TW201024925A - Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

201024925 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種流體處理結構、一種微影裝置及—種 用於製造器件之方法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上（通常施加至基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在彼情況下，圖案化器件（其或者被稱作光 罩或主光罩）可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖 案。可將此圖案轉印至基板（例如，梦晶圓）上之目標部分 (例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒）上。圖 案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輕射敏感材料 (抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化 之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進 器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射 每:目標部& ;及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向 (「掃描」方向）上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反 平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦 有可旎藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉 印至基板。 已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折 射率之液體（例如，水）中，以便填充投影系統之最終元件 與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餘水，但可 使用另-液體。將參考液體來描述本發明之—實施例。然 I42582.doc 201024925 而，另一流體可為適當的，特別係濕潤流體、不可壓縮流 體，及/或具有比空氣高之折射率（理想地，具有比水高之 折射率）的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝 光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實 • 現更小特徵之成像。（液體之效應亦可被視為增加系統之 . 有效數值孔徑（NA)且亦增加焦點深度。）已提議其他浸沒 液體’包括懸浮有固體粒子（例如，石英）之水，或具有奈 φ 米粒子懸浮液（例如，具有高達1〇奈米之最大尺寸的粗子） 之液體。懸浮粒子可能或可能不具有與懸浮有該等粒子之 液體類似或相同的折射率。可為適當的其他液體包括煙， 諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。 將基板或基板及基板台浸潰於液體浴中（見（例如）美國專 利第US 4’509,852號）意謂在掃描曝光期間存在必須被加速 之大液體本體》此需要額外或更強大之馬達，且液體_之 擾動可能導致不良且不可預測之效應。 • 所提議之配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制 系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件 與基板之間提供液體（基板通常具有比投影系統之最终元 件大的表面區域）。pct專利申請公開案第w〇 99/495〇4號 • 中揭示一種經提議以針對此情形所配置之方式。如圖2及 圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上（校佳 地沿著基板相對於最終元件之移動方向），且在投影系統 下傳遞之後藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在—χ友向 上於70件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在 142582.doc 201024925 侧處吸取液體。圖2示意性地展示液體係經由入口而被供 應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口而被吸 取的配置。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之 移動方向而供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元 件所定位之入口及出口之各種定向及數目均係可能的圖 3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在 任一側上入口與出口之四個集合。應注意，液體之流動方 向係藉由圖2及圖3中之箭頭展示。 圖4中展示具有局域化液體供應系統之另一浸沒微影解 決方案。液體係藉由投影系統？8之任一側上的兩個凹槽入 口而供應，且藉由自入口徑向地向外所配置之複數個離散 出口而移除。可在中心中具有孔之板中配置入口及出口， 且投影光束係經由孔而被投影。液體係藉由投影系統”之 一侧上的一凹槽入口而供應，且藉由投影系統“之另一側 上的複數個離散出口而移除，此導致液體薄膜在投影系統 PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的 選擇可取決於基板W之移動方向（入口與出口之另一組合係 不活動的）。應注意，流體及基板w之流動方向係藉由圖4 中之箭頭展示。 在歐洲專利申請公開案第ΕΡ 142〇3〇〇號及美國專利申請 公開案第US 2004-0136494號中，揭示一種複式平台或雙 平台浸沒微影裝置之觀念。該裝置具備用於支撐基板之兩 個台。在無浸沒液體之情況下藉由第一位置處之台來進行 調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由第二位置處之 142582.doc -6 - 201024925 台來進行曝光。或者，裝置僅具有一個台。 PCT專利申請公開案WO 2005/064405揭示浸沒液體未經 限制之全濕潤配置。在該系統中，基板之整個頂部表面被 覆蓋於液體中。此可為有利的，因為接著將基板之整個頂 - 部表面曝光至大體上相同條件。此具有針對基板之溫度控 制及處理之優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將 液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許 φ 彼液體遍及基板之剩餘部分而洩漏。基板台之邊緣處的障 壁防止液體逸出’使得液體可以受控方式而自基板台之頂 部表面移除。儘管該系統改良基板之溫度控制及處理，但 仍可能發生浸沒液體之蒸發。美國專利申請公開案第us 2006/01 19809號中描述一種有助於減輕彼問題之方式。提 供一部件，該部件在所有位置中覆蓋基板W且經配置以使 浸沒液體延伸於其與基板及/或固持基板之基板台之頂部 表面之間。 φ 【發明内容】 在浸沒微影術中（特別係在全濕潤概念中）之困難為基板 台之一或多個部分之抗濕潤的危險。抗濕潤為基板及/或 基板台上之流體層中之乾斑點的自發性或誘發性產生反後 續生長。抗濕潤可導致熱控制之損失、離開基板台之干擾 總體液體流動（其可導致濺射）、提取問題及/或不需要之動 力及缺陷（乾汙斑及氣泡）之引入。 需要（例如）提供一種流體處理結構，其中採取措施以解 決以上所提及之困難中之一或多者或本文未論述之一或多 142582.doc 201024925 個其他困難。 根據本發明之—態樣，提供-種流體處理結構，流體處 理結構經㈣以將㈣提供至⑴投料、統與基板及/或基 板台之間的空間，且⑼提供至自空間徑向地向外的基板 及/或基板台之頂部表面，流體處理結構包含：第一開 口，第-開口通向空間，第一開口係用以提供自流體處理 結構至空間中之流體流動；障壁，障壁係用以阻擋離開流 體處理結構與基板之間的空間之流體流動；及第二開口， 第二開口相對於投影系統之光軸係自障壁徑向地向外第 二開口係用以提供自流體處理結構至自空間徑向地向外的 基板及/或基板台之頂部表面上的流體流動。 根據本發明之一態樣，提供一種流體處理結構，流體處 理結構經組態以將流體提供至投影系統與基板之間的空 間，且提供至自空間徑向地向外的基板及/或基板台之頂 部表面’流體處理結構包含：開口，開口係用以將流體自 流體處理結構提供至頂部表面上；及控制器，控制器經組 態以將離開開口之流體流動控制成在朝向基板台之中心之 方向上比在遠離基板台之中心之方向上處於更大速率下。 根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，器件製 造方法包含將輻射光束通過浸沒液體而投影至基板台上之 基板之項部表面上，浸沒液體係通過流體處理結構之第一 開口而提供至投影系統與基板之間的空間，其中流體處理 結構之障壁阻擋離開流體處理結構與基板之間的空間之液 體流動’且流體處理結構中之第二開口將流體提供至自空 142582.doc 201024925 間徑向地向外的基板及/或基板台之頂部表面上。 根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法.，器件製 造方法包含：將輻射光束通過浸沒液體而投影至基板台上 之基板之頂部表面上’浸沒液體係藉由流體處理結構而提 . 供至投影系統與基板之間的空間；及將流體提供至自空間 徑向地向外的基板及/或基板台之頂部表面上，使得在朝 向基板台之中心之方向上的流體流動大於在遠離中心之方 向上的流體流動。 根據本發明之一態樣，提供一種用於浸沒微影裝置之流 體處理結構，流體處理結構在使用中界定投影系統與基板 及/或基板台之間的空間’流體處理結構包含：表面，表 面界定流體處理結構之外部表面；開口，開口係界定於外 部表面中，開口經組態以將流體供應至自空間徑向地向外 的基板台及/或基板之表面之頂部表面；及障壁，障壁定 位於外部表面與空間之間，障壁經組態以阻擋流體流入空 ❹ 間。 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 裝置包含： -照明系統（照明器）IL，其經組態以調節輻射光束b(例 如，UV輻射或DUV輻射）； -支撐結構（例如’光罩台）MT，其經建構以支撐圖案化 142582.doc 201024925 器件（例如，光罩）MA，且連接至經組態以根據某些參數而 精確地定位圖案化器件之第一定位器PM ; _基板台（例如，晶圓台）WT，其經建構以固持基板（例 如，塗覆抗蝕劑之晶圓）w，且連接至經組態以根據某些參 數而精確地定位基板之第二定位器PW ;及 -投影系統（例如，折射投影透鏡系統）PS，其經組態以將 由圖案化器件MA賦予至輻射光束8之圖案投影至基板|之 目標部分C(例如，包含一或多個晶粒）上。 照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型 的光學組件’ _如折射、反射、磁性、電磁 '靜電或其他 類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構MT固持圖案化器件。支撐結構]^丁以取決於圖 案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件（諸如圖案 化器件是否固持於真空環境.中）的方式來固持圖案化器 件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技 術來固持圖案化器#。支揮結構MT可為（例如）框架或台， 其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保 圖案化器件（例如）相對於投影系統而處於所要位置。可認 為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通 用之術語「圖案化器件」同義。 、本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指 代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便 在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意例 如，右被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔 142582.doc 201024925 助特徵’則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中 的所要圖案。通常’被賦予至輻射光束之圖案將對應於目 私部分中所形成之器件（諸如積體電路）中的特定功能層。 圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括 - 光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在 微衫術中係熟知的’且包括諸如二元、交變相移及衰減相 移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣 • 列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一 者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。 傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輕射光束中。 本文所使狀術語「投影纟統」應被廣泛地解釋為涵蓋 任何類型之投影系統’包括折射、反射、反射折射、磁 14電磁及靜電光學系統或其任何組合’其適合於所使用 之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用 的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用 ❹ 均與更通用之術語「投影系統」同義。 如此處所描繪，裝置為透射類型（例如’使用透时光 罩）或者，褒i可為反射類型（例如，使用如以上所提及 類3L的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩）。 。微衫裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及， J兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在該等「多平 台二機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上 進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。 參看圖卜照明器IL自輻射請接收輻射光束。舉例而 142582.doc 201024925 言’當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單 ，實體。在該等情況下，不認為輕射源形成微影裝置之一 部分，且^射光束係藉助於包含（例如）適當引導鏡面及/或 、:束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源傳遞至照明 盗IL。在其他情況下’例如，當輕射源為汞燈時，輻射源 可為微影裝置之整體部分。輻射源犯及照明器蘭同光束 傳送系統BD(在需要時）可被稱作輻射系統。 上照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分布的 調整器AD。通常，可調整照明器之光曈平面中之強度分 ❹ 布的至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱 作σ外部及σ内部）。此外，照明器IL可包含各種其他組 件，諸如積光器IN及聚光器C〇。照明器可用以調節輻射 光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如，光罩台）Μτ 上之圖案化器件（例如，光罩）ΜΑ上，且係藉由圖案化器件 而圖案化。在橫穿圖案化器件ΜΑ後，輻射光束Β傳遞通過 投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部& ❹ c上。藉助於第二定位器Pw及位置感測器iF(例如，干涉 董測益件、線性編碼器或電容性感測器），基板台WT可精 確地移動’例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目 標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器（其 未在圖1中被明確地描繪）可用以（例如）在自光罩庫之機械 擁取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而精確地 定位圖案化器件ΜΑβ —般而言’可藉助於形成第—定位 142582.doc 12 201024925 器PM之一部分的長衝程模組（粗略定位）及短衝程模組（精 細定位）來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形^ 第二定位器P W之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實 現基板台WT之移動。在步進器（與掃描器相對）之情況下， - 支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。 可使用圖案化器件對準標記Ml、M2及基板對準標記ρι、 P2來對準圖案化器件M a與基板w。儘管如所說明之基板 φ 對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的 空間中（此等被稱為切割道對準標記）。類似地，在一個以 上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對 準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至目標部分c上時，使支撐結構Μτ&基板台 WT保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著，使基板 β σ WT在X及/或Υ方向上移位，使得可曝光不同目標部分 C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光 中所成像之目標部分c的尺寸。 2·在掃描模式中’在將被賦予至輻射光束之圖案投影 •至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT與基板台 WT(亦即，單次動態曝光）。可藉由投影系統PS之放大率 (縮小率）及影像反轉特性來判定基板台w τ相對於支樓结構 ΜΤ之速度及方肖。在掃描才莫4中，#光場之最大尺t限 制單次動態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向上）， 142582.doc 201024925 而掃描運動之長度判定目標部分之高度（在掃描方向上）。 3.在另模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分c上時，使支撐結構MT保持基本上靜止從而 固持可程式化圖案化器#，且移動或掃描基板台资。在 此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台wt之每 移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而 更新可程式化圖案化||件。此操作模式可易於應用於利用 可程式化圖案化器件（諸如以上所提及之類型的可程式化 鏡面陣列）之無光罩微影術。 亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 可將用於在投影系統Ps之最終元件與基板w之間提供液 體之配置分類成兩種通用種類。此等種類為：浴類型配 置，其中基板W之全部及（視情況）基板台WT之一部分浸漬 於液體浴中；及所謂的局域化浸沒系統，局域化浸沒系統 使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板w之局域化區 域。在後者種類中，由液體所填充之空間丨i在平面圖中小 於基板W之頂部表面，且填充有液體之區域相對於投影系 統PS保持大體上靜止，同時基板w在彼區域下方移動。本 發明之一實施例所針對之另一配置為液體未經限制之全濕 潤配置。在此配置中，基板w之大體上整個頂部表面及基 板台WT之全部或一部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少 基板W之液體的深度較小。液體可為基板w上之液體膜（諸 如薄膜）。圖2至圖5之液體供應器件中的任一者可用於該 142582.doc •14- 201024925 系統中，然而雄封特徵不存在、未經啟動、不如正常一 樣有效’或以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係 無效的。圖2至圖5中說明四冑不同類型之局域化液體供應 系統。以上已描述圖2至圖4所揭示之液體供應系統。 • 已提議之另一配置係提供具有液體限制部件12之液體供 • H统’液體限制部件沿著投影系統PS之t終元件與基板 台WT之間的空間U之邊界之至少一部分而延伸。圖5,說 φ 日月該配置’圖5示意性地描緣具有障壁部件或液體限制部 件12(IH)之局域化液體供應系統或液體處理結構。液體限 制部件12在XY平面中相對於投影系統ps而大體上靜止， 但在Z方向上（在光軸之方向上）可能存在某相對移動。在 一實施例中，密封件形成於液體限制部件丨2(IH)與基板W 之表面之間，且可為諸如流體密封件（理想地為氣體密封 件）之無接觸密封件。（請注意，除非另有明確敍述，否則 在以下本文中對基板w之表面的參考此外或在替代例令亦 指代基板台WT之表面。） 液體限制部件12使在投影系統Ps之最終元件與基板评之 間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統”之 影像場而形成至基板W之無接觸密封件（諸如氣體密封件 . 16),使得液體經限制於基板W表面與投影系統“之最終 元件之間的空間11内。空間1丨係由在投影系統pLi最終元 件下方及環繞投影系統P S之最終元件所定位的液體限制部 件12至少部分地形成。液體係藉由液體入口13而被帶入投 影系統PS下方及液體限制部件12内之空間u中。液體可藉 142582.doc •15· 201024925 由液體出口 13而被移除。液體限制部件12可延伸至略高於 投影系統PS之最終元件。液體水位上升至高於最終元件， 使得提供液體緩衝。在一實施例中，液體限制部件12具有 在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀 且可（例如）為圓形的内部周邊。在底部處，内部周邊緊密 地符合影像場之形狀’例如，矩形，但並非需要為此情 況。 藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封 件16在使用期間形成於液體限制部件12之底部與基板％之 表面之間。氣體密封件16係由氣體（例如，空氣或合成空 氣）形成，但在一實施例中，由N2或另一惰性氣體形成。 氣體密封件16中之氣體係經由入口 15而在壓力下提供至液 體限制部件12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口 14而 被提取。氣體入口 15上之過壓力、出口 14上之真空位準及 間隙之為何形狀經配置成使得存在限制液體之向内高速氣 體流動。液體限制部件12與基板W之間的液體上之氣體之 力使在空間11中含有液體。入口 /出口可為環繞空間丨i之 環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣體流動對於 使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第 US 2004-0207824號中揭示該系統。 圖6以橫截面說明根據本發明之一實施例的流體處理結 構1〇〇。流體處理結構100經設計成用於全濕潤（或未經限 制）配置。在全濕潤配置中，流體處理結構1 〇〇將液體提供 至投影系統PS之最終元件與基板W及/或基板台WT(取決於 142582.doc • 16- 201024925 哪一者係在投影系統PS下）之間的空間11。流體處理結構 100亦將液體提供至不在投影系統PS下的基板W及/或基板 台WT之頂部表面。換言之’流體處理結構100亦將液體提 供至自空間11徑向地向外的基板W及/或基板台WT之頂部 表面。因此，基板W及基板台WT之大體上整個頂部表面 在曝光期間始終被覆蓋於浸沒液體中。 不在投影系統PS下的基板W及/或基板台WT之頂部表面 • 上之液體高度（或層厚度）的變化可促成液體指不穩定性 . (liquid finger instability)之生長。該等不穩定性可導致液 體滅射及/或射出基板台WT及/或乾斑點之邊緣（亦即，抗 濕潤）。液體處理結構100解決此等問題中之一或多者。 第一，流體處理結構100經設計成使得投影系統PS與基 板W及/或基板台WT之間的空間11中之浸沒液體流動（所謂 的局域供應（local supply))與至不在投影系統PS下的基板W 及/或基板台WT之頂部表面上之液體流動（所謂的總體供應 ❿ (bulk supply))係大體上分離或去耦的。此具有兩種液體不 混合之優點。結果’防止在總體流動中所拾取之污染物轉 移至空間1 1 ’污染物為可形成缺陷之污染物。此去耦係部 分地藉由提供用以將液體提供至空間11中之至少一第一開 口 110及用以將液體提供至不在投影系統PS下的基板W及/ 或基板台WT之頂部表面上的至少一第二開口 120而達成。 流體處理結構1〇〇具備障壁13〇以阻擋離開流體處理結構 1〇〇與基板W之間的空間u之液體流動（亦即，在障壁13〇 下）。第一開口 110與第二開口 12〇係在障壁13〇之相反側 142582.doc •17- 201024925 上。亦即，第二開口 120相對於投影系統之光軸係自障壁 130徑向地向外。 因為局域流動與總體流動係大體上去耦的，所以第一開 口 110將液體獨佔式地提供至空間u。類似地，第二開口 120將液體大體上獨佔式地提供至不在投影系統以下的基 板W及/或基板台WT之頂部表面。 去耦係部分地（例如）藉由控制通過第一開口 i 10及通過 第二開口 120之液體流動而達成。流動經控制成使得在空 間11中之液體的壓力大體上等於在空間丨丨外部及在鄰近於 流體處理結構100之區域中（亦即，在不在投影系統ps下的 基板W及/或基板台WT之頂部表面上）之液體的壓力。若不 存在壓力梯度，則將不存在用於混合兩種液體之驅動力。 第一，流體處理結構1 00係以使得減少總體供應之高度 或厚度差之可能性的方式被控制。此係藉由使用如以下將 描述之控制器140來控制離開第二開口 12〇之液體流動而達 成。若使總體供應中之水平液體流動的福祿數（Fr〇ude number)保持在〇與2之間（理想地在〇與1之間），則可大體上 避免總體流動之高度的階梯狀改變（亦即，水躍）。 流體處理結構100經調適以避免高度差之第三方式係藉 由有助於確保朝向基板台WT之中心p(見圖9a及圖9b)之總 體流動中的液體流動大於在遠離基板台WT之中心p之方向 上的流動。以下參看圖9a至圖12來詳細地對此進行描述。 可個別地或組合地使用此等三種方式中之每一者的特 徵。以下將詳細地對其連同流體處理結構1〇〇之另外改進 142582.doc -18- 201024925 進行描述。 如圖6所說明之流體處理結構100包含主體1〇5。主體i〇5 呈現形成空間Π之表面的内部表面1 〇6。亦即，空間11係 在頂部處由投影系統PS之最終元件界限、在底部處由基板 ， W(或基板台WT或擋板部件）界限且在侧處由主體105之表 . 面106界限。因此，可將主體105視為障壁部件或液體限制 部件12(IH)。主體105亦具有障壁130，障壁130為最接近 φ 於基板W的流體處理結構100之部分。障壁130可為阻礙（亦 即，具有限制件以防止）自内部第一開口丨10(通向投影系統 PS、基板台WT與液體限制部件12之主體1〇5之間的浸沒空 間11)徑向地向外（相對於傳遞通過液體限制部件12之光軸） 之流體（亦即，浸沒液體）流動的障壁。理想地，障壁13 〇經 組態以大體上防止自第二開口 12〇所供應之液體流入空間 11。理想地，障壁130經組態以限制/阻擋供應至空間^之 浸沒流體徑向地向外流出障壁13〇與基板评及/或基板台WT 拳 之間的空間η。間隙1 〇 7存在於障壁13 〇之底部與基板w之 間°局&L動阻力係错由障壁13 0而形成。此係藉由使問隙 107高度在50微米至250微米之間。此間隙ι〇7之高度理想 地為0.1毫米至0.2毫米。此相較於投影系統ps之最終元件 與基板W之間的約3毫米之距離。使間隙ι〇7保持較小以限 制離開空間11之液體流動。亦即，主體105形成障壁13〇, 障壁13 0阻擋離開流體處理結構！ 〇 〇與基板w之間的空問i丄 之液體流動。 經由第一開口 110而將液體提供至空間U。第一開口11〇 142582.doc -19- 201024925 係在流體處理結構100之内部表面106中。第一開口 11〇可 包含複數個開口。複數個開口可為（例如）2008年4月〗6曰申 請之美國專利申請案第61/071,161號中所揭示的開口。 跨越空間11之液體流動係理想的。因此，與相對於流體 處理結構1 00中之投影系統PS之光軸的空間i丨之相反側上 之第一開口 11 〇相反，定位至少一另一開口 i丨2以將液體提 取出空間1 1。對離開第一開口 11 〇至空間丨丨中之液體提供 及通過另一開口 1 12而離開空間11之液體提取的控制係藉 由控制器140。由控制器140所提供之控制係使得通過第一 開口 110之流動具有低速度’而通過另—開口 112之提取係 基於固定體積流動。實例參數為離開第一開口 1丨〇之在〇 5 lpm與1.5 lpm之間的流動速率（小於〇.3公尺/秒之速度），及 離開另一開口 112之為2 lpm至4 lpm的固定體積提取。 提供第二開口 120以用於將液體提供至不在投影系統ps 下的基板W及/或基板台WT之頂部表面上。亦即，第二開 口 120將液體提供至自空間11徑向地向外的基板w及/或基 板合WT之頂部表面。第二開口 120提供於界定流體處理結 構100之外部表面108的流體處理結構100之表面中。離開 第二開口 120之液體流動係由控制器140控制。第二開口 120將流體提供至相對於投影系統ps之光軸係自障壁13〇徑 向地向外之位置。相反地，第一開口 110將流體提供至相 對於投影系統PS之光軸係自障壁130徑向地向内之位置。 在一實施例中，第二開口 120可經定位成自障壁130徑向地 向外，及/或第一開口 110可經定位成自障壁130徑向地向 142582.doc -20- 201024925 内。 可見，第二開口 120係在大體上面向基板w的流體處理 結構1〇〇之外部表面108中。彼外部表面1〇8並非流體處理 結構100之最下部表面。亦即，外部表面1〇8比形成間隙 107的障壁130之底部表面更遠離於基板w。障壁13〇係在 流體處理結構10 0之外部表面1 〇 8與空間11之間。 在一實施例中，第二開口 120理想地為障壁13〇與基板w φ 及/或基板台界丁之間的距離的至少五倍（亦即，間隙1〇7之 尺寸的五倍）的遠離基板W之頂部表面之距離。理想地，第 二開口 120離基板W及/或基板台WT之距離係間隙1〇7之尺 寸的至少七倍、十倍或十五倍。檢視此情形之另一方式在 於：存在流體處理結構1〇〇之底部至基板|及/或基板台霤下 之距離的改變。在一實施例中，第二開口 係在大體上 平行於基板W及/或基板台貿丁之部分中，該部分比平行於 基板W及/或基板台WT之另一部分更遠離於基板贾及/或基 φ 板台WT。 第二開口 120可包含複數個第二開口 120。第二開口 120 可具有任何形狀。舉例而言，可僅存在圍繞流體處理结構 100之整個周邊（例如，圓周）而延伸的單一狹縫。或者或另 外，兩個或兩個以上第二開口 120可圍繞流體處理結構100 之周邊而規則地或不規則地定位。第二開口 120可以图形 孔、正方形孔、狹縫或任何其他形狀之形式。複數個閗口 120可圍繞流體處理結構100之周邊以任何一維或二維圖案 而間隔。 142582.doc -21· 201024925 障壁130(或限制件）防止在浸沒空間丨丨中混合總體供應 與局域供應之液體。局域供應之液體（亦即’空間n中之 液體）具有更嚴格的熱調節及污染物控制。實務上，存在 兩種液體之某種混合。理想地，藉由使總體供應與局域供 應之間的壓力差動偏差而大體上防止向内流動，使得若存 在任何流動，則其係徑向地向外（自空間丨丨至總體供應）。 防止向内流動係理想的。僅僅限制向外流動。因此，障壁 130經組態以限制離開空間11之流體，且理想地大體上防 止流體流入空間11。 在一實施例中，亦可大體上防止流體流出空間11。 總體供應（其為熱調節液體）理想地係與局域供應分離。 混合允許污染物之轉移，且將准許空間丨丨中之液體的更差 熱穩定性。 應控制自流體處理系統丨〇〇所供應之總體供應的液體， 以有助於確保基板臀及基板台賈7上之液體薄膜之厚度係 均一的。基板台WT相對於流體處理系統1 〇〇之移動可導致 薄膜中之干擾。干擾導致可濺射且導致抗濕潤之波；將中 斷基板W之熱調節。膜之厚度變化（即使無抗濕潤及濺射） 可提供比均一厚度之膜更差的熱調節；自具有較薄深度之 膜之一部分的蒸發將局域地（亦即，相對於基板W)施加比 深度較厚之情況更大的熱損失。 如圖6所說明，可提供至少一第三開口 122。可提供第三 開口 I22以自不在投影系統PS下的基板W及/或基板台WT之 頂部表面提取液體。通過第三開口 122而提取液體可有助 142582.doc 201024925 於控制總體流動之速度。通過第三開口 ！ 22之提取可由控 制器140控制。 氣體開口 125可提供於流體處理結構1〇〇中。氣體開口 125係在處於形成有第二開口 ι2〇之表面上方的流體處理結 構100之表面中。經增濕之氣體可通過氣體開口 125而提供 至處於不在投影系統PS下的基板w及/或基板台WT之頂部 表面上的液體之頂部上之區域上。氣體相對於液體可具有 至少40%(理想地為至少7〇%，理想地為至少90%，及最理 想地大於95◦/〇，且理想地小於99%，更理想地小於97%)之 相對濕度。向液體上方之氛圍提供經增濕氣體會減少液體 之蒸發（且因此減少冷卻負載）。若浸沒液體係可降解的（例 如，如用於高NA裝置中之某些液體），則通過氣體開口 ι25 所提供之氣體可為非氧化氣體（例如，可使用純化惰性氣 體）。實際上’可能需要使用已藉由浸沒液體之蒸汽而增 濕之惰性氣體。板可提供於液體上方，以便含有經增濕氣 體。 圖7展示流體處理結構1 〇〇之細節。可見，形成有第二開 口 120之表面135可相對於基板w及/或基板台WT之頂部表 面成角度。在流體處理結構100係圓形之實施例中，形成 有弟一'開口 120之表面將以截圓雜之形式。表面135之角度 Θ相對於基板W及/或基板台WT之平面理想地係在〇。與1 5。 之間’理想地係在0。與10。之間。彼表面135之徑向最内部 部分比彼表面13 5之徑向最外部部分更接近於基板w。亦 即，最接近於投影系統PS之光軸的表面135之部分比更遠 142582.doc •23· 201024925 離於投影系統PS之光軸的表面135之部分更接近於基板w 及/或基板台WT。 代替使形成有第二開口 120之表面135成角度，可使第二 開口 120自身成角度（亦即，藉由在一角度下形成大體上平 行於基板w及/或基板台wt之頂部表面的通過表面135之通 路）。開口 120(或更精確地，開口後方之通路的角度）亦可 在角度Θ下。 使角度Θ變化會對在總體供應中以某一流動速率所產生 之壓力具有效應。因此，角度θ之選擇可用以平衡空間Η 中之液體與空間11外部之液體之間的壓力。如以上所描 述，藉由使彼等壓力匹配，可減少或最小化兩種液體流動 之間的混合。 理想地，第二開口 120經設計以減少或最小化藉由通過 第二開口 120之液體流動而傳輸至基板琛及/或基板台WT的 流體動力。進行此過程之一方式係提供具有小於間隙1〇7 之尺寸除以6(理想地，小於間隙1〇7之尺寸除以2〇)之寬度 (例如，直徑）的第二開口 12〇。又，需要將離開第二開口 120之液體的流動速度提供為小於重力常數§乘以間隙 之尺寸之平方根的三倍（理想地，小於重力常數乘以間隙 107之尺寸之平方根）。 圖8a至圖8c為在Z方向（亦即，光軸）上之橫截面，其示 意性地說明流體處理結構100之外部表面1〇8之徑向地向外 之液體高度可如何依據平行於基板w之頂部表面的在流體 處理結構100下徑向地向外之流動速度v而變化。小於“亦 142582.doc •24- 201024925 即，在0與1之間）之福祿數（其等於液體速度V除以重力常數 g乘基板W及/或基板台WT之頂部表面與第二開口之間的距 離（h)之平方根）係理想的。在彼量值下，可預期自流體處 理結構100徑向地向外的基板W及/或基板台WT之頂部表面 • 上的穩定液體高度。此被說明於圖8a中。若液體速度v在 第二開口 120離基板W之距離h保持丨亙定的情況下增加，則 可預期徑向地向外之液體離流體處理結構1 〇〇之高度的變 φ 化。始於外部表面108且徑向地向外移動之液體的高度改 變首先為高度降低，之後為高度增加，之後為進一步高度 降低。若使福祿數保持低於2(亦即，在〇與2之間），則可避 免所s胃的水躍。見圖gb。若速度係使得福祿數適當地高於 2 ’則形成水躍。圖8c中說明水躍。此係由於離開第二開 口之液體的速度過高（或距離h過低）而引起。水躍之存在可 導致液體，之氣泡截留及破裂（抗濕潤）。此可導致乾结， 乾點導致缺陷（乾汙斑、標記、黏性氣泡，等等）。 • 查看此情形之另一方式在於：當存在水躍時，流動返度 而於表面重力波。亦即’液體之水平速度低於波之速度。 - 高度h理想地係在1毫米與4毫米之間，理想地係在15毫. 米與3毫米之間’理想地為2毫米。 有可能增加水平液體速度v，使得水躍僅發生於基板台 WT外部（亦即，不發生於基板 台WT之頂部上），亦即，圖 k所說明之水躍遠離流體處理結構1〇〇而徑向地移動，使 知其不再發生。然而，在此速度下，基板台WT之邊緣處 之液體的收集可能變得困難。 142582.doc -25- 201024925 圖9a及圖9b示意性地說明基板台wt之平面圖，且展示 本發明之一實施例的另一原理。如所說明，不管基板台 WT之頂部表面上的流體處理結構！ 〇〇之位置，自流體處理 結構1 〇〇徑向地向外之總體液體流動在朝向基板台WT之甲 心P之方向上總是比在其他方向上大。可能存在其他方向 上之流動’或可能不存在其他方向上之流動。 通過第二開口 122至流體處理結構1 〇〇中之流動可用以調 整總體液體中之壓力，及/或調整總體液體中之流動速 率’及/或調節總體液體水位及/或出於其他原因而降低波 幅及/或降低流體處理結構1 〇 〇上之波力。通過第三開口 122之流動可用以調整在給定方向上之流動速率。舉例而 言，僅沿著流體處理結構100之周邊之一小部分的彼等第 三開口 122(或僅第三開口 122之彼等部分）可使液體通過該 等（或該）開口而被提取，以便降低離開周邊之彼小部分之 液體的流動速率。 如圖9a所說明’若流體處理結構1〇〇與基板台评丁之相對 位置係使付流體處理結構1 〇〇在基板台WT之底部右手四分 之一部分中（當自上方進行檢視時），則朝向基板台wt之中 心P(及因此朝向基板台WT之頂部左手角隅（當自上方進行 檢視時））之流體流動增加超過在其他方向上之流動。類似 地，若流體處理結構100定位於基板台WT之中心左邊中 (當自上方進行檢視時）（如圖9b所說明），則在朝向右邊（當 自上方進行檢視時）之方向上的離開流體處理結構1〇〇之液 體流動將比在其他方向上大。 142582.doc -26 - 201024925 圖10至圖12說明三種另外方式，其中可根據圍繞流體處 理結構100之周邊位置而使離開基板台WT之液體流動的流 動速率變化。在圖10中，第二開口 120分裂成兩個區段 1 50、152。每一區段可包含一個第二開口或複數個第二開 . 口 120。可共同地控制與第一區段150相關聯之第二開口. 12〇。類似地’可共同地控制與第二區段152相關聯之第二 開口 120。控制係經由控制器140。 ❹ 因此，若流體處理結構100係在基板台WT之左手側令， 則通過第二區段152之第二開口 120的液體流動將大於通過 第一區段150中之第二開口 120之流體的液體流動。梱反 地’若液體處理結構100係在基板台WT之右手側中，則離 開第一區段150中之第二開口 120的液體流動將大於離開第 二區段152中之第二開口 120的液體流動。 圖11展示流體處理結構10 0之周邊分裂成四個不同區段 154、156、158、16〇之情況。該等區段具有相等尺寸’且 φ 對應於每一區段之第二開口 120(及對應於每一區段之第三 開口 122)可獨立於其他區段之第二開口 12〇而被控制。在 此情況下’右流體處理結構100係在基板台WT之頂部右手 角隅中，則離開流體處理結構100之左手及底部上之區段 154及156的液體流動將大於離開其他兩個區段158及的 流體流動。 應瞭解，流體處理結構100之周邊可分裂成任何數目之 區段’且彼等區段可沿著周邊之任何小部分而延伸。控制 器140可接著根據第二開口 120及另外開口 122位於哪一區 142582.doc -27- 201024925 段中而控制所有該等開口。 圖12中說明另—實施例。在此實施例中，流體處理結構 100或含有第二開口 120的流體處理結構100之部分係可旋 轉的乂此方式，僅需要沿著流體處理結構⑽之周邊之 部分162而提供第：開σ 12G(或可沿著周邊之部分162而增 加開口 i20之密度）。可接著旋轉流體處理結構1〇〇或流體 處理結構1〇〇之該部分，使得離開第二開口 12〇之更大液體 流動可在朝向基板台WT之中心p之方向上為其最大值。 在一實施例中，提供一種流體處理結構，流體處理結構 係用以將流體提供至⑴投影系統之最終元件與基板及/或 基板台之間的空間，且(ii)提供至不在投影系統下的基板 及/或基板台之頂部表面。流體處理結構包含··第一開 口 ’第-開口通向空間’第一開口係用以提供自流體處理 結構至空間中之流體流動；障壁，障壁係用以阻撞離開流 體處理結構與基板之間的空間之流體流動；及第二開口， 第二開口相對於投影系統之光轴係自障壁徑向地向外，第 二開口係用以提供自流體處理結構至自空間徑向地向外的 基板及/或基板台之頂部表面上的流體流動。在一實施例 中，流體處理結構進一步包含控制器，控制器經組態以控 制離開第一開口及/或第二開口之流體流動。理想地，控 制器經組態以控制離開第二開口之流體流動，使得自流體 處理結構徑向地向外流動之流體具有在〇與2之間的福祿 數，理想地係在0與1之間。理想地，控制器可取決於流體 處理結構相對於基板台之位置而使離開第二開口之流體的 142582.doc -28- 201024925

流動速率變化。理想地’控制器可控制離開第二開口之流 動’使得在朝向基板台之中心之方向上的流動大於在遠離 基板口之中’。之方向上的流動。理想地，控制器可控制在 流體處理結構外部經由第二開口及/或經由第三開口之流 體流動’第三開口通向環繞空間之區域。理想地，控制器 可使流體自圍繞流體處理結構之周邊之一部分的移除速率 變化理想地，控制器可控制通過第一開口及通過第二開 口之流體流動，使得在空間中之流體的壓力大體上等於在 空間外部及在鄰近於流體處理結構之區域中之流體的壓 力。理想地，控制器可藉由使流動速率及/或流動方向及/ 或流動角度變化來控制壓力。理想地，第二開口係在乎行 於基板之頂部表面或相對於基板及/或基板台之平面在選 自0°至10。之角度下傾斜的表面中，表面更接近於接近投 影系統之光轴的基板且更遠離於遠離投影系統之光軸。理 想地，流體處理結構經建構及配置成使得已離開第一開口 之流體係與已離開第二流體開口之流體大體上去耦。在一 實施例中，流體處理結構進一步包含氣體開口，氣體開口 通向不在投影系統下的基板及/或基板台之頂部表面上的 液體。理想地，氣體開口連接至經增濕氣體源以在頂部表 面上方提供經增濕氣體。 在一實施例中，一種浸沒微影裝置在使用中使基板台及 基板之大體上整個頂部表面覆蓋於流體中，且包含根據以 上段落之流體處理結構。理想地，障壁與基板及/或基板 台之頂部表面之間的距離係在50微米與25〇微米之間。理 142582.doc •29- 201024925 想地，第二開口與基板及/或基板台之間的距離係障壁與 基板及/或基板台之間的距離的至少五倍。理想地，第二 開口之寬度至少大於開口與基板及/或基板台之間的距離 除以6，理想地大於距離除以20。理想地，離開第二開口 之流體的流動速度小於g乘開口離基板及/或基板台之距離 之平方根的三倍’其中g為重力常數。理想地，離開第二 開口之流體的流動速率係在0.2 lpm至6.0 lpm之範圍内。 在另一實施例中，揭示一種流體處理結構，流體處理結 構係用以將流體提供至不在投影系統下的基板及/或基板 台之頂部表面。流體處理結構包含：開口，開口係用以將 流體自流體處理結構提供至頂部表面上；及控制器，控制 器係用以將離開開口之流體流動控制成在朝向基板台之中 〜之方向上比在遠離基板台之中心之方向上處於更大速率 下。理想地，開口包含圍繞流體處理結構之周邊的複數個 開口’其中控制器根據開口圍繞流體處理結構之周邊之位 置且根據流體處理結構相對於基板台之位置而控制離開開 口中之一或多者之流體流動。理想地，流體處理結構之周 邊分裂成複數個區段，區段中之至少一者具有開口，離開 一區段之開口的流動係由控制器根據流體處理結構相對 ;基板口之位置而控制。理想地，開口係圍繞流體處理結 構之周邊以不同密度被提供，且開口可圍繞投影系統之光 軸而旋轉。 t. 敕—實施例中’一種在使用中使基板台及基板之大體 上正個頂部表面覆蓋於流體中的浸沒微影裝置包含以上段 142582.doc 201024925 ^ 落之流體處理結構。 在一實施例中’一種器件製造方法包含將輻射光束通過 浸沒液體而投影至基板台上之基板之頂部表面上，浸沒液 體係通過流體處理結構之第一開口而提供至投影系統之最 • 終元件與基板之間的空間，其中流體處理結構之障壁阻擋 • 離開流體處理結構與基板之間的空間之液體流動，且流體 處理結構中之第二開口將流體提供至不在投影系統下的基 板及/或基板台之頂部表面上。 霸 在一實施例中，一種器件製造方法包含：將輻射光束通 過浸沒液體而投影至基板台上之基板之頂部表面上，浸沒 液體係藉由流體處理結構而提供至投影系統之最終元件與 基板之間的空間；及將流體提供至不在投影系統下的基板 及/或基板台之頂部表面上，使得在朝向基板台之中心之 方向上的流體流動大於在遠離中心之方向上的流體流動。 在一實施例中’流體處理結構包含用於浸沒微影褒置之 鲁 、々il 處理結構’流體處理結構在使用中界定投影系統斑基 板及/或基板台之間的空間，流體處理結構包含：表面， 表面界定流體處理結構之外部表面；障壁，障壁定位於外 部表面與空間之間；開口，開口係界定於外部表面中，開 •口經組態以將浸沒流體供應至自空間徑向地向外的基板台 及/或基板之表面之頂部表面，其中障壁經組態以阻擋流 體流入空間。理想地’流體處理結構進一步包含内部開 口 ’内部開口係界定於流體處理結構之内部表面中，内部 開口經組態以將浸沒流體供應至空間中，流體處理結構將 142582.doc -31 · 201024925 供應至空間之浸沒流體限制於空間。理想地，障壁經組態 以限制/阻擋供應至空間之浸沒流體徑向地向外流出障壁 與基板及/或基板台之間的空間。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在ic製造中之使 用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用， 諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及债測圖 案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等等。 熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認

為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通 用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或 之後在（例如）軌道（通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝 光抗蝕劑之工具）、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文 所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其 他基板處H另外，可將基板處理―次以上，（例如） 以便形成多層1C，使得本文所使用之術語基板亦可指代已 經含有多個經處理層之基板。

本文所使用之術語「輕封 η Γ t + 何，。輻射」及「光束」涵蓋所有類刮 =輻射’包括紫外線（UV)輻射（例如，具有 奈米/Μ奈米、193奈米、叫米或叫米之波^ 術居一透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光 之任：者或其組合’包括折射及反射光學組件。 儘官以上已描述本發明之 與所描述之方式不同 仁應瞭解’可 &，本發明可採取 ^舉例 〜式，一或多個電腦程式，i 142582.doc -32· 201024925 描述如以上所揭示之方法之機器可讀指♦的一或多侮序 歹J ’或或多個資料儲存媒體（例如，半導體記憶體、磁 碟或光碟），其具有儲存於其令之該一或多個電腦程式。 :藉由位於微影裝置之至少一組件内之一或多個電腦處理 器來讀取-❹個電靠式時，本文所提及之―或多個不 同控制n可能為可操作的…或多個處理器經組‘態以與控

制器中之至少一者通信；藉此該(該等)控制器根據—或多 個電腦程式之機器可讀指令而操作。 本發明之一或多個實施例可應用於任何浸沒微影裴置， 特別地（但不獨佔式地）為以上所提及之彼等類麼，且条論 浸沒液體是轉之形式被提供、僅提供於基板之局域化表 面區域上’或是未經限制的。在未經限制配置十，浸没液 體可遍及基板及/或基板台之表面而流動，使得基板台及/ 或基板之大體上整個未經覆蓋表面濕潤。在該未經限制浸 沒系統中，&體供應系統可能不限制浸沒流體或其可艇提 供浸沒液體限制比例，但未提供浸沒液體之大體上完整限 制0 應廣泛地解釋如本文所預期之液體供應系統。在某生實 施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板 及/或基板台之間的空間之機構或結構之組合。其可包含 一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、 一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液 之表面可為基板及/ 或基板台之-部分’或空間之表面可完全地覆蓋基板及/ 142582.doc •33- 201024925 或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台 供應㈣可視情況進一步包括一或多個元件以控制液體： 位置、ϊ、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習 此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離以下㈣明^申 請專利範®之料的情況τ對如所描述之本發明進行修 改。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2及圖3描繪用於微影投影裝置中之液體供應系統，· 圖4描繪用於微影投影裝置中之另一液體供應系統； 圖5描繪用於微影投影裝置中之另一液體供應系統； 圖6以橫截面描繪根據本發明之一實施例的流體處理結 構； 圖7以橫截面描繪圖6之流體處理結構的細節； 圖8a至圖8c以橫截面說明離開第二開口之流動速率對液 體行為的效應； 圖9a及圖9b以平面圖說明流體處理結構及基板台； 圖1 0以平面圖說明流體處理結構之一實施例； 圖11以平面圖說明流體處理結構之另一實施例；及 圖12以平面圖說明流體處理結構之又一實施例。 【主要元件符號說明】 11 空間 12 液體限制部件 142582.doc •34· 201024925 13 液體入口 /液體出口 14 出口 15 入口 16 氣體密封件 100 流體處理結構/液體處理結構 105 主體 106 内部表面 107 參 間隙 108 外部表面 110 第一開口 112 另一開口 120 第二開口 122 第三開口 125 氣體開口 ' 130 障壁 φ 135 表面 140 控制器 150 第一區段 ' 152 第二區段 154 區段 156 區段 158 區段 160 區段 162 流體處理結構100之周邊之部分 142582.doc -35- 201024925 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IH 液體限制部件 IL 照明系統/照明器 IN 積光器 Ml 圖案化器件對準標記 M2 圖案化器件對準標記 MA 圖案化器件 MT 支撐結構 P 基板台WT之中心 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 142582.doc -36-

Claims (1)

1. 201024925 七、申請專利範圍： 1. -種流體處理結冑，該流體處理結構經組態以將流體提 供至⑴一投影系統與一基板及/或基板台之間的一空間， 且（Π)提供至自該空間徑向地向外的一基板及/或基板台 之一頂部表面，該流體處理結構包含： 一第一開口，該第一開口通向該空間’該第一開口係 用以提供自該流體處理結構至該空間中之一流體流動； 一障壁，該障壁係用以阻擋離開該流體處理結構與該 基板之間的該空間之流體流動；及 一第二開口，該第二開口相對於該投影系統之一光軸 係自該障壁徑向地向外，該第二開口係用以提供自該流 體處理結構至自該空間徑向地向外的該基板及/或基板台 之一頂部表面上的一流體流動。 2.如請求項1之流體處理結構，其進一步包含一控制器，

   該控制器經組態以控制離開該第一開口及/或該第二開口 之流體流動。 3 ·如求項2之流體處理結構，其中該控制器經組態以控 制離開该第二開口之流體流動，使得自該流體處理結構 徑向地向外流動之流體具有在〇與2之間的一福祿數理 想地係在〇與1之間。 «求項2或3之流體處理結構，其中該控制 ::::::處Γ構相對於-基板台之-位置而:離 6 开之机體的一流動速率變化。 5.如請求項4之流魏虑理社 處理、，·《構，其中該控制器經組態以控 142582.doc 201024925 制離開該第二開口之流動’使得在朝向—基板台之一中 心之一方向上❸—流動大於在遠㈣基板台之該中心之 一方向上的一流動。 6. 如咕求項2或3之流體處理結構，其中該控制器經組態以 控制在该流體處理結構外部經由該第二開口及/或經由一 第三開口之流體流動，該第三開口通向環繞該空間之一 區域。 7. 如凊求項6之流體處理結構，其中該控制器經組態以使 流體自圍繞該流體處理結構之一周邊之一部分的移除速 率變化。 8. 如請求項2或3之流體處理結構，其中該控制器經組態以 控制通過該第一開口及通過該第二開口之流體流動，使 得在該空間中之流體的一壓力大體上等於在該空間外部 及在鄰近於該流體處理結構之一區域中之流體的一壓 力。 9. 如請求項8之流體處理結構，其中該控制器經組態以藉 由使流動速率及/或流動方向及/或流動角度變化來控制 該等壓力。 10. 如請求項1、2或3之流體處理結構，其中該第二開口係 在平行於一基板及/或基板台之一頂部表面或相對於該基 板及/或基板台之一平面在選自0。至10。之一角度下傾斜 的一表面中，該表面更接近於接近該投影系統之一光軸 的該基板及/或基板台且更遠離於遠離該投影系統之該光 轴。 142582.doc 201024925 11.如請求項1、2或3之流體處理結構，其中該流體處理結 構經組態成使得已離開該第一開口之流體係與已離開該 第二流體開口之流體大體上去耦。 12·如請求項1、2或3之流體處理結構，其進一步包含一氣 體開口，該氣體開口通向自該空間徑向地向外的該基板 及/或基板台之該頂部表面上的液體。 13. 如請求項12之流體處理結構，其中該氣體開口連接至一 φ 經增濕氡體源且經組態以在該頂部表面上方提供經增濕 氣體。 14. 一種浸沒微影裝置，其中在使用中，一基板台及一基板 之大體上整個一頂部表面被覆蓋於流體中，該裝置包含 一如前述請求項中任一項之流體處理結構。 15. 如請求項14之浸沒微影裝置，其中障壁與一基板及/或基 板台之一頂部表面之間的一距離係在5〇微米與25〇微米 之間。 Φ 16.如請求項丨4或15之浸沒微影裝置，其中第二開口與該基 板及/或基板台之間的一距離係該障壁與該基板及/或基 板台之間的該距離的至少五倍。 17.如請求項14或15之浸沒微影裝置，其中該第二開口之一 寬度至少大於該開口與該基板及/或基板台之間的一距離 除以6 ’理想地大於該距離除以2〇。 1 8 ·如請求項14或15之浸沒微影裝置，其中離開該第二開口 之流體的一流動速度小於g乘該開口離該基板及/或基板 台之該距離之平方根的三倍，其中g為重力常數。 142582.doc 201024925 19. 如請求項14或15之浸沒微影裝置，其中離開該第二開口 之流體的一流動速度係選自0.2 1ριη至6.0 lpm之範圍。 20. —種流體處理結構，其經組態以將流體提供至一投影系 統與一基板之間的一空間，且提供至自該空間徑向地向 外的一基板及/或基板台之一頂部表面，該流體處理結構 包含： 一開口，該開口係用以將流體自該流體處理結構提供 至該頂部表面上；及 一控制器’該控制器經組態以將離開該開口之一流體 流動控制成在朝向該基板台之一中心之一方向上比在遠 離該基板台之該中心之一方向上處於一更大速率下。 21. 如請求項20之流體處理結構’其中該開口包含沿著該流 體處理結構之一周邊的複數個開口，其中該控制器經組 態以根據該開口沿著該流體處理結構之該周邊之位置且 根據β亥流體處理結構相對於該基板台之位置而控制離開 該等開口中之一或多者之該流體流動。 22. 如請求項20之流體處理結構，其中該流體處理結構之一 周邊分裂成複數個區段’該等區段中之至少一者具有一 開口，離開每一區段之該等開口的流動係由該控制器根 據該流體處理結構相對於該基板台之該位置而控制。 23. 如請求項20之流體處理結構’其中該開口係沿著該流體 處理結構之一周邊以一不同密度被提供，且該開口可圍 繞該投影系統之一光轴而旋轉。 24. —種浸沒微影裝置，其中在使用中，—基板台及一基板 142582.doc -4 - 201024925 之大體上整個一頂部表面被覆蓋於流體中，該裝置包含 一如請求項20至23中任一項之流體處理結構。 25. —種器件製造方法’其包含將一輻射光束通過浸沒液體 而投影至一基板台上之一基板之一頂部表面上，該浸沒 液體係通過一流體處理結構之一第一開口而提供至一投 影系統與該基板之間的一空間，其中該流體處理結搆之 一障壁阻擋離開該流體處理結構與該基板之間的該空間 之液體流動，且該流體處理結構中之一第二開口將流體 提供至自該空間徑向地向外的該基板及/或基板台之一頂 部表面上。 26. —種器件製造方法，其包含：將一輻射光束通過浸沒液 體而投影至一基板台上之一基板之一頂部表面上，該浸 沒液體係藉由一流體處理結構而提供至一投影系統與該 基板之間的一空間，及將一流體提供至自該空間徑向地 向外的該基板及/或基板台之一頂部表面上，使得在朗向 该基板台之一中心之一方向上的一、流體流動大於在遠離 該中心之一方向上的該流體流動。 27. —種用於一浸沒微影裝置之流體處理結構，該流體處理 、-構在使用中界定—投影系統與—基板及/或基板台之間 的一空間’該流體處理結構包含： 一表面，該表面界定該流體處理結構之一外部表面； 一開口 ’該開π係界定於該外部表面中，該開口經組 態以將流體供應至自該空間徑向地向外的一基板台及/或 一基板之一表面之一頂部表面；及 142582.doc 201024925 一障壁，該障壁定位於該外部表面與該空間之間，該 障壁經組態以阻擋該流體流入該空間。 28. 如請求項27之流體處理結構，其包含一内部開口，該内 部開口係界定於該流體處理結構之一内部表面中，該内 部開口經組態以將流體供應至該空間中，該流體處理結 構將供應至該空間之該流體限制於該空間。 29. 如請求項28之流體處理結構，其中該障壁經組態以限制 及/或阻擋供應至該空間之流體徑向地向外流出該障壁與 該基板及/或基板台之間的該空間。 142582.doc