TWI422988B - 微影裝置、控制微影裝置的方法及器件製造方法 - Google Patents

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Erik Henricus Egidius Catharina Eummelen
Richard Moerman
Michel Riepen
Sergei Shulepov
Gert-Jan Gerardus Johannes Thomas Brands
Koen Steffens
Jan Willem Cromwijk
Ralph Joseph Meijers
Fabrizio Evangelista
David Bessems
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Franciscus Wilhelmus Bell
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Description

微影裝置、控制微影裝置的方法及器件製造方法
本發明係關於一種微影裝置、一種控制微影裝置之方法及一種器件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之相鄰目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可係適當的，尤其係濕潤流體、不可壓縮流體及/或具有高於空氣之折射率(理想地係高於水之折射率)之折射率的流體。排除氣體之流體係尤其理想的。由於曝光輻射在液體中將具有較短波長，故此情形之要點係實現較小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且增加焦點深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，具有高達10奈米之最大尺寸之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等懸浮粒子之液體之折射率的折射率。可係適當的其他液體包括烴，諸如芳族烴、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可導致不良且不可預測之效應。
在浸沒裝置中，藉由流體處置系統、器件結構或裝置來處置浸沒流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸沒流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸沒流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可向浸沒流體提供障壁且藉此為障壁部件(諸如流體限制結構)。在一實施例中，流體處置系統可形成或使用氣體流動，例如，以有助於控制浸沒流體之流動及/或位置。氣體流動可形成密封件以限制浸沒流體，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；該密封部件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸沒液體用作浸沒流體。在彼情況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所界定之特徵的參考可被理解為包括關於液體所界定之特徵。
所提議配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件的表面區域)。WO 99/49504號中揭示一種經提議以針對此情形所配置之方式。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(理想地沿著基板相對於最終元件之移動方向)，且在投影系統下方傳遞之後藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示液體係經由入口而被供應且在元件之另一側上係藉由連接至低壓力源之出口而被吸取的配置。基板W上方之箭頭說明液體流動方向，且基板W下方之箭頭說明基板台之移動方向。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。定位於最終元件周圍之入口及出口的各種定向及數目係可能的，圖3中說明一實例，其中在最終元件周圍以規則圖案來提供在任一側上之入口與出口之四個集合。液體供應器件及液體回收器件中之箭頭指示液體流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由在投影系統PS之任一側上之兩個凹槽入口而供應，且係藉由自入口徑向地向外所配置之複數個離散出口而移除。可在中心具有孔之板中配置入口及出口，且將投影光束投影通過該孔。液體係藉由在投影系統PS之一側上之一個凹槽入口而供應，且藉由在投影系統PS之另一側上之複數個離散出口而移除，從而在投影系統PS與基板W之間導致液體薄膜之流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明流入入口及流出出口之液體流動方向。
在歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中(每一者之全文係以引用的方式併入本文中)，揭示複式平台或雙平台浸沒微影裝置之觀念。該裝置具備用於支撐基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由第二位置處之台進行曝光。或者，裝置僅具有一個台。
PCT專利申請公開案第WO 2005/064405號揭示一種全濕潤配置，其中浸沒液體未經限制。在該系統中，基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此可係有利的，因為基板之整個頂部表面接著曝露至實質上相同條件。此具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。容許彼液體洩漏(或流動)遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出，使得其可以受控方式自基板台之頂部表面移除。儘管該系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能發生浸沒液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕彼問題之方式。提供一部件，其在所有位置中覆蓋基板且經配置以使浸沒液體在其與基板及/或固持基板之基板台之頂部表面之間延伸。
在浸沒微影中，一些液體可自空間損失至經曝光之一基板上。該所損失液體可造成一缺陷度風險。存在於該基板上的稍後與該空間中之液體(例如，該液體之彎液面)碰撞之一液體小滴可導致在該空間內一氣體體積(諸如氣泡)之形成。該氣泡可干擾經引導成朝向該基板之一目標部分之成像輻射以影響該基板上之經成像圖案。
需要(例如)減少或消除該等成像缺陷之風險。
根據一態樣，提供一種浸沒微影裝置，其包含：一基板台，其經組態以支撐一基板；一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束引導至一基板上；一液體處置系統，其經組態以供應浸沒液體且將該浸沒液體限制至界定於一投影系統與一基板或該基板台或其兩者之間的一空間；一控制器，其用以當一基板及/或一基板台之一預界定區域係在該液體處置系統下方時在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間調整該裝置之一操作條件。
根據一態樣，提供一種操作一微影裝置之方法，該方法包含：相對於一投影系統來移動支撐一基板之一基板台，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束通過藉由一液體處置系統所界定之浸沒液體而投影至一基板上；及當該基板及/或該基板台之一預界定區域係在該液體處置系統下方時在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間調整該裝置之一操作條件。
根據一態樣，提供一種浸沒微影裝置，其包含：一基板台，其經組態以支撐一基板；一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束引導至一基板上；一液體處置系統，其經組態以供應浸沒液體且將該浸沒液體限制至界定於該投影系統與該基板或該基板台或其兩者之間的一空間；一定位系統，其經組態以判定該基板或該基板台或其兩者相對於該液體處置結構之相對位置；及一控制器，其經建構及配置以控制該基板或該基板台或其兩者與該液體處置結構或該投影系統或其兩者之間的相對運動，其中該控制器經組態以降低：在該基板之一邊緣處或附近的一預界定區域內之一目標之成像期間該基板台與該投影系統之間的掃描速率，或在該基板之該邊緣處或附近的一預界定區域中之相鄰目標位置之間的步進速率，或其兩者。
根據本發明之一態樣，提供一種操作一微影裝置之方法，該方法包含：相對於投影系統來移動支撐一基板之一基板台，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及調整在該基板之一邊緣處或附近的一預界定區域內之一目標之成像期間該基板台與該投影系統之間的掃描速率，或調整在該基板之該邊緣處或附近的一預界定區域中之相鄰目標位置之間的步進速率，或調整其兩者，其中調整該掃描速率或該步進速率包含降低該速率。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：
-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；
-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗布抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位基板W之第二定位器PW；及
-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會準確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件MA可係透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置可為分離實體。在該等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之一部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL為形成微影裝置之一部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一情況下，微影裝置可經組態以容許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的且可經分離地提供(例如，藉由微影裝置製造商或另一供應商)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可係固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分C之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2、在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT與基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
可將用於在投影系統之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成至少兩種通用種類。此等種類為浴類型配置及所謂的局域化浸沒系統。在浴類型配置中，實質上整個基板及(視情況)基板台之一部分被浸漬於液體浴中。所謂的局域化浸沒系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。在局域化浸沒系統種類中，藉由液體所填充之空間在平面圖中小於基板之頂部表面，且填充有液體之區域相對於投影系統保持實質上靜止，而基板在彼區域下方移動。本發明之一實施例所針對之另外配置為液體未經限制之全濕潤解決方案。在此配置中，基板之實質上整個頂部表面及基板台之全部或一部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少基板之液體的深度較小。液體可為基板上之液體膜(諸如薄膜)。圖2至圖5之液體供應器件中之任一者可用於該系統中；然而，密封特徵不存在、未經啟動、不如正常情況有效率，或以其他方式對將液體僅密封至局域化區域無效。圖2至圖5中說明四種不同類型之局域化液體供應系統。以上已描述圖2至圖4所揭示之液體供應系統。
已提議之另一配置係提供具有流體限制結構之液體供應系統。流體限制結構可沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明該配置。流體限制結構在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。密封件係形成於流體限制結構與基板之表面之間。在一實施例中，密封件係形成於流體限制結構與基板之表面之間，且可為諸如氣體密封件之無接觸密封件。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示該系統。
圖5示意性地描繪具有形成障壁部件或流體限制結構之本體12之局域化液體供應系統或流體處置結構，障壁部件或流體限制結構沿著投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下之本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台WT之表面)。流體處置結構在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件係形成於本體12與基板W之表面之間，且可為諸如氣體密封件或流體密封件之無接觸密封件。
流體處置器件至少部分地使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中含有液體。至基板W之無接觸密封件(諸如氣體密封件16)可形成於投影系統PS之影像場周圍，使得液體限制於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。藉由在投影系統PS之最終元件下方及環繞投影系統PS之最終元件所定位的本體12而至少部分地形成空間11。藉由液體入口13而將液體帶入投影系統PS下方之空間11中及本體12內。可藉由液體出口13來移除液體。本體12可延伸至略微高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，本體12具有在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形的內部周邊。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此情況。
藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間係形成於本體12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，係藉由N2 或另一惰性氣體形成氣體密封件16。氣體密封件16中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至本體12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14而被汲取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣體流動。氣體對本體12與基板W之間的液體的力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可係連續或不連續的。氣體流動對於使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示該系統。
圖5之實例為所謂的局域化區域配置，其中液體在任一時間僅提供至基板W之頂部表面之局域化區域。其他配置係可能的，包括利用單相汲取器或兩相汲取器之流體處置系統，如(例如)美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示。在一實施例中，單相汲取器或兩相汲取器可包含被覆蓋於多孔材料中之入口。在單相汲取器之實施例中，多孔材料係用以將液體與氣體分離以實現單液相液體汲取。將多孔材料下游之腔室維持於稍微負壓下，且以液體來填充腔室。腔室中之負壓係使得形成於多孔材料中之孔中之彎液面防止周圍氣體被牽引至腔室中。然而，當多孔表面與液體進行接觸時，不存在用以限制流動之彎液面且液體可自由地流動至腔室中。多孔材料具有(例如)直徑在5微米至300微米(理想地，5微米至50微米)之範圍內的大量小孔。在一實施例中，多孔材料係至少稍微親液性的(例如，親水性的)，亦即，與浸沒液體(例如，水)成小於90°之接觸角。
可能的另一配置為基於氣體拖曳原理(gas drag principle)進行工作之配置。已(例如)在2008年5月8日申請之美國專利申請公開案第US 2008-0212046號及美國專利申請案第US 61/071,621號中描述所謂的氣體拖曳原理。在彼系統中，汲取孔經配置成理想地具有隅角之形狀。隅角可與步進方向或掃描方向對準。與兩個出口經對準成垂直於掃描方向之情況相比較，對於在步進方向或掃描方向上之給定速率，隅角與步進方向或掃描方向對準之情況減少流體處置結構之表面中兩個開口之間的彎液面上之力。
亦在US 2008-0212046中揭示在主液體擷取特徵外部徑向地定位之氣刀(gas knife)。氣刀截獲通過主液體擷取特徵之任何液體。該氣刀可存在於所謂的氣體拖曳原理配置中(如US 2008-0212046中所揭示)、存在於單相或兩相汲取器配置中(諸如US-2009-0262318-A1中所揭示)或存在於任何其他配置中。
本發明之一實施例可應用於全濕潤浸沒裝置中所使用之流體處置結構。在全濕潤實施例中，例如，藉由容許液體洩漏出限制結構，容許流體覆蓋基板台之實質上整個頂部表面，限制結構將液體限制至投影系統之最終元件與基板之間。可在2008年9月2日申請之美國專利申請案第US 61/136,380號中找到用於全濕潤實施例之流體處置結構之實例。
許多其他類型之液體供應系統係可能的。本發明不限於任何特定類型之液體供應系統。本發明對於與經限制浸沒系統一起使用可係有利的，在經限制浸沒系統中，投影系統之最終元件與基板之間的液體係(例如)以最佳化使用為目的而加以限制。然而，本發明可與任何其他類型之液體供應系統一起使用。
如圖6所說明，基板固持器可用以支撐基板W。基板台WT支撐基板固持器。基板固持器可處於基板台WT內之凹座中。凹座之深度可經定尺寸，使得當基板W存在於基板固持器上時，基板W之表面係與基板台WT之頂部表面實質上共平面。當基板W存在於基板支撐件上時，在基板W之邊緣與基板台之面對邊緣20之間可存在間隙G。
在間隙G中，可存在用以在操作期間自間隙G移除液體之流體汲取器件的經界定之間隙開口，該經界定之間隙開口在一實施例中可為複數個間隙開口100。間隙開口100可位於凹座之邊緣附近(例如，在至基板W之徑向向外位置處)。一開口(或一或多個底開口120)可存在於基板支撐件之周邊處或附近。此開口可在操作期間藉由基板W覆蓋，使得液體可通過底開口120自基板W下方移除。
在浸沒系統(諸如經限制浸沒系統)中，浸沒液體可自液體限制結構12逸出。所逸出液體可停留於基板台或經成像之基板之表面上。所逸出液體可呈小滴或膜(在下文中，小滴指代小滴及/或膜)之形式。小滴可為若干缺陷度問題之原因。
在基板W或基板台WT上小滴之位置可經過液體限制結構12下方。缺陷度問題可藉由小滴與經限制液體之碰撞導致。舉例而言，在經限制浸沒系統中，小滴可與在液體限制結構12與基板W之間延伸之液體彎液面碰撞。該碰撞可導致液體將氣體(例如，空氣)封閉為氣泡，其直徑可為(例如)5微米至10微米，但直徑可為1微米至500微米。氣泡尺寸可通常在5微米與10微米之間。氣泡可通過浸沒液體而移動至投影系統PS與基板W之間的空間11中，或氣泡可在基板W上靜止且藉由基板W相對於空間11之相對運動而移動至空間11中。存在於此部位處之氣泡可影響成像，亦即，氣泡可曝光至抗蝕劑中，從而導致成像缺陷。
當基板W之邊緣在液體限制結構12下方移動時(例如，在成像橫跨基板之晶粒之線路之後或在成像晶粒之線路開始時)，逸出液體之風險增加。在橫跨基板邊緣時，基板邊緣及基板台WT在液體限制結構12下方移動，使得浸沒空間11藉由基板台WT之表面(而非基板W之表面)界定。在自投影系統PS下方移動基板W以藉由基板台WT替換時，間隙G經過投影系統PS下方。此可導致彎液面失去穩定性。結果，液體可逸出。
應注意，此問題對於全濕潤浸沒系統可能較不相關，在全濕潤浸沒系統中，浸沒液體覆蓋基板W之至少整個表面且理想地覆蓋基板台WT之某部分周圍表面。
在本發明之一實施例中，控制器50經組態以調整微影裝置之一或多個操作條件。舉例而言，控制器可經組態以調整液體限制結構12之一或多個操作條件及/或定位系統PW之一或多個操作條件，定位系統PW經組態以相對於投影系統PS及/或液體限制結構12來定位基板W及/或基板台WT。因此，控制器50使一或多個操作條件自藉由一或多個主控制器所判定之操作條件改變。亦即，控制器50將一或多個操作條件設定成不同於原本在不存在控制器50之情況下所選擇之操作條件。
一或多個操作條件可包括基板W及/或基板台WT相對於液體限制結構12及/或投影系統PS之速率。
或者或另外，控制器50可調整提供至投影系統PS與基板W之間的空間11之浸沒流體之流動速率。
或者或另外，控制器50可調整用以自投影系統PS與基板W之間的空間11汲取浸沒流體之負壓源之位準。
或者或另外，在利用氣刀來控制浸沒流體及(例如)減少浸沒流體自空間11之損失的浸沒微影裝置中，控制器50可調整(例如，增加)待用於氣刀中之氣體流動速率。
或者或另外，在利用氣刀之該浸沒微影裝置中，控制器50可判定待用於氣刀中之氣體之所要組成或基於該組成之參數，諸如氣體被充滿浸沒液體之蒸氣所達到之位準。
或者或另外，控制器50可改變液體限制結構12之底部與基板W及/或基板台WT之表面之間的距離。
或者或另外，控制器50可傾斜液體限制結構12，使得液體限制結構12之底部表面不平行於基板W及/或基板台WT之頂部表面。亦即，液體限制結構12之底部表面可改變角度而不平行於基板W及/或基板台WT之頂部表面。
或者或另外，控制器50可設定在基板台WT與基板W之間的間隙中離開開口100、120之流體汲取的流動速率。
或者或另外，控制器50可設定進入浸沒空間中之浸沒液體的流動速率。
或者或另外，控制器50可周邊地(例如，圓周地)變化在液體處置結構12中各種流體流動之分布。亦即，可在液體限制結構12之一側上(在平面圖中)形成比在液體限制結構12之相反側上更大之流動。此應用於離開液體限制結構12之流體及進入液體限制結構12之流體兩者。亦即，進入及/或離開液體處置系統12之開口的流體流動速率取決於開口相對於運動方向之角位而變化。
或者或另外，可藉由控制器50來判定其他操作條件或操作條件之任何組合。
影響浸沒空間11中之氣泡形成之可能性的重要參數為基板W相對於液體限制結構12之速率。現將參考設定基板W相對於液體限制結構12之速率的控制器50來描述本發明之一實施例。然而，可以相同於以下所描述之方式的方式來設定任何額外或替代操作條件(特別係以上所提及之操作條件)。
舉例而言，在橫跨表面及接近表面之邊緣(諸如接近基板台與橋接器或感測器之間的間隙)期間，當其他特徵經過投影系統PS下方時，可使用該方法。本發明之一實施例可被使用之其他表面包括很可能為親液表面或至少具有為減縮接觸角之部分(諸如感測器)的表面。因為經過投影系統PS下方之其他特徵可導致彎液面之不穩定性，所以在一實施例中，控制器在運動靠近特徵(諸如感測器)時調整裝置之一或多個操作條件。對於感測器，諸如透鏡干涉儀(例如，ILIAS)，或透射影像感測器，或光點感測器，液體限制結構12之氣刀可關閉或使其流動速率減少，以便避免彼等感測器之親液部分上之液體損失。
當基板台WT之路線選擇係使得液體損失可在正常操作條件下發生時，在較低速度下設定基板台WT之速率可有助於減輕形成氣泡之風險。經組態成以此方式來控制基板台WT之移動的控制器50可被稱作邊緣速率限制器。
在本發明之一實施例中，用於成像目標或目標晶粒之掃描速率(例如)在基板W之邊緣鄰近受限。在一實施例中，不調整步進速率。在一實施例中，不調整掃描速率。
可參考相對於基板台WT之座標進行基板W之邊緣之定位。需要使用座標係相對於基板W之定位系統PW。其係理想的，因為基板W之精確位置係不可預測的且因此其邊緣之精確位置係不可預測的。掃描速率之減慢可能不足以防止氣泡形成。在一實施例中，可提供手動越控件(manual override)以限制在特定晶粒之掃描期間的速率。在一實施例中，不提供手動越控件。在一實施例中，手動越控件可用以增加在特定晶粒之掃描期間的速率。此可在經驗向操作員展示增加經由彼等特定晶粒之掃描的速率不導致缺陷的情況下容許產出率之增加。
在一實施例中，將速率限制應用於在基板W之邊緣附近之區域中目標晶粒之步進移動。限制步進速率係有利的，因為可移除或防止一或多個氣泡。其防止或實質上減少損失液體且藉此容許氣泡形成之風險。
藉由限制掃描速率及/或步進速率且具有用於特定晶粒之手動速率限制器，可將在基板W之成像期間所形成之氣泡的數目減少至對於經成像之每一基板W具有五個至一個氣泡或更少。範圍可表達為每基板W存在5個至0個氣泡，理想地，每基板存在0個至1個氣泡，且最理想地，每基板W存在0個至0.5個氣泡。
在以下描述中，可將基板W之表面視為塗布有無頂塗層抗蝕劑或諸如JSR公司之TCX041頂塗層的頂塗層。對掃描或成像運動之參考意欲指代在產品影像上之曝光掃描。其不意欲指代其他移動，例如，對準掃描。需要使針對模型及手動越控件所考慮之座標系統為基板W座標系統，而非基板台WT座標系統。然而，可使用基板台WT座標系統。藉由速率來意謂速度向量之量值。
圖7之流程圖中說明邏輯程序中之步驟。在200處輸入掃描座標及機器部位，且藉由模型210及手動越控件220並行地使用掃描座標及機器部位。接著藉由速率選擇器230來選擇藉由模型210及手動越控件220中之每一者所判定之掃描速率及/或步進速率。藉由控制器50而將用於掃描及/或步進之選定速率應用於微影裝置中。
因此，控制器50可控制定位系統PW，定位系統PW經組態以判定基板W或基板台WT或其兩者相對於液體限制結構12或投影系統PS或其兩者之相對位置。在一實施例中，當基板及/或基板台之預定區域係在液體處置系統下方時，控制器50在基板及/或基板台相對於液體處置系統及/或投影系統之運動期間調整裝置之一或多個操作條件。詳言之，控制器50在液體處置系統下方基板之移動期間(例如，在成像運動期間及/或在步進運動期間)調整一或多個操作條件。
在一實施例中，若晶粒之成像運動係(至少部分地)在第一預界定區域內，則進行調整。或者或另外，控制器可在相鄰晶粒之間的步進期間調整一或多個操作條件。若步進(至少部分地)發生於第二預界定區域內，則可進行調整。
第一預界定區域與第二預界定區域可相同，或其可不同。其可如以下所描述加以界定。在一實施例中，該等區域係藉由在兩個橢圓之間界定一區域而加以界定。第一預界定區域及/或第二預界定區域可在基板之邊緣處或附近。
另外，控制器可能需要滿足另外條件，以便調整一或多個操作條件(即使成像或步進發生於第一預界定區域及第二預界定區域中之一者內)。舉例而言，用於在成像期間調整操作條件之先決條件可為：成像移動係朝向基板W之X軸且不遠離基板W之X軸。此可係有利的，因為至基板W上之掃描或僅僅在基板W上之掃描可趨向於比離開基板W或移動成更靠近基板W之邊緣之掃描導致更多缺陷。
在一實施例中，替代或額外的另外條件可為：預界定區域相對於液體處置結構之運動係在一方向上，因此，在液體處置結構之參考座標中，基板之邊緣移動成遠離液體處置結構。
在一實施例中，替代或額外條件為：在基板台之參考座標中，在基板台與流體處置結構之間的運動方向上的流體處置結構之路徑為跨越基板之一線路之一部分。一預界定區域距離基板之邊緣不大於該線路之長度的一半，在流體處置結構之參考座標中，基板之邊緣移動成遠離流體處置結構。
在液體處置結構之參考座標中，基板在流體處置結構下方移動。然而，相對於基板且在基板之參考座標中，流體處置結構遵循跨越基板之路徑(亦即，(例如)晶粒之線路)。路徑可能不筆直；因此，在一時刻，路徑可能與跨越基板之線路對準，其可能筆直。由於該線路橫跨基板，故其具有兩個半部：在一半部中，在基板之參考座標中，液體處置結構移動成朝向基板之中心；且在一半部中，液體處置結構移動成遠離基板之中心。在液體處置結構移動成朝向基板之中心的半部中，液體限制結構移動成遠離基板之邊緣；因此，在液體處置結構之參考座標中，邊緣移動成遠離液體處置結構。在此描述中，對移動成朝向或遠離基板之中心的參考未必意謂：在基板之參考座標中，液體處置結構直接移動成朝向或遠離基板之中心。其可意謂：液體限制結構以其移動方向之分量經引導成遠離或朝向中心的方式進行移動。
在一實施例中，替代或額外的另外條件可為所謂的延伸長度M之尺寸。延伸長度M為以下兩者之間的在Y方向上之最大距離：一掃描之開始；及在晶粒之線路之間的一步進期間在Y方向上之位置(如以下關於圖9所解釋)。
額外或替代的另外條件為：成像或步進發生於自基板W之中心的相對於X方向及Y方向之角範圍內。
額外或替代的另外條件為：運動之長度(例如，基於自上一晶粒曝光之結束至下一晶粒曝光之開始之距離)(例如，衝程長度)落在經界定範圍內。詳言之，該條件為：運動之長度大於特定值。長衝程更可能導致氣泡形成。因此，演算法可改變用於大移動之操作條件，例如，藉由減少速率。長衝程發生於成像列之間，尤其係在與X軸成-45°至+45°之角範圍內。因此，替代或額外的另外條件可為：移動在列之結束時係在彼角範圍內。
在平面圖中伸長之特徵之參考座標中，額外或替代的另外條件為液體處置結構12所經過之伸長特徵與液體處置結構12相對於該特徵之行進方向之間的角度。亦即，在液體處置結構之參考座標中，經過液體處置結構12下方之伸長特徵與該特徵相對於液體處置結構12之行進方向之間的角度的對應角度。在一實施例中，伸長特徵為基板台上之物件與相鄰於該物件的基板台WT之邊緣之間的間隙。在一實施例中，物件為基板W。在此角度(或在液體處置結構12之參考座標中之對應角度)與小滴形成之可能性之間可存在一關係。或者或另外，該另外條件可為伸長特徵與彎液面之間的角度，彎液面在液體處置系統12與基板W及/或基板台WT之間延伸。
額外或替代的另外條件為：基板W之物理屬性落在經界定範圍內。一或多個程序參數可具有對氣泡形成時之速率的效應。程序參數包括(例如)抗蝕劑、頂塗層及基板邊緣定義。基板邊緣定義意謂已被移除頂塗層的基板W之頂部邊緣的寬度，及浸沒液體與最近曝光之表面所成的靜態接觸角。最近曝光之表面可包含BARC、黏著層(例如，HMDS)、Si、SiO2 、金屬等等。
額外或替代的另外條件為：在基板W上晶粒之位置是否落在經界定區域內。
藉由控制器50所進行之調整之量值可取決於該等另外條件中之一或多者及/或取決於該經界定區域內之精確位置。
以下描述一些特定實施例。可將一實施例之一或多個特徵與任何其他實施例之一或多個特徵進行組合。
以下段落中論述模型210、手動越控件220及最小速率選擇器之特定實施例之詳細說明。
為了判定是否必須根據模型210來減慢掃描，如圖所示將基板W上之區域界定為圖8中之交叉影線。表1中展示參數A、B、C、D、E及F之值。該等參數可依據機器常數加以參考。
應注意，針對此等參數選擇四個位置。該等位置可經選擇為在基板W之平面中的長軸及短軸上。一位置可為界定於基板W之邊緣中之定位凹口240的位置(C、F)。一位置可在通過凹口之第一軸與邊緣之第二交叉點上(例如，在實質上相反於凹口之位置處)(E、B)。其他兩個位置可在長軸及短軸中之另一者上，理想地沿著第二軸之垂線(A、D)。
四個位置處之量測界定內部橢圓及外部橢圓。在以上表1所指示之實施例中，外部橢圓對應於基板W之邊緣。該兩個橢圓在基板W之邊緣附近界定一區域。
以下規則判定必須在替代(較低)速度下進行掃描 ：
1.若掃描之開始點或掃描之結束點(或其兩者)係在圖8之陰影部分中，及該另外條件。
2.若掃描藉由評估開始位置及結束位置未自中心經向外引導成朝向或遍及邊緣：「掃描經向外引導」之定義係如下：
a.對於向上掃描，若開始位置之y座標為正。
b.對於向下掃描，若開始位置之y座標為負(基板W之中心為原點)。
因此，以下規則判定不在替代(較低)速度下進行掃描 ：
1.若掃描之開始點或掃描之結束點(或其兩者)係在圖8之陰影部分中，及該另外條件。
2.若掃描藉由評估開始位置及結束位置自中心經向內引導成朝向或遍及邊緣：「掃描經向內引導」之定義係如下：
c.對於向上掃描，若開始位置之y座標為負。
d.對於向下掃描，若開始位置之y座標為正(基板W之中心為原點)。
因此，若開始點、結束點或其兩者係在藉由陰影區域(亦即，環)所界定的基板表面W之區域中且掃描係在向內方向上，則該規則適用，掃描係在替代掃描速率之速率下。
在一實施例中，可將替代掃描速率之值設定成恆定。表2中列出不同容許掃描速率範圍之預設值及容許範圍。
在一實施例中，為了判定是否應減慢步進，評估步進之位移向量。藉由如圖9所示之參數來界定位移向量P1→P2之開始座標及結束座標。
使用相對於基板W之邊緣的幾何圖案來界定何時可將速率減少應用於兩個晶粒之間的步進。該幾何圖案包含圖10所示之兩個橢圓。
界定參數G、H、I、J、K、L及M。其值可係預定的且經設定為機器常數。表3中提供預設值及適當範圍。
參數G至L中之每一者之容許範圍對應於基板W之徑向尺寸。
如圖9所示，參數M為用以特性化停留時間(settle time)以容許在運動方向之改變期間之加速及準確定位的尺寸。參數M為以下兩者之間的距離：在掃描(成像運動)之開始或結束時之位置；及在相鄰步進運動(圖9中之步進N)期間在成像方向(y方向)上之最遠位置。調整參數M，使得基板台WT因此維持恆定速度時間週期，使得經控制以移動基板台WT之所有伺服機構均係在所需準確度限制內。
在一實施例中，根據預設減慢僅繼之以向上掃描之步進。(在笛卡兒(Cartesian)座標中，向上掃描對應於針對基板W上之所有目標位置遠離x軸的沿著y軸之正向移動)。在一實施例中，可沿著該軸成像晶粒之線路，且順次地向下成像晶粒之線路。
界定布林參數(Boolean parameter)U以判定何時可應用受限速率。若參數之值為真(TRUE)，則僅繼之以向上掃描之步進(匹配特定準則)係在減少之速率下。若參數之值為假(FALSE)，則匹配特定幾何準則(亦即，橢圓之幾何準則)之所有步進均係在減少之速率下進行。
若存在以下情況，則應將步進 N之速率減少至替代(減少之)步進速率：
10　P1係在橢圓1外部，及
11　P2係在橢圓2內部，及
12　若U為真，則
O若掃描N為向上掃描。
在表4中，針對不同容許範圍規定參數U及預設替代步進速率之預設值：
在所描述實施例中，當掃描為向上掃描時，在特定境況下應用減少之速率。在一實施例中，當掃描為向上掃描或向下掃描時，可應用減少之速率。
在橫跨基板W之邊緣時所損失之液體的量可取決於基板W之表面(例如，抗蝕劑或頂塗層之表面)之靜態後退接觸角。一種該頂塗層為TCX041，其具有為約66度之靜態後退接觸角。由於液體可取決於靜態後退接觸角及表面相對於液體限制結構之相對速率而自浸沒空間11損失，故模型可針對此參數加以最佳化。
在邊緣橫跨期間，且甚至一般而言，具有較大靜態後退接觸角之表面可損失較少液體。對於相同液體損失，速率之減少可較少。可調整模型之幾何參數之尺寸以減少為了掃描及步進而使用減少之速率所針對之目標的數目。模型可針對表面之靜態後退接觸角加以最佳化。以此方式，可減少使用減少之速率所遍及之區域。減少之速率之持續時間因此較少。產出率可增加。可能需要使用具有較高靜態後退接觸角之表面塗層(例如，AIM 5484)。結果，速率之改變可更靠近基板W之邊緣發生。控制器50可併有2008年10月16日申請之美國專利申請案第US 61/136,943號中所揭示的控制系統，該案之全文係以引用的方式併入本文中。
可存在手動越控件220。手動越控件220可用以(例如)針對與特定晶粒相關聯之特定掃描運動及/或步進運動而調整基板台WT相對於投影系統PS之速率。若模型210在步進移動或掃描移動期間不應用適當速率來增加氣泡之形成，則可使用手動越控件220。手動越控件220可經實施為機器常數。
在一實施例中，基於配方之手動越控件(recipe-based manual override)220可能係不可用的。儘管此將需要無論何層均在相同速率下掃描目標區域且此可減少產出率，但系統之複雜性將較小。
在一實施例中，可應用基於配方之手動越控件220。不同層(具有不同靜態後退接觸角)將需要模型210之調整以適合經處理(例如，成像)之表面上之特定層。手動越控件220可容許使用關於表面屬性(例如，靜態後退接觸角)之細節以調整模型210，使得將在減少之(替代)速率下掃描或步進不同區域。因此，同一區域可使在標準速率下或在減少之速率下掃描不同層。此可容許取決於表面層之表面屬性的掃描速率及/或步進速率之最佳化。可改良產出率。
手動越控件220使使用者能夠界定越控區域(override area)之數目，例如，最大為10個。每一越控區域係藉由中心座標(X1及Y1，相對於基板中心)、在x軸之方向上之長度DX及在y軸之方向上之長度DY界定。此在圖11中予以展示。
越控區域覆蓋許多晶粒。與每一晶粒相關聯的係一黑點(black dot)。該點可表示彼晶粒之掃描開始座標位置及結束座標位置。若開始位置及結束位置係在越控區域中，則如先前所描述來使用減少之(替代)掃描速率及/或步進速率。因此，僅在開始座標及結束座標兩者均係在越控區域內時才啟動替代掃描速率及/或步進速率。
在圖11所示之實例中，僅晶粒7、8、9及10受越控區域影響。若在越控機器常數中規定步進速率，則其應用於受影響晶粒之預備階段。因此，在圖10之實例中，晶粒6與晶粒7、晶粒7與晶粒8、晶粒8與晶粒9及晶粒9與晶粒10之間的步進減慢，但晶粒10與晶粒11、晶粒4與晶粒5及晶粒5與晶粒6之間的步進之控制不受手動越控件模組影響。
使用者可能希望根據每一選定晶粒之值而鍵入機器常數。該等值包括越控區段、越控區域之中心之座標(中心X1及中心Y1)、越控區域之尺寸(DY及DX)，及用於越控區域之最大掃描速率及/或最大步進速率。
模型210傳送用於經應用有該模型之區域(掃描)中之每一者的掃描速率及/或步進速率。手動越控件220模組提供用於許多掃描及/或步進之速率；此等掃描及/或步進可係預定的。在一實施例中，手動越控件220可僅能夠減慢特定目標晶粒之掃描速率及/或步進速率。手動越控件220可減慢掃描速率或步進速率未有利地藉由模型210調整所針對之晶粒的掃描速率及/或步進速率。因此，一規則需要判定是否應應用掃描速率及/或步進速率。亦即，所應用之速率應選自藉由模型210或手動越控件220所判定之速率。該速率係藉由速率選擇器選擇。
在一實施例中，手動越控件220模組在意見不合之情況下勝過模型210之輸出。然而，在一實施例中，掃描速率可經判定為應用掃描速率(其為基板台WT機器常數)。應用速率為使用者界定速率，其可係預定的且未經自由地選擇。應用速率可在操作之前經預選擇。手動越控件可經設定為使用者願意選擇之任何值。手動越控件可在使用期間加以設定。因此，在應用速率(其係由使用者在使用之前加以預選擇)與手動越控件(其可在使用期間加以選擇)之間可存在衝突。若應用掃描(及/或步進)速率低於藉由模型210或手動越控件220所判定之值，則最大速率等於應用掃描速率。應用速率選擇可為額外安全措施以確保手動越控件不設定超過可接受速率設定之速率。除了模型210、應用速率及越控件模組220以外，可存在可用以判定最大掃描(及/或步進)速率之其他準則。
在一實施例中，速率選擇器將自以下各者之最低值選擇最大掃描速率/步進速率：應用掃描速率/步進速率；藉由模型210或手動越控件220所判定之速率；及/或其他準則。此速率選擇器組態對於診斷目的以及對於維護及產出率可係有用的。此係因為其容許手動越控件220與藉由模型210所判定之速率相比較增加速率。
在一實施例中，選定速率自作為一整體之以下選擇選項群組選擇藉由模型210及手動越控件220所判定之速率：應用掃描速率/步進速率；藉由模型210所判定之速率；藉由手動越控件220所判定之速率；及/或其他準則。
可將針對在目標晶粒處之掃描移動或步進移動所選擇之速率記入記憶體中。
在模型210之變化中，針對部分地或完全地在與基板W之邊緣相距固定徑向距離之預界定周邊(例如，周界)外部的每一目標晶粒而減少掃描速率。在一實施例中，預界定周邊與基板W之邊緣相距100 mm。預界定周邊可為0 mm至12 mm，理想地為5 mm至100 mm。對於(例如)表面塗層TCX041，減少之掃描速度可為400 mm/s。
在一變化中，預界定周邊為如圖12所示之橢圓。A為沿著x軸相對於基板W之中心的周邊區域之尺寸。B為沿著y軸在正向方向上離開之徑向方向上與基板W之中心相距的周邊區域之尺寸。C為沿著y軸在徑向方向離開遠離基板W之中心的周邊區域之尺寸。適當值對於A可為40 mm至50 mm(例如，45 mm)、對於B可為30 mm至35 mm(例如，33 mm)，且對於C可為50 mm至60 mm(例如，55 mm)。此等值為針對300 mm直徑基板之尺寸。該等尺寸可根據所使用之基板W之尺寸成比例地加以更改。
在一變化中，可將受限掃描速率應用於掃描發生至基板W之表面上所針對的彼等目標晶粒。若掃描方向向下，則具有相對於基板W之中心之正y座標的該目標晶粒將具有受限掃描速率。若掃描方向向上，則具有負y座標之目標晶粒將具有受限掃描速率。
在一變化中，將周邊區域分離成如藉由圖12中之交叉影線區域所展示之兩個片段。該等片段可經處理以用於進一步產出率改良。該等片段係藉由以下兩個角度判定：α(alpha)及β(beta)。α對應於在x軸上方的片段之角位移(亦即，相對於基板之中心)。β對應於在x軸下方的片段之角位移。舉例而言，α可在40°至80°之範圍內，且β可在20°至80°之範圍內。或者或另外，可在兩個片段之間的區域中進行操作條件之調整中之平滑過渡。
如本文所描述，當基板W之邊緣在液體限制結構12下方移動時，逸出液體之機會可增加。一特定境況可出現於液體限制結構12中，液體限制結構12包含自(諸如)US 2008-0212046及US 2009-0262318中所描述之氣刀徑向地向內之液體擷取特徵。在該結構中，已經過液體擷取特徵(單相汲取器或兩相汲取器，或氣體拖曳原理配置之汲取孔)之任何液體可經截獲為自氣刀徑向地向內之一或多個逸出小滴及/或一膜。在基板W上逸出小滴之位置移動成朝向氣刀或在氣刀下方移動所在之方向上基板W之進一步移動導致小滴被氣刀阻擋且因此沿著氣刀而保留於氣刀與液體汲取特徵之間。在基板W相對於液體限制結構12之移動方向改變時，藉由氣刀所截獲之小滴可移動成朝向液體汲取特徵。在此位置處，小滴可與在基板與液體限制結構12之間延伸之液體彎液面相互作用(例如，碰撞)。此可在空間中之液體中誘發氣體氣泡。詳言之，此可誘發位置固定於基板W上之黏附氣泡。若該黏附氣泡定位於待成像之下一晶粒之曝光區域下方(例如，曝光狹縫下方)，則可導致成像誤差。
圖13更詳細地展示該機構。說明在液體限制結構12下方的基板W之彎曲路徑300。在一實施例中，液體限制結構12在平面圖中具有存在隅角之正方形形狀。該等隅角可在使用中與步進方向及掃描方向對準。液體限制結構12可在平面圖中具有任何形狀。在一實施例中，氣刀310經定位成自液體擷取特徵320徑向地向外。
圖13中說明曝光狹縫900。曝光狹縫900為藉由來自投影系統PS之投影光束所曝光之區域。若小滴經截獲於液體擷取特徵320與氣刀310之間(例如，歸因於傳遞遍及基板W之邊緣)，則液體可逸出至液體擷取特徵320與氣刀310之間的區域。任何該液體將呈一或多個小滴之形式且藉由氣刀310而截獲於區域330中。
當在藉由箭頭340所說明之方向上至遍及第一晶粒350之掃描完成時，在液體限制結構12下方的基板W之方向改變，例如，如藉由箭頭300所說明之彎曲路徑。可看出，小滴之收集之區域330係處於在待成像之後續晶粒360之成像期間曝光狹縫900將佔據之位置上方(例如，處於其正上方)。在一實施例中，該後續晶粒係緊接於第一晶粒350。因此，小滴將與在基板W與液體擷取特徵320之間延伸之液體彎液面碰撞可係很可能的。該碰撞將藉此在液體中形成一或多個氣泡。該等氣泡很可能為黏附氣泡且在待成像之後續晶粒360之成像掃描期間定位於曝光狹縫900下方。該氣泡之形成可增加成像缺陷之風險。
在後續晶粒之成像期間氣泡是否將存在於曝光狹縫900中可藉由以下方程式概算：
SSA 　在掃描方向上之步進、停留及加速移動之長度
v 　在掃描方向上之掃描速率
a 　在掃描方向上之平台加速度
τ　在加速之後的停留時間
Y slit 　曝光狹縫之寬度(藉由95%之強度資料檔判定)
D AK 　氣刀之直徑
Δy 　氣泡之展寬
y 　在場中小滴之位置
分析已展示此機構僅影響整個基板W上之少許晶粒。
因此，在本發明中，控制器50可在發生此效應的基板W上之部位處在液體限制結構12下方基板W之移動期間調整一或多個操作條件。可變化之一操作條件為如圖9所示之參數M。圖14中說明達成此情形之一方式。在圖14中，可看出，參數M增加，使得在下一晶粒之前的向下掃描伸長。因此，控制器50可變化為以下兩者之間的距離的裝置之操作條件：在掃描(掃描成像運動)之開始或結束時之位置；及在遍及後續晶粒360之後續掃描成像運動之前的相鄰步進運動期間在成像方向(y方向)上之最遠位置(亦即，圖9所示之參數M)。如所說明，黏附氣泡係形成於不同晶粒中(區域370中)且係在待成像之後續晶粒360之曝光區域外部。因此，在後續晶粒360之成像期間由黏附氣泡導致之缺陷之機會減少。
基板W必須行進之額外距離可為掃描長度之大約兩倍。對於為26 mm之掃描長度及為750 mm/s之掃描速率，每受影響晶粒之額外掃描時間等於大約69 ms。若每基板W之臨界晶粒限於10個以下，則每基板W之產出率損失將為0.69或更少。對於每小時約150個基板W之產出率，將導致3%之產出率損失。
以上描述參考「晶粒」。或者，此描述可參考曝光場。一曝光場可包括若干晶粒。一晶粒通常為一個消費者產品。
應瞭解，以上所描述之特徵中的任一者可與任何其他特徵一起加以使用，且其不僅為本申請案中所涵蓋的明確地所描述之彼等組合。
在一實施例中，提供一種浸沒微影裝置，其包含：一基板台、一投影系統、一液體處置系統，及一控制器。該基板台經組態以支撐一基板。該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束引導至一基板上。該液體處置系統經組態以供應浸沒液體且將該浸沒液體限制至界定於一投影系統與一基板或該基板台或其兩者之間的一空間。該控制器係用以當一基板及/或一基板台之一預界定區域係在該液體處置系統下方時在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間調整該裝置之至少一操作條件。
該控制器可經組態以在至少部分地在一第一預界定區域內之一晶粒的一成像運動期間調整該裝置之至少一操作條件，或在至少部分地在一第二預界定區域內之相鄰晶粒之間的一步進運動期間調整該裝置之至少一操作條件，或該等調整兩者。該第一預界定區域及/或該第二預界定區域可在該基板之一邊緣處或附近。
該預界定區域可藉由一橢圓界定，理想地藉由至少兩個橢圓界定。該至少一操作條件可為選自包含以下各者之群組之一或多者：該基板或該基板台或其兩者與該液體處置系統或該投影系統或其兩者之間的相對運動速率；該液體處置系統之一底部表面與該基板或該基板台或其兩者之頂部表面之間的距離；供應至該空間之浸沒流體之流動速率；用以汲取浸沒液體之一負壓源之位準；用於該液體處置系統之一氣刀中之氣體流動速率；該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之表面之角度；在該液體處置系統之一底表面中離開一開口之液體之流體流動速率；取決於開口相對於運動方向之角位而進入或離開該等開口之流體流動速率之變化；或在一掃描成像運動之開始或結束時該液體處置系統相對於該基板之位置與在一後續掃描成像運動之前在該液體處置系統相對於該基板之掃描成像運動方向上之最遠位置之間的距離之變化。
該至少一操作條件可包含該液體處置系統之至少一操作條件。該液體處置系統之該至少一操作條件可為選自包含以下各者之群組之一或多者：通過該液體處置系統之一開口之流體流動速率；該液體處置系統相對於該投影系統及/或該基板及/或該基板台之定向；或該液體處置系統相對於該投影系統及/或該基板及/或該基板台之間的距離。
該至少一操作條件可包含一定位系統之至少一操作條件，該定位系統經組態以相對於該液體處置系統或該投影系統或其兩者來定位一基板或該基板台或其兩者。該定位系統之該至少一操作條件可為選自包含以下各者之群組之一或多者：該基板或該基板台或其兩者與該液體處置結構或該投影系統或其兩者之間的相對運動速率；該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之表面之角度；或該液體處置系統之一底部表面與該基板或該基板台或其兩者之該頂部表面之間的距離。
該控制器可經組態以僅在滿足一另外條件時才調整該至少一操作條件。該另外條件可為：一成像運動係朝向垂直於該成像方向且在該基板之該頂部表面之平面中的該基板之一對稱軸。該至少一操作條件可在一掃描運動期間加以調整。該另外條件可為：在一成像運動之開始或結束時之位置與在一相鄰步進運動期間在該成像方向上之最遠位置之間的一距離落在一經界定範圍內。該至少一操作條件可在一步進運動期間加以調整。該另外條件可為：一成像運動及/或一步進運動係在自該基板之一中心位置的一特定角範圍內。該另外條件可為：經過該液體處置系統下方之一伸長特徵與該伸長特徵之運動方向之間的在平面圖中之一角度落在一經界定範圍內。該另外條件可為：該基板之一物理屬性落在一經界定範圍內。該物理屬性可為選自包含以下各者之群組之一或多者：浸沒液體與該基板之一頂部外邊緣表面之靜態接觸角；該基板之一頂部外邊緣表面之寬度；浸沒液體與該基板之該頂部外邊緣之一經曝光抗蝕劑、頂塗層、BARC、黏著層、Si、SiO2 或金屬之靜態接觸角；經曝光抗蝕劑、頂塗層、BARC、黏著層、Si、SiO2 或金屬之寬度。
該另外條件可為：在該基板上晶粒之部位落在一經界定區域內。該另外條件可為：一晶粒之結束與下一晶粒之開始之間的一運動之一長度大於一經界定值。
該浸沒微影裝置可進一步包含一手動越控件以容許一使用者越控該控制器。該手動越控件可容許在一使用者界定之第三預界定區域中藉由該控制器來越控該至少一操作條件之調整，且將該至少一操作條件設定為一使用者界定值。
該預界定區域相對於該液體處置結構之運動可在一方向上，使得該基板之一邊緣移動成遠離該液體處置結構。在該基板台之參考座標中，在該基板台與該流體處置結構之間的相對運動期間遍及該基板的該流體處置結構之一路徑可為跨越該基板之一線路之一部分，且該預界定區域距離該邊緣不大於該線路之長度的一半，在該流體處置結構之參考座標中，該邊緣可移動成遠離該流體處置結構。
在一實施例中，提供一種操作一微影裝置之方法，該方法包含：移動；及調整。在該移動中，相對於一投影系統來移動支撐一基板之一基板台，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束通過藉由一液體處置系統所界定之浸沒液體而投影至一基板上。在該調整中，當該基板及/或該基板台之一預界定區域係在該液體處置系統下方時在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間調整該裝置之至少一操作條件。
該裝置之該至少一操作條件之該調整可係：在至少部分地在一第一預界定區域內之一晶粒的一成像運動期間；或在至少部分地在一第二預界定區域內之相鄰晶粒之間的一步進運動期間；或在該成像運動期間及在該步進運動期間兩者。該第一預界定區域及/或該第二預界定區域可在該基板之一邊緣處或附近。
該預界定區域可藉由一橢圓界定，理想地藉由至少兩個橢圓界定。該至少一操作條件可為選自包含以下各者之群組之一或多者：該基板或該基板台或其兩者與該液體處置系統或該投影系統或其兩者之間的相對運動速率；該液體處置系統之一底部表面與該基板或該基板台或其兩者之頂部表面之間的距離；供應至空間之浸沒流體之流動速率；用以汲取浸沒液體之一負壓源之位準；用於該液體處置系統之一氣刀中之氣體流動速率；該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之表面之角度；在該液體處置系統之一底表面中離開一開口之液體之流體流動速率；或取決於開口相對於運動方向之角位而進入或離開該等開口之流體流動速率之變化。該至少一操作條件可包含該液體處置系統之至少一操作條件。
該至少一操作條件可包含一定位系統之至少一操作條件，該定位系統經組態以相對於該液體處置系統或該投影系統或其兩者來定位一基板或該基板台或其兩者。該至少一操作條件之該調整可僅在滿足一另外條件時才進行。
在一實施例中，存在一種浸沒微影裝置，其包含：一基板台、一投影系統、一液體處置系統、一定位系統，及一控制器。該基板台經組態以支撐一基板。該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束引導至一基板上。該液體處置系統經組態以供應浸沒液體且將該浸沒液體限制至界定於該投影系統與該基板或該基板台或其兩者之間的一空間。該定位系統經組態以判定該基板或該基板台或其兩者相對於該液體處置結構或該投影系統或其兩者之相對位置。該控制器經建構及配置以控制該基板或該基板台或其兩者與該液體處置結構或該投影系統或其兩者之間的相對運動。該控制器經組態以降低：在該基板之一邊緣處或附近的一預界定區域內之一目標之成像期間該基板台與該投影系統之間的掃描速率，或在該基板之該邊緣處或附近的一預界定區域中之相鄰目標位置之間的步進速率，或其兩者。
該微影裝置可包含一手動控制件以預定在一選定目標之成像期間的該掃描速率，或在選定相鄰目標之間的該步進速率，或其兩者。該預界定區域相對於該液體處置結構之運動可在一方向上，使得該基板之一邊緣移動成遠離該液體處置結構。在該基板台之一參考座標中，在該基板台與該流體處置結構之間的相對運動期間遍及該基板的該流體處置結構之一路徑可為跨越該基板之一線路之一部分。該預界定區域距離該邊緣可不大於該線路之長度的一半，在該液體處置結構之一參考座標中，該邊緣移動成遠離該液體處置結構。
在一實施例中，存在一種操作一微影裝置之方法，該方法包含：移動及降低。在該移動中，相對於一投影系統來移動支撐一基板之一基板台，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。在該降低中，降低在該基板之一邊緣處或附近的一預界定區域內之一目標之成像期間該基板台與該投影系統之間的掃描速率，或降低在該基板之該邊緣處或附近的一預界定區域中之相鄰目標位置之間的步進速率，或降低其兩者。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗布顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢驗工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在情境容許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之控制器可各自或組合地係可操作的。控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於以上所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。控制器可包括用於儲存該等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以接納該媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為以上所提及之彼等類型，且無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是未受限制。在未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在該未經限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒液體或其可能提供浸沒液體限制比例，但未提供浸沒液體之實質上完整限制。
應廣泛地解釋如本文所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於兩相流動之一或多個開口的組合。開口可各自為至浸沒空間中之入口(或自流體處置結構之出口)，或在浸沒空間外之出口(或至流體處置結構中之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵的一或多個元件。
以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
4．．．晶粒
5．．．晶粒
6．．．晶粒
7．．．晶粒
8．．．晶粒
9．．．晶粒
10．．．晶粒
11．．．空間(圖5)/晶粒(圖11)
12．．．本體/液體限制結構/液體處置結構
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口
15．．．氣體入口
16．．．氣體密封件
20．．．基板台之面對邊緣
50．．．控制器
100．．．間隙開口
120．．．底開口
200．．．輸入掃描座標及機器部位
210．．．模型
220．．．手動越控件/越控件模組
230．．．速率選擇器
240．．．定位凹口
300．．．彎曲路徑
310．．．氣刀
320．．．液體擷取特徵
330．．．區域
340．．．方向
350．．．第一晶粒
360．．．後續晶粒
370．．．區域
900．．．曝光狹縫
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
G．．．間隙
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器/定位系統
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪用於在微影投影裝置中使用之液體供應系統；
圖4描繪用於在微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；
圖5描繪用於在微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；
圖6以橫截面描繪基板之邊緣及周圍基板台；
圖7為根據本發明之一實施例的用於選擇掃描速率及/或步進速率之程序的流程圖；
圖8為根據本發明之一實施例的可經應用有掃描速率減少的基板之區域的表示；
圖9說明步進位移向量；
圖10為根據本發明之一實施例的用於步進速率減少之幾何參數的示意性表示；
圖11為根據本發明之一實施例的越控區域之定義的示意性表示；
圖12說明根據本發明之一實施例的周界掃描速率減少；
圖13為在液體供應系統下方基板之移動及成像誤差之來源的示意性表示；及
圖14為用以避免成像誤差之來源(例如，圖13所說明的成像誤差之來源)的在液體供應系統下方基板之移動的示意性表示。
20．．．基板台之面對邊緣
100．．．間隙開口
120．．．底開口
G．．．間隙
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (12)

  1. 一種浸沒(immersion)微影裝置，其包含：一基板台，其支撐一基板；一投影系統，其將一經圖案化輻射光束引導至該基板上；一液體處置系統，其供應且限制浸沒液體至一空間，該空間係界定於該投影系統與該基板、或該基板台、或與基板及該基板台兩者之間；一控制器，當該基板及/或該基板台之一預界定區域(predefined area)係在該液體處置系統下方時，在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之移動(movement)期間，該控制器調整該裝置之至少一操作條件，其中該控制器僅在一另外條件滿足時調整該至少一操作條件，其中該另外條件係該預界定區域相對於該液體處置系統之運動(motion)係在一方向上，俾使，在該液體處置系統的一參考框架(frame of reference)中，一特徵(feature)移動遠離該液體處置系統，其中該特徵係該基板的一邊緣或配置於該基板台上的一感測器之一邊緣。
  2. 如請求項1之浸沒微影裝置，其中該控制器經組態以在至少部分地在一第一預界定區域內之一晶粒(die)的一成像運動(imaging motion)期間調整該至少一操作條件，或在至少部分地在一第二預界定區域內之相鄰晶粒之間的 一步進運動(stepping motion)期間調整該至少一操作條件，或調整其兩者。
  3. 如請求項2之浸沒微影裝置，其中該第一預界定區域及/或該第二預界定區域係在該基板之邊緣處或在該基板的該邊緣之一固定(fixed)徑向距離處。
  4. 如請求項3之浸沒微影裝置，其中該預界定區域的一邊緣係在該基板的該邊緣之該固定徑向距離處。
  5. 如請求項1至4中任一項之浸沒微影裝置，其中該預界定區域係藉由一橢圓界定。
  6. 如請求項1至4中任一項之浸沒微影裝置，其中該至少一操作條件為選自包含以下各者之群組之一或多者：該基板或該基板台或其兩者與該液體處置系統或該投影系統或其兩者之間的相對移動速度(speed)，該液體處置系統之一底部表面與該基板或該基板台或其兩者之頂部表面之間的距離，供應至該空間之浸沒流體之流動速率(flow-rate)，用以汲取浸沒液體之一負壓源(under pressure source)之位準，用於該液體處置系統之一氣刀中之氣體流動速率，該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之表面之角度，在該液體處置系統之一底表面中離開一開口之液體之流體流動速率，取決於開口相對於移動方向之角位(angular position) 而進入或離開該等開口之流體流動速率之變化，及在一掃描成像運動之開始或結束時該液體處置系統相對於該基板之位置與在一後續掃描成像運動之前在該液體處置系統相對於該基板之掃描成像運動之方向上之最遠位置之間的距離之變化。
  7. 如請求項1或2之浸沒微影裝置，其中該至少一操作條件包含該液體處置系統之至少一操作條件。
  8. 如請求項7之浸沒微影裝置，其中該液體處置系統之該至少一操作條件為選自包含以下各者之群組之一或多個操作條件：通過該液體處置系統之一開口之流體流動速率，該液體處置系統相對於該投影系統及/或該基板及/或該基板台之定向(orientation)，或該液體處置系統相對於該投影系統及/或該基板及/或該基板台之間的距離。
  9. 如請求項1至4中任一項之浸沒微影裝置，其中該至少一操作條件包含一定位系統之至少一操作條件，該定位系統經組態以相對於該液體處置系統或該投影系統或其兩者來定位一基板或該基板台或其兩者。
  10. 如請求項9之浸沒微影裝置，其中該定位系統之該至少一操作條件為選自包含以下各者之群組之一或多個條件：該基板或該基板台或其兩者與該液體處置結構或該投影系統或其兩者之間的相對移動速度， 該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之表面之角度，或該液體處置系統之一底部表面與該基板或該基板台或其兩者之該頂部表面之間的距離。
  11. 如請求項1至4中任一項之浸沒微影裝置，其中所增加的該另外條件係選自包含以下各者之群組之一或多個條件：一成像運動係朝向垂直於成像方向且在該基板之該頂部表面之平面中的該基板之一對稱軸；在成像運動之開始或結束時之位置與在一相鄰步進運動期間在該成像方向上之最遠位置之間的一距離落在一經界定範圍內；成像運動及/或步進運動係在自該基板之一中心位置的一特定角範圍(angular range)內；及經過該液體處置系統下方之一伸長(elongate)特徵與該伸長特徵之移動方向之間，在平面中，之一角度落在一經界定範圍內；該基板之一物理屬性(physical property)落在一經界定範圍內；該基板上晶粒之位置(location)落在一經界定區域內；及一晶粒之結束與下一晶粒之開始之間的一運動之一長度大於一經界定值。
  12. 一種操作一微影裝置之方法，該方法包含下列步驟： 相對於一投影系統來移動支撐一基板之一基板台，該投影系統將一經圖案化輻射光束通過藉由一液體處置系統所限制(confine)之浸沒液體而投影至一基板上；及當該基板及/或該基板台之一預界定區域係在該液體處置系統下方時，且僅在一另外條件滿足時，在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之移動期間調整該裝置之至少一操作條件；其中該另外條件係該預界定區域相對於該液體處置系統之運動係在一方向上，俾使，在該液體處置系統的一參考框架中，一特徵移動遠離該液體處置系統，其中該特徵係該基板的一邊緣或配置於該基板台上的一感測器之一邊緣。
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