JP2010219545A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wを除去している間(及び新しい基板を供給する間)、液浸リソグラフィ装置の投影システムのエレメントが、基板を密閉するためのプレートを交換することによって、基板と光学エレメントの間に存在している液体11を攪乱することなく液体に浸された状態を維持し、かつ別の基板を露光している間の基板の除去を容易にするために、基板、基板テーブル若しくはその両方の代わりに、たとえば液体を拘束している密閉を損なうことなく、リソグラフィ装置内の液体を含有した空間の境界の一部としてアクチュエーテッド密閉プレート20が使用される。
【選択図】図6b
Description
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを基板に投射するように構成された投影システムと、
投影システムと基板及び基板テーブルの少なくとも一方との間にあって、境界の一部が該基板及び基板テーブルの少なくとも一方によって形成されている空間に液体を拘束するように構成された液体拘束構造と、
密閉プレートとを備え、
前記密閉プレートが移動した際に、液体若しくは液体拘束構造、又はその両方を実質的に攪乱することなく、該密閉プレートが、基板若しくは基板テーブル、又はその両方に代わって前記空間の境界の一部を形成するように構成されたリソグラフィ投影装置が提供される。
境界の一部が基板若しくは基板テーブル、又はその両方によって形成されていてパターン化されたビームが通過する空間に液体を提供するステップと、
前記空間に液体を密閉し、その密閉作用が基板若しくは基板テーブル、又はその両方と他の構造との間に及ぶようにするステップと、
前記液体の密閉を損なうことなく、前記空間の前記境界の一部を形成する基板若しくは基板テーブル、又はその両方を密閉プレートに置き換えるステップと、
パターン化された放射ビームを液体を通して基板に投射するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを基板に投射するように構成された投影システムと、
投影システムと、基板若しくは基板テーブル、又はその両方との間にあって、境界の一部が基板若しくは基板テーブル、又はその両方によって形成されている空間に液体を拘束するように構成された液体拘束構造と、
水平平面内で基板テーブルから移動して、基板若しくは基板テーブル、又はその両方に代えて前記空間の境界の一部を形成するように構成された密閉プレートと、
密閉プレートを水平平面内で移動させるように構成されたアクチュエータとを備えたリソグラフィ投影装置が提供される。
−放射ビームPB(たとえばUV放射若しくはDUV放射)を条件付けるように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターン化デバイス(たとえばマスク)MAを保持するように構築された、特定のパラメータに従ってパターン化デバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(たとえばマスク・テーブル)MTと、
−基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するように構築された、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化デバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイが含まれている)に投影するように構成された投影システム(たとえば屈折型投影レンズ系)PLと
を備えている。
BD ビーム引渡しシステム
C 基板の目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
M1、M2 マスク位置合せマーク
MA パターン化デバイス(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
PB 放射ビーム
P1、P2 基板位置合せマーク
PM 第1のポジショナ
PL 投影システム
PW 第2のポジショナ(基板テーブル・ポジショナ)
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
10 リザーバ
11 液体
12 液体拘束構造
14 第1の出口
15 入口
16 シール
20 アクチュエーテッド密閉プレート
22a、22b 長ストローク・アクチュエータ
25 能動補償器(制御システム)
27 能動補償器(制御システム、アクチュエーテッド密閉プレート能動補償器)
29 液体拘束システム・ポジショナ
Claims (29)
- リソグラフィ投影装置であって、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを前記基板に投射するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板及び基板テーブルの少なくとも一方との間にあって、境界の一部が該基板及び基板テーブルの少なくとも一方によって形成されている空間に液体を拘束するように構成された液体拘束構造と、
密閉プレートとを備え、
前記密閉プレートが移動した際に、前記液体若しくは前記液体拘束構造、又はその両方を実質的に攪乱することなく、該密閉プレートが、前記基板若しくは前記基板テーブル、又はその両方に代わって前記空間の境界の一部を形成するように構成されているリソグラフィ投影装置。 - 前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に代わって前記空間の境界の一部を形成するために、前記密閉プレートを水平平面に沿って移動させるように構成されたアクチュエータを備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方の平面と同じ平面内で前記密閉プレートを移動させて、該基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記液体拘束構造を横切って追従させるように構成されたアクチュエータを備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記基板テーブルが、前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブ、又はその両方を前記密閉プレートに代えるために前記液体拘束構造に作用する、前記基板テーブルの移動方向に対して直角方向の負荷の変化を補償するように構成された能動補償器を備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記密閉プレートが、前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に代えるために前記液体拘束構造に作用する、前記基板テーブルの移動方向に対して直角方向の負荷の変化を補償するように構成された能動補償器を備えた、請求項4に記載の装置。
- 前記基板テーブル及び前記密閉プレートを開放可能に結合することができるようになっている請求項1に記載の装置。
- 前記密閉プレートを移動させるように構成された第1のアクチュエータと、前記基板テーブルを移動させるように構成された個別の第2のアクチュエータとを備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記密閉プレートが前記基板テーブルと同じ垂直レベルに位置し、前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記密閉プレートに置き換え、或いは前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に置き換え、或いはそれらの両方の置き換えを行う際に、前記密閉プレート及び前記基板テーブルが、いずれも前記垂直レベルで移動する、請求項1に記載の装置。
- 液体供給システムが前記液体を一定のフロー・パターンで常に循環させるように構成され、前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に置き換え、或いは前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記密閉プレートに置き換え、或いはそれら置き換えの両方を行う際に前記フロー・パターンが攪乱されないようになっている、請求項1に記載の装置。
- デバイス製造方法であって、
境界の一部が基板若しくは基板テーブル、又はその両方によって形成されていてパターン化されたビームが通過する空間に液体を提供するステップと、
前記空間に液体を密閉し、その密閉作用が前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方と他の構造との間に及ぶようにするステップと、
前記液体の密閉を損なうことなく、前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を密閉プレートに置き換えるステップと、
パターン化された放射ビームを前記液体を通して前記基板に投射するステップとを含む方法。 - 前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に代えて前記空間の前記境界の一部を形成するために前記密閉プレートを水平平面に沿って移動させるステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方の平面と同じ平面内で移動させて、該基板若しくは基板テーブル、又はその両方を追従させるステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記密閉プレートに置き換えるために前記基板テーブルに作用する、前記基板テーブルの移動方向に対して直角方向の負荷の変化を補償するステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に置き換えるために、前記液体を前記空間に少なくとも部分的に拘束するために使用される液体拘束構造に作用する、前記基板テーブルの移動方向に対して直角方向の負荷の変化を補償するステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記基板テーブル及び前記密閉プレートを開放可能に結合するステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記密閉プレート及び前記基板テーブルを個別に移動させるステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記密閉プレートが前記基板テーブルと同じ垂直レベルに位置し、前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記密閉プレートに置き換え、或いは前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に置き換え、或いはそれら置き換えの両方を行うる際に前記密閉プレート及び前記基板テーブルがいずれも前記垂直レベルで移動する、請求項10に記載の方法。
- 前記液体が一定のフロー・パターンで常に循環し、前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に置き換え、或いは前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記密閉プレートに置き換え、或いはそれら置き換えの両方を行う際に前記フロー・パターンが攪乱されないようにする、請求項10に記載の方法。
- リソグラフィ投影装置であって、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを前記基板に投射するように構成された投影システムと、
前記投影システムと、前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方との間にあって、境界の一部が該基板若しくは基板テーブル、又はその両方によって形成されている空間に液体を拘束するように構成された液体拘束構造と、
水平平面内で前記基板テーブルから移動して、前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に代えて前記空間の境界の一部を形成するように構成された密閉プレートと、
前記密閉プレートを水平平面内で移動させるように構成されたアクチュエータとを備えたリソグラフィ投影装置。 - 前記アクチュエータが、前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方の平面と同じ平面内を移動させ、該基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記液体拘束構造を横切って追従させるように構成された、請求項19に記載の装置。
- 前記基板テーブルが、前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記密閉プレートに置き換えるために前記基板テーブルに作用する、前記基板テーブルの移動方向に対して直角方向の負荷の変化を補償するように構成された能動補償器を備えた、請求項19に記載の装置。
- 前記密閉プレートが、前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に置き換えるために前記液体拘束構造に作用する、前記基板テーブルの移動方向に対して直角方向の負荷の変化を補償するように構成された能動補償器を備えた、請求項19に記載の装置。
- 前記基板テーブル及び前記密閉プレートを開放可能に結合することができる、請求項19に記載の装置。
- 前記基板テーブルを移動させるように構成された個別のアクチュエータを備えた、請求項19に記載の装置。
- 前記密閉プレート及び前記基板テーブルを個別に制御するように構成されたコントローラを備えた、請求項24に記載の装置。
- 前記アクチュエータが前記密閉プレート及び前記基板テーブルの両方を移動させるように構成された、請求項19に記載の装置。
- 前記密閉プレートが前記基板テーブルと同じ垂直レベルに位置し、前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記密閉プレートに置き換え、或いは前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に置き換え、或いはそれら置き換えの両方を行う際に、前記密閉プレート及び前記基板テーブルがいずれも前記垂直レベルで移動する、請求項19に記載の装置。
- 前記アクチュエータが前記基板テーブルを移動させるように構成された長ストローク・アクチュエータを備えた、請求項19に記載の装置。
- 液体供給システムが前記液体を一定のフロー・パターンで常に循環させるように構成され、前記空間の前記境界の一部を形成する前記密閉プレートを前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方に置き換え、或いは前記空間の前記境界の一部を形成する前記基板若しくは基板テーブル、又はその両方を前記密閉プレートに置き換え、或いはそれら置き換えの両方を行う際に前記フロー・パターンが攪乱されないようになっている、請求項19に記載の装置。
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US7760324B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100456138C (zh) * | 2006-06-13 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 浸没式光刻机浸液流场维持系统 |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
US7973910B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus and exposure apparatus |
US20080138631A1 (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | International Business Machines Corporation | Method to reduce mechanical wear of immersion lithography apparatus |
US7728952B2 (en) * | 2007-01-25 | 2010-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for closing plate take-over in immersion lithography |
KR100843709B1 (ko) * | 2007-02-05 | 2008-07-04 | 삼성전자주식회사 | 액체 실링 유니트 및 이를 갖는 이멀젼 포토리소그래피장치 |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
US8760629B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
NZ595694A (en) * | 2009-05-04 | 2013-09-27 | Abbvie Biotechnology Ltd | Stable high protein concentration formulations of human anti-tnf-alpha-antibodies |
NL2004547A (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Asml Netherlands Bv | An immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2005528A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165666A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2005074014A1 (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Nikon Corporation | ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2006041100A1 (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006040890A1 (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE224448C (ja) | ||||
DE206607C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD224448A1 (de) * | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1999031717A1 (fr) | 1997-12-12 | 1999-06-24 | Nikon Corporation | Procede d'exposition par projection et graveur a projection |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP3565749B2 (ja) | 1999-09-22 | 2004-09-15 | 富士重工業株式会社 | 車載カメラの撮像方向の検査方法およびその検査装置 |
JP2001272604A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
EP1446703A2 (en) | 2001-11-07 | 2004-08-18 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101349876B (zh) | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1420302A1 (en) | 2002-11-18 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI255971B (en) | 2002-11-29 | 2006-06-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
CN101424883B (zh) | 2002-12-10 | 2013-05-15 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP4179283B2 (ja) | 2002-12-10 | 2008-11-12 | 株式会社ニコン | 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101101737B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
SG152063A1 (en) | 2002-12-10 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
WO2004053954A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1571694A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
CN1316482C (zh) | 2002-12-19 | 2007-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照射层上斑点的方法和装置 |
JP4364806B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JPWO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-07-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
CN100552879C (zh) * | 2004-02-02 | 2009-10-21 | 尼康股份有限公司 | 载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法 |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006007111A2 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | A dynamic fluid control system for immersion lithography |
-
2004
- 2004-10-18 US US10/966,111 patent/US7119876B2/en active Active
-
2005
- 2005-10-05 TW TW098122468A patent/TWI400578B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-10-05 TW TW094134808A patent/TWI319126B/zh active
- 2005-10-13 SG SG200506522A patent/SG121968A1/en unknown
- 2005-10-13 SG SG200802974-6A patent/SG142311A1/en unknown
- 2005-10-17 EP EP05256431A patent/EP1647865B1/en not_active Not-in-force
- 2005-10-17 JP JP2005301576A patent/JP4318685B2/ja active Active
- 2005-10-18 KR KR1020050098162A patent/KR100737509B1/ko active IP Right Grant
- 2005-10-18 CN CN2009100058730A patent/CN101487980B/zh active Active
- 2005-10-18 CN CN201110314135.1A patent/CN102323727B/zh active Active
- 2005-10-18 CN CNB2005101141366A patent/CN100476593C/zh active Active
-
2008
- 2008-12-25 JP JP2008330458A patent/JP4898775B2/ja active Active
-
2010
- 2010-05-13 JP JP2010111091A patent/JP5194050B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165666A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2005074014A1 (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Nikon Corporation | ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2006040890A1 (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006041100A1 (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5194050B2 (ja) | 2013-05-08 |
SG121968A1 (en) | 2006-05-26 |
JP4898775B2 (ja) | 2012-03-21 |
TWI400578B (zh) | 2013-07-01 |
EP1647865A1 (en) | 2006-04-19 |
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US7119876B2 (en) | 2006-10-10 |
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TW200617619A (en) | 2006-06-01 |
CN101487980A (zh) | 2009-07-22 |
KR100737509B1 (ko) | 2007-07-09 |
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US20060082741A1 (en) | 2006-04-20 |
CN102323727B (zh) | 2014-01-15 |
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