TWI400578B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影裝置及一種製造一元件之方法。
微影裝置係將所要圖案施加至基板上，通常施加至基板之目標部分上的機械。微影裝置例如可用於製造積體電路(IC)。在彼情形下，可使用或者被稱為光罩或主光罩之圖案化元件來產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉移至基板(例如矽晶圓)上之目標部分上(例如，包含一或若干個晶粒的部分)。該圖案之轉移通係常經由在基板上所提供之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上成像。通常，單個基板含有連續圖案化之相鄰目標部分的網路。已知微影裝置包括所謂之步進器，其中各目標部分係藉由將整個圖案一次性曝光至目標部分上來照射，及所謂之掃描器，其中各目標部分係以一給定方向之輻射光束掃描圖案("掃描"方向)同時平行或反平行於此方向同步掃描基板來照射。亦可藉由將圖案轉印至基板上來將圖案自圖案化元件轉移至基板。
已經提出將微影投影裝置中之基板浸漬於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與該基板之間的空間。此之要點為因為曝光輻射在液體中具有較短波長，所以可使較小特徵成像。(亦可認為該液體之作用為增加系統之有效NA且亦增加聚焦深度。)已經提出其它浸漬液體，包括其中懸浮有固體微粒(例如，石英)的水。
然而，將基板或基板與基板台浸沒於液體浴(例如，參見美國專利US 4,509,852，其以全文引用的方式併入本文中)意謂在掃描曝光期間必需加速的大量液體。此需要額外或更有力之馬達且液體中之擾流可導致不良及不可預知之效果。
提出的解決方案之一為僅在基板之一限定區域及投影系統之最終元件與該基板(該基板通常具有較該投影系統之最終元件大的表面積)之間提供液體的液體供應系統。為用於此排列所提出的一種方法揭示於PCT專利申請案WO 99/49504中，該申請案以全文引用的方式併入本文中。如圖2及圖3中所說明，液體藉由至少一個入口IN供應至基板上，較佳沿著該基板相對於該最終元件之移動方向，且其在投影系統下經過後藉由至少一個出口OUT移除。意即，當以-X方向在該元件下方掃描基板時，在該元件之+X側供應液體且在-X側吸收液體。圖2示意性展示經由入口IN供應液體且在該元件之另一側藉由連接至低壓源之出口OUT吸收液體的配置。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，雖然此並不需要為該狀況。定位於最終元件周圍之入口及出口的各種定向及數目均係可能的，在圖3中說明一實例，其中任一側上之四組入口與出口以一規則圖案提供於該最終元件周圍。
在浸漬微影技術中，以液體(諸如水)填充投影系統與基板之間之空間。在基板之曝光期間，基板形成含有該液體之邊界的部分。在彼基板之移除及用另一基板移置期間，例如可自該空間排出液體以允許基板改變。此方法之一可能缺陷為在與液體接觸之投影系統的元件上可形成乾燥點。另外或或者，調整液體及移除該液體之真空流的改變可需要時間，其可能導致產量損失。
因此，例如在不擾動基板與光學元件之間之液體的情況下藉由對基板交換封閉板來移除基板期間將浸漬微影裝置投影系統的一元件保持浸漬係有利的。藉由使用實現提供含有液體之邊界之功能的另一主體(例如，封閉板)，可不必在基板移除(及供應新基板)期間自基板與投影系統之間移除液體。
根據本發明之一態樣，提供一種微影投影裝置，其包含：一基板台，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將一圖案化輻射光束投影至該基板上；一液體限制結構，其經組態以將一液體限制於投影系統與基板之間的空間中，該基板、該基板台或兩者經組態以形成該空間之一邊界的一部分；及一封閉板，其經組態以在大體不擾動液體、液體限制結構或兩者之情況下移動時於基板、基板台或兩者之位置中形成該空間之一邊界的一部分。
根據本發明之另一態樣，提供一種元件製造方法，其包含：將一液體提供至經過圖案化光束之空間，基板、基板台或兩者形成該空間之一邊界的一部分；將該液體密封至該空間，該密封在基板、基板台或兩者與另一結構之間作用；將一封閉板作為該空間之邊界的部分而無需打破該密封來移置該基板、該基板台或兩者；及藉由該液體將一圖案化輻射光束投影至該基板上。
根據本發明之另一態樣，提供一種微影投影裝置，其包含：一基板台，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將一圖案化輻射光束投影至該基板上；一液體限制結構，其經組態以限制一液體於投影系統與基板之間的空間中，該基板、該基板台或兩者經組態以形成該空間之一邊界的一部分；一封閉板，其自該基板台移置於一水平平面中，且經組態以形成該基板、該基板台或兩者位置中之空間之一邊界的一部分；及一致動器，其經組態以在該水平平面上移動該封閉板。
圖1示意性描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包含：
-一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束PB(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-一支撐結構(例如，光罩台)MT，其經構造以固持一圖案化元件(例如，光罩)MA且連接至一第一定位器PM，該第一定位器PM經組態以根據某些參數精確地定位該圖案化元件；
-一基板台(例如，晶圓臺)WT，其經構造以固持一基板(例如，經抗蝕劑塗覆之晶圓)W且連接一第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以根據某些參數精確地定位該基板；及
-一投影系統(例如，折射式投影透鏡系統)PL，其經組態以將藉由一圖案化元件MA賦予該輻射光束PB之圖案投影至基板W之一目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
該照明系統可包括各種類型之光學組件，諸如用於引導、成形或控制輻射之折射式、反射式、磁性、電磁性、靜電性或其它類型之光學組件或其之任何組合。
該支撐結構以一方式固持圖案化元件，該方式取決於該圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其它條件，諸如(例如)該圖案化元件是否固持於一真空環境中。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其它夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構可為框架或工作臺，例如，其可按需要為固定式或可移動式。支撐結構可確保圖案化元件處於所要位置處，例如，相對於投影系統之所要位置處。本文中術語"主光罩"或"光罩"之任何使用可視為與更通用之術語"圖案化元件"同義。
本文中所使用之術語"圖案化元件"應廣泛解釋為指任何可用於賦予輻射光束一在其橫截面中之圖案的元件，(諸如)以在基板之目標部分中產生一圖案。應注意，例如若該圖案包括相移特徵或所謂之輔助特徵，則賦予該輻射光束之圖案可不嚴格對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，賦予輻射光束之圖案對應於正在目標部分中產生之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射式或反射式。圖案化元件之實例包括光罩、可程式規劃鏡面陣列及可程式規劃LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元式、交替相移式及衰減相移式之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式規劃鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，每一該等小鏡面可個別地傾斜，以便以不同方向反射入射輻射光束。傾斜之鏡面賦予一圖案於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語"投影系統"應廣泛地解釋為包涵任何類型之投影系統，包括適用於所使用之曝光輻射或適用於諸如浸漬液之使用或真空之使用的其它因素的折射式、反射式、折反射式、磁性、電磁性及靜電性光學系統或其之任何組合。本文中術語"投影透鏡"之任何使用可視為與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，該裝置可為透射型(例如，採用透射式光罩)。或者，該裝置可為反射型(例如，採用如上文所引用之可程式規劃鏡面陣列或採用反射式光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在該等"多平臺"機械中，可平行使用額外工作臺，或在使用一或多個其它工作臺用於曝光時可於一或多個工作臺上進行預備階段。
參考圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。該源與微影裝置可為獨立實體，例如當該源為準分子雷射時。在該等狀況下，不認為該源形成微影裝置之部分，且在包含例如合適之引導鏡及/或光束放大器的光束傳遞系統BD的幫助下，輻射光束自該源SO傳至照明器IL。在其它狀況下，該源可為微影裝置之一整體部分，例如，當該源為汞燈時。若需要，則該源SO及照明器IL連同光束傳遞系統BD一起可被稱為輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，至少可調整照明器之瞳孔平面中的強度分佈的外徑及或內徑長度(通常分別稱為σ-外徑及σ-內徑)。另外，照明器IL可包含各種其它組件，諸如積分器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束以在其橫截面中具有所要的均一性及強度分佈。
輻射光束PB入射於固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上的圖案化元件(例如，光罩MA)上，且藉由該圖案化元件圖案化。在橫越光罩MA後，輻射光束PB穿過投影系統PL，該投影系統將該輻射聚焦至基板W之目標部分C上。在第二定位器PW與位置感應器IF(例如，干涉儀、線性編碼器或電容式感應器)之幫助下，可精確地移動基板台WT，例如以便在輻射光束PB之路徑中定位不同的目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感應器(其在圖1中未明確描繪)例如在自光罩庫擷取機器後或在掃描期間可用於相對於輻射光束PB之路徑精確地定位光罩MA。通常，在形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗定位)及一短衝程模組(精定位)之幫助下，可實現光罩台MT的移動。類似地，使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組可實現基板台WT的移動。在步進器(與掃描器相對)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器或其可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。雖然如說明之基板對準標記佔據專門的目標部分，但是其可位於目標部分之間之空間中(此等稱為切割路徑對準標記)。類似地，在於光罩MA上提供一個以上晶粒之情況下，光罩校準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪之裝置可以下列模式之至少一者使用：
1.以步進模式，當賦予輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上(意即，單個靜態曝光)時，光罩台MT及基板台WT基本上保持固定。基板台WT接著在X及/或Y方向上偏移，以可曝光一不同之目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單個靜態曝光中成像之目標部分C的尺寸。
2.以掃描模式，在賦予輻射光束之圖案投影至目標部分C上(意即，單個動態曝光)時同步掃描光罩台MT及基板台WT。可藉由投影系統PL之放大(縮小)率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度與方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單個動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度確定該目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.以另一模式，固持可程式規劃之圖案化元件的光罩台MT基本上保持固定，且在賦予輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常採用脈衝輻射源，且在基板台WT之各移動後，或在掃描期間中之連續輻射脈衝之間，按需要更新可程式規劃之圖案化元件。此操作模式可容易地應用於利用可程式規劃之圖案化元件(諸如如上文所引用之類型的可程式規劃鏡面陣列)的無光罩微影術中。
亦可採用上述使用模式之組合及/或變化，或完全不同之使用模式。
圖4中展示另一具有區域化液體供應系統之浸漬微影裝置。藉由投影系統PL之任一側上的兩個凹槽入口IN供應液體，且藉由複數個對於入口IN徑向向外排列之離散出口OUT移除液體。可在中央具有一孔之板上排列入口IN及出口OUT，且投影光束藉由該孔投影。藉由投影系統PL之一側上的一個凹槽入口IN供應液體，且藉由該投影系統PL之另一側上的複數個離散出口OUT移除液體，引起該投影系統PL與基板W之間的薄膜液體流。選擇使用哪一個入口IN與出口OUT之組合可取決於基板W之移動方向(入口IN與出口OUT之其它組合為非活動)。
已經提出之另一具有區域化液體供應系統解決方案的浸漬微影解決方案給液體供應系統提供一液體限制結構，該液體限制結構沿著投影系統之最終元件與基板台之間之空間之的一邊界的至少一部分延伸。圖5中說明該解決方案。液體限制結構在XY平面中相對於投影系統大體固定，雖然在Z方向(在光軸方向)上可有一些相對移動。在液體限制結構與基板之表面之間形成一密封。在一實施例中，密封係諸如氣體密封之非接觸式密封。該具有氣體密封之系統揭示於美國專利申請案第US 10/705,783號中，該申請案以全文引用的方式併入本文中。
參考圖5，儲集器10圍繞投影系統之影像場對基板形成一非接觸式密封，以限制液體來填充基板表面與投影系統之最終元件之間的空間。藉由定位於投影系統PL之最終元件以下及周圍的液體限制結構12來形成儲集器。將液體引入投影系統以下且在液體限制結構12內的空間中。液體限制結構12在投影系統之最終元件上延伸少許且液面上升至最終元件以上，以提供液體緩衝。液體限制結構12具有一內部周邊，該內部周邊在上端較佳緊密地符合投影系統或其最終元件之形狀且其例如可為圓形。在底部，內部周邊緊密地符合影像場之形狀，例如矩形，雖然此並不需要為該狀況。
藉由液體限制結構12之底部與基板之表面W之間的密封16(諸如氣體密封)將液體限制於儲集器中。可藉由在壓力下經由至液體限制結構12與基板之間之間隙的入口15提供且經由第一出口14提取的氣體(例如空氣、合成空氣、N2 或惰性氣體)來形成氣體密封。將氣體入口15上之過壓、第一出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀排列以使得存在限制液體之向內的高速度氣流。熟習此項技術者應理解，可使用其它類型之密封來容納液體。
根據本發明之一實施例，提供經致動之封閉板20，其水平移入投影系統下之位置，以移置水平地遠離其在該投影系統下之位置移動的基板台。將經致動之封閉板20的頂部表面定位於與基板台大體相等之高度處，以使得在基板台遠離其在投影系統下之位置移動時允許連續、不受擾亂的運動，同時維持液體限制結構中之含有液體的密封。用於移動基板台之一或多個長衝程致動器的部分亦可用於封閉板之水平致動。如下文中更詳細之描述，當與液體限制結構12相關聯之力自基板台移動至封閉板時，亦可採用基板臺上之垂直負載變化的主動補償。將經致動之封閉板20定位及/或成形，以使其在藉由干涉儀光束量測期間不阻斷任何此等光束。
供應經致動之封閉板之一或多個優點可包括更快速之基板交換、氣體維持、液體限制結構中或其周圍之液體及真空流處於大體恆定位準(因此可能減少調定次數及降低污染可能性)、投影系統及/或基板台之機械擾動降低、基板臺上之空間的利用改良(在不需要於基板臺上提供獨立的封閉板時)及投影系統上之乾燥點消除。另外或或者，根據本發明之一實施例之封閉板可避免移除(且接著移置)液體或將基板垂直移動出某一位置以使封閉板可放於其位置的需要。液體、氣體及真空流之改變可需要時間來調定，且垂直移動可引起投影系統及基板臺上之擾動。轉至圖6至圖9，圖6a、7a、8a及9a展示基板台WT及經致動之封閉板20相對於投影系統PL的平面圖。圖6b、7b、8b及9b展示基板WT及經致動之封閉板20相對於投影系統PL的側視圖。
圖6a及6b展示基板台WT及經致動之封閉板20在(例如)基板W之曝光期間的相對位置。封閉板在投影系統PL之路徑之外，且基板W與投影系統PL對直。
圖7a及7b展示基板台WT及經致動之封閉板20在(例如)基板W之曝光完成或接近完成時的相對位置。將經致動之封閉板20移入某一位置，以使其與基板台WT水平對準及與投影系統PL垂直對準。
圖8a及8b展示一旦(例如)基板W之曝光完成，經致動之封閉板20就移置基板台WT。經致動之封閉板20及基板台WT在相同方向上以相同水平位準移動。
圖9a及9b展示投影裝置PL下之位置中的經致動之封閉板20，其中經致動之封閉板20充當含有液體11之邊界的一側。現在可用(例如)基板台WT上之另一基板W交換基板W且不擾動液體11。
此系統之一優點為液體限制結構12、投影系統PL、基板W及/或經致動之封閉板20在整個基板交換程序中不擾動。此外，可不存在基板台WT及/或經致動之封閉板20的垂直移動，以使氣體引入液體供應系統之風險減小。
此外，基板台WT可包含主動式補償器25，該補償器25經組態以在藉由液體限制結構施加之力自其移除時補償力之改變。此補償器可包含基板臺上之垂直運動感應器及/或壓力感應器及經組態以發送補償訊號至(例如)基板台定位器PW的控制系統，該基板台定位器PW經組態以回應該訊號移動基板台WT以補償力之改變。另外或或者，經致動之封閉板20亦可包含主動式補償器27以降低自其移除液體限制結構時所引起的液體限制結構上的擾動。此補償器可包含經致動之封閉板20上的垂直運動感應器及/或壓力感應器及經組態以發送補償訊號至(例如)液體限制系統定位器29的控制系統，該液體限制系統定位器29經組態以回應該訊號移動液體限制結構12以補償力之改變。
基板台WT及經致動之封閉板20可以可解除的方式耦接。此意謂當經致動之封閉板20移置基板台WT時其可附著在一起，且反之亦然；但一旦移置完成，其就可彼此分開。經致動之封閉板20與基板WT可類似地藉由相同系統25或27或藉由獨立系統25及27來控制。可使用圖式中所展示之獨立的長衝程致動器22a及22b；但該等獨立的致動器可藉由相同系統25或27或不同控制系統25及27來控制。
在一實施例中，經致動之封閉板20上的力例如可藉由經致動之封閉板主動式補償器27來量測，及向前饋至基板WT之控制系統(例如，主動式補償器25)，以使作用於經致動之封閉板20上的力得到補償，且藉此不影響基板台WT。以此方式，經致動之封閉板20可致力於用於基板台之力量測系統。
雖然已經關於自基板台移除基板及在該基板臺上置放另一基板來討論了一或多個實施例，但是本文中之一或多個實施例可用於其它應用中。舉例而言，基板可保持於基板臺上，但該封閉板僅用於封閉液體限制結構。此外，雖然已經在基板充當投影系統與基板之間之空間的邊界方面討論了一或多個實施例，但基板台可獨立地或結合基板形成該空間之邊界的一部分。舉例而言，基板台之一部分(例如，對準標記)可定位於液體限制結構下且形成該空間之邊界的一部分。因此，封閉板可作為該空間之邊界的一部分來移置基板台，或反之亦然。
在歐洲專利申請案第03257072.3號中，揭示一種複式或雙平臺式浸漬微影裝置。該裝置具有兩個用於支撐一基板之工作臺。以處於第一位置處之無浸漬液體的工作臺進行調平量測，且以處於第二位置處之存在浸漬液體的工作臺進行曝光。或者，該裝置僅具有一個工作臺。
雖然在此文中可特別引用微影裝置在IC製造中之使用，但是應瞭解，本文中所描述之微影裝置可具有其它應用，諸如製造積體光學系統、磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟練技工應瞭解，在該等替代性應用之內容中，本文中術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用可視為分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。本文中所引用之基板可在曝光之前或之後於例如軌道(通常將一層抗蝕劑塗覆至基板及將經曝光之抗蝕劑顯影的工具)、度量工具及/或檢測工具中處理。在適用之處，本文中之揭示內容可應用於該等及其它基板處理工具。另外，例如為了產生多層IC，該基板可處理一次以上以使得本文中所用之術語基板可亦指已含有多個處理層之基板。
本文中所使用之術語"輻射"及"光束"包涵所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有約365、248、193、157或126nm之波長)。
術語"透鏡"在內容允許之處可係指各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射式及反射式光學組件。
雖然上文中已經描述了本發明之特定實施例，但是應瞭解，本發明可以除所描述之外的方式來實踐。舉例而言，本發明可採取含有一或多個描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之序列的電腦程式形式，或具有其中所儲存之該電腦程式的資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)形式。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸漬微影裝置，尤其是(但非專屬於)可應用於上文所提及之彼等類型。可廣義解釋如本文中所涵蓋之液體供應系統。在某些實施例中，其可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間之空間的結構的機構或組合。其可包含將液體提供至該空間之一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或一或多個液體出口的組合。在一實施例中，該空間之一表面可為基板及/或基板台之一部分，或該空間之一表面可完全覆蓋該基板及/或基板台之一表面，或該空間可包封該基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括一或多個元件以控制位置、數量、品質、形狀、流率或液體之任何其它特徵。
上文之描述意欲為說明性而非限制性。因此，對於熟習此項技術者顯而易見的是不偏離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下，可如描述對本發明做出修改。
10．．．儲集器
11．．．液體
12．．．液體限制結構
14．．．第一出口
15．．．入口
16．．．密封
20．．．經致動之封閉板
22a．．．長衝程致動器
22b．．．長衝程致動器
BD．．．光束傳遞系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感應器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．入口/積分器
M1 ．．．光罩對準標記
M2 ．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
OUT．．．出口
P1 ．．．基板對準標記
P2 ．．．基板對準標記
PB．．．輻射光束
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；
圖2及圖3描繪一種供微影投影裝置使用之液體供應系統；
圖4描繪供微影投影裝置使用之另一液體供應系統；
圖5描繪根據本發明之一實施例之另一液體供應系統的特寫圖；
圖6a及圖6b展示根據本發明之一實施例之方法的第一步；
圖7a及圖7b展示根據本發明之一實施例之方法的第二步；
圖8a及圖8b展示根據本發明之一實施例之方法的第三步；
圖9a及圖9b展示根據本發明之一實施例之方法的第四步。
BD．．．光束傳遞系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感應器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．入口/積分器
M1 ．．．光罩對準標記
M2 ．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1 ．．．基板對準標記
P2 ．．．基板對準標記
PB．．．輻射光束
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (16)

  1. 一種微影投影裝置，其包含：一基板台，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將一圖案化輻射光束投影至該基板上；一液體限制結構，其經組態以將一液體限制於位於該投影系統與該基板、該基板台或兩者之間之一空間中，且該基板、該基板台或兩者經組態以形成該空間之一邊界的一部分；及一封閉板，其經組態以在實質上不擾動該液體、該液體限制結構或兩者之情況下移動時，於該基板、該基板台或兩者之位置中形成該空間之該邊界的一部分，其中該封閉板經建構及配置以做為該基板台之一力量測系統。
  2. 如請求項1之裝置，其中該封閉板上的力可向前饋至該基板台之一控制系統，以使作用於經致動之封閉板上的力得到補償，且藉此不影響基板台。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該封閉板包含一主動式補償器以用於量測該基板台之力。
  4. 如請求項3之裝置，其中該主動式補償器經組態以補償由於將該封閉板作為該空間之該邊界之一部分來移置該基板、該基板台或兩者所引起的該基板臺上之負載在一垂直於該基板台之一移動方向的方向上的改變。
  5. 如請求項1或2之裝置，其中該基板台及該封閉板係可以 可解除之方式耦接。
  6. 如請求項1或2之裝置，其包含一經組態以移動該封閉板之第一致動器及一經組態以移動該基板台之獨立的第二致動器。
  7. 如請求項1或2之裝置，其中該封閉板係處於與該基板台相同之垂直位準處，且該封閉板與該基板台皆不移出該垂直位準以：將該封閉板作為該空間之該邊界之一部分來移置該基板、該基板台或兩者；將該基板、該基板台或兩者作為該空間之該邊界之一部分來移置該封閉板；或兩者。
  8. 一種微影投影裝置，其包含：一基板台，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將一圖案化輻射光束投影至該基板上；一液體限制結構，其經組態以將一液體限制於位於該投影系統與該基板、該基板台或兩者之間之一空間中，且該基板、該基板台或兩者經組態以形成該空間之一邊界的一部分；及一經致動之封閉板，其經組態以在實質上不擾動該液體、該液體限制結構或兩者之情況下移動時，於該基板、該基板台或兩者之位置中形成該空間之該邊界的一部分，其中當該經致動之封閉板形成該空間之該邊界的一部分時，該經致動之封閉板及基板台經組態以彼此相對地水平移動。
  9. 如請求項8之裝置，其中該經致動之封閉板經組態以水平移入該投影系統下之位置，以移置水平地遠離其在該投影系統下之位置移動的基板台。
  10. 如請求項9之裝置，其中在該經致動之封閉板移置該基板台之情況下，該經致動之封閉板經組態以定位於該基板台之一側。
  11. 9或10之裝置，其中在該經致動之封閉板形成該空間之該邊界的一部分之情況下，基板台及/或經致動之封閉板在垂直方向為靜止。
  12. 一種微影投影裝置，其包含：一基板台，其經組態以固持一基板，該基板台可藉由一定位器及一干涉器件之幫助以移動；一投影系統，其經組態以將一圖案化輻射光束投影至該基板上；一液體限制結構，其經組態以將一液體限制於位於該投影系統與該基板、該基板台或兩者之間之一空間中，且該基板、該基板台或兩者經組態以形成該空間之一邊界的一部分；及一封閉板，其經組態以在實質上不擾動該液體、該液體限制結構或兩者之情況下移動時，於該基板、該基板台或兩者之位置中形成該空間之該邊界的一部分，其中將封閉板定位及/或成形，以使其在量測此等光束期間不阻斷該干涉器件之任何干涉儀光束。
  13. 如請求項12之裝置，其中該裝置包含一致動器，該致動 器經組態以沿著一水平平面移動該封閉板。
  14. 如請求項13之裝置，其中該致動器經組態以在一與該基板、該基板台或兩者相同之平面中移動該封閉板，且跟隨該基板、該基板台或兩者跨越該液體限制結構。
  15. 如請求項12、13或14之裝置，其中該基板台包含一主動式補償器，該主動式補償器經組態以補償由於將該封閉板作為該空間之該邊界之一部分來移置該基板、該基板台或兩者所引起的該基板臺上之負載在一垂直於該基板台之一移動方向的方向上的改變。
  16. 如請求項12、13或14之裝置，其中該基板台及該封閉板係可以可解除之方式耦接。
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