CN101840158A - 光刻设备、控制该设备的方法及器件制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光刻设备、控制该设备的方法及器件制造方法。具体地，公开了一种操作光刻设备的方法。该方法包括相对于投影系统移动支撑衬底的衬底台，和调整在对衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像期间衬底台和投影系统之间的扫描速度，或调整在衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的步进速度，或上述两者。所述调整扫描和/或步进速度可以包括降低速度。投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。

Description

光刻设备、控制该设备的方法及器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻设备、一种控制光刻设备的方法以及一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体(例如水)中，以便充满投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，液体是蒸馏水，但是可以使用其他液体。本发明的实施例将参考液体进行描述。然而，其它流体也可能是适合的，尤其是润湿性流体、不能压缩的流体和/或具有比空气折射率高的折射率的流体，期望地，其为具有比水的折射率高的折射率的流体。除气体之外的流体尤其是希望的。这样能够实现更小特征的成像，因为在液体中曝光辐射将会具有更短的波长。(液体的影响也可以被看成提高系统的有效数值孔径(NA)并且也增加焦深)。还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米悬浮颗粒(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃(例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液)。

将衬底或衬底与衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利No.4,509,852)意味着在扫描曝光过程中需要加速很大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。

在浸没设备中，由流体处理系统、器件结构或设备来处理浸没流体。在一个实施例中，流体处理系统可以供给浸没流体，且因此是流体供给系统。在一个实施例中，流体处理系统可以至少部分地限定浸没流体，并且因此可以是流体限制系统。在一个实施例中，流体处理系统可以提供用于浸没流体的阻挡件，并且可以是阻挡构件，例如流体限制结构。在一个实施例中，流体处理系统可以产生或使用气流，例如帮助控制所述流和/或浸没流体的位置。气流可以形成限定浸没流体的密封，因此流体处理结构可以被称作密封构件，这种密封构件可以是流体限制结构。在一个实施例中，浸没液体用作浸没流体。在那种情形中，流体处理系统可以是液体处理系统。参考上面提及的描述，可以理解在这一段落中关于流体所限定的特征的参考包含关于液体所限定的特征。

提出来的解决方法之一是液体供给系统通过使用液体限制系统只将液体提供在衬底的局部区域上(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面积)和在投影系统的最终元件和衬底之间。提出来的一种用于设置上述解决方案的方法在WO99/49504公开了。如图2和图3所示，液体期望地沿着衬底相对于最终元件移动的方向，通过至少一个入口供给到衬底上，且在已经通过投影系统下面后，通过至少一个出口除去液体。也就是说，当衬底在所述元件下沿着一X方向扫描时，液体在元件的+X一侧供给并且在一X一侧去除。图2是所述布置的示意图，其中液体通过入口供给，并在元件的另一侧通过与负压源相连的出口去除。衬底W上方的箭头显示出液体流的方向，衬底W下方的箭头显示出衬底台的移动方向。在图2中，虽然液体沿着衬底相对于最终元件的移动方向供给，但这并不是必须的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口，图3示出了一个实例，其中在最终元件的周围在每侧上以规则的重复方式设置了四组入口和出口。在液体供给和液体回收装置中的箭头显示出液体流的方向。

在图4中示出了另一个采用液体局部供给系统的浸没式光刻方案。液体由位于投影系统PS每一侧上的两个槽状入口供给，由布置在入口沿径向向外的位置上的多个离散的出口去除。所述入口和出口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通过该孔投影。液体由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口提供，而由位于投影系统PS的另一侧上的多个离散的出口去除。这造成投影系统PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口组合可以依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口组合是不起作用的)。在图4的横截面视图中，箭头显示出液体流在进入入口和从出口流出的方向。

在欧洲专利申请公开出版物No.1420300和美国专利申请公开出版物No.2004-0136494中(在此以引用的方式将该两个申请的内容整体并入本文中)，公开了一种成对的或双台浸没式光刻设备的方案。这种设备具有两个台用以支撑衬底。调平(levelling)测量在没有浸没液体的工作台的第一位置处进行，曝光在存在浸没液体的工作台的第二位置处进行。可选的是，设备仅具有一个台。

PCT专利申请公开出版物WO 2005/064405公开一种全浸湿布置，其中浸没液体是不受限制的。在这种系统中，衬底的整个顶部表面覆盖在液体中。这可以是有利的，因为衬底的整个顶部表面基本上在相同条件下进行曝光。这对于衬底的温度控制和处理是有利的。在WO 2005/064405中，液体供给系统提供液体到投影系统的最终元件和衬底之间的间隙。允许该液体泄露(或流)到衬底的其他部分。衬底台的边缘处的阻挡件防止液体溢出，使得液体可以从衬底台的顶部表面上以受控制的方式去除。虽然这样的系统改善了衬底的温度控制和处理，浸没液体的蒸发仍然可能出现。帮助缓解这个问题的一种方法在美国专利申请公开出版物No.US2006/0119809中有记载。设置构件，其覆盖衬底的所有位置，并且布置成使浸没液体在所述构件和衬底和/或保持衬底的衬底台的顶部表面之间延伸。

发明内容

在浸没光刻术中，一些液体可能会从空间丢失，落到被曝光的衬底上。丢失的液体可能导致缺陷的风险。出现在衬底上的液体液滴之后与空间中的液体碰撞，例如液体的弯液面，可能导致形成一定体积的气体，例如空间中的气泡。气泡可能会干扰朝向衬底的目标部分引导的成像辐射，而影响了衬底上的成像的图案。

例如，期望减少或消除这种成像缺陷的风险。

根据一个方面，提供了一种浸没式光刻设备，其包括：

衬底台，该衬底台被配置以支撑衬底；

投影系统，该投影系统被配置以将图案化的辐射束引导到衬底上；

液体处理系统，该液体处理系统被配置以将浸没液体供给和限制到投影系统与衬底或衬底台或上述两者之间限定的空间中；

控制器，该控制器在衬底和/或衬底台的预定区域在所述液体处理系统下面时用于调整在所述衬底和/或衬底台相对于所述液体处理系统的运动期间所述设备的操作条件。

根据一个方面，提供了一种操作光刻设备的方法，该方法包括：

相对于投影系统移动支撑衬底的衬底台，该投影系统被配置以将图案化的辐射束通过由液体处理系统限定的浸没液体投影到衬底上；和

在所述衬底和/或衬底台的预定区域在所述液体处理系统的下面时，调整在所述衬底和/或衬底台相对于所述液体处理系统运动的期间所述设备的操作条件。

根据一个方面，提供了一种浸没式光刻设备，其包括：衬底台，该衬底台被配置以支撑衬底；投影系统，该投影系统被配置以将图案化的辐射束引导到衬底上；液体处理系统，该液体处理系统被配置以将浸没液体供给和限制到在所述投影系统与所述衬底或所述衬底台或上述两者之间限定的空间中；定位系统，该定位系统被配置以确定所述衬底或所述衬底台或上述两者相对于所述液体处理结构或所述投影系统或上述两者的相对位置；以及控制器，该控制器被构造和布置以控制所述衬底或所述衬底台或上述两者与所述液体处理结构或所述投影系统或上述两者之间的相对运动，其中，所述控制器被配置以降低：在对所述衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像期间在所述衬底台和所述投影系统之间的扫描速度，或在所述衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的步进速度；或上述两者。

根据本发明的一个方面，提供了一种操作光刻设备的方法，该方法包括：相对于投影系统移动支撑衬底的衬底台，该投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和调整在对所述衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像期间所述衬底台和所述投影系统之间的扫描速度，或调整在所述衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的所述步进速度，或上述两者，其中，调整所述扫描或步进速度包括降低所述速度。

附图说明

下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：

图1示出根据本发明实施例的光刻设备；

图2和图3示出在光刻投影设备中使用的液体供给系统；

图4示出在光刻投影设备中使用的另一液体供给系统；

图5示出在光刻投影设备中使用的另一液体供给系统；

图6示出衬底的边缘和周围的衬底台的横截面图；

图7是根据本发明的一个实施例的用于选择扫描和/或步进速度的过程的流程图；

图8是根据本发明的一个实施例的可以应用扫描速度减小的衬底区域的视图；

图9示出步进位移矢量；

图10是根据本发明的一个实施例的对应步进速度减小的几何参数的示意图；

图11是根据本发明的一个实施例的超越控制区域(override area)的定义的示意图；

图12显示出根据本发明的一个实施例的周边扫描速度减少；

图13是在液体供给系统和成像误差源下面的衬底的移动的示意图；和

图14是在液体供给系统下面的衬底的移动的示意图，以避开例如在图13中显示出的成像误差源。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；

-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；

-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和

投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构MT保持图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。类似于所述源SO，照射器IL可以认为是形成光刻设备的一部分或可以认为不是形成光刻设备的一部分。例如，照射器IL可以是光刻设备的组成部分或可以是与光刻设备完全分立的实体。在后者的情形中，光刻设备可以配置以允许照射器IL安装在其上。可选择地，照射器IL是可拆除的和可以被单独地提供(例如，被光刻设备制造商或另一供应商提供)。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。

可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。

3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

在投影系统PS的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以分类成至少两个大类。它们是浴器类型布置和所谓的局部浸没系统。在浴器类型布置中，基本上整个衬底和(可选择地)衬底台的一部分被浸没到液体浴器中。所谓的局部浸没系统使用液体供给系统，其中液体仅被提供到衬底的局部区域。在后一分类中，在平面图中由液体填充的空间小于衬底的顶表面，并且用液体填充的区域相对于投影系统PS基本上保持静止，而衬底W在该区域下面移动。本发明的实施例所涉及的另一布置是全润湿方案，在全润湿方案中液体不受限制。在这种布置中，基本上衬底的整个顶表面和衬底台的全部或一部分被覆盖到浸没液体中。至少覆盖衬底的液体的深度很小。液体可以是在衬底上的液体膜，例如薄膜。图2-5中的任何液体供给装置可以用于这样的系统中；然而，密封特征未出现，不起作用，不像正常那样有效率或相反地对于仅将液体密封到局部区域是无效的。在图2-5中示出了四种不同类型的液体局部供给系统。上面描述了在图2-4中公开的液体供给系统。

已经提出的另一布置提供了具有液体限制结构的液体供给系统。流体限制结构可以沿投影系统的最终元件和衬底台之间的空间的至少一部分边界延伸。在图5中显示出这样的布置。尽管可以在Z方向上存在一些相对移动(在光轴的方向上)，流体限制结构相对于投影系统PS在XY平面内基本上是静止的。在流体限制结构和衬底的表面之间形成密封。在一实施例中，在流体限制结构和衬底的表面之间形成密封，并且所述密封可以是非接触密封，例如气体密封。在美国专利申请公开No.2004-0207824中公开了这样的系统。

图5示意性地显示出具有形成阻挡构件或流体限制结构的主体12的局部液体供给系统或流体处理结构或装置，该阻挡构件或流体限制结构沿投影系统PS的最终元件和衬底台WT或衬底W之间的空间11的至少一部分边界延伸(请注意，如果没有特别说明，下文中提到的衬底W的表面也可以另外或可选地指衬底台WT的表面)。尽管可以在Z方向上存在一些相对移动(在光轴的方向上)，流体处理结构相对于投影系统PS在XY平面内基本上是静止的。在一实施例中，在主体12和衬底W的表面之间形成密封，并且所述密封可以是非接触密封，例如气体密封或流体密封。

流体处理装置至少部分地将液体保持在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11中。对衬底W的非接触密封(例如气体密封16)可以围绕投影系统PS的像场形成，使得液体被限制在衬底W的表面和投影系统PS的最终元件之间的空间11中。所述空间11至少部分地由位于投影系统PS的最终元件下面并围绕投影系统PS的所述最终元件的主体12形成。液体通过液体入口13被引入到投影系统PS下面的空间11中和主体12内。所述液体可以通过液体出口13去除。主体12可延伸到略微高于投影系统PS的最终元件的位置处。液面上升到最终元件上方，以提供液体的缓冲器。在一实施例中，主体12具有内周，所述内周在上端处与投影系统PS或其最终元件的形状接近一致，并且可以是例如圆形的。在底端，所述内周与像场的形状接近一致，例如矩形，但这不是必需的。

液体通过在使用过程中在主体12的底部和衬底W的表面之间形成的气体密封16而被限制在空间11中。气体密封16由气体形成，例如空气或合成空气，但在一实施例中是由N₂或另外的惰性气体形成。气体密封16中的气体在压力下通过入口15提供到主体12和衬底W之间的间隙中。通过出口14抽取气体。气体入口15上的过压、出口14上的真空水平和间隙的几何形状布置成使得存在向内的、限制所述液体的高速气流。气体作用在主体12和衬底W之间的液体上的力将液体限制在空间11中。入口/出口可以是围绕空间11的环形槽。环形槽可以是连续的或非连续的。气流有效地将液体限制在空间11中。这样的系统在美国专利申请公开出版物No.US 2004-0207824中公开。

图5的示例是所谓的局部区域布置，其中任何一次仅将液体供给到衬底W的顶表面的局部区域上。其它的布置是可以的，包括利用例如在美国专利申请公开No.2006-0038968中公开的单相抽取器或两相抽取器的流体处理系统。在一实施例中，单相或两相抽取器可以包括覆盖在多孔材料中的入口。在单相抽取器的一实施例中，多孔材料用于分离液体和气体，以使得实现单液体相液体抽取。在多孔材料下游的腔保持在略微的负压下且充满液体。腔中的负压使得在多孔材料的孔中形成的弯液面防止周围气体吸入到腔中。然而，在多孔表面与液体接触时，没有弯液面来限制流动且液体可以自由地流入到腔中。多孔材料具有大量的小孔，例如直径在5-300μm，期望地在5-50μm的范围内。在一实施例中，多孔材料至少是略微亲液的(例如亲水的)，即与浸没液体(例如水)的接触角小于90°。

另一种可行的布置是依据气体拖拽原理来工作的。已经在例如美国专利申请公开出版物No.US2008-0212046和于2008年5月8日申请的美国专利申请号No.61/071,621中描述了所谓的气体拖拽原理。在所述系统中，抽取孔布置成期望具有角的形状。角可以与步进或扫描方向对齐。与如果两个出口被垂直于扫描的方向对齐的情形相比，对于在步进或扫描方向上的给定速度这降低了流体处理结构的表面中的两个开口之间的弯液面上的力。

另外在US2008-0212046中公开的是径向地定位在主液体回收特征外面的气刀。气刀捕获通过主液体回收特征的任何液体。这样的气刀可以出现在所谓的气体拖拽原理布置(如在US2008-0212046中公开的)中、在单相或两相抽取器布置(例如在US2009-0262318A1中公开的)中或任何其它的布置中。

本发明的实施例可以应用于在全润湿浸没设备中所使用的流体处理结构中。在全润湿实施例中，例如通过允许液体泄露到将液体限制到投影系统的最终元件和衬底之间的限制结构的外面，而允许流体覆盖衬底台的整个顶表面。在2008年9月2日申请的美国专利申请No.US61/136,380中可以找到全润湿实施例的流体处理结构的示例。

许多其它类型的液体供给系统是可以的。本发明不限于任何特定类型的液体供给系统。本发明可能有利于与限制的浸没系统一起使用，其中投影系统的最终元件和衬底之间的液体被限制，例如在优化所述使用时。然而，本发明可以与任何其它类型的液体供给系统一起使用。

如图6所示，衬底保持件可以用于支撑衬底W。衬底台WT支撑衬底保持件。衬底保持件可以位于衬底台WT内的凹陷中。凹陷的深度可以被制定尺寸使得在衬底W出现在衬底保持件上时衬底W的表面大致与衬底台WT的顶表面共平面。在衬底W出现在衬底支撑件上时，在衬底W的边缘和衬底台的前边缘20之间可能存在间隙G。

在间隙G中，可以存在限定的间隙开口，在一实施例中所述间隙开空可以是流体抽取装置的多个间隙开口100，以在操作期间从间隙G除去液体。间隙开口100可以位于凹陷的边缘附近(例如在衬底W的径向向外的位置处)。开口(或一个或更多个下开口120)可以出现在衬底支撑件的周边处或其附近。该开口可以在操作期间被衬底W覆盖，使得液体可以从衬底W的下面通过下开口120被除去。

在浸没系统中，例如受限制的浸没系统，浸没液体可以从液体限制结构12漏出。所漏出的液体可以停留在被成像的衬底或衬底台的表面上。所漏出的液体可以成液滴或膜的形式(在下文“液滴”是指液滴和/或膜)。液滴可能是几个缺陷问题的起因。

衬底W或衬底台WT上的液滴的位置可以在液体限制结构12的下面穿过。缺陷问题可以由液滴与受限制液体的碰撞引起。例如，在受限制的浸没系统中，液滴可能与在液体限制结构12和衬底W之间延伸的液体弯液面碰撞。这样的碰撞可以使得液体包围气体(例如空气)作为气泡，其直径可以是例如5-10μm，但也可以是1-500μm。气泡尺寸可以典型地在5-10微米之间。气泡可以通过浸没流体移动到投影系统PS和衬底W之间的空间11中，或气泡在衬底W上可以是静止的，并且可以通过衬底W相对于空间11的相对运动被移动到空间11中。在这个位置出现的气泡可能影响成像，即气泡可能被暴露到抗蚀剂中，从而导致成像缺陷。

在衬底W的边缘在液体限制结构12的下面移动时，例如在使横过衬底的管芯的线成像之后或在开始使管芯的线成像时，使液体泄露的风险增加。在横过衬底边缘时，衬底边缘和衬底台WT在液体限制结构12的下面移动，使得浸没空间11由衬底台WT的表面来限定，而不是由衬底W的表面限定。在从投影系统PS下面移动衬底W、以由衬底台WT来替换衬底W时，间隙G在投影系统PS的下面穿过。这可以使得弯液面失去稳定性。结果，液体可能泄露。

注意到，这一问题可能对于全润湿浸没系统不是那么相关，其中在全润湿浸没系统中浸没液体覆盖至少衬底W的整个表面，并且期望地覆盖衬底台WT的一些周围表面。

在本发明的一实施例中，控制器50被配置以调整光刻设备的一个或更多个操作条件。例如，控制器可以被配置以调整液体限制结构12的一个或更多个操作条件和/或定位系统PW的一个或更多个操作条件，该定位系统PW被配置以相对于投影系统PS和/或液体限制结构12定位衬底W和/或衬底台WT。因此，控制器50从由一个或更多个主控制器确定的操作条件改变一个或更多个操作条件。也就是，控制器50设定所述一个或更多个操作条件使得其不同于在没有控制器50的情形下所选择的操作条件。

一个或更多个操作条件可以包括衬底W和/或衬底台WT相对于液体限制结构12和/或投影系统PS的速度。

控制器50可以可替代地或附加地调整被提供给投影系统PS和衬底11之间的空间11的浸没流体的流速。

可替代地或附加地，控制器50可以调整负压源的水平，该负压源用于从投影系统PS和衬底W之间的空间11抽取浸没流体。

可替代地或附加地，在利用气刀控制浸没流体和例如降低浸没流体从空间11的损失的浸没式光刻设备中，控制器50可以调整(例如增加)在气刀中使用的气体流速。

可替代地或附加地，在这样的利用气刀的浸没式光刻设备中，控制器50可以确定将在气刀中使用的气体的期望的组成或基于所述组成的参数，例如使气体饱和含有浸没液体蒸汽的水平。

控制器50可以可替代地或附加地改变液体限制结构12的底部和衬底W和/或衬底台WT的表面之间的距离。

控制器50可以可替代地或附加地使得液体限制结构12倾斜，使得液体限制结构12的底表面不平行于衬底W和/或衬底台WT的顶表面。也就是，液体限制结构12的底表面可以被形成角度，远离地平行于衬底W和/或衬底台WT的顶表面。

控制器50可以可替代地或附加地设定从衬底台WT和衬底W之间的间隙中的开口100、120中抽取流体的流体抽取流速。

控制器50可以可替代地或附加地设定进入到浸没空间中的浸没液体的流速。

可替代地或附加地，控制器50可以沿外围地(例如沿圆周地)改变在液体处理结构12中流体的各种流动的分布。也就是，可以在液体限制结构12的一侧(在平面中)产生比在液体限制结构12的相对侧更大的流动。这适用于从液体限制结构12流出的流体和进入液体限制结构的流体。也就是，进入液体处理系统的开口和/或从液体处理系统的开口出去的流体流速依赖于开口相对于运动方向的角位置而改变。

可以可替代地或附加地由控制器50来确定其它的操作条件或操作条件的任何组合。

影响在浸没空间11中气泡形成的可能性的重要参数是衬底W相对于液体限制结构12的速度。现在将参考用于设定衬底W相对于液体限制结构12的速度的控制器50，来描述本发明的实施例。然而，任何额外的或可替代的操作条件，尤其是上文提及的那些操作条件，可以以与下文所描述的方式相同的方式进行设定。

在其它特征在投影系统12下面通过时，例如在横过表面且接近所述表面的边缘期间，例如接近衬底台和桥或传感器之间的间隙期间，可以使用所述方法。本发明的实施例可以使用的其它表面包括可能是亲液表面的表面或包括至少具有减少的接触角的部分(例如传感器)。因为在投影系统12下面通过的其它特征可以导致弯液面的不稳定性，所以在一个实施例中控制器在运动接近特征(例如传感器)时调整所述设备的一个或更多个操作条件。对于传感器，例如透镜干涉仪(例如ILIAS)或透射图像传感器或点传感器，可以关闭液体限制结构12的气刀，或该气刀使得其流速减少，用于避免液体在那些传感器的亲液部件上的损失。

在衬底台WT的路线使得可能在正常的操作条件下发生液体损失时，将衬底台WT的速度设定在较低的速度上可以帮助减小形成气泡的风险。被配置以这种方式控制衬底台WT的运动的控制器50可以被称为边缘速度限制器。

在本发明的一实施例中，限制了使目标或目标管芯成像的扫描速度，例如在衬底W的边缘的附近中。在一实施例中，没有调整步进速度。在一实施例中，未调整扫描速度。

可以参考相对于衬底台WT的坐标进行衬底W的边缘的定位。期望使用定位系统PW，其中坐标是相对于衬底W的。因为衬底W的精确位置并且因此其边缘是不可预知的，所以它是期望的。使扫描速度变慢可能不足以防止形成气泡。在一实施例中，手动超越控制装置(manual override)可以被提供以在扫描特定管芯的过程中限制所述速度。在一实施例中，没有提供手动超越控制装置。在一实施例中，手动超越控制装置可以用于在扫描特定管芯的期间增加所述速度。如果经验给操作者显示增加扫描这些特定管芯的速度没有导致缺陷，那么这可以允许生产量的增加。

在一实施例中，速度限制应用于在衬底W的边缘附近的区域中的目标管芯的步进运动。因为一个或更多个气泡可以被除去或防止，所以限制步进速度是有利的。它防止或基本上降低了损失液体的风险，并且因此允许形成气泡。

通过限制扫描和/或步进速度和对特定管芯具有手动速度限制器，在衬底W的成像期间所形成的气泡的数量可以被减少至对于每个成像的衬底W具有5到1个气泡或更少。所述范围可以表示成每个衬底W具有5到0个气泡，期望地每个衬底具有0至1个气泡，更期望地每个衬底W具有0至0.5个气泡。

在下述的描述中，衬底W的表面可以认为是被涂敷有顶部没有涂层的(top-coatless)抗蚀剂或例如JSR公司的TCX041顶涂层等顶涂层。对扫描或成像运动的参考是指产品图像上的曝光扫描。不是指其它的运动，例如对齐扫描。期望被考虑用于模型和手动超越控制装置的坐标系统是衬底W坐标系统，而不是衬底台WT坐标系统。然而，可以使用后者。速度矢量的幅度是指速度。

在图7的流程图中显示出逻辑过程的步骤。在步骤200输入扫描坐标和机器位置，并且由模型210和手动超越控制装置220并行地使用。模型210和手动超越控制装置220中的每一个确定的扫描和/或步进速度之后由速度选择器230选出。所选择的用于扫描和/或步进的速度通超越控制器50应用于光刻设备中。

因此，控制器50可以控制定位系统PW，该定位系统PW被配置以确定衬底W或衬底台WT或上述两者相对于投影系统PS的液体限制结构12的相对位置。在一实施例中，在衬底和/或衬底台的预定区域处于液体处理系统下面时，控制器50在衬底和/或衬底台相对于液体处理系统和/或投影系统的运动期间调整所述设备的一个或更多个操作条件。具体地，在衬底在液体处理系统下面运动期间，例如在成像运动期间和/或在步进运动期间，控制器50调整一个或更多个操作条件。

在一个实施例中，如果管芯的成像运动(至少部分地)位于第一预定区域中，进行调整。控制器可以可替代地或附加地在相邻的管芯之间的步进期间调整一个或更多个操作条件。如果步进出现(至少部分地出现)在第二预定区域中，那么可以进行所述调整。

第一和第二预定区域可以是相同的或它们可以是不同的。可以如下文所描述的定义它们。在一个实施例中，通过限定两个椭圆之间的区域来限定所述区域。第一预定区域和/或第二预定区域可以在衬底的边缘处或在其附近。

为了调整一个或更多个操作条件，控制器可以附加地需要将要被满足的另外的条件，即使成像或步进出现在第一和第二预定区域中的一个预定区域中。例如，在成像期间调整操作条件的前提可以是成像运动是朝向衬底W的X轴线，且没有远离衬底W的X轴线。因为到衬底W上的扫描或就在衬底W上的扫描可能易于导致比离开衬底W或移动至更靠近衬底W的边缘的扫描更多的缺陷，所以这可能是有利的。

在一实施例中，可替代的或额外的另一条件可以是预定区域相对于液体处理结构的运动是在这样的方向上，使得在液体处理结构的参考框架中衬底的边缘移动远离液体处理结构。

在一实施例中，可替代的或另外的条件是在衬底台的参考框架中，在衬底台和流体处理结构之间的运动方向上的流体处理结构的路径是横过衬底的线的一部分。预定区域不大于远离衬底的边缘的线的长度的一半，该线在流体处理结构的参考框架中移动远离流体处理结构。

在液体处理结构的参考框架中，衬底在流体处理衬底的下面移动。然而，相对于衬底和在衬底的参考框架中，流体处理结构沿着横过衬底的路径(即，例如管芯的线)。路径可能不是直的；因此在此时(at a moment intime)，路径可以与横过衬底的线对齐，该线可以是直的。在线横过衬底时，它具有两个半部：其中液体处理结构在衬底的参考框架中朝衬底的中心移动的一个半部；和其中液体处理结构移动远离衬底的中心的一个半部。在液体处理结构朝衬底的中心移动的半部中，液体限制结构移动远离衬底的边缘；因此在液体处理结构的参考框架中，所述边缘移动远离液体处理结构。在这个描述中，对朝向衬底的中心移动或移动远离衬底的中心的参考并不一定是指：在衬底的参考框架中液体处理结构直接朝衬底的中心移动或移动远离衬底的中心。它可能是指液体限制结构移动，且其移动方向的分量远离中心或朝向中心指向。

在一实施例中，可替代的或额外的另一条件可能是所谓的延伸长度M的尺寸。延伸长度M是在扫描开始和在管芯的线之间的步进期间沿Y方向的位置之间的在Y方向上的最大距离(如在下文关于图9所说明的)。

额外的或可替代的另一条件是成像或步进出现在从衬底W的中心相对于X和Y方向的角范围中。

额外的或可替代的另一条件是运动的长度(例如，基于上一管芯曝光的末端至下一管芯曝光的开始的距离)(例如行程长度)落入到限定的范围中。尤其是，所述条件是运动的长度大于特定值。长行程更可能导致气泡的形成。因此，运算法则可以改变大运动的操作条件，例如通过减小速度。长行程出现在成像行之间，尤其是在从X轴线的-45至+45°的角范围中。因此，可替代的或额外的另一条件可以是所述运动在所述角范围中的行的末端处。

在从平面观察是细长的特征的参考框架中，额外的或可替代的另一条件是在液体处理结构12在其上方通过的细长特征和液体处理结构12相对于所述特征的行进方向之间的角度。也就是，在液体处理结构的参考框架中，所述角度对应于在液体处理结构12下面通过的细长特征和所述特征相对于液体处理结构12的行进方向之间的角度。在一个实施例中，细长特征是衬底台上的物体和邻近物体的衬底台WT的边缘之间的间隙。在一个实施例中，物体是衬底W。在这一角度(或在液体处理结构12的参考框架中的相对应的角度)和液体形成的可能性之间可能存在关联。可替代地或附加地，另一条件可能是细长特征和在液体处理系统12和衬底W和/或衬底台WT之间延伸的弯液面之间的角度。

额外的或可替代的另一条件是衬底W的物理性质落入限定的范围内。一个或更多个过程参数可能对气泡形成的速度产生作用。过程参数包括例如抗蚀剂、顶涂层和衬底边缘的限定。衬底边缘的限定是指已经从其上除去顶涂层的衬底W的顶边缘的宽度和浸没液体对新曝光的表面的静态接触角。新曝光的表面可以包括BARC和粘结层(例如HMDS)、Si、SiO₂、金属等。

附加的或可替代的另一条件是衬底W上的管芯的位置是否落入限定的区域中。

控制器50所进行的调整幅度可能依赖于一个或更多个另外的条件和/或限定区域中的精确位置。

在下文描述了一些特定的实施例。一个实施例中的一个或更多个特征可以与任何其它的实施例中的一个或更多个特征结合。

在下述的段落中对模型210、手动超越控制装置220以及最小速度选择器的特定实施例的具体要求进行讨论。

为了确定扫描是否必须根据模型210减速，衬底W上的区域被定义为图8中的交叉影线。在表1中显示出参数A、B、C、D、E和F的值。根据机器常数，可以对参数进行参考。

表1：参数A、B、C、D、E和F的缺省值

注意到，为这些参数选择了4个位置。这些位置可以被选择在衬底W的平面中的长轴和短轴上。一个位置可以是限定在衬底W的边缘(C，F)中的定位槽240的位置。一个位置可以是在穿过槽的第一轴线与边缘(E，B)的第二交叉点上(例如在大致与槽相对的位置上)。另外两个位置可以是位于长轴和短轴中的另一个上，期望沿着第二轴线(A、D)的垂线。

在四个位置处的测量限定了内椭圆和外椭圆。在上文的表1显示的实施例中，外椭圆对应于衬底W的边缘。两个椭圆限定了衬底W边缘附近的区域。

下述的规则确定必须在可替代的(较低的)速度进行扫描：

1.如果扫描的开始点或扫描的结束点(或上述两者)位于图8的阴影部分中，和所述另一条件。

2.如果通过评估开始和结束位置发现扫描未从中心朝向边缘或在边缘上方向外指向：“扫描向外指向”的定义如下：

a.对于向上扫描，如果开始位置的y坐标是正的

b.对于向下扫描，如果开始位置的y坐标是负的(衬底W的中心是原点)

因此，下述的规则确定不在可替代的(较低的)速度进行扫描：

1.如果扫描的开始点或扫描的结束点(或上述两者)位于图8中的阴影部分中，和所述另一条件。

2.如果通过评估开始和结束位置发现扫描从中心朝向边缘或在边缘上方向内指向：“扫描向内指向”的定义如下：

c.对于向上扫描，如果开始位置的y坐标是负的。

d.对于向下扫描，如果开始位置的y坐标是正的(衬底W的中心是原点)

因此，应用所述规则，如果开始点、结束点或上述两者在由阴影区域(即环)限定的衬底表面W的区域中且所述扫描沿向内的方向，那么扫描处于可替代的扫描速度的速度上。

在一实施例中，可替代的扫描速度的值可以被设定成常数。在表2中列出了不同的被允许的扫描速度范围的缺省值和允许范围。

表2：可替代的扫描速度的缺省值

在一实施例中，为了确定步进是否应当被减速，对步进的位移的矢量进行了评估。位移矢量P1→P2的开始和结束坐标由图9中显示的参数来限定。

在将速度降低应用于两个管芯之间的步进时，使用相对于衬底W边缘的几何图案来限定。所述几何图案包括在图10中显示出的两个椭圆。

对参数G、H、I、J、K、L和M进行了限定。它们的值可以被预先确定且被设定为机器常数。在表3中提供了缺省值和适合的范围。

表3：参数G、H、I、J、K、L和M的缺省值

参数G至L中的每个参数的允许范围对应于衬底W的径向尺寸。

如图9中显示的参数M是用于表征在改变运动方向期间允许加速和精确定位的设置时间(settle time)的大小。参数M是在扫描(成像运动)开始或结束时的位置和在相邻的步进运动(图9中的步进N)期间在成像方向(y方向)上的最远位置之间的距离。调整参数M使得衬底台WT因此保持恒定的速度时间周期，使得被控制以移动衬底台WT的所有伺服系统位于所需的精度限制内。

在一实施例中，通过缺省值仅使得向上扫描跟随的步进放慢。(在笛卡儿坐标中，对于衬底W上的所有目标位置，向上扫描对应于沿y轴线远离x轴线的正运动)。在一实施例中，可以沿轴线使得管芯的线成像，且使得管芯的线连续向下成像。

布尔(Boolean)参数U被限定以确定可以应用受限制的速度的时间。如果参数的值是真(TRUE)，仅有被向上的扫描跟随的步进(匹配特定的标准)处于减小的速度。如果参数的值是非真(FALSE)，那么以减小的速度进行匹配(即椭圆的)特定几何标准的所有步进。

步进N的速度应当减少至可替代的(减小的)步进速度，如果：

10 P1是外椭圆1，与

11 P2是内椭圆2，与

12如果U是真，那么

o如果扫描N是向上扫描

在表4中，参数U的缺省值和缺省的可替代的步进速度被指定对应不同的允许范围：

表4：参数U和可替代的步进速度

在描述的实施例中，在扫描是向上扫描时，在特定的环境下应用减小的速度。在一实施例中，在扫描是向上扫描或向下扫描时可以应用减小的速度。

在横过衬底W的边缘时，液体损失的量可以依赖于衬底W的表面的静态后退接触角，例如抗蚀剂或顶涂层的表面。一种这样的顶涂层是具有约66度的静态后退接触角的TCX041。由于液体可能依赖于静态后退接触角和表面相对于液体限制结构的相对速度从浸没空间11损失，因此可以对这一参数优化模型。

在边缘相交的期间(甚至更一般而言)，具有更大的静态后退接触角的表面可以损失更少的液体。对于相同的液体损失，速度的减小可能较少。可以调整模型的几何参数的大小来减少目标的数量，对于所述目标减小的速度被用于扫描和步进。对于表面的静态后退接触角，可以对模型进行优化。这样，其上使用减小的速度的区域可以被减小。因此减小的速度持续的时间是较小的。生产量可以增加。可能期望使用涂敷有较高的静态后退接触角的表面，例如AIM5484。结果，速度的变化可能出现在更靠近衬底W的边缘处。控制器50可以结合于2008年10月16日申请的美国专利申请No.US61/136,943中公开的控制系统，通过参考将其全部内容并入本文中。

可以具有手动超越控制装置220。手动超越控制装置220可以用于调整衬底台WT相对于投影系统PS的速度，例如对于与特定的管芯相关联的特定扫描或步进运动。如果在步进或扫描运动期间模型210不应用适合的速度，那么可以使用手动超越控制装置220，来增加气泡的形成。手动超越控制装置可以执行为机器常数。

在一实施例中，基于处方的手动超越控制装置220可能是不能利用的。虽然无论所述层是什么层这需要以相同的速度扫描目标区域并且这将降低生产量，但是系统的复杂性将是较小的。

在一实施例中，可以应用基于处方的手动超越控制装置220。不同的层(具有不同的静态后退接触角)将需要对模型210进行调整以适合表面上的特定层被处理(例如被成像)。手动超越控制装置220可以允许使用关于表面性质(例如静态后退接触角)的细节来调整模型210，使得将以减小的(可替代的)速度对不同的区域进行扫描或步进。因此，相同的区域将使得不同的层被以标准的速度或以减小的速度扫描。这可以允许依赖于表面层的表面性质对扫描和/或步进进行优化。可以提高生产量。

手动超越控制装置220使得使用者能够限定超越控制区域的数量，例如最多为10个。每个超越控制区域由中心坐标(相对于衬底中心的X1和Y1)、在x轴线方向上的长度DX以及在y轴线方向上的长度DY来限定。这被显示在图11中。

超越控制区域覆盖了多个管芯。与每个管芯相关联的是黑点。所述点可以表示所述管芯的扫描开始和结束坐标位置。如果开始和结束位置处于超越控制区域中，那么如之前描述的使用减小的(可替代的)扫描和/或步进速度。因此，只有开始与结束坐标处于超越控制区域中，可替代的扫描和/或步进才起作用。

在图11显示的示例中，超越控制区域仅影响管芯7、8、9和10。如果步进速度被指定在超越控制机器常数中，那么它被应用至受影响的管芯的预备阶段中。因此在图10的示例中，管芯6和7、7和8、8和9以及9和10之间的步进被放慢，但管芯10和11、4和5、5和6之间的步进控制未受手动超越控制模块的影响。

使用者可能希望根据为每一选择的管芯的值输入机器常数。值包括超越控制部分、超越控制区域的中心坐标(中心X1和中心Y1)、超越控制区域的尺寸(DY和DX)以及超越控制区域的最大扫描速度和/或最大步进速度。

模型210为应用模型的每一区域(扫描)传送扫描和/或步进速度。手动超越控制装置220模块为多个扫描和/或步进提供速度；这些扫描和/或步可以是预先确定的。在一实施例中，手动超越控制装置220可以仅能够为特定的目标管芯放慢扫描和/或步进速度。手动超越控制装置可以为管芯放慢扫描和/或步进速度，对于管芯通过模型210不能顺利地调整扫描或步进速度。因此，规则需要确定是否应用扫描和/或步进速度。也就是，所应用的速度应当从由模型210或手动超越控制装置220确定的速度中选出。由速度选择器选择所述速度。

在一实施例中，在不同意的情形中手动超越控制装置220模块胜过模型210的输出。然而，在一实施例中可以将扫描速度确定为应用扫描速度(其是衬底台WT机器常数)。应用速度是使用者限定的速度，该限定的速度可以是预先确定的且不是自由选择的。在操作前，可以预先选择应用速度。可以将手动超越控制装置设定成使用者选择的任何值。手动超越控制装置可以在使用期间被设定。因此，可能在应用速度(其是在使用前使用者预先选择的)和手动超越控制(其可以是在使用期间被选择的)之间存在冲突。如果应用扫描(和/或步进)速度小于模型210或手动超越控制装置220确定的值，那么最大速度等于应用扫描速度。应用速度选择可以是附加的安全措施，以确保手动超越控制装置没有设定超过可接受速度设定的速度。除了模型210、应用速度以及超越控制模块220之外，可能存在其它的标准，该标准可以用于确定最大的扫描(和/或步进)速度。

在一实施例中，速度选择器将从下述的最小值中选择出最大的扫描/步进速度：应用扫描/步进速度；由模型210或手动超越控制装置220确定的速度、和/或其它的标准。这一速度选择器配置对于诊断目的以及维修和生产量可能是有用的。这是因为与模型210确定的速度相比，它允许手动超越控制装置220增加速度。

表5：速度选择器决定的示例

在一实施例中，整体上，选择的速度被选择为从选择选项的组、由模型210和手动超越控制装置220确定的速度：应用扫描/步进速度、由模型210确定的速度、由手动超越控制装置220确定的速度、和/或其它的标准。

为目标管芯处的扫描或步进运动选择的速度可被输入到存储器中。

在模型210的变形中，对于每一目标管芯减小扫描速度，该目标管芯部分地或全部在距离衬底W边缘的固定径向距离处的预定外围(例如周界)的外面。在一实施例中，预定的外围是距离衬底W边缘100mm的位置处。预定的外围可以是0-12mm，期望地是5-100mm。减小的扫描速度可以是400mm/s，例如对于TCX041的表面涂层。

在一变形方式中，如图12显示的预定的外围是椭圆。A是外围区域相对于衬底W的中心沿着x轴线的尺寸。B是外围区域在沿衬底W的中心的正向方向远离的径向方向上沿y轴线的尺寸。C是外围区域在从衬底W的中心远离的径向方向上沿y轴线远离的尺寸。适合的值可能是对于A是40-50mm(例如45mm)，对于B是30-35mm(例如33mm)以及对于C是50-60mm(例如是55mm)。这些是对于300mm直径衬底的尺寸。根据所使用的衬底W的尺寸可以适当地改变尺寸。

在一变形方式中，受限制的扫描速度可以应用至这些目标管芯，对于该目标管芯扫描出现在衬底W表面上。如果扫描方向是向下的，那么这样的具有相对于衬底W中心的正y坐标的目标管芯将具有受限制的扫描速度。如果扫描方向是向上的，那么具有负y坐标的目标管芯将具有受限制的扫描速度。

在一变形方式中，外围区域被分隔成如由图12中的交叉阴影区域显示的两个部分。为了进一步的生产量的提高，可以处理所述部分。由两个角度确定所述部分：阿尔法和贝塔。阿尔法对应于在x轴线上方的所述部分的角位移(即相对于衬底的中心)。贝塔对应于在x轴线下方的所述部分的角位移。例如，阿尔法可以是在40-80度的范围内，贝塔可以是在20-80度的范围内。附加地或可替代地，操作条件的调整中的平滑过渡可以在两个部分之间的区域中发生。

如在此处描述的，在衬底W的边缘在液体限制结构12的下面移动时，可能增加泄露液体的机会。特定的环境可能出现在液体限制结构12中，该液体限制结构12包括例如在US 2008-0212046和US 2009-0262318中描述的气刀的径向向内位置处的液体回收特征。在这样的结构中，任何穿过液体回收特征(气体拖拽原理布置的单相或两相抽取器或抽取孔)的液体可被捕获作为气刀的径向向内位置处的一个或更多个泄露的液滴和/或膜。衬底W在一方向上的进一步的运动导致液滴被堵塞并且因此沿气刀被保留在气刀和液体回收特征之间，衬底W上的泄露的液滴的位置在所述方向上朝气刀或在气刀的下面移动。在衬底W相对于液体限制结构12移动的方向发生变化时，被气刀捕获的液滴可以朝液体回收特征移动。在这一位置，液滴可以与在衬底和液体限制结构12之间延伸的液体的弯液面相互作用，例如碰撞。这可能在空间中的液体中导致气泡。尤其是，这可能导致粘性的气泡，该气泡的位置被固定在衬底W上。如果这样的粘性气泡被定位在将被成像的下一管芯的曝光区域的下面，例如在曝光狭缝的下面，那么可能导致成像误差。

图13更加详细地显示出所述机制。显示出在液体限制结构12下面的衬底W的弯曲路径300。在一实施例中，液体限制结构12在平面图中是具有角的方形。所述角在使用中可以与步进和扫描方向对齐。液体限制结构可以在平面图中具有任何的形状。在一实施例中，气刀310定位在液体回收特征320的径向向外的位置上。

在图13中显示出曝光狭缝900。曝光狭缝900是被来自投影系统PS的投影束曝光的区域。如果液滴被捕获到液体回收特征320和气刀310之间，例如由于在衬底W的边缘的上方通过，那么液体可以泄露到液体回收特征320和气刀310之间的区域。任何这样的液体可以成一个或更多个液滴的形式，且被区域330中的气刀310捕获。

在沿箭头340示出的方向经过第一管芯350之上的扫描完成时，在液体限制结构12下面的衬底W的方向改变，例如如由箭头300显示的弯曲路径。如所看到的，液滴收集的区域330处于使随后将要成像的管芯360成像的过程中曝光狭缝900将占据的位置的上方，例如正上方。在一实施例中，随后的管芯与第一管芯350相邻。因此，液滴可能与在衬底W和液体回收特征320之间延伸的液体的弯液面碰撞。这样的碰撞将因此在液体中产生一个或更多个气泡。气泡可能是粘性气泡且在将要成像的随后管芯360被成像扫描期间定位在曝光狭缝900的下面。这样的气泡的产生可能增加了成像缺陷的风险。

可以由下述的等式近似地给出气泡是否在随后的管芯成像的过程中出现在曝光狭缝900中：

$\mathrm{SSA}\≅\frac{1}{2}\·\frac{v^2}{a}+v\·\mathrm{\τ}+\frac{Y_{\mathrm{slit}}}{2}$

$y=\frac{D_{\mathrm{AK}}}{2}-\mathrm{SSA}\±\mathrm{\Δy}$

SSA  在扫描方向上的步进、调整以及加速移动的长度

v    在扫描方向上的扫描速度

a      在扫描方向上的台加速度

τ     加速之后的调整时间

Y_slit  曝光狭缝的宽度(由95％强度轮廓确定的)

D_AK    气刀的直径

Δy    气泡的展度

y      场中的液滴的位置

分析显示出这一机制仅影响整个衬底W上的几个管芯。

因此，在本发明中，控制器50可以在衬底W在液体限制结构12下面移动的过程中，在衬底W上发生这种影响的位置处调整一个或更多个操作条件。可以改变的操作条件是如在图9中显示的参数M。在图14中显示出实现此的一种方式。在图14中，可以看到参数M被增加，使得在下一管芯之前的向下扫描是细长的。因此，控制器50可以改变设备的操作条件，该条件是在扫描(扫描成像运动)的开始或结束处的位置和在随后的管芯360上方的后续扫描成像运动之前的相邻步进运动期间在成像方向(y方向)上的最远的位置之间的距离(即如图9中显示的参数M)。如所显示的，粘性气泡被产生在不同的管芯中(区域370中)，且在将被成像的后续管芯360的曝光区域的外面。因此，减少了在使随后的管芯360成像期间由粘性气泡引起缺陷的机会。

衬底W必须行进的额外的距离可以是约扫描长度的两倍。对于26mm的扫描长度和750mm/s的扫描速度，额外的扫描时间总计为每一被作用的管芯约69ms。如果临界管芯限制成小于每一衬底W 10个管芯，那么生产量的损失将是每一衬底W 0.69s或更小。对于每一小时约150个衬底W的生产量，将导致3％的生产量的损失。

上文的描述涉及“管芯”。这一描述可以可替代地涉及曝光场。曝光场可以包括几个管芯。管芯典型地是一个消费产品。

如所理解的，任何上文描述的特征可以与任何其它的特征一起使用，并且它并不只是包含在本申请中的这些具体描述的组合。

在一个实施例中，提供了一种浸没式光刻设备，其包括：衬底台、投影系统、液体处理系统和控制器。衬底台被配置以支撑衬底。投影系统被配置以将图案化的辐射束引导到衬底上。液体处理系统被配置以将浸没液体供给和限制到在投影系统与衬底或衬底台或上述两者之间限定的空间中。在衬底和/或衬底台的预定区域在液体处理系统下面时，控制器用于在衬底和/或衬底台相对于液体处理系统运动的期间调整设备的至少一个操作条件。

控制器可以被配置以在至少部分地在第一预定区域中的管芯的成像运动期间调整设备的至少一个操作条件，或在至少部分地在第二预定区域中的相邻管芯之间的步进运动期间调整设备的至少一个操作条件，或上述两者。第一和/或第二预定区域可以是在衬底的边缘处或在其附近。

预定区域可以由椭圆来限定，期望地至少由两个椭圆来限定。所述至少一个操作条件可以是从包括以下的组中选择出的一个或更多个：衬底、或衬底台、或上述两者与液体处理系统、或投影系统或上述两者之间的运动的相对速度；在液体处理系统的底表面与衬底、或衬底台或上述两者的顶表面之间的距离；供给到所述空间的浸没流体的流速；用于抽取浸没液体的负压源的水平；在液体处理系统的气刀中所使用的气体流速；液体处理系统的较低表面相对于衬底的表面的角度；从液体处理系统的向下的表面中的开口流出的液体的流体流速；依赖于它们相对于运动方向的角位置的、进入开口或流出开口的流体流速的变化；或在开始或结束扫描成像运动时液体处理系统相对于衬底的位置与在随后的扫描成像运动之前液体处理系统相对于衬底的扫描成像运动方向上的最远位置之间的距离的变化。

所述至少一个操作条件可以包括液体处理系统的至少一个操作条件。所述液体处理系统的至少一个操作条件可以是从包括以下的组中选择出的一个或更多个：通过所述液体处理系统的开口的流体流速；液体处理系统相对于投影系统和/或衬底和/或衬底台的方向；或液体处理系统相对于投影系统和/或衬底和/或衬底台之间的距离。

所述至少一个操作条件可以包括定位系统的至少一个操作条件，该定位系统被配置以相对于液体处理系统、或投影系统或上述两者定位衬底或衬底台、或上述两者。定位系统的至少一个操作条件可以是从包括以下的组中选择出的一个或更多个：衬底或衬底台或上述两者与液体处理结构或投影系统或上述两者之间的运动的相对速度；液体处理系统的较低的表面相对于衬底的表面的角度；或液体处理系统的底表面与衬底或衬底台或上述两者的顶表面之间的距离。

控制器可以被配置以只有在满足另外的条件时对所述至少一个操作条件进行调整。所述另外的条件可以是成像运动朝向衬底的对称轴线，该对称轴线垂直于成像的方向且在衬底的顶表面的平面中。所述至少一个操作条件可以在扫描运动期间被调整。另外的条件可以是在开始或结束成像运动时的位置和在相邻的步进运动期间在成像方向上的最远的位置之间的距离落入到限定的范围中。在步进运动期间可以调整所述至少一个操作条件。另外的条件可以是成像运动和/或步进运动处于距离衬底中心位置的特定的角范围中。另外的条件可以是在液体处理系统下面穿过的细长特征与细长特征的运动方向之间的在平面中的角度落入到限定范围中。另外的条件可以是衬底的物理性质落入到限定范围内。物理性质可以是从包括以下的组中选择出的一个或更多个：浸没液体与衬底的外部顶部边缘表面的静态接触角；衬底的外部顶部边缘表面的宽度；浸没液体与衬底的外部顶部边缘的曝光抗蚀剂、顶涂层、BARC、粘结层、Si、SiO₂或金属之间的静态接触角；曝光抗蚀剂、顶涂层、BARC、粘结层、Si、SiO₂或金属的宽度。

另外的条件可以是衬底上的管芯的位置落入到限定的区域中。另外的条件可以是在一个管芯的结束和下一管芯的开始之间的运动的长度大于限定值。

浸没式光刻设备可以还包括手动超越控制装置，以允许使用者胜过控制器。手动超越控制装置可以允许在使用者限定的第三预定区域中超越控制器对至少一个操作条件的调整并且设定至少一个操作条件为使用者限定的值。

预定区域相对于液体处理结构的运动可以在这样的一个方向上，使得衬底的边缘移动远离液体处理结构。在衬底台和液体处理结构之间的相对运动期间在衬底上方、在衬底台的参考框架中的流体处理结构的路径可以是横过衬底的线的一部分，预定区域不大于远离边缘的线的长度的一半，该线可以在流体处理结构的参考框架中被移动远离流体处理结构。

在一实施例中，提供了一种操作光刻设备的方法，该方法包括：移动和调整。在所述移动中，支撑衬底的衬底台被相对于投影系统移动，该投影系统被配置以通过液体处理系统限定的浸没液体将图案化的辐射束投影到衬底上。在所述调整中，在衬底和/或衬底台的预定区域在液体处理系统下面时，在衬底和/或衬底台相对于液体处理系统运动期间，调整所述设备的至少一个操作条件。

所述设备的至少一个操作条件的调整可以是：在至少部分在第一预定区域中的管芯的成像运动期间；或在至少部分地在第二预定区域中的相邻的管芯之间的步进运动期间；或上述两者。第一和/或第二预定区域可以是在衬底的边缘处或在其附近。

预定区域可以由椭圆来限定，期望地至少由两个椭圆来限定。所述至少一个操作条件可以是从包括以下的组中选择出的一个或更多个：衬底、或衬底台、或上述两者与液体处理系统、或投影系统或上述两者之间的运动的相对速度；在液体处理系统的底表面和衬底、或衬底台或上述两者的顶表面之间的距离；供给到所述空间的浸没流体的流速；用于抽取浸没液体的负压源的水平；在液体处理系统的气刀中所使用的气体流速；液体处理系统的较低表面相对于衬底的表面的角度；从液体处理系统的向下的表面中的开口流出的液体的流体流速；或依赖于它们相对于运动方向的角位置的进入开口或流出开口的流体流速的变化。所述至少一个操作条件可以包括液体处理系统的至少一个操作条件。

所述至少一个操作条件可以包括定位系统的至少一个操作条件，该定位系统被配置以相对于液体处理系统或投影系统或上述两者定位衬底或衬底台或上述两者。只有在满足另外的条件时才调整所述至少一个操作条件。

在一实施例中，提供了一种浸没式光刻设备，其包括：衬底台、投影系统、液体处理系统、定位系统和控制器。衬底台被配置以支撑衬底。投影系统被配置以将图案化的辐射束引导到衬底上。液体处理系统被配置以将浸没液体供给和限制到在投影系统和衬底或衬底台或上述两者之间限定的空间中。定位系统被配置以确定衬底或衬底台或上述两者相对于液体处理结构或投影系统或上述两者的相对位置。控制器被构造和布置以控制衬底或衬底台或上述两者与液体处理结构或投影系统或上述两者之间的相对运动。控制器被配置以降低：在使在衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像期间在衬底台和投影系统之间的扫描速度，或在衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的步进速度；或上述两者。

光刻设备可以包括手动超越控制装置，以预先确定在选择的目标的成像期间的扫描速度，或已选择的相邻的目标之间的步进速度，或上述两者。预定区域相对于液体处理结构的运动可以在这样的一个方向上，使得衬底的边缘移动远离液体处理结构。在衬底台的参考框架中衬底台和流体处理结构之间的相对运动期间在衬底上方的液体处理结构的路径可以是横过衬底的线的一部分。预定区域可以不大于远离所述边缘的线的长度的一半，所述线在液体处理结构的参考框架中移动远离液体处理结构。

在一实施例中，提供了一种操作光刻设备的方法，该方法包括移动和降低。在所述移动中，支撑衬底的衬底台被相对于投影系统移动，该投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。在降低中，衬底台和投影系统之间的扫描速度在衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标的成像期间被降低，或所述步进速度在衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻的目标位置之间被降低，或上述两者。

虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有制造具有微米尺度、甚至纳米尺度的特征的部件的其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)。这里使用的术语“透镜”可以认为是任何一种或多种不同类型光学部件的组合，包括折射型、反射型的光学部件。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明的实施例可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的至少一个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述的计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。此外，所述机器可读指令可以包含在两个或更多个计算机程序中。所述两个或更多个计算机程序可以存储在至少一个不同的存储器和/或数据存储介质上。

在一个或更多个计算机程序被位于光刻设备中的至少一个部件中的一个或更多个计算机处理器读取时，此处描述的控制器中的每一个或它们的组合是可以操作的。控制器中的每一个或它们的组合具有用于接收、处理和发送信号的任何合适的配置。一个或更多个处理器被配置以与所述控制器中的至少一个通信。例如，每个控制器可以包括用于执行包含用于上述方法的机器可读指令的计算机程序的一个或更多个处理器。所述控制器还可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质，和/或容纳这种介质的硬件。因此，所述控制器可以根据一个或更多个计算机程序中的机器可读指令来操作。

本发明的一个或更多个实施例可以应用到任何浸没式光刻设备中，尤其是但不限于上面提到的那些类型的光刻设备，不论浸没液体是否以浴器的形式提供，或仅在衬底的局部表面区域上提供，或不受限制。在非限制的布置中，浸没液体可以在所述衬底和/或衬底台的表面上流动，使得衬底和/或衬底台的整个未覆盖的表面都被浸湿。在这种非限制浸没系统中，液体供给系统可以不限制浸没液体，或者其可以提供一定比例的浸没液体限制，但不是基本上完全地对浸没液体进行限制。

这里提到的液体供给系统应该被广义地解释。在某些实施例中，液体供给系统可以是一种机构或结构的组合，其提供液体到投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间。液体供给系统可以包括一个或更多个结构、包含一个或更多个液体开口的一个或更多个液体开口、一个或更多个气体开口、或用于两相流动的一个或更多个开口的组合。所述开口每个可以是进入浸没空间的入口(或从流体处理结构流出的出口)或从浸没空间流出的出口(或进入流体处理结构的入口)。在一实施例中，所述空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或者所述空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者所述空间可以包围衬底和/或衬底台。所述液体供给系统可视情况进一步包括用于控制液体的位置、数量、品质、形状、流量或其它任何特征的一个或更多个元件。

以上描述旨在用于解释，而不是限制的。因而很显然，本领域普通技术人员可以在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的前提下做出变更。

Claims (15)

1.一种浸没式光刻设备，包括：

衬底台，该衬底台被配置以支撑衬底；

投影系统，该投影系统被配置以将图案化的辐射束引导到衬底上；

液体处理系统，该液体处理系统被配置以将浸没液体供给和限制到投影系统与衬底或衬底台或上述两者之间限定的空间中；

控制器，该控制器在所述衬底和/或衬底台的预定区域在所述液体处理系统下面时，用于在衬底和/或衬底台相对于所述液体处理系统的运动期间调整所述设备的至少一个操作条件。

2.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备，其中，所述控制器被配置以在至少部分在第一预定区域中的管芯的成像运动期间调整所述设备的至少一个操作条件，或在至少部分在第二预定区域中的相邻管芯之间的步进运动期间调整所述设备的至少一个操作条件，或上述两者。

3.根据权利要求2所述的浸没式光刻设备，其中，所述第一预定区域和/或第二预定区域位于所述衬底的边缘处或其附近。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，所述预定区域由椭圆来限定，期望地至少由两个椭圆来限定。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，所述至少一个操作条件是从一组条件中选择出的一个或更多个，该组包括：

在所述衬底或所述衬底台或上述两者与所述液体处理系统或所述投影系统或上述两者之间的运动的相对速度，

所述液体处理系统的底表面与所述衬底或所述衬底台或上述两者的顶表面之间的距离，

被供给到所述空间的浸没流体的流速，

用于抽取浸没液体的负压源的水平，

在所述液体处理系统的气刀中所使用的气体流速，

所述液体处理系统的较低的表面相对于所述衬底的表面的角度，

从所述液体处理系统的下表面中的开口流出的液体的流体流速，

依赖于开口相对于所述运动方向的角位置进入开口或流出开口的流体流速的变化，或

在扫描成像运动开始或结束时所述液体处理系统相对于所述衬底的位置与在随后的扫描成像运动之前在所述液体处理系统相对于所述衬底的扫描成像运动的方向上的最远位置之间的距离上的变化。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的浸没式光刻设备，其中，所述至少一个操作条件包括所述液体处理系统的至少一个操作条件。

7.根据权利要求6所述的浸没式光刻设备，其中，所述液体处理系统的至少一个操作条件是从一组条件中选择出的一个或更多个，所述组包括：

通过所述液体处理系统的开口的流体流速，

所述液体处理系统相对于所述投影系统和/或衬底和/或衬底台的方向，或

所述液体处理系统相对于所述投影系统和/或衬底和/或衬底台之间的距离。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，所述至少一个操作条件包括定位系统的至少一个操作条件，该定位系统被配置以相对于所述液体处理系统或所述投影系统或上述两者定位衬底或所述衬底台或上述两者。

9.根据权利要求8所述的浸没式光刻设备，其中，所述定位系统的至少一个操作条件是从一组条件中选择出的一个或更多个，该组包括：

所述衬底或所述衬底台或上述两者与所述液体处理结构或所述投影系统或上述两者之间的运动的相对速度，

所述液体处理系统的较低表面相对于所述衬底的所述表面的角度，或

所述液体处理系统的底表面与所述衬底或所述衬底台或上述两者的顶表面之间的距离。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，所述控制器被配置用于只有在满足另外的条件时才调整所述至少一个操作条件。

11.根据权利要求10所述的浸没式光刻设备，其中，所述另外的条件是从一组条件中选择出的一个或更多个，该组包括：

成像运动朝向所述衬底的对称轴线，该对称轴线垂直于所述成像方向且在所述衬底的顶表面的平面中；

在成像运动的开始或结束时的位置与在相邻的步进运动期间在所述成像方向上所述最远位置之间的距离落入到限定范围中；

成像运动和/或步进运动在距离所述衬底中心位置的特定角范围内；

在所述液体处理系统下面穿过的细长特征与所述细长特征的运动方向之间的从平面图中看的角度落入到限定的范围内；

所述衬底的物理性质落入到限定的范围内；

所述衬底上的管芯的位置落入到限定的区域内；或

在一个管芯的结束和下一管芯的开始之间的运动的长度大于限定值。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，所述预定区域相对于所述液体处理结构的运动沿一方向，使得所述衬底的边缘移动远离所述液体处理结构。

13.一种操作光刻设备的方法，该方法包括步骤：

相对于投影系统移动支撑衬底的衬底台，该投影系统被配置以将图案化的辐射束通过由液体处理系统限定的浸没液体投影到衬底上；和

在所述衬底和/或衬底台的预定区域在所述液体处理系统的下面时，调整在所述衬底和/或衬底台相对于所述液体处理系统运动的期间所述设备的至少一个操作条件。

14.一种浸没式光刻设备，其包括：

衬底台，该衬底台被配置以支撑衬底；

投影系统，该投影系统被配置以将图案化的辐射束引导到衬底上；

液体处理系统，该液体处理系统被配置以将浸没液体供给和限制到在所述投影系统与所述衬底或所述衬底台或上述两者之间限定的空间中；

定位系统，该定位系统被配置以确定所述衬底或所述衬底台或上述两者相对于所述液体处理结构或所述投影系统或上述两者的相对位置；和

控制器，该控制器被构造和布置以控制所述衬底或所述衬底台或上述两者与所述液体处理结构或所述投影系统或上述两者之间的相对运动，

其中，所述控制器被配置以降低：在对所述衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像的期间在所述衬底台和所述投影系统之间的扫描速度，或在所述衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的步进速度；或上述两者。

15.一种操作光刻设备的方法，该方法包括步骤：

相对于投影系统移动支撑衬底的衬底台，该投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和

降低在对所述衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像期间所述衬底台和所述投影系统之间的扫描速度，或降低在所述衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的所述步进速度，或上述两者。

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