JP5383739B2 - 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すことは（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）、液浸システム構成の一形式である。この構成では、大きな液体の塊がスキャン露光中に加速する必要がある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸液は、流体ハンドリングシステム又は装置、例えば流体ハンドリング構造によって取り扱われる。流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、従って、流体供給システムである。流体ハンドリングシステムは、流体を閉じ込めることができ、それによって流体閉じ込めシステムになり得る。流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを提供することができ、それによってバリア部材になり得る。流体ハンドリングシステムは、例えば、液体のハンドリングを助けるために、流体（ガスなど）の流れを生成又は使用することができる。液浸液は、液浸流体として使用することができる。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。

[0006] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。このタイプの構成を局所液浸システムと呼ぶことができる。

[0007] 別の構成は、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号に開示された液浸液が閉じ込められないオールウェット構成である。このようなシステムでは、液浸液は閉じ込められない。基板の上面全体は液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝されているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように配置された部材が提供される。

[0008] それぞれが参照により全体を本明細書に組み込むものとする欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。

[0009] 基板を投影システムの下でできるだけ高速で移動することが望ましい。このために、流体ハンドリングシステム、特に局所区域流体ハンドリングシステムは、大幅な液体の損失を伴わずに高いスキャンを可能にするように設計されなければならない。

[0010] 例えば、投影システムの最終要素と基板との間の空間に液体を維持する流体ハンドリングシステムを提供することが望ましい。

[0011] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、液浸液を封じ込めるように構成された空間から流体ハンドリング構造の外側の領域への境界にて、
使用時に基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルの方に向いた第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第２の列の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
ガスナイフデバイスに隣接する細長い開口又は複数の開口と、
を連続して有する、流体ハンドリング構造が提供される。

[0012] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、使用時に液浸液が閉じ込められる空間の該流体ハンドリング構造の外側の領域に対する境界にて、
使用時に例えば基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルの対向面の方に向いた第１の列に配置された、流体を抽出する細長い開口又は複数の開口と、
第２の列に配置されたガスナイフのための細長いアパーチャと、
ガスナイフデバイスのための細長いアパーチャに隣接する、液体を抽出する細長い開口又は複数の開口と、
を連続して有する、流体ハンドリング構造が提供される。

[0013] 一態様によれば、上記流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0014] 一態様によれば、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
投影システムの最終要素と基板及び／又は基板テーブルとの間から、第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して、液浸液を取り出すステップと、
第２の列のアパーチャを通してガスナイフを形成するガスを供給することで、第１の列の細長い開口又は複数の開口の方へ液浸液を押すステップと、
ガスナイフに隣接し、第１の列の細長い開口又は複数の開口に対してガスナイフの逆側にある細長い開口又は複数の開口を通して、ガス及び残留液浸液を抽出するステップと、を含むデバイス製造方法が提供される。

[0015] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0016]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0017]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0017]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0020]本発明のある実施形態によるメニスカスピニングシステムの概略平面図である。 [0021]本発明のある実施形態で使用するメニスカスピニングシステムの一部の図６の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な面の断面図である。 [0022]本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な面の断面図である。 [0023]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な面の断面図である。 [0024]流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な面の断面図である。 [0025]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な面の断面図である。 [0026]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な面の断面図である。 [0027]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な面の断面図である。 [0028]本発明の別の実施形態による流体ハンドリング構造の一部の流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に垂直な面の断面図である。

[0029] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0030] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0031] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、及び他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0032] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0033] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0034] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0035] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0036] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0037] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0038] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、少なくともイルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0039] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0040] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0041] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0042] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、３つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、浴槽タイプの構成と、いわゆる局所液浸システムと、オールウェット液浸システムである。浴槽タイプの構成では、実質的に基板Ｗの全体と、任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体の浴槽に浸される。

[0043] 局所液浸システムは、液体が基板の局所区域のみに提供される液体供給システムを使用する。液体によって充填された空間は基板の上面よりも平面視で小さい。液体が充填した容積又は空間は、基板Ｗがその区域の下を移動する間、投影システムＰＳに対して実質的に静止している。図２〜図５は、そのようなシステムで使用することができる様々な供給デバイスを示す。

[0044] オールウェット構成では、液体は閉じ込められない。基板上面の全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。液浸液は、投影システムと投影システムに対向する対向面（そのような対向面は基板及び／又は基板テーブルの表面であってもよい）の領域に、又はその領域内に供給することができる。（下記の）図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部は存在せず、活性化されず、通常より有効でなく、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。

[0045] 図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２及び図３に示すように、液体は、矢印により示したように、少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、矢印により示したように、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。基板が要素の下で−Ｘ方向にスキャンされるにつれて、液体は要素の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示す。矢印は、液体のフローの方向を示す。図２では、液体は、最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもそうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な向き及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは、矢印により示したように、両側に出口を有する４組の入口が、最終要素の周囲に規則的パターンで提供される。

[0046] 局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。入口と複数の出口のどの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（入口と複数の出口の他の組合せは動作しない）。流体のフローの方向と基板Ｗの方向は図４に矢印で示されていることに留意されたい。

[0047] 提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図５に示す。矢印はフローの方向を示す。

[0048] 図５は、投影システムＰＳの最終要素と対向面（例えば、基板テーブルＷＴ又は基板Ｗ）との間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。別のオブジェクト、例えば、投影システムに対する基板の移動という場合、明示的に断りのない限り、同じオブジェクトに対する基板テーブルの移動を意味する場合を含む。）液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗの表面との間には封止が形成される。封止は、ガスシール（ガスシールを備えたそのようなシステムは、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている）又は流体シールなどの非接触封止でよい。

[0049] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置し、それを取り囲む液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下の空間１１、及び液体入口１３によって液体閉じ込め構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、液体閉じ込め構造１２は、上端で、投影システムＰＳ又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形又は他の任意の好適な形状の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0050] 液体は、使用時に、液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して抽出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフローが存在するように、ガス入口１５上の過圧、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で、液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガスのフローは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムは、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。別の実施形態では、液体閉じ込め構造１２はガスシールを有さない。

[0051] 本発明のある実施形態は、メニスカスがある地点を超えて進むことを実質的に防止する流体ハンドリング構造で使用する特定のタイプの抽出器に関する。すなわち、本発明のある実施形態は、例えば液体メニスカスの形の液体の縁部を投影システムの最終要素と基板及び／又は基板テーブルとの間の空間１１内の実質的に所定位置にピン止めするメニスカスピニングデバイスに関する。メニスカスピニング構成は、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開第２００８／０２１２０４６号に記載されたいわゆる気体抵抗抽出器原理に依拠する。そのシステムでは、抽出器の孔を角が付いた形状に配置することができる。それぞれの角は、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の相対運動の方向、例えば、ステップ及びスキャン方向に整列している。これは、２つの出口が相対運動の方向に垂直に整列している場合と比較して相対運動の方向に所与の速度で２つの出口の間のメニスカスにかかる力が低減する助けとなる。しかし、本発明のある実施形態は、平面視で任意の形状を有する流体ハンドリング構造又は任意の形状に配置された抽出開口などのコンポーネントを有する流体ハンドリング構造に適用することができる。そのような形状は、非限定的に列挙すると、楕円形（円形など）、直線形（例えば正方形などの矩形、又は菱形などの平行四辺形）あるいは４つより多い角を有する角のある形（例えば４つ以上の尖った先がある星印）を含んでいてもよい。

[0052] 本発明のある実施形態が関連するＵＳ２００８／０２１２０４６号のシステムの変形形態では、開口が配置された角がある形状の幾何学構造によって、鋭角の角（約６０°〜９０°の範囲、望ましくは７５°〜９０°の範囲、最も望ましくは７５°〜８５°の範囲から選択した）が存在し、それぞれの角が相対運動の両方の好ましい方向、例えば、スキャン及びステップ方向に整列する。これによって、各々の整列した角の方向の速度が増大する。これは、スキャン方向の不安定なメニスカスのために液滴の形成が低減されるためである。角がスキャン及びステップ方向の両方に整列する場合、それらの方向で増加した速度が達成できる。望ましくは、スキャン及びステップ方向の移動の速度は実質的に等しい。

[0053] 図６は、本発明のある実施形態で使用する流体ハンドリング構造の一部のメニスカスピニングフィーチャの概略平面図を示す。例えば図５のメニスカスピニング構成１４、１５、１６に取って代わることができるメニスカスピニングデバイスのフィーチャが示されている。図６のメニスカスピニングデバイスは、第１の列又はピニング列に配置された複数の離散的な開口５０を含む。これらの開口５０の各々は円形として示されているが、これはそうでなくてもよい。実際、開口５０のうちの１つ以上は、円形、正方形、矩形、楕円形、三角形、細長いスリットなどのうちの１つ以上であってもよい。各々の開口は、平面視で、０．２ｍｍより大きい長さ寸法（すなわち、１つの開口から隣接する開口への方向の）、望ましくは０．５ｍｍ又は１ｍｍより大きい、ある実施形態では、０．１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲から選択された、ある実施形態では、０．２５ｍｍ〜２ｍｍの範囲から選択された長さ寸法を有する。ある実施形態では、長さ寸法は、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲から選択され、望ましくは０．２ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、０．１ｍｍ〜２ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、０．２ｍｍ〜１ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、０．３５ｍｍ〜０．７５ｍｍの範囲から選択され、望ましくは約０．５ｍｍである。

[0054] 図６のメニスカスピニングデバイスの開口５０の各々は、別々の負圧源に接続されていてもよい。代替的に又は追加的に、複数の開口５０の各々は、それ自体が加圧下に保持された共通のチャンバ又はマニホールド（環状であってもよい）に接続されていてもよい。こうして、各々の又は複数の開口５０での均一な加圧が達成できる。開口５０は真空源に接続されていてもよく、及び／又は流体ハンドリング構造又はシステム（又は閉じ込め構造、バリア部材もしくは液体供給システム）を取り囲む雰囲気の圧力を増大させて所望の圧力差を生成してもよい。

[0055] 図６の実施形態では、開口は流体抽出開口である。開口５０は、ガス及び／又は液体を流体ハンドリング構造内に通過させる入口である。すなわち、開口は空間１１の出口と考えてもよい。これを以下に詳述する。

[0056] 開口５０は、流体ハンドリング構造１２の表面に形成されている。その表面は、使用時に基板及び／又は基板テーブルに対向する。一実施形態では、開口は、流体ハンドリング構造の平坦な面にある。別の実施形態では、基板に対向する流体ハンドリング構造の表面に隆起があってもよい。ある実施形態では、開口は隆起にあってもよい。ある実施形態では、開口５０は、針又は管によって画定されていてもよい。針、例えば、隣接する針のいくつかの本体を結合してもよい。針を結合して単一の本体を形成することができる。単一の本体は、角がある形状をしていてもよい。

[0057] 図７から分かるように、開口５０は、例えば管又は細長い通路５５の端部であってもよい。望ましくは、開口は、使用時に開口が基板Ｗに対向するように配置される。開口５０の縁（すなわち、表面の出口）は、基板Ｗの上面に実質的に平行である。使用時に、開口は、基板Ｗ及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルＷＴの方を向いている。これを考える別の方法は、開口５０が接続された通路５５の長軸が基板Ｗの上面に実質的に垂直である（垂直から＋／−４５°以内、望ましくは３５°、２５°又は１５°以内）ということである。

[0058] 各開口５０は、液体とガスとの混合物を抽出するように設計されている。液体は空間１１から抽出されるが、ガスは液体に対して開口５０の反対側の雰囲気から抽出される。これによって、矢印１００で示すガスフローが生成され、このガスフローは、図６に示すように、開口５０の間の実質的に所定位置にメニスカス９０をピン止めする効果がある。ガスフローは、運動量ブロック、ガスフローに誘発された圧力勾配及び／又は液体上のガスフローの抵抗（せん断力）によって、液体の閉じ込めを維持するのに役立つ。

[0059] 開口５０は、流体ハンドリング構造が液体を供給する空間を取り囲む。すなわち、開口５０は、基板及び／又は基板テーブルに対向する流体ハンドリング構造の表面の周囲に分散していてもよい。開口は、その空間の周囲に実質的に連続的に離間していてもよい（ある実施形態では、隣接する開口のいくつかの間の間隔は同じでよいが、隣接する開口５０の間の間隔は異なっていてもよい）。ある実施形態では、液体は角があってもよい形状の周囲に沿って抽出されてもよい。液体は、実質的に形状に突き当たる地点で抽出される。これは、開口５０が（形状内の）空間の周囲に沿って形成されているために達成される。こうして、液体を空間１１内に閉じ込めることができる。動作中に、開口５０によってメニスカスをピン止めできる。

[0060] 図６から分かるように、開口５０は、平面視で、角がある形状（すなわち、角５２がある形状）を形成するように配置してもよい。図６の例では、形状は、湾曲した縁部又は辺５４を備えた菱形（例えば、正方形）のような四辺形である。縁部５４は、負の半径を有していてもよい。縁部５４は、角がある形状の中心に向かって、例えば、角５２から離れた縁部５４の一部に沿って湾曲していてもよい。しかし、相対運動の方向に対する縁部５４のすべての地点の角度の平均値を湾曲のない直線で表される平均角度線と呼んでもよい。

[0061] 形状の主軸１１０、１２０は、投影システムの下の基板Ｗの主移動方向に整列していてもよい。これによって、開口５０が移動方向が円形などの形状の軸に整列していない形状に配置された場合と比較して最大スキャン速度が確実に高速になる。これは、主軸が相対運動の方向に整列している場合に２つの開口５０の間のメニスカスにかかる力が低減するためである。例えば、低減は、ｃｏｓθ倍であってもよい。「θ」は、基板Ｗが動いている方向に対して２つの開口５０を結ぶ線がなす角度である。

[0062] 正方形の形状を使用することでステップ及びスキャン方向の移動が実質的に等しい最大速度で実行される。これは、形状の角５２の各々をスキャン及びステップ方向１１０、１２０に整列させることで達成することができる。一方の方向、例えば、スキャン方向の移動は、他方の方向、例えば、ステップ方向の移動よりも高速であることが好ましい。したがって、形状は菱形であってもよい。そのような構成では、菱形の主軸は、スキャン方向に整列していてもよい。菱形の形状では、角の各々は鋭角であってもよいが、例えば、ステップ方向の相対運動方向に対して菱形の２つの隣接する辺（又は縁部）の平均角度線がなす角度は、鈍角、すなわち、９０°より大きくてもよい（例えば、９０°〜１２０°の範囲から選択した、ある実施形態では９０°〜１０５°の範囲から選択した、ある実施形態では８５°〜１０５°の範囲から選択した角度であってもよい）。

[0063] 開口５０の形状の主軸を基板の主移動方向（普通はスキャン方向）に整列させ、別の軸を基板の他方の主移動方向（普通はステップ方向）に整列させることでスループットを最適化することができる。θが９０°と異なるいかなる構成も少なくとも１つの移動方向に利点となることが理解されよう。したがって、主移動方向との主軸の正確な整列は重要でない。

[0064] 負の半径を備えた縁部を提供する利点は角をより鋭利にできるという点である。７５°〜８５°の範囲から選択した角度又はそれよりも小さい角度が、スキャン方向に整列した角５２とステップ方向に整列した角５２の両方について達成可能である。このフィーチャがなかったら、両方の方向に整列した角５２が同じ角度を有するために、それらの角度は９０°を有さなければならないであろう。角に９０°未満の角度を与えたい場合、相対運動方向に整列した９０°未満の角を選択しなければならないであろう。その他の角は９０°より大きい角度を有するであろう。

[0065] 開口は星形に配置してもよい。星型のある実施形態では、縁部は湾曲する代わりに直線的である。縁部はある地点、例えば、２つの角５２の間の直線の半径方向内向きの中間の角で接合していてもよい。この構成は、開口を結ぶ線によって画定された２つの隣接する角５２の間の縁部が滑らかである構成と同程度に高い相対速度でメニスカスをピン止めすることができない場合がある。開口５０によって画定されたそのような線は角がある形状を画定することができ、連続的であり、連続して変化する方向を有している。星形の実施形態では、形状の辺に沿った中間の角はメニスカスをピン止めできる。角が鋭利になるほど、メニスカスをピン止めする力は角に集中する。鋭利な角では、ピニング力は形状の縁部の短い長さに集中する。鋭い角、例えば、より大きい曲率半径を備えた角よりも滑らかな曲線を備えた角はより長い長さを有し、角の長い曲線に沿って、すなわち、角の周囲にピニング力を分散させる。したがって、基板と流体ハンドリング構造との間のある相対速度で、両方の角に加わる有効メニスカスピニング力は同じである。しかし、縁部の画定された長さでは、鋭い角の有効ピニング力は滑らかに湾曲する角よりも大きい。鋭い角にピン止めされたメニスカスは、基板と流体ハンドリング構造との間の相対速度が小さい場合に、滑らかに湾曲する角によってピン止めされたメニスカスよりも不安定である。

[0066] 図７は、開口５０が流体ハンドリング構造の下面５１に提供されていることを示す。しかし、これはそうでなくてもよく、開口５０は流体ハンドリング構造の下面の突起に設けてもよい。矢印１００は、流体ハンドリング構造の外部から開口５０に関連する通路５５へのガスのフローを示す。矢印１５０は、空間から開口５０への液体の通過を示す。通路５５と開口５０とは、望ましくは２相抽出（すなわち、ガスと液体）が環状フローモードで実行されるように設計されることが望ましい。環状ガスフローでは、ガスは実質的に通路５５の中心を通過してもよく、液体は実質的に通路５５の壁面に沿って通過してもよい。その結果、脈動の発生が抑えられた滑らかなフローが得られる。

[0067] 開口５０の半径方向内向きのメニスカスピニングフィーチャはなくてもよい。メニスカスは、開口５０へのガスフローによって誘発された抵抗力によって開口５０の間にピン止めされる。約１５ｍ／ｓ、望ましくは２０ｍ／ｓより大きい気体抵抗速度で十分である。基板からの液体の蒸発量を低減して、液体のはねと熱膨張／収縮効果の両方を低減することができる。

[0068] 複数の離散的な針（各々が開口５０と通路５５とを含んでいてもよい）、例えば、各々が１ｍｍの直径を備え３．９ｍｍだけ離間した少なくとも３６本の針で有効にメニスカスをピン止めできる。ある実施形態では、１１２の開口５０が存在する。開口５０は、一辺の長さが０．５ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍｍ又は０．１ｍｍの正方形であってもよい。

[0069] 流体ハンドリング構造の底面のその他の幾何学構造も可能である。例えば、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示された構造のいずれかを本発明のある実施形態で使用することができる。

[0070] 図６から分かるように、開口５０の外側に細長いアパーチャ６１（スリット状であってもよい）が提供される。細長いアパーチャ６１は、第１の列に配置された開口５０よりも液浸流体を含む空間から遠くにあってもよい。アパーチャ６１は、開口５０が配置された第１の列に実質的に平行であってもよい。細長いアパーチャは、第２の列又はナイフ列を形成してもよい。第２の列は、開口５０によって形成された形状の周囲を取り囲んでいてもよい。ある実施形態では、細長いアパーチャは、連続的で第１の列によって形成された形状を完全に取り囲んでいてもよい。使用時に、アパーチャ６１は正圧源に接続される。アパーチャ６１から流出するガスは、開口５０によって形成されたメニスカスピニングシステムを取り囲むガスナイフ６０を形成してもよい。このガスナイフの機能を以下に説明する。ある実施形態では、細長いアパーチャは、形状の一辺５４に沿って複数の離散的なアパーチャ（細長くてもよい）を含む。複数のアパーチャは、直列に配置されていてもよい。

[0071] ある構成では、液体ハンドリングデバイスは上記の通りであるが、ガスナイフ６０を含まない。そのような構成では、基板テーブルＷＴが移動して、そのため液浸液のメニスカスが親液性の領域、すなわち、比較的疎液性が小さい（すなわち、基板又は基板テーブルの表面の他の部分よりも液浸液に対して小さい接触角を有する）領域を横断すると、液浸液は疎液性が小さい領域上に膜となって拡散する場合がある。水がある場合、疎液性とは疎水性を指し、親液性があるとは親水性があるという意味である。

[0072] 膜の形成は、液体メニスカスと基板又は基板テーブルとの相対運動の速度（「スキャン速度」）が臨界速度よりも大きいか否かによって変わる。開口５０によってピン止めされたメニスカスに関して、臨界速度は、流体ハンドリング構造１２とその上部でメニスカスがもはや安定していない基板及び／又は基板テーブルに対向する表面との間の相対速度である。臨界速度は、対向面の特性によって変わる。一般に対向面の接触角が大きいほど、臨界速度は大きい。膜の形成が開始すると、基板が移動したとしても膜は成長を続け、メニスカスは、より大きい接触角で区域を覆う。接触角がより大きいそのような区域では、臨界速度はより大きい。基板がメニスカスが以前に接触していた区域の臨界速度で（すなわち、より小さい接触角で）移動する場合、スキャン速度は現在の臨界スキャン速度より小さくてもよい。

[0073] 短い遅延後のいくつかの例では、膜は望ましくない大きい液滴に分解する。場合によっては、基板テーブルのその後の移動によって液滴はメニスカスと衝突し、それによって液浸液内に泡が生成されることがある。比較的小さい疎液性（例えば、水がある場合には疎水性）を有する領域は、基板の縁部、基板テーブル上の除去可能なフィーチャ（例えば、ステッカーなどの接着性板状部材）、位置決めフィーチャ（例えば、エンコーダ格子又はアライメントマーク）及び／又はセンサ（例えば、ドーズセンサ、画像センサ又はスポットセンサ）を含んでいてもよい。ある実施形態では、コーティング又は表面処理の段階的変化によって比較的小さい疎液性（例えば、水がある場合には疎水性）を有する領域が形成される場合がある。コーティング又は表面処理を提供してそれが提供される表面の疎液性（例えば、水がある場合には疎水性）を増大させることができる。

[0074] ある実施形態では、ガスナイフ６０は、基板又は基板テーブル上に残されたあらゆる液膜の厚さを低減する機能を果たしてもよい。膜の厚さを低減することで膜が液滴に分解する可能性が低減する。追加的に又は代替的に、ガスナイフ６０からのガスフローは、液体を開口５０へ向けて駆動し、抽出することができる。

[0075] ある実施形態では、ガスナイフ６０は膜の形成を低減する作用をする。これを達成するために、ガスナイフアパーチャ６１の中心線とメニスカスピニング開口５０との間の距離が１．５ｍｍ〜４ｍｍ、望ましくは２ｍｍ〜３ｍｍの範囲から選択されることが望ましい。（ある実施形態では、ガスナイフアパーチャ６１は複数のアパーチャ６１を有する）。アパーチャ６１が配置された第２の列は一般に開口５０が形成された第１の列に続くため、隣接するアパーチャ６１と開口５０との間の距離は上記範囲内である。第２の列は開口５０の列に平行であってもよいが、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年９月３日出願の米国特許出願ＵＳ６１／２３９，５５５号に記載されるように、これはそうでなくてもよい。

[0076] 隣接するアパーチャ６１（第２の列に沿って複数のアパーチャが存在する）と隣接する開口５０との間に一定の離間距離を維持することが望ましい。ある実施形態では、アパーチャ６１と開口５０の中心線の全長にわたってこれが実施されることが望ましい。ある実施形態では、一定の離間距離は、流体ハンドリングデバイスの１つ又は複数の角の領域内にあってもよい。

[0077] 図６及び図７に関連して上述したような構成では、液浸液の液滴は、例えば、空間に対向する表面内の段差の空間の下の相対運動中に液浸液が閉じ込められる空間から漏れることがある。これは、例えば、基板の縁部と基板を支持する基板テーブルの凹部の縁部との間のギャップで、又はセンサの表面で発生することがある。液滴の漏れは、特に、流体ハンドリング構造と対向面との相対速度、例えば、スキャン速度が臨界速度よりも大きい時に発生することがある。そのような相対速度は、より大きいスキャン速度又はスループットが必要な時に必要になることがある。そのような臨界速度は、対向面の少なくとも１つの特性に依存していてもよい。

[0078] 空間１１内の液浸液からの漏出時に、流体ハンドリング構造と対向面（基板又は基板を支持する基板テーブルなどの）との間の液浸液のメニスカスから液滴が分離する。メニスカスは、上記のように２相流体流で液体とガスとを抽出可能な流体抽出開口によって流体ハンドリング構造にピン止めすることができる。液滴は、対向面の移動に対して液浸空間の立下り側から漏出し得る。

[0079] （流体ハンドリング構造に対して）対向面と共に移動する際、液滴は液滴を液体抽出器に押し戻すガスナイフに遭遇することがある。しかし、液滴は、ガスナイフによってメニスカスからさらに遠ざかることを阻止される状況が発生することもある。そのような液滴は、ガスナイフを越えて先へ移動することがある。ある実施形態では、液滴は、流体ハンドリング構造のコンポーネントの影響を受けない。別の実施形態では、液滴は、液滴を抽出し、及び／又は液滴をメニスカスから遠ざけないようにする別の抽出器及びガスナイフに遭遇する。

[0080] 対向面の平面内のスキャン又はステップ方向の流体ハンドリング構造と対向面との間の相対運動がその後変化すると、そのような液滴は、流体ハンドリング構造に対して液体メニスカスの方へ戻ることができる。液滴は、メニスカスからの漏出時に最初に通過したガスナイフによって少なくとも部分的に阻止できる。液滴は、メニスカスへ向けてガスナイフを通過できる大きさであってもよい。液滴は、空間内に閉じ込められた液浸液の縁部又は境界に又は少なくともその付近に提供された抽出開口を通して抽出によって抽出できる。しかし、そのような液滴が完全に抽出されないと、液滴は空間内に閉じ込められた液体のメニスカスと衝突して泡を形成することがある。

[0081] 場合によって液滴は、メニスカスへ向けてガスナイフを通過するのに十分な大きさがなく、及び／又は相対速度が不十分である。液滴は、サイズが小さい１つ又は複数の液滴と融合してガスナイフの前により大きい液滴を形成することがある。この場合、ガスナイフは、液浸液がオーバロードして融合した液滴の通過を可能にすることがある。そのような液滴は、流体ハンドリング構造に対してメニスカスへ向けて移動し、これと衝突する可能性があり、１つ又は複数の泡を形成する可能性がある。

[0082] ある実施形態では、スキャン方向の変化中にガスナイフを通過してメニスカスへ向かう液滴の（量と）サイズの大幅な縮小が、例えば図７と同様であるが、抽出装置３００が追加された図８に示すように、ガスナイフの極めて近くに別の抽出装置３００を追加することで達成可能である。抽出装置は、液浸液１１から離れたガスナイフ６０のアパーチャ６１に隣接していてもよい。本明細書で説明する図７に示す構成の変形形態も図８に示す実施形態に適用できることは理解されるであろう。

[0083] 別の抽出装置は、ガスナイフの飽和（又は破壊）を防止できる。したがって、ガスナイフは、液滴がメニスカスに到達するのを阻止する効力（すなわち、所望の液滴阻止力）を保つことができる。例えば、別の抽出装置は、スキャン方向が変化した時にガスナイフが収集する（又は運搬する）液浸液を除去することができる。抽出される液浸液の量はきわめて少ないが、ガスナイフのオーバロードを防止するには十分である。この状況では、ガスナイフは、液浸液を運搬するか収集された液浸液を押し出さなければならない。そのためには、ガスナイフのフローは、液浸液を封じ込める空間の縁部の抽出装置を通過するフローよりも大きい必要がある。別の抽出装置３００を提供することでこの状況が防止され、ガスナイフのフローは大きい必要はなくなる。

[0084] 別の抽出装置３００は、液浸液を封じ込める空間の縁部の抽出装置と連携して使用されるガスナイフデバイスに隣接する細長い開口３０２又は複数の開口によって提供できる。例えば、別の抽出装置の１つ又は複数の開口３０２は、ガスナイフ６０の細長いアパーチャ６１に隣接していてもよい。抽出に使用される開口の２本の列とガスナイフの列との間の離間距離は、液浸液を封じ込める空間の周辺のすべての場所で実質的に同じであってもよい。

[0085] 図９に示すように、ガスナイフデバイス６０に最も近いガスナイフデバイスに隣接する別の抽出装置３００の開口３０２の縁部３０１を、第１と第２の列の間にありかつガスナイフデバイスに隣接する開口の先にある流体ハンドリング構造１２の表面５１に対して、斜めの角度αに提供してもよい。この構成では、ガスナイフに隣接する開口の幅は、表面からの距離が増すにつれて減少する。

[0086] ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２の表面５１に対する開口３０２の縁部３０１の角度αは、１０°〜６０°の範囲、又は１０°〜４５°の範囲から選択され、あるいは望ましくは２０°である。別の抽出装置３００の開口３０２の角度が付いた縁部３０１の提供は、それによって開口３０２の縁部をガスナイフデバイス６０のアパーチャ６１の縁部に可能な限り近づけることができるため有益である。しかし、同時に、確実に別の抽出装置３００を提供するチャネルからアパーチャ６１を隔てる壁３０３の厚さが追加の製造上の問題を引き起こすほど薄くないようにしてもよい。

[0087] ガスナイフデバイス６０の細長いアパーチャ６１の最も近い縁部と追加の抽出装置３００の、すなわち、ガスナイフデバイス６０に隣接する細長い開口又は複数の開口３０１との間の離間距離は、０．２５ｍｍ〜０．７５ｍｍの範囲から選択でき、望ましくは０．５ｍｍであってもよい。一般に、追加の抽出装置３００の１つ又は複数の開口は、ガスナイフデバイス６０のアパーチャ６１に可能な限り近くてもよい。これによってガスナイフに隣接する小液滴の融合によって形成できる液滴のサイズが最小化できる。次いで、これによってガスナイフ６０を通過できる液滴のサイズが低減でき、液滴がメニスカスと衝突した時に泡が液浸液内に形成される可能性が低減される。しかし、上記のように、離間距離を低減したいという欲求は、ガスナイフデバイス６０のアパーチャ６１から別の抽出装置３００の開口を隔てる壁３０３が薄すぎる場合に、流体ハンドリング構造１２を製造する工程に導入される可能性がある困難さと釣り合いをとらなければならない。

[0088] 別の抽出装置３００の開口３０２の幅は、例えば、３０μｍ〜２００μｍ、又は１００μｍ〜１５０μｍの範囲から選択してもよい。

[0089] 図７及び図８に示す実施形態では、第２の列内のアパーチャ６１を通過してガスナイフ６０を形成するガスの流量を制御するコントローラ６３が提供される。ある実施形態では、コントローラ６３は、第１の列内の開口５０を通過するガスの流量を制御できる。コントローラ６３は、また、正圧源６４（例えば、ポンプ）及び／又は負圧源６５（例えば、ポンプ、できれば正圧を提供するものと同じポンプ）を制御できる。コントローラ６３は、所望の流量を達成するために１つ又は複数の好適なフロー制御弁に接続されていてもよい。コントローラは、抽出されたフローの流量を測定する１つ又は複数の開口５０に関連付けられた１つ又は複数の２相流量計、又は供給されたガスの流量を測定するアパーチャ６１に関連付けられた流量計、あるいはその両方に接続されていてもよい。２相流量計の好適な構成は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、２００９年６月３０出願の米国特許出願ＵＳ６１／２１３，６５７号に記載されている。

[0090] ある実施形態では、図８に示すように、別の抽出装置３００の１つ又は複数の開口３０２は、負圧源３０５（例えば、ポンプ、できれば正圧源６４及び負圧源６５の一方又は両方を提供するものと同じポンプ）に接続できる。図８に示すように、追加の抽出装置３００用の負圧源３０５は、正圧源６４及び／又は負圧源６５を制御するのに使用される同じコントローラ６３によって制御できる。同様に、所望の流量を達成するために、コントローラ６３を上記の１つ又は複数の好適な流量弁及び／又は流量計に接続してもよい。また、負圧源及び正圧源６４、６５、３０５のうちの１つ以上に別々のコントローラを提供してもよいことも理解されるであろう。

[0091] ある実施形態では、コントローラ６３は、細長いアパーチャ６１からのガスナイフ６０の流量、及び１つ又は複数の開口５０及び別の抽出装置３００の１つ又は複数の開口３０２を通した抽出の流量が、ガスナイフデバイス６０からのガスのフローが第１及び第２の列の間の流体ハンドリング構造の表面に実質的に垂直になる程度の量であるように構成されている。これは、例えば、第１の列内の１つ又は複数の開口５０と別の抽出装置３００の１つ又は複数の開口３０２を通した抽出速度を平衡させ、総抽出量とガスナイフデバイス６０のガスフローとの平衡をとることで達成することができる。

[0092] ガスナイフデバイス６０からのガスのフローが流体ハンドリング構造の表面、したがって、基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの対向面に対して垂直又はほぼ垂直であるようにガスフローを制御することで、ガスナイフデバイスの所与のガス流量についてのガスナイフデバイスの性能が向上する。その結果、使用されるスキャン速度が増加する。

[0093] ある実施形態では、第２の列内のアパーチャ６１から流れて第１のガスナイフデバイス６０を形成するガスの流量は、毎分１００リットル以下、例えば、毎分７５リットル以下であってもよい。第１の列内の１つ又は複数の開口５０から抽出されたガスの流量は、毎分７５リットル以下、例えば、毎分５０リットル以下であってもよい。追加の抽出装置３００のガスの流量は、例えば、少量の液体だけを抽出しているので、より大きい値であってもよい。例えば、追加の抽出装置３００のガスの流量は、毎分約７５リットルであってもよい。

[0094] ガスナイフは、開口５０の間の空間全体に圧力勾配を生成するように開口５０に十分に近いことが望ましい。液体の層（すなわち、液膜）、又は液滴が例えば流体ハンドリング構造１２の下に堆積する停滞域が存在しないことが望ましい。ある実施形態では、開口５０を通過するガスの流量を、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年９月３日出願の米国特許出願ＵＳ６１／２３９，５５５号及び米国特許出願公開ＵＳ２００７−００３０４６４号に記載の細長いアパーチャ６１を通過するガスの流量に結合してもよい。したがって、ガスの流量は、アパーチャ６１から開口５０へ実質的に内向きに誘導される。開口５０とアパーチャ６１とを通過するガスの流量が同じ場合、流量は「平衡がとれている」と呼ぶことができる。平衡がとれたガスのフローは、膜などの残留液体の厚さを最小限にするので、一方向のスキャンの際に望ましい。

[0095] ある実施形態では、第１の列内の開口５０と第２の列のアパーチャ６１とを通るガスの流量は、流体ハンドリング構造に対向する表面がメニスカスから遠ざかる第１の方向のスキャンの際に流体ハンドリング構造１２の片側で平衡がとれることがある。逆方向の移動の場合、ガスナイフ６０のガスの流量は、第１の列内の開口５０と別の抽出装置３００を通る抽出ガスの流量の総計と平衡がとれる。

[0096] 本明細書の別の箇所に記載するように、例えば、平行四辺形、菱形、矩形、正方形などの四辺形、又は円などの楕円形を非限定的に含む、任意の閉じた形状を形成するように、開口５０を配置することができる。いずれの場合も、ガスナイフ６０のアパーチャ６１は、開口５０が形成する形状と実質的に同様の形状を有していてもよい。本発明のある実施形態では、空間から流体ハンドリング構造への液体の抽出に使用するための複数の開口５０の代わりに細長い開口を第１の列内に提供してもよい。１つ又は複数の開口５０が形成する形状の縁部とアパーチャ６１が形成する形状との間の離間距離は上記範囲内である。ある実施形態では、離間距離は望ましくは一定である。

[0097] 一般に、ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２の構成は、別の抽出装置３００の性能が確実にできる限り高いか又は最大限であるように、すなわちガスナイフ６０に隣接する液体を抽出する際に確実に効果的であるように構成することができることは理解されるであろう。上記のように、これは、別の抽出装置３００を通過する抽出流体のフローが確実に十分に高くなるようにすることで達成することができる。代替的に又は追加的に、これは、追加の抽出装置３００が確実にガスナイフデバイス６０のアパーチャ６１の縁部にできるだけ近くなるようにすることで達成することができる。代替的に又は追加的に、これは、ガスナイフデバイス６０を通過するガスのフローを、外向きの、すなわち別の抽出装置３００の方向のガスの半径方向のフローが存在するように確実に十分に大きくすることで、達成することができる。代替的に又は追加的に、これは、流体ハンドリング構造とリソグラフィ装置の動作を考慮に入れて、できる限り低いフライハイトで流体ハンドリング構造１２を動作させることで、すなわち、流体ハンドリング構造１２の下面５１が確実に基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面にできる限り近いようにすることで、達成することができる。

[0098] 図１０は、図７に示す構成の発展形である流体ハンドリング構造の一部の概略断面図である。液体が封じ込められた空間１１と流体ハンドリング構造の外側の領域との境界、例えば、流体ハンドリング構造の外側の周囲雰囲気内で、上記の方法で１つ又は複数の開口５０とアパーチャ６１とを配置することができる。空間から流体ハンドリング構造へ液体を抽出する際に使用する第１の列に１つ又は複数の開口５０を配置することができる。第２の列にアパーチャ６１を提供して配置し、ガスナイフデバイスを形成することができる。ガスナイフから流出するガスは、第１の列の開口５０へ向けて液体を押し出す。

[0099] 第１及び第２の列よりも液浸液から離れた場所に第３の列、又は液滴列内に１つ又は複数の開口７１を提供してもよい。第２のガスナイフデバイスが第４の列、又は液滴ナイフ列に配置されたアパーチャ７２によって形成される。（ある実施形態では、アパーチャ７２は複数のアパーチャ７２を有する）。第４の列は、液浸液を封じ込める空間１１から第３の列よりも遠い場所に配置されている。第２のガスナイフデバイスを通過するガスフローは主として内向きに誘導されるので、その大半は開口７１を通過する。ある実施形態では、１つ又は複数の開口７１と第２のガスナイフのアパーチャ７２とを通過するガスフローは平衡がとれている。

[00100] この実施形態の流体ハンドリング構造は、第１の複数の開口５０と連携して動作する第１のガスナイフデバイスを含む。この組合せは、液浸液の主要な抽出を実行する。

[00101] 流体ハンドリング構造は、開口７１の第３の列と協働する第２のガスナイフデバイスを有する。１つ又は複数の開口と関連するガスナイフの追加の組合せの提供は予想外に有益であることが分かっている。

[00102] 単一のガスナイフデバイスと開口の単一の関連する列とを備えた図７に示すような構成では、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面上に残液が残されることがある。残液は、液膜又は複数の液滴の形であり得る。しばらくすると、膜は複数の液滴に分解することがある。液滴はより大きい液滴に成長し、容認できないほど大きくなることがある。本明細書で説明するように、対向面の一部に対してスキャン速度が臨界スキャン速度を超えると、残液が残されることがある。これは、例えば、表面の臨界スキャン速度を超えた連続する接触角を備えた面に対してスキャン速度が増大した時に発生することがある。スキャン速度が一定であっても、接触角が変化してその部分の臨界スキャン速度が減少し、スキャン速度が臨界スキャン速度を超えた場合に、表面の一部の場所に残液が残されることがある。そのような部分は例えば、液体メニスカスが縁部を横断する瞬間などのフィーチャの縁部、例えば、基板、シャッター部材、センサ又はセンサターゲットの縁部であってもよい。

[00103] 大気圧への結合、例えば、大気に結合し、ガスナイフデバイスと開口５０、７１との間に位置する空間によってガスナイフデバイスが開口５０、７１の列から分離される構成では、別の問題が発生する可能性がある。液体は、ガスナイフデバイスと開口との間に蓄積し、大きい液滴を形成することがある。投影システムＰＳと流体ハンドリング構造とに対する基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴからの移動方向が変化すると、そのような大きい液滴が液浸液の前進するメニスカスと衝突することがある。液滴のメニスカスとの衝突によってガスが混入し、小さいか又はより大きい泡が形成されることがある。さらに、衝突によって引き起こされるメニスカスの擾乱も泡を形成することがある。泡の形成は望ましくない。本明細書に記載する一構成は、上記の又はその他の問題の１つ以上を低減する助けとなる。

[00104] 流体ハンドリング構造内に２つのガスナイフデバイスと抽出のための関連する開口とを提供することで、異なっていてもよい各々の組合せの特定の目的のために各々の組合せの工程制御パラメータの設計及び／又は設定を選択することができる。第１のガスナイフを形成する第２の列のアパーチャ６１からのガスの流量は、第２のガスナイフデバイスを形成する第４の列のアパーチャ７２からのガスの流量より少なくてもよい。

[00105] ある実施形態では、第１のガスナイフデバイスのガスの流量は比較的少なくて
もよいことが望ましい場合がある。これは、上記のように、第１の列の複数の開口５０を通るフローが２相で、大量の液体を備えるからである。第２の列のアパーチャ６１と第１の列の複数の開口５０とを通過する流量が不安定な２相流形態の場合、例えば、流量が多すぎることがあり、結果として２相流は力が変動し、例えば振動することがあり、これは望ましくない。他方、フロー形態が安定しているほど、例えば、第２の列のアパーチャ６１及び／又は第１の列の複数の開口５０を通過する流量が少ないほど、投影システムＰＳと流体ハンドリング構造に対する基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの所与の移動速度でガスナイフデバイスを通過する液浸液の漏れはより大きくなる。したがって、単一のガスナイフ構成内のガスの流量は、本質的にこれら２つの矛盾する要求の妥協点であった。

[00106] 流体ハンドリング構造に第２のガスナイフデバイスと関連する抽出とを提供することで、有益なことに、第１のガスナイフデバイスでより小さい流量を使用することができる。第２のガスナイフデバイスを用いて第１のガスナイフデバイスを超える液滴を除去することができる。さらに、第４の列のアパーチャ７２と第３の列の１つ又は複数の開口７１とを通過するガスの流量は比較的多くてもよい。これは、フローの大部分がガスであることによる。有益なことに、この増大した流量によって、基板Ｗ及び／又は基板ＷＴの表面からの液滴の除去性能が向上する。

[00107] 一構成では、第２の列のアパーチャ６１から流出して第１のガスナイフデバイスを形成するガスの流量は、毎分１００リットル以下、望ましくは毎分７５リットル以下、望ましくは毎分約５０リットル以下である。特定の構成では、第４の列のアパーチャ７２から流出して第２のガスナイフデバイスを形成するガスの流量は毎分６０リットル以上、望ましくは毎分１００リットル以上、望ましくは毎分約１２５リットル以上である。

[00108] 図１０に示すような構成は、有益には第１の列内の１つ又は複数の開口５０と第３の列内の１つ又は複数の開口７１との間に蓄積できる液体を低減できるが、そのような液体の蓄積を解消はできない。したがって、本発明のある実施形態で図１１に概略的に示すような流体ハンドリング構造を提供することができる。図示のように、この構成は、図１０に示す構成に対応するが、第１のガスナイフデバイス６０の細長いアパーチャ６１に隣接する追加の抽出装置３００を含む。図８に示す構成と同様、特に基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗのスキャン方向が流体ハンドリング構造に対して逆転した時に、追加の抽出装置３００によって大きい液滴がガスナイフデバイス６０の近くに蓄積することが防止できる。図８及び図１０に関連する上記構成の変形形態が図１１に示す追加の抽出装置３００を含む構成に適用できる。

[00109] アパーチャ７２を通過するガスの流量を制御するコントローラ７３（上記コントローラ６３と同じであってもよい）が提供される。コントローラ７３は、１つ又は複数の開口７１を通過するガスの流量も制御する。コントローラ７３は、正圧源７４（例えば、ポンプ）及び／又は負圧源７５（例えば、ポンプ、できれば正圧を提供するポンプと同じポンプ）を制御することができる。所望の流量を提供するために、コントローラ７３に接続されコントローラ７３によって制御される１つ又は複数の好適な制御弁があってもよい。コントローラは、１つ又は複数の開口７１を通過するフローを測定するように配置された１つ又は複数の２相流量計、又はアパーチャ７２を通過するフローを測定するように配置された１つ又は複数の流量計、あるいはその両方によって供給されるフロー測定値に基づいて値を制御することができる。そのような構成は、第１及び第２の列に関連するフローコンポーネントの構成と同様であってもよい。

[00110] 関連するガスナイフのガスの流量に比例して開口５０、３０２、７１を通過するガスフローを制御するようにコントローラ６３、７３の一方又は両方を構成することができる。ある実施形態では、ガスナイフを通過するガスの流量は、関連する開口５０、３０２、７１を通過する総流量とは最大２０％又は最大１０％だけ異なっている。ある実施形態では、開口５０、３０２、７１を通過するガスの流量を制御して関連する１つ又は複数のアパーチャ６１、７２を通過するガスのフローに合わせることができる。ある実施形態では、第２のガスナイフの細長いアパーチャ７２を通過するガスの流量は、例えば、開口７１を通過するガスナイフの流量に一致してもよく、例えば、実質的に同じであってもよい。同様に、図８に示す構成の説明に関連して上述したように、第１のガスナイフ６０の両側の片方又は両方の組の開口５０、３０２を通過するガスの流量に一致してもよい。

[00111] 図８、図９及び図１１に示す本発明の実施形態の構成はいくつかの変形形態を含んでいてもよいことは理解されるであろう。

[00112] ある実施形態では、コントローラ６３、７３は、必要に応じて活動状態になるように、一方又は両方のガスナイフの起動を制御することができる。言い換えれば、適当な所定の条件下でガスナイフをオフにすることができる。例えば、スキャン速度が安全には臨界速度より下の時にガスナイフをオフにでき、スキャン速度が現在メニスカスの下にあるか又はメニスカスに接近している表面でスキャン速度が臨界速度を超えたか超えそうである時にガスナイフはオンにされる。例えば、基板の中央部分が流体ハンドリング構造１２の下で移動している場合、ガスナイフの一方又は両方をオフにすることができる。基板のこの部分上で接触角は一定であり、この部分の臨界スキャン速度は十分に高いので超えられることはない。空間のメニスカスが例えば基板、センサ、シャッター部材又はセンサのターゲットの縁部を超える前、その瞬間、及び／又はその後に、ガスナイフデバイスの一方又は両方が動作可能であってもよい。

[00113] それに沿って１つ又は複数の開口７１及びアパーチャ７２を配置することができる第３及び第４の列は、一般に、それに沿って１つ又は複数の開口５０とアパーチャ６１が形成される第１及び第２の列に続いてもよい。ある実施形態では、１つ又は複数の開口７１が形成する形状は、１つ又は複数の開口５０が形成する形状とは異なる。第３及び第４の列、例えばある実施形態では、第１〜第４の列は平行で、列の間に一定の離間距離があることが望ましい。

[00114] ある実施形態では、第２のガスナイフデバイスを形成するための第４の列のアパーチャ７２は、第２の列のアパーチャ６１に関連して説明した同じフィーチャを有していてもよい。第１のガスナイフデバイスのアパーチャ６１と同様、アパーチャ７２は、単一のスリット又は複数の細長いアパーチャとして形成されていてもよい。

[00115] 第３の列の１つ又は複数の開口７１は、単一の細長いスリット又は複数の細長い開口として形成されてもよい。

[00116] ある実施形態では、流体ハンドリング構造の下面５１は、下面の外側部分５１ａが第４の列のアパーチャ７２から離れて延在するように配置されてもよい。

[00117] 図１１に示す実施形態では、流体ハンドリング構造の下面５１に凹部８０が提供される。凹部８０を第２及び第３の列の間の第５の列又は凹部列内に提供してもよい。ある実施形態では、凹部８０は、第１〜第４の列のいずれにも平行に、望ましくは少なくとも第２の列、又は第３の列、あるいはその両方に平行になるように配置される。

[00118] 凹部８０はガス導管８２によって、周囲雰囲気などの大気に、例えば、流体ハンドリング構造の外部領域に接続された１つ又は複数の開口８１を含むことができる。凹部８０は、望ましくは外部雰囲気に接続された時に、第２のガスナイフデバイスと第３の列の関連する１つ又は複数の開口７１から第１のガスナイフデバイスと第１の列の関連する１つ又は複数の開口５０を分離する機能を果たしてもよい。凹部８０は、いずれの側のコンポーネントの動作を分離する。したがって、凹部の半径方向内向きのフィーチャは、半径方向外向きのフィーチャから分離される。

[00119] 凹部８０の両側に、流体ハンドリング構造の下面５１のそれぞれの部分５１ｂ、５１ｃがあってもよい。それぞれの部分５１ｂ、５１ｃはそれぞれ、第３の列の１つ又は複数の開口７１と第２の列のアパーチャ６１の縁部から凹部８０の縁部を分離してもよい。（アパーチャ６１と１つ又は複数の開口７１の上記縁部は第２及び第３の列ではないことに留意されたい。何故ならば、列は開口の断面の中心を通過するからである。したがって、縁部は列から離れている。）凹部８０の両側の流体ハンドリング構造の下面５１の部分５１ｂ、５１ｃは、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面と組み合わせて、それぞれのダンパーとして機能することができる。そのようなダンパーは、第１及び第２のガスナイフから流出したガスフローが確実にそれぞれの開口５０、７１へ向かって流れるための助けとなる。ある実施形態では、表面５１ｂ、５１ｃの一方又は両方は、ダンパーとして機能することができる。

[00120] 凹部８０内の液体の蓄積の可能性を低減するのを助けるために、凹部に鋭い縁部がない形状を与えてもよい。表面は滑らかに角を丸めてもよい。液体が容易に蓄積するので鋭い縁部は望ましくない。例えば、凹部８０の形状は、凹部の表面の周囲の任意の地点の最小曲率半径が少なくとも０．１ｍｍ、望ましくは０．２ｍｍより大きくなるように構成されてもよい。

[00121] ある実施形態では、流体ハンドリング構造は、ガス導管によって周囲雰囲気などの大気に、例えば、流体ハンドリング構造の外部領域に接続された１つ又は複数の開口を流体ハンドリング構造の下面５１に含んでいてもよい。例えば、大気に接続されたそのような開口を上記のような凹部を含まない実施形態に提供してもよい。そのような構成を用いて第２のガスナイフと第３の列の関連する１つ又は複数の開口７１から第１のガスナイフと第１の列の関連する１つ又は複数の開口５０を分離することができる。

[00122] 上記のように、流体ハンドリング構造の下面５１上、特に第２の列のアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間の液体の蓄積は望ましくない。投影システムと流体ハンドリング構造に対する基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの相対運動の方向が変化すると蓄積した液体が問題を引き起こすことがある。ある実施形態では、本明細書に記載する流体ハンドリング構造を含むリソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴとその上に保持した基板Ｗとを移動させるように構成されたポジショナＰＷのアクチュエータシステムを制御するように配置されたコントローラＰＷＣを含んでいてもよい。

[00123] コントローラＰＷＣは、投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの速度が特定の速度を超えた場合に上記の蓄積した液体によって引き起こされる問題を低減する手段が講じられるように構成可能である。速度は、例えば対向面の一部に対する第１のガスナイフデバイスの臨界速度に対応させて、又はこの臨界速度よりもわずかに下になるように選択することができる。臨界速度は、ガスナイフを通した、例えば半径方向外向きの液浸液の漏れが所与の量を超える投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの速度として考えることができる。そのような臨界速度は、ガスナイフデバイスの構成、ガスナイフデバイスのガスの流量及び／又はその地点での基板及び／又は基板テーブルＷＴの表面の性質によって変化することがあることが理解されよう。

[00124] 投影システムＰＳに対する基板テーブルＷＴの速度は、所与の速度より大きくてもよい。場合によって、投影システムに対する基板テーブルの移動方向を変える必要がある。ある実施形態では、速度が所与の速度より上で基板テーブルの移動方向を変える必要がある場合に、コントローラＰＷＣが最初に投影システムＰＳに対する基板テーブルの移動速度を所与の速度より下に低減するようにコントローラＰＷＣが構成される。次にコントローラＰＷＣは、方向転換を開始することができる。したがって、例えば、第１のガスナイフデバイスの臨界速度より上で方向が変化することはなく、第１及び第２のガスナイフデバイスの間に蓄積した液浸液によって引き起こされる問題は最小限にされるか又は低減される。

[00125] 図１２は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造を示す。図示のように、この実施形態の流体ハンドリング構造は、図１１に示す流体ハンドリング構造と同様である。しかし、この実施形態では、大気に接続された凹部は提供されない。その代わりに、流体ハンドリング構造の下面５１は、第１のガスナイフデバイスを形成するアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間で連続している。言い換えれば、この領域では、流体ハンドリング構造１２の下面５１に開口又はアパーチャは存在しない。

[00126] この実施形態では、第２の列のアパーチャ６１を通過するガスフローは、第１の列の１つ又は複数の開口５０を通過するガスフロー及び追加の抽出装置３００を通過するガスフローと平衡がとれていてもよい。第４の列のアパーチャ７２を通過するガスフローは、第３の列の１つ又は複数の開口７１を通過するガスフローと平衡がとれていてもよい。したがって、これらの構成を下面５１から半径方向内向きに、且つ半径方向外向きに分離する必要はない。したがって、有益なことに、図１１の凹部８０は必要なく、第２の列のアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間の空間に液体が蓄積する可能性が低減するか、又はこの領域に蓄積する液体の量が低減する。この例では、第２の列のアパーチャ６１と第３の列の１つ又は複数の開口７１との間の離間距離は１ｍｍ〜４ｍｍの範囲から選択することができ、例えば、２ｍｍであってもよい。

[00127] 図１３は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造を示す。図示のように、この実施形態の流体ハンドリング構造は、図１１に示す流体ハンドリング構造と同様である。分かりやすくするため、各実施形態の相違点について以下に説明する。図１１に示す実施形態に関連して上述した変形形態も図１３に示す実施形態に適用可能であることが理解されよう。

[00128] 図１３に示すように、流体ハンドリング構造１２の下面１５１は、使用時に、下面１５１の異なる部分１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃと基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離が同じでないように配置することができる。図示の実施形態では、第１の列の開口５０、第２の列のガスナイフデバイス６０アパーチャ６１及び別の抽出装置３００の開口３０２の領域の下面１５１の部分１５１ｃと基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間に離間距離Ｄ２がある。第３の列の１つ又は複数の開口７１に隣接する下面の部分１５１ａ、１５１ｂ及び第４の列のアパーチャ７２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間に離間距離Ｄ３があってもよい。

[00129] 離間距離Ｄ２は、離間距離Ｄ３より大きくてもよい。これは、流体ハンドリング構造の下面５１が一般に平面である図１１に示す実施形態とは対照的である。下面は、第１〜第４の列に開口５０、３０２、７１とアパーチャ６１、７２が提供されている以外は平面であってもよい。したがって、図１１の実施形態では、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第１〜第４の列の開口５０、３０２、７１及びアパーチャ６１、７２の周囲の下面５１の各々の部分の離間距離は実質的に同じである。別の実施形態では、離間距離Ｄ３は、離間距離Ｄ２より大きくてもよい。

[00130] 図１３に示すような構成、すなわち、対向面と下面１５１との間の距離が異なる構成は有益である。これは、流体ハンドリング構造１２の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の最適な離間距離に様々な要因が影響しているためである。例えば、第１の列の１つ又は複数の開口５０の周囲の流体ハンドリング構造の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離はできるだけ大きいことが望ましい。これによって、液滴がメニスカスに衝突した時の泡の形成の可能性が低減されるか又は最小化される。この状況は、例えば、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴのスキャン方向の変化の間に発生することがある。

[00131] しかし、第２のガスナイフを形成するための第４の列のアパーチャ７２の周囲の流体ハンドリング構造１２の下面１５１の離間距離を最小限にすることが望ましい。例えば、離間距離が小さいほど、必要な流量は少なく、及び／又は有効な乾燥を提供するためにアパーチャ７２はより広くなる。

[00132] したがって、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第１の列の周囲の下面１５１の離間距離が基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第４の列の周囲の下面１５１の離間距離と異なるように、流体ハンドリング構造１２の下面１５１を配置してもよい。したがって、下面１５１のすべての部分と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の単一又は実質的に一定の離間距離を選択するのではなく、流体ハンドリング構造の両方の部分の性能を向上させることが可能である。２つの矛盾する要件の間で妥協する必要を回避することができる。

[00133] ある実施形態では、本発明の実施形態のいずれかの流体ハンドリング構造１２の下面５１、１５１、２５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離は、５０μｍ〜２５０μｍの範囲から選択することができる。

[00134] 図１３に示すようなある実施形態では、第１の列の１つ又は複数の開口５０の周囲の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離Ｄ２は、１３０μｍ〜２５０μｍの範囲、又は１８０μｍ〜２５０μｍの範囲から選択することができ、又は約２３０μｍであってもよい。図１３に示すようなある実施形態では、第２のガスナイフを形成するための第４の列のアパーチャ７２に隣接する下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離Ｄ３は、５０μｍ〜１８０μｍの範囲から選択することができ、又は約１３０μｍであってもよい。

[00135] しかし、流体ハンドリング構造の下面１５１の異なる部分と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の最適な離間距離は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面の性質に依存することがある。例えば、関連する要因は、非限定的に列挙すると、液体との後退接触角、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴのスキャン速度及びガスナイフのうちの少なくとも１つのガスナイフの流量であってもよい。

[00136] 本明細書に記載するように、第１の列内の１つ又は複数の開口５０の周辺の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離Ｄ２を最適化する、例えば、最大化することが望ましい。しかし、最大実用離間距離があってもよいことをさらに理解されたい。使用可能な最大実用離間距離を超えると、液体の漏れが過剰になることがある。

[00137] 図１３に示すように、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第２の列のアパーチャ６１（第１のガスナイフを形成するのに使用される）及び別の抽出装置３００の開口３０２の周囲の流体ハンドリング構造１２の下面１５１の離間距離は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの第１の列の１つ又は複数の開口５０の周囲の下面１５１の離間距離と同じであってもよい。しかし、これはそうでなくてもよいことを理解されたい。

[00138] 図１３に示すように、第４の列のアパーチャ７２（第２のガスナイフを形成するための）に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面１５１の離間距離は、第３の列の１つ又は複数の開口７１に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離と同じであってもよい。したがって、そのような構成によって、第３の列の１つ又は複数の開口７１に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面１５１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面との間の離間距離を最小限にすることができる。これは、抽出が可能な限り有効であることを確実にする助けとなる。しかし、これはそうでなくてもよい。

[00139] 図１４は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造１２を示す。図示のように、流体ハンドリング構造１２は、図１２に示す流体ハンドリング構造１２と同様である。この実施形態の流体ハンドリング構造は凹部８０を含まない。しかし、この実施形態の流体ハンドリング構造と図１２に示す実施形態との間には、図１３及び図１０に示す流体ハンドリング構造の相違点と同様の相違点がある。

[00140] 流体ハンドリング構造１２の下面２５１の異なる部分２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃは、少なくとも１つの部分が使用時に基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面からの異なる離間距離を有するように配置することができる。１つ又は複数の開口５０に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面２５１と対向面の上面との間の離間距離Ｄ２は、アパーチャ７２に隣接する流体ハンドリング構造１２の下面２５１と対向面の上面との間の離間距離Ｄ３より大きくてもよい。例えば図１２及び図１３に示す実施形態に関連して本明細書に記載する各々の変形形態は、図１４に示す実施形態に適用される。

[00141] 図１４に示す実施形態では、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面と下面２５１との間の離間距離が、アパーチャ６１と１つ又は複数の開口７１との間の区域内で変化するように流体ハンドリング構造１２の下面２５１を配置してもよい。下面２５１と対向面との間の離間距離は、第２及び第３の列で異なる場合がある。第２の列から第３の列へ離間距離は変化する、例えば、減少することがある。しかし、一般に、離間距離の変化は、１つ又は複数の開口５１とアパーチャ７２との間の任意の又はすべての区域で提供することができる。下面２５１と対向面との間の離間距離は、第１及び第４の列の間で変化する、例えば、減少することがある。

[00142] いずれにせよ、上記のように、流体ハンドリング構造１２の下面２５１は液体が蓄積する鋭い角がないように配置することができる。下面は、第１及び第２の列の間、第２及び第３の列の間、第３及び第４の列の間、及び隣接する列の間の表面の組合せの間で実質的に連続していてもよい。したがって、上述のように、流体ハンドリング構造の下面２５１は、表面の任意の地点の最小曲率半径が少なくとも０．１ｍｍ、望ましくは０．２ｍｍを超えるように配置することができる。

[00143] 以上、２相抽出器として動作する１つ又は複数の開口５０、３０２、７１の使用について説明してきたが、本明細書に記載する変形形態のいずれかに基づくある実施形態では、第１又は第４の列の又は別の抽出装置３００の１つ又は複数の開口を、例えば参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に記載されているような多孔質部材又はマイクロシーブと置き換えることができる。各々の多孔質部材は動作して液体を単相、又は２相の流体フローで抽出することができる。ある実施形態では、ガスフローは、半径方向内向きに誘導されてもよく、多孔質部材を通して抽出する代わりに、ガス供給アパーチャと多孔質部材との間にあるガス抽出開口によって抽出してもよい。そのような実施形態では、ガスフローは、ガスナイフデバイスによって対向面上に残された残液を低減する助けとなる。したがって、本発明のある実施形態はそのような構成で実施することができ、上記実施形態によって達成されるのと同様の利益を達成する。上記任意のフィーチャを任意の他のフィーチャと一緒に使用することができ、本願が対処とするのは明示された組合せに限定されないことを理解されたい。

[00144] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00145] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。

[00146] 以下の条項によって本発明の実施形態を記述する。
条項１．リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、液浸液を封じ込めるように構成された空間から該流体ハンドリング構造の外側の領域への境界に、
使用時に基板及び／又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルの方に向いた第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第２の列内の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
前記ガスナイフデバイスに隣接する細長い開口又は複数の開口と、
を連続して有する流体ハンドリング構造。

条項２．前記第１及び第２の列は、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間を取り囲み、
前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口は、前記ガスナイフデバイスの全長にわたって提供され、
前記第１の列と前記第２の列と前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口との間のそれぞれの離間距離は、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間の周辺のすべての場所で実質的に同じである、条項１に記載の流体ハンドリング構造。

条項３．前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口の最も近い縁部と前記ガスナイフデバイスの前記細長いアパーチャの最も近い縁部との離間距離は、０．２５ｍｍ〜０．７５ｍｍの範囲から選択され、望ましくは０．５ｍｍである、条項１又は２に記載の流体ハンドリング構造。

条項４．前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口は、細長い開口である、条項１から３のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項５．前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口の幅は、３０μｍ〜２００μｍ又は１００μｍ〜１５０μｍの範囲から選択される、条項４に記載の流体ハンドリング構造。
条項６．前記ガスナイフデバイスに最も近い前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口の縁部は、前記第１と第２の列の間にありかつ前記ガスナイフデバイスに隣接する開口の先にある前記流体ハンドリング構造の表面に対して、斜めの角度αに提供され、そのため前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口の幅が前記表面からの距離に応じて減少する、条項４又は５に記載の流体ハンドリング構造。

条項７．前記流体ハンドリング構造の前記表面に対する前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口の前記縁部の角度は、１０°〜６０°又は１０°〜４５°の範囲から選択されるか、又は望ましくは２０°である、条項６に記載の流体ハンドリング構造。

条項８．前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口は、多孔質材料で覆われた、条項１から７のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項９．前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口、及び前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口は、前記流体ハンドリング構造へのガス及び／又は液体の通路の入口である、条項１から８のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項１０．前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口は、使用時に負圧源に接続され、
前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口は、使用時に負圧源に接続される、条項１から９のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項１１．前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口に接続された前記負圧源、及び／又は前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口に接続された前記負圧源に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、
前記コントローラは、前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口、及び／又は前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口を通過するガスの流量が、使用時に、前記第２の列の細長いアパーチャを有する前記ガスナイフデバイスからのガスのフローが前記第１及び第２の列の間の前記流体ハンドリング構造の表面に実質的に垂直になる程度の量であるように、前記負圧源の少なくとも一つを制御する、条項１０に記載の流体ハンドリング構造。

条項１２．前記流体ハンドリング構造は、前記第２の列の細長いアパーチャを有する前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口の先に、前記境界にて、 第３の列の細長い開口又は複数の開口と、
第４の列の細長いアパーチャを有する第２のガスナイフデバイスと、
をさらに連続して有する、条項１から１１のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項１３．前記第１から第４の列は、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間を連続して取り囲み、それぞれの列の間の離間距離は、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間の周辺のすべての場所で実質的に同じである、条項１２に記載の流体ハンドリング構造。

条項１４．前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口は、前記流体ハンドリング構造へのガス及び／又は液体の通路の入口である、条項１２又は１３に記載の流体ハンドリング構造。

条項１５．前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口は、使用時に負圧源に接続され、
前記流体ハンドリング構造は、前記負圧源に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、
前記コントローラは、前記第３の列の前記細長い開口又は複数の開口を通過するガスの流量が、前記第４の列のアパーチャから流出してガスナイフを形成するガスの流量以上になるように、前記負圧源を制御するように構成される、条項１２から１４のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項１６．前記第２及び第４の列のアパーチャは、使用時にガス供給装置に接続され、 前記流体ハンドリング構造は、前記ガス供給装置に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、
前記コントローラは、前記第４の列のアパーチャから流出して前記ガスナイフを形成するガスの流量が、前記第２の列のアパーチャから流出して前記ガスナイフを形成するガスの流量よりも大きくなるように、前記ガス供給装置を制御するように構成される、条項１２から１５のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項１７．使用時に基板及び／又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルの上面にほぼ平行である下面をさらに有し、前記第１〜第４の列の開口及びアパーチャが前記下面に形成される、条項１２から１６のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項１８．使用時に、前記第１〜第４の列の開口及びアパーチャの周辺の前記下面の区域と基板及び／又は基板テーブルの上面との離間距離が実質的に同じである、条項１７に記載の流体ハンドリング構造。

条項１９．使用時に、前記第１の列内の前記細長い開口又は複数の開口の周辺の前記下面の区域と前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面との離間距離が、前記第４の列内の前記アパーチャの周辺の前記下面の区域と前記基板及び／又は基板テーブルの前記上面との離間距離よりも大きい、条項１７に記載の流体ハンドリング構造。

条項２０．前記流体ハンドリング構造は、前記第２及び第３の列の間の第５の列に配置された前記下面の凹部を有する、条項１７から１９のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。

条項２１．前記凹部は、ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の外側の領域に接続された少なくとも１つの開口を有する、条項２０に記載の流体ハンドリング構造。

条項２２．リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、使用時に液浸液が閉じ込められる空間の該流体ハンドリング構造の外側の領域に対する境界に、
使用時に例えば基板及び／又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルの対向面の方へ向いた第１の列に配置された、流体を抽出する細長い開口又は複数の開口と、 第２の列のガスナイフの細長いアパーチャと、
前記ガスナイフの細長いアパーチャに隣接して形成された、液体を抽出する細長い開口又は複数の開口と、
を連続して有する流体ハンドリング構造。

条項２３．前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口は、前記液浸液のメニスカスを前記空間内にピン止めするためのものである、条項２２に記載の流体ハンドリング構造。

条項２４．前記条項のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。

条項２５．投影システムの最終要素と基板及び／又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
前記投影システムの前記最終要素と前記基板及び／又は前記基板テーブルとの間から、第１の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して、液浸液を取り出すステップと、
第２の列のアパーチャを通してガスナイフを形成するガスを供給することで、前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口の方へ液浸液を押すステップと、
前記ガスナイフに隣接し、前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口に対して前記ガスナイフの逆側にある細長い開口又は複数の開口を通して、ガス及び残留液浸液を抽出するステップと、
を含むデバイス製造方法。

[00147] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00148] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。

[00149] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00150] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口を含む１つ又は複数の流体開口、１つ又は複数の気体開口あるいは１つ又は複数の２相流用の開口の組合せを含んでよい。これらの開口は、各々、液浸空間への入口（又は流体ハンドリング構造からの出口）あるいは液浸空間からの出口（又は流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。ある実施形態では、液浸液は水であってもよい。

[00151] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、液浸液を閉じ込める空間から該流体ハンドリング構造の外側の領域への境界にて、
   使用時に基板及び／又は前記基板を支持する基板テーブルの方に向いた第１の列に配置された、２相流抽出のための細長い開口又は複数の開口と、
   前記第１の列の隣に位置する第２の列に配置された、ガスナイフ用のガスを供給するための細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
   前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接して配置された、追加ガス抽出のための細長い開口又は複数の開口と、
   を連続して有し、
   前記ガスナイフ用の前記ガスは、前記２相流抽出のための前記開口及び前記追加ガス抽出のための前記開口から抽出される、流体ハンドリング構造。
2. 前記第１及び第２の列は、前記空間を取り囲み、
   前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口は、前記ガスナイフデバイスの全長にわたって提供され、
   前記第１の列と前記第２の列と前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口との間のそれぞれの離間距離は、前記空間の周辺のすべての場所で実質的に同じである、請求項１に記載の流体ハンドリング構造。
3. 前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口は、細長い開口である、請求項１又は２に記載の流体ハンドリング構造。
4. 前記ガスナイフデバイスに最も近い前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口の縁部は、前記第１と第２の列の間にありかつ前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口の先にある前記流体ハンドリング構造の表面に対して、斜めの角度αに提供され、そのため前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口の幅が前記表面からの距離に応じて減少する、請求項３に記載の流体ハンドリング構造。
5. 前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口は、多孔質材料で覆われた、請求項１から４のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
6. 前記第１の列の前記開口、及び前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口は、前記流体ハンドリング構造へのガス及び／又は液体の通路の入口である、請求項１から５のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
7. 前記第１の列の前記開口は、使用時に負圧源に接続され、
   前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口は、使用時に負圧源に接続される、請求項１から６のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
8. 前記第１の列の前記開口に接続された前記負圧源、及び／又は前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口に接続された前記負圧源に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、
   前記コントローラは、前記第１の列の前記開口、及び／又は前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口を通過するガスの流量が、使用時に、前記ガスナイフデバイスからの前記ガスのフローが前記第１及び第２の列の間の前記流体ハンドリング構造の表面に実質的に垂直になる程度の量であるように、前記負圧源の少なくとも一つを制御する、請求項７に記載の流体ハンドリング構造。
9. 前記流体ハンドリング構造は、前記ガスナイフデバイスの前記アパーチャに隣接する前記開口の先に、前記境界において、
   第３の列の細長い開口又は複数の開口と、
   第４の列の細長いアパーチャを有する第２のガスナイフデバイスと、
   をさらに連続して有し、
   前記第１から第４の列は、前記空間を連続して取り囲み、それぞれの列の間の離間距離は、前記空間の周辺のすべての場所で実質的に同じである、請求項１から８のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
10. 前記第３の列の前記開口は、使用時に負圧源に接続され、
    前記流体ハンドリング構造は、前記負圧源に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、
    前記コントローラは、前記第３の列の前記開口を通過するガスの流量が、前記第４の列の前記アパーチャから流出してガスナイフを形成するガスの流量以上になるように、前記負圧源を制御する、請求項９に記載の流体ハンドリング構造。
11. 前記第２及び第４の列の前記アパーチャは、使用時にガス供給装置に接続され、
    前記流体ハンドリング構造は、前記ガス供給装置に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、
    前記コントローラは、前記第４の列の前記アパーチャから流出してガスナイフを形成するガスの流量が、前記第２の列の前記アパーチャから流出してガスナイフを形成するガスの流量よりも大きくなるように、前記ガス供給装置を制御する、請求項９又は１０に記載の流体ハンドリング構造。
12. リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、使用時に液浸液が閉じ込められる空間の該流体ハンドリング構造の外側の領域に対する境界において、
    使用時に、基板及び／又は前記基板を支持する基板テーブルの対向面の方に向いた第１の列に配置された、液体とガスを抽出する細長い開口又は複数の開口と、
    前記第１の列の隣に位置する第２の列に配置された、ガスナイフ用のガスを供給するための細長いアパーチャと、
    前記アパーチャに隣接して配置された、追加して液体とガスを抽出する細長い開口又は複数の開口と、
    を連続して有し、
    前記ガスナイフ用の前記ガスは、前記液体とガス抽出のための前記開口及び前記追加の液体とガス抽出のための前記開口から抽出される、流体ハンドリング構造。
13. 前記第１の列の前記開口は、前記液浸液のメニスカスを前記空間内にピン止めするためのものである、請求項１２に記載の流体ハンドリング構造。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。
15. 投影システムの最終要素と基板及び／又は前記基板を支持する基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
    前記投影システムの前記最終要素と前記基板及び／又は前記基板テーブルとの間から、第１の列に配置された２相流抽出のための細長い開口又は複数の開口を通して、液浸液を取り出すステップと、
    前記第１の列の隣に位置する第２の列のアパーチャを通してガスナイフを形成するガスを供給することで、前記第１の列の前記開口の方へ液浸液を押すステップと、
    前記ガスナイフのための前記アパーチャに隣接し、前記第１の列の前記細長い開口又は複数の開口に対して前記ガスナイフのための前記アパーチャの逆側にある細長い開口又は複数の開口を通して、ガス及び残留液浸液を抽出するステップと、
    を含み、
    前記ガスナイフ用の前記ガスは、前記２相流抽出のための前記開口及び前記ガスと残留液浸液抽出のための前記開口から抽出される、
    デバイス製造方法。

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