JP4342412B2 - リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Landscapes
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
−放射ビームB(例えばUV放射若しくはDUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
−特定のパラメータに従ってパターン化デバイス(例えばマスク)MAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された、パターン化デバイスMAを支持するように構築された支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
−特定のパラメータに従って基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された、基板Wを保持するように構築された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化デバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(例えば1つ又は複数のダイからなる)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折型投影レンズ系)PSと
を備えている。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回の照射(すなわち単一静止露光)で投影される。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の)が左右される。
3.他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
16 ガス・シール
12 シール部材
14 第1の出口
15、20 入口
AM 調整器
PB 放射ビーム
BD ビーム引渡しシステム
C 目標部分
CO コンデンサ
CS コントローラ
IF 位置センサ
IH 液浸フード(液体供給システム)
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
LCS 液体封込みシステム
M1、M2 マスク位置合せマーク
MA パターン化デバイス(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
P1、P2 基板位置合せマーク
PL 投影システム
PM 第1のポジショナ
PW 第2のポジショナ
SLSS1、SLSS2 補助液体供給システム
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (4)
- 投影システムの最終エレメントと前記基板の間の空間に提供された液浸液を介してパターン化デバイスから基板にパターンを投影するようになされたリソグラフィック投影装置であって、
前記基板上の局部領域に前記液浸液を提供するための局部液体供給システムと、
前記基板上の局部領域の外側に前記液浸液を提供するための補助液体供給システムと、
前記補助液体供給システムを使用して前記局部領域の外側に前記液浸液を適用することによって、実質的に同じ長さの時間の間、前記基板のすべての目標部分がその上に前記液浸液を有するように前記リソグラフィック投影装置を動作させるためのコントローラと
を備えたリソグラフィック投影装置。 - 前記実質的に同じ長さの時間及び前記時間の長さが、前記パターン化されたビームの前記目標部分への投射に先立つ時間、投射後の時間若しくは投射に先立つ時間及び投射後の時間の両方である、請求項1に記載の装置。
- 投影システムの最終エレメントと基板の間の空間に液浸液を提供している間、パターン化された放射ビームを前記基板に投射するステップを含むデバイス製造方法であって、
局部液体供給システムが前記基板上の局部領域に前記液浸液を提供しつつ、補助液体供給システムが局部領域の外側に前記液浸液を提供し、それにより実質的に同じ長さの時間の間、前記基板のすべての目標部分がその上に前記液浸液を有するように装置が操作されるデバイス製造方法。 - 前記実質的に同じ長さの時間及び前記時間の長さが、前記パターン化されたビームの前記目標部分への投射に先立つ時間、投射後の時間若しくは投射に先立つ時間及び投射後の時間の両方である、請求項3に記載の方法。
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