JP4383408B2 - リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法 - Google Patents
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Description
基板にパターン化された放射ビームを投影するように構成された投影系を備えるリソグラフィ投影機器であって、この投影系は、基板に最も近い表面上に、この表面に結合した層と、この層と同じ材料の、液体から最終要素を遮蔽するために基板から離れるようにこの層から延びる縁部障壁とを有する最終要素を含み、このリソグラフィ投影機器はさらに、
投影系の最終要素と基板の間のスペースを液体で少なくとも部分的に充填するように構成された液体供給システムを備えるリソグラフィ投影機器が提供される。
基板にパターン化された放射ビームを投影するように構成された投影系を備えるリソグラフィ投影機器であって、この投影系は、基板に最も近い表面上に層を有する最終要素を含み、この最終要素は、この層を介してこの機器に取り付けられ、このリソグラフィ投影機器はさらに、
投影系の最終要素と基板の間のスペースを液体で少なくとも部分的に充填するように構成された液体供給システムを備えるリソグラフィ投影機器が提供される。
投影系の最終要素と基板の間のスペースに設けられた液体を介して、基板にパターン化された放射ビームを投影するステップを含むデバイスの製作方法であって、この最終要素は、基板に最も近い表面上に層を有し、この層を介して最終要素が支持される方法が提供される。
投影系の最終要素と基板の間のスペースに設けられた液体を介して、基板にパターン化された放射ビームを投影するステップを含むデバイスの製作方法であって、基板に最も近い最終要素の表面には層が結合され、この層と同じ材料の縁部障壁が、液体から最終要素を遮蔽するために、基板から離れるようにこの層から延びる方法が提供される。
−放射ビームB(例えば、UV放射又はDUV放射)を調整するように構成された照明系(照明器)ILと、
−パターン化装置(例えば、マスク)MAを支持するように構築された支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTであって、ある種のパラメータに従ってパターン化装置を正確に位置決めするように構成された第1位置決め装置PMに結合された支持構造MTと、
−基板(例えば、レジストを塗布したウエハ)Wを保持するように構築された基板テーブル(例えば、ウエハ・テーブル)WTであって、ある種のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2位置決め装置PWに結合された基板テーブルWTと、
−基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分Cに、パターン化装置MAによって放射ビームBに付与されたパターンを投影するように構成された投影系(例えば、屈折型投影レンズ系)PSとを備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは本質的に固定したまま、放射ビームに付与されたパターン全体を目標部分Cに1回で投影する(即ち、1回の静止露光)。次いで、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に位置を変えて、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で画像形成される目標部分Cのサイズを制限する。
2.スキャン・モードでは、マスク・テーブルMTと基板テーブルWTを同期走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する(即ち、1回の動的な露光)。マスク・テーブルMTに対する相対的な基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの倍率(縮小率)及び像の反転特性によって決めることができる。スキャン・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的な露光における目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動長により、目標部分の(走査方向の)高さが決まる。
3.別のモードでは、プログラム可能なパターン化装置を保持するマスク・テーブルMTを本質的に固定し、基板テーブルWTを移動又は走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する。このモードでは一般に、パルス化された放射源を使用し、基板テーブルWTの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化装置を必要に応じて更新する。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン化装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用し得る。
11 浸漬液
12 液体閉込め構造
14 排出口
15 注入口
16 ガス・シール
20 投影系の最終要素
25 最終要素の底面
40 石英ガラス層、プレート
60 縁部障壁
80 取付け部
AD 調節装置
B 放射ビーム
BD ビーム送達系
C 目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明系、照明器
IN 統合器
MA マスク
MT 支持構造、マスク・テーブル
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
PM 第1位置決め装置
PL 投影系、投影レンズ
PS 投影系、レンズ系
PW 第2位置決め装置
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせーク
SO 放射源
W 基板、ウエハ
WT 基板テーブル、ウエハ・テーブル
Claims (22)
- 基板にパターン化された放射ビームを投影するように構成された投影系であって、前記基板に最も近い表面上に、前記表面に結合した層を有する最終要素と、前記層と同じ材料の、液体から前記最終要素を遮蔽するために前記基板から離れるように前記層から延びる縁部障壁とを含む投影系と、
前記投影系の最終要素と前記基板の間のスペースを液体で少なくとも部分的に充填するように構成された液体供給システムとを備え、
前記縁部障壁と前記最終要素との間に隙間を設けることを特徴とするリソグラフィ投影機器。 - 前記縁部障壁は前記層に融着する、請求項1に記載の機器。
- 前記最終要素は、前記縁部障壁及び/又は層を介した結合によって前記機器に取り付けられる、請求項1または2に記載の機器。
- 前記層はプレートである、請求項1乃至3のいずれかに記載の機器。
- 前記層及びバリア部材は石英ガラスを含む、請求項1乃至4のいずれかに記載の機器。
- 前記最終要素はCaF2を含む、請求項1乃至5のいずれかに記載の機器。
- 前記縁部障壁は、先端が切り取られた円錐の形状である、請求項1乃至6のいずれかに記載の機器。
- 前記層は、前記表面に接触結合する、請求項1乃至7のいずれかに記載の機器。
- 前記層は、前記液体に実質的に不溶性である、請求項1乃至8のいずれかに記載の機器。
- 前記層の熱膨張係数は、前記最終要素の熱膨張係数よりも小さい、請求項1乃至9のいずれかに記載の機器。
- 基板にパターン化された放射ビームを投影するように構成された投影系であって、前記基板に最も近い表面上に層を有する最終要素を含み、前記最終要素は、前記層を介して取り付けられている投影系と、
前記投影系の前記最終要素と前記基板の間のスペースを液体で少なくとも部分的に充填するように構成された液体供給システムと、
前記層と同じ材料の、前記液体から前記最終要素を遮蔽するために前記基板から離れるように前記層から延びる縁部障壁とを備え、
前記縁部障壁と前記最終要素との間に隙間を設けることを特徴とするリソグラフィ投影機器。 - 前記層はプレートであり、前記最終要素は、前記層及び前記縁部障壁を介して前記機器に取り付けられる、請求項11に記載の機器。
- 前記層は、前記最終要素に接触結合する、請求項11または12に記載の機器。
- 前記層の熱膨張係数は、前記最終要素の熱膨張係数よりも小さい、請求項11乃至13のいずれかに記載の機器。
- 前記層の熱膨張係数は、前記最終要素の熱膨張係数の1/10である、請求項14に記載の機器。
- 前記層は、前記液体に実質的に不溶性である、請求項11乃至15のいずれかに記載の機器。
- 投影系の最終要素と基板の間のスペースに設けられた液体を介して、前記基板にパターン化された放射ビームを投影するステップを含むデバイスの製作方法であって、
前記基板に最も近い前記最終要素の表面には層が結合され、前記層と同じ材料の縁部障壁は、前記液体から前記最終要素を遮蔽するために、前記基板から離れるように前記層から延びており、
前記縁部障壁と前記最終要素との間に隙間を設けることを特徴とする方法。 - 前記層は、前記液体に実質的に不溶性である、請求項17に記載の方法。
- 前記層の熱膨張係数は、前記最終要素の熱膨張係数よりも小さい、請求項17または18に記載の方法。
- 投影系の最終要素と基板の間のスペースに設けられた液体を介して、前記基板にパターン化された放射ビームを投影するステップを含むデバイスの製作方法であって、前記最終要素は、前記基板に最も近い表面上に層を有し、前記層を介して前記最終要素が支持されており、
前記層と同じ材料の、前記液体から前記最終要素を遮蔽するために前記基板から離れるように前記層から延びる縁部障壁を有し、
前記縁部障壁と前記最終要素との間に隙間を設けることを特徴とする方法。 - 前記層は、前記液体に実質的に不溶性である、請求項20に記載の方法。
- 前記層の熱膨張係数は、前記最終要素の熱膨張係数よりも小さい、請求項20または21に記載の方法。
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