JP5334204B2

JP5334204B2 - リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の制御方法

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Publication number: JP5334204B2
Application number: JP2010029605A
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Inventors: スタベンガ，マルコ，クールト; ケンパー，ニコラース，ルドルフ; リーンダース，マルチヌス，ヘンドリカス，アントニアス; リーブレッツ，パウルス，マルティヌス，マリア; マルケンス，ヨハネス，キャサリヌス，ハーバータス; エウメレン，エリック，ヘンリカス，エギディウス，キャサリナ; ムルマン，リシャルト; リーペン，マイケル; シュレポフ，セルゲイ; ブランズ，ゲルト−ヤン，ゲラルドゥス，ヨハネス，トーマス; ステッフェンス，コエン; クロムウィック，ヤン，ウィレム; メイヘルズ，ラルフ，ヨセフ; エヴァンゲリスタ，ファブリジオ; ベッセムズ，デイビッド; リ，ホア; ヤチェムセン，マリヌス; ギュンター，ピーター，レイン，ヨセフ; ベル，フランシスカス，ウィルヘルムス; ウィトベルグ，エリック
Original assignee: エーエスエムエルネザーランズビー．ブイ．
Priority date: 2009-02-19
Filing date: 2010-02-15
Publication date: 2013-11-06
Anticipated expiration: 2030-02-15
Also published as: TWI422988B; JP2010219510A; KR20110134351A; CN101840158A; KR101234124B1; KR101596403B1; EP2221669A3; US20100214543A1; EP2221669A2; CN101840158B; KR20100094962A; SG164338A1; TW201044117A; US8405817B2

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置の制御方法及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを形成することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。

[0006] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、望ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。

[0007] 局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、矢印で表される入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。図４の断面図では、矢印は、入口への及び出口からの液体のフローの方向を示す。

[0008] 欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。

[0009] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れる（又は流れる）ことができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。

[0010] 液浸リソグラフィでは、空間から露光されている基板上へ何らかの液体が失われることがある。失われる液体は、欠陥率のリスクを呈することがある。液滴が基板上に存在して空間内の液体、例えば、液体のメニスカスと衝突して、空間内に泡などの一定容積のガスを形成することがある。泡は、基板のターゲット部分に向けられた結像放射に干渉して基板上の結像パターンに影響することがある。

[0011] 例えば、そのような結像の欠陥を低減又は除去することが望ましい。

[0012] 一態様によれば、
基板を支持するように構成された基板テーブルと、
パターン付放射ビームを基板上に誘導するように構成された投影システムと、
投影システムと基板又は基板テーブルあるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された液体ハンドリングシステムと、
基板及び／又は基板テーブルの予め画定された領域が液体ハンドリングシステムの下にある時に液体ハンドリングシステムに対する基板及び／又は基板テーブルの移動中に装置の動作状態を調整するコントローラとを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0013] 一態様によれば、リソグラフィ装置の操作方法であって、
パターン付放射ビームを液体ハンドリングシステムによって閉じ込められた液浸液を通して基板上に投影するように構成された投影システムに対して基板を支持する基板テーブルを移動させるステップと、
基板及び／又は基板テーブルの予め画定された領域が液体ハンドリングシステムの下にある時に液体ハンドリングシステムに対する基板及び／又は基板テーブルの移動中に装置の動作状態を調整するステップとを含む方法が提供される。

[0014] 一態様によれば、基板を支持するように構成された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板上に誘導するように構成された投影システムと、投影システムと基板又は基板テーブルあるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された液体ハンドリングシステムと、液体ハンドリング構造に対して基板又は基板テーブルあるいはその両方の相対位置を決定するように構成された位置決めシステムと、基板又は基板テーブルあるいはその両方と液体ハンドリング構造又は投影システムあるいはその両方との間の相対移動を制御するように構成され配置されたコントローラとを備え、コントローラが基板の縁部もしくは縁部近傍の予め画定された領域内のターゲットの結像中の基板テーブルと投影システムとの間のスキャン速度、又は基板の縁部もしくは縁部近傍の予め画定された領域内の隣接するターゲット位置間のステップ速度、あるいはその両方を低減するように構成された液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0015] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置の操作方法であって、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムに対して基板を支持する基板テーブルを移動させるステップと、基板の縁部もしくは縁部近傍の予め画定された領域内のターゲットの結像中に基板テーブルと投影システムとの間のスキャン速度を調整するステップ、又は基板の縁部もしくは縁部近傍の予め画定された領域内の隣接するターゲット位置間のステップ速度を調整するステップ、あるいはその両方のステップとを含み、スキャン又はステップ速度の調整ステップが速度の低減ステップを含む方法が提供される。

[0016] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0020]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0021]基板の縁部とそれを取り囲む基板テーブルの断面図である。 [0022]本発明のある実施形態によるスキャン及び／又はステップ速度を選択する工程のフローチャートである。 [0023]本発明のある実施形態に従ってスキャン速度の低減が適用することができる基板の領域を表す図である。 [0024]ステップ変位ベクトルを示す図である。 [0025]本発明のある実施形態によるステップ速度の低減の幾何学的パラメータの概略図である。 [0026]本発明のある実施形態によるオーバライド領域の画定の概略図である。 [0027]本発明のある実施形態による外周スキャン速度の低減を示す図である。 [0028]液体供給システムの下の基板の移動と結像エラー源の概略図である。 [0029]例えば、図１３に示す結像エラー源を回避するための液体供給システム下の基板の移動の概略図である。

[0030] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0031] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0032] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0033] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0034] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0035] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0036] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0037] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0038] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0039] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0040] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0041] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0042] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0043] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0044] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0045] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0046] 投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的カテゴリに分類される。これらは、浴タイプ構成と、いわゆる局所液浸システムである。浴タイプ構成では、実質的に基板の全体とオプションとして基板テーブルの一部が液体の浴内に浸漬される。いわゆる局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、液体で充填される領域は、基板がその領域の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。本発明のある実施形態が指向する別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、液体供給デバイスには封止フィーチャが存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示された液体供給システムについては上記の通りである。

[0047] 提案されている別の構成は、液体供給システムに流体閉じ込め構造を提供する構成である。流体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在していてもよい。そのような構成を図５に示す。流体閉じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。流体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成される。ある実施形態では、流体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触封止でよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0048] 図５は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材又は流体閉じ込め構造を形成する本体１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造又はデバイスを概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）流体閉じ込め構造は、投影システムＰＳに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、液体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成され、封止は、ガスシール又は流体シールなどの非接触封止でよい。

[0049] 流体ハンドリングデバイスは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置しそれを取り囲む本体１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下の空間１１、及び液体入口１３によって本体１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。本体１２は、投影システムＰＳの最終要素から上に少し突き出すことができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、本体１２は、上端で、投影システムＰＳ又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0050] 液体は、使用時に、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して取り出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフローが存在するように、ガス入口１５上の過圧、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。本体１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で、液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的又は不連続的である。ガスのフローは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0051] 図５の例は、液体が任意の一時点で基板Ｗの上面の局所領域にのみ提供されるいわゆる局所領域構成である。例えば、米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された単相抽出器又は２相抽出器を使用する流体ハンドリングシステムを含むその他の構成も可能である。ある実施形態では、単相抽出器又は２相抽出器は、多孔質の材料で覆われた入口を備えていてもよい。単相抽出器の実施形態では、多孔質の材料は、単液体相液体抽出を可能にするために、ガスから液体を分離するために使用される。多孔質の材料の下流側にあるチャンバはわずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で充填されている。チャンバ内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入できる。多孔質の材料は、例えば５〜３００μｍ、望ましくは５〜５０μｍの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は、少なくともわずかに親液性（例えば、親水性）であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。

[0052] 可能な別の構成は、気体抗力原理で動作する構成である。いわゆる気体抗力原理は、例えば、２００８年５月８日出願の米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号及び米国特許出願ＵＳ６１／０７１，６２１号に記載されている。そのシステムでは、抽出孔が、望ましくは、角を有する形状に配置されている。角は、ステップ及びスキャン方向に整列していてもよい。これによって、２つの出口がスキャン方向に垂直に整列していた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向の所与の速度について流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスにかかる力が低減する。

[0053] ＵＳ２００８−０２１２０４６号には、主液体回収フィーチャの半径方向外側に配置されたガスナイフも開示されている。ガスナイフは、主液体回収フィーチャより先に進むいかなる液体も捕捉する。そのようなガスナイフは、いわゆる気体抗力原理構成（ＵＳ２００８−０２１２０４６号に開示するような）、単相抽出器又は２相抽出器構成（ＵＳ２００９−０２６２３１８−Ａ１号に開示するような）又はその他の任意の構成内にあってもよい。

[0054] 本発明のある実施形態は、オールウェット液浸装置で使用される流体ハンドリング構造に適用することができる。オールウェット実施形態では、例えば、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め構造から液体が漏出できるようにすることで、流体は基板テーブルの上面全体を覆うことができる。オールウェット実施形態の流体ハンドリング構造の一例は、２００８年９月２日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１３６，３８０号に記載されている。

[0055] その他の多くのタイプの液体供給システムも可能である。本発明は、任意の特定のタイプの液体供給システムに限定されない。本発明は、投影システムの最終要素と基板との間の液体が例えば使用を最適化する際に閉じ込められる閉じ込め液浸システムと併用する場合に有利である。しかし、本発明は、その他の任意のタイプの液体供給システムとも併用することができる。

[0056] 図６に示すように、基板ホルダを用いて基板Ｗを支持することができる。基板テーブルＷＴは、基板ホルダを支持する。基板ホルダは、基板テーブルＷＴの凹部であってもよい。凹部の深さは、基板Ｗが基板ホルダ上にある時に基板Ｗの表面が基板テーブルＷＴの上面と実質的に同一平面になるようなサイズであってもよい。基板Ｗが基板支持体上にある時には、基板Ｗの縁部と基板テーブルの対向する縁部２０との間にギャップＧがあってもよい。

[0057] ギャップＧ内には、動作時にギャップＧから液体を除去する流体抽出デバイスの画定されたギャップ開口（ある実施形態では、複数のギャップ開口１００であってもよい）があってもよい。ギャップ開口１００は、凹部の縁部近傍に（例えば、基板Ｗに対して半径方向外側の位置に）配置されていてもよい。開口（又は１つ又は複数の下側開口１２０）は、基板支持体の外周又は外周近傍にあってもよい。この開口は、下側開口１２０を通して基板Ｗの下から液体を除去することができるように、動作時に基板Ｗによって覆われていてもよい。

[0058] 閉じ込め液浸システムなどの液浸システムでは、液浸液が液体閉じ込め構造１２から漏出することがある。漏出した液体は、基板テーブル又は結像中の基板の表面に滞留することがある。漏出した液体は、液滴又は膜（以後、液滴は液滴及び／又は膜を意味する）の形態であってもよい。液滴は、幾つかの欠陥率問題の原因になり得る。

[0059] 基板Ｗ又は基板テーブルＷＴ上の液滴の位置は、液体閉じ込め構造１２の下を通過することがある。液滴と閉じ込められた液体との衝突によって欠陥率問題が生じる場合がある。例えば、閉じ込め液浸システムでは、液滴は、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間に延在する液体メニスカスと衝突することがある。そのような衝突によって、液体は、気体（例えば、空気）を直径が５〜１０μｍであるが１〜５００μｍであってもよい泡として閉じ込めることがある。泡のサイズは、通常５〜１０ミクロンである。泡は、液浸液を通して投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間１１内に移動することができ、又は泡は基板Ｗ上に静止し、空間１１に対する基板Ｗの相対移動によって空間１１内に移動することができる。この場所にある泡は、結像に影響することがある、すなわち、泡はレジスト内に暴露されて結像の欠陥を引き起こすことがある。

[0060] 例えば、基板を横切るダイの線の結像後又はダイの線の結像の始めに、基板Ｗの縁部が液体閉じ込め構造１２の下を移動する時に、液体が漏出するリスクが増大する。基板の縁部を横切る際に、基板縁部と基板テーブルＷＴは、液体閉じ込め構造１２の下を通過するため、基板Ｗの表面の代わりに基板テーブルＷＴの表面によって液浸空間１１が画定される。基板Ｗを投影システムＰＳの下から移動させて基板テーブルＷＴに置き換える際に、ギャップＧが投影システムＰＳの下を通過する。これによって、メニスカスは安定性を失うことがある。その結果、液体が漏出する。

[0061] この問題は、液浸液が基板Ｗの表面の少なくとも全体と、望ましくは、基板テーブルＷＴのそれを取り囲む表面の一部を覆うオールウェット液浸システムではあまり深刻ではないことに留意されたい。

[0062] 本発明のある実施形態では、コントローラ５０は、リソグラフィ装置の１つ又は複数の動作条件を調整するように構成されている。例えば、コントローラは、液体閉じ込め構造１２の１つ又は複数の動作条件及び／又は投影システムＰＳ及び／又は液体閉じ込め構造１２に対して基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴを位置決めするように構成された位置決めシステムＰＷの１つ又は複数の動作条件を調整するように構成されていてもよい。したがって、コントローラ５０は、１つ又は複数のメインコントローラによって決定された動作条件から１つ又は複数の動作条件を変更する。すなわち、コントローラ５０は、１つ又は複数の動作条件をコントローラ５０がなければ選択されたはずの動作条件とは異なるように設定する。

[0063] １つ又は複数の動作条件は、液体閉じ込め構造１２及び／又は投影システムＰＳに対する基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの速度を含んでいてもよい。

[0064] コントローラ５０は、代替的に又は追加的に、投影システムＰＳと基板１１との間の空間１１に提供される液浸流体の流量を調整することができる。

[0065] 代替的に又は追加的に、コントローラ５０は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間１１から液浸流体を取り出すために用いる加圧源のレベルを調整することができる。

[0066] 代替的に又は追加的に、ガスナイフを用いて液浸流体を制御し、例えば、空間１１からの液浸流体の損失を低減する液浸リソグラフィ装置では、コントローラ５０は、ガスナイフで使用するガスの流量を調整（例えば、増大）してもよい。

[0067] 代替的に又は追加的に、ガスナイフを使用するそのような液浸リソグラフィ装置では、コントローラ５０は、ガスナイフで使用するガスの所望の組成を決定するか、又はその組成に基づいて、ガスが液浸液の蒸気で飽和するレベルなどのパラメータを決定してもよい。

[0068] コントローラ５０は、代替的に又は追加的に、液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面との間の距離を変更してもよい。

[0069] コントローラ５０は、代替的に又は追加的に、液体閉じ込め構造１２の底面が基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面に平行にならないように、液体閉じ込め構造１２を傾けてもよい。すなわち、液体閉じ込め構造１２の底面は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面に平行な状態から起こす方向に角度があってもよい。

[0070] コントローラ５０は、代替的に又は追加的に、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間のギャップの開口１００、１２０からの流体抽出流量を設定してもよい。

[0071] コントローラ５０は、代替的に又は追加的に、液浸空間への液浸液の流量を設定してもよい。

[0072] コントローラ５０は、代替的に又は追加的に、液体ハンドリング構造１２内の流体の様々なフローの周方向、例えば、円周方向の分配を変えてもよい。すなわち、液体閉じ込め構造１２の一方の側で（平面視で）液体閉じ込め構造１２の反対側よりもより大きいフローを形成してもよい。これは、液体閉じ込め構造１２から流出する流体と、液体閉じ込め構造に流入する流体の両方にあてはまる。すなわち、液体ハンドリングシステムの開口内への及び／又は開口からの流体流量は移動方向に対する開口の角位置に応じて変化する。

[0073] その他の動作条件又は動作条件の任意の組合せは、代替的に又は追加的に、コントローラ５０によって決定されてもよい。

[0074] 液浸空間１１内の泡の形成の尤度に影響する重要なパラメータが液体閉じ込め構造１２に対する基板Ｗの速度である。液体閉じ込め構造１２に対する基板Ｗの速度を設定するコントローラ５０に関して以下に本発明のある実施形態を説明する。しかし、任意の追加の又は別の動作条件、特に上記の動作条件も以下に述べるのと同じ方法で設定することができる。

[0075] この方法は、例えば、他のフィーチャが基板テーブルとブリッジ又はセンサとの間のギャップに接近するなど、表面を横断し表面の縁部に接近する際に投影システム１２の下を通過するときに使用することができる。本発明のある実施形態が使用することができるその他の表面は、親液性の表面であるか又は少なくともセンサなどの接触角が小さい部分を有する傾向がある表面を含む。投影システム１２の下を通過するその他のフィーチャはメニスカスの不安定性を示すことがあるため、一実施形態では、コントローラは、移動がセンサなどのフィーチャに近い時に装置の１つ又は複数の動作条件を調整する。レンズ干渉計（例えば、ＩＬＩＡＳ）、又は透過イメージセンサ、又はスポットセンサなどのセンサの場合、液体閉じ込め構造１２のガスナイフをオフにするか、又はその流量を低減してそれらのセンサの親液性部分での液体の損失を回避することができる。

[0076] 正常な動作条件下で液体の損失が発生するように基板テーブルＷＴが経路設定されている時には、基板テーブルＷＴの速度を低い速度に設定することで泡形成のリスクが軽減される助けになる。このように基板テーブルＷＴの移動を制御するように構成されたコントローラ５０をエッジ速度リミッタと呼ぶことができる。

[0077] 本発明のある実施形態では、ターゲット又はターゲットダイを結像するスキャン速度は、例えば、基板Ｗの縁部近傍で制限されている。ある実施形態では、ステップ速度は調整されない。ある実施形態では、スキャン速度は調整されない。

[0078] 基板Ｗの縁部の位置決めは、基板テーブルＷＴに対する座標に関して実行することができる。座標が基板Ｗに対して位置決めシステムを使用することが望ましい。これが望ましいのは、基板Ｗ、それ故、その縁部の正確な位置が予測不可能であるからである。スキャン速度を低減しても泡の形成を防止するのに不十分なことがある。ある実施形態では、ある種のダイのスキャン中の速度を制限するために手動オーバライドを提供することができる。ある実施形態では、手動オーバライドは提供されない。ある実施形態では、手動オーバライドを用いてある種のダイのスキャン中の速度を増大させることができる。これらのダイのスキャン中の速度を増大させることで欠陥が発生しないことが経験上オペレータに分かっている場合には、これによってスループットが増大する。

[0079] ある実施形態では、基板Ｗの縁部近傍の領域でのターゲットのステップ運動に速度制限が適用される。１つ又は複数の泡が除去又は防止することができるため、ステップ速度の制限は有利である。それによって、液体の損失とその結果としての泡の形成のリスクが防止されるか又は実質的に低減する。

[0080] ある種のダイについてスキャン及び／又はステップ速度を制限し、手動速度リミッタを有することで、基板Ｗの結像中に形成される泡の数を、結像する基板Ｗにつき１〜５個以下の泡に低減することができる。この範囲は、基板Ｗあたり０〜５個の泡、望ましくは基板あたり０〜１個の泡、最も望ましくは基板Ｗあたり０〜０．５個の泡と表すことができる。

[0081] 以下の説明では、基板Ｗの表面は、トップコートレスレジスト又はＪＳＲＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＴＣＸ０４１などのトップコートを塗布していると考えることができる。スキャン又は結像運動という表現は、製品イメージ上の露光スキャンを意味する。他の運動、例えば、アライメントスキャンを意味するものではない。モデルと手動オーバライドのために考慮された座標システムは、基板テーブルＷＴの座標システムではなく、基板Ｗの座標システムであることが望ましい。しかし、基板テーブルＷＴの座標システムも使用することができる。速度とは、速度ベクトルの大きさを意味する。

[0082] ロジックプロセスの各ステップを図７のフローチャートに示す。スキャン座標及び機械の場所が２００で入力され、モデル２１０と手動オーバライド２２０によって並列に使用される。次に、モデル２１０と手動オーバライド２２０の各々によって決定されたスキャン及び／又はステップ速度が速度セレクタ２３０によって選択される。スキャン及び／又はステップ処理のために選択された速度は、コントローラ５０によってリソグラフィ装置で適用される。

[0083] したがって、コントローラ５０は、投影システムＰＳの液体閉じ込め構造１２又はその両方に対する基板Ｗ又は基板テーブルＷＴあるいはその両方の相対位置を決定するように構成された位置決めシステムＰＷを制御することができる。ある実施形態では、コントローラ５０は、基板及び／又は基板テーブルの所定の領域が液体ハンドリングシステムの下にある時の液体ハンドリングシステム及び／又は投影システムに対する基板及び／又は基板テーブルの移動中の装置の１つ又は複数の動作条件を調整する。特に、コントローラ５０は、液体ハンドリングシステムの下の基板の運動中、例えば、結像運動中及び／又はステップ運動中の１つ又は複数の動作条件を調整する。

[0084] 一実施形態では、ダイの結像運動が（少なくとも部分的に）第１の予め画定された領域内にある場合に調整が実行される。コントローラは、代替的に又は追加的に、隣接するダイ間のステップ処理中に１つ又は複数の動作条件を調整することができる。ステップ処理が（少なくとも部分的に）第２の予め画定された領域内にある場合に調整が実行される。

[0085] 第１及び第２の予め画定された領域は、同じであってもよく、又は異なっていてもよい。それらは以下のように画定することができる。一実施形態では、各領域は、２つの楕円間の領域を画定することで画定される。第１の予め画定された領域及び／又は第２の予め画定された領域は、基板の縁部又は縁部近傍にあってもよい。

[0086] コントローラは、結像又はステップ処理が第１及び第２の予め画定された領域の一方内で実行されるとしても、１つ又は複数の動作条件を調整するために、さらに別の条件を満足するように要求してもよい。例えば、結像中に動作条件を調整する事前条件が、結像運動が基板ＷのＸ軸へ向かうもので、基板ＷのＸ軸から遠ざかるものではないということであってもよい。基板Ｗ上への又は単に基板Ｗ上のスキャンの結果、基板Ｗ外のスキャン又は基板Ｗの縁部への接近と比較して欠陥が多い傾向があるため、これは場合によっては有利である。

[0087] ある実施形態では、別の又は追加の条件は、液体ハンドリング構造に対する予め画定された領域の運動が、液体ハンドリング構造の基準フレーム内で基板の縁部が液体ハンドリング構造から遠ざかるような方向であるということであってもよい。

[0088] ある実施形態では、別の又は追加の条件は、基板テーブルの基準フレーム内で、基板テーブルと流体ハンドリング構造との間の移動方向の流体ハンドリング構造の経路が基板を横切る線の一部であるということであってもよい。予め画定された領域は、流体ハンドリング構造の基準フレーム内で、流体ハンドリング構造から遠ざかる基板の縁部から離れる線の長さの半分以下である。

[0089] 液体ハンドリング構造の基準フレーム内で、基板は流体ハンドリング構造の下を移動する。しかし、基板に対して、基板の基準フレーム内で、流体ハンドリング構造は基板を横切る経路（すなわち、ダイの線など）をたどる。経路は直線でなくてもよい。したがって、ある瞬間には、経路は基板を横切る直線に整列する場合がある。線が基板を横切る際、２つの半分を有する。基板の基準フレーム内で、液体ハンドリング構造が基板の中心に近づく半分と、液体ハンドリング構造が基板の中心から遠ざかる半分である。液体ハンドリング構造が基板の中心に近づく半分では、液体閉じ込め構造は基板の縁部から遠ざかる。したがって、液体ハンドリング構造の基準フレーム内では、縁部は液体ハンドリング構造から遠ざかる。基板の中心に近づくか又はそこから遠ざかるという表現は、基板の基準フレーム内で、液体ハンドリング構造が基板の中心に向かって直接移動するか又はそこから遠ざかるということを必ずしも意味しない。これは、液体閉じ込め構造がその移動方向の成分が中心から遠ざかっているか又はそこに向いているという意味であってもよい。

[0090] ある実施形態では、別の又は追加の条件は、いわゆる延長長さＭのサイズであってもよい。延長長さＭはスキャン開始とダイの線間のステップ中のＹ方向の位置との間のＹ方向の最大距離である（以下、図９に関連して説明する）。

[0091] 追加の又は別の条件は、結像又はステップ処理が、基板Ｗの中心からＸ及びＹ方向に対するある角度範囲内で行われるということである。

[0092] 追加の又は別の条件は、運動（例えば、直前のダイの露光の終了から次のダイの露光の開始までの距離に基づく）の長さ（例えば、ストローク長）が、既定の範囲内に含まれるということである。特に、この条件は、運動の長さがある値より大きいということである。ストロークが長いと泡が形成されやすい。したがって、大きい運動では、例えば速度を低減することでこのアルゴリズムは、動作条件を変更することができる。長いストロークは、結像行間で、特にＸ軸から−４５°〜＋４５°の角度範囲で発生する。したがって、追加の又は別の条件は、運動がその角度範囲の行末にあるということでもよい。

[0093] 平面視で細長いフィーチャの基準フレーム内での追加の又は別の条件は、液体ハンドリング構造１２がその上方を通過する細長いフィーチャとそのフィーチャに対する液体ハンドリング構造１２の移動方向との間の角度である。すなわち、液体ハンドリング構造の基準フレーム内で、液体ハンドリング構造１２の下を通過する細長いフィーチャと液体ハンドリング構造１２に対するそのフィーチャの移動方向との間の角度に対応する角度である。一実施形態では、細長いフィーチャは、基板テーブル上のオブジェクトとそのオブジェクトに隣接する基板テーブルＷＴの縁部との間のギャップである。一実施形態では、オブジェクトは基板Ｗである。この角度（又は液体ハンドリング構造１２の基準フレーム内での対応する角度）と液滴の形成の尤度との間にはある関係が存在することがある。別の又は追加の条件は、細長いフィーチャと、液体ハンドリングシステム１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間に延在するメニスカスとの間の距離であってもよい。

[0094] 追加の又は別の条件は、基板Ｗの物理特性が既定の範囲内に含まれることである。１つ又は複数のプロセスパラメータが、泡が形成される速度に影響することがある。プロセスパラメータは、例えば、レジスト、トップコート、及び基板縁部の画定を含む。基板縁部の画定は、トップコートが剥離された基板Ｗの上縁部の幅と、新たに露出した表面に対する液浸液の静止接触角である。新たに露出した表面は、ＢＡＲＣ、接着層（例えば、ＨＭＤＳ）、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、金属などを含む。

[0095] 追加の又は別の条件は、基板Ｗ上のダイの位置が予め画定された領域内に含まれるか否かである。

[0096] コントローラ５０が行う調整の大きさは、１つ又は複数の別の条件及び／又は予め画定された領域内の正確な位置に依存することがある。

[0097] 幾つかの特定の実施形態について以下に説明する。一実施形態の１つ又は複数のフィーチャは、任意の他の実施形態の１つ又は複数のフィーチャと組み合わせることができる。

[0098] モデル２１０、手動オーバライド２２０及び最小速度セレクタの特定の実施形態の仕様について、以下の各節で説明する。

[0099] モデル２１０に従ってスキャンを低減すべきか否かを決定するために、基板Ｗ上のある領域が図８の網掛け部分として示すように画定される。パラメータＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦの値を表１に示す。各パラメータを機械定数と呼ぶ。

[00100]

[00101] これらのパラメータについて４つの位置が選択されていることに留意されたい。各位置は、基板Ｗの平面内の長軸及び短軸上で選択することができる。１つの位置は、基板Ｗ（Ｃ，Ｆ）の縁部で画定された位置決め切欠き部２４０の位置であってもよい。ある位置は、切欠き部を通過する第１の軸と縁部（例えば、切欠き部の実質的に反対側の位置の）との第２の交点上にあってもよい（Ｅ，Ｂ）。他の２つの位置は、望ましくは第２の軸に垂直な方向の長軸及び短軸上にあってもよい（Ａ，Ｄ）。

[00102] ４つの位置の測定値は、内側の楕円と外側の楕円とを画定する。上の表１に示す実施形態では、外側の楕円は基板Ｗの縁部に対応する。２つの楕円は、基板Ｗの縁部近傍の領域を画定する。

[00103] 以下の規則によってスキャンを別の（より低い）速度で実行しなければならないことが決定される。
１．スキャンの開始点又はスキャンの終了点（あるいはその両方）が図８の網掛け部分にあり、且つ別の条件下にある場合。
２．開始及び終了位置を評価することで、スキャンが中心から縁部へ向かって又は縁部の上に外向きになっていない場合：「スキャンが外向き」は、以下のように定義される。
ａ．アップスキャンの場合、開始位置のｙ座標が正である。
ｂ．ダウンスキャンの場合、開始位置のｙ座標が負である（基板Ｗの中心が原点である）。

[00104] それ故、以下の規則によってスキャンを別の（より低い）速度で実行しないことが決定される。
１．スキャンの開始点又はスキャンの終了点（あるいはその両方）が、図８の網掛け部分にあり、且つ別の条件下にある場合。
２．開始及び終了位置を評価することで、スキャンが中心から縁部へ向かって又は縁部の上に内向きになっている場合：「スキャンが内向き」は、以下のように定義される。
ｃ．アップスキャンの場合、開始位置のｙ座標が負である。
ｄ．ダウンスキャンの場合、開始位置のｙ座標が正である（基板Ｗの中心が原点である）。

[00105] したがって、開始点又は終了点、あるいはその両方が網掛け領域（すなわち、リング）によって画定された基板表面Ｗのある領域内にあり、スキャンが内向きの場合、スキャンは、別のスキャン速度で実行されるという規則が適用される。

[00106] ある実施形態では、別のスキャン速度の値は一定に設定される。異なる許容スキャン速度範囲のデフォルト値と許容範囲を表２に掲げる。

[00107]

[00108] ある実施形態では、ステップ処理を低減するか否かを決定するために、ステップ処理の変位ベクトルが評価される。変位ベクトルの開始及び終了座標Ｐ１→Ｐ２が、図９に示すパラメータによって定義される。

[00109] 基板Ｗの縁部に対する幾何学的パターンを用いて２つのダイ間のステップ処理に速度低減をいつ適用するかが定義される。幾何学的パターンは、図１０に示す２つの楕円を含む。

[00110] パラメータＧ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ及びＭが定義される。これらの値は所定の値でもよく、機械定数として設定される。デフォルト値及び適切な範囲を表３に示す。

[00111]

[00112] パラメータＧ〜Ｌの各々の許容範囲は、基板Ｗの半径寸法に対応する。

[00113] 図９に示すパラメータＭは、運動方向の変化の際の加速及び正確な位置決めを可能にする整定時間を特徴付けるのに使用される寸法である。パラメータＭは、スキャン（結像運動）の開始又は終了点と、隣接するステップ運動（図９のステップＮ）中の結像方向（ｙ方向）の最も遠い位置との間の距離である。パラメータＭは、基板テーブルＷＴを動かすように制御されたすべてのサーボが必要な制度限界内にあるように基板テーブルＷＴが一定の速度期間を維持するように調整される。

[00114] ある実施形態では、アップスキャンがたどるステップだけがデフォルトで低減される。（デカルト座標では、アップスキャンは、基板Ｗ上のすべてのターゲット位置についてｘ軸から遠ざかるｙ軸に沿った正方向の運動に対応する）。ある実施形態では、ダイの線が軸に沿って結像でき、ダイの線は下向きに連続して結像される。

[00115] ブールパラメータＵは、制限速度をいつ適用するかを決定するために定義される。パラメータの値が「真」の場合、アップスキャンがたどるステップ（ある判定基準に合致する）だけが低減した速度で実行される。パラメータの値が「偽」の場合、ある幾何学的判定基準（すなわち、楕円の）に合致するすべてのステップが低減した速度で実行される。

[00116] 以下の場合に、ステップＮの速度は、別の（低減した）ステップ速度に低減されるものとする。
１０Ｐ１が楕円１の外側にあり、且つ
１１Ｐ２が楕円２の内側にあり、且つ
１２Ｕが「真」であり
ｏスキャンＮがアップスキャンの場合。

[00117] 表４に、別々の許容範囲について、パラメータＵのデフォルト値とデフォルトの別のステップ速度を規定する。

[00118]

[00119] 上記の実施形態では、スキャンがアップスキャンの時にある状況で低減した速度が適用される。ある実施形態では、スキャンがアップスキャン又はダウンスキャンの時に低減した速度を適用することができる。

[00120] 液体が基板Ｗの縁部を横切る時に失われる液体の量は、基板Ｗの表面、例えば、レジスト又はトップコートの表面の静止後退接触角によって変化することがある。そのようなトップコートの１つが約６６度の静止後退接触角を有するＴＣＸ０４１である。静止後退接触角と、液体閉じ込め構造に対する表面の相対速度とによって液浸空間１１から液体が失われることがあるため、このパラメータについてモデルを最適化してもよい。

[00121] 静止後退接触角がより大きい表面は、縁部横断時に、また一般的に、失う液体が少ない。同じ液体の損失の場合に、速度の低減は小さい。モデルの幾何学的パラメータの寸法を調整してスキャン及びステップ処理に低減した速度を使用するターゲットの数を減らすことができる。表面の静止後退接触角に対してモデルを最適化してもよい。こうして、低減した速度が使用される領域を低減することができる。それ故、低減した速度の期間は短くなる。スループットは増大することがある。静止後退接触角が大きい表面コーティング、例えば、ＡＩＭ５４８４を使用することが望ましい。その結果、基板Ｗの縁部近傍で速度の変化が起きることがある。コントローラ５０は、全体として本明細書に組み込むものとする２００８年１０月１６日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１３６，９４３号に開示された制御システムを組み込むことができる。

[00122] 手動オーバライド２２０があってもよい。手動オーバライド２２０を用いて、例えば、特定のダイに関連する特定のスキャン又はステップ運動について、投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの速度を調整することができる。モデル２１０で、ステップ又はスキャン運動中に適当な速度を適用して泡の形成を促進しない場合に、手動オーバライド２２０を使用することができる。手動オーバライドは、機械定数として実施することができる。

[00123] ある実施形態では、レシピベースの手動オーバライド２２０は利用できない。これには、層にかかわらずターゲット領域を同じ速度でスキャンする必要があり、スループットを低減することがあるが、システムの複雑性は小さくなる。

[00124] ある実施形態では、レシピベースの手動オーバライド２２０を適用することができる。異なる層（異なる静止後退接触角を備えた）は処理中の、例えば、結像中の表面上の特定の層に合わせたモデル２１０の調整を必要とする。手動オーバライド２２０によって表面特性（例えば、静止後退接触角）の詳細を用いてモデル２１０を調整して異なる領域を低減した（別の）速度でスキャン又はステップ処理することができる。それ故、同じ領域が、標準速度又は低減した速度でスキャン処理される異なる層を有することができる。これによって、表面層の表面特性に応じてスキャン及び／又はステップ速度を最適化することができる。スループットは向上させることができる。

[00125] 手動オーバライド２２０によってユーザは、幾つかの例えば最大１０個のオーバライド領域を画定することができる。各オーバライド領域は、中心座標（基板中心に対するＸ１及びＹ１）、ｘ軸方向の長さＤＸ及びｙ軸方向の長さＤＹによって画定される。これを図１１に示す。

[00126] オーバライド領域は幾つかのダイを覆う。各ダイには黒い点が関連付けられている。点は、そのダイの開始及び終了座標位置を表すことができる。開始及び終了位置がオーバライド領域内にある場合、上記のように低減した（別の）スキャン及び／又はステップ速度が使用される。それ故、開始及び終了座標の両方がオーバライド領域内にある場合にのみ、別のスキャン及び／又はステップ速度が起動される。

[00127] 図１１に示す例では、ダイ７、８、９及び１０のみがオーバライド領域の影響を受ける。ステップ速度がオーバライド機械定数で指定される場合、ステップ速度が影響を受けるダイの準備段階に適用される。したがって、図１０の例では、ダイ６と７、７と８、８と９、９と１０との間のステップが低減されるが、ダイ１０と１１、４と５、及び５と６の間のステップは手動オーバライドモジュールによる影響を受けない。

[00128] ユーザは、選択したダイごとの値に従って機械定数を入力してもよい。値は、オーバライド部、オーバライド領域の中心座標（中心Ｘ１及び中心Ｙ１）、オーバライド領域の寸法（ＤＹ及びＤＸ）、並びにそのオーバライド領域の最大スキャン速度及び／又は最大ステップ速度を含む。

[00129] モデル２１０は、モデルが適用される領域（スキャン）の各々についてスキャン及び／又はステップ速度を送達する。手動オーバライド２２０のモジュールは、幾つかのスキャン及び／又はステップの速度を提供する。これらのスキャン及び／又はステップは所定のものでもよい。ある実施形態では、手動オーバライド２２０は、特定のターゲットダイに対してスキャン及び／又はステップ速度を低減することしかできない。手動オーバライドは、スキャン又はステップ速度がモデル２１０によって望ましく調整されないダイについてスキャン及び／又はステップ速度を低減することができる。したがって、スキャン及び／又はステップ速度を適用するか否かを規則で決定する必要がある。すなわち、適用される速度は、モデル２１０又は手動オーバライド２２０によって決定される速度から選択しなければならない。速度は、速度セレクタによって選択される。

[00130] ある実施形態では、手動オーバライド２２０のモジュールは、不一致の場合にモデル２１０の出力に優先する。しかし、ある実施形態では、スキャン速度は、アプリケーションスキャン速度（基板テーブルＷＴの機械定数）として決定することができる。アプリケーション速度は、所定のものであってもよいユーザ定義速度であり、自由に選択することができない。アプリケーション速度は、動作前に予め選択することができる。手動オーバライドは、ユーザが選択する任意の値に設定することができる。手動オーバライドは、使用時に設定することができる。したがって、アプリケーション速度（ユーザが使用前に予め選択した）と手動オーバライド（使用時に選択することができる）との間に矛盾が生じることがある。アプリケーションスキャン（及び／又はステップ）速度がモデル２１０又は手動オーバライド２２０によって決定された値より小さい場合、最大速度はアプリケーションスキャン速度に等しい。アプリケーション速度の選択は、手動オーバライドが許容速度設定を超えた速度を設定しないことを確実に行うようにする追加の安全手段であってもよい。モデル２１０、アプリケーション速度及び手動オーバライド２２０に加えて、最大スキャン（及び／又はステップ）速度を決定するために使用することができる他の判定基準があってもよい。

[00131] ある実施形態では、速度セレクタが、アプリケーションスキャン／ステップ速度、モデル２１０又は手動オーバライド２２０によって決定される速度、及び／又はその他の判定基準の最も小さい値から最大スキャン／ステップ速度を選択する。この速度セレクタ構成は、診断目的及び保守とスループットにとって有用である。これは、手動オーバライド２２０がモデル２１０によって決定された速度と比較して速度を増大させることができるためである。

[00132]

[00133] ある実施形態では、選択された速度は、概して以下の選択オプションのグループからモデル２１０及び手動オーバライド２２０によって決定された速度を選択する：アプリケーションスキャン／ステップ速度、モデル２１０によって決定された速度、手動オーバライド２２０によって決定された速度、及び／又はその他の判定基準。

[00134] ターゲットダイでスキャン又はステップ運動について選択された速度はメモリ内に記録することができる。

[00135] モデル２１０の変形形態で、基板Ｗの縁部から固定半径距離にある予め画定された周辺部（円周）の部分的に又は完全に外にある各ターゲットダイについてスキャン速度を低減することができる。ある実施形態では、予め画定された周辺部は、基板Ｗの縁部から１００ｍｍである。予め画定された周辺部は、０〜１２ｍｍであってもよく、望ましくは５〜１００ｍｍである。低減したスキャン速度は、例えばＴＣＸ０４１の表面コーティングで４００ｍｍ／ｓであってもよい。

[00136] 一変形形態では、予め画定された周辺部は図１２に示す楕円である。Ａは、基板Ｗの中心に対するｘ軸に沿った周辺部領域の寸法である。Ｂは、基板Ｗの中心から半径方向に遠ざかる正方向のｙ軸に沿った周辺部領域の寸法である。Ｃは、基板Ｗの中心から半径方向に遠ざかるｙ軸に沿った周辺部領域の寸法である。好適な値は、Ａで４０〜５０ｍｍ、例えば４５ｍｍ、Ｂで３０〜３５ｍｍ、例えば３３ｍｍ、Ｃで５０〜６０ｍｍ、例えば５５ｍｍである。これらは、直径が３００ｍｍの基板の場合の寸法である。寸法は、使用する基板Ｗのサイズに比例して変更することができる。

[00137] 一変形形態では、基板Ｗの表面でスキャンが実行されるターゲットダイに制限されたスキャン速度を適用することができる。基板Ｗの中心に対する正のｙ座標を備えたこのようなターゲットダイは、スキャン方向が下向きの場合に制限されたスキャン速度を有する。負のｙ座標を備えたターゲットダイは、スキャン方向が上向きの場合に制限されたスキャン速度を有する。

[00138] 一変形形態では、周辺部領域は、図１２の網掛け部分で示すように、２つのセグメントに分離される。セグメントは、スループットの向上のために処理することができる。セグメントは、２つの角度、すなわち、アルファ及びベータによって決定される。アルファは、ｘ軸の上の（すなわち、基板中心に対する）セグメントの角変位に対応する。ベータは、ｘ軸の下のセグメントの角変位に対応する。例えば、アルファは４０°〜８０°の範囲内で、ベータは２０°〜８０°の範囲内であってもよい。追加的に又は代替的に、動作条件の調整での滑らかな遷移を２つのセグメント間の領域で実行することができる。

[00139] 本明細書に記載するように、基板Ｗの縁部が液体閉じ込め構造１２の下を移動する時に液体が漏出する確率が増大する。ＵＳ２００８−０２１２０４６号及びＵＳ２００９−０２６２３１８号に記載するようなガスナイフの半径方向内側の液体抽出フィーチャを含む液体閉じ込め構造１２内に特定の状況が発生することがある。このような構造では、液体抽出フィーチャ（気体抗力原理構成の単相又は２相抽出器又は抽出孔）を通過したいかなる液体も１つ又は複数の漏出した液滴及び／又はガスナイフの半径方向内側の膜として捕捉することができる。基板Ｗ上の漏出した液滴の位置がガスナイフに向けて又はその下を移動する方向の基板Ｗのさらなる移動によって、液滴は、ガスナイフと液体抽出フィーチャとの間でガスナイフによって閉塞されガスナイフに沿って保持される。液体閉じ込め構造１２に対する基板Ｗの移動の方向が変化すると、ガスナイフによって捕捉される液滴は液体抽出フィーチャへ向けて移動することができる。この位置で、液滴は、基板と液体閉じ込め構造１２との間に延在する液体のメニスカスと相互作用、例えば、衝突することができる。これによって、空間内の液体に気泡が発生する。特にこれは、その位置が基板Ｗ上に固定した粘着泡を引き起こすことがある。このような粘着泡が結像する次のダイの露光領域の下、例えば、露光スリットの下に位置する場合、結像エラーが発生することがある。

[00140] 図１３はメニスカスの詳細を示す。液体閉じ込め構造１２の下の基板Ｗの蛇行経路３００が示されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造１２は、平面視で、角がある四角形の形状を有する。角は、使用時に、ステップ及びスキャン方向に整列できる。液体閉じ込め構造は、平面視で、任意の形状を有していてもよい。ある実施形態では、ガスナイフ３１０は、液体抽出フィーチャ３２０の半径方向外側に位置する。

[00141] 露光スリット９００が図１３に示されている。露光スリット９００は、投影システムＰＳからの投影ビームに暴露される領域である。例えば、基板Ｗの縁部を通過したために液体抽出フィーチャ３２０とガスナイフ３１０との間に液滴が捕捉された場合、液体が液体抽出フィーチャ３２０とガスナイフ３１０との間の領域に漏出することがある。このような任意の液体は、１つ又は複数の液滴の形態であって、領域３３０内でガスナイフ３１０によって捕捉される。

[00142] 第１のダイ３５０の上方への矢印３４０で示す方向のスキャンが完了すると、液体閉じ込め構造１２の下の基板Ｗの方向が、例えば、矢印３００で示す蛇行経路として変化する。図から分かるように、液滴が捕集される領域３３０は、露光スリット９００が結像する後続ダイ３６０の結像中にとる位置の上方、例えば、真上である。ある実施形態では、後続ダイは第１のダイ３５０の次である。それ故、液滴が基板Ｗと液体抽出フィーチャ３２０との間に延在する液体のメニスカスに衝突する可能性がある。このような衝突によって、液体内に１つ又は複数の泡が形成される。泡は、粘着泡であって、結像する後続ダイ３６０の結像スキャン中に露光スリット９００の下に位置する可能性がある。このような泡が形成されると、結像の欠陥リスクが増大する。

[00143] 後続ダイの結像中に露光スリット９００内に泡が存在するか否かは、以下の式で概算することができる。
ＳＳＡスキャン方向のステップ、整定及び加速移動の長さ
ｖスキャン方向のスキャン速度
ａスキャン方向の段階加速度
τ 加速後の整定時間
Ｙ_ｓｌｉｔ露光スリットの幅（９５％強度プロファイルで決定）
Ｄ_ＡＫガスナイフの直径
Δ_ｙ泡の拡散
ｙフィールド内の液滴の位置

[00144] この機構は、基板Ｗ全体上のわずかなダイにしか影響しないことが分析で示されている。

[00145] したがって、本発明では、この効果が発生する基板Ｗ上の位置での液体閉じ込め構造１２の下の基板Ｗの移動中に、コントローラ５０は、１つ又は複数の動作条件を調整することができる。変化できる動作条件は、図９に示すパラメータＭである。これを達成する方法を図１４に示す。図１４では、次のダイに先立つダウンスキャンが伸長するようにパラメータＭが増大していることが分かる。それ故、コントローラ５０は、スキャンの開始又は終了位置と後続ダイ３６０（すなわち、図９に示すパラメータＭ）の上の以降のスキャン結像運動に先立つ隣接ステップ運動中の結像方向（ｙ方向）の最も遠い位置との間の距離である装置の動作条件を変更することができる。図示のように、別のダイ内に（領域３７０に）粘着泡が形成され、結像する後続ダイ３６０の露光領域の外側にある。したがって、後続ダイ３６０の結像中に粘着泡によって欠陥が発生する確率が低減する。

[00146] 基板Ｗが移動しなければならない余分な距離は、スキャン長のほぼ２倍である。スキャン長が２６ｍｍで、スキャン速度が７５０ｍｍ／ｓの場合、余分なスキャン時間は対象ダイあたり約６９ｍｓに達する。臨界ダイが基板Ｗあたり１０個未満に制限されている場合、スループットの損失は、基板Ｗあたり０．６９ｓ以下である。時間あたり約１５０基板Ｗのスループットの場合、スループットの３％の損失が発生する。

[00147] 上記説明は、「ダイ」に関するものである。この説明は、露光フィールドについてもあてはまる。露光フィールドは、幾つかのダイを含んでいてもよい。ダイは、通常、１カスタマの製品である。

[00148] 上記フィーチャのいずれも他のいずれのフィーチャとも併用することができ、本願でカバーするのは、それらの明示的な組合せに限定されない。

[00149] ある実施形態では、基板テーブルと、投影システムと、液体ハンドリングシステムと、コントローラとを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を支持するように構成されている。投影システムは、パターン付放射ビームを基板上に誘導するように構成されている。液体ハンドリングシステムは、投影システムと基板又は基板テーブルあるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成されている。コントローラは、基板及び／又は基板テーブルの予め画定された領域が液体ハンドリングシステムの下にある時に、液体ハンドリングシステムに対する基板及び／又は基板テーブルの移動中に装置の少なくとも１つの動作状態を調整する。

[00150] コントローラは、少なくとも部分的に第１の予め画定された領域内のダイの結像運動中に装置の少なくとも１つの動作条件を調整するか、又は少なくとも部分的に第２の予め画定された領域内の隣接するダイ間のステップ運動中に装置の少なくとも１つの動作条件を調整するか、あるいはその両方を調整するように構成されていてもよい。第１及び／又は第２の予め画定された領域は、基板の縁部又は縁部近傍にあってもよい。

[00151] 予め画定された領域は、１つの楕円、望ましくは少なくとも２つの楕円により画定されていてもよい。少なくとも１つの動作条件は、基板又は基板テーブルあるいはその両方と液体ハンドリングシステム又は投影システムあるいはその両方との間の相対移動速度と、液体ハンドリングシステムの底面と基板又は基板テーブルあるいはその両方の上面との間の距離と、空間に供給される液浸流体の流量と、液浸液を抽出するために使用する加圧源のレベルと、液体ハンドリングシステムのガスナイフで使用するガス流量と、基板の表面に対する液体ハンドリングシステムの下面の角度と、液体ハンドリングシステムの下面の開口から流出する液体の流体流量と、移動方向に対する角位置に依存する開口への又は開口からの流体流量の変化と、スキャン結像運動の開始又は終了時の基板に対する液体ハンドリングシステムの位置と後続のスキャン結像運動に先立つ基板に対する液体ハンドリングシステムのスキャン結像運動の方向の最も遠い位置との間の距離の変化とを含むグループから選択される１つ又は複数の動作条件であってもよい。

[00152] 少なくとも１つの動作条件は、液体ハンドリングシステムの少なくとも１つの動作条件を含んでいてもよい。液体ハンドリングシステムの少なくとも１つの動作条件は、液体ハンドリングシステムの開口を通過する流体流量と、投影システム及び／又は基板及び／又は基板テーブルに対する液体ハンドリングシステムの向きと、投影システム及び／又は基板及び／又は基板テーブルに対する液体ハンドリングシステムの距離とを含むグループから選択される１つ又は複数の動作条件であってもよい。

[00153] 少なくとも１つの動作条件は、液体ハンドリングシステム又は投影システムあるいはその両方に対して基板又は基板テーブルあるいはその両方を位置決めするように構成された位置決めシステムの少なくとも１つの動作条件を含んでいてもよい。位置決めシステムの少なくとも１つの動作条件は、基板又は基板テーブルあるいはその両方と液体ハンドリング構造又は投影システムあるいはその両方との間の相対移動速度と、基板の表面に対する液体ハンドリングシステムの下面の角度と、液体ハンドリングシステムの底面と基板又は基板テーブルあるいはその両方の上面との間の距離とを含むグループから選択される１つ又は複数の動作条件であってもよい。

[00154] コントローラは、別の条件が満たされた時にのみ少なくとも１つの動作条件を調整するように構成されていてもよい。別の条件は、結像運動が結像方向に垂直な基板の対称軸に向かい、基板の上面の平面内で行われるということであってもよい。少なくとも１つの動作条件は、スキャン運動中に調整することができる。別の条件は、結像運動の開始又は終了時の位置と隣接するステップ運動中の結像方向の最も遠い位置との間の距離が既定の範囲内に含まれるということであってもよい。少なくとも１つの動作条件は、ステップ運動中に調整することができる。別の条件は、結像運動及び／又はステップ運動が基板の中心位置からある角度範囲内にあるということであってもよい。別の条件は、液体ハンドリングシステムの下を通過する細長いフィーチャと細長いフィーチャの移動方向との間の角度が平面視で既定の範囲内に含まれるということであってもよい。別の条件は、基板の物理特性が既定の範囲内に含まれるということであってもよい。物理特性は、基板の外縁部上面に対する液浸液の静止接触角と、基板の外縁部上面の幅と、基板の上外縁部の露出したレジスト、トップコート、ＢＡＲＣ、接着層、Ｓｉ、ＳｉＯ_２又は金属に対する液浸液の静止接触角と、露出したレジスト、トップコート、ＢＡＲＣ、接着層、Ｓｉ、ＳｉＯ_２又は金属の幅とを含むグループから選択される１つ又は複数の物理特性であってもよい。

[00155] 別の条件は、基板上のダイの場所が既定領域内に含まれるということであってもよい。別の条件は、１つのダイの終端と次のダイの先端との間の運動の長さが既定の値より大きいということであってもよい。

[00156] 液浸リソグラフィ装置は、ユーザがコントローラを手動制御する手動オーバライドをさらに含んでいてもよい。手動オーバライドを用いて、コントローラによってユーザ定義の第３の予め画定された領域内で少なくとも１つの動作条件を調整することができ、少なくとも１つの動作条件をユーザ定義値に設定することができる。

[00157] 液体ハンドリング構造に対する予め画定された領域の運動は、基板の縁部が液体ハンドリング構造から遠ざかるような方向であってもよい。基板テーブルと流体ハンドリング構造との間の相対移動中の基板の上の基板テーブルの基準フレーム内の流体ハンドリング構造の経路は、基板を横切る線の一部であってもよく、予め画定された領域は、流体ハンドリング構造の基準フレーム内で流体ハンドリング構造から遠ざかる縁部から離れる線の長さの半分以下である。

[00158] ある実施形態では、移動ステップと、調整ステップとを含むリソグラフィ装置の操作方法が提供される。移動ステップでは、パターン付放射ビームを液体ハンドリングシステムによって閉じ込められた液浸液を通して基板上に投影するように構成された投影システムに対して基板を支持する基板テーブルが移動する。調整ステップでは、基板及び／又は基板テーブルの予め画定された領域が液体ハンドリングシステムの下にある時に、液体ハンドリングシステムに対する基板及び／又は基板テーブルの移動中に装置の少なくとも１つの動作状態が調整される。

[00159] 装置の少なくとも１つの動作状態の調整は、少なくとも部分的に第１の予め画定された領域内のダイの結像運動中であるか、又は少なくとも部分的に第２の予め画定された領域内の隣接するダイ間のステップ運動中であるか、あるいはその両方であってもよい。第１及び／又は第２の予め画定された領域は、基板の縁部又は縁部近傍にあってもよい。

[00160] 予め画定された領域は、１つの楕円、望ましくは少なくとも２つの楕円により画定されていてもよい。少なくとも１つの動作条件は、基板又は基板テーブルあるいはその両方と液体ハンドリングシステム又は投影システムあるいはその両方との間の相対移動速度と、液体ハンドリングシステムの底面と基板又は基板テーブルあるいはその両方の上面との間の距離と、空間に供給される液浸液の流量と、液浸液を抽出するために使用する加圧源のレベルと、液体ハンドリングシステムのガスナイフで使用するガス流量と、基板の表面に対する液体ハンドリングシステムの下面の角度と、液体ハンドリングシステムの下面の開口からの液体の流体流量と、移動方向に対する角位置に依存する開口への又は開口からの流体流量の変化とを含むグループから選択される１つ又は複数の動作条件であってもよい。少なくとも１つの動作条件は、液体ハンドリングシステムの少なくとも１つの動作条件を含んでいてもよい。

[00161] 少なくとも１つの動作条件は、液体ハンドリングシステム又は投影システムあるいはその両方に対して基板又は基板テーブルあるいはその両方を位置決めするように構成された位置決めシステムの少なくとも１つの動作条件を含んでいてもよい。少なくとも１つの動作条件の調整は、別の条件が満たされた時にのみ行われてもよい。

[00162] ある実施形態では、基板テーブルと、投影システムと、液体ハンドリングシステムと、位置決めシステムと、コントローラとを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を支持するように構成されている。投影システムは、パターン付放射ビームを基板上に誘導するように構成されている。液体ハンドリングシステムは、投影システムと基板又は基板テーブルあるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成されている。位置決めシステムは、液体ハンドリング構造又は投影システムあるいはその両方に対する基板又は基板テーブルあるいはその両方の相対位置を決定するように構成されている。コントローラは、基板又は基板テーブルあるいはその両方と液体ハンドリング構造又は投影システムあるいはその両方との間の相対移動を制御するように構成され配置されている。コントローラは、基板の縁部もしくは縁部近傍の予め画定された領域内のターゲットの結像中の基板テーブルと投影システムとの間のスキャン速度、又は基板の縁部もしくは縁部近傍の予め画定された領域内の隣接するターゲット位置間のステップ速度を低減するように構成されている。

[00163] リソグラフィ装置は、選択されたターゲットの結像中のスキャン速度又は選択された隣接するターゲット間のステップ速度、あるいはその両方を予め決定する手動オーバライドを備えていてもよい。液体ハンドリング構造に対する予め画定された領域の移動は、基板の縁部が液体ハンドリング構造から遠ざかるような方向であってもよい。基板テーブルと流体ハンドリング構造との間の相対移動中の基板の上の液体ハンドリング構造の経路は、基板テーブルの基準フレーム内で、基板を横切る線の一部であってもよい。予め画定された領域は、液体ハンドリング構造の基準フレーム内で流体ハンドリング構造から遠ざかる縁部から離れる線の長さの半分以下であってもよい。

[00164] ある実施形態では、移動ステップと、低減ステップとを含むリソグラフィ装置の操作方法が提供される。移動ステップでは、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムに対して基板を支持する基板テーブルが移動する。低減ステップでは、基板の縁部もしくは縁部近傍の予め画定された領域内のターゲットの結像中に基板テーブルと投影システムとの間のスキャン速度が低減するか、又は基板の縁部もしくは縁部近傍の予め画定された領域内の隣接するターゲット位置間のステップ速度が低減するか、あるいはその両方である。

[00165] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00166] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。

[00167] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00168] 上述したコントローラは、信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、１つ又は複数のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。

[00169] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00170] 本明細書で意図する液体供給システムは、広義に解釈すべきである。幾つかの実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構又は構造の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口を含む１つ又は複数の流体開口、１つ又は複数のガス開口又は２相フロー用の１つ又は複数の開口の組合せを含んでいてもよい。開口は、各々、液浸空間への入口（もしくは流体ハンドリング構造の出口）又は液浸空間の出口（もしくは流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。ある実施形態では、空間の表面は、基板及び／又は基板テーブルの一部であってもよく、又は空間の表面は、基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆っていてもよく、又は空間は、基板及び／又は基板テーブルを囲んでいてもよい。液体供給システムは、オプションとして、液体の位置、量、質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含んでいてもよい。

[00171] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、下記に示す請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims

液浸リソグラフィ装置であって、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン付けられた放射ビームを前記基板上に誘導する投影システムと、
前記投影システムと前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込める液体ハンドリングシステムと、
前記基板及び／又は前記基板テーブルの予め画定された領域が前記液体ハンドリングシステムの下にある時に、前記装置の少なくとも１つの動作条件を、前記基板及び／又は前記基板テーブルの前記液体ハンドリングシステムに対する移動の間に調整するコントローラと、を備え、
前記コントローラは、前記少なくとも１つの動作条件を別の条件が満たされた時にのみ調整し、
前記別の条件は、前記液体ハンドリングシステムに対する前記予め画定された領域の運動が、前記液体ハンドリングシステムの基準フレーム内でフィーチャが前記液体ハンドリングシステムから遠ざかるような方向であり、
前記フィーチャは、前記基板の縁部、又は前記基板テーブルに配置されたセンサの縁部である、液浸リソグラフィ装置。
前記コントローラは、前記少なくとも１つの動作条件を、少なくとも部分的に第１の予め画定された領域内にあるダイの結像運動中に調整するか又は少なくとも部分的に第２の予め画定された領域内の隣接するダイ間のステップ運動中に調整するか、あるいはその両方を調整する、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
前記第１及び／又は第２の予め画定された領域が、前記基板の縁部にある又は前記基板の縁部から固定半径距離にある、請求項２に記載の液浸リソグラフィ装置。
前記予め画定された領域の縁部が前記基板の縁部から固定半径距離にある、請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
前記予め画定された領域が楕円により画定される、請求項１から４のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
前記少なくとも１つの動作条件が、
前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方と前記液体ハンドリングシステム又は前記投影システムあるいはその両方との間の相対移動速度と、
前記液体ハンドリングシステムの底面と前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方の上面との間の距離と、
前記空間に供給される液浸流体の流量と、
液浸液を抽出するために使用する加圧源のレベルと、
前記液体ハンドリングシステムのガスナイフで使用するガス流量と、
前記基板の表面に対する前記液体ハンドリングシステムの下面の角度と、
前記液体ハンドリングシステムの底面の開口から流出する液体の流体流量と、
移動方向に対する角位置に依存する開口への又は開口からの流体流量の変化と、
スキャン結像運動の開始又は終了時の前記基板に対する前記液体ハンドリングシステムの位置と後続のスキャン結像運動に先立つ前記基板に対する前記液体ハンドリングシステムのスキャン結像運動の方向の最も遠い位置との間の距離の変化とを含むグループから選択される１つ又は複数の動作条件である、請求項１から５のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
前記少なくとも１つの動作条件が、前記液体ハンドリングシステムの少なくとも１つの動作条件を含む、請求項１又は２に記載の液浸リソグラフィ装置。
前記液体ハンドリングシステムの少なくとも１つの動作条件が、
前記液体ハンドリングシステムの開口を通過する流体流量と、
前記投影システム及び／又は基板及び／又は基板テーブルに対する前記液体ハンドリングシステムの向きと、
前記投影システム及び／又は基板及び／又は基板テーブルに対する前記液体ハンドリングシステムの距離とを含むグループから選択される１つ又は複数の動作条件である、請求項７に記載の液浸リソグラフィ装置。
前記少なくとも１つの動作条件が、前記液体ハンドリングシステム又は前記投影システムあるいはその両方に対して基板又は前記基板テーブルあるいはその両方を位置決めする位置決めシステムの少なくとも１つの動作条件を含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
前記位置決めシステムの前記少なくとも１つの動作条件が、
前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方と前記液体ハンドリング構造又は投影システムあるいはその両方との間の相対移動速度と、
前記基板の表面に対する前記液体ハンドリングシステムの下面の角度と、
前記液体ハンドリングシステムの底面と前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方の上面との間の距離とを含むグループから選択される１つ又は複数の動作条件である、
請求項９に記載の液浸リソグラフィ装置。
追加の別の条件が、
結像運動が、結像方向に垂直な基板の対称軸に向かい、前記基板の上面の平面内で行われるということと、
結像運動の開始又は終了時の位置と隣接するステップ運動中の結像方向の最も遠い位置との間の距離が、既定の範囲内に含まれるということと、
結像運動及び／又はステップ運動が、前記基板の中心位置からある角度範囲内にあるということと、
前記液体ハンドリングシステムの下を通過する細長いフィーチャと前記細長いフィーチャの移動方向との間の角度が、平面視で既定の範囲内に含まれるということと、
前記基板の物理特性が、既定の範囲内に含まれるということと、
前記基板上のダイの場所が、既定の領域内に含まれるということと、
１つのダイの終端と次のダイの先端との間の運動の長さが、既定の値より大きいということとを含むグループから選択される１つ又は複数の条件である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
リソグラフィ装置の操作方法であって、
パターン付けられた放射ビームを液体ハンドリングシステムによって閉じ込められた液浸液を通して基板上に投影する投影システムに対して、基板を支持する基板テーブルを移動させるステップと、
前記基板及び／又は基板テーブルの予め画定された領域が前記液体ハンドリングシステムの下にある時に、且つ別の条件が満たされた時にのみ、前記装置の少なくとも１つの動作状態を、前記基板及び／又は基板テーブルの前記液体ハンドリングシステムに対する移動の間に調整するステップと、を含み、
前記別の条件は、前記液体ハンドリングシステムに対する前記予め画定された領域の運動が、前記液体ハンドリングシステムの基準フレーム内でフィーチャが前記液体ハンドリングシステムから遠ざかるような方向であり、
前記フィーチャは、前記基板の縁部、又は前記基板テーブルに配置されたセンサの縁部である、方法。