TWI559073B - 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

流體處置結構，微影裝置及元件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI559073B
TWI559073B TW101123778A TW101123778A TWI559073B TW I559073 B TWI559073 B TW I559073B TW 101123778 A TW101123778 A TW 101123778A TW 101123778 A TW101123778 A TW 101123778A TW I559073 B TWI559073 B TW I559073B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas supply
fluid handling
openings
handling structure
liquid
Prior art date
Application number
TW101123778A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201305714A (zh
Inventor
羅吉爾 漢特李庫斯 馬格達雷納 科提
凱特 尼可拉斯 添
耐可 賈可伯斯 喬漢 羅賽特
米歇爾 瑞潘
亨利克斯 裘塞夫 卡泰恩司
康納利 馬利亞 羅伯茲
金 文森 奧維卡皮
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201305714A publication Critical patent/TW201305714A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI559073B publication Critical patent/TWI559073B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52—Details
    • G03B27/522—Projection optics
    • G03B27/525—Projection optics for slit exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

流體處置結構，微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種流體處置結構、一種微影裝置，及一種用於使用微影裝置來製造元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充在投影系統之最終器件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然 而，另一流體可為合適的，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。由於曝光輻射在液體中將具有較短波長，故此情形之要點係實現較小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為合適的其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸沒於液體浴中(參見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不理想且不可預測之效應。
在浸潤裝置中，藉由流體處置系統、元件結構或裝置來處置浸潤流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸潤流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸潤流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸潤流體之障壁且藉此為障壁部件，諸如，流體限制結構。在一實施例中，流體處置系統可創製或使用氣流，例如，以有助於控制浸潤流體之流動及/或位置。氣流可形成用以限制浸潤流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；此密封 部件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸潤液體用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
若浸潤液體藉由流體處置系統限制至在投影系統下方之表面上之局域化區域，則彎液面延伸於該流體處置系統與該表面之間。若彎液面碰撞表面上之小滴，則此情形可引起在浸潤液體中夾雜氣泡。小滴可出於各種原因而存在於表面上，該等原因包括由於自流體處置系統之洩漏。浸潤液體中之氣泡可(例如)藉由在基板之成像期間干涉投影光束而導致成像誤差。
舉例而言，需要提供一種微影裝置，在該微影裝置中至少縮減氣泡夾雜之可能性。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸潤流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一或多個彎液面牽制特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸潤流體之傳遞；及呈一線性陣列之複數個氣體供應開口，其至少部分地環繞該彎液面牽制特徵且自該彎液面牽制特徵徑向地向外，其中該複數個氣體供應開口經配置以在該線性陣列之每單位長度上供應一實質上均一氣流。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸潤流體之一空間 至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：經配置為呈一線性陣列之複數個氣體供應開口，其至少部分地環繞該空間；及一外部萃取器，其與該線性陣列隔開。
根據一態樣，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：通過受限制至在投影系統之一最終器件與一基板之間的一空間之一浸潤液體而投影一經圖案化輻射光束；及通過呈一線性陣列之複數個氣體供應開口而將氣體提供至鄰近於該浸潤液體之一彎液面之一位置，其中通過該複數個氣體供應開口而提供之該氣體在該線性陣列之每單位長度上具有實質上均一氣流。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化元件MA之第一定位器PM；-支撐台，例如，用以支撐一或多個感測器之感測器台，或經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈基板)W之基板台WT，其連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該台之表面(例如，基板W之表面)之第二定位器PW；及 -投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化元件MA。支撐結構以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化元件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件MA可為透射的或反射的。圖案化元件之實 例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個或兩個以上台(或載物台或支撐件)之類型，例如，兩個或兩個以上基板台，或一或多個基板台與一或多個感測器或量測台之組合。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以相似於基板台、感測器台及量測台之方式並行地使用的兩個或兩個以上圖案化元件台(或載物台或支撐件)。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之零件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體零件，或可為與微影裝置分離之實體。在後者狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件MA而圖案化。在已橫穿圖案化元件MA後，輻射光束B 傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之零件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之零件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分 C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖 案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
用於在投影系統PS之最終器件與基板之間提供液體之配置可分類成三種通用類別。此等類別為浴類型配置、所謂局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板台WT之部分被浸沒於液體浴中。
局域化浸潤系統使用液體供應系統，在液體供應系統中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在彼區域下方移動。圖2至圖7展示可用於此系統中之不同供應元件。存在密封特徵以將液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種已提議以安排此情形之方式。
在全濕潤配置中，液體係未受限制的。基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸潤液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度小。液體可為在基板上之液體膜，諸如，液體薄膜。浸潤液體可供應至投影系統及面對該投影系統之對向表面或供應於該投影系統及該對向表面附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2至圖5之液體供應元件中任一者亦可用於此系統中。然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以其他方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。
如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基 板上，理想地，沿著基板相對於最終器件之移動方向。液體在已傳遞於投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除。隨著在-X方向上於器件下方掃描基板，在器件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在器件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終器件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終器件而定位之入口及出口之各種定向及數目係可能的；圖3中說明一實例，其中圍繞最終器件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。應注意，圖2及圖3中藉由箭頭來展示液體之流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸潤微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上之兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。可在中心具有孔之板中配置入口，且投影光束通過該孔被投影。液體係藉由投影系統PS之一側上之一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上之複數個離散出口被移除，從而在投影系統PS與基板W之間造成液體薄膜之流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意，圖4中藉由箭頭來展示流體及基板之流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統，液體限制結構沿著在投影系統之最終器件與基板台 之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。圖5中說明此配置。
圖5示意性地描繪局域化液體供應系統或流體處置結構12，其沿著在投影系統之最終器件與基板台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。(請注意，另外或在替代例中，除非另有明確陳述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台之表面)。流體處置結構12在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於流體處置結構12與基板W之表面之間，且可為諸如氣體密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件之無接觸密封件。
流體處置結構12使在投影系統PS之最終器件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。對基板W之無接觸密封件16可圍繞投影系統PS之影像場而形成，使得將液體限制於在基板W之表面與投影系統PS之最終器件之間的空間內。空間11係藉由定位於投影系統PS之最終器件下方且環繞投影系統PS之最終器件的流體處置結構12至少部分地形成。藉由液體入口13將液體帶入至在投影系統下方且在流體處置結構12內之空間中。可藉由液體出口13來移除液體。流體處置結構12可延伸至略高於投影系統之最終器件。液體液位上升至高於最終器件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，流體處置結構12具有內部周邊，內部周邊 在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終器件之形狀且可(例如)為圈狀。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀，例如，矩形，但並非需要為此狀況。
可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於流體處置結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係藉由氣體形成。在壓力下經由入口15而將氣體密封件中之氣體提供至在流體處置結構12與基板W之間的間隙。經由出口14而萃取氣體。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流16。氣體對在流體處置結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可連續或不連續。氣流16對於使在空間11中含有液體係有效的。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在一實施例中，流體處置結構12不具有氣體密封件。
圖6說明為液體供應系統之零件之流體處置結構12。流體處置結構12圍繞投影系統PS之最終器件之周邊(例如，圓周)而延伸。
部分地界定空間11之表面中之複數個開口20將液體提供至空間11。液體在進入空間11之前分別通過各別腔室24、26而傳遞通過側壁28中之開口29及側壁22中之開口20。
密封件提供於流體處置結構12之底部與對向表面(例如，基板W或基板台WT或其兩者)之間。在圖6中，密封元 件經組態以提供無接觸密封件且係由若干組件構成。自投影系統PS之光軸徑向地向外，提供延伸至空間11中之(選用)流動控制板51。控制板51可具有開口55以准許流動液體通過開口55；若控制板51在Z方向(例如，平行於投影系統PS之光軸)上位移，則開口55可為有益的。開口180可在面對對向表面(例如，基板W)(例如，與對向表面(例如，基板W)相對)的流體處置結構12之底部表面上自流動控制板51徑向地向外。開口180可在朝向對向表面之方向上提供液體。在成像期間，此情形可有用於藉由將在基板W與基板台WT之間的間隙填充有液體而防止浸潤液體中之氣泡形成。
用以自流體處置結構12與對向表面之間萃取液體之萃取器總成70可自開口180徑向地向外。萃取器總成70可作為單相萃取器或作為雙相萃取器而操作。萃取器總成70充當彎液面牽制特徵。彎液面牽制特徵可在使用時在流體處置結構與對向表面之間界定彎液面。彎液面可為受到流體處置結構限制之液體的外部範圍或邊界，其至少在流體處置結構下方。彎液面牽制特徵牽制仍尚未自空間逸出之液體。
氣刀90可自萃取器總成徑向地向外。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中詳細地揭示萃取器總成及氣刀之配置。
作為單相萃取器之萃取器總成70可包含液體移除元件、萃取器或入口，諸如全文以引用之方式併入本文中的美國 專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之萃取器總成。在一實施例中，液體移除元件70包含被覆蓋於多孔材料111中之入口，多孔材料111用以使液體與氣體分離以實現單液相液體萃取。腔室121中之負壓經選擇成使得形成於多孔材料111之孔中的彎液面實質上防止周圍氣體被牽曳至液體移除元件70之腔室121中。然而，當多孔材料111之表面接觸液體時，不存在用以限定流動之彎液面，且液體可自由地流動至液體移除元件70之腔室121中。
多孔材料111具有大數目個小孔，該等小孔各自具有在5微米至50微米之範圍內之尺寸，例如，寬度(諸如，直徑)。可使多孔材料111維持於在高於諸如對向表面之表面(例如，基板W之表面)50微米至300微米之範圍內的高度，液體將自該對向表面被移除。在一實施例中，多孔材料111具至少稍微親液性，亦即，與浸潤液體(例如，水)成小於或等於90°、理想地小於或等於85°或理想地小於或等於80°之動態接觸角。
在一實施例中，液體供應系統具有用以應付液體之液位變化的配置。此配置係使得可應付積聚於投影系統PS與液體限制結構12之間的液體(形成(例如)彎液面400)且該液體不會溢出。一種應付此液體之方式係提供疏液性(例如，疏水性)塗層。該塗層可圍繞流體處置結構12之頂部形成環繞開口之帶狀物，及/或圍繞投影系統PS之最後光學器件形成帶狀物。塗層可自投影系統PS之光軸徑向地向外。疏液性(例如，疏水性)塗層有助於使浸潤液體保持於空間 11中。應付此液體之額外或替代方式係提供出口201以移除到達相對於液體限制結構12及/或投影系統PS之某一點(例如，高度)的液體。
另一局域化區域配置為使用氣體拖曳原理之流體處置結構。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2008-0212046號、第US 2009-0279060號及第US 2009-0279062號中已描述所謂氣體拖曳原理。在彼系統中，萃取孔經配置為呈可理想地具有隅角之形狀。隅角可與較佳移動方向(諸如，步進方向或掃描方向)對準。對於在較佳方向上之給定速率，相比於在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於較佳方向的情況，隅角可與較佳移動方向對準的情況縮減對在流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面之力。然而，本發明之一實施例可應用於流體處置系統，流體處置系統在平面圖中具有任何形狀，或具有諸如經配置為呈任何形狀之萃取開口的組件。在一非限制性清單中，此形狀可包括諸如圓圈之橢圓、諸如矩形之直線形狀(例如，正方形)，或諸如斜方形之平行四邊形，或諸如具有四個或四個以上尖角之星形的具有四個以上隅角之有隅角形狀。
在本發明之一實施例可涉及的US 2008/0212046 A1之系統之變化中，開口被配置所呈之有隅角形狀之幾何形狀允許針對在掃描方向及步進方向兩者上所對準之隅角而存在尖銳隅角(介於約60°與90°之間，理想地介於75°與90°之間，且最理想地介於75°與85°之間)。此情形允許在每一經 對準隅角之方向上之速率增加。此係因為歸因於在掃描方向上之不穩定彎液面(例如，在超過臨界速率時)的液體小滴創製會縮減。在隅角與掃描方向及步進方向兩者對準時，可在彼等方向上達成增加速率。理想地，在掃描方向上之移動速率與在步進方向上之移動速率可實質上相等。
圖7示意性地且以平面圖說明流體處置系統之彎液面牽制特徵或流體處置結構12之彎液面牽制特徵，流體處置結構12具有體現氣體拖曳原理且本發明之一實施例可涉及的萃取器。說明彎液面牽制元件之特徵，該等特徵可(例如)替換圖5之彎液面牽制配置14、15、16或至少替換圖6所示之萃取器總成70。圖7之彎液面牽制元件為萃取器形式。彎液面牽制元件包含複數個離散開口50。每一開口50被說明為圓形，但未必為此狀況。實際上，開口50中之一或多者可為選自圓形、橢圓形、直線(例如，正方形或矩形)、三角形等等之一或多者，且一或多個開口可狹長。每一開口在平面圖中具有大於或等於0.2毫米、大於或等於0.5毫米或大於或等於1毫米之長度尺寸(亦即，在自一個開口至鄰近開口之方向上)。在一實施例中，長度尺寸係選自0.1毫米至10毫米之範圍，或選自0.25毫米至2毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.1毫米至2毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.2毫米至1毫米之範圍。在一實施例中，長度尺寸係選自0.2毫米至0.5毫米之範圍，或選自0.2毫米至0.3毫米之範圍。類似於圖6之入口開口的入口開口(被標註為180)可經提供成自開 口50徑向地向內。
圖7之彎液面牽制元件之開口50中每一者可連接至一分離負壓源。或者或另外，開口50中每一者或複數者可連接至自身被固持於負壓下之一共同腔室或歧管(其可為環形)。以此方式，可在開口50中每一者或複數者處達成均一負壓。開口50可連接至真空源，及/或環繞流體處置系統(或限制結構)之氛圍之壓力可增加以產生所要壓力差。
在圖7之實施例中，開口為流體萃取開口。每一開口為用於將氣體、液體或氣體與液體之二相流體傳遞至流體處置系統中的入口。每一入口可被認為是來自空間11之一出口。
開口50形成於流體處置結構12之表面中。在使用時，該表面面對基板W及/或基板台WT。在一實施例中，開口係在流體處置結構12之平坦表面中。在一實施例中，隆脊可存在於基板部件之底部表面上。該等開口中至少一者可在該隆脊中。開口50可藉由針狀物或管路界定。一些針狀物(例如，鄰近針狀物)之本體可接合在一起。該等針狀物可接合在一起以形成單一本體。單一本體可形成有隅角形狀。
舉例而言，開口50為管路或狹長通道之末端。理想地，開口經定位成使得在使用時其指向(理想地，面對)對向表面，例如，基板W。開口50之緣邊(亦即，出自表面之出口)可實質上平行於對向表面之部分之頂部表面。開口50被連接至之通道之狹長軸線可實質上垂直於(在與垂直線 所成之+/- 45°內，理想地在與垂直線所成之35°、25°或甚至15°內)對向表面之頂部，例如，基板W之頂部表面。
每一開口50經設計成萃取液體與氣體之混合物。自空間11萃取液體，而將氣體自開口50之另一側上之氛圍萃取至液體。此情形創製如箭頭100所說明之氣流，且此氣流對於將開口50之間的彎液面320牽制於如圖7所說明之實質上適當位置中係有效的。氣流有助於維持藉由動量阻擋、藉由氣流誘發性壓力梯度及/或藉由氣流(例如，空氣流)在液體上之拖曳(剪切)而限制的液體。
開口50環繞流體處置結構將液體供應至之空間。開口50可分佈於流體處置結構之下表面中。開口50可圍繞空間實質上連續地間隔(但鄰近開口50之間的間隔可變化)。在一實施例中，液體係始終圍繞有隅角形狀被萃取，且實質上在供其撞擊於有隅角形狀上之點處被萃取。此情形係因為開口50始終圍繞空間被形成(呈有隅角形狀)而達成。以此方式，可將液體限制至空間11。可在操作期間藉由開口50牽制彎液面。
自圖7可看出，開口50經定位成在平面圖中形成有隅角形狀(亦即，具有隅角52之形狀)。在圖7之狀況下，此形狀呈具有彎曲邊緣或側54之斜方形(理想地，正方形)的形狀。邊緣54在彎曲時具有負半徑。邊緣54可在遠離隅角52之區域中朝向有隅角形狀之中心彎曲。本發明之一實施例可在平面圖中應用於任何形狀，包括(但不限於)所說明之形狀，例如，直線形狀(例如，斜方形、正方形或矩形)， 或圓形形狀、三角形形狀、星形形狀、橢圓形形狀，等等。
有隅角形狀具有與在投影系統PS下方基板W之主要行進方向對準的主軸110、120。此情形有助於確保在低於臨界掃描速率之情況下的最大掃描速率快於在開口50經配置為呈圓形形狀之情況下的最大掃描速率。此係因為對在兩個開口50之間的彎液面之力係以因數cos θ而縮減。此處，θ為連接兩個開口50之線相對於基板W移動之方向的角度。
正方形有隅角形狀之使用會允許在步進方向上之移動與在掃描方向上之移動處於相等的最大速率。此情形可藉由使該形狀之隅角52中每一者與掃描方向110及步進方向120對準而達成。若青睞於使在該等方向中之一者(例如，掃描方向)上之移動快於在步進方向上之移動，則可使用斜方形形狀。在此配置中，斜方形之主軸可與掃描方向對準。對於斜方形形狀，儘管該等隅角中每一者可為銳角，但斜方形之兩個鄰近側之間的角度(例如，在步進方向上)可為鈍角，亦即，大於90°(例如，選自約90°至120°之範圍，在一實施例中選自約90°至105°之範圍，在一實施例中選自約85°至105°之範圍)。
可藉由使開口50之形狀之主軸與基板之主要行進方向(通常為掃描方向)對準且使第二軸線與基板之另一主要行進方向(通常為步進方向)對準來最佳化產出率。應瞭解，在至少一移動方向上，θ不為90°之任何配置皆將給出一優點。因此，主軸與主要行進方向之確切對準並不至關重 要。
提供具有負半徑之邊緣的優點為：可使隅角較尖銳。對於與掃描方向對準之隅角52及與步進方向對準之隅角52兩者，選自75°至85°或甚至更低之範圍的角度皆可為可達成的。若其對於此特徵係不可達成的，則為了使在兩個方向上所對準之隅角52具有相同角度，彼等隅角必須具有90°。若需要小於90°，則有必要選擇一個方向以具有小於90°之隅角，結果，另一隅角具有大於90°之角度。
可能不存在自開口50徑向地向內之彎液面牽制特徵。用藉由氣流誘發至開口50中之拖曳力將彎液面牽制於開口50之間。大於或等於約15公尺/秒(理想地，約20公尺/秒)之氣體拖曳速度應足夠。可縮減液體自基板蒸發的量，藉此縮減液體濺射以及熱膨脹/收縮效應兩者。
在一實施例中，各自具有1毫米之直徑且被分離達3.9毫米的至少三十六(36)個離散開口50對於牽制彎液面可為有效的。在一實施例中，存在一百一十二(112)個開口50。開口50可為正方形，其中側之長度為0.5毫米、0.3毫米、0.25毫米、0.2毫米、0.15毫米、0.1毫米或0.05毫米。此系統中之總氣流可為大約100公升/分鐘。在一實施例中，總氣流係選自50公升/分鐘至130公升/分鐘之範圍，在一實施例中選自70公升/分鐘至130公升/分鐘之範圍。
流體處置結構12之底部之其他幾何形狀係可能的。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2004-0207824號或美國專利申請公開案第US 2010-0313974號中所揭示之結構中 任一者皆可用於本發明之一實施例中。
諸如上文參看圖2至圖7所描述之局域化區域流體處置結構的局域化區域流體處置結構12可遭受進入空間11之氣泡夾雜。可看出，彎液面320延伸於流體處置結構12與在流體處置結構12下方之表面之間。圖5及圖6所說明之此彎液面320界定空間11之邊緣。當彎液面320與小滴(例如，已逸出空間11之液體小滴)在表面上碰撞時，氣體氣泡可夾雜至空間11中。因為氣體氣泡可導致成像誤差，所以氣泡至空間11中之夾雜係有害的。小滴通常在如下至少三種情況中之一者下留在表面上：(a)當在流體處置結構12與基板W之間存在相對移動時液體處置元件位於基板W之邊緣之上時；(b)當在流體處置結構12與面對液體限制結構之對向表面之間存在相對移動時流體處置結構12隨著對向表面之高度的步進改變而定位時；及/或(c)歸因於(例如)在彎液面(例如)藉由超過對向表面之臨界掃描速率而變得不穩定時在流體處置結構12與對向表面之間的過高相對速率。自彎液面牽制特徵徑向地向外之一或多個另外特徵(諸如，氣刀)可用以捕捉任何溢出液體。
在諸如US 2010/0313974所描述之流體處置結構的流體處置結構12中，圍繞開口50提供呈隙縫開口(例如，連續線性開口)之形式之氣刀。亦可圍繞圖6之實施例之萃取器70提供呈隙縫開口之形式之氣刀。呈隙縫開口之形式之氣刀通常可能具有50微米之寬度。然而，此開口可難以製造，且此情形可圍繞彎液面牽制特徵之周邊(例如，圓周) 導致自氣刀特定徑向地向內之壓力之變化。另外，呈隙縫之形式之氣刀可對污染之存在特別敏感。此情形圍繞彎液面牽制特徵之周邊再次導致負壓之不穩定性。本發明之一實施例處理此等(及或者或另外，其他)問題中之一或多者。
在圖6及圖7所示之實施例中，將複數個氣體供應開口61(亦即，離散孔隙)提供為呈線性陣列。相對於空間，提供自彎液面牽制特徵(分別為萃取器70及開口50)徑向地向外之氣體供應開口61。藉由氣體供應開口61構成之線性陣列可實質上平行於接合開口50之線。在使用時，氣體供應開口61連接至過壓且形成環繞彎液面牽制元件之氣刀(供應氣體，例如，空氣)。呈線性陣列(例如，一維或二維線性陣列)之複數個氣體供應開口61至少部分地環繞彎液面牽制特徵。
線性陣列之一實例為線。線性陣列之一實例包含開口之兩個或兩個以上列。開口可沿著線性陣列而週期性地配置。舉例而言，沿著列之開口可交錯。在開口之該等列中之一或多者中，該等開口中每一者可經對準為呈一線。該等列中之兩者中之開口可相對於彼此而交錯(亦即，孔之兩個線)。
在一實施例中，複數個氣體供應開口61具有相似(例如，相同)大小。在一實施例中，氣體供應開口61全部係在預定大小之某百分比(例如，5%)內。在一實施例中，複數個氣體供應開口61沿著一線而經配置為呈週期性圖案， 亦即，孔之重複系列，其中在該系列中之孔中每一者之間具有不同間隙，例如，兩個孔緊密地隔開，繼之以一間隙，且接著兩個孔緊密地隔開，繼之以一間隙，等等。在一實施例中，複數個間隙供應開口61等距地隔開。在一實施例中，鄰近開口被配置所沿著的線筆直。在一實施例中，複數個氣體供應開口61經配置以確保在每單位長度上出自氣體供應開口61之氣流實質上均一。
在一實施例中，氣體供應開口61用以縮減留在對向表面(諸如，基板W或基板台WT)上之液體膜(例如，自線性陣列徑向地向外朝向彎液面320相對地移動之小滴，或自彎液面320徑向地向外相對地移動之小滴)在傳遞於流體處置結構12下方時之厚度。在實質上相同流率通過複數個氣體供應開口61(例如，具有90微米之直徑及200微米之間距)之情況下，相比於針對使用相同流率的具有(例如)50微米之隙縫寬度之隙縫氣刀的平均壓力峰值，可在該等開口下方達成較高平均壓力峰值。因此，離散氣體供應開口61可造成在較薄液體膜傳遞於流體處置結構12下方之後該液體膜留在對向表面上。較高平均壓力峰值可在阻止小滴相對於彎液面320而移動方面引起改良之效率。較高平均壓力峰值可在基板W之邊緣與基板台WT之間的間隙被穿越時引起甚至更好之效能。當使用隙縫氣刀時，在隙縫下方之壓力峰值可崩潰，此係因為來自隙縫之氣流可通過開口50被吸走。複數個氣體供應開口61之壓力峰值可較不可能通過開口50被吸走。此情形可引起較好效能，此係因為壓力峰 值更穩定(參見圖10，稍後予以描述)。
圖8展示實驗結果，對於相同氣體流率，相比於對於隙縫開口，該等結果展示離散氣體供應開口61在液體膜傳遞於流體處置結構12下方之後如何致使較少液體留在對向表面上。圖8標繪沿著x軸通過氣體供應開口之氣體流率，及在y軸上留在流體處置結構12上之液體體積。該等結果係針對根據圖7之流體處置結構之實驗設計，在圖7中，開口在平面圖中形成圓形形狀。在平面圖中藉由開口50構成之形狀具有32.7毫米之直徑。提供40標準公升/分鐘(NLPM)的通過開口50之流率。以正交十字形來說明具有呈隙縫之形式之氣體供應開口之實例的結果。隙縫具有50微米之隙縫寬度，且隙縫構成在平面圖中具有37毫米之直徑之圓形形狀。沿著x軸來標繪出自隙縫之氣體流率。與此對比，以對角十字形所示之結果係針對同一流體處置結構12及出自開口50之流率，但氣體供應開口61呈具有100微米之直徑及200微米之間距之複數個離散開口的形式。對於實驗兩者，在TCX-041之抗蝕劑上，流體處置結構12與對向表面之間的相對速度為1公尺/秒。自圖8可看出，相比於具有隙縫開口(藉由正交十字形說明)之流體處置結構12之實例，在大多數流率下藉由具有離散氣體供應開口(對角十字形)之實施例留下之液體體積較低。舉例而言，對於氣體流率為20公升/分鐘之狀況，留在對向表面上之流體處置結構12上之液體體積比原來低二分之一。因此，離散氣體供應開口61之使用會引起由流體處置結構12所損失之液 體量的顯著縮減。
圖8之結果說明，相比於用以達成實質上相同效能之隙縫，當存在複數個氣體供應開口61時，可使用較低氣體流率。較低氣體流率之使用係有益的。較低氣體流率可被預期縮減成像缺陷之風險。舉例而言，離散氣體供應開口61可在流體處置結構12之底部表面上引起較少液體小滴。懸掛於流體處置結構12之底部表面上之小滴可跌落至對向表面上及/或累積以形成大的小滴，該大的小滴可較不可能藉由氣體供應開口61或隙縫阻止。藉此，此大的小滴可(例如)藉由將乾燥斑痕留在基板上或藉由導致局域化冷卻(歸因於蒸發)而導致成像誤差，且藉此導致疊對誤差。另外，低氣體流率可縮減自基板W與基板台WT之間的間隙吹出液體之機會。若液體自彼間隙被吹出，則可造成缺陷，諸如，在經成像基板上之水斑痕，或歸因於基板W及/或感測器上之不均勻冷卻負荷之誤差。若氣體為二氧化碳(或不同於空氣之另一氣體)，則可產生低氣體流率之另外優點。此係因為：此氣體可引起改變環繞流體處置結構12之環境中之氣體之組合物的較低風險，此係因為較少二氧化碳有可能逸出。周圍環境之氣體中之組合物的改變可改變該氣體之折射率，此情形可使(例如)使用通過該氣體之輻射光束之干涉計或其他位置量測系統的讀數準確度遭受風險。位置量測之準確度縮減可引起對準誤差，此情形係不理想的。因此，此種類之誤差被引入之風險係藉由較低氣流縮減。
氣體供應開口61可有助於確保液體膜不會破裂成小滴，而是使液體朝向開口50驅動且予以萃取。在一實施例中，氣體供應開口61操作以防止膜之形成。氣體供應開口61被配置所呈之線性陣列通常遵循彎液面牽制特徵(例如，開口50)之線。因此，鄰近彎液面牽制特徵(例如，開口50)與氣體供應開口61之間的距離係在0.5毫米至4.0毫米內，理想地在2毫米至3毫米內。相比於隙縫氣刀，氣體供應開口61與開口50之間的距離可小，同時仍縮減來源於小滴與彎液面320之碰撞之氣泡的風險。
在一實施例中，氣體供應開口61被配置所呈之線性陣列實質上平行於彎液面牽制特徵(例如，開口50)之線。在一實施例中，維持鄰近彎液面牽制特徵(例如，開口50)與氣體供應開口61之間的實質上恆定分離度。
在一實施例中，呈線性陣列之複數個氣體供應開口61充當氣刀。
可藉由將金屬區塊用螺釘固定在一起且使在該等區塊之間具有合適距離以形成隙縫而在浸潤流體處置結構12中形成該隙縫，浸潤流體處置結構12可能由不鏽鋼製成。然而，可能難以達成所要及/或恆定隙縫寬度。與此對比，可藉由切除(例如，使用雷射以燒掉材料)而形成離散氣體供應出口61。此情形可引起開口橫截面、尺寸及部位之較大均一性。也許有可能以5%之準確度鑽開口(其橫截面理想地為圈狀，此係因為此形狀最容易製造)。與此對比，50微米之隙縫可具有+/- 10微米之容差，其為約+/- 20%。
呈線性陣列之複數個離散氣體供應開口61對污染或大小變化之敏感性可能不與隙縫氣刀一樣，此係因為：相比於隙縫寬度(為比如50微米)，該開口較大(例如，100微米)。
氣刀應具有一或多個尖銳邊緣以有助於確保良好的氣刀功能性。邊緣可藉由與物件接觸(例如，與基板接觸，此情形可在工作距離(流體處置結構12與對向表面之間的距離)之調零期間發生)而受到損害。
由於潛在較好之可製造性以及對污染及損害之較少易感性，使用離散氣體供應開口61以代替隙縫氣刀可在彎液面320上引起較好之壓力均一性。實務上，可達成通過離散開口61之氣流相比於可使用隙縫開口而提供之氣流的增加(即使理論上可能預期隙縫表現得更好)。在平面圖中，在氣刀特徵(例如，離散開口或隙縫之配置)之形狀之隅角處，可出現關於隙縫氣刀之問題，在使用離散氣體供應開口61的情況下可能不會發生該問題。
在使用離散開口的情況下，相比於出自開口50之流動，出自離散氣體供應開口61之流率可增加達高達1.5倍，而不干擾彎液面320。在此流率下，等效隙縫氣刀(亦即，在每單位長度上具有相同敞開面積之隙縫氣刀)將引起不穩定彎液面320，特別是當穿越基板之邊緣或基板台WT上之高度之步進改變時亦如此。然而，在此等流動設定下，對於等效離散氣刀配置，彎液面具有較大穩定性。
為了使離散氣體供應開口61展現類氣刀功能性，在每公尺長度上小於或等於6.0×10-5平方公尺之敞開面積係理想 的。此敞開面積等同於在與具有60微米之隙縫寬度之氣刀相同的在每單位長度上之敞開面積。在一實施例中，在每公尺長度上之敞開面積小於或等於5.0×10-5平方公尺、小於或等於4.0×10-5平方公尺，或小於或等於3.5×10-5平方公尺。敞開面積比率愈低，則在每一開口下方之最大可達成壓力愈高，且可達成粗篩動作(raking action)之可能性愈多。然而，若敞開面積變得太小，則氣刀功能性由於將鄰近氣體供應開口之間的間距縮減至小於或等於180微米之不可能性而損失。在一實施例中，在每公尺長度上之敞開面積大於或等於1.0×10-5平方公尺、大於或等於2.0×10-5平方公尺，或大於或等於2.5×10-5平方公尺。較大敞開面積係理想的，此係因為此情形允許較大氣流且因此允許較高可達成壓力。
在一實施例中，氣體供應開口61之橫截面為圓形(圈狀)。在一實施例中，在非圓形開口61之狀況下之直徑或最大尺寸小於或等於125微米，理想地小於或等於115微米。此直徑或最大尺寸等同於在每開口上至多(針對正方形開口之狀況而計算)1.6×10-8平方公尺之面積，理想地為至多1.3×10-8平方公尺之面積。在一實施例中，最大孔直徑為200微米。
理論計算指示出，氣體供應開口61之孔直徑應為工作距離之至少1/2，工作距離為在流體處置結構12之底部表面與對向表面(例如，基板W)之間的距離。在流體處置結構12之下表面與對向表面之間的典型距離(工作距離或飛行 高度)為150微米，其在一實施例中指示75微米之最小孔直徑。若滿足此要求，則離開氣體供應開口61之氣體噴流之核心(其不受到該噴流所穿透之停滯環境干擾)到達對向表面，且因此產生大壓力梯度。
在一實施例中，離散氣體供應開口61在非圈狀開口61之狀況下具有大於或等於80微米之直徑或最小尺寸，更理想地具有大於或等於90微米之直徑或最小尺寸。因此，在每公尺長度上大於或等於5.0×10-9平方公尺或在每公尺長度上大於或等於6.4×10-9平方公尺之橫截面面積係理想的。此孔大小範圍在製造能力(以較低大小範圍)與鄰近氣體供應開口61間最大可允許間距(以上限大小範圍)之間作出平衡。亦即，最大可允許間距係與可導致最小壓力高於鄰近開口61間預定義最小值(例如，50毫巴)之間距相關。另外，若太少材料留在鄰近開口之間，則此情形可引起弱點及潛在破裂且此情形導致最大孔直徑。
在一實施例中，鄰近氣體供應開口61之間的間距大於或等於180微米，理想地大於或等於200微米。相反地，該間距應小於或等於400微米，理想地小於或等於200微米，且更理想地小於或等於280微米。此等範圍在來自鄰近開口之氣體串流之強度與接合在一起之間達成平衡，且藉此在開口之間提供大的最小壓力(為至少30毫巴，理想地為至少50毫巴)。
在一實施例中，為了在呈一線之複數個氣體供應開口61之鄰近孔之間達成最小所要壓力，鄰近孔之間的材料長度 應為在流體處置結構12之底部表面與對向表面之間的距離之一半的最大值。此情形給出75微米之最小材料長度。在一實施例中，間距經選擇成使得出自每一離散氣體供應開口61之氣體噴流與鄰近離散氣體供應開口重疊。氣體噴流傾向於以四分之一形狀(one over four shape)伸展開。因此，在一實施例中，對於待重疊之噴流，氣體供應開口61應相隔小於或等於2乘以工作距離之1/4或工作距離之1/2或更小。
在一實施例中，為了提供足夠強度，存在於鄰近開口61之間的材料之長度應為至少80微米，或其長度應為至少90微米。
鄰近開口61之間的大於或等於200微米之材料可為不必要的且可導致氣體噴流之分離，且藉此在開口之間導致小於或等於30毫巴之壓力。在一實施例中，可在鄰近氣體供應開口61之間至多提供150微米之距離。
在一實施例中，氣體供應開口61具有125微米之直徑及300微米之間距，此情形在每公尺上引起5.8×10-5平方公尺之敞開面積。若間距縮減至180微米，則敞開面積上升至9.8×10-5，但在一些情況下其可太高且在開口61之間僅留下具有55微米之長度之材料。在一實施例中，開口61之直徑為80微米，此情形在每公尺上導致2.79×10-5平方公尺之敞開面積，其中間距為180微米，該間距接近等效於30微米之隙縫寬度。
彎液面相對於隙縫氣刀之可能的可製造性及穩定性改良 超出本發明之發明人之預期，且可提供如本文所描述之一或多個其他未預期益處。舉例而言，相比於較小尺寸(比如，50微米)之隙縫，可以較大一致性及準確度來製造較大尺寸(例如，100微米之直徑及200微米之間距)之孔。因此，所得氣流可為更可預測的且更有效的。另外，因為離散氣體供應開口61之開口之最大尺寸(例如，直徑)大於隙縫氣刀之最大尺寸(例如，隙縫寬度)，所以包含複數個離散氣體供應開口61之氣刀遍及較大工作距離範圍可更穩固且可對污染較不敏感。
在一實施例中，在鄰近氣體供應開口61之間的方向上存在大壓力梯度，且此情形可引起小滴移動至開口61之間的最低壓力點。此處，小滴可聚結。一些小滴可傳遞於氣體供應開口61之間的最低壓力點處。因此，如在圖6中以橫截面及在圖9中以平面圖所說明，在一實施例中，提供自呈線性陣列之複數個離散氣體供應開口61徑向地向外之至少一萃取開口210。
在一實施例中，至少一萃取開口210可為複數個萃取開口210。在一實施例中，至少一萃取開口210為隙縫開口(亦即，連續)。此實施例有利之處在於：不管小滴在何處通過複數個氣體供應開口61，小滴皆被收集。在一實施例中，鄰近氣體供應開口61之間的每一空間具有一對應萃取開口210。在一實施例中，萃取開口210為呈線性陣列(例如，呈一線)之複數個氣體萃取開口。
在至少一萃取開口210為複數個萃取開口210的實施例 中，氣刀可呈隙縫或連續開口之形式。亦即，圖9所描述之複數個氣體供應開口61實際上包含隙縫(亦即，連續)開口。
通過氣體供應開口61之線性陣列之小滴將傳遞於最低壓力位置處。結果，小滴將實質上等距地傳遞於鄰近開口61之間。因此，藉由如上文所描述將萃取開口210實質上等距地定位於鄰近開口61之間(亦即，在將鄰近開口61之間的空間平分之位置處)，通過氣體供應開口61之線性陣列之小滴很可能傳遞於對應於該小滴已移動通過之空間之萃取開口210下方。結果，小滴很可能藉由萃取開口210萃取。若小滴觸碰萃取開口210，則發生萃取，且因此，引起小滴聚結的切線方向壓力梯度之效應係有利的，此係因為此情形導致更有可能觸碰萃取開口210之較大的小滴。
萃取開口210可具有與上文所描述之氣體供應開口61之特性及/或尺寸相同的特性及/或尺寸。至少一萃取開口210可不連續、連續、為二維線性陣列(例如，開口之兩個實質上平行線)，等等。
在一實施例中，在至少一萃取開口210與複數個氣體供應開口61之間的距離為至少0.2毫米及至多1.0毫米。此相對短距離係有利的，此係因為小滴更有可能被俘獲。若距離太短，則此情形可導致出自氣體供應開口61之氣流與進入萃取開口210之氣流之間的干涉，該干涉係不理想的。
相比於藉由呈隙縫之形式之氣刀產生的負壓，自複數個離散氣體供應開口61徑向地向內及自開口50徑向地向外所 產生之負壓可徑向地及沿切線方向較低且更恆定。圖10說明此現象。圖10(及圖11)適用於無至少一萃取開口210之實施例(如圖7所說明)以及具有至少一萃取開口210之實施例(如圖9所說明)兩者。圖10及圖11係使用根據圖9之實施例予以判定。
圖10標繪在x軸上之徑向距離(其中負數係自氣體供應開口61或氣刀徑向地向內)相對於在y軸上處於基板層級之相對壓力。具有50微米之隙縫之實例氣刀被展示為點線，且展示大約-50毫巴之最大負壓，該最大負壓隨著接近開口50而減低至-10毫巴。與此對比，對於具有100微米之開口直徑及200微米之間距的實例複數個離散氣體供應開口61，最小壓力為-10毫巴。此情形係有利的，此係因為其可引起流體處置結構12與對向表面之間的引力減低。另外，其可引起較少且較小之小滴存在於開口50與離散氣體供應開口61之間。彼情形可引起空間11中浸潤液體中之氣體氣泡之風險縮減。另外，就離散開口61而言，徑向地向內之壓力沿著開口50與氣體供應開口61之間的長度之大部分可相對恆定。此情形係有利的，此係因為使用隙縫氣刀所產生之大壓力梯度可引起擾流且此情形可使用離散開口61予以避免。
圖10之實驗係在流體處置系統12之下表面與對向表面(例如，基板)之間的距離為150微米的情況下進行，其中出自開口50之流率為30公升/分鐘、通過氣刀或氣體供應開口61之流率為45公升/分鐘，且來自萃取開口之流率為30 公升/分鐘。
圖11展示沿著複數個離散氣體供應開口61之線性陣列之長度的相對壓力改變。存在與上文關於圖10所描述之操作條件相同的操作條件。可看出，在每一氣體供應開口61下方達成最大壓力，其中在鄰近開口61之間達到最小壓力。可看出，在鄰近氣體供應開口61之間存在壓力下降。有利地，該壓力下降小於至零之下降，使得彼部位處之小滴將感受到力。此情形係有利的，此係因為因而存在對小滴在彎液面牽制特徵周圍之傳遞之抵抗(因為始終圍繞氣體供應開口61之線性陣列在氣體供應開口61下方存在正壓力)。
諸如圖11中之壓力量變曲線相比於氣刀之壓力量變曲線有利之處在於：該壓力量變曲線具有足以使具有無害大小之小的小滴聚集的一系列峰值及谷值。此意謂自彎液面320徑向地向外之壓力可波動，此係因為氣體可更容易通過壓力量變曲線。結果，彎液面320可穩定，此可意謂來自彎液面320之較少液體損失。另外，當在基板W之邊緣與基板台WT之間的間隙傳遞於複數個離散開口61下方時，彼間隙中之浸潤液體可較不可能被擠出且因此縮減氣泡夾雜之風險。
在圖10及圖11之離散氣體供應開口61之實例中，當基板W之邊緣穿越於流體處置結構12下方時，可形成僅極精細小滴(直徑小於50微米)。此小滴與使用隙縫氣刀的大高達一個數量級之小滴形成比較。因此，極大地縮減由大的小 滴與彎液面320之碰撞引起的氣泡夾雜之風險。
如以圖6之橫截面及圖12之平面圖所說明，在一實施例中，一或多個凹槽220可延伸於在鄰近氣體供應開口61與對應萃取開口210(僅一個萃取開口被說明)之間的空間之間。凹槽220形成於流體處置結構12之下表面上。凹槽220對於將存在於鄰近氣體供應開口61之間的空間中之液體導引至對應萃取開口210係有效的。凹槽220在使用時在穿過藉由浸潤液體佔據之空間11之方向上延伸。
在一實施例中，凹槽在穿過空間11及穿過對應萃取開口210之方向上延伸。在一實施例中，該方向實質上穿過空間11之中心。在流體處置結構12與對向表面之間的相對運動方向改變之週期期間，凹槽促進小滴朝向萃取開口210之萃取。亦即，若在小滴已傳遞於鄰近氣體供應開口之間的空間下方之後，在流體處置結構12與對向表面之間的相對行進方向改變，則小滴可能不再在相對於流體處置結構12之方向上朝向萃取開口210行進。凹槽210有助於將力施加至此等小滴，且藉此將此等小滴引導朝向萃取開口210。2010年7月20日申請之美國專利申請案第US 61/366,116號中給出凹槽220之另外細節。
在一實施例中，每一凹槽220具有至少40微米之寬度，理想地具有至少50微米之寬度。在一實施例中，凹槽220具有至多150微米之寬度，理想地具有至多100微米之寬度。在此大小範圍內之凹槽可特別有效於導引小滴及/或對小滴提供毛細管力以將小滴牽拉朝向對應萃取開口 210。在一實施例中，凹槽220具有至少50微米之深度，理想地具有至少100微米之深度。在一實施例中，凹槽具有至多500微米之深度，理想地具有至多300微米之深度。
在一實施例中，每一凹槽具有一橫截面形狀或幾何形狀。凹槽橫截面幾何形狀可為矩形或三角形(或V狀)。具有三角形橫截面形狀之凹槽相對於具有矩形橫截面形狀之凹槽可展現液體小滴之增強型毛細管伸展，且因此可為較佳的。三角形橫截面形狀具有形成於凹槽之側之間的特性角。特性角可在40度至45度之範圍內。在一實施例中，為了確保凹槽在導引液體方面之有效性，形成流體處置結構之下表面(亦即，經形成有凹槽)之材料的接觸角具有小於凹槽之特性角的接觸角。理想地，材料之接觸角為40度或更小。
凹槽220可與單一隙縫開口之氣刀或複數個氣體供應開口61一起使用，其中萃取開口210呈隙縫之形式或呈複數個離散開口之形式。
提供控制器500以控制流率，且流率之調整可改變在周邊(例如，圓周)方向及切線方向兩者上之壓力梯度，如圖10及圖11所說明。可調整流體處置結構12之下表面之特徵的流率及尺寸以達成所要壓力量變曲線，該等壓力量變曲線包括在氣體供應開口61與開口50之間的空間中之最低負壓力(如圖10所說明)以及有助於確保鄰近氣體供應開口61之間的最小壓力(如上文參看圖11所描述)處於可接受位準。
極小氣體氣泡可在到達空間11之曝光區域之前溶解於浸潤液體中。在可與任何其他實施例組合之實施例中，使用溶解速率取決於經截留氣體之類型及浸潤液體屬性的事實。
二氧化碳(CO2)氣泡相比於空氣氣泡通常溶解得較快。溶解度比氮氣之溶解度大五十五(55)倍且擴散率為氮氣之擴散率之0.86倍的CO2氣泡通常將在比使相同大小之氮氣氣泡溶解之時間短三十七(37)倍的時間內溶解。
全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2011-0134401號描述將在浸潤液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於或等於5×10-3莫耳/公斤之溶解度的氣體供應至鄰近於空間11之區。其亦描述將在浸潤液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於或等於3×10-5 cm2 s-1之擴散率的氣體供應至鄰近於空間11之區。其亦描述將在浸潤液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下擴散率與溶解度之乘積大於空氣之擴散率與溶解度之乘積的氣體供應至鄰近於空間11之區。
若氣體氣泡為在浸潤液體中具有高擴散率、溶解度或擴散率與溶解度之乘積的氣體，則其將快得多地溶解至浸潤液體中。因此，使用本發明之一實施例應會縮減成像缺陷之數目，藉此允許較高產出率(例如，基板W相對於液體處置結構12之較高速率)及較低缺陷度。
因此，本發明之一實施例提供經組態以將氣體供應至鄰近於空間11之區(例如，供應至鄰近於空間11之體積，或 朝向鄰近於空間11之區域)的氣體供應元件。舉例而言，提供氣體，使得氣體存在於鄰近於彎液面320之區中，彎液面320延伸於對向表面與液體處置結構12之間。
實例氣體為二氧化碳，其可為理想的，此係因為其易於得到且可出於其他目的而用於浸潤系統中。二氧化碳在水中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有1.69×10-3公斤/公斤或37×10-3莫耳/公斤之溶解度。易於溶解於浸潤液體中之任何非反應性氣體皆係合適的。
本文所描述之本發明之一實施例可圍繞浸潤液體之彎液面320、400形成CO2氛圍，使得氣體至浸潤液體中之任何夾雜皆創製溶解於浸潤液體中之氣體夾雜。
藉由使用氣體CO2，可縮減(若未減輕)與彎液面碰撞液體小滴之相關聯之問題。通常，300微米之小滴將產生直徑為30微米(亦即，小滴大小的十分之一)之氣泡。此二氧化碳氣泡通常將在到達曝光區域之前溶解於浸潤液體中。(應注意，具有此大小之小滴可造成一或多個其他問題)。因此，由小滴造成之問題可較不顯著。浸潤系統可更容許與已自空間逸出之浸潤液體相互作用。
可通過氣體供應開口61而提供二氧化碳。在一實施例中，通過氣體供應開口之第二陣列或通過氣體供應開口及氣體開口之第二陣列兩者供應氣體。
在一實施例中，出自開口50之二氧化碳流率與出自萃取開口210之氣體流率的總和大於或等於出自氣體供應開口61之氣體流率。在一實施例中，經求和之氣體萃取速率大 於或等於氣體供應速率之1.2倍或理想地大於或等於氣體供應速率之1.4倍。舉例而言，進入開口50之氣體流率可為60公升/分鐘，進入萃取開口210之氣體流率可為60公升/分鐘，且出自氣體供應開口61之氣體流率可為90公升/分鐘。若自氣體供應開口61中所供應之氣體為二氧化碳(下文所描述)，則此配置係有利的。此係因為二氧化碳可干涉在流體處置結構12外部之干涉計。藉由配置如所描述之流率，可縮減或防止出自流體處置結構12之二氧化碳損失。
在氣刀中使用CO2之狀況下，由氣流(諸如，在使用隙縫氣刀時出現之氣流)之不均勻性引起之流動變化可引起來自在流體處置結構12外部之氛圍的不為CO2之氣體(例如，空氣)混合至該流中，該流接著可到達開口50。此情形可為不理想的，且因此，相比於隙縫，存在使用複數個氣體供應開口61之優點。
對於自氣體供應開口61中供應二氧化碳之狀況，在萃取開口210與氣體供應開口61之間的距離可為至少1毫米，或2毫米或在1.0毫米至4.0毫米內，理想地在2毫米至3毫米內。設計規則可為工作距離之4倍加上0.2毫米至0.5毫米。此情形有效地有助於防止來自流體處置結構12外部之空氣(亦即，自萃取開口210徑向地向外之空氣)混合至鄰近於彎液面320之二氧化碳中。
在一實施例中，萃取開口210在自對向表面移除液體(例如，呈小滴之形式)方面之有效性隨著與氣體供應開口61 相距臨限距離之距離增加而減低。對於所要操作條件，用於小滴移除之臨限距離可小於在萃取開口210與氣體供應開口61之間的所要距離。當將二氧化碳用作離開氣體供應開口61之氣體時，可能有利的是在流體限制結構12之下表面中使用凹槽220，此係因為凹槽220有助於延伸在氣體供應開口61與萃取開口210之間的臨限距離以用於小滴移除。因此，凹槽220輔助達成通過外部萃取器之有效二氧化碳氣體移除及小滴移除。
已參看環繞彎液面牽制特徵之氣體供應開口61之僅一個線性陣列的存在而描述上述實施例。然而，本發明之一實施例同樣地適用於呈線性陣列之第二(或更多)複數個氣體供應開口61經定位成至少部分地環繞第一複數個氣體供應開口61的狀況。該配置可相似於美國專利申請公開案第US 2011-0090472號所描述之配置，唯兩個隙縫氣刀中之一者或其兩者係用如上文所描述之複數個離散氣體供應開口予以替換除外。此情形在發生流體處置系統12與對向表面之間的特定快速之相對移動時可為有利的。此較大相對速度可用於一微影裝置中，該微影裝置用於曝光直徑大於300毫米之當前工業標準之基板，例如，直徑為450毫米之基板。
應瞭解，上文所描述之特徵中任一者可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所覆蓋的明確地描述之彼等組合。舉例而言，本發明之一實施例可應用於圖2至圖4之實施例。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本發明包含至少以下實施例：
1.一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸潤流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一彎液面牽制特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸潤流體之傳遞；及呈一線性陣列之複數個氣體供應開口，其至少部分地環繞該彎液面牽制特徵且自該彎液面牽制特徵徑向地向外，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口具有一相似或相同大小。
2.如條項1之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口具有在一預定大小之5%內之一大 小。
3.一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸潤流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一彎液面牽制特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸潤流體之傳遞；及呈一線性陣列之複數個氣體供應開口，其至少部分地環繞該彎液面牽制特徵且自該彎液面牽制特徵徑向地向外，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口沿著一線而經配置為呈一週期性圖案。
4.一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸潤流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一彎液面牽制特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸潤流體之傳遞；及呈一線性陣列之複數個氣體供應開口，其至少部分地環繞該彎液面牽制特徵且自該彎液面牽制特徵徑向地向外，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口等距地隔開。
5.如條項1至4中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口在每公尺長度上具有小於或等於6.0×10-5平方公尺之一敞開面積。
6.一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸潤流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一彎液面牽制特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸潤流 體之傳遞；及呈一線性陣列之複數個氣體供應開口，其至少部分地環繞該彎液面牽制特徵且自該彎液面牽制特徵徑向地向外，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口在每公尺長度上具有小於或等於6.0×10-5平方公尺之一敞開面積。
7.如條項1至6中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口之每一氣體供應開口具有小於或等於1.6×10-8平方公尺之一橫截面面積，或小於或等於1.3×10-8平方公尺之一橫截面面積。
8.如條項1至7中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口之每一氣體供應開口具有大於或等於5.0×10-9平方公尺之一橫截面面積，或大於或等於6.4×10-9平方公尺之一橫截面面積。
9.如條項1至8中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口在每公尺長度上具有小於或等於5.0×10-5平方公尺之一敞開面積、在每公尺長度上具有小於或等於4.0×10-5平方公尺之一敞開面積，或在每公尺長度上具有小於或等於3.5×10-5平方公尺之一敞開面積。
10.如條項1至9中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口在每公尺長度上具有大於或等於1.0×10-5平方公尺之一敞開面積、在每公尺長度上具有大於或等於2.0×10-5平方公尺之一敞開面積，或在每公尺長度上具有大於或等於2.5×10-5平方 公尺之一敞開面積。
11.如條項1至10中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口中之該等氣體供應開口中每一者的一間距大於或等於180微米，或大於或等於200微米。
12.如條項1至11中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口中之該等氣體供應開口中每一者的一間距小於或等於300微米，或小於或等於280微米。
13.如條項1至12中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口中之鄰近氣體供應開口之邊緣之間的一材料長度為至少80微米，或至少90微米。
14.如條項1至13中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口中之鄰近氣體供應開口之邊緣之間的一材料長度為至多200微米，或至多150微米。
15.如條項1至14中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口之該等氣體供應開口中每一者的橫截面為實質上圓形。
16.如條項1至15中任一項之流體處置結構，其中該線性陣列在平面圖中具有一有隅角形狀。
17.如條項1至16中任一項之流體處置結構，其中該彎液面牽制特徵包含呈一線性陣列之複數個開口。
18.如條項1至16中任一項之流體處置結構，其中該彎液面牽制特徵包含一單相萃取器。
19.一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸潤流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：經配置為呈一線性陣列之複數個氣體供應開口，其至少部分地環繞該空間；及一外部萃取器，其與該線性陣列隔開。
20.如條項19之流體處置結構，其進一步包含自該等氣體供應開口徑向地向內之一液體萃取開口。
21.如條項19或20之流體處置結構，其進一步包含延伸於該線性陣列與該萃取器之間的一凹槽。
22.一種浸潤微影裝置，該裝置包含：如條項1至21中任一項之流體處置結構。
23.一種元件製造方法，其包含：通過受限制至在投影系統之一最終器件與一基板之間的一空間之一浸潤液體而投影一經圖案化輻射光束；及通過呈一線性陣列之複數個氣體供應開口而將氣體提供至鄰近於該浸潤液體之一彎液面之一位置，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口在每公尺長度上具有小於或等於6.0×10-5平方公尺之一敞開面積。
24.一種元件製造方法，其包含：通過受限制至在投影系統之一最終器件與一基板之間的一空間之一浸潤液體而投影一經圖案化輻射光束；及通過呈一線性陣列之複數個氣體供應開口而將氣體提供至鄰近於該浸潤液 體之一彎液面之一位置，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口具有一相似或相同大小。
25.一種元件製造方法，其包含：通過受限制至在投影系統之一最終器件與一基板之間的一空間之一浸潤液體而投影一經圖案化輻射光束；及通過呈一線性陣列之複數個氣體供應開口而將氣體提供至鄰近於該浸潤液體之一彎液面之一位置，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口沿著一線而經配置為呈一週期性圖案。
26.一種元件製造方法，其包含：通過受限制至在投影系統之一最終器件與一基板之間的一空間之一浸潤液體而投影一經圖案化輻射光束；及通過呈一線性陣列之複數個氣體供應開口而將氣體提供至鄰近於該浸潤液體之一彎液面之一位置，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口等距地隔開。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序 列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之任何控制器可各自或組合地為可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸潤微影裝置，尤其(但不獨佔式地)為上文所提及之彼等類型，且不管浸潤液體係以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，抑或未受限制的。在一未受限制配置中，浸潤液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸潤系統中，液體供應系統可能不限制浸潤液體或其可能提供浸潤液體限制之比例，但不提供浸潤液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至在投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口的組合。該等開口可各自為進入浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或出自浸潤空間之出口(或進入流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵的一或多個器件。
在一實施例中，微影裝置為包含位於投影系統之曝光側處之兩個或兩個以上台的多載物台裝置，每一台包含及/或固持一或多個物件。在一實施例中，該等台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實施例中，該等台中之一或多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實施例中，多載物台裝置包含經組態成固持輻射敏感基板之第一台(亦即，基板台)，及未經組態成固持輻射敏感基板之第二台(在下文中通常且無限制地被稱作量測台及/或清潔台)。第二台可包含及/或可固持除了輻射敏感基板以外之一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者之一或多者：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一 或多個對準標記，及/或清潔元件(用以清潔(例如)液體限制結構)。
在一實施例中，微影裝置可包含用以量測該裝置之組件之位置、速度等等的編碼器系統。在一實施例中，該組件包含基板台。在一實施例中，該組件包含量測台及/或清潔台。該編碼器系統可為對本文針對該等台所描述之干涉計系統的添加或替代。編碼器系統包含與尺度或柵格相關聯(例如，成對)之感測器、傳感器或讀頭。在一實施例中，可移動組件(例如，基板台及/或量測台及/或清潔台)具有一或多個尺度或柵格，且該組件移動所相對的微影裝置之框架具有感測器、傳感器或讀頭中之一或多者。感測器、傳感器或讀頭中之一或多者與該(該等)尺度或柵格合作以判定該組件之位置、速度等等。在一實施例中，組件移動所相對的微影裝置之框架具有一或多個尺度或柵格，且可移動組件(例如，基板台及/或量測台及/或清潔台)具有與該(該等)尺度或柵格合作以判定該組件之位置、速度等等之感測器、傳感器或讀頭中之一或多者。
在一實施例中，微影裝置包含具有液體移除元件之液體限制結構，液體移除元件具有經覆蓋有網眼或相似多孔材料之入口。網眼或相似多孔材料提供接觸在投影系統之最終器件與可移動台(例如，基板台)之間的空間中之浸潤液體的二維孔陣列。在一實施例中，網眼或相似多孔材料包含蜂窩結構或其他多邊形網眼。在一實施例中，網眼或相似多孔材料包含金屬網眼。在一實施例中，網眼或相似多 孔材料始終圍繞微影裝置之投影系統之影像場而延伸。在一實施例中，網眼或相似多孔材料位於液體限制結構之底部表面上且具有面向台之表面。在一實施例中，網眼或相似多孔材料具有大體上平行於台之頂部表面的其底部表面之至少一部分。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11‧‧‧空間
12‧‧‧局域化區域流體處置結構/浸潤流體處置結構/流體處置系統/流體限制結構
13‧‧‧液體入口/液體出口
14‧‧‧出口/彎液面牽制配置
15‧‧‧氣體入口/彎液面牽制配置
16‧‧‧無接觸密封件/氣體密封件/氣流/彎液面牽制配置
20‧‧‧開口
22‧‧‧側壁
24‧‧‧腔室
26‧‧‧腔室
28‧‧‧側壁
29‧‧‧開口
50‧‧‧離散開口
51‧‧‧流動控制板
52‧‧‧隅角
54‧‧‧邊緣/側
55‧‧‧開口
61‧‧‧氣體供應開口/氣體供應出口
70‧‧‧萃取器總成/液體移除元件
90‧‧‧氣刀
100‧‧‧氣流
110‧‧‧主軸/掃描方向
111‧‧‧多孔材料
120‧‧‧主軸/步進方向
121‧‧‧腔室
180‧‧‧入口開口
201‧‧‧出口
210‧‧‧萃取開口
220‧‧‧凹槽
320‧‧‧彎液面
400‧‧‧彎液面
500‧‧‧控制器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2及圖3描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖4描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖5描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖6以橫截面描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖7以平面圖描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖8為針對呈隙縫之形式之氣體供應開口61之狀況且在複數個離散氣體供應開口之狀況下的在x軸上出自氣體供應開口之氣體流率相對於在y軸上留在流體處置結構上之液體體積的曲線圖；圖9以平面圖描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖10為在x軸上之徑向距離相對於在y軸上之壓力的曲線 圖；圖11為在x軸上之橫向距離相對於在y軸上之壓力的曲線圖；及圖12以平面圖描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統。
500‧‧‧控制器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (12)

  1. 一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸潤流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一或多個彎液面(meniscus)牽制(pining)特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸潤流體之傳遞；呈一線性陣列之複數個氣體供應開口，其至少部分地環繞該彎液面牽制特徵且自該彎液面牽制特徵徑向地向外；一或多個外部萃取器，其自氣體開口之該線性陣列於徑向向外隔開；及一或多個凹槽，其延伸於該等氣體開口之該線性陣列與該外部萃取器之間；其中該複數個氣體供應開口經配置以在該線性陣列之每單位長度上供應一實質上均一氣流，其中該一或多個彎液面牽制特徵及該複數個氣體供應開口經配置使得尖銳隅角(sharp corners)係針對在掃描方向及步進方向兩者上所對準之隅角而存在，且其中一或多個凹槽分別自鄰近之兩個氣體供應開口之間之空間延伸至對應之該萃取開口。
  2. 如請求項1之流體處置結構，其中呈該線性陣列之該複數個氣體供應開口具有一相似或相同大小。
  3. 如請求項2之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口具有在一預定大小之5%內之一大小。
  4. 如請求項1-3中任一項之流體處置結構，其中呈該線性陣列之該複數個氣體供應開口沿著一線而經配置為呈一週期性圖案。
  5. 如請求項1-3中任一項之流體處置結構，其中呈該線性陣列之該複數個氣體供應開口等距地隔開。
  6. 如請求項1-3中任一項之流體處置結構，其中該彎液面牽制特徵包含經配置為呈一線性陣列之複數個液體萃取開口。
  7. 如請求項6之流體處置結構，其中該等氣體供應開口之該線性陣列通常遵循該等液體萃取開口之該線性陣列，使得維持呈該線性陣列之鄰近液體萃取開口與氣體供應開口之間的一實質上恆定分離度。
  8. 如請求項1-3中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口在每公尺長度上具有小於或等於6.0×10-5平方公尺之一敞開面積。
  9. 如請求項1-3中任一項之流體處置結構，其中呈一線性陣列之該複數個氣體供應開口之該等氣體供應開口中每一者的橫截面為實質上圓形。
  10. 如請求項1-3中任一項之流體處置結構，其進一步包含一氣體供應元件，該氣體供應元件經組態以將二氧化碳供應至鄰近於延伸於對向表面與該流體處置結構之間的彎液面之一區。
  11. 一種浸潤微影裝置，該裝置包含：如請求項1至10中任一項之流體處置結構。
  12. 一種元件製造方法，其包含：通過受限制至在投影系統之一最終器件與一基板之間的一空間之一浸潤液體而投影一經圖案化輻射光束；及通過呈一線性陣列之複數個氣體供應開口而將氣體提供至鄰近於該浸潤液體之一彎液面之一位置，通過自氣體開口之該線性陣列於徑向向外隔開之一或多個萃取器，且經由延伸於該等氣體開口之該線性陣列與該外部萃取器之間之一或多個凹槽而取出該浸潤液體，其中通過該複數個氣體供應開口而提供之該氣體在該線性陣列之每單位長度上具有實質上均一氣流，其中該複數個氣體供應開口經配置成一流體處置結構，使得尖銳隅角係針對在掃描方向及步進方向兩者上所對準之隅角而存在，且其中一或多個凹槽分別自鄰近之兩個氣體供應開口之間之空間延伸至對應之該萃取開口。
TW101123778A 2011-07-11 2012-07-02 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法 TWI559073B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161506416P 2011-07-11 2011-07-11
US201261616861P 2012-03-28 2012-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201305714A TW201305714A (zh) 2013-02-01
TWI559073B true TWI559073B (zh) 2016-11-21

Family

ID=47481387

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105130259A TWI596419B (zh) 2011-07-11 2012-07-02 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法
TW101123778A TWI559073B (zh) 2011-07-11 2012-07-02 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法
TW106120860A TWI631410B (zh) 2011-07-11 2012-07-02 流體處置結構及微影裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105130259A TWI596419B (zh) 2011-07-11 2012-07-02 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106120860A TWI631410B (zh) 2011-07-11 2012-07-02 流體處置結構及微影裝置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9235138B2 (zh)
JP (3) JP5827185B2 (zh)
KR (2) KR101824508B1 (zh)
CN (1) CN102880006B (zh)
NL (1) NL2008980A (zh)
TW (3) TWI596419B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2008980A (en) * 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2008979A (en) 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US10216095B2 (en) 2013-08-30 2019-02-26 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus
US10416571B2 (en) * 2016-01-13 2019-09-17 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure and lithographic apparatus
CN107561867A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种浸没式光刻机和一种浸液流场中气泡去除方法
US11131931B2 (en) 2018-06-29 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fluidic leakage handling for semiconductor apparatus
WO2024175287A1 (en) * 2023-02-21 2024-08-29 Asml Netherlands B.V. Fluid handling system and method in which defects due to liquid left on a substrate can be reduced and lithographic apparatus comprising the fluid handling system

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004289126A (ja) * 2002-11-12 2004-10-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2005003864A2 (en) * 2003-06-24 2005-01-13 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
JP2007109739A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Canon Inc 露光装置及びその制御方法
JP2008147577A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US20110090472A1 (en) * 2009-09-23 2011-04-21 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20110134401A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a device manufacturing method

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602004008009T2 (de) 2003-11-05 2008-04-30 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
US7501226B2 (en) 2004-06-23 2009-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Immersion lithography system with wafer sealing mechanisms
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4262252B2 (ja) * 2005-03-02 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置
EP2023378B1 (en) 2006-05-10 2013-03-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP5019170B2 (ja) * 2006-05-23 2012-09-05 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8634052B2 (en) 2006-12-13 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method involving a ring to cover a gap between a substrate and a substrate table
US8068209B2 (en) 2007-03-23 2011-11-29 Nikon Corporation Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool
KR101843699B1 (ko) * 2007-07-18 2018-03-29 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치
NL1036273A1 (nl) 2007-12-18 2009-06-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus.
JP2009188119A (ja) 2008-02-05 2009-08-20 Nikon Corp カバー部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8421993B2 (en) * 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2131241B1 (en) 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE548679T1 (de) 2008-05-08 2012-03-15 Asml Netherlands Bv Lithografische immersionsvorrichtung, trocknungsvorrichtung, immersionsmetrologievorrichtung und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
CN100595678C (zh) 2008-10-21 2010-03-24 浙江大学 用于光刻机的浸没液体回收减振控制装置
SG166747A1 (en) 2009-05-26 2010-12-29 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2004807A (en) 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Substrate table for a lithographic apparatus, litographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method.
NL2005717A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2006054A (en) 2010-02-09 2011-08-10 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5123405B2 (ja) * 2011-01-25 2013-01-23 株式会社パロマ ドレン排出装置および給湯器
NL2008980A (en) * 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004289126A (ja) * 2002-11-12 2004-10-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2005003864A2 (en) * 2003-06-24 2005-01-13 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
JP2007109739A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Canon Inc 露光装置及びその制御方法
JP2008147577A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US20110090472A1 (en) * 2009-09-23 2011-04-21 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20110134401A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI596419B (zh) 2017-08-21
KR20130007975A (ko) 2013-01-21
US20170176875A1 (en) 2017-06-22
US9971255B2 (en) 2018-05-15
JP2015194774A (ja) 2015-11-05
JP6352481B2 (ja) 2018-07-04
KR20150126323A (ko) 2015-11-11
JP5827185B2 (ja) 2015-12-02
JP2017116967A (ja) 2017-06-29
US9235138B2 (en) 2016-01-12
KR101824508B1 (ko) 2018-02-01
TW201706704A (zh) 2017-02-16
JP2013021331A (ja) 2013-01-31
CN102880006A (zh) 2013-01-16
US20130016332A1 (en) 2013-01-17
JP6122073B2 (ja) 2017-04-26
NL2008980A (en) 2013-01-14
CN102880006B (zh) 2015-04-15
US20160103398A1 (en) 2016-04-14
TW201734627A (zh) 2017-10-01
TWI631410B (zh) 2018-08-01
US9588437B2 (en) 2017-03-07
KR101892199B1 (ko) 2018-08-27
TW201305714A (zh) 2013-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI497227B (zh) 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法
TWI559073B (zh) 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法
TWI431432B (zh) 流體處理結構、微影裝置及元件製造方法
TWI437381B (zh) 流體處置結構、微影裝置及器件製造方法
TWI477926B (zh) 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法
TWI424279B (zh) 流體處理器件、浸潤微影裝置及器件製造方法
TWI476542B (zh) 流體處置結構，微影裝置及元件製造方法