TWI431432B - 流體處理結構、微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

Description

流體處理結構、微影裝置及元件製造方法

本發明係關於一種流體處理結構、一種微影裝置及一種用於製造一元件之方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。

已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為適當的，特別為濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為適當的其他液體包括烴，諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。

將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第US 4,509,852號)為一種形式之浸沒系統配置。該配置要求應在掃描曝光期間加速大液體本體。此情形可能需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。

在浸沒裝置中，藉由流體處理系統或裝置(例如，流體處理結構)來處理浸沒液體。流體處理系統可供應浸沒流體且因此為流體供應系統。流體處理系統可限制流體且藉此為流體限制系統。流體處理系統可提供對流體之障壁且藉此為障壁部件。流體處理系統可產生或使用流體(諸如氣體)流，例如，以有助於處理液體。可將浸沒液體用作浸沒流體。在該情況下，流體處理系統可為液體處理系統。

所提議配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。此類型之配置可被稱作局域化浸沒系統配置。

另一配置為全濕潤配置，其中浸沒液體係未受限制的，如PCT專利申請公開案WO 2005/064405中所揭示。在此系統中，浸沒液體係未受限制的。基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的，因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形可具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許該液體洩漏遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出，使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。儘管此系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能會發生浸沒液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕該問題之方式。提供一部件，該部件在所有位置中覆蓋基板W，且經配置以使浸沒液體延伸於該部件與該基板及/或固持該基板之基板台之頂部表面之間。

在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式載物台或雙載物台浸沒微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。或者，該裝置僅具有一個台。

需要能夠使基板在投影系統下方儘可能快地移動。為此，流體處理系統(特別係針對局域化區域流體處理系統)應經設計成允許高掃描而無顯著液體損耗。

需要(例如)提供一種流體處理系統，其將液體維持於投影系統之最終元件與基板之間的空間中。

根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處理結構，該流體處理結構在自經組態以將浸沒流體包含至在該流體處理結構外部之一區域之一空間的一邊界處順次具有：一狹長開口或複數個開口，其配置於一第一線中，其在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一第一氣體刀元件，其具有在一第二線中之一狹長孔隙；一狹長開口或複數個開口，其係在一第三線中；及一第二氣體刀元件，其具有在一第四線中之一狹長孔隙。

根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處理結構，該流體處理結構在自經組態以將浸沒流體包含至在該流體處理結構外部之一區域之一空間的一邊界處順次具有：一狹長開口或複數個開口，其配置於一第一線中，其在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一狹長開口或複數個開口，其係在一第二線中；及一氣體刀元件，其具有在一第三線中之一狹長孔隙。

根據一態樣，提供一種微影裝置，其包含如上文所指定之流體處理結構。

根據一態樣，提供一種元件製造方法，其包含：將一浸沒液體提供至一投影系統之一最終元件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終元件與該基板及/或該基板台之間擷取浸沒液體；藉由通過形成一第一氣體刀的一第二線中之一孔隙供應氣體而將浸沒液體推動朝向該第一線中之該狹長開口或該複數個開口；通過一第三線中之一狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體；及藉由通過形成一第二氣體刀的一第四線中之一孔隙供應氣體而將剩餘浸沒液體推動朝向該第三線中之該狹長開口或該複數個開口。

根據一態樣，提供一種元件製造方法，其包含：將一浸沒液體提供至一投影系統之一最終元件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終元件與該基板及/或該基板台之間擷取浸沒液體；通過一第二線中之一狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體；及藉由通過形成一氣體刀的一第三線中之一孔隙供應氣體而將剩餘浸沒液體推動朝向該第二線中之該狹長開口或該複數個開口；其中該第一線、該第二線及該第三線在自該空間之一邊界處順次配置於一流體處理結構中，該浸沒液體提供至在該流體處理結構外部之一區域的該空間。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：

-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；

-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；

-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及

-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT固持圖案化元件。支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。

本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。

圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。

本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化元件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在橫穿圖案化元件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化元件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中，圖案化元件對準標記可定位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。

2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

可將用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成三種通用種類。此等種類為浴類型配置、所謂的局域化浸沒系統及全濕潤浸沒系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板台WT之部分被浸漬於液體浴中。

局域化浸沒系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間在平面圖中小於基板之頂部表面。填充有液體之體積或空間相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在該區域下方移動。圖2至圖5展示可用於此系統中之不同供應元件。

在全濕潤配置中，液體係未受限制的。基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度較小。液體可為在基板上之液體膜(諸如液體薄膜)。浸沒液體可供應至投影系統及面對該投影系統之對向表面或其附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2至圖5(其在下文予以描述)之液體供應元件中之任一者可用於此系統中。然而，密封特徵可能不存在、可能未被啟動、可能不如正常一樣有效率，或可能以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。

圖2至圖5中說明四種不同類型之局域化液體供應系統。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(如箭頭所指示，較佳地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)。液體在通過投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除(如箭頭所指示)。隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體流係藉由箭頭指示；液體係經由入口而被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口而被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口的各種定向及數目均係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合(如箭頭所指示)。

圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上的兩個凹槽入口而被供應，且藉由自該等入口徑向地向外所配置之複數個離散出口而被移除。可在中心具有孔之板中配置入口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口而被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口而被移除，從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意，在圖4中藉由箭頭來展示流體及基板W之流動方向。

已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統，液體限制結構沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明此配置。箭頭指示流動方向。

圖5示意性地描繪具有液體限制結構12之局域化液體供應系統或流體處理結構，液體限制結構12沿著投影系統PS之最終元件與對向表面(例如，基板台WT或基板W)之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台WT之表面。除非另有明確敍述，否則對基板相對於另一物件(例如，投影系統)之移動的參考包括對基板台相對於同一物件之移動的參考)。液體限制結構12在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W之表面之間。密封件可為諸如氣體密封件之無接觸密封件(美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示具有氣體密封件之此系統)或流體密封件。

液體限制結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場形成對基板W之無接觸密封件(諸如氣體密封件16)，使得液體受限制於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構12而至少部分地形成空間11。液體係藉由液體入口13而被帶入投影系統PS下方及液體限制結構12內之空間11中。可藉由液體出口13移除液體。液體限制結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，液體限制結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形或任何其他適當形狀。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此情況。

可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於液體限制結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，藉由N₂ 或另一惰性氣體形成氣體密封件。氣體密封件16中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至液體限制結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14而被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣體流。氣體對液體限制結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣體流對於使在空間11中含有液體係有效的。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在另一實施例中，液體限制結構12不具有氣體密封件。

本發明之一實施例係關於一種用於流體處理結構中的特定類型之抽取器，其實質上防止彎液面前進超出特定點。亦即，本發明之一實施例係關於一種彎液面牽制元件，其將投影系統之最終元件與基板及/或基板台之間的空間11中之液體之邊緣(例如，以液體彎液面之形式)牽制於實質上適當位置中。彎液面牽制配置依靠於所謂的氣體拖曳抽取器原理，該原理已被描述於(例如)全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第2008/0212046號中。在該系統中，可以成隅角形狀置放抽取孔。隅角係與投影系統與基板及/或基板台之間的相對運動方向(例如，步進方向及掃描方向)對準。對於在相對運動方向上之給定速率，與在兩個出口經對準成垂直於相對運動方向的情況相比較，隅角係與相對運動方向對準的情況有助於減少對兩個出口之間的彎液面之力。然而，本發明之一實施例可適用於在平面圖中可具有任何形狀的流體處理結構，或具有諸如經配置為任何形狀之抽取開口之組件部分的流體處理結構。在一非限制性清單中，此形狀可包括橢圓形(諸如圓形)、直線形狀(諸如矩形(例如，正方形)，或平行四邊形(例如，斜方形))，或具有四個以上隅角之成隅角形狀(諸如具有四個或四個以上尖角之星形)。

在US 2008/0212046之系統之變化(本發明之一實施例係關於該變化)中，經配置有開口之成隅角形狀的幾何形狀允許針對在較佳相對運動方向上(例如，在掃描方向上及在步進方向上)均對準之隅角存在尖銳隅角(選自約60°至90°之範圍，理想地選自75°至90°之範圍，且最理想地選自75°至85°之範圍)。此情形可允許在每一經對準隅角之方向上的速率增加。此係因為歸因於在掃描方向上之不穩定彎液面而產生液體小滴的情況減少。在隅角係與掃描方向及步進方向兩者對準的情況下，可在該等方向上達成增加之速率。理想地，在掃描方向上之移動速率與在步進方向上之移動速率可實質上相等。

圖6示意性地且以平面圖說明用於本發明之一實施例中的流體處理結構之部分之彎液面牽制特徵。彎液面牽制元件之特徵得以說明，其可(例如)替換圖5之彎液面牽制配置14、15、16。圖6之彎液面牽制元件包含配置於第一線或牽制線中之複數個離散開口50。此等開口50中之每一者被說明為圓形，但未必為此情況。實際上，開口50中之一或多者可為選自圓形、正方形、矩形、長橢圓形、三角形、狹長縫隙等等中之一或多者。每一開口在平面圖中具有大於0.2毫米(理想地大於0.5毫米或1毫米，在一實施例中選自0.1毫米至10毫米之範圍，在一實施例中選自0.25毫米至2毫米之範圍)之長度尺寸(亦即，在自一開口至鄰近開口之方向上)。在一實施例中，長度尺寸係選自0.2毫米至0.5毫米之範圍，理想地選自0.2毫米至0.3毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.1毫米至2毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.2毫米至1毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.35毫米至0.75毫米之範圍(理想地大約0.5毫米)。

可將圖6之彎液面牽制元件之開口50中的每一者連接至單獨負壓源。或者或另外，可將開口50中之每一者或複數者連接至自身被固持於負壓下之共同腔室或歧管(其可為環形)。以此方式，可達成開口50中之每一者或複數者處的均一負壓。可將開口50連接至真空源，及/或可在壓力方面增加環繞流體處理結構或系統(或限制結構、障壁部件或液體供應系統)之氛圍以產生所要壓力差。

在圖6之實施例中，開口為流體抽取開口。開口50為用於將氣體及/或液體傳遞至流體處理結構中之入口。亦即，可認為開口係來自空間11之出口。此情形將在下文加以更詳細地描述。

開口50形成於流體處理結構12之表面中。該表面在使用中面對基板及/或基板台。在一實施例中，開口係在流體處理結構之平坦表面中。在另一實施例中，隆脊(ridge)可存在於面對基板的流體處理結構之表面上。在該實施例中，開口可在隆脊中。在一實施例中，開口50可藉由針狀物(needle)或管路(tube)界定。可將一些針狀物(例如，鄰近針狀物)之本體接合在一起。可將針狀物接合在一起以形成單一本體。單一本體可形成可成隅角之形狀。

自圖7可看出，開口50為(例如)管路或狹長通道55之末端。理想地，開口經定位成使得其在使用中面對基板W。開口50之緣邊(rim)(亦即，離開表面之出口)實質上平行於基板W之頂部表面。在使用中將開口引導朝向基板W及/或經組態以支撐該基板之基板台WT。考慮此情形之另一方式在於：開口50被連接至之通道55的狹長軸線實質上垂直於(在與垂直線所成之+/-45°內，理想地在35°、25°或甚至15°內)基板W之頂部表面。

每一開口50經設計成抽取液體與氣體之混合物。自空間11抽取液體，而將氣體自開口50之另一側上的氛圍抽取至液體。此情形產生如箭頭100所說明之氣體流，且此氣體流對於將開口50之間的彎液面90牽制於實質上適當位置中係有效的(如圖6所說明)。氣體流有助於維持藉由動量阻擋、藉由氣體流誘發性壓力梯度及/或藉由在液體上氣體流之拖曳(剪應力)而限制的液體。

開口50環繞流體處理結構將液體所供應至之空間。亦即，可圍繞面對基板及/或基板台的流體處理結構之表面分佈開口50。開口可圍繞空間實質上連續地隔開(在一實施例中，一些鄰近開口之間的間隔可相同，但鄰近開口50之間的間隔可變化)。在一實施例中，自始至終圍繞可成隅角之形狀抽取液體。實質上在液體撞擊該形狀所在之點處抽取該液體。此情形係因為自始至終圍繞空間形成開口50(以該形狀)而被達成。以此方式，可將液體限制至空間11。在操作期間，可藉由開口50來牽制彎液面。

自圖6可看出，開口50可經定位成在平面圖中形成成隅角形狀(亦即，具有隅角52之形狀)。在圖6之情況下，該形狀為具有彎曲邊緣或側54之四邊形，諸如斜方形(例如，正方形)。邊緣54可具有負半徑。邊緣54可朝向成隅角形狀之中心(例如，沿著經定位成遠離於隅角52的邊緣54之部分)彎曲。然而，邊緣54上之所有點相對於相對運動方向之角度的平均值可被稱作可藉由無曲率之直線表示的平均角度線(line of average angle)。

該形狀之主軸110、120可與在投影系統下方基板W之主要行進方向對準。此情形有助於確保最大掃描速率快於在開口50經配置為如下形狀之情況下的最大掃描速率：在該形狀中，移動方向與該形狀之軸線不對準(例如，圓形形狀)。此係因為在主軸與相對運動方向對準的情況下可減少對兩個開口50之間的彎液面之力。舉例而言，該減少可為因數cosθ。「θ」為連接兩個開口50之線相對於基板W正移動所在之方向的角度。

正方形形狀之使用允許在步進方向上之移動與在掃描方向上之移動處於實質上相等的最大速率下。此情形可藉由使該形狀之隅角52中之每一者與掃描方向110及步進方向120對準而達成。若較佳的是使在該等方向中之一者(例如，掃描方向)上之移動快於在另一方向(例如，步進方向)上之移動，則該形狀可為斜方形。在此配置中，斜方形之主軸可與掃描方向對準。對於斜方形形狀，儘管該等隅角中之每一者可為銳角，但斜方形之兩個鄰近側(或邊緣)之平均角度線之間的角度(例如，相對於在步進方向上之相對運動方向)可為鈍角，亦即，大於90°(例如，選自約90°至120°之範圍，在一實施例中選自90°及105°之範圍，在一實施例中選自85°及105°之範圍)。

可藉由使開口50之形狀之主軸與基板之主要行進方向(通常為掃描方向)對準且使另一軸線與基板之另一主要行進方向(通常為步進方向)對準來最佳化產出率。應瞭解，在至少一移動方向上，θ不為90°之任何配置均將給出一優點。因此，主軸與主要行進方向之確切對準並不至關重要。

提供具有負半徑之邊緣的優點在於：可使隅角更尖銳。對於與掃描方向對準之隅角52及與步進方向對準之隅角52兩者，選自75°至85°或甚至更低之範圍的角度可均為可達成的。若其對於此特徵為不可達成的，則為了使在兩個方向上對準之隅角52具有相同角度，該等隅角必須具有90°。若需要使隅角具有小於90°之角度，則有必要將與相對運動方向對準之隅角選擇為小於90°。其他隅角將具有大於90°之角度。

可將開口配置為星形形狀。在星形形狀之一實施例中，邊緣係筆直而非彎曲的。邊緣可匯合於一點(例如，中間隅角)處，該點係自兩個隅角52之間的直線徑向地向內。此配置在以高相對速率牽制彎液面方面可能不如藉由接合開口之線界定之兩個鄰近隅角52之間的邊緣平滑的配置成功。藉由開口50界定之此線可界定成隅角形狀、係連續的且具有連續改變方向。在星形形狀實施例中，沿著該形狀之側的中間隅角可牽制彎液面。隅角愈尖銳，則聚焦於隅角上的牽制彎液面之力愈多。在尖銳隅角處，牽制力聚焦於該形狀之邊緣之短長度上。與尖銳隅角相比較具有較平滑曲線之隅角(例如，具有較大曲率半徑之隅角)具有較長長度，且因此沿著隅角之較長曲線(亦即，圍繞隅角)分佈牽制力。因此，對於基板與流體處理結構之間的特定相對速度，施加至兩個隅角之有效彎液面牽制力相同。然而，對於邊緣之經界定長度，針對尖銳隅角之有效牽制力大於針對平滑彎曲隅角之有效牽制力。與藉由平滑彎曲隅角牽制之彎液面相比較，牽制於尖銳隅角處之彎液面在基板與流體處理結構之間的較低相對速度下較不穩定。

圖7說明開口50提供於流體處理結構之下部表面51中。然而，未必為此情況，且開口50可在自流體處理結構之下部表面的突起中。箭頭100展示自流體處理結構外部至與開口50相關聯之通道55中之氣體流動。箭頭150說明自空間至開口50中之液體傳遞。通道55及開口50理想地經設計成使得在環形流動模式中理想地發生二相抽取(亦即，氣體及液體)。在環形氣體流中，氣體可實質上流動通過通道55之中心，且液體可實質上沿著通道55之壁流動。此情形導致具有低脈動產生之平滑流。

可能不存在自開口50徑向地向內之彎液面牽制特徵。以藉由進入開口50之氣體流誘發的拖曳力將彎液面牽制於開口50之間。大於約15公尺/秒(理想地為20公尺/秒)之氣體拖曳速度係足夠的。可減少液體自基板蒸發之量，藉此減少液體之濺射以及熱膨脹/收縮效應兩者。

複數個離散針狀物(其可各自包括開口50及通道55)(例如，至少三十六(36)個離散針狀物，每一離散針狀物具有1毫米之直徑且被分離3.9毫米)對於牽制彎液面可為有效的。在一實施例中，存在112個開口50。開口50可為正方形，其中側之長度為0.5毫米、0.3毫米、0.2毫米或0.1毫米。

流體處理結構之底部的其他幾何形狀係可能的。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中所揭示之結構中之任一者均可用於本發明之一實施例中。

在圖6中可看出，狹長孔隙61(其可為縫隙形狀)提供於開口50外部。與配置於第一線中之開口50相比較，狹長孔隙61可經定位成較遠離於含有浸沒流體之空間。孔隙61可實質上平行於經配置有開口50之第一線。狹長孔隙可形成第二線或刀線(knife line)。第二線可環繞藉由開口50形成之形狀的周邊。在一實施例中，狹長孔隙係連續的，且可完全環繞藉由第一線形成之形狀。在使用中，孔隙61連接至過壓源。自孔隙61流動之氣體可形成環繞藉由開口50形成之彎液面牽制系統的氣體刀60。下文將描述此氣體刀之功能。在一實施例中，狹長孔隙包含沿著該形狀之側54的複數個離散孔隙(其可為狹長的)。可串聯地配置複數個孔隙。

在一實施例中，液體處理元件係如在上文中所描述，但缺乏氣體刀60。在此實施例中，當基板台WT移動成使得浸沒液體之彎液面穿越親液性區域或具有相對較低疏液性之區域(亦即，與浸沒液體所成之接觸角低於與基板或基板台表面之其他部分所成之接觸角)時，浸沒液體可遍及具有低疏液性之區域展開成膜。在存在水之情況下，對疏液性之參考係針對疏水性，且對親液性之參考係針對親水性。

膜之形成可取決於液體彎液面與基板或基板台之相對移動速率(「掃描速率」)是否大於臨界速率。關於藉由開口50牽制之彎液面，臨界速率為流體處理結構12與基板及/或基板台之對向表面之間的相對速度，在高於該相對速度的情況下，彎液面可能不再穩定。臨界速率取決於對向表面之屬性。一般而言，對向表面之接觸角愈高，則臨界速率愈高。一旦已開始形成膜，其隨即可繼續成長(即使基板現已移動)，使得彎液面遍及具有較高接觸角之區域。對於具有較高接觸角之此區域，臨界速率較高。若基板以彎液面先前所接觸(亦即，具有較低接觸角)之區域的臨界速率移動，則掃描速率可低於當前臨界掃描速率。

在一些情況下，在短延遲之後，膜可能會破裂成不良的較大之小滴。在一些情況下，基板台之後續移動可導致小滴碰撞彎液面，此情形可在浸沒液體中產生氣泡。具有相對較低疏液性(例如，在存在水之情況下為疏水性)之區域可包括基板之邊緣、基板台上之可卸除式特徵(例如，貼紙)、定位特徵(例如，編碼器柵格或對準標記)及/或感測器(例如，劑量感測器、影像感測器或光點感測器)。在一實施例中，可藉由塗層或表面處理之降級而形成具有相對較低疏液性(例如，在存在水之情況下為疏水性)之區域。可提供塗層或表面處理以增加經提供有其之表面的疏液性(例如，在存在水之情況下為疏水性)。

在一實施例中，氣體刀60可起作用以減少留存於基板或基板台上之任何液體膜的厚度。減少膜之厚度可減少其破裂成小滴之可能性。或者或另外，來自氣體刀60之氣體流可將液體驅動朝向開口50且被抽取。

在一實施例中，氣體刀60操作以減少膜之形成。為了達成此目的，需要使氣體刀孔隙61之中心線與彎液面牽制開口50之間的距離係選自1.5毫米至4毫米之範圍，理想地選自2毫米至3毫米之範圍。(在一實施例中，氣體刀孔隙61具有複數個孔隙61)。配置孔隙61所沿著之第二線通常遵循形成開口50所沿著之第一線，使得孔隙61及開口50中之鄰近孔隙與鄰近開口之間的距離係在前述範圍內。第二線可平行於開口50之線，但未必為此情況，如2009年9月3日申請之美國專利申請案第US 61/239,555號中所描述，該案之全文以引用之方式併入本文中。

可能需要維持鄰近孔隙61(其中沿著第二線存在複數個孔隙)與鄰近開口50之間的恆定分離度。在一實施例中，此情形沿著孔隙61及開口50之中心線之長度係理想的。在一實施例中，恆定分離度可在流體處理元件之更多隅角中之一者附近。

氣體刀理想地足夠接近於開口50以產生跨越其間之空間的壓力梯度。理想地，不存在停滯區(stagnant zone)，其中液體層(亦即，液體膜)或液體小滴可積聚於(例如)流體處理結構12下方。在一實施例中，通過開口50之氣體流動速率可耦合至通過狹長孔隙61之氣體流動速率，如2009年9月3日申請之美國專利申請案第US 61/239,555號及美國專利申請公開案第US 2007-0030464號中所描述，該兩案之全文各自以引用之方式併入本文中。因此，可自孔隙61至開口50實質上向內引導氣體速率。在通過開口50之氣體流動速率與通過孔隙61之氣體流動速率相同的情況下，流動速率可被稱作「平衡的」。平衡氣體流係理想的，因為其最小化液體殘餘物(例如，膜)之厚度。

如本文中在別處所描述，開口50可經配置以形成任何封閉形狀，其在一非限制性清單中可包括(例如)四邊形(諸如平行四邊形、斜方形、矩形、正方形)或橢圓形(諸如圓形)。在每一情況下，用於氣體刀60之孔隙61可具有與藉由開口50形成之形狀實質上類似的形狀。藉由開口50形成之形狀之邊緣與藉由孔隙61形成之形狀之邊緣之間的分離度係在前述範圍內。在一實施例中，理想地，分離度係恆定的。

圖8以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的流體處理結構之部分。在含有液體之空間11與在流體處理結構外部之區域(例如，在流體處理結構外部之周圍氛圍中)之間的邊界處，可以上文所論述之方式配置複數個開口50及孔隙61。複數個開口50可配置於第一線中以用於將液體自空間抽取至流體處理結構中。孔隙61可提供於第二線中且經配置以形成氣體刀元件。來自氣體刀之氣體可將液體推動朝向第一線中之開口50。在本發明之一實施例中，狹長開口可代替複數個開口50而提供於第一線中以用於將液體自空間抽取至流體處理結構中。

一或多個開口71可提供於第三線或小滴線中，第三線或小滴線比第一線及第二線更遠離於浸沒液體。第二氣體刀元件係藉由配置於第四線或小滴刀線中之孔隙72形成。(在一實施例中，孔隙72具有複數個孔隙72)。第四線經配置成比第三線更遠離於含有浸沒液體之空間11。可主要向內引導通過第二氣體刀元件之氣體流，使得大部分氣體流傳遞通過開口71。在一實施例中，通過第二氣體刀元件之一或多個開口71及孔隙72之氣體流係平衡的。

此實施例之流體處理結構包括結合第一複數個開口50而操作之第一氣體刀元件。此組合執行浸沒液體之主要抽取。

流體處理結構具有搭配開口71之第三線而操作的第二氣體刀元件。已發現一或多個開口與關聯氣體刀之額外組合的提供出乎意料地有益。

具有單一氣體刀元件及開口之單一關聯線之配置(諸如圖7所描繪之配置)可能將液體殘餘物留存於基板W及/或基板台WT之表面上。液體殘餘物可能以一液體膜或複數個小滴之形式。不久，該膜可能會破裂成複數個小滴。該等小滴可能會成長為較大之小滴，且可能會變得不可接受地大。如本文中所解釋，當對於對向表面之一部分的掃描速率超過其臨界掃描速率時，可能會留存液體殘餘物。舉例而言，當對於具有連續接觸角之表面的掃描速率增加超出對於該表面之臨界掃描速率時，可能會發生留存液體殘餘物的情形。液體殘餘物可能會留存於一表面之一部分之部位(其中接觸角改變)中，因此，對於該部分之臨界掃描速率降低，因此，掃描速率超過臨界掃描速率(即使掃描速率恆定)。舉例而言，在液體彎液面穿越一特徵之一邊緣的時刻，此部分可為該特徵之該邊緣，諸如基板、擋板部件、感測器或感測器目標之邊緣。

在氣體刀元件藉由至氛圍壓力之連接(例如，藉由連接至氛圍且位於氣體刀元件與開口50、71之間的空間)而自開口50、71之線去耦的配置中，可能會發生另外問題。液體可積聚於氣體刀元件與開口之間，從而產生較大之小滴。當相對於投影系統PS及流體處理結構的自基板W及/或基板台WT之移動方向改變時，此等較大之小滴可碰撞浸沒液體之前進彎液面。小滴與彎液面之碰撞可導致氣體之夾雜，從而產生可較小或較大之氣泡。此外，由碰撞導致的彎液面之干擾亦可形成氣泡。氣泡之形成係不良的。本文中所描述之配置可有助於減少以上問題或其他問題中之一或多者。

在流體處理結構中提供兩個氣體刀元件及用於抽取之關聯開口會准許出於每一組合之特定目的而選擇每一組合之程序控制參數的設計及/或設定，其可為不同的。離開形成第一氣體刀的第二線中之孔隙61的氣體流動速率可小於離開形成第二氣體刀元件的第四線中之孔隙72的氣體流動速率。

在一實施例中，可能需要使針對第一氣體刀元件之氣體流動速率相對較低，因為如上文所解釋，通過第一線中之複數個開口50的流處於二相，其具有顯著量之液體。若通過第二線中之孔隙61及第一線中之複數個開口50的流動速率為不穩定的二相流動型態(例如，流動速率可能過高)，則二相流動可導致力變化(例如，振動)，此情形係不良的。另一方面，通過第二線中之孔隙61及/或第一線中之複數個開口50的流動型態愈穩定(例如，流動速率愈低)，則在基板W及/或基板台WT相對於投影系統PS及流體處理結構之給定移動速率下經過氣體刀元件的浸沒液體之洩漏愈大。因此，單一氣體刀配置中之氣體流動速率基本上為此兩種相衝突需求之間的折衷。

在流體處理結構中提供第二氣體刀元件及關聯抽取有益地使較低流動速率能夠用於第一氣體刀元件。可使用第二氣體刀元件以移除傳遞超出第一氣體刀元件之液體小滴。此外，通過第四線中之孔隙72及第三線中之一或多個開口71的氣體流動速率可相對較高。此係因為流主要為氣體。有益地，此增加之流動速率改良自基板W及/或基板台WT之表面移除液體小滴的效能。

在一配置中，離開用以形成第一氣體刀元件的第二線中之孔隙61的氣體流動速率可小於或等於每分鐘100公升， 理想地小於或等於每分鐘75公升，理想地為大約每分鐘50公升或更少。在一特定配置中，離開用以形成第二氣體刀元件的第四線中之孔隙72的氣體流動速率可大於或等於每分鐘60公升，理想地大於或等於每分鐘100公升，理想地為大約每分鐘125公升或更多。

在一實施例中，提供控制器63以控制通過第二線中之孔隙61的氣體流動速率。在一實施例中，控制器63亦可控制通過第一線中之開口50的氣體流動速率。控制器63可控制過壓源64(例如，泵)及/或負壓源65(例如，泵，可能為與提供過壓之泵相同的泵)。控制器63可連接至一或多個適當流動控制閥，以便達成所要流動速率。控制器可連接至用以量測所抽取之流動速率的與一或多個開口50相關聯之一或多個二相流動速率計、用以量測所供應之氣體流動速率的與孔隙61相關聯之流動速率計，或此兩者。2009年6月30日申請之美國專利申請案第US 61/213,657號中描述用於二相流量計之適當配置，該案之全文以引用之方式併入本文中。

提供控制器73(其可與控制器63相同)以控制通過孔隙72之氣體流動速率。控制器73亦控制通過一或多個開口71之氣體流動速率。控制器73可控制過壓源74(例如，泵)及/或負壓源75(例如，泵，可能為與提供過壓之泵相同的泵)。可存在連接至控制器73且藉由控制器73控制之一或多個適當控制閥，以便提供所要流動速率。該控制器可基於流量量測來控制該等閥，該等流量量測係藉由經配置以量測通過一或多個開口71之流量的一或多個二相流量計、經配置以量測通過孔隙72之流量的一或多個流量計或此兩者供應。此配置可類似於用於與第一線及第二線相關聯之流動組件的配置。

控制器63、73中之一者或兩者可經組態以與對應氣體刀之氣體流動速率成比例地控制通過開口50、71之氣體流。在一實施例中，通過氣體刀之氣體流動速率與通過對應開口50、71之總流動速率相差高達20%或高達10%。在一實施例中，可控制通過開口50、71之氣體流動速率以匹配於通過對應一或多個孔隙61、72之氣體流。在一實施例中，通過一或多個孔隙61、72或氣體刀之氣體流動速率可與通過對應開口50、71之氣體流動速率實質上相同。

配置通過開口50、71之氣體流動速率以匹配於各別氣體刀之氣體流動速率可意謂流出氣體刀之實質上全部氣體均流入對應開口50、71。氣體流可向內、朝向彎液面或朝向液體殘餘物之來源。隔離式氣體刀產生實質上對稱壓力峰值，其中氣體流係在遠離於該峰值之兩個方向上。然而，因為在一實施例中氣體流對於氣體刀中之任一者或兩者係平衡的，所以氣體刀代替地可在氣體刀之一或多個孔隙61、72與對應開口50、71之間形成壓力梯度。可存在極少自氣體刀中之任一者向外的氣體流或不存在自氣體刀中之任一者向外的氣體流(在圖7及圖8中向右)，即，遠離於含有浸沒液體之空間。

在一實施例中，控制器63、73可控制任一氣體刀或兩個氣體刀之啟動，使得當需要氣體刀或可能需要氣體刀時其係在作用中的。換言之，可在適當預定條件下切斷任一氣體刀或兩個氣體刀。舉例而言，對於當前在彎液面下方或接近彎液面之表面，可在掃描速率確實地低於臨界速率時切斷氣體刀，且在掃描速率高於或很可能高於臨界速率時接通氣體刀。舉例而言，當基板之中心部分在流體處理結構12下方移動時，可切斷氣體刀中之一者或兩者。接觸角遍及基板之此部分係恆定的，且針對該部分之臨界掃描速率可足夠高以使得其不會被超過。在空間之彎液面移動遍及一邊緣(例如，基板、感測器、擋板部件或感測器目標之邊緣)之前、期間及/或之後，氣體刀元件中之一者或兩者可為操作的。

在微影裝置之組態中，對於該裝置之預期操作模式中之任一者可能特別無需內部氣體刀。因此，在一實施例中，可省略內部氣體刀。在此實施例中，如圖12所描繪，可省略第二線中之孔隙61。可能不存在針對過壓源64之要求。應瞭解，可結合本文中所論述之其他實施例及變化來應用裝置之此變化。

配置一或多個開口71及孔隙72所沿著之第三線及第四線可通常遵循形成一或多個開口50及孔隙61所沿著之第一線及第二線。在一實施例中，藉由一或多個開口71形成之形狀不同於藉由一或多個開口50形成之形狀。可能需要使第三線與第四線(例如，在一實施例中，第一線至第四線)平行，使得在該等線之間存在恆定分離度。

在一實施例中，第二線中之孔隙61的寬度(即，在橫向於第一線至第四線之方向上)係選自40微米至75微米之範圍，理想地為大約50微米。

在一實施例中，用以形成第二氣體刀元件的第四線中之孔隙72可具有與關於第二線中之孔隙61所描述之特徵相同的特徵。如同第一氣體刀元件之孔隙61，孔隙72可形成為單一縫隙或形成為複數個狹長孔隙。在一實施例中，第四線之孔隙72的寬度(即，在橫向於第一線至第四線之方向上)係選自20微米至50微米之範圍，理想地為30微米。

第三線中之一或多個開口71可形成為單一狹長縫隙或形成為複數個狹長開口。在一實施例中，第三線中之一或多個開口71的寬度(即，在橫向於第一線至第四線之方向上)係選自100微米至200微米之範圍，理想地為150微米。或者，可以類似於第一線中之一或多個開口50的方式來配置第三線中之一或多個開口71。

在一實施例中，流體處理結構之下部表面51可經配置成使得該下部表面之外部部分51a延伸成與第四線中之孔隙72相距至少2毫米，理想地為至少5毫米。結合基板W及/或基板台WT之表面，流體處理結構之下部表面51之此外部部分51a可充當阻尼器，從而減少遠離於第三線中之一或多個開口71的氣體流。因此，此配置可減少(例如)以遠離於流體處理結構之小滴之形式的液體洩漏(特別係在相對較高掃描速率下)。

在圖8所描繪之實施例中，凹座80提供於流體處理結構之下部表面51中。凹座80可提供於在第二線與第三線之間的第五線或凹座線中。在一實施例中，凹座80經配置成使得其平行於第一線至第四線中之任一者，理想地至少平行於第二線、第三線或此兩者。

凹座80可包括一或多個開口81，一或多個開口81係藉由氣體管道82而連接至諸如周圍氛圍之氛圍，例如，連接至在流體處理結構外部之區域。凹座80理想地在連接至外部氛圍時可起作用以使第一氣體刀元件及第一線中之關聯一或多個開口50自第二氣體刀元件及第三線中之關聯一或多個開口71去耦。凹座80去耦位於任一側之組件的操作，因此，使自凹座徑向地向內之特徵自徑向地向外之特徵去耦。

一般而言，應瞭解，凹座80之體積應足夠大，以便提供去耦第一氣體刀及第二氣體刀之所要功能。然而，凹座80之體積愈大，則液體收集於凹座內之可能性愈大，及/或可收集於凹座80內之液體的量愈大。此液體收集係不良的，因為其可導致形成較大之小滴，其隨後被釋放至基板W及/或基板台WT之表面上。或者或另外，當在掃描方向上存在改變時，收集於凹座80中之液體可碰撞彎液面，從而導致上文所論述之問題中的一或多者。

凹座80之大小的選擇可為折衷。在一實施例中，凹座80相對於流體處理結構之下部表面51的深度D1可選自0.25毫米至0.75毫米之範圍，理想地為約0.5毫米。在一實施例中，凹座80之寬度(即，在橫向於第一線至第五線之方向上)可選自1毫米至15毫米之範圍，理想地選自1毫米至10毫米之範圍，理想地選自2毫米至3毫米之範圍。

在一實施例中，可主要選擇凹座80之大小，以便確保去耦第一氣體刀及第二氣體刀之所要功能。舉例而言，凹座80之大小可大於上文所提供之實例。在此實施例中，可採取額外措施，以減少凹座中之液體收集，或改進收集於凹座中之任何液體的效應，或此兩者。

在凹座80之任一側上，可存在流體處理結構之下部表面51之各別部分51b、51c。各別部分51b、51c可分別使凹座80之邊緣與第三線中之一或多個開口71及第二線中之孔隙61的邊緣分離。(應注意，孔隙61及一或多個開口71之此等邊緣不為第二線及第三線，因為該等線穿過該等開口之橫截面的中心；該等邊緣因此遠離於該線)。結合基板W及/或基板台WT之表面，在凹座80之任一側上的流體處理結構之下部表面51之部分51b、51c可充當各別阻尼器。此阻尼器可輔助確保來自第一氣體刀及第二氣體刀之氣體流流動朝向各別開口50、71。

在凹座80之任一側上的流體處理結構之下部表面51之部分51b、51c之大小的選擇可為折衷。可能有必要確保流體處理結構之下部表面51之部分51b、51c之大小足夠大以根據需要而充當阻尼器。可能有必要確保第二線與第四線之間的總距離大於給定臨限值。此係因為第二線與第三線之間的距離可能需要足夠大以確保液體膜90破裂成小滴。使第二線與第三線之間的距離至少與給定臨限值一樣大可促進通過第三線中之一或多個開口71而自基板W及/或基板台WT之表面移除液體。然而，第二線中之孔隙61之邊緣與第三線中之一或多個開口71之邊緣之間的分離度愈大，則液體收集之可能性愈大，及/或將收集於凹座下方之液體的量愈大。此情形可導致困難，例如，如上文所論述。

在一實施例中，在凹座80與第一氣體刀元件之間的流體處理結構之下部表面之部分51c之寬度可為至少1毫米，理想地為至少2毫米。部分51c之寬度可為第二線中之孔隙61之邊緣與在橫向於第一線至第五線之方向上的凹座80之最近邊緣之間的分離度。流體處理結構之下部表面51之部分51c在第一氣體刀元件與凹座80之間可為連續的，無孔隙或開口。

在一實施例中，在凹座80與第三線中之一或多個開口71之間的流體處理結構之下部表面51之部分51b之寬度可為至少1毫米，理想地為至少2毫米。部分51b之寬度可為一或多個開口71之邊緣與在橫向於第一線至第五線之方向上的凹座80之最近邊緣之間的分離度。流體處理結構之下部表面51之部分51b在第三線中之一或多個開口71與凹座80之間可為連續的，無開口或孔隙。

為了有助於減少液體收集於凹座80內之可能性，該凹座可具備無尖銳邊緣之形狀。表面可為平滑圓形。尖銳邊緣係不良的，因為可能容易收集液體。舉例而言，凹座80之形狀可經組態成使得在圍繞該凹座之表面之任何點處的最小曲率半徑為至少0.1毫米，理想地大於0.2毫米。

在一實施例中，凹座80之大小及在該凹座之任一側上的流體處理結構之下部表面51之部分51b、51c之大小經選擇成使得流體處理結構之此等區段的總寬度係選自2毫米至20毫米之範圍，理想地選自4毫米至16毫米之範圍。凹座80之大小及部分51b、51c之大小可為第二線中之孔隙61與第三線中之一或多個開口71之間的分離度。

在一實施例中，流體處理結構可在流體處理結構之下部表面51中包括一或多個開口，一或多個開口係藉由氣體管道而連接至諸如周圍氛圍之氛圍，例如，連接至在流體處理結構外部之區域。舉例而言，可向未併有諸如上文所描述之凹座之凹座的實施例提供連接至氛圍之此等開口。可使用此配置以使第一氣體刀及第一線中之關聯一或多個開口50自第二氣體刀元件及第三線中之關聯一或多個開口71去耦。

如上文所論述，收集於流體處理結構之下部表面51上(特別係第二線中之孔隙61與第三線中之一或多個開口71之間)的液體可為不良的。當基板W及基板台WT相對於投影系統及流體處理結構之相對移動方向改變時，經收集液體可導致問題。在一實施例中，包括本文中所描述之流體處理結構的微影裝置可包括控制器PWC，控制器PWC經配置以控制定位器PW之致動器系統，定位器PW經組態以移動基板台WT及固持於其上之基板W。

控制器PWC可經組態成使得若基板台WT相對於投影系統PS之速率高於特定速度，則採取步驟以減少可由如上文所論述之經收集液體導致的問題。速率可經選擇以對應於第一氣體刀元件(例如)相對於對向表面之一部分的臨界速度，或稍微低於此臨界速度。臨界速度可被認為係基板台WT相對於投影系統PS之速度，在該速度下，通過氣體刀之浸沒液體洩漏(例如，徑向地向外)超過給定量。應瞭解，此臨界速度可取決於氣體刀元件之組態、氣體刀元件之氣體流動速率，及/或在該點處基板及/或基板台WT之表面之本性。

基板台WT相對於投影系統PS之速率可高於給定速率。可能需要改變基板台相對於投影系統之移動方向。在一實施例中，控制器PWC經組態成使得若速率高於給定速率且需要改變基板台之移動方向，則控制器PWC首先將基板台相對於投影系統PS之速率降低至低於給定速率。控制器PWC可接著起始方向改變。因此，不再發生高於(例如)第一氣體刀元件之臨界速度的方向改變，從而最小化或減少由可能已收集於第一氣體刀元件與第二氣體刀元件之間的浸沒液體導致之問題。

流體處理結構12(諸如圖8所描繪之流體處理結構)之使用可准許基板台WT相對於投影系統PS之掃描速率為1公尺/秒，而不在基板上留存大於70微米之小滴。相反地，具有在類似掃描速率下操作之開口之單一線及關聯氣體刀元件的配置可導致高達300微米之小滴留存於基板W上。因此，與先前配置相比較，在彎液面穿越特徵之邊緣(諸如在(例如)基板之邊緣處)及/或穿越親液性區域(親液性區域關於水可為親水性的)之部位處，根據本發明之一實施例之流體處理結構的效能可得以改良。本發明之一實施例的應用可有助於減少浸沒液體之損耗，及/或減少干擾力之起因。

圖9描繪根據本發明之一實施例的流體處理結構。如所展示，此實施例之流體處理結構類似於圖8所描繪之流體處理結構。然而，在此實施例中，不提供連接至氛圍之凹座。取而代之，流體處理結構之下部表面51在形成第一氣體刀元件之孔隙61與第三線中之一或多個開口71之間為連續的。換言之，在此區域中，在流體處理結構12之下部表面51中不存在開口或孔隙。

在此實施例中，通過第二線中之孔隙61的氣體流可與通過第一線中之一或多個開口50的氣體流平衡。通過第四線中之孔隙72的氣體流可與通過第三線中之一或多個開口71的氣體流平衡。因此，沒有必要去耦自下部表面51徑向地向內及徑向地向外之此等配置。因此，有益地，無需圖8之凹座80，從而減少液體收集於第二線中之孔隙61與第三線中之一或多個開口71之間的空間中之可能性，或減少收集於此區域中之液體的量。在此情況下，第二線中之孔隙61與第三線中之一或多個開口71之間的分離度可選自1毫米至4毫米之範圍，例如，為2毫米。

圖10描繪根據本發明之一實施例的流體處理結構。如所展示，此實施例之流體處理結構類似於圖8所描繪之流體處理結構。出於簡潔起見，將論述該等實施例之間的差異，且應瞭解，上文關於圖8所描繪之實施例所論述的變體亦可適用於圖10所描繪之實施例。

如圖10所示，流體處理結構12之下部表面151可經配置成使得在使用中，下部表面151之不同部分151a、151b、151c與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度不相同。在一所描繪實施例中，在第一線中之一或多個開口50及第二線中之孔隙61附近的下部表面151之部分151c與基板W及/或基板台WT之間存在分離度D2。在鄰近於第三線中之一或多個開口71及第四線中之孔隙72的下部表面之部分151a、151b與基板W及/或基板台WT之間可存在分離度D3。分離度D2可大於分離度D3。此情形係與圖8所描繪之實施例相反，在圖8所描繪之實施例中，流體處理結構之下部表面51係大體上平坦的。下部表面可為平坦的，惟第一線至第四線中之開口50、71及孔隙61、72以及凹座80之提供除外。因此，對於圖8之實施例，圍繞第一線至第四線中之開口50、71及孔隙61、72的下部表面51之每一部分與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離實質上相同。

此配置可為有益的，因為各種因素影響流體處理結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的最佳分離度。舉例而言，可能需要使圍繞第一線中之一或多個開口50的流體處理結構之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度儘可能地大。此情形可減少或最小化當小滴碰撞彎液面時形成氣泡的機率。此情形可(例如)在基板W及/或基板台WT之掃描方向上之改變期間發生。

然而，可能需要最小化圍繞用以形成第二氣體刀的第四線中之孔隙72的流體處理結構12之下部表面151之間的分離度。舉例而言，分離度愈小，則可能需要之流動速率愈低，及/或孔隙72可愈寬，以便提供有效乾燥。

因此，流體處理結構12之下部表面151可經配置成使得圍繞第一線之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度不同於圍繞第四線之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度。因此，有可能改良流體處理結構之兩個部分的效能，而非選擇下部表面151之所有部分與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的單一或實質上恆定分離度。可避免對兩種相衝突要求之間的折衷之需要。

在一實施例中，本發明之實施例中之任一者的流體處理結構12之下部表面51、151、251與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度可選自50微米至250微米之範圍。

在一實施例(諸如圖10所描繪之實施例)中，圍繞第一線中之一或多個開口50之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度D2可選自130微米至250微米之範圍，或180微米至250微米之範圍，或為大約230微米。在一實施例(諸如圖10所描繪之實施例)中，在鄰近於用以形成第二氣體刀的第四線中之孔隙72之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度D3可選自50微米至180微米之範圍，或為大約130微米。

然而，應瞭解，流體處理結構之下部表面151之不同部分與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的最佳分離度可取決於基板W及/或基板台WT之上部表面之本性。舉例而言，在一非限制性清單中，相關因素可為與液體所成之後退接觸角、基板W及/或基板台WT之掃描速率，及/或氣體刀中之至少一者之流動速率。

如本文中所提及，可能需要最大化圍繞第一線中之一或多個開口50之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度D2。然而，應進一步瞭解，可存在最大實務分離度。在超出可使用之最大實務分離度的情況下，液體洩漏可能會變得過多。

如圖10所描繪，圍繞第二線中之孔隙61(用以形成第一氣體刀)的流體處理結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度可相同於圍繞第一線中之一或多個開口50之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面的分離度。然而，應瞭解，並非需要為此情況。如圖10所描繪，鄰近於第四線中之孔隙72(用以形成第二氣體刀)的流體處理結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度可相同於鄰近於第三線中之一或多個開口71的流體處理結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度。因此，此配置可允許最小化鄰近於第三線中之一或多個開口71的流體處理結構12之下部表面151與基板W及/或基板台WT之上部表面之間的分離度。此情形可輔助確保抽取儘可能地有效。然而，並非需要為此情況。

圖11描繪根據本發明之一實施例的流體處理結構12。如所展示，流體處理結構12類似於圖9所描繪之流體處理結構12。本實施例之流體處理結構不包括凹座80。然而，在此實施例之流體處理結構與圖9所示之實施例之間存在類似於圖10所描繪之流體處理結構與圖12所描繪之流體處理結構之間的差異的差異。

流體處理結構12之下部表面251之不同部分251a、251b、251c可經配置成使得至少一部分在使用中具有與基板W及/或基板台WT之上部表面的不同分離度。鄰近於一或多個開口50的流體處理結構12之下部表面251與對向表面之上部表面之間的分離度D2可大於鄰近於孔隙72的流體處理結構12之下部表面251與對向表面之上部表面之間的分離度D3。本文中(例如)關於圖9及圖10所描繪之實施例所描述的每一變化均適用於圖11所描繪之實施例。

在圖11所描繪之實施例中，流體處理結構12之下部表面251可經配置成使得基板W及/或基板台WT之上部表面與下部表面251之間的分離度之差在孔隙61與一或多個開口71之間的區域中改變。下部表面251與對向表面之間的分離度可在第二線與第三線之間變化。分離度可自第二線至第三線改變(例如，降低)。然而，一般而言，分離度改變可提供於一或多個開口51與孔隙72之間的區域中之任一者或全部中。下部表面251與對向表面之間的分離度可在第一線與第四線之間改變(例如，降低)。

在任何情況下，應瞭解，如上文所描述，流體處理結構12之下部表面251可經配置成使得不存在可積聚液體之尖銳隅角。下部表面在第一線與第二線、第二線與第三線、第三線與第四線及鄰近線之間的表面之任何組合之間可為實質上連續的。因此，如上文所論述，流體處理結構之下部表面251可經配置成使得表面上之任何點處的最小曲率半徑為至少0.1毫米，理想地大於0.2毫米。

儘管已參考作為二相抽取器進行操作之一或多個開口50、71的使用，但在基於本文中所描述之變化中之任一者的實施例中，第一線或第四線中之一或多個開口可藉由多孔部件或微篩(比如美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所描述之多孔部件或微篩，該案之全文以引用之方式併入本文中)替換。每一多孔部件可操作以在單相或雙相流體流中抽取液體。在一實施例中，氣體流可經引導成徑向地向內，但代替地通過多孔部件被抽取，氣體流可藉由位於氣體供應孔隙與多孔部件之間的氣體抽取開口加以抽取。在此實施例中，氣體流有助於減少藉由氣體刀元件留存於對向表面上之殘餘液體。因此，可在此配置中實施本發明之一實施例，從而達成與藉由參看至少圖8及圖9所描述之實施例達成之益處類似的益處。

應瞭解，上文所描述之特徵中的任一者均可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所涵蓋的明確地所描述之該等組合。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。

當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文中所描述之控制器可各自或組合地係可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。

本發明之一或多個實施例可適用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型，且無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是未受限制的。在一未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒流體或其可能提供浸沒液體限制之比例，但未提供浸沒液體之實質上完全限制。

應廣泛地解釋如本文中所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流動之一或多個開口的組合。該等開口可各自為通向浸沒空間中之入口(或來自流體處理結構之出口)或離開浸沒空間之出口(或通向流體處理結構中之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵的一或多個元件。在一實施例中，浸沒液體可為水。

總之，本發明包含如下技術特徵：

1.　一種用於一微影裝置之流體處理結構，該流體處理結構在自經組態以將浸沒流體包含至在該流體處理結構外部之一區域之一空間的一邊界處順次具有：一狹長開口或複數個開口，其配置於一第一線中，其在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一第一氣體刀元件，其具有在一第二線中之一狹長孔隙；一狹長開口或複數個開口，其係在一第三線中；及一第二氣體刀元件，其具有在一第四線中之一狹長孔隙。

2.　如所闡述特徵1之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一線中之該狹長開口或該複數個開口中之至少一者及該第三線中之該狹長開口或該複數個開口中之至少一者為用於使一氣體及/或一液體傳遞至該流體處理結構中之入口。

3.　如所闡述特徵2之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一線中之該狹長開口或該複數個開口中之該至少一者在使用中連接至一負壓源，且進一步包含一控制器，該控制器連接至或可連接至該負壓源，該控制器經組態以控制該負壓源，使得通過該第一線中之該狹長開口或該複數個開口中之該至少一者而進入該流體處理結構的氣體流動速率大於或等於離開用以形成該氣體刀的該第二線中之該孔隙的氣體流動速率。

4.　如所闡述特徵2或3之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第三線中之該狹長開口或該複數個開口中之該至少一者在使用中連接至一負壓源，且進一步包含一控制器，該控制器連接至或可連接至該負壓源，該控制器經組態以控制該負壓源，使得通過該第三線中之該狹長開口或該複數個開口中之該至少一者的氣體流動速率大於或等於離開用以形成該氣體刀的該第四線中之該孔隙的氣體流動速率。

5.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第二線中之該孔隙及該第四線中之該孔隙在使用中連接至一氣體供應器，且進一步包含一控制器，該控制器連接至或可連接至該氣體供應器，該控制器經組態以控制該氣體供應器，使得離開用以形成該氣體刀的該第四線中之該孔隙的該氣體流動速率大於離開用以形成該氣體刀的該第二線中之該孔隙的該氣體流動速率。

6.　如所闡述特徵5之用於一微影裝置之流體處理結構，其中連接至或可連接至該氣體供應器之該控制器經組態成使得在預定條件下，氣體不供應至該第二線或該第四線中之該孔隙。

7.　如所闡述特徵5之用於一微影裝置之流體處理結構，其中離開用以形成該氣體刀的該第二線中之該孔隙的該氣體流動速率小於或等於每分鐘100公升，或小於或等於每分鐘75公升，或小於或等於每分鐘50公升。

8.　如所闡述特徵5、6或7之用於一微影裝置之流體處理結構，其中離開用以形成該氣體刀的該第四線中之該孔隙的該氣體流動速率大於或等於每分鐘60公升，或大於或等於每分鐘100公升。

9.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其包含一下部表面，該下部表面在使用中大體上平行於該基板及/或該基板台之一上部表面，該第一線至該第四線中之該等開口及該等孔隙形成於該下部表面中。

10.　如所闡述特徵9之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在使用中，該下部表面之任何部分與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度係選自50微米至250微米之範圍。

11.　如所闡述特徵10之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在使用中，鄰近於該第一線至該第四線中之該等開口及該等孔隙的該下部表面之區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度實質上相同。

12.　如所闡述特徵10之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在使用中，鄰近於該第一線中之該狹長開口或該複數個開口的該下部表面之該區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的該分離度大於鄰近於該第四線中之該孔隙的該下部表面之該區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的該分離度。

13.　如所闡述特徵12之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在使用中，鄰近於該第一線中之該狹長開口或該複數個開口的該下部表面之該區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的該分離度係選自130微米至250微米之範圍，或選自180微米至250微米，或理想地為230微米。

14.　如所闡述特徵12或13之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在使用中，鄰近於該第四線中之該孔隙的該下部表面之該區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的該分離度係選自50微米至180微米之範圍，或理想地為130微米。

15.　如特徵9至14中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該流體處理結構之該下部表面在該第二線中之該孔隙與該第三線中之該狹長開口或該複數個開口之間係連續的。

16.　如特徵9至14中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該流體處理結構在該下部表面中包含一凹座，該凹座配置於在該第二線與該第三線之間的一第五線中。

17.　如所闡述特徵16之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該凹座包含至少一開口，該至少一開口係藉由一氣體管道而連接至在該流體處理結構外部之該區域。

18.　如所闡述特徵16或17之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該凹座之深度係選自0.25毫米至0.75毫米之範圍，或理想地為0.5毫米。

19.　如特徵16至18中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在橫向於該第一線至該第五線之一方向上的該凹座之寬度係選自1毫米至15毫米之範圍，或1毫米至10毫米之範圍，或2毫米至3毫米之範圍。

20.　如特徵16至19中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第二線中之該孔隙之邊緣與在橫向於該第一線至該第五線之一方向上的該凹座之最近邊緣的分離度為至少1毫米，或至少2毫米。

21.　如特徵16至20中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該流體處理結構之該下部表面在該第二線中之該孔隙與該凹座之間係連續的，無開口或孔隙。

22.　如特徵16至21中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第三線中之該狹長開口或該複數個開口之邊緣與在橫向於該第一線至該第五線之一方向上的該凹座之最近邊緣的分離度為至少1毫米，或至少2毫米。

23.　如特徵16至22中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該流體處理結構之該下部表面在該第三線中之該狹長開口或該複數個開口與該凹座之間係連續的，無開口或孔隙。

24.　如特徵16至23中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該下部表面之形狀經組態成使得該下部表面上之任一點處的最小曲率半徑大於0.1毫米或大於0.2毫米。

25.　如特徵1至14中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其進一步包含至少一開口，該至少一開口配置於該二線與該第三線之間，該至少一開口係藉由一氣體管道而連接至在該流體處理結構外部之該區域。

26.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第二線中之該孔隙與該第三線中之該狹長開口或該複數個開口之間的該分離度係選自2毫米至20毫米之範圍，或選自4毫米至16毫米之範圍。

27.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一線中之該狹長開口或該複數個開口之該邊緣與該第二線中之該孔隙之該邊緣的該分離度係選自1毫米至5毫米之範圍，或選自1.5毫米至4毫米之範圍，或選自2毫米至3毫米之範圍。

28.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其包含在該第一線中之複數個開口，該等開口經組態成使得在使用中，該浸沒流體之彎液面係藉由該等開口牽制。

29.　如所闡述特徵28之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一線中之該等開口的橫截面為圓形。

30.　如所闡述特徵29之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一線中之該等開口的直徑係選自0.35毫米至0.75毫米之範圍，或理想地為0.5毫米。

31.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在橫向於該第一線至該第四線之一方向上的該第二線中之該孔隙之該寬度係選自40微米至75微米之範圍，或理想地為50微米。

32.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在橫向於該第一線至該第四線之一方向上的該第三線中之該狹長開口或該複數個開口之該寬度係選自100微米至200微米之範圍，或理想地為150微米。

33.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中在橫向於該第一線至該第四線之一方向上的該第四線中之該孔隙之該寬度係選自20微米至50微米之範圍，或理想地為30微米。

34.　如特徵9至33中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該下部表面在遠離於經組態以含有浸沒流體之該空間的一方向上自該第四線中之該孔隙之該邊緣延伸至少2毫米或至少5毫米。

35.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一線至該第四線順次環繞經組態以限制浸沒流體之該空間。

36.　如前述特徵中任一所闡述特徵之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一氣體刀元件之該狹長孔隙包含複數個孔隙，及/或該第二氣體刀元件之該狹長孔隙包含複數個孔隙。

37.　一種用於一微影裝置之流體處理結構，該流體處理結構在自經組態以將浸沒流體包含至在該流體處理結構外部之一區域之一空間的一邊界處順次具有：一狹長開口或複數個開口，其配置於一第一線中，其在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一狹長開口或複數個開口，其係在一第二線中；及一氣體刀元件，其具有在一第三線中之一狹長孔隙。

38.　一種微影裝置，其包含如前述特徵中任一所闡述特徵之流體處理結構。

39.　如所闡述特徵38之微影裝置，其進一步包含：基板台，其經組態以支撐一基板；一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；一致動器系統，其經組態以使該基板台相對於該投影系統移動；及一控制器，其經組態以控制該致動器系統。

40.　如所闡述特徵39之微影裝置，其中該控制器經組態成使得若該基板台相對於該投影系統之速率高於該第一氣體刀元件之一臨界速度且需要改變該基板台相對於該投影系統之移動方向，則該控制器在起始該方向改變之前將該基板台相對於該投影系統之該速率降低至低於該臨界速度，在該臨界速度下，浸沒流體洩漏超過一臨限值。

41.　一種元件製造方法，其包含：將一浸沒液體提供至一投影系統之一最終元件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終元件與該基板及/或該基板台之間擷取浸沒液體；藉由通過形成一第一氣體刀的一第二線中之一孔隙供應氣體而將浸沒液體推動朝向該第一線中之該狹長開口或該複數個開口；通過一第三線中之一狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體；及藉由通過形成一第二氣體刀的一第四線中之一孔隙供應氣體而將剩餘浸沒液體推動朝向該第三線中之該狹長開口或該複數個開口；其中該第一線、該第二線、該第三線及該第四線在自該空間之一邊界處順次配置於一流體處理結構中，該浸沒液體提供至在該流體處理結構外部之一區域的該空間。

42.　如所闡述特徵41之元件製造方法，其中該基板及/或該基板台係在大於該第一氣體刀之一臨界速度的一速率下在一第一方向上相對於該投影系統移動，在該臨界速度下，浸沒流體洩漏超過一臨限值；且在起始該基板及/或該基板台至不同於該第一方向之一第二方向之一移動改變之前將該基板及/或該基板台相對於該投影系統之該速率降低至低於該第一氣體刀之該臨界速度。

43.　如所闡述特徵41或42之元件製造方法，其中該第一線至該第四線中之該等開口及該等孔隙提供於該流體處理結構之一下部表面中；且該流體處理結構在該下部表面中包含一凹座，該凹座配置於在該第二線與該第三線之間的一第五線中。

44.　如特徵41至43中任一所闡述特徵之元件製造方法，其進一步包含提供一管道，該管道係用於使氣體流動於在該流體處理結構外部之一區域與至少一開口之間，該至少一開口位於該第二線與該第三線之間。

45.　一種元件製造方法，其包含：將一浸沒液體提供至一投影系統之一最終元件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終元件與該基板及/或該基板台之間擷取浸沒液體；通過一第二線中之一狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體；及藉由通過形成一氣體刀的一第三線中之一孔隙供應氣體而將剩餘浸沒液體推動朝向該第二線中之該狹長開口或該複數個開口，其中該第一線、第二線及第三線在自該空間之一邊界處順次配置於一流體處理結構中，該浸沒液體提供至在該流體處理結構外部之一區域的該空間。

以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

11．．．空間

12．．．液體限制結構/流體處理結構

13．．．液體入口/液體出口

14．．．彎液面牽制配置/出口

15．．．彎液面牽制配置/氣體入口

16．．．彎液面牽制配置/氣體密封件

50．．．開口

51．．．下部表面

51a．．．下部表面之外部部分

51b．．．下部表面之部分

51c．．．下部表面之部分

52．．．隅角

54．．．邊緣/側

55．．．通道

60．．．氣體刀

61．．．孔隙

63．．．控制器

64．．．過壓源

65．．．負壓源

71．．．開口

72．．．孔隙

73．．．控制器

74．．．過壓源

75．．．負壓源

80．．．凹座

81．．．開口

82．．．氣體管道

90．．．彎液面/液體膜

100．．．氣體流動

110．．．主軸/掃描方向

120．．．主軸/步進方向

150．．．液體傳遞

151．．．下部表面

151a．．．下部表面之部分

151b．．．下部表面之部分

151c．．．下部表面之部分

251．．．下部表面

251a．．．下部表面之部分

251b．．．下部表面之部分

251c．．．下部表面之部分

B．．．輻射光束

BD．．．光束傳送系統

C．．．目標部分

CO．．．聚光器

IF．．．位置感測器

IL．．．照明系統/照明器

IN．．．積光器

M1．．．圖案化元件對準標記

M2．．．圖案化元件對準標記

MA．．．圖案化元件

MT．．．支撐結構

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一定位器

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位器

PWC．．．控制器

SO．．．輻射源

W．．．基板

WT．．．基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；

圖2及圖3描繪用於微影投影裝置中之液體供應系統；

圖4描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；

圖5描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；

圖6為根據本發明之一實施例的彎液面牽制系統以平面圖之示意性說明；

圖7部分地沿著圖6中之線VII-VII且在實質上垂直於流體處理結構下方之表面的平面中以橫截面描繪用於本發明之一實施例中的彎液面牽制系統；

圖8在實質上垂直於流體處理結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一實施例的流體處理結構之部分；

圖9在實質上垂直於流體處理結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處理結構之部分；

圖10在實質上垂直於流體處理結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處理結構之部分；

圖11在實質上垂直於流體處理結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處理結構之部分；及

圖12在實質上垂直於流體處理結構下方之表面的平面中以橫截面描繪根據本發明之一另外實施例的流體處理結構之部分。

12．．．液體限制結構/流體處理結構

50．．．開口

51．．．下部表面

51a．．．下部表面之外部部分

51b．．．下部表面之部分

51c．．．下部表面之部分

61．．．孔隙

63．．．控制器

64．．．過壓源

65．．．負壓源

71．．．開口

72．．．孔隙

73．．．控制器

74．．．過壓源

75．．．負壓源

80．．．凹座

81．．．開口

82．．．氣體管道

90．．．彎液面/液體膜

Claims (15)

1. 一種用於一微影裝置之流體處理結構，該流體處理結構在自經組態以將浸沒流體包含至在該流體處理結構外部之一區域之一空間的一邊界處順次具有：一狹長(elongate)開口或複數個開口，其配置於一第一線中，其在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一第一氣體刀元件，其具有在一第二線中之一狹長孔隙；一狹長開口或複數個開口，其係在一第三線中；一第二氣體刀元件，其具有在一第四線中之一狹長孔隙；及一下部表面，該下部表面在使用中大體(generally)上平行於該基板及/或該基板台之一上部表面，該第一線至該第四線中之該等開口及該等孔隙形成於該下部表面中，其中在使用中，鄰近於該第一線中之該狹長開口或該複數個開口的該下部表面之區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度大於鄰近於該第四線中之該孔隙的該下部表面之區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度。
2. 如請求項1之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一線中之該狹長開口或該複數個開口中之至少一者及該第三線中之該狹長開口或該複數個開口中之至少一者 為用於使一氣體及/或一液體傳遞至該流體處理結構中之入口(inlets)。
3. 如請求項2之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第一線中之該狹長開口或該複數個開口中之該至少一者在使用中連接至一負壓源(under pressure source)，且進一步包含一控制器，該控制器連接至或可連接至該負壓源，該控制器經組態以控制該負壓源，使得通過該第一線中之該狹長開口或該複數個開口中之該至少一者而進入該流體處理結構的氣體流動速率大於或等於離開用以形成該氣體刀的該第二線中之該孔隙的氣體流動速率。
4. 如請求項2或3之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第三線中之該狹長開口或該複數個開口中之該至少一者在使用中連接至一負壓源，且進一步包含一控制器，該控制器連接至或可連接至該負壓源，該控制器經組態以控制該負壓源，使得通過該第三線中之該狹長開口或該複數個開口中之該至少一者的氣體流動速率大於或等於離開用以形成該氣體刀的該第四線中之該孔隙的氣體流動速率。
5. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該第二線之該孔隙及該第四線中之該孔隙在使用中連接至一氣體供應器，且進一步包含一控制器，該控制器連接至或可連接至該氣體供應器，該控制器經組態以控制該氣體供應器，使得離開用以形成該氣體刀的該第四線中之該孔隙的該氣體流動速率大於離開用以形 成該氣體刀的該第二線中之該孔隙的該氣體流動速率。
6. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該流體處理結構之該下部表面在該第二線中之該孔隙與該第三線中之該狹長開口或該複數個開口之間係連續的；及/或該流體處理結構之該下部表面在該第二線中之該孔隙與凹座之間係連續的，無開口或孔隙；及/或該流體處理結構之該下部表面在該第三線中之該狹長開口或該複數個開口與該凹座之間係連續的，無開口或孔隙。
7. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該流體處理結構在該下部表面中包含一凹座，該凹座配置於在該第二線與該第三線之間的一第五線中。
8. 如請求項7之用於一微影裝置之流體處理結構，其中該凹座包含至少一開口，該至少一開口係藉由一氣體管道(gas conduit)而連接至在該流體處理結構外部之該區域。
9. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之流體處理結構，其進一步包含至少一開口，該至少一開口配置於該二線與該第三線之間，該至少一開口係藉由一氣體管道而連接至在該流體處理結構外部之該區域。
10. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之流體處理結構，其包含在該第一線中之複數個開口，該等開口經組態成使得在使用中，該浸沒流體之彎液面(meniscus)係 藉由該等開口牽制。
11. 一種用於一微影裝置之流體處理結構，該流體處理結構在自經組態以將浸沒流體包含至在該流體處理結構外部之一區域之一空間的一邊界處順次具有：一狹長開口或複數個開口，其配置於一第一線中，其在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一第一氣體刀元件，其具有在一第二線中之一狹長孔隙；一狹長開口或複數個開口，其係在一第三線中；一第二氣體刀元件，其具有在一第四線中之一狹長孔隙；及至少一開口，該至少一開口配置於該二線與該第三線之間，該至少一開口係藉由一氣體管道而連接至在該流體處理結構外部之該區域。
12. 一種用於一微影裝置之流體處理結構，該流體處理結構在自經組態以將浸沒流體包含至在該流體處理結構外部之一區域之一空間的一邊界處順次具有：一狹長開口或複數個開口，其配置於一第一線中，其在使用中經引導朝向一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台；一狹長開口或複數個開口，其係在一第二線中；一氣體刀元件，其具有在一第三線中之一狹長孔隙；及 一下部表面，該下部表面在使用中大體上平行於該基板及/或該基板台之一上部表面，該第一線至該第三線中之該等開口及該等孔隙形成於該下部表面中，其中在使用中，鄰近於該第一線中之該狹長開口或該複數個開口的該下部表面之區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度大於鄰近於該第三線中之該孔隙的該下部表面之區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度。
13. 一種微影裝置，其包含如請求項1至12中任一項之流體處理結構。
14. 一種元件製造方法，其包含：將一浸沒液體提供至一投影系統之一最終元件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終元件與該基板及/或該基板台之間擷取(retrieving)浸沒液體；藉由通過形成一第一氣體刀的一第二線中之一孔隙供應氣體而將浸沒液體推動朝向該第一線中之該狹長開口或該複數個開口；通過一第三線中之一狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體；及藉由通過形成一第二氣體刀的一第四線中之一孔隙供應氣體而將剩餘浸沒液體推動朝向該第三線中之該狹長開口或該複數個開口； 其中該第一線、該第二線、該第三線及該第四線在自該空間之一邊界處順次配置於一流體處理結構中，該浸沒液體提供至在該流體處理結構外部之一區域的該空間，其中該流體處理結構包含一下部表面，該下部表面在使用中大體上平行於該基板及/或該基板台之一上部表面，該第一線至該第四線中之該等開口及該等孔隙形成於該下部表面中，且其中在使用中，鄰近於該第一線中之該狹長開口或該複數個開口的該下部表面之區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度大於鄰近於該第四線中之該孔隙的該下部表面之區域與該基板及/或該基板台之該上部表面的分離度。
15. 一種元件製造方法，其包含：將一浸沒液體提供至一投影系統之一最終元件與一基板及/或經組態以支撐該基板之一基板台之間的一空間；通過配置於一第一線中之一狹長開口或複數個開口而自該投影系統之該最終元件與該基板及/或該基板台之間擷取浸沒液體；藉由通過形成一第一氣體刀的一第二線中之一孔隙供應氣體而將浸沒液體推動朝向該第一線中之該狹長開口或該複數個開口；通過一第三線中之一狹長開口或複數個開口抽取氣體及剩餘浸沒液體；及 藉由通過形成一第二氣體刀的一第四線中之一孔隙供應氣體而將剩餘浸沒液體推動朝向該第三線中之該狹長開口或該複數個開口；其中該第一線、該第二線、該第三線及該第四線在自該空間之一邊界處順次配置於一流體處理結構中，該浸沒液體提供至在該流體處理結構外部之一區域的該空間，且其中至少一開口配置於該二線與該第三線之間，該至少一開口係藉由一氣體管道而連接至在該流體處理結構外部之該區域。