JP2011071511A - 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液浸流体を封じ込める空間と流体ハンドリング構造の外部領域との間の境界に、第1の列に配置された複数の開口と、第2の列のアパーチャを有する第1のガスナイフデバイスと、第3の列の1つ又は複数の開口と、第4の列のアパーチャを有する第2のガスナイフデバイスとを有するリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造が提供される。
【選択図】図8
Description
使用時に、基板及び/又は基板を支持するように構成された基板テーブルへ向けて誘導される第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第2の列の細長いアパーチャを有する第1のガスナイフデバイスと、
第3の列の細長い開口又は複数の開口と、
第4の列の細長いアパーチャを有する第2のガスナイフデバイスと、
を連続して有するリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造が提供される。
使用時に、基板及び/又は基板を支持するように構成された基板テーブルへ向けて誘導される第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第2の列の細長い開口又は複数の開口と、
第3の列の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
を連続して有するリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造が提供される。
投影システムの最終要素と基板及び/又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
投影システムの最終要素と基板及び/又は基板テーブルとの間から第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第1のガスナイフを形成する第2の列のアパーチャを通してガスを供給することで第1の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて液浸液を押し出すステップと、
第3の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
第2のガスナイフを形成する第4の列のアパーチャを通してガスを供給することで第3の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。
投影システムの最終要素と基板及び/又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
投影システムの最終要素と基板及び/又は基板テーブルとの間から第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第2の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
ガスナイフを形成する第3の列の開口を通してガスを供給することで第2の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含み、
第1、第2及び第3の列が、流体ハンドリング構造内の液浸液が提供される空間と流体ハンドリング構造の外部領域との境界に連続して配置されるデバイス製造方法が提供される。
− 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cの(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[00140](特徴1) リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造が液浸流体を封じ込めるように構成された空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルへ向けて誘導される第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第2の列の細長いアパーチャを有する第1のガスナイフデバイスと、
第3の列の細長い開口又は複数の開口と、
第4の列の細長いアパーチャを有する第2のガスナイフデバイスと、
を連続して有する流体ハンドリング構造。
[00141](特徴2) 前記第1の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの少なくとも1つと、前記第3の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの少なくとも1つが、ガス及び/又は液体を前記流体ハンドリング構造内へ通過させる入口である、特徴1に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00142](特徴3) 前記第1の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも1つが、使用時に、加圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記加圧源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第1の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも1つを通過して前記流体ハンドリング構造へ流入するガスの流量が、前記ガスナイフを形成する前記第2の列のアパーチャから流出するガスの流量以上であるように、前記コントローラが前記加圧源を制御するように構成される、特徴2に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00143](特徴4) 前記第3の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも1つが、使用時に、加圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が前記加圧源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第3の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも1つを通過するガスの流量が前記ガスナイフを形成する前記第4の列のアパーチャから流出するガスの流量以上であるように、前記コントローラが前記加圧源を制御するように構成される、特徴2又は3に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00144](特徴5) 前記第2及び第4の列のアパーチャが、使用時に、ガス供給源に接続され、前記流体ハンドリング構造が前記ガス供給源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記ガスナイフを形成する前記第4の列のアパーチャから流出するガスの流量が前記ガスナイフを形成する前記第2の列のアパーチャから流出するガスのフローよりも大きいように、前記コントローラが前記ガス供給源を制御するように構成される、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00145](特徴6) 前記ガス供給装置に接続されるか又は接続可能である前記コントローラが、所定の条件下で、ガスが前記第2の列又は前記第4の列のアパーチャに供給されないように構成される、特徴5に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00146](特徴7) 前記ガスナイフを形成する前記第2の列のアパーチャから流出するガスの流量が毎分100リットル以下、又は毎分75リットル以下、又は毎分50リットル以下である、特徴5に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00147](特徴8) 前記ガスナイフを形成する前記第4の列のアパーチャから流出するガスの流量が、毎分60リットル以上、又は毎分100リットル以上である、特徴5、6又は7に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00148](特徴9) 使用時に、前記基板及び/又は前記基板テーブルの上面に一般に平行になる下面を有し、前記第1〜第4の列の開口及びアパーチャが前記下面に形成される、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00149](特徴10) 使用時に、前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面からの前記下面の任意の部分の離間距離が、50μm〜250μmの範囲から選択される、特徴9に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00150](特徴11) 使用時に、前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面からの前記第1〜第4の列の開口及びアパーチャに隣接する前記下面の区域の離間距離が実質的に同じである、特徴10に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00151](特徴12) 使用時に、前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面からの前記第1の列の前記細長い開口又は複数の開口に隣接する前記下面の区域の離隔距離が、前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面からの前記第4列のアパーチャに隣接する前記下面の区域の離隔距離より大きい、特徴10に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00152](特徴13) 使用時に、前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面からの前記第1の列の前記細長い開口又は複数の開口に隣接する前記下面の区域の離間距離が、130μm〜250μmの範囲から選択される、又は180μm〜250μmの範囲から選択される、又は望ましくは230μmである、特徴12に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00153](特徴14) 使用時に、前記基板及び/又は基板テーブルの上面からの前記第4の列のアパーチャに隣接する前記下面の区域の離間距離が、50μm〜180μmの範囲から選択される、又は望ましくは130μmである、特徴12又は13に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00154](特徴15) 前記流体ハンドリング構造の前記下面が、前記第2の列の前記アパーチャと前記第3の列の前記細長い開口又は複数の開口との間で連続する、特徴9から14のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00155](特徴16) 前記流体ハンドリング構造が、前記第2及び第3の列の間の第5の列に配置された前記下面の凹部を有する、特徴9から14のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00156](特徴17) 前記凹部が、ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の外部領域に接続された少なくとも1つの開口を備える、特徴16に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00157](特徴18) 前記凹部の深さが、0.25mm〜0.75mmの範囲から選択される、又は望ましくは0.5mmである、特徴16又は17に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00158](特徴19) 前記第1〜第5の列を横断する方向の前記凹部の幅が、1mm〜15mmの範囲、又は1mm〜10mmの範囲、又は2mm〜3mmの範囲から選択される、特徴16から18のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00159](特徴20) 前記第1〜第5の列を横断する方向の前記凹部の最も近い縁部からの前記第2の列のアパーチャの縁部の離間距離が、少なくとも1mm、又は少なくとも2mmである、特徴16から19のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00160](特徴21) 前記流体ハンドリング構造の前記下面が、前記第2の列のアパーチャと前記凹部との間で開口又はアパーチャを含まずに連続する、特徴16から20のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00161](特徴22) 前記第1〜第5の列を横断する方向の前記凹部の最も近い縁部からの前記第3の列の前記細長い開口又は複数の開口の縁部の離間距離が、少なくとも1mm、又は少なくとも2mmである、特徴16から21のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00162](特徴23) 前記流体ハンドリング構造の前記下面が、前記第3の列の前記細長い開口又は複数の開口と前記凹部との間で開口又はアパーチャを含まずに連続する、特徴16から22のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00163](特徴24) 前記下面の任意の地点の最小曲率半径が、0.1mmより大きいか又は0.2mmより大きくなるように、前記下面の形状が構成される、特徴16から23のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00164](特徴25) ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の前記外部領域に接続された前記第2及び第3の列の間に配置された少なくとも1つの開口をさらに備える、特徴1から14のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00165](特徴26) 前記第2の列のアパーチャと前記第3の列の細長い開口又は複数の開口との間の離間距離が、2mm〜20mmの範囲から選択される、又は4mm〜16mmの範囲から選択される、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00166](特徴27) 前記第2の列のアパーチャの縁部からの前記第1の列の細長い開口又は複数の開口の縁部の離間距離が、1mm〜5mmの範囲、又は1.5mm〜4mmの範囲、又は2mm〜3mmの範囲から選択される、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00167](特徴28) 使用時に、前記液浸流体のメニスカスが前記開口によってピン止めされるように構成された前記第1の列の複数の開口を備える、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00168](特徴29) 前記第1の列の開口の断面が円形である、特徴28に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00169](特徴30) 前記第1の列の開口の直径が、0.35mm〜0.75mmの範囲から選択される、又は望ましくは0.5mmである、特徴29に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00170](特徴31) 前記第1〜第4の列を横断する方向の前記第2の列のアパーチャの幅が、40μm〜75μmの範囲から選択される、又は望ましくは50μmである、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00171](特徴32) 前記第1〜第4の列を横断する方向の前記第3の列の細長い開口又は複数の開口の幅が、100μm〜200μmの範囲から選択される、又は望ましくは150μmである、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00172](特徴33) 前記第1〜第4の列を横断する方向の前記第4の列のアパーチャの幅が、20μm〜50μmの範囲から選択される、又は望ましくは30μmである、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00173](特徴34) 前記下面が、液浸流体を封じ込めるように構成された空間から遠ざかる方向に前記第4の列のアパーチャの縁部から少なくとも2mm、又は少なくとも5mm延在する、特徴9から33のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00174](特徴35) 前記第1〜第4の列が、液浸流体を封じ込めるように構成された空間を連続的に取り囲む、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00175](特徴36) 前記第1のガスナイフデバイスの細長いアパーチャが、複数のアパーチャを含み、及び/又は前記第2のガスナイフデバイスの細長いアパーチャが、複数のアパーチャを含む、前記特徴のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
[00176](特徴37) リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造が、液浸流体を封じ込めるように構成された空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルへ向けて誘導される第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第2の列の細長い開口又は複数の開口と、
第3の列の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
を連続して有する流体ハンドリング構造。
[00177](特徴38) 前記特徴のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。
[00178](特徴39) 基板を支持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分にパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムに対して前記基板テーブルを移動させるように構成されたアクチュエータシステムと、
前記アクチュエータシステムを制御するように構成されたコントローラと、
をさらに備える、特徴38に記載のリソグラフィ装置。
[00179](特徴40) 前記投影システムに対する前記基板テーブルの速度が、液浸流体の漏れがしきい値を超え、前記投影システムに対する前記基板テーブルの移動方向を変更する必要がある第1のガスナイフデバイスの臨界速度を超えた場合、前記コントローラが前記投影システムに対する前記基板テーブルの速度を臨界速度より下に低減してから方向転換を開始するようにコントローラが構成される、特徴39に記載のリソグラフィ装置。
[00180](特徴41) 投影システムの最終要素と基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
前記投影システムの前記最終要素と前記基板及び/又は前記基板テーブルとの間から第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第1のガスナイフを形成する第2の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第1の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて液浸液を押し出すステップと、
第3の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
第2のガスナイフを形成する第4の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第3の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含み、
前記第1、第2、第3及び第4の列が、流体ハンドリング構造内の、液浸液が提供される空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に連続して配置されるデバイス製造方法。
[00181](特徴42) 前記基板及び/又は基板テーブルが、前記投影システムに対して第1の方向に液浸流体の漏れがしきい値を超える前記第1のガスナイフの臨界速度よりも大きい速度で移動し、前記投影システムに対する前記基板及び/又は基板テーブルの速度が、前記第1のガスナイフの臨界速度より下に低減してから前記基板及び/又は基板テーブルの移動の前記第1の方向と異なる第2の方向への転換が開始される、特徴41に記載のデバイス製造方法。
[00182](特徴43) 前記第1〜第4の列の開口及びアパーチャが、前記流体ハンドリング構造の下面に提供され、
前記流体ハンドリング構造が、前記第2及び第3の列の間の第5の列に配置された凹部を前記下面に含む、特徴41又は42に記載のデバイス製造方法。
[00183](特徴44) 前記流体ハンドリング構造の外部領域と前記第2及び第3の列の間の少なくとも1つの開口との間にガスが流れるための導管を提供するステップをさらに含む、特徴41から43のいずれか1項に記載のデバイス製造方法。
[00184](特徴45) 投影システムの最終要素と基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
前記投影システムの最終要素と前記基板及び/又は基板テーブルとの間から第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第2の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
ガスナイフを形成する第3の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第2の列の細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含み、
前記第1、第2及び第3の列が、流体ハンドリング構造内の、前記液浸液が提供される空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に連続して配置されるデバイス製造方法。
Claims (15)
- リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造が、液浸流体を封じ込める空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び/又は前記基板を支持する基板テーブルへ向けて誘導される第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第2の列の細長いアパーチャを有する第1のガスナイフデバイスと、
第3の列の細長い開口又は複数の開口と、
第4の列の細長いアパーチャを有する第2のガスナイフデバイスと、
を連続して有する流体ハンドリング構造。 - 前記第1の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの少なくとも1つと、前記第3の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの少なくとも1つが、ガス及び/又は液体を前記流体ハンドリング構造内へ通過させる入口である、請求項1に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 前記第1の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも1つが、使用時に、加圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記加圧源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第1の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも1つを通過して前記流体ハンドリング構造へ流入するガスの流量が、前記ガスナイフを形成する前記第2の列のアパーチャから流出するガスの流量以上であるように、前記コントローラが前記加圧源を制御する、請求項2に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 前記第3の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも1つが、使用時に、加圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記加圧源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第3の列の前記細長い開口又は前記複数の開口のうちの前記少なくとも1つを通過するガスの流量が前記ガスナイフを形成する前記第4の列のアパーチャから流出するガスの流量以上であるように、前記コントローラが前記加圧源を制御する、請求項2又は3に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 前記第2及び第4の列のアパーチャが、使用時に、ガス供給源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記ガス供給源に接続されるか又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記ガスナイフを形成する前記第4の列のアパーチャから流出するガスの流量が前記ガスナイフを形成する前記第2の列のアパーチャから流出するガスのフローよりも大きいように、前記コントローラが前記ガス供給源を制御する、前記請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 使用時に、前記基板及び/又は前記基板テーブルの上面に一般に平行になる下面を有し、前記第1乃至第4の列の開口及びアパーチャが前記下面に形成される、前記請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 使用時に、前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面からの前記第1の列の前記細長い開口又は複数の開口に隣接する前記下面の区域の離隔距離が、前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面からの前記第4列のアパーチャに隣接する前記下面の区域の離隔距離より大きい、請求項6に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 前記流体ハンドリング構造の前記下面が、(i)前記第2の列の前記アパーチャと前記第3の列の前記細長い開口又は複数の開口との間で連続し、(ii)前記第2の列の前記アパーチャと前記凹部との間で開口又はアパーチャを含まずに連続し、(iii)前記第3の列の前記細長い開口又は複数の開口と前記凹部との間で開口又はアパーチャを含まずに連続する、請求項6又は7に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 前記流体ハンドリング構造が、前記第2及び第3の列の間の第5の列に配置された前記下面の凹部を有する、請求項6又は7に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 前記凹部が、ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の外部領域に接続された少なくとも1つの開口を備える、請求項9に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の前記外部領域に接続された前記第2及び第3の列の間に配置された少なくとも1つの開口をさらに備える、前記請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- 使用時に、前記液浸流体のメニスカスが前記開口によってピン止めされる前記第1の列の複数の開口を備える、前記請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造。
- リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造が、液浸流体を封じ込める空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に、
使用時に、基板及び/又は前記基板を支持する基板テーブルへ向けて誘導される第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口と、
第2の列の細長い開口又は複数の開口と、
第3の列の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、
を連続して有する流体ハンドリング構造。 - 前記請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。
- 投影システムの最終要素と基板及び/又は前記基板を支持する基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、
前記投影システムの前記最終要素と前記基板及び/又は基板テーブルとの間から第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を回収するステップと、
第1のガスナイフを形成する第2の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第1の列の前記細長い開口又は複数の開口へ向けて液浸液を押し出すステップと、
第3の列の細長い開口又は複数の開口を通してガスと残留液浸液とを抽出するステップと、
第2のガスナイフを形成する第4の列のアパーチャを通してガスを供給することで前記第3の列の前記細長い開口又は複数の開口へ向けて残留液浸液を押し出すステップと、
を含み、
前記第1、第2、第3及び第4の列が、流体ハンドリング構造内の、液浸液が提供される空間と前記流体ハンドリング構造の外部領域との境界に連続して配置されるデバイス製造方法。
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