JP2005175433A - リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レジストに適正な露光量を与えるリソグラフィック装置及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】液浸露光装置において、実質的に同じ長さの時間の間、基板のすべての目標部分がその上に浸漬液を有するように露光装置を動作させること、あるいは特定の目標部分への露光量を、その上に浸漬液を有している時間の長さに基づいて制御する手段を備える。液浸液によって覆われる液中の光酸或いは光酸ジェネレータなどのフォトレジスト成分の溶解を考慮する手段が講じられ、フォトレジストに適正な露光量が与えられる。
【選択図】図４

Description

本発明は、リソグラフィック装置及びデバイスを製造するための方法に関する。

リソグラフィック装置は、基板、一般的には基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィック装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。この場合、マスク或いはレチクルとも呼ばれているパターン化デバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成され、このパターンが、基板（例えばシリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば１つ又は複数のダイ部分からなる）に転送される。パターンの転送は、通常、基板上に提供されている放射線感応材料（レジスト）の層への画像化を介して実施されている。通常、１枚の基板には、順次パターン化される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィック装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。また、パターンを基板上に転写することによって、パターン化デバイスから基板へパターンを転送することも可能である。

投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填するべく、比較的屈折率の大きい液体中、例えば水中に、リソグラフィック投影装置内の基板を浸す方法が提案されている。この方法のポイントは、液体中では露光放射線の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを画像化することができることである。（また、液体の効果は、システムの有効ＮＡが大きくなり、且つ、焦点深度が長くなることにあると見なすことができる。）固体粒子（例えば水晶）が懸濁した水を始めとする他の液浸液が提案されている。

しかしながら、基板又は基板と基板テーブルを液体槽に浸す（例えば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれているＵＳ４，５０９，８５２号を参照されたい）ことは、走査露光の間、加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味しており、そのためにはモータを追加するか、或いはより強力なモータが必要であり、また、液体の攪乱により、望ましくない予測不可能な影響がもたらされることになる。

提案されている解決法の１つは、液体供給システムの場合、液体封込みシステムを使用して、基板の局部領域上のみ、及び投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を提供することである（基板の表面積は、通常、投影システムの最終エレメントの表面積より広くなっている）。参照によりその全体が本明細書に組み込まれているＷＯ９９／４９５０４号に、そのために提案されている方法の１つが開示されている。図２及び３に示すように、液体は、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って、少なくとも１つの入口ＩＮによって基板に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が最終エレメントの下を−Ｘ方向に走査される際に、最終エレメントの＋Ｘ側で液体が供給され、−Ｘ側で除去される。図２は、入口ＩＮを介して液体が供給され、最終エレメントのもう一方の側で、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって除去される構造を略図で示したものである。図２に示す図解では、液体は、必ずしもそれには限定されないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って供給されている。最終エレメントの周りには、様々な配向及び数の入口及び出口を配置することが可能であり、図３はその実施例の１つを示したもので、両側に出口を備えた４組の入口が最終エレメントの周りに一定のパターンで提供されている。

提案されているもう１つの解決法は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って展開したシール部材を備えた液体供給システムを提供することである。図４は、このような解決法を示したものである。シール部材は、Ｚ方向（光軸の方向）における若干の相対移動が存在する可能性があるが、投影システムに対して実質的にＸＹ平面内に静止している。シール部材と基板の表面の間にシールが形成されている。このシールは、ガス・シールなどの非接触シールであることが好ましい。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている欧州特許出願第０３２５２９５５．４号に、ガス・シールを備えたこのようなシステムが開示されている。

欧州特許出願第０３２５７０７２．３号に、二重ステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板を支持するための２つのステージを備えている。１つのステージを使用して、液浸液が存在しない第１の位置で水準測定が実施され、もう１つのステージを使用して、液浸液が存在している第２の位置で露光が実施される。別法としては、装置は、１つのステージのみを有している。

液浸リソグラフィ装置の場合、望ましくない非一様性が、異なる基板領域間の印刷画像中にとりわけ臨界寸法（ＣＤ）で存在する可能性が有ることが分かっている。

レジストに印刷される画像がより一様な特性を有する液浸リソグラフィック装置が提供されることが望ましい。

本発明の一態様によれば、投影システムの最終エレメントと基板の間の空間に提供された液体を介してパターン化デバイスから基板にパターンを投影するようになされたリソグラフィック投影装置が提供される。このリソグラフィック投影装置は、実質的に同じ長さの時間の間、前記基板のすべての目標部分がその上に液浸液（若しくは浸漬液）を有するように前記リソグラフィック投影装置を動作させ、或いはパターン化されたビームの特定の目標部分への露光量を、前記特定の目標部分がその上に液浸液（若しくは浸漬液）を有している時間の長さに基づいて制御するためのコントローラを備えている。

本発明の一態様によれば、投影システムの最終エレメントと基板の間の空間に液体を提供している間、パターン化された放射ビームを基板に投射するステップを含むデバイス製造方法であって、リソグラフィック投影装置が、実質的に同じ長さの時間の間、前記基板のすべての目標部分がその上に前記液浸液を有するように動作し、或いは前記パターン化されたビームの特定の目標部分への露光量を、前記特定の目標部分がその上に液浸液を有している時間の長さに基づいて制御することによって動作するデバイス製造方法が提供される。

以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。

図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィック装置を略図で示したものである。この装置は、
−放射ビームＢ（例えばＵＶ放射若しくはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−特定のパラメータに従ってパターン化デバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された、パターン化デバイスＭＡを支持するように構築された支持構造（例えばマスク・テーブル）ＭＴと、
−特定のパラメータに従って基板（例えばレジスト被覆ウェハ）Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板Ｗを保持するように構築された基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴと、
−パターン化デバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイからなる）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折型投影レンズ系）ＰＳと
を備えている。

照明システムは、放射を導き、整形し或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネント或いは他のタイプの光学コンポーネント、若しくはそれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。

支持構造は、パターン化デバイスを支持している。つまり、支持構造は、パターン化デバイスの重量を支えている。支持構造は、パターン化デバイスの配向、リソグラフィック装置の設計及び他の条件、例えばパターン化デバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン化デバイスを保持している。支持構造には、パターン化デバイスを保持するための機械式締付け技法、真空締付け技法、静電締付け技法或いは他の締付け技法を使用することができる。支持構造は、例えば必要に応じて固定若しくは移動させることができるフレームであっても、或いはテーブルであってもよい。支持構造は、例えば投影システムに対して、パターン化デバイスを所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化デバイス」という用語の同義語と見なすことができる。

本明細書に使用されている「パターン化デバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、例えばそのパターンに移相フィーチャ或いはいわゆる補助フィーチャが含まれている場合、基板の目標部分における所望のパターンに厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、目標部分に生成される、例えば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。

パターン化デバイスは、透過型であっても或いは反射型であってもよい。パターン化デバイスの実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいてはよく知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができる。傾斜したミラーによって放射ビームにパターンが付与され、ミラー・マトリックスによって反射する。

本明細書で使用されている「投影システム」という用語には、例えば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系、磁気光学系、電磁光学系及び静電光学系、若しくはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。

図に示すように、このリソグラフィック装置は、（例えば透過型マスクを使用した）透過型タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィック装置は、（例えば上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した、或いは反射型マスクを使用した）反射型タイプの装置であってもよい。

リソグラフィック装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源が例えばエキシマ・レーザである場合、放射源及びリソグラフィック装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィック装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビーム拡大器を備えたビーム引渡しシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外の例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィック装置の一構成要素である。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム引渡しシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整器ＡＤを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなど、他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して、放射ビームの断面に所望する一様な強度分布を持たせるべく放射ビームを調整することができる。

支持構造（例えばマスク・テーブルＭＴ）上に保持されているパターン化デバイス（例えばマスクＭＡ）に投影ビームＢが入射し、パターン化デバイスによってパターン化される。マスクＭＡを透過した放射ビームＢは、ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉デバイス、直線エンコーダ若しくは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それにより例えば異なる目標部分Ｃを放射ビームＢの光路内に位置決めすることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及びもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、例えばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に位置決めすることができる。通常、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されている。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現されている。ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図には、専用目標部分を占有している基板位置合せマークが示されているが、基板位置合せマークは、目標部分と目標部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板位置合せマークは、スクライブ・レーン位置合せマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にマスク位置合せマークを配置することができる。

図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃに１回の照射（すなわち単一静止露光）で投影される。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期走査される（すなわち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の）が左右される。
３．他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。

上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態、或いはまったく異なる使用モードを使用することも可能である。

図５は、液浸フードとも呼ばれる液体供給システムＩＨを示したものである。図から分かるように、貯蔵容器１０は、投影システムの画像視野の周りの基板に対して非接触シールを形成しており、基板の表面と投影システムの最終エレメントの間の空間を充填するべく液体を拘束している。貯蔵容器は、投影システムＰＬの最終エレメントの下方に配置されたシール部材１２によって形成され、投影システムＰＬの最終エレメントを取り囲んでいる。液体は、シール部材１２の内側の投影システムの下方の空間に供給されている。シール部材１２は、投影システムの最終エレメントの若干上方に展開しており、液体のレベルは、液体のバッファを提供するべく最終エレメントの上方にわずかに上昇している。シール部材１２は、上端部が投影システム若しくはその最終エレメントの形状に密に整合していることが好ましい内部周囲を有している。この内部周囲は、例えば円形であってもよい。内部周囲の底部は、画像視野の形状に密に整合しており、例えば、必ずしもそれには限定されないが長方形の形をしている。

液体は、シール部材１２の底部と基板Ｗの表面の間のガス・シール１６によって貯蔵容器内に拘束されている。ガス・シールは、入口１５を介して加圧状態でシール部材１２と基板の間のギャップに提供され、且つ、第１の出口１４を介して抽出される、例えば空気若しくは合成空気、好ましくはＮ２若しくは他の不活性ガスなどのガスによって形成されている。ガス入口１５の超過圧力、第１の出口１４の真空レベル及びギャップの幾何学は、液体を拘束する内側へ向かう高速空気流が存在するようになっている。

本発明者は、基板の局部領域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用したタイプのシステムに、液浸リソグラフィに固有の問題が存在していることを見出した。いずれも参照によりその全体が本明細書に組み込まれているＷＯ９９／４９５０４号及び欧州特許出願第０３２５２９５５．４号に、このような局部液体供給システムの実施例が記載されている。本発明は、任意のタイプの局部領域液体供給システムに適用することができる。

本発明者は、液浸液と接触している時間の長さが基板の領域によって異なる場合、局部液体供給システムに問題が生じることを見出した。この問題は、基板Ｗを覆っているフォトレジストの成分が時間と共に液浸液中に溶解し、或いは液浸液と反応することによるものであり、また、液浸液が時間と共にフォトレジスト中に拡散し、フォトレジストの特性が液浸時間と共に変化することによるものである。他の目標部分より長く液浸液と接触した目標部分は、同じ露光条件であっても異なってパターン化されることになる。基板若しくは基板テーブル全体が液体槽に浸される従来のタイプの液浸装置の場合、これは問題にはならなかった（例えばＵＳ４，５０９，８２５号参照を参照されたい）。

本発明による解決法の１つは、コントローラＣＳを使用して、実質的に同じ長さの時間の間、画像化すべき基板Ｗのすべての領域（つまりすべての目標部分）が液浸液で覆われることを保証することである。フォトレジストの成分の溶解は、画像化中及び画像化後のいずれにおいても発生し、また、フォトレジスト中への液浸液の拡散は、画像化前、画像化中及び画像化後のいずれにおいても発生するため、コントローラは、実質的に同じ長さの時間の間、場合によっては画像化前、画像化中及び画像化後における同じ長さの時間の間、基板のすべての目標部分がその上に液浸液を有するように装置を動作させなければならない。

そのための方法の１つは、基準への合致を保証するべく、投影システムＰＬの下方の基板の経路を選択することである。この経路は、基板のスループットを最大化する最適経路であることを期待することはできないが、画像化すべき特定のパターン、フォトレジストの種類、液浸継続期間、画像化すべきパターン、波長等を考慮して選択することができる投影ビームの露光量をすべての目標部分に対して同じにすることができるため、この欠点は十分に相殺される。

基準に合致するべく基板フォトレジストのすべての部分を確実に液浸液で覆うことができる代替方法は、基板Ｗ上の局部領域の外側の領域に余分の液浸液を供給するべく使用することができる補助液体供給システムＳＬＳＳ１及びＳＬＳＳ２を使用することである。この実施例について、図６を参照して説明する。図６から分かるように、投影システムＰＬの最終エレメントの周りに、液体封込みシステムＬＣＳを有する液体供給システムが配置され、基板Ｗの表面と共にシールを形成している。このシールは、図５に示すようなガス・シール１０であることが好ましい。液体封込みシステムＬＣＳは、ＸＹ平面内に投影システムＰＬに対して静止した状態で配置され、基板Ｗ上の目標部分が投影システムの下に移動するよう、投影システムＰＬの真下を基板Ｗが移動する。液体は、投影システムＰＬの最終エレメントと基板Ｗの間の空間に、液体封込みシステムＬＣＳ内の入口２０を介して供給される。

２つのタイプの補助液体供給システムＳＬＳＳ１及びＳＬＳＳ２が図４に示されている。第１の補助液体供給システムＳＬＳＳ１は、図２及び３に示す、参照によりその全体が本明細書に組み込まれているＷＯ９９／４９５０４号に詳細に記載されている液体供給システムと同様の液体供給システムである。第２の補助液体供給システムＳＬＳＳ２は、図４に示す投影システムＰＬの下に配置されている液体供給システムに類似している。

リソグラフィック装置は、任意の数の補助液体供給システムＳＬＳＳ１及びＳＬＳＳ２を備えることができる。補助液体供給システムＳＬＳＳ１及びＳＬＳＳ２のタイプは重要ではない。補助液体供給システムＳＬＳＳ１及びＳＬＳＳ２は、図６に示す、液体を付着させ、且つ、除去することによって液体を循環させ、また、液体の供給をターン・オン及びターン・オフする機会を与える液体封込みシステムＬＣＳを備えた局部液体供給システムであることが好ましい。この方法により、所望する結果を得るべく、基板Ｗの液浸液に晒される部分を容易に選択することができる。補助液体供給システムは、ＸＹ平面内で移動させることができ、且つ、コントローラによる制御の下でターン・オン及びターン・オフすることができる（つまり、より容易に補助液体供給システムに液体を満たし、或いは空にすることができる）。

フォトレジスト成分の液浸液中への溶解を考慮するための第２の方法は、データ・ベースのデータ（実験の結果であってもよい）に基づいて、液浸液がフォトレジストに及ぼした影響或いは及ぼすであろう影響をコントローラに計算させること、つまりフィード・フォワード制御することである。コントローラは、フォトレジストが現像されると、これらの計算に基づいて、すべての目標部分の露光が最適露光になるように露光量（画像化パラメータ）を調整する（つまり、フォトレジスト成分の溶解の程度が補償される）。ポジ型フォトレジストの場合、液浸液への液浸が長いほど、より多くの露光量が必要であると思われる。

露光量を変化させるために変更する１つ又は複数の画像化パラメータすなわち露光特性には、露光強度及び／又は露光継続期間が期待できそうである。この方法により、基板を最適スループットの経路に沿って投影システムＰＬの下を移動させることができ、何ら問題を抱えることなく基板の特定の領域を平均に対して過不足なく液浸液に浸すことができる。当然のことではあるが、基板Ｗ上の目標部分の位置を関数として露光量が選択されるようにリソグラフィック装置をプログラムすることができる。このデータは、コントローラが何らかの計算を実際に実行することがないよう、ＣＤ測値或いはモデル化による結果などの実験に基づいたものであってもよい。

露光量は、例えば液浸液中に溶解しているフォトレジスト成分の量或いはフォトレジスト中への液浸液の拡散量によって決まる液浸液の組成若しくはｐＨの分析など、閉ループ内における他の基準に基づいて制御することも可能である。

フォトレジスト成分の溶解を補償するためのこれらの３つの方法のすべてを同時に使用することが可能である。

したがって本発明によれば、液浸液中への基板表面のフォトレジスト成分の溶解及び／又はレジスト中への液浸液の拡散を考慮することができる。問題は、フォトレジスト成分の溶解により、パターン化されたビームの目標部分への衝突効果の特性が変化するため、液浸液と接触している時間で達成可能な臨界寸法が変化することである。本発明によるリソグラフィック装置によれば、２つの方法のうちのいずれかでこの問題が解決される。つまり、画像化すべき基板の各々の部分（つまり目標部分の各々）が実質的に同じ長さの時間の間、確実に液浸液に浸されるか、或いは基板の目標部分が液浸液に浸されていた時間の長さが考慮され、その時間の長さを考慮するべく、投射するパターン化ビームが修正される。したがって、特定の目標部分がその基板の平均より長く液浸されると、特定の状況（つまり、フィーチャのタイプ、液浸液の種類、レジストの種類等）に応じて、パターン化されたビームのその目標部分への投射強度若しくは継続期間を加減しなければならない。また、目標部分の液浸が平均未満である場合も、投射するパターン化ビームを調整しなければならない。

本発明によるリソグラフィック装置が、液浸液中へのフォトレジストの液浸による臨界寸法の変化を補償することをコントローラに保証させる方法の１つは、前記実質的に同じ長さの時間の間、前記液体供給システムによって提供される液浸液を基板上の目標部分の各々が有するように基板を移動させることによって装置を動作させることである。したがって、選択される投影システムの下方における基板の経路が、他のすべての目標部分と同じ長さの時間の間、目標部分の各々が局部領域部分になるよう、投影システムＰＬの下方における基板の曲折を保証している。

同じ長さの時間の間、目標部分の各々が液浸液中に浸されることを保証するためのもう１つの方法は、前記基板の局部領域の外側に液浸液を提供するための補助液体供給システムを提供し、且つ、前記コントローラが、該補助液体供給システムを使用して局部領域の外側に液浸液を適用することによって装置を動作させるためのものであることである。この方法によれば、何らかの理由で投影システムの下方にあり、そのために液体供給システムによって液浸液に浸されていた時間が平均未満である目標部分を、補助液体供給システムを使用して必要なレベルまで「注ぎ足された」液浸液に浸すことができる。

本明細書においては、リソグラフィック装置のとりわけＩＣの製造における使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィック装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、フラットパネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは、当分野の技術者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）、度量衡学ツール及び／又は検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ＩＣを生成するべく複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。

本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの波長或いはこれらの波長に近い波長を有する放射）を始めとするあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。

このコンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント及び反射光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つ或いは組合せを意味している。

以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。例えば本発明は、上で開示した方法を記述した１つ又は複数の機械可読命令シーケンスを含んだコンピュータ・プログラムの形態を取ることができ、或いはこのようなコンピュータ・プログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク若しくは光ディスク）の形態を取ることができる。

本発明は、排他的ではないが、とりわけ上で言及したタイプの任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができる。

以上の説明は、例証を意図したものであり、本発明を制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは、当分野の技術者には理解されよう。

本発明の一実施例によるリソグラフィック装置を示す図である。 従来技術によるリソグラフィック投影装置に使用されている液体供給システムを示す図である。 従来技術によるリソグラフィック投影装置に使用されている液体供給システムを示す他の図である。 従来技術の他のリソグラフィック投影装置による液体供給システムを示す図である。 本発明の一実施例による液体供給システムを示す図である。 本発明の他の実施例による装置を示す図である。

符号の説明

１０ 貯蔵容器
１６ ガス・シール
１２ シール部材
１４ 第１の出口
１５、２０ 入口
ＡＭ 調整器
ＰＢ 放射ビーム
ＢＤ ビーム引渡しシステム
Ｃ 目標部分
ＣＯ コンデンサ
ＣＳ コントローラ
ＩＦ 位置センサ
ＩＨ 液浸フード（液体供給システム）
ＩＬ 照明システム（イルミネータ）
ＩＮ インテグレータ
ＬＣＳ 液体封込みシステム
Ｍ１、Ｍ２ マスク位置合せマーク
ＭＡ パターン化デバイス（マスク）
ＭＴ 支持構造（マスク・テーブル）
Ｐ１、Ｐ２ 基板位置合せマーク
ＰＬ 投影システム
ＰＭ 第１のポジショナ
ＰＷ 第２のポジショナ
ＳＬＳＳ１、ＳＬＳＳ２ 補助液体供給システム
ＳＯ 放射源
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル

Claims (8)

1. 投影システムの最終エレメントと前記基板の間の空間に提供された液体を介してパターン化デバイスから基板にパターンを投影するようになされたリソグラフィック投影装置であって、実質的に同じ長さの時間の間、前記基板のすべての目標部分がその上に浸漬液を有するように前記リソグラフィック投影装置を動作させ、或いはパターン化されたビームの特定の目標部分への露光量を、前記特定の目標部分がその上に浸漬液を有している時間の長さに基づいて制御するためのコントローラを備えたリソグラフィック投影装置。
2. 前記コントローラが、前記実質的に同じ長さの時間の間、液体供給システムによって提供される浸漬液を前記基板上の目標部分の各々が有するように前記基板を移動させることによって前記装置を動作させるためのものである、請求項１に記載の装置。
3. 前記基板上の局部領域の外側に浸漬液を提供するための補助液体供給システムをさらに備え、前記コントローラが、前記補助液体供給システムを使用して前記局部領域の外側に前記浸漬液を適用することによって前記装置を動作させるためのものである請求項１に記載の装置。
4. 前記実質的に同じ長さの時間及び前記時間の長さが、前記パターン化されたビームの前記目標部分への投射に先立つ時間、投射後の時間若しくは投射に先立つ時間及び投射後の時間の両方である、請求項１に記載の装置。
5. 投影システムの最終エレメントと基板の間の空間に液体を提供している間、パターン化された放射ビームを前記基板に投射するステップを含むデバイス製造方法であって、装置が、実質的に同じ長さの時間の間、前記基板のすべての目標部分がその上に浸漬液を有するように動作し、或いは前記パターン化されたビームの特定の目標部分への露光量を、前記特定の目標部分がその上に浸漬液を有している時間の長さに基づいて制御することによって動作するデバイス製造方法。
6. 前記実質的に同じ長さの時間の間、液体供給システムによって提供される浸漬液を前記基板上の目標部分の各々が有するように前記基板が移動する、請求項５に記載の方法。
7. 補助液体供給システムが局部領域の外側に浸漬液を適用し、それにより実質的に同じ長さの時間の間、前記すべての目標部分がその上に前記浸漬液を有するようにする、請求項５に記載の方法。
8. 前記実質的に同じ長さの時間及び前記時間の長さが、前記パターン化されたビームの前記目標部分への投射に先立つ時間、投射後の時間若しくは投射に先立つ時間及び投射後の時間の両方である、請求項５に記載の方法。

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