JP6818129B2 - デバイスを製造するリソグラフィ装置及び方法 - Google Patents
デバイスを製造するリソグラフィ装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6818129B2 JP6818129B2 JP2019511944A JP2019511944A JP6818129B2 JP 6818129 B2 JP6818129 B2 JP 6818129B2 JP 2019511944 A JP2019511944 A JP 2019511944A JP 2019511944 A JP2019511944 A JP 2019511944A JP 6818129 B2 JP6818129 B2 JP 6818129B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- edge
- immersion space
- immersion
- movement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 219
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 169
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 97
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 claims description 22
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 13
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 39
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 27
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 12
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 10
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000699 topical effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
Description
[0001] 本願は、2016年9月20日出願の欧州出願第16189589.1号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (18)
- 液浸リソグラフィ装置であって、
少なくとも1つのターゲット部分を有するオブジェクトを支持するように構成された支持テーブルと、
パターン付きビームを前記オブジェクト上に投影するように構成された投影システムと、
前記支持テーブルを前記投影システムに関して移動させるように構成されたポジショナと、
前記投影システムと前記オブジェクト及び/又は前記支持テーブルの表面との間の液浸空間に液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込め構造と、
一連の動きからなるルートをたどるように前記支持テーブルを移動させるために、前記ポジショナを制御するように構成されたコントローラと、
を備え、前記コントローラは、
前記ルートの前記一連の動きのうちの少なくとも1つの動きの間に、前記液浸空間のエッジが前記オブジェクトのエッジの上を通過するとき、前記オブジェクトの前記エッジに対して前記液浸空間の前記エッジの速さを予測するように、
前記速さを所定のパラメータと比較し、前記速さが前記所定のパラメータよりも速い場合、前記少なくとも1つの動きの間の前記液浸空間からの液体損失を予測するように、及び、
前記液浸空間からの液体損失が予測される場合、それに応じて前記少なくとも1つの動きの間に前記ルートの1つ以上のパラメータを修正するように、
適合される、
液浸リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、前記速さを予測することが、
前記少なくとも1つの動きの間の、前記オブジェクトの前記エッジの法線方向の、前記液浸空間の前記エッジの速度の前記速さを決定すること、
を含むように構成される、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、前記速さを予測することが、
前記液浸空間の前記エッジを複数の離散的液浸空間エッジ部分として扱うこと、及び前記オブジェクトの前記エッジを複数の離散的オブジェクトエッジ部分として扱うこと、及び各液浸空間エッジ部分について前記速さを計算すること、
を含むように構成される、請求項1又は2に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、前記速さを予測することが、
前記ルートの前記1つの動きの間に、前記液浸空間エッジ部分のうちの1つの片方又は両方の端部がオブジェクトエッジ部分の上を通過する場合、前記液浸空間の前記エッジが前記オブジェクトの前記エッジの上を通過するものと決定すること、
をさらに含むように構成される、請求項3に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、前記速さを予測することが、
前記液浸空間エッジ部分のうちの少なくとも1つの法線方向、及び、前記液浸空間エッジ部分のうちの前記少なくとも1つがその上を通過する前記オブジェクトエッジ部分の法線方向を、決定すること、並びに、前記ルートの前記少なくとも1つの動きに起因して、前記2つの法線方向の相対速度を計算すること、
をさらに含むように構成され、
前記相対速度の大きさが前記速さとして受け取られる、
請求項3に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記液体閉じ込め構造は、前記オブジェクト及び/又は前記支持テーブルの前記表面に対向する表面内に、複数の抽出開口を備え、前記抽出開口は、前記液浸空間からの前記液浸液の抽出のため、及び/又は、前記液浸空間の外側からの気体の抽出のためのものであり、前記複数の離散的液浸空間エッジ部分の各々は、1つ以上の順次抽出開口に対応する、請求項3に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記速さを予測することが、前記離散的液浸空間エッジ部分を、隣接する抽出開口の間に延在する部分として扱うように構成される、請求項6に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、1つ以上のパラメータを修正することが、
前記ルートの前記少なくとも1つの動きの速さを低減させること、
前記ルートの前記少なくとも1つの動きの間に、前記液体閉じ込め構造と支持テーブルとの間の距離を低減させること、
前記ルートの前記少なくとも1つの動きの間に、前記液体閉じ込め構造に入るか又は前記液体閉じ込め構造から出る流体の流量を増大させること、及び、
前記少なくとも1つの動きの間に、前記支持テーブルの方向の変化率を増大させること、
のうちの1つ以上を含むように構成される、請求項1、2、又は3に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、前記速さが前記所定のパラメータ又はそれより下まで低減されるように構成される、請求項8に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記予測される液体損失を回避又は低減させることが適切であるものと決定された場合にのみ、前記1つ以上のパラメータを修正するようにさらに構成される、請求項1、2、又は3に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記適切であるかどうかを判別することが、
前記少なくとも1つの動きに続く、及び/又は前記少なくとも1つの動きに先立つ、前記ルートの間に、前記オブジェクト上の前記液体損失から液体の何らかの移動を予見すること、
を含むように構成される、請求項10に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、前記適切であるかどうかを判別することが、
前記少なくとも1つの動きの後続の動きにおいて、前記液浸空間の経路内の前記少なくとも1つの動きにおける液体損失の存在を予見すること、
を含むように構成される、請求項10に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、前記液体損失からの前記液体が、所定の規則設定に反して、前記ルートの終わりに或る位置及び/又は量で前記オブジェクト及び/又は前記支持テーブル上に残っていることが、前記予見によって決定された場合、前記液体損失を回避又は低減させることが適切であるものと決定するように適合される、請求項11又は12に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 複数のターゲット部分を有する基板上にパターン付きビームを投影するために液浸リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
投影システムと、支持テーブル上のオブジェクト及び/又は前記支持テーブルの対向表面との間の液浸空間に、液体閉じ込め構造を使用して液体を閉じ込めること、及び、
一連の動きを含むルートに沿って前記支持テーブルを移動させること、
前記ルートの前記一連の動きのうちの少なくとも1つの動きの間に前記液浸空間のエッジが前記オブジェクトのエッジの上を通過するとき、前記オブジェクトの前記エッジに対して前記液浸空間の前記エッジの速さを予測すること、
前記速さを所定のパラメータと比較し、前記速さが前記所定のパラメータよりも速い場合、前記少なくとも1つの動きの間の前記液浸空間からの液体損失を予測すること、及び、
前記液浸空間からの液体損失が予測される場合、前記少なくとも1つの動きを実行することに先立ち、それに応じて前記少なくとも1つの動きの間に前記ルートの1つ以上のパラメータを修正すること、
を含む、デバイス製造方法。 - 前記所定のパラメータは、前記液浸空間のエッジが前記オブジェクトのエッジの上を通過するときに、その上で、前記液体閉じ込め構造から液体が漏れ出ている前記オブジェクトの前記エッジの法線方向での、前記液浸空間のエッジの速さである、請求項14に記載の方法。
- 前記速さを予測することは、
前記液浸空間の前記エッジを複数の離散的液浸空間エッジ部分として扱うこと、及び前記オブジェクトの前記エッジを複数の離散的オブジェクトエッジ部分として扱うこと、及び各液浸空間エッジ部分について前記速さを計算すること、
を含む、請求項14に記載の方法。 - 前記液体閉じ込め構造は、前記オブジェクト及び/又は前記支持テーブルの前記表面に対向する表面内に、複数の抽出開口を備え、前記抽出開口は、前記液浸空間からの前記液浸液の抽出のため、及び/又は、前記液浸空間の外側からの気体の抽出のためのものであり、前記複数の離散的液浸空間エッジ部分の各々は、1つ以上の順次抽出開口に対応し、また
前記速さを予測することは、前記離散的液浸空間エッジ部分を、隣接する抽出開口の間に延在する部分として扱うことを含む、
請求項16に記載の方法。 - 1つ以上のパラメータを修正することは、
前記ルートの前記少なくとも1つの動きの速さを低減させること、
前記ルートの前記少なくとも1つの動きの間に、前記液体閉じ込め構造と支持テーブルとの間の距離を低減させること、
前記ルートの前記少なくとも1つの動きの間に、前記液体閉じ込め構造に入るか又は前記液体閉じ込め構造から出る流体の流量を増大させること、及び、
前記少なくとも1つの動きの間に、前記支持テーブルの方向の変化率を増大させること、
のうちの1つ以上を含む、
請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16189589 | 2016-09-20 | ||
EP16189589.1 | 2016-09-20 | ||
PCT/EP2017/071708 WO2018054658A1 (en) | 2016-09-20 | 2017-08-30 | A lithography apparatus and a method of manufacturing a device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019529978A JP2019529978A (ja) | 2019-10-17 |
JP6818129B2 true JP6818129B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=56958824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019511944A Active JP6818129B2 (ja) | 2016-09-20 | 2017-08-30 | デバイスを製造するリソグラフィ装置及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10509331B2 (ja) |
JP (1) | JP6818129B2 (ja) |
CN (1) | CN109716238B (ja) |
NL (1) | NL2019464A (ja) |
TW (1) | TWI713786B (ja) |
WO (1) | WO2018054658A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2019464A (en) * | 2016-09-20 | 2018-03-27 | Asml Netherlands Bv | A lithography apparatus and a method of manufacturing a device |
JP6806906B2 (ja) | 2016-12-14 | 2021-01-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
TWI672794B (zh) * | 2018-06-11 | 2019-09-21 | 睿明科技股份有限公司 | 微元件對位組裝方法及其裝置 |
CN113811817A (zh) | 2019-04-17 | 2021-12-17 | Asml荷兰有限公司 | 器件制造方法和计算机程序 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4567651B2 (ja) | 2005-11-16 | 2010-10-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007194484A (ja) | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | 液浸露光方法 |
JP2007287824A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
NL1036709A1 (nl) | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
EP2131241B1 (en) | 2008-05-08 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20100045949A1 (en) | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method |
EP2221669A3 (en) | 2009-02-19 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method |
EP2264529A3 (en) | 2009-06-16 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
NL2006818A (en) | 2010-07-02 | 2012-01-03 | Asml Netherlands Bv | A method of adjusting speed and/or routing of a table movement plan and a lithographic apparatus. |
NL2007182A (en) | 2010-08-23 | 2012-02-27 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, module for an immersion lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2008183A (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-28 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method. |
CN106716255B (zh) * | 2014-08-07 | 2019-06-14 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和制造器件的方法 |
CN108292101B (zh) | 2015-10-01 | 2020-07-21 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备及器件制造方法 |
NL2019464A (en) * | 2016-09-20 | 2018-03-27 | Asml Netherlands Bv | A lithography apparatus and a method of manufacturing a device |
-
2017
- 2017-08-30 NL NL2019464A patent/NL2019464A/en unknown
- 2017-08-30 JP JP2019511944A patent/JP6818129B2/ja active Active
- 2017-08-30 CN CN201780057613.0A patent/CN109716238B/zh active Active
- 2017-08-30 US US16/332,820 patent/US10509331B2/en active Active
- 2017-08-30 WO PCT/EP2017/071708 patent/WO2018054658A1/en active Application Filing
- 2017-09-13 TW TW106131326A patent/TWI713786B/zh active
-
2019
- 2019-11-08 US US16/677,750 patent/US10845716B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018054658A1 (en) | 2018-03-29 |
TWI713786B (zh) | 2020-12-21 |
CN109716238B (zh) | 2020-12-25 |
US10845716B2 (en) | 2020-11-24 |
US20190204758A1 (en) | 2019-07-04 |
US10509331B2 (en) | 2019-12-17 |
CN109716238A (zh) | 2019-05-03 |
US20200073259A1 (en) | 2020-03-05 |
TW201814769A (zh) | 2018-04-16 |
NL2019464A (en) | 2018-03-27 |
JP2019529978A (ja) | 2019-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10845716B2 (en) | Lithography apparatus and a method of manufacturing a device | |
US10534270B2 (en) | Lithography apparatus, a method of manufacturing a device and a control program | |
TWI459151B (zh) | 微影裝置及在二相流動中量測流動速率的方法 | |
US20240036477A1 (en) | Lithography apparatus and a method of manufacturing a device | |
JP5372074B2 (ja) | テーブル動作予定の速度及び経路の一方または双方を適応させる方法、及びリソグラフィ装置 | |
US10534271B2 (en) | Lithography apparatus and a method of manufacturing a device | |
TWI438577B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
US11372339B1 (en) | Device manufacturing method and computer program |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190417 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6818129 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |