JP2007180555A - 露光装置および基板端部シール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターンが付与された放射ビームを基板Wのターゲット部分に投影する投影系と、基板Wを保持する基板保持部WHと、基板Wと前記基板保持部WHとの間の空間を減圧する排出口24と、前記投影系と前記基板保持部WHとの間の空間に液体11を供給する液体供給システムと、基板Wが前記基板保持部WHに保持されているときにその基板端部の下面近傍に位置するよう設けられている気体供給口22と、を備え、前記気体供給口22は、供給される液体11が基板Wの下に実質的に浸入しないよう基板Wと前記基板保持部WHとの間の空間に気体を供給することを特徴とする。
【選択図】図7
Description
Claims (20)
- パターンが付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影系と、
基板を保持する基板保持部と、
基板と前記基板保持部との間の空間を減圧する排出口と、
前記投影系と前記基板保持部との間の空間に液体を供給する液体供給システムと、
基板が前記基板保持部に保持されているときに、その基板端部の下面近傍に位置するよう設けられている気体供給口と、
を備え、
前記気体供給口は、供給される液体が基板の下に実質的に浸入しないよう基板と前記基板保持部との間の空間に気体を供給することを特徴とする露光装置。 - 前記液体が供給されているときに、下面を除く基板の全面が前記液体に取り囲まれていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 浸入が防止された前記液体を排出する排出口を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記排出口は、前記気体供給口と同一平面に位置し、基板が前記基板保持部に保持されているときに基板に覆われる領域の外側に位置するよう設けられていることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 前記気体が供給されているときに、投入された前記気体の圧力が、基板と前記基板保持部との間に浸入しようとするその液体の毛細管圧力よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 投入された前記気体の圧力は、前記毛細管圧力に対して約7000Pa加圧されており、
基板と前記基板保持部との間の距離は、約20μmであることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。 - 前記基板保持部は、基板に対向する表面に円形リングと凸部とを備え、
前記円形リングは、前記基板保持部により保持されている基板下への前記液体の浸入防止を助け、
前記凸部は、基板を支持することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記凸部は、前記基板保持部により保持されている基板と前記円形リングとの間にギャップが設けられるよう前記円形リングよりも高く形成されており、基板端部の下方への反りを許容することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 基板と前記円形リングとの間に設けられるギャップは、3〜4μmであることを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
- 前記気体供給口は、前記円形リングの内側で、前記凸部の外側に位置することを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
- 前記円形リングの内側に同心円状に設けられている別の円形リングを更に含み、
前記気体供給口は、2つのリングとの間に位置することを特徴とする請求項8に記載の露光装置。 - 供給される気体の温度を制御する温度制御部を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- クロージングプレートを保持する基板テーブルと、
前記クロージングプレートと前記基板テーブルとの間の空間を減圧する排出口と、
前記クロージングプレートの上面に液体を供給する液体供給システムと、
前記クロージングプレートが前記基板テーブルに保持されているときに、そのクロージングプレート端部の下面近傍に位置するよう設けられている気体供給口と、
を備え、
前記気体供給口は、供給される液体が前記クロージングプレートの下に実質的に浸入しないようそのクロージングプレートと前記基板テーブルとの間の空間に気体を供給することを特徴とする露光装置。 - 浸入が防止された前記液体を排出する排出口を更に備えることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
- 少なくとも基板の上面に供給される液体が基板の下に浸入することを防止する方法であって、
基板の下に前記液体が実質的に浸入しないよう、基板下方の減圧された空間の端部にバッファを設けるため基板端部の下に気体を投入するステップを含むことを特徴とする方法。 - 前記バッファにより浸入が防止された前記液体を排出するステップを更に含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 投入された前記気体の圧力が、基板と基板保持部との間に浸入しようとする前記液体の毛細管圧力よりも高いことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- パターンが付与された放射ビームを基板保持部に支持された基板のターゲット部分に液体を通して投影するステップと、
基板と前記基板保持部との間の空間を減圧するステップと、
基板の下に液体が実質的に浸入しないよう、減圧された空間の端部にバッファを設けるため基板端部の下に気体を投入するステップと、
を含むことを防止することを特徴とするデバイス製造方法。 - バッファにより浸入が防止された前記液体を排除するため、基板端部の下面外側に液体を排出するステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載のデバイス製造方法。
- 投入された前記気体の圧力が、基板と前記基板保持部との間に浸入しようとする前記液体の毛細管圧力よりも高いことを特徴とする請求項18に記載のデバイス製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043879A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009295979A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Asml Netherlands Bv | 基板テーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
KR20170075760A (ko) * | 2014-10-23 | 2017-07-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치용 지지 테이블, 기판을 로딩하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2017524153A (ja) * | 2014-08-06 | 2017-08-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び物体位置決めシステム |
JP2018536888A (ja) * | 2015-12-15 | 2018-12-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板ホルダ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造する方法 |
US10571810B2 (en) | 2015-12-08 | 2020-02-25 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a method of operating a lithographic apparatus |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1962329B1 (en) * | 2005-12-08 | 2014-08-06 | Nikon Corporation | Substrate holding device, exposure device, exposure method, and device fabrication method |
US7420194B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7446859B2 (en) * | 2006-01-27 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography |
US8514365B2 (en) * | 2007-06-01 | 2013-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8705010B2 (en) * | 2007-07-13 | 2014-04-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
TWI450047B (zh) | 2007-07-13 | 2014-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 微影系統、夾緊方法及晶圓台 |
JP5778093B2 (ja) | 2011-08-10 | 2015-09-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US9177849B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-11-03 | Intermolecular, Inc. | Chuck for mounting a semiconductor wafer for liquid immersion processing |
CN103034074B (zh) * | 2012-12-26 | 2015-04-15 | 清华大学 | 一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统 |
CN107121390B (zh) * | 2017-06-08 | 2020-06-19 | 河南师范大学 | 一种测试液体折射率的加压装置 |
KR102542369B1 (ko) | 2017-10-12 | 2023-06-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치에 사용하기 위한 기판 홀더 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH10340846A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005045223A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
JP2005303316A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
JP2005310933A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 基板保持部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006173527A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sony Corp | 露光装置 |
Family Cites Families (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE224448C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE206607C (ja) | ||||
GB1242527A (en) * | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) * | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) * | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US6104687A (en) * | 1996-08-26 | 2000-08-15 | Digital Papyrus Corporation | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) * | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
US20020163629A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6944925B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-09-20 | Ttx Company | Articulated connector reconditioning process and apparatuses |
US6600547B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
KR20050044371A (ko) * | 2001-11-07 | 2005-05-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광학 스폿 그리드 어레이 프린터 |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200421444A (en) | 2002-12-10 | 2004-10-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device |
JP4362867B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
KR101036114B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2004053957A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
CN100429748C (zh) | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20050062665A (ko) | 2002-12-10 | 2005-06-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
KR100971440B1 (ko) | 2002-12-19 | 2010-07-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치 |
DE60307322T2 (de) | 2002-12-19 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
KR101177330B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치 |
SG141425A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
KR101508809B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7274472B2 (en) * | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101146962B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2012-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7738074B2 (en) * | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060285091A1 (en) * | 2003-07-21 | 2006-12-21 | Parekh Bipin S | Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application |
US7384149B2 (en) * | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191381A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191393A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4018647B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2005286068A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP4510494B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7420194B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7446859B2 (en) * | 2006-01-27 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography |
-
2005
- 2005-12-27 US US11/317,259 patent/US7420194B2/en active Active
-
2006
- 2006-12-26 JP JP2006349601A patent/JP4675877B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-24 US US12/219,606 patent/US8003968B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-02 JP JP2010196374A patent/JP5226750B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-15 US US13/184,152 patent/US8232540B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH10340846A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005045223A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
JP2005303316A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
JP2005310933A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 基板保持部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006173527A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sony Corp | 露光装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043879A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009295979A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Asml Netherlands Bv | 基板テーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
KR101125755B1 (ko) | 2008-06-02 | 2012-03-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 테이블, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US9939738B2 (en) | 2014-08-06 | 2018-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and an object positioning system |
USRE49142E1 (en) | 2014-08-06 | 2022-07-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and an object positioning system |
JP2017524153A (ja) * | 2014-08-06 | 2017-08-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び物体位置決めシステム |
KR101994860B1 (ko) * | 2014-10-23 | 2019-07-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치용 지지 테이블, 기판을 로딩하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2017533454A (ja) * | 2014-10-23 | 2017-11-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用の支持テーブル、基板をロードする方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US10527092B2 (en) | 2014-10-23 | 2020-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11098759B2 (en) | 2014-10-23 | 2021-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20170075760A (ko) * | 2014-10-23 | 2017-07-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치용 지지 테이블, 기판을 로딩하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US11898601B2 (en) | 2014-10-23 | 2024-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10571810B2 (en) | 2015-12-08 | 2020-02-25 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a method of operating a lithographic apparatus |
JP2018536888A (ja) * | 2015-12-15 | 2018-12-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板ホルダ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造する方法 |
US10895808B2 (en) | 2015-12-15 | 2021-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices |
US11579533B2 (en) | 2015-12-15 | 2023-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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