述顶部表面；和控制器，所述控制器配置用于控制从所述开口流出的流体的流动，使得在朝向衬底台中心的方向上的流量大于在远离衬底台中心的方向上的流量。
在根据第二十方面的本发明第二十一方面中，所述开口包括沿着流体处理结构的周边的多个开口，其中所述控制器配置成根据沿着流体处理结构的周边的开口的位置和根据流体处理结构相对于衬底台的位置来控制从一个或多个开口中流出的流体的流动。
在根据第二十方面的本发明第二十二方面中，所述流体处理结构的周边被分成多个节段，至少一个所述节段具有开口，通过控制器、根据流体处理结构相对于衬底台的位置来控制从每个节段的开口流出的流体。
在根据第二十方面的本发明第二十三方面中，沿着流体处理结构的周边以不同密度设置所述开口，并且所述开口是可旋转地围绕投影系统的光轴。
在本发明第二十四方面中，提供一种浸没式光刻设备，在使用时所述浸没式光刻设备中基本上衬底台和衬底的整个顶部表面被流体覆盖，所述设备包括前述第二十至二十三方面中所述的流体处理结构。
在本发明第二十五方面中，提供一种器件制造方法，包括步骤：通过经由流体处理结构的第一开口提供到投影系统的最终元件和衬底之间的空间的浸没液体，将辐射束投影到衬底台上的衬底的顶部表面上，其中流体处理结构的阻挡件阻挡液体从流体处理结构和衬底之间的空间流出，并且流体处理结构中的第二开口将流体提供到所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上。
在本发明第二十六方面中，提供一种器件制造方法，包括步骤：通过由流体处理结构提供到投影系统的最终元件和衬底之间的空间的浸没液体，将辐射束投影到衬底台上的衬底的顶部表面上；和将流体提供到所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上，使得沿朝向衬底台中心的方向的流体的流量大于沿远离所述中心的方向的流体的流量。
在本发明第二十七方面中，提供一种用于浸没式光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构在使用时限定投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间，所述流体处理结构包括：限定流体处理结构的外表面的表面；限定在所述外表面内的开口，所述开口配置用于将流体供给到所述空间径向外侧处的衬底台和/或衬底的表面的顶部表面；以及位于所述外表面和所述空间之间的阻挡件，其中所述阻挡件配置用于阻挡流体流入到所述空间中。
在根据第二十七方面的本发明第二十八方面中，所述流体处理结构还包括限定在流体处理结构的内表面中的内部开口，所述内部开口配置用于将流体供入所述空间中，所述流体处理结构将供给到所述空间中的所述流体限制在所述空间。
在根据第二十八方面的本发明第二十九方面中，所述阻挡件配置用于限制和/或阻止供给到所述空间的流体沿径向向外流出所述阻挡件和衬底和/或衬底台之间的所述空间。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)。在允许的情况下，术语“透镜”可以指的是不同类型的光学部件中的任何一个或组合，包括折射式的和反射式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的至少一个机器可读指令序列的至少一个计算机程序的形式，或具有存储其中的所述至少一个计算机程序的至少一个数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。当通过位于光刻设备的至少一个部件内的至少一个计算机处理器读取至少一个计算机程序时，这里提到的至少一个不同的控制器是可操作的。至少一个处理器配置成与所述控制器中的至少一个进行通信；因而所述控制器根据至少一个计算机程序的所述机器可读指令运行。
本发明的至少一个实施例可以应用到任何浸没式光刻设备，尤其是但不限于上面提到的那些类型的光刻设备，而且不论浸没液体是否以浴器的形式提供，或仅在衬底的局部表面区域上提供，或是非限制的。在非限制的布置中，浸没液体可以在所述衬底台和/或衬底的表面上流动，使得基本上衬底台和/或衬底的整个未覆盖的表面都被浸湿。在这种非限制浸没系统中，液体供给系统可以不限制浸没流体，或者其可以提供一定比例的浸没液体限制，但不是基本上完全地对浸没液体进行限制。
这里提到的液体供给系统应该被广义地解释。在某些实施例中，液体供给系统可以是一种机构或多个结构的组合，其提供液体到投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间。液体供给系统可以包括至少一个结构、至少一个液体入口、至少一个气体入口、至少一个气体出口和/或至少一个液体出口的组合，它们将液体提供到所述空间。在一个实施例中，所述空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或者所述空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者所述空间可以包围衬底和/或衬底台。所述液体供给系统可以可选地进一步包括用于控制液体的位置、数量、品质、形状、流率或其它任何特征的至少一个元件。
以上描述旨在进行解释，而不是限制性的。因而，本领域普通技术人员可以理解，在不脱离下述权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的发明进行变更。

Claims (25)

1.一种流体处理结构，其配置用于将流体提供到(i)投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间，和(ii)在所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面，所述流体处理结构包括：
通入所述空间的第一开口，其用于将流体流从流体处理结构提供到所述空间中；
阻挡件，其用于阻挡流体从所述流体处理结构和所述衬底之间的所述空间流出；和
第二开口，其相对于所述投影系统的光轴位于所述阻挡件的径向外侧处，用于将流体流从流体处理结构提供到在所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上。
2.根据权利要求1所述的流体处理结构，还包括控制器，所述控制器配置用于控制从所述第一开口和/或所述第二开口流出的流体的流动。
3.根据权利要求2所述的流体处理结构，其中，所述控制器配置用于控制从第二开口流出的流体的流动，使得沿流体处理结构径向向外流动的流体具有0到2之间的弗劳德数。
4.根据权利要求3所述的流体处理结构，其中，所述控制器配置用于控制从第二开口流出的流体的流动，使得沿流体处理结构径向向外流动的流体具有0到1之间的弗劳德数。
5.根据权利要求2、3或4所述的流体处理结构，其中，所述控制器配置成依赖于流体处理结构相对于衬底台的位置来改变从第二开口流出的流体的流量。
6.根据权利要求5所述的流体处理结构，其中，所述控制器配置用于控制从第二开口流出的流动，使得沿朝向衬底台中心的方向的流量大于沿远离衬底台中心的方向的流量。
7.根据权利要求2、3或4所述的流体处理结构，其中，所述控制器配置用于通过第二开口和/或通向围绕所述空间的区域的第三开口来控制流体处理结构外部的流体的流动。
8.根据权利要求7所述的流体处理结构，其中，所述控制器配置用于改变从流体处理结构的周边的一部分周围去除流体的流量。
9.根据权利要求2、3或4所述的流体处理结构，其中，所述控制器配置用于控制通过所述第一开口和通过所述第二开口的流体的流动，使得所述空间内的流体的压力基本上等于所述空间外部的流体的压力以及邻近所述流体处理结构的区域中的流体的压力。
10.根据权利要求9所述的流体处理结构，其中，所述控制器配置用于通过改变流量、和/或流动方向、和/或流动角度来控制压力。
11.根据权利要求1-4中任一项权利要求所述的流体处理结构，其中，所述第二开口位于与衬底台和/或衬底的顶部表面平行的表面中或位于相对于衬底台和/或衬底的平面以选自0-10°的角度倾斜的表面中，所述表面在投影系统的光轴附近位置上更靠近衬底和/或衬底台，而在远离投影系统处更远离光轴。
12.根据权利要求1-4中任一项所述的流体处理结构，其中，所述流体处理结构配置成使得已经离开所述第一开口的流体与已经离开所述第二流体开口的流体基本上是不耦合的。
13.根据权利要求1-4中任一项所述的流体处理结构，其中，所述流体处理结构还包括气体开口，所述气体开口通向所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上的液体。
14.根据权利要求13所述的流体处理结构，其中，所述气体开口连接到润湿的气体源以将湿润的气体提供到所述顶部表面上方。
15.一种浸没式光刻设备，在使用时所述浸没式光刻设备中基本上衬底台和衬底的整个顶部表面被流体覆盖，所述设备包括前述权利要求中任一项所述的流体处理结构。
16.根据权利要求15所述的浸没式光刻设备，其中，所述阻挡件和衬底台和/或衬底的顶部表面之间的距离在50到250μm之间。
17.根据权利要求15所述的浸没式光刻设备，其中，第二开口和衬底和/或衬底台之间的距离是阻挡件和衬底和/或衬底台之间的距离的至少5倍。
18.根据权利要求15所述的浸没式光刻设备，其中，第二开口的宽度至少大于所述开口和衬底和/衬底台之间距离的6分之一。
19.根据权利要求18所述的浸没式光刻设备，其中，第二开口的宽度至少大于所述开口和衬底和/衬底台之间距离的20分之一。
20.根据权利要求15-19中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，从第二开口流出的流体的流速小于g乘以所述开口到衬底和/或衬底台的距离的积的平方根的3倍，其中g是重力常数。
21.根据权利要求15-19中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，从第二开口流出的流体的流量选自0.2-6.0升/分的范围。
22.一种器件制造方法，包括步骤：通过经由流体处理结构的第一开口提供到投影系统和衬底之间的空间的浸没液体，将辐射束投影到衬底台上的所述衬底的顶部表面上，其中所述流体处理结构的阻挡件阻挡液体从流体处理结构和衬底之间的空间流出，并且所述流体处理结构中的第二开口将流体提供到在所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的顶部表面上。
23.一种用于浸没式光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构在使用时限定投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间，所述流体处理结构包括：
限定所述流体处理结构的外表面的表面；
限定在所述外表面中的开口，所述开口配置用于将流体供给到在所述空间的径向外侧处的衬底台和/或衬底的表面的顶部表面；和
位于所述外表面和所述空间之间的阻挡件，所述阻挡件配置用于阻挡所述流体流入到所述空间。
24.根据权利要求23所述的流体处理结构，其中，所述流体处理结构还包括限定在流体处理结构的内表面中的内部开口，所述内部开口配置用于将流体供入所述空间中，所述流体处理结构将供给到所述空间中的所述流体限制在所述空间。
25.根据权利要求24所述的流体处理结构，其中，所述阻挡件配置用于限制和/或阻止供给到所述空间的流体沿径向向外流出所述阻挡件和衬底和/或衬底台之间的所述空间。
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