TWI431436B - 流體處理結構，微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

流體處理結構，微影裝置及元件製造方法 Download PDF

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Description

流體處理結構，微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種流體處置結構、一種微影裝置及一種元件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終器件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為適當的，特別為濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為適當的其他液體包括烴，諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第US 4,509,852號)為一種形式之浸沒系統配置。該配置要求應在掃描曝光期間加速大液體本體。此情形可能需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。
在浸沒裝置中，藉由流體處置系統或裝置(例如，流體處置結構)來處置浸沒液體。流體處置系統可供應浸沒流體且因此為流體供應系統。流體處置系統可限制流體且藉此為流體限制系統。流體處置系統可提供對流體之障壁且藉此為障壁部件。流體處置系統可產生或使用流體流(諸如氣流)，例如，以有助於處置液體。可將浸沒液體用作浸沒流體。在該情況下，流體處置系統可為液體處置系統。
所提議配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終器件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終器件之表面區域的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。此類型之配置可被稱作局域化浸沒系統配置。
另一配置為全濕潤配置，其中浸沒液體係未受限制的，如PCT專利申請公開案WO 2005/064405中所揭示。在此系統中，浸沒液體係未受限制的。基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的，此係因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形可具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終器件與基板之間的間隙。允許該液體洩漏遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出，使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。儘管此系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能會發生浸沒液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕該問題之方式。提供一部件，該部件在所有位置中覆蓋基板W，且經配置以使浸沒液體延伸於該部件與該基板及/或固持該基板之基板台之頂部表面之間。
在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式載物台或雙載物台浸沒微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。或者，該裝置僅具有一個台。
需要能夠使基板在投影系統下方儘可能快地移動。為此，流體處置系統(特別是針對局域化區域流體處置系統)應經設計成允許高掃描而無顯著液體損失。
需要(例如)提供一種流體處置系統，該流體處置系統將液體維持於投影系統之最終器件與基板之間的空間中。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區域的一邊界處順次地具有：一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口係配置於一第一線中，該第一線在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一氣刀元件，該氣刀元件具有在一第二線中之一狹長孔隙；及一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口鄰近於該氣刀元件。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在浸沒液體在使用中受限制至之一空間至在該流體處置結構外部之一區域的一邊界處順次地具有：一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口係用以抽取流體且配置於一第一線中，該第一線在使用中經引導朝向(例如)一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之一對向表面；用於一氣刀之一狹長孔隙，用於該氣刀之該狹長孔隙處於一第二線中；一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口鄰近於用於該氣刀元件之該狹長孔隙以抽取液體。
根據一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含如上文之一流體處置結構。
根據一態樣，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將一浸沒液體提供至在一投影系統之一最終器件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終器件與該基板及/或該基板台之間擷取浸沒液體；藉由通過形成一氣刀之在一第二線中之一孔隙供應氣體而迫使浸沒液體朝向在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口；通過一狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體，該狹長開口或該複數個開口鄰近於該氣刀且處於與在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口相對置的該氣刀之側上。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化元件。支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如該圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化元件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在橫穿圖案化元件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化元件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
可將用於在投影系統PS之最終器件與基板之間提供液體之配置分類成三種通用種類。此等種類為浴類型配置、所謂的局域化浸沒系統及全濕潤浸沒系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板台WT之部分被浸漬於液體浴中。
局域化浸沒系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間在平面圖中小於基板之頂部表面。填充有液體之體積或空間相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在該區域下方移動。圖2至圖5展示可用於此系統中之不同供應元件。
在全濕潤配置中，液體係未受限制的。基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度較小。液體可為在基板上之液體膜(諸如液體薄膜)。浸沒液體可供應至投影系統及面對該投影系統之對向表面或供應於該投影系統及該對向表面附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2至圖5之液體供應元件中之任一者(其在下文予以描述)可用於此系統中。然而，密封特徵可能不存在、可能未被啟動、可能不如正常一樣有效率，或可能以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。
圖2至圖5中說明四種不同類型之局域化液體供應系統。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(如箭頭所指示，較佳地沿著基板相對於最終器件之移動方向)。液體在通過投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除(如箭頭所指示)。隨著在-X方向上於器件下方掃描基板，在器件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體流係藉由箭頭指示；液體係經由入口而被供應且在器件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口而被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終器件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終器件所定位之入口及出口的各種定向及數目均係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終器件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合(如箭頭所指示)。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側的兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。可在中心具有孔之板中配置入口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口被移除，從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意，在圖4中藉由箭頭來展示流體及基板W之流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統，液體限制結構沿著在投影系統之最終器件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明此配置。箭頭指示流動方向。
圖5示意性地描繪具有液體限制結構12之局域化液體供應系統或流體處置結構，液體限制結構12沿著在投影系統PS之最終器件與對向表面(例如，基板台WT或基板W)之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台WT之表面。除非另有明確敍述，否則對基板相對於另一物件(例如，投影系統)之移動的參考包括對基板台相對於同一物件之移動的參考)。液體限制結構12在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W之表面之間。密封件可為諸如氣體密封件之無接觸密封件(美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示具有氣體密封件之此系統)或流體密封件。
液體限制結構12使在投影系統PS之最終器件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場形成對基板W之無接觸密封件(諸如氣體密封件16)，使得將液體限制於在基板W之表面與投影系統PS之最終器件之間的空間11內。藉由定位於投影系統PS之最終器件下方且環繞投影系統PS之最終器件的液體限制結構12而至少部分地形成空間11。液體係藉由液體入口13而被帶入至在投影系統PS下方及在液體限制結構12內之空間11中。可藉由液體出口13移除液體。液體限制結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終器件。液體液位上升至高於最終器件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，液體限制結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終器件之形狀且可(例如)為圓形或任何其他適當形狀。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此情況。
可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於液體限制結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，係藉由N2 或另一惰性氣體形成。氣體密封件16中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至在液體限制結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及該間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣流。氣體對在液體限制結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣流對於使在空間11中含有液體係有效的。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在另一實施例中，液體限制結構12不具有氣體密封件。
本發明之一實施例係關於一種用於流體處置結構中的特定類型之抽取器，其實質上防止彎液面前進超出特定點。亦即，本發明之一實施例係關於一種彎液面牽制元件，該彎液面牽制元件將在投影系統之最終器件與基板及/或基板台之間的空間11中之液體之邊緣(例如，以液體彎液面之形式)牽制於實質上適當位置中。彎液面牽制配置依靠所謂的氣體拖曳抽取器原理，該原理已被描述於(例如)全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第2008/0212046號中。在該系統中，可以成隅角形狀置放抽取孔。隅角係與在投影系統與基板及/或基板台之間的相對運動方向(例如，步進方向及掃描方向)對準。對於在相對運動方向上之給定速率，相較於在兩個出口經對準成垂直於相對運動方向的情況，隅角係與相對運動方向對準的情況有助於減少對在兩個出口之間的彎液面之力。然而，本發明之一實施例可適用於在平面圖中可具有任何形狀之流體處置結構，或適用於具有諸如經配置為任何形狀之抽取開口之組件部分的流體處置結構。在一非限制性清單中，此形狀可包括橢圓形(諸如圓形)、直線形狀(諸如矩形(例如，正方形)，或平行四邊形(例如，斜方形))，或具有四個以上隅角之成隅角形狀(諸如具有四個或四個以上尖角之星形)。
在US 2008/0212046之系統之變化(本發明之一實施例係關於該變化)中，經配置有開口之成隅角形狀的幾何形狀允許針對在較佳相對運動方向上(例如，在掃描方向上及在步進方向上)均對準之隅角存在尖銳隅角(選自約60°至90°之範圍，理想地選自75°至90°之範圍，且最理想地選自75°至85°之範圍)。此情形可允許在每一經對準隅角之方向上的速率增加。此係因為歸因於在掃描方向上之不穩定彎液面而產生液體小滴的情況減少。在隅角係與掃描方向及步進方向兩者對準的情況下，可在該等方向上達成增加之速率。理想地，在掃描方向上之移動速率與在步進方向上之移動速率可實質上相等。
圖6示意性地且以平面圖說明用於本發明之一實施例中的流體處置結構之部分之彎液面牽制特徵。彎液面牽制元件之特徵得以說明，該等特徵可(例如)替換圖5之彎液面牽制配置14、15、16。圖6之彎液面牽制元件包含配置於第一線或牽制線中之複數個離散開口50。此等開口50中之每一者被說明為圓形，但未必為此情況。實際上，開口50中之一或多者可為選自圓形、正方形、矩形、長橢圓形、三角形、狹長隙縫等等中之一或多者。每一開口在平面圖中具有大於0.2毫米(理想地大於0.5毫米或1毫米，在一實施例中選自0.1毫米至10毫米之範圍，在一實施例中選自0.25毫米至2毫米之範圍)之長度尺寸(亦即，在自一開口至鄰近開口之方向上)。在一實施例中，長度尺寸係選自0.2毫米至0.5毫米之範圍，理想地選自0.2毫米至0.3毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.1毫米至2毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.2毫米至1毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.35毫米至0.75毫米之範圍，理想地為大約0.5毫米。
可將圖6之彎液面牽制元件之開口50中的每一者連接至一分離負壓源。或者或另外，可將開口50中之每一者或複數者連接至自身被固持於負壓下之共同腔室或歧管(其可為環形)。以此方式，可在開口50中之每一者或複數者處達成均一負壓。可將開口50連接至真空源，及/或可在壓力方面增加環繞流體處置結構或系統(或限制結構、障壁部件或液體供應系統)之氛圍以產生所要壓力差。
在圖6之實施例中，開口為流體抽取開口。開口50為用於將氣體及/或液體傳遞至流體處置結構中之入口。亦即，可認為該等開口係來自空間11之出口。此情形將在下文加以更詳細地描述。
開口50形成於流體處置結構12之表面中。該表面在使用中面對基板及/或基板台。在一實施例中，該等開口係在流體處置結構之平坦表面中。在另一實施例中，一隆脊(ridge)可存在於面對基板的流體處置結構之表面上。在一實施例中，該等開口可在該隆脊中。在一實施例中，開口50可藉由針狀物(needle)或管路(tube)界定。可將一些針狀物(例如，鄰近針狀物)之本體接合在一起。可將該等針狀物接合在一起以形成單一本體。該單一本體可形成可成隅角之形狀。
自圖7可看出，開口50為(例如)管路或狹長通道55之末端。理想地，該等開口經定位成使得該等開口在使用中面對基板W。開口50之緣邊(rim)(亦即，離開表面之出口)實質上平行於基板W之頂部表面。在使用中將該等開口引導朝向基板W及/或經組態以支撐該基板之基板台WT。考慮此情形之另一方式在於：開口50被連接至之通道55的狹長軸線實質上垂直於(在與垂直線所成之+/-45°內，理想地在35°、25°或甚至15°內)基板W之頂部表面。
每一開口50經設計成抽取液體與氣體之混合物。自空間11抽取液體，而將氣體自開口50之另一側上的氛圍抽取至液體。此情形產生如箭頭100所說明之氣流，且此氣流對於將在開口50之間的彎液面90牽制於實質上適當位置中係有效的(如圖6所說明)。氣流有助於維持藉由動量阻擋、藉由氣流誘發性壓力梯度及/或藉由在液體上氣流之拖曳(剪應力)限制的液體。
開口50環繞流體處置結構將液體所供應至之空間。亦即，可圍繞面對基板及/或基板台的流體處置結構之表面分佈開口50。該等開口可圍繞該空間實質上連續地隔開(在一實施例中，在一些鄰近開口之間的間隔可相同，但在鄰近開口50之間的間隔可變化)。在一實施例中，自始至終圍繞可成隅角之形狀抽取液體。實質上在液體撞擊該形狀所在之點處抽取該液體。此情形係因為自始至終圍繞該空間形成開口50(以該形狀)而被達成。以此方式，可將液體限制至空間11。在操作期間，可藉由開口50來牽制彎液面。
自圖6可看出，開口50可經定位成在平面圖中形成成隅角形狀(亦即，具有隅角52之形狀)。在圖6之情況下，該形狀為具有彎曲邊緣或側54之四邊形，諸如斜方形(例如，正方形)。邊緣54可具有負半徑。邊緣54可朝向成隅角形狀之中心(例如，沿著經定位成遠離於隅角52的邊緣54之部分)彎曲。然而，邊緣54上之所有點相對於相對運動方向之角度的平均值可被稱作可藉由無曲率之直線表示的平均角度線(line of average angle)。
該形狀之主軸110、120可與在投影系統下方基板W之主要行進方向對準。此情形有助於確保最大掃描速率快於在開口50經配置為如下形狀之情況下的最大掃描速率：在該形狀中，移動方向與該形狀之軸線不對準(例如，圓形形狀)。此係因為在主軸與相對運動方向對準的情況下可減少對在兩個開口50之間的彎液面之力。舉例而言，該減少可為因數cos θ。「θ」為連接兩個開口50之線相對於基板W正移動所在之方向的角度。
正方形形狀之使用允許在步進方向上之移動與在掃描方向上之移動處於實質上相等的最大速率下。此情形可藉由使該形狀之隅角52中之每一者與掃描方向110及步進方向120對準而達成。若較佳的是使在該等方向中之一者(例如，掃描方向)上之移動快於在另一方向(例如，步進方向)上之移動，則該形狀可為斜方形。在此配置中，斜方形之主軸可與掃描方向對準。對於斜方形形狀，儘管該等隅角中之每一者可為銳角，但在斜方形之兩個鄰近側(或邊緣)之平均角度線之間的角度(例如，相對於在步進方向上之相對運動方向)可為鈍角，亦即，大於90°(例如，選自約90°至120°之範圍，在一實施例中選自90°及105°之範圍，在一實施例中選自85°及105°之範圍)。
可藉由使開口50之形狀之主軸與基板之主要行進方向(通常為掃描方向)對準且使另一軸線與基板之另一主要行進方向(通常為步進方向)對準來最佳化產出率。應瞭解，在至少一移動方向上，θ不為90°之任何配置均將給出一優點。因此，主軸與主要行進方向之確切對準並不至關重要。
提供具有負半徑之邊緣的優點在於：可使隅角更尖銳。對於與掃描方向對準之隅角52及與步進方向對準之隅角52兩者，選自75°至85°或甚至更低之範圍的角度可均為可達成的。若其對於此特徵為不可達成的，則為了使在兩個方向上對準之隅角52具有相同角度，該等隅角必須具有90°。若需要使一隅角具有小於90°之角度，則有必要將與相對運動方向對準之隅角選擇為小於90°。其他隅角將具有大於90°之角度。
可將開口配置為星形形狀。在星形形狀之實施例中，邊緣係筆直而非彎曲的。邊緣可匯合於一點(例如，中間隅角)處，該點係自在兩個隅角52之間的直線徑向地向內。此配置在以高相對速率牽制彎液面方面可能不如在藉由接合開口之線界定之兩個鄰近隅角52之間的邊緣平滑的配置成功。藉由開口50界定之此線可界定成隅角形狀、係連續的且具有連續改變方向。在星形形狀實施例中，沿著該形狀之側的中間隅角可牽制彎液面。隅角愈尖銳，則聚焦於隅角上的牽制彎液面之力愈多。在尖銳隅角處，牽制力聚焦於該形狀之邊緣之短長度上。相較於尖銳隅角具有較平滑曲線之隅角(例如，具有較大曲率半徑之隅角)具有較長長度，且因此沿著該隅角之較長曲線(亦即，圍繞該隅角)分佈牽制力。因此，對於在基板與流體處置結構之間的特定相對速度，施加至兩個隅角之有效彎液面牽制力相同。然而，對於邊緣之經界定長度，針對尖銳隅角之有效牽制力大於針對平滑彎曲隅角之有效牽制力。相較於藉由平滑彎曲隅角牽制之彎液面，牽制於尖銳隅角處之彎液面在基板與流體處置結構之間的較低相對速度下較不穩定。
圖7說明開口50提供於流體處置結構之下部表面51中。然而，未必為此情況，且開口50可在自流體處置結構之下部表面的突起中。箭頭100展示自流體處置結構外部至與開口50相關聯之通道55中之氣體流動。箭頭150說明自空間至開口50中之液體傳遞。通道55及開口50理想地經設計成使得在環形流動模式中理想地發生二相抽取(亦即，氣體及液體)。在環形氣體流動中，氣體可實質上流動通過通道55之中心，且液體可實質上沿著通道55之壁流動。此情形導致具有低脈動產生之平滑流動。
可能不存在自開口50徑向地向內之彎液面牽制特徵。以藉由進入開口50之氣流誘發的拖曳力將彎液面牽制於開口50之間。大於約15公尺/秒(理想地為20公尺/秒)之氣體拖曳速度可為足夠的。可減少液體自基板蒸發之量，藉此減少液體之濺射以及熱膨脹/收縮效應兩者。
複數個離散針狀物(該等離散針狀物可各自包括一開口50及一通道55)(例如，至少三十六(36)個離散針狀物，每一離散針狀物具有1毫米之直徑且被分離達3.9毫米)對於牽制一彎液面可為有效的。在一實施例中，存在112個開口50。開口50可為正方形，其中側之長度為0.5毫米、0.3毫米、0.2毫米或0.1毫米。
流體處置結構之底部的其他幾何形狀係可能的。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中所揭示之結構中之任一者均可用於本發明之一實施例中。
在圖6中可看出，狹長孔隙61(其可為隙縫形狀)提供於開口50外部。相較於配置於第一線中之開口50，狹長孔隙61可經定位成較遠離於含有浸沒流體之空間。孔隙61可實質上平行於經配置有開口50之第一線。狹長孔隙可形成第二線或刀線(knife line)。第二線可環繞藉由開口50形成之形狀之周邊。在一實施例中，狹長孔隙係連續的，且可完全地環繞藉由第一線形成之形狀。在使用中，孔隙61連接至過壓源。自孔隙61流動之氣體可形成環繞藉由開口50形成之彎液面牽制系統的氣刀60。下文將描述此氣刀之功能。在一實施例中，狹長孔隙包含沿著該形狀之側54的複數個離散孔隙(該等離散孔隙可為狹長的)。可串聯地配置複數個孔隙。
在一配置中，液體處置元件可如在上文中所描述，但缺乏氣刀60。在此配置中，當基板台WT移動成使得浸沒液體之彎液面穿越親液性區域或具有相對較低疏液性之區域(亦即，與浸沒液體所成之接觸角低於與基板或基板台表面之其他部分所成之接觸角)時，浸沒液體可遍及具有低疏液性之區域展開成膜。在存在水之情況下，對疏液性之參考係針對疏水性，且對親液性之參考係針對親水性。
膜之形成可取決於液體彎液面與基板或基板台之相對移動速率(「掃描速率」)是否大於臨界速率。關於藉由開口50牽制之彎液面，臨界速率為在流體處置結構12與基板及/或基板台之對向表面之間的相對速度，在高於該相對速度的情況下，該彎液面可能不再穩定。臨界速率取決於對向表面之屬性。一般而言，對向表面之接觸角愈高，則臨界速率愈高。一旦已開始形成膜，其隨即可繼續成長(即使基板現已移動)，使得彎液面遍及具有較高接觸角之區域。對於具有較高接觸角之此區域，臨界速率較高。若基板以彎液面先前所接觸(亦即，具有較低接觸角)之區域的臨界速率移動，則掃描速率可低於當前臨界掃描速率。
在一些情況下，在短延遲之後，膜可能會破裂成不良的較大之小滴。在一些情況下，基板台之後續移動可導致小滴碰撞彎液面，此情形可在浸沒液體中產生氣泡。具有相對較低疏液性(例如，在存在水之情況下為疏水性)之區域可包括基板之邊緣、基板台上之可卸除式特徵(例如，可黏著平面部件，諸如貼紙)、定位特徵(例如，編碼器柵格或對準標記)及/或感測器(例如，劑量感測器、影像感測器或光點感測器)。在一實施例中，可藉由塗層或表面處理之降級而形成具有相對較低疏液性(例如，在存在水之情況下為疏水性)之區域。可提供塗層或表面處理以增加經提供有塗層或表面處理之表面的疏液性(例如，在存在水之情況下為疏水性)。
在一實施例中，氣刀60可起作用以減少留存於基板或基板台上之任何液體膜的厚度。減少膜之厚度可減少其破裂成小滴之可能性。或者或另外，來自氣刀60之氣流可將液體驅動朝向開口50且被抽取。
在一實施例中，氣刀60操作以減少膜之形成。為了達成此目的，需要使在氣刀孔隙61之中心線與彎液面牽制開口50之間的距離係選自1.5毫米至4毫米之範圍，理想地選自2毫米至3毫米之範圍。(在一實施例中，氣刀孔隙61具有複數個孔隙61)。配置孔隙61所沿著之第二線通常遵循形成開口50所沿著之第一線，使得在孔隙61及開口50中之鄰近孔隙與鄰近開口之間的距離係在前述範圍內。第二線可平行於開口50之線，但未必為此情況，如2009年9月3日申請之美國專利申請案第US 61/239,555號中所描述，該案之全文以引用之方式併入本文中。
可能需要維持在鄰近孔隙61(其中沿著第二線存在複數個孔隙)與鄰近開口50之間的恆定分離度。在一實施例中，此情形沿著孔隙61及開口50之中心線之長度係理想的。在一實施例中，恆定分離度可在流體處置元件之更多隅角中之一者附近。
在諸如上文參看圖6及圖7所論述之配置的配置中，浸沒液體小滴可自空間逸出，在該空間中，浸沒液體在(例如)面對該空間之表面中之高度台階之空間下方的相對移動期間係受限制的。此情形可(例如)發生於在基板之邊緣與支撐基板之台中之凹座之邊緣之間的間隙處，或感測器之表面處。當在流體處置結構與對向表面之間的相對速率(例如，掃描速率)大於臨界速率時，尤其可發生液體小滴之逸出。當需要較高掃描速率或產出率時，此相對速率可能為必要的。此臨界速率可取決於對向表面之至少一屬性。
在自空間11中之浸沒液體逸出時，小滴自在流體處置結構與對向表面(諸如基板或支撐基板之基板台)之間的浸沒液體之彎液面掙脫。可藉由流體抽取開口將彎液面牽制至流體處置結構，流體抽取開口可抽取二相流體流中之液體及氣體，如上文所論述。小滴可自浸沒空間相對於對向表面之移動的尾側逸出。
在與對向表面一起移動(相對於流體處置結構)時，小滴可接著遭遇將小滴引導回至液體抽取器之氣刀。然而，有時，條件可使得藉由氣刀阻擋小滴移動成較遠離於彎液面。有時，此小滴可傳遞超出氣刀。在一實施例中，小滴已逃脫流體處置結構之組件的影響。在另一實施例中，小滴將遭遇可用以抽取小滴及/或阻擋小滴移動成遠離於彎液面之另外抽取器及氣刀。
當隨後改變在對向表面之平面中(例如，在掃描方向或步進方向上)流體處置結構與對向表面之間的相對運動時，此小滴可相對於流體處置結構移動回朝向液體彎液面。小滴可受到其在自彎液面逸出時第一次通過之氣刀至少部分地阻止。小滴可足夠大以使得其通過氣刀朝向彎液面。可藉由通過提供於受限制於空間中之浸沒液體之邊緣或邊界處或至少附近之抽取開口的抽取來抽取小滴。然而，若未完全地抽取此小滴，則該小滴可在與受限制於空間中之液體之液體彎液面碰撞時產生氣泡。
小滴可不足夠大及/或具有不足夠相對速率以通過氣刀朝向彎液面。該小滴可與一或多個小滴合併，該一或多個小滴可較小，以在氣刀前方形成一較大之小滴。在此情況下，氣刀可經超載有浸沒液體，從而允許經合併小滴通過。此小滴將相對於流體處置結構移動朝向彎液面且潛在地碰撞彎液面，且可潛在地產生一或多個氣泡。
在一實施例中，可藉由添加極接近於氣刀之額外抽取件300(如(例如)圖8所示，圖8類似於圖7，但其中添加抽取件300)來達成在掃描方向之改變期間通過氣刀朝向彎液面之小滴之(量及)大小的顯著減少。該抽取件可經定位成鄰近於氣刀61之開口，其遠離於浸沒空間11。應瞭解，本文中論述之圖7所描繪之配置的變化亦可應用於圖8所描繪之實施例。
額外抽取件可防止氣刀之飽和(或破裂)。因此，氣刀可保持其在阻擋小滴到達彎液面方面之有效性(亦即，其所.要小滴阻止能力)。舉例而言，當進行掃描方向之改變時，額外抽取件可移除氣刀所收集(或集驅(bulldozer))之浸沒液體。所抽取之浸沒液體的量可極小，但足以防止使氣刀超載。在此情形中，氣刀必須集驅浸沒液體或推動經收集浸沒液體。此情形可能需要使氣刀流動大於通過在含有浸沒液體之空間之邊緣處之抽取件的流動。額外抽取件300之提供可防止此情形，使得氣刀流動不必如此大。
可藉由鄰近於一氣刀元件之一狹長開口或複數個開口302提供額外抽取件300，該氣刀元件係結合在含有浸沒液體之空間之邊緣處之抽取件而使用。舉例而言，額外抽取件之一或多個開口302可鄰近於氣刀60之狹長孔隙61。在用於抽取之開口之兩個線與氣刀元件之線之間的分離度可在圍繞含有浸沒液體之空間的所有部位處實質上相同。
如圖9所示，最接近於氣刀元件60的鄰近於該氣刀元件之用於額外抽取件300之開口302之邊緣301可以相對於流體處置結構12之表面51的傾斜角α予以提供，流體處置結構12之表面51介於第一線與第二線之間且超出鄰近於該氣刀元件之開口。在此配置中，鄰近於氣刀之開口的寬度隨著與表面相隔之距離而縮減。
在一實施例中，開口302之邊緣301相對於流體處置結構12之表面51的角度α係選自10°至60°或10°至45°之範圍，或理想地為20°。用於額外抽取件300之開口302之成角度邊緣301的提供可為有益的，此係因為其使開口302之邊緣能夠儘可能地接近於氣刀元件60之孔隙61之邊緣。然而，同時，可確保將孔隙61與提供額外抽取件300之通路分離之壁303的厚度不會薄得產生額外製造問題。
氣刀元件60之狹長孔隙61之最近邊緣與用於額外抽取件300(即，鄰近於氣刀元件60)之狹長開口或複數個開口301之最近邊緣的分離度可選自0.25毫米至0.75毫米之範圍，理想地為0.5毫米。一般而言，額外抽取件300之一或多個開口可儘可能地接近於氣刀元件60之孔隙61。此情形可最小化可藉由鄰近於氣刀的較小之小滴之合併形成之液體小滴的大小。此情形又可減少可傳遞通過氣刀60之小滴的大小，從而減少當小滴碰撞彎液面時氣泡形成於浸沒液體中之可能性。然而，如上文所提及，對最小化分離度之想望必須平衡於在將額外抽取件300之開口與氣刀元件60之孔隙61分離之壁303變得過小時於製造流體處置結構12之程序中可能引入的困難。
額外抽取件300之開口302的寬度可(例如)選自30微米至200微米或100微米至150微米之範圍。
在如圖7及圖8所描繪之實施例中，提供控制器63以控制通過用以形成氣刀60之在第二線中之孔隙61的氣體流率。在一實施例中，控制器63亦可控制通過在第一線中之開口50的氣體流率。控制器63可控制過壓源64(例如，泵)及/或負壓源65(例如，泵，可能為與提供過壓之泵相同的泵)。控制器63可連接至一或多個適當流動控制閥，以便達成所要流率。該控制器可連接至用以量測所抽取之流率的與一或多個開口50相關聯之一或多個二相流率計、用以量測所供應之氣體流率的與孔隙61相關聯之流率計，或此兩者。2009年6月30日申請之美國專利申請案第US 61/213,657號中描述用於二相流量計之適當配置，該案之全文以引用之方式併入本文中。
在一實施例中，如圖8所描繪，額外抽取件300之一或多個開口302可連接至負壓源305(例如，泵，可能為與提供過壓源64及負壓源65中之一者或此兩者之泵相同的泵)。如圖8所示，可藉由與用以控制過壓源64及/或負壓源65之控制器相同的控制器63來控制用於額外抽取件300之負壓源305。同樣地，控制器63可連接至如上文之一或多個適當流動控制閥及/或流率計，以便達成所要流率。亦應瞭解，可針對負壓源65、305及過壓源64中之一或多者提供分離控制器。
在一實施例中，控制器63經組態成使得來自狹長孔隙61之氣刀60的流率以及通過一或多個開口50及額外抽取件300之一或多個開口302的抽取係使得來自氣刀元件60之氣流實質上垂直於在第一線與第二線之間的流體處置結構之表面。舉例而言，此情形可藉由使通過在第一線中之一或多個開口50的抽取率平衡於通過額外抽取件300之一或多個開口302的抽取率且使總抽取平衡於氣刀元件60之氣流而達成。
控制氣體流率以使得來自氣刀元件60之氣流垂直於或相對地垂直於流體處置結構之表面且因此垂直於或相對地垂直於基板台WT及/或基板W之對置表面可針對該氣刀元件之給定氣體流率而改良該氣刀元件之效能。此情形又可增加可使用之掃描率。
在一配置中，離開用以形成第一氣刀元件60之在第二線中之孔隙61的氣體流率可小於或等於每分鐘100公升，例如，每分鐘75公升或更少。通過在第一線中之一或多個開口50所抽取的氣體流率可小於或等於每分鐘75公升，例如，每分鐘50公升。額外抽取件300之氣體流率可(例如)較高，此係因為其將僅抽取少量液體。舉例而言，額外抽取件300之氣體流率可為大約每分鐘75公升。
氣刀理想地足夠接近於開口50以橫越氣刀與開口50之間的空間產生壓力梯度。理想地，不存在停滯區(stagnant zone)，在該停滯區中，液體層(亦即，液體膜)或液體小滴可積聚於(例如)流體處置結構12下方。在一實施例中，通過開口50之氣體流率可耦合至通過狹長孔隙61之氣體流率，如2009年9月3日申請之美國專利申請案第US 61/239,555號及美國專利申請公開案第US 2007-0030464號中所描述，該兩案之全文各自以引用之方式併入本文中。因此，可自孔隙61至開口50實質上向內引導氣體率。在通過開口50之氣體流率與通過孔隙61之氣體流率相同的情況下，流率可被稱作「平衡」。當在一個方向上掃描時，平衡氣流可為理想的，此係因為其最小化液體殘餘物(例如，膜)之厚度。
在一實施例中，當在第一方向上掃描時，通過在第一線中之開口50的氣體流率及通過在第二線中之孔隙61的氣體流率可在流體處置結構12之一側上平衡，在該第一方向上，與該流體處置結構相對置之表面行進成遠離於彎液面。當在相反方向上行進時，氣刀60之氣體流率可平衡於通過在第一線中之開口50之抽取氣體流率與通過額外抽取件300之抽取氣體流率的總和。
如本文中在別處所描述，開口50可經配置以形成任何封閉形狀，在一非限制性清單中，該形狀可包括(例如)四邊形(諸如平行四邊形、斜方形、矩形、正方形)或橢圓形(諸如圓形)。在每一情況下，用於氣刀60之孔隙61可具有與藉由開口50形成之形狀實質上類似的形狀。在本發明之一實施例中，一狹長開口可代替複數個開口50而提供於第一線中，以用於將液體自空間抽取至流體處置結構中。藉由一或多個開口50形成之形狀之邊緣與藉由孔隙61形成之形狀之邊緣之間的分離度係在前述範圍內。在一實施例中，理想地，分離度恆定。
一般而言，應瞭解，在一實施例中，流體處置結構12之配置可經組態以便確保額外抽取件300之效能儘可能地高或最大化，即，其在鄰近於氣刀60抽取液體時有效。如上文所論述，此情形可藉由確保通過額外抽取件300之抽取流體流足夠高而達成。或者或另外，此情形可藉由確保額外抽取件300儘可能地接近於氣刀元件60之孔隙61之邊緣而達成。或者或另外，此情形可藉由確保通過氣刀元件60之氣流足夠高以使得存在向外(即，在額外抽取件300之方向上)之徑向氣流而達成。或者或另外，此情形可藉由如下方式而達成：在儘可能地低之飛行高度下操作流體處置結構12，其考量該流體處置結構及微影裝置之操作的其他限制，即，確保流體處置結構12之下部表面51儘可能地接近於基板W及/或基板台WT之表面。
圖10以橫截面示意性地描繪為圖7所描繪之配置之發展的流體處置結構之部分。在含有液體之空間11與在流體處置結構外部(例如，在流體處置結構外部之周圍氛圍中)之區域之間的邊界處，可以上文所論述之方式配置一或多個開口50及孔隙61。一或多個開口50可配置於第一線中以用於將液體自空間抽取至流體處置結構中。孔隙61可提供於第二線中且經配置以形成氣刀元件。來自氣刀之氣體可迫使液體朝向在第一線中之開口50。
一或多個開口71可提供於第三線或小滴線中，第三線或小滴線比第一線及第二線更遠離於浸沒液體。第二氣刀元件係藉由配置於第四線或小滴刀線中之孔隙72形成。(在一配置中，孔隙72具有複數個孔隙72)。第四線經配置成比第三線更遠離於含有浸沒液體之空間11。可主要向內引導通過第二氣刀元件之氣流，使得大部分氣流傳遞通過開口71。在一配置中，通過一或多個開口71之氣流與通過第二氣刀元件之孔隙72之氣流平衡。
此配置之流體處置結構包括結合第一複數個開口50而操作之第一氣刀元件。此組合執行浸沒液體之主要抽取。
流體處置結構具有搭配開口71之第三線而操作的第二氣刀元件。已發現一或多個開口與關聯氣刀之額外組合的提供係出乎意料地有益。
諸如圖7所描繪之配置的配置(具有單一氣刀元件，及開口之單一關聯線)可使液體殘餘物留存於基板W及/或基板台WT之表面上。該液體殘餘物可以一液體膜或複數個小滴之形式。不久，該膜可能會破裂成複數個小滴。該等小滴可能會成長為較大之小滴，且可能會變得不可接受地大。如本文中所解釋，當對於對向表面之一部分的掃描速率超過其臨界掃描速率時，可能會留存液體殘餘物。舉例而言，當對於具有連續接觸角之表面的掃描速率增加超出對於該表面之臨界掃描速率時，可能會發生留存液體殘餘物的情形。液體殘餘物可能會留存於一表面之一部分之部位(其中接觸角改變)中，因此，對於該部分之臨界掃描速率縮減，因此，掃描速率超過臨界掃描速率(即使掃描速率恆定)。舉例而言，在液體彎液面穿越一特徵之一邊緣的時刻，此部分可為該特徵之該邊緣，諸如基板、擋板部件、感測器或感測器目標之邊緣。
在氣刀元件係藉由至氛圍壓力之連接(例如，藉由連接至氛圍且位於氣刀元件與開口50、71之間的空間)而自開口50、71之線去耦的配置中，可能會發生另外問題。液體可積聚於氣刀元件與開口之間，從而產生較大之小滴。當相對於投影系統PS及流體處置結構的自基板W及/或基板台WT之移動方向改變時，此等較大之小滴可碰撞浸沒液體之前進彎液面。小滴與彎液面之碰撞可導致氣體夾雜，從而產生可較小或較大之氣泡。此外，由碰撞導致的彎液面之干擾亦可形成氣泡。氣泡之形成係不良的。本文中所描述之配置可有助於減少以上問題或其他問題中之一或多者。
在流體處置結構中提供兩個氣刀元件及用於抽取之關聯開口會准許出於每一組合之特定目的而選擇每一組合之程序控制參數的設計及/或設定，其可為不同的。離開形成第一氣刀之在第二線中之孔隙61的氣體流率可小於離開形成第二氣刀元件之在第四線中之孔隙72的氣體流率。
在一配置中，可能需要使針對第一氣刀元件之氣體流率相對較低，此係因為：如上文所解釋，通過在第一線中之複數個開口50的流處於二相，其具有顯著量之液體。若通過在第二線中之孔隙61及在第一線中之複數個開口50的流率為不穩定的二相流動型態(例如，流率可能過高)，則二相流動可導致力變化(例如，振動)，此情形係不良的。另一方面，通過在第二線中之孔隙61及/或在第一線中之複數個開口50的流動型態愈穩定(例如，流率愈低)，則以基板W及/或基板台WT相對於投影系統PS及流體處置結構之給定移動速率經過氣刀元件的浸沒液體之洩漏愈大。因此，在單一氣刀配置中之氣體流率基本上為在此兩種相衝突需求之間的折衷。
在流體處置結構中提供第二氣刀元件及關聯抽取件有益地使較低流率能夠用於第一氣刀元件。可使用第二氣刀元件以移除傳遞超出第一氣刀元件之液體小滴。此外，通過在第四線中之孔隙72及在第三線中之一或多個開口71的氣體流率可相對較高。此係因為流主要為氣體。有益地，此增加之流率改良自基板W及/或基板台WT之表面移除液體小滴的效能。
在一配置中，離開用以形成第一氣刀元件之在第二線中之孔隙61的氣體流率可小於或等於每分鐘100公升，理想地小於或等於每分鐘75公升，理想地為大約每分鐘50公升或更少。在一特定配置中，離開用以形成第二氣刀元件之在第四線中之孔隙72的氣體流率可大於或等於每分鐘60公升，理想地大於或等於每分鐘100公升，理想地為大約每分鐘125公升或更多。
儘管諸如圖10所描繪之配置的配置可有益地減少可積聚於在第一線中之一或多個開口50與在第三線中之一或多個開口71之間的液體，但該配置可能不消除此液體之積聚。因此，可在本發明之一實施例中提供圖11示意性地所描繪之流體處置結構。如所描繪，該配置對應於圖10所描繪之配置，但包括鄰近於第一氣刀元件60之狹長孔隙61的額外抽取件300。如同圖8所描繪之配置，額外抽取件300可防止大液體小滴鄰近於第一氣刀元件60而積聚(特別是當反轉基板台WT及/或基板W相對於流體處置結構之掃描方向時)。上文關於圖8及圖10所論述之配置的變化適用於包括圖11所描繪之額外抽取件300的配置。
提供控制器73(其可與上文所論述之控制器63相同)以控制通過孔隙72之氣體流率。控制器73亦控制通過一或多個開口71之氣體流率。控制器73可控制過壓源74(例如，泵)及/或負壓源75(例如，泵，可能為與提供過壓之泵相同的泵)。可存在連接至控制器73且藉由控制器73控制之一或多個適當控制閥，以便提供所要流率。該控制器可基於流量量測來控制該等閥，該等流量量測係藉由經配置以量測通過一或多個開口71之流量的一或多個二相流量計、經配置以量測通過孔隙72之流量的一或多個流量計或此兩者供應。此配置可類似於用於與第一線及第二線相關聯之流動組件的配置。
控制器63、73中之一者或此兩者可經組態以與關聯氣刀之氣體流率成比例地控制通過開口50、302、71之氣流。在一實施例中，通過氣刀之氣體流率與通過關聯開口50、302、71之總流率相差高達20%或高達10%。在一實施例中，可控制通過開口50、302、71之氣體流率以匹配於通過關聯之一或多個孔隙61、72之氣流。在一實施例中，通過第二氣刀之狹長孔隙72的氣體流率可匹配於通過開口71之氣體流率，例如，與通過開口71之氣體流率實質上相同。類似地，通過第一氣刀60之狹長孔隙61的氣體流率可匹配於通過第一氣刀60上之任一側上的開口50、302之一或兩個集合的氣體流率，如上文關於圖8所描繪之配置之論述所論述。
應瞭解，圖8、圖9及圖11所描繪的本發明之實施例之配置可包括若干變化。
在一實施例中，控制器63、73可控制任一氣刀或兩個氣刀之啟動，使得當需要氣刀或可能需要氣刀時其係在作用中的。換言之，可在適當預定條件下切斷氣刀。舉例而言，對於當前在彎液面下方或接近彎液面之表面，可在掃描速率確實地低於臨界速率時切斷氣刀，且在掃描速率高於或很可能高於臨界速率時接通氣刀。舉例而言，當基板之中心部分在流體處置結構12下方移動時，可切斷該等氣刀中之一者或此兩者。接觸角遍及基板之此部分恆定，且針對該部分之臨界掃描速率可足夠高以使得其不會被超過。在空間之彎液面移動遍及一邊緣(例如，基板、感測器、擋板部件或感測器目標之邊緣)之前、期間及/或之後，該等氣刀元件中之一者或此兩者可為操作的。
可配置一或多個開口71及孔隙72所沿著之第三線及第四線可通常遵循形成一或多個開口50及孔隙61所沿著之第一線及第二線。在一實施例中，藉由一或多個開口71形成之形狀不同於藉由一或多個開口50形成之形狀。可能需要使第三線與第四線(例如，在一實施例中，第一線至第四線)平行，使得在該等線之間存在恆定分離度。
在一實施例中，用以在需要時形成第二氣刀元件之在第四線中之孔隙72可具有與參考在第二線中之孔隙61所描述之特徵相同的特徵。如同第一氣刀元件之孔隙61，孔隙72可形成為單一隙縫或形成為複數個狹長孔隙。
在需要時，在第三線中之一或多個開口71可形成為單一狹長隙縫或形成為複數個狹長開口。
在一實施例中，流體處置結構之下部表面51可經配置成使得該下部表面之外部部分51a延伸成遠離於在第四線中之孔隙72。
在圖11所描繪之實施例中，凹座80提供於流體處置結構之下部表面51中。凹座80可提供於在第二線與第三線之間的第五線或凹座線中。在一實施例中，凹座80經配置成使得其平行於第一線至第四線中之任一者，理想地至少平行於第二線、第三線或此兩者。
凹座80可包括一或多個開口81，一或多個開口81係藉由氣體導管82連接至諸如周圍氛圍之氛圍，例如，連接至在流體處置結構外部之區域。凹座80理想地在連接至外部氛圍時可起作用以使第一氣刀元件及在第一線中之關聯之一或多個開口50自第二氣刀元件及在第三線中之關聯之一或多個開口71去耦。凹座80去耦位於任一側之組件的操作；因此，使自該凹座徑向地向內之特徵自徑向地向外之特徵去耦。
在凹座80之任一側上，可存在流體處置結構之下部表面51之各別部分51b、51c。各別部分51b、51c可分別使凹座80之邊緣與在第三線中之一或多個開口71之邊緣及在第二線中之孔隙61之邊緣分離。(應注意，孔隙61及一或多個開口71之此等邊緣不為第二線及第三線，此係因為該等線穿過該等開口之橫截面的中心；該等邊緣因此遠離於該線)。結合基板W及/或基板台WT之表面，在凹座80之任一側上的流體處置結構之下部表面51之部分51b、51c可充當各別阻尼器。此阻尼器可輔助確保來自第一氣刀及第二氣刀之氣流流動朝向各別開口50、71。在一實施例中，表面51b、51c中之一者或此兩者可充當阻尼器。
為了有助於減少液體收集於凹座80內之可能性，該凹座可具備無尖銳邊緣之形狀。表面可為平滑圓形。尖銳邊緣係不良的，此係因為可能容易收集液體。舉例而言，凹座80之形狀可經組態成使得在圍繞該凹座之表面之任何點處的最小曲率半徑為至少0.1毫米，理想地大於0.2毫米。
在一實施例中，流體處置結構可在流體處置結構之下部表面51中包括一或多個開口，一或多個開口係藉由氣體導管連接至諸如周圍氛圍之氛圍，例如，連接至在流體處置結構外部之區域。舉例而言，可向未併有諸如上文所描述之凹座之凹座的實施例提供連接至氛圍之此等開口。可使用此配置以使第一氣刀及在第一線中之關聯之一或多個開口50自第二氣刀元件及在第三線中之關聯之一或多個開口71去耦。
如上文所論述，收集於流體處置結構之下部表面51上(特別是在第二線中之孔隙61與在第三線中之一或多個開口71之間)的液體可為不良的。當基板W及基板台WT相對於投影系統及流體處置結構之相對移動方向改變時，經收集液體可導致問題。在一實施例中，包括本文中所描述之流體處置結構的微影裝置可包括控制器PWC，控制器PWC經配置以控制定位器PW之致動器系統，定位器PW經組態以移動基板台WT及被固持於其上之基板W。
控制器PWC可經組態成使得若基板台WT相對於投影系統PS之速率高於特定速度，則採取步驟以減少如上文所論述的可由經收集液體導致之問題。速率可經選擇以對應於第一氣刀元件(例如)相對於對向表面之一部分的臨界速度，或稍微低於此臨界速度。臨界速度可被認為基板台WT相對於投影系統PS之速度，在該速度下，通過氣刀之浸沒液體洩漏(例如，徑向地向外)超過給定量。應瞭解，此臨界速度可取決於氣刀元件之組態、氣刀元件之氣體流率，及/或在該點處基板及/或基板台WT之表面之性質。
基板台WT相對於投影系統PS之速率可高於給定速率。可能需要改變基板台相對於投影系統之移動方向。在一實施例中，控制器PWC經組態成使得若速率高於給定速率且需要改變基板台之移動方向，則控制器PWC首先將基板台相對於投影系統PS之速率減少至低於給定速率。控制器PWC可接著起始方向改變。因此，在高於(例如)第一氣刀元件之臨界速度的情況下不再發生方向改變，從而最小化或減少由可能已收集於第一氣刀元件與第二氣刀元件之間的浸沒液體導致之問題。
圖12描繪根據本發明之一實施例的流體處置結構。如所展示，此實施例之流體處置結構類似於圖11所描繪之流體處置結構。然而，在此實施例中，不提供連接至氛圍之凹座。取而代之，流體處置結構之下部表面51在形成第一氣刀元件之孔隙61與在第三線中之一或多個開口71之間係連續的。換言之，在此區域中，在流體處置結構12之下部表面51中不存在開口或孔隙。
在此實施例中，通過在第二線中之孔隙61的氣流可平衡於通過在第一線中之一或多個開口50的氣流及通過額外抽取件300之氣流。通過在第四線中之孔隙72的氣流可平衡於通過在第三線中之一或多個開口71的氣流。因此，沒有必要去耦自下部表面51徑向地向內及徑向地向外之此等配置。因此，有益地，無需圖11之凹座80，從而減少液體收集於在第二線中之孔隙61與在第三線中之一或多個開口71之間的空間中之可能性，或減少收集於此區域中之液體的量。在此情況下，在第二線中之孔隙61與在第三線中之一或多個開口71之間的分離度可選自1毫米至4毫米之範圍，例如，為2毫米。
圖13描繪根據本發明之一實施例的流體處置結構。如所展示，此實施例之流體處置結構類似於圖11所描繪之流體處置結構。出於簡潔起見，將論述在該等實施例之間的差異，且應瞭解，上文關於圖11所描繪之實施例所論述的變體亦可適用於圖13所描繪之實施例。
如圖13所示，流體處置結構12之下部表面151可經配置成使得在使用中，在下部表面151之不同部分151a、151b、151c與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度不相同。在一所描繪實施例中，在第一線中之開口50、在第二線中氣刀元件60之孔隙61及額外抽取件之開口302附近的下部表面151之部分151c與基板W及/或基板台WT之間存在分離度D2。在鄰近於在第三線中之一或多個開口71及在第四線中之孔隙72的下部表面之部分151a、151b與基板W及/或基板台WT之間可存在分離度D3。
分離度D2可大於分離度D3。此情形係與圖11所描繪之實施例形成對比，在圖11所描繪之實施例中，流體處置結構之下部表面51係大體上平面的。下部表面可為平面的，惟在第一線至第四線中之開口50、302、71及孔隙61、72以及凹座80之提供除外。因此，對於圖11之實施例，圍繞在第一線至第四線中之開口50、302、71及孔隙61、72的下部表面51之每一部分與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度實質上相同。在另一實施例中，分離度D3可大於分離度D2。
諸如圖13所描繪之配置的配置(即，在對向表面與下部表面151之間具有不同距離之配置)可為有益的，此係因為各種因素影響在流體處置結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的最佳分離度。舉例而言，可能需要使在圍繞在第一線中之一或多個開口50的流體處置結構之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度儘可能地大。此情形可減少或最小化當小滴碰撞彎液面時形成氣泡的機率。此情形可(例如)在基板W及/或基板台WT之掃描方向之改變期間發生。
然而，可能需要最小化在圍繞用以形成第二氣刀之在第四線中之孔隙72的流體處置結構12之下部表面151之間的分離度。舉例而言，分離度愈小，則可能需要之流率愈低，及/或孔隙72可愈寬，以便提供有效乾燥。
因此，流體處置結構12之下部表面151可經配置使得圍繞第一線之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度不同於圍繞第四線之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度。因此，有可能改良流體處置結構之兩個部分的效能，而非選擇在下部表面151之所有部分與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的單一或實質上恆定分離度。可避免對在兩種相衝突要求之間的折衷之需要。
在一實施例中，在本發明之實施例中之任一者的流體處置結構12之下部表面51、151、251與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度可選自50微米至250微米之範圍。
在一實施例(諸如圖13所描繪之實施例)中，在圍繞在第一線中之一或多個開口50之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度D2可選自130微米至250微米之範圍，或180微米至250微米之範圍，理想地為大約230微米。在一實施例(諸如圖13所描繪之實施例)中，在鄰近於用以形成第二氣刀之在第四線中之孔隙72之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度D3可選自50微米至180微米之範圍，理想地為大約130微米。
然而，應瞭解，在流體處置結構之下部表面151之不同部分與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的最佳分離度可取決於基板W及/或基板台WT之上部表面之性質。舉例而言，在一非限制性清單中，相關因素可為：與液體所成之後退接觸角、基板W及/或基板台WT之掃描速率，及氣刀元件中之至少一者之流率。
如本文中所提及，可能需要最佳化(例如，最大化)在圍繞在第一線中之一或多個開口50之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度D2。然而，應進一步瞭解，可存在最大實務分離度。在超出可使用之最佳(例如，最大)實務分離度的情況下，液體洩漏可能會變得過多。
如圖13所描繪，圍繞在第二線中之孔隙61(用以形成第一氣刀60)及額外抽取件300之開口302的流體處置結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度可相同於圍繞在第一線中之一或多個開口50之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度。然而，應瞭解，並非需要為此情況。
如圖13所描繪，鄰近於在第四線中之孔隙72(用以形成第二氣刀)的流體處置結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度可相同於鄰近於在第三線中之一或多個開口71的流體處置結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度。因此，此配置可允許減少(例如，最小化)在鄰近於在第三線中之一或多個開口71的流體處置結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度。此情形可輔助確保抽取儘可能地有效。然而，並非需要為此情況。
圖14描繪根據本發明之一實施例的流體處置結構12。如所展示，流體處置結構12類似於圖12所描繪之流體處置結構12。本實施例之流體處置結構不包括凹座80。然而，在此實施例之流體處置結構與圖12所示之實施例之間存在類似於在圖13所描繪之流體處置結構與圖10所描繪之流體處置結構之間的差異的差異。
流體處置結構12之下部表面251之不同部分251a、251b、251c可經配置成使得至少一部分在使用中具有與基板W及/或基板台WT之上部表面的不同分離度。在鄰近於一或多個開口50的流體處置結構12之下部表面251與對向表面之上部表面之間的分離度D2可大於在鄰近於孔隙72的流體處置結構12之下部表面251與對向表面之上部表面之間的分離度D3。本文中(例如)關於圖12及圖13所描繪之實施例所描述的每一變化均適用於圖14所描繪之實施例。
在圖14所描繪之實施例中，流體處置結構12之下部表面251可經配置成使得在基板W及/或基板台WT之上部表面與下部表面251之間的分離度差在孔隙61與一或多個開口71之間的區域中改變。在下部表面251與對向表面之間的分離度可在第二線與第三線之間變化。分離度可自第二線至第三線改變(例如，縮減)。然而，一般而言，分離度改變可提供於在一或多個開口51與孔隙72之間的區域中之任一者或全部中。在下部表面251與對向表面之間的分離度可在第一線與第四線之間改變(例如，縮減)。
應瞭解，如上文所描述，流體處置結構12之下部表面251可經配置成使得不存在可經積聚有液體之尖銳隅角。下部表面在第一線與第二線、第二線與第三線、第三線與第四線及在鄰近線之間的表面之任何組合之間可為實質上連續的。流體處置結構之下部表面251可經配置成使得該表面上之任何點處的最小曲率半徑為至少0.1毫米，理想地大於0.2毫米。
儘管已參考作為二相抽取器進行操作之一或多個開口50、302、71的使用，但在基於本文中所描述之變化中之任一者的實施例中，在第一線或第四線或額外抽取件300中之一或多個開口可藉由多孔部件或微篩(比如美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所描述之多孔部件或微篩，該案之全文以引用之方式併入本文中)替換。每一多孔部件可操作以在單相或雙相流體流中抽取液體。在一實施例中，氣流可經引導成徑向地向內，但代替地若通過多孔部件被抽取，則氣流可藉由位於氣體供應孔隙與多孔部件之間的氣體抽取開口加以抽取。在此實施例中，氣流有助於減少藉由氣刀元件留存於對向表面上之殘餘液體。因此，可在此配置中實施本發明之一實施例，從而達成與藉由上文所描述之實施例達成之益處類似的益處。應瞭解，上文所描述之特徵中的任一者均可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所涵蓋的明確地所描述之該等組合。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
在下文中藉由以下條項來描述本發明之實施例：條項1　一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區域的一邊界處順次地具有：一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口係配置於一第一線中，該第一線在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一氣刀元件，該氣刀元件具有在一第二線中之一狹長孔隙；及一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口鄰近於該氣刀元件。
條項2　如條項1之流體處置結構，其中：該第一線及該第二線環繞經組態以含有該浸沒流體之該空間；沿著該氣刀元件之長度而提供鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口；且在該第一線、該第二線與鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口之間的各別分離度在圍繞經組態以含有該浸沒流體之該空間的所有部位處實質上相同。
條項3　如條項1或2之流體處置結構，其中鄰近於該氣刀元件的該狹長開口或該複數個開口之最近邊緣與該氣刀元件之該狹長孔隙之最近邊緣的一分離度係選自0.25毫米至0.75毫米之範圍，理想地為0.5毫米。
條項4　如條項1至3中任一項之流體處置結構，其中鄰近於該氣刀元件之該開口為一狹長開口。
條項5　如條項4之流體處置結構，其中鄰近於該氣刀元件之該開口的寬度係選自30微米至200微米或100微米至150微米之範圍。
條項6　如條項4或5之流體處置結構，其中最接近於該氣刀元件的鄰近於該氣刀元件之該開口之該邊緣係以相對於該流體處置結構之表面的一傾斜角予以提供，該流體處置結構之該表面介於該第一線與該第二線之間且超出鄰近於該氣刀元件之該開口，使得鄰近於該氣刀之該開口的該寬度隨著與該表面相隔之距離而縮減。
條項7　如條項6之流體處置結構，其中鄰近於該氣刀元件之該開口之該邊緣相對於該流體處置結構之該表面的該角度係選自10°至60°或10°至45°之範圍，或理想地為20°。
條項8　如條項1至7中任一項之流體處置結構，其中鄰近於該氣刀元件之該開口係藉由一多孔材料覆蓋。
條項9　如條項1至8中任一項之流體處置結構，其中在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口及鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口為用於將一氣體及/或液體傳遞至該流體處置結構中之入口。
條項10　如條項1至9中任一項之流體處置結構，其中在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口在使用中連接至一負壓源，且鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口在使用中連接至一負壓源。
條項11　如條項10之流體處置結構，其進一步包含一控制器，該控制器係連接至或可連接至經連接至在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口的該負壓源，及/或係連接至或可連接至經連接至鄰近於該氣刀之該狹長開口或該複數個開口的該負壓源，該控制器經組態以控制該至少一負壓源，使得通過在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口及/或鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口的氣體流率係使得在使用中來自具有在該第二線中之一狹長孔隙之該氣刀元件的氣流實質上垂直於在該第一線與該第二線之間的該流體處置結構之該表面。
條項12　如條項1至11中任一項之流體處置結構，其中除了鄰近於具有在該第二線中之一狹長孔隙之該氣刀元件的該狹長開口或該複數個開口以外，該流體處置結構在該邊界處進一步順次地具有：一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口處於一第三線中；及一第二氣刀元件，該第二氣刀元件具有在一第四線中之一狹長孔隙。
條項13　如條項12之流體處置結構，其中該第一線至該第四線順次地環繞經組態以含有該浸沒流體之該空間；且在該等各別線之間的分離度在圍繞經組態以含有該浸沒流體之該空間的所有部位處實質上相同。
條項14　如條項12或13之流體處置結構，其中在該第三線中之該狹長開口或該複數個開口為用於將一氣體及/或液體傳遞至該流體處置結構中之入口。
條項15　如條項12至14中任一項之流體處置結構，其中在該第三線中之該狹長開口或該複數個開口在使用中連接至一負壓源，且該流體處置結構進一步包含一控制器，該控制器係連接至或可連接至該負壓源，該控制器經組態以控制該負壓源，使得通過在該第三線中之該狹長開口或該複數個開口的氣體流率大於或等於離開用以形成該氣刀之在該第四線中之該孔隙的氣體流率。
條項16　如條項12至15中任一項之流體處置結構，其中在該第二線及該第四線中之該等孔隙在使用中連接至一氣體供應件，且該流體處置結構進一步包含一控制器，該控制器係連接至或可連接至該氣體供應件，該控制器經組態以控制該氣體供應件，使得離開用以形成該氣刀之在該第四線中之該孔隙的氣體流率大於離開用以形成該氣刀之在該第二線中之該孔隙的氣體流率。
條項17　如條項12至16中任一項之流體處置結構，其進一步包含一下部表面，該下部表面在使用中大體上平行於一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之一上部表面，且在該第一線至該第四線中之該等開口及該等孔隙形成於該下部表面中。
條項18　如條項17之流體處置結構，其中在使用中，圍繞在該第一線至該第四線中之該等開口及該等孔隙的該下部表面之區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度實質上相同。
條項19　如條項17之流體處置結構，其中在使用中，圍繞在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口的該下部表面之該區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度大於圍繞在該第四線中之該孔隙的該下部表面之該區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度。
條項20　如條項17至19中任一項之流體處置結構，其中該流體處置結構在該下部表面中包含一凹座，該凹座係配置於在該第二線與該第三線之間的一第五線中。
條項21　如條項20之流體處置結構，其中該凹座包含至少一開口，該至少一開口係藉由一氣體導管連接至在該流體處置結構外部之該區域。
條項22　一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在浸沒液體在使用中受限制至之一空間至在該流體處置結構外部之一區域的一邊界處順次地具有：一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口係用以抽取流體且配置於一第一線中，該第一線在使用中經引導朝向(例如)一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之一對向表面；用於一氣刀之一狹長孔隙，用於該氣刀之該狹長孔隙處於一第二線中；一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口係用以抽取液體且鄰近於用於該氣刀之該狹長孔隙而形成。
條項23　如條項22之流體處置結構，其中在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口係將該浸沒液體之一彎液面牽制於該空間中。
條項24　一種微影裝置，其包含一如前述條項中任一項之流體處置結構。
條項25　一種元件製造方法，其包含：將一浸沒液體提供至在一投影系統之一最終器件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終器件與該基板及/或該基板台之間擷取浸沒液體；藉由通過形成一氣刀之在一第二線中之一孔隙供應氣體而迫使浸沒液體朝向在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口；通過一狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體，該狹長開口或該複數個開口鄰近於該氣刀且處於與在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口相對置的該氣刀之側上。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文中所描述之控制器可各自或組合地為可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。
本發明之一或多個實施例可適用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型，且無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是未受限制的。在一未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒流體或其可能提供浸沒液體限制之比例，但未提供浸沒液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文中所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流動之一或多個開口的組合。該等開口可各自為通向浸沒空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或離開浸沒空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵的一或多個器件。在一實施例中，浸沒液體可為水。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11．．．在投影系統PS之最終器件與對向表面(例如，基板台WT或基板W)之間的空間
12．．．液體限制結構/流體處置結構
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口/彎液面牽制配置
15．．．氣體入口/彎液面牽制配置
16．．．氣體密封件/彎液面牽制配置
50．．．離散開口
51．．．流體處置結構之下部表面
51a．．．下部表面51之外部部分
51b．．．下部表面51之部分
51c．．．下部表面51之部分
52．．．隅角
54．．．彎曲邊緣或側
55．．．通道
60．．．氣刀/氣刀元件
61．．．孔隙
63．．．控制器
64．．．過壓源
65．．．負壓源
71．．．開口
72．．．孔隙
73．．．控制器
74．．．過壓源
75．．．負壓源
80．．．凹座
81．．．開口
82．．．氣體導管
90．．．彎液面
100．．．自流體處置結構外部至與開口50相關聯之通道55中之氣體流動
110．．．主軸/掃描方向
120．．．主軸/步進方向
150．．．自空間至開口50中之液體傳遞
151．．．流體處置結構12之下部表面
151a．．．下部表面151之不同部分
151b．．．下部表面151之不同部分
151c．．．下部表面151之不同部分
251．．．流體處置結構12之下部表面
251a．．．下部表面251之不同部分
251b．．．下部表面251之不同部分
251c．．．下部表面251之不同部分
300．．．額外抽取件
301．．．開口302之邊緣
302．．．開口
303．．．將額外抽取件300之開口與氣刀元件60之孔隙61分離之壁
305．．．負壓源
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化元件對準標記
M2．．．圖案化元件對準標記
MA．．．圖案化元件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
PWC．．．控制器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪用於微影投影裝置中之液體供應系統；
圖4描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖5描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖6為根據本發明之一實施例的彎液面牽制系統以平面圖之示意性說明；
圖7部分地沿著圖6中之線VII-VII且在實質上垂直於在流體處置結構下方之表面的平面中以橫截面描繪用於本發明之一實施例中的彎液面牽制系統；
圖8在實質上垂直於在流體處置結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一實施例的流體處置結構之部分；
圖9在實質上垂直於在流體處置結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處置結構之部分；
圖10在實質上垂直於在流體處置結構下方之表面的平面中以橫截面描繪流體處置結構之部分；
圖11在實質上垂直於在流體處置結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處置結構之部分；
圖12在實質上垂直於在流體處置結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處置結構之部分；
圖13在實質上垂直於在流體處置結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處置結構之部分；及
圖14在實質上垂直於在流體處置結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處置結構之部分。
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化元件對準標記
M2．．．圖案化元件對準標記
MA．．．圖案化元件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
PWC．．．控制器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (15)

  1. 一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區域的一邊界處順次地具有：一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口係配置於一第一線中，該第一線在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一氣刀元件，該氣刀元件具有在一第二線中之一狹長孔隙；及一鄰近於該氣刀元件之狹長開口或複數個開口，用以抽取氣體及浸沒流體。
  2. 如請求項1之流體處置結構，其中：該第一線及該第二線環繞經組態以含有該浸沒流體之該空間；沿著該氣刀元件之長度而提供鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口；且在該第一線、該第二線與鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口之間的各別分離度在圍繞經組態以含有該浸沒流體之該空間的所有部位處實質上相同。
  3. 如請求項1或2之流體處置結構，其中鄰近於該氣刀元件之該開口為一狹長開口。
  4. 如請求項3之流體處置結構，其中最接近於該氣刀元件的鄰近於該氣刀元件之該開口之邊緣係以相對於該流體處置結構之表面的一傾斜角予以提供，該流體處置結構 之該表面介於該第一線與該第二線之間且超出鄰近於該氣刀元件之該開口，使得鄰近於該氣刀之該開口的寬度隨著與該表面相隔之距離而縮減。
  5. 如請求項1或2之流體處置結構，其中鄰近於該氣刀元件之該開口係藉由一多孔材料覆蓋。
  6. 如請求項1或2之流體處置結構，其中在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口及鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口為用於將一氣體及/或液體傳遞至該流體處置結構中之入口。
  7. 如請求項1或2之流體處置結構，其中在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口在使用中連接至一負壓源，且鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口在使用中連接至一負壓源。
  8. 如請求項7之流體處置結構，其進一步包含一控制器，該控制器係連接至或可連接至經連接至在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口的該負壓源，及/或係連接至或可連接至經連接至鄰近於該氣刀之該狹長開口或該複數個開口的該負壓源，該控制器經組態以控制該至少一負壓源，使得通過在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口及/或鄰近於該氣刀元件之該狹長開口或該複數個開口的氣體流率係使得在使用中來自具有在該第二線中之一狹長孔隙之該氣刀元件的氣流實質上垂直於在該第一線與該第二線之間的該流體處置結構之該表面。
  9. 如請求項1或2之流體處置結構，其中除了鄰近於具有在 該第二線中之一狹長孔隙之該氣刀元件的該狹長開口或該複數個開口以外，該流體處置結構在該邊界處進一步順次地具有：一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口處於一第三線中；及一第二氣刀元件，該第二氣刀元件具有在一第四線中之一狹長孔隙，其中該第一線至該第四線順次地環繞經組態以含有該浸沒流體之該空間；且在該等各別線之間的分離度在圍繞經組態以含有該浸沒流體之該空間的所有部位處實質上相同。
  10. 如請求項9之流體處置結構，其中在該第三線中之該狹長開口或該複數個開口在使用中連接至一負壓源，且該流體處置結構進一步包含一控制器，該控制器係連接至或可連接至該負壓源，該控制器經組態以控制該負壓源，使得通過在該第三線中之該狹長開口或該複數個開口的氣體流率大於或等於離開用以形成該氣刀之在該第四線中之該孔隙的氣體流率。
  11. 如請求項9之流體處置結構，其中在該第二線及該第四線中之該等孔隙在使用中連接至一氣體供應件，且該流體處置結構進一步包含一控制器，該控制器係連接至或可連接至該氣體供應件，該控制器經組態以控制該氣體供應件，使得離開用以形成該氣刀之在該第四線中之該孔隙的氣體流率大於離開用以形成該氣刀之在該第二線 中之該孔隙的氣體流率。
  12. 一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構自在浸沒液體在使用中受限制之一空間至在該流體處置結構外部之一區域的一邊界處順次地具有：一狹長開口或複數個開口，該狹長開口或該複數個開口係用以抽取流體且配置於一第一線中，該第一線在使用中經引導朝向(例如)一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之一對向表面(facing surface)；用於一氣刀之一狹長孔隙，用於該氣刀之該狹長孔隙處於一第二線中；一用以抽取液體之狹長開口或複數個開口，其鄰近於用於該氣刀之該狹長孔隙。
  13. 如請求項12之流體處置結構，其中在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口係將該浸沒液體之一彎液面牽制於該空間中。
  14. 一種微影裝置，其包含一如請求項1至13中任一項之流體處置結構。
  15. 一種元件製造方法，其包含：將一浸沒液體提供至在一投影系統之一最終器件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終器件與該基板及/或該基板台之間擷取浸沒液體； 藉由通過形成一氣刀之在一第二線中之一孔隙供應氣體而迫使浸沒液體朝向在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口；通過一鄰近於該氣刀之狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體，該鄰近於該氣刀之狹長開口或該複數個開口處於與在該第一線中之該狹長開口或該複數個開口相對置的該氣刀之側上。
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