CN100510968C

CN100510968C - 光刻装置和器件制造方法

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Publication number: CN100510968C
Application number: CN 200510003549
Authority: CN
Inventors: T·尤特迪克; E·R·鲁普斯特拉; L·A·桑德塞
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2004-12-28
Filing date: 2005-12-23
Publication date: 2009-07-08
Anticipated expiration: 2025-12-23
Also published as: TW200629002A; JP2006191066A; CN1797208A; US8913225B2; SG123750A1; US20110279796A1; JP4383408B2; US7405805B2; EP1677153A1; US8013978B2; KR100742766B1; DE602005014731D1; KR20060076752A; TWI329790B; SG144153A1; US20060139589A1; US20080259296A1; EP1677153B1

Abstract

公开了一种浸入式光刻装置中的最后元件，其在最靠近衬底的表面上具有粘合在该表面上的层，还包括由与上述层相同的材料所形成的边缘阻碍物，其从该层中远离衬底地延伸出来，以便将最后元件相对于液体隔离开。在一个实施例中，该最后元件通过层和/或边缘阻碍物而连接在装置上，所述层和/或边缘阻碍物可由热膨胀系数比最后元件的热膨胀系数更低的材料制成。

Description

光刻装置和器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和一种用于制造器件的方法。

背景技术

光刻装置是可在衬底、通常是衬底的目标部分上施加所需图案的机器。光刻装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可采用图案形成装置来产生将形成于IC的单个层上的电路图案，该图案形成装置也称为掩模或分划板。该图案可被转移到衬底(如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上。图案的转移通常借助于成像到设于衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上来实现。通常来说，单个衬底包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)由辐射光束来扫描图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描衬底来照射各目标部分。还可以通过将图案压印在衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底上。

已经提出了可将光刻投影装置中的衬底浸入到具有相对较高折射率的液体如水中，以便填充投影系统的最后元件与衬底之间的空间。其目的是用于成像较小的特征，这是因为曝光辐射在液体中将具有更短的波长(液体的效果还被认为是增加了系统的有效数值孔径，并且增大了聚焦深度)。还已经提出了其它的浸液，包括其中悬浮有固体颗粒(如石英)的水。已经提出了采用水或含水溶液用于248和193纳米的投影辐射，而采用全氟代烃用于157纳米的投影辐射。

然而，将衬底或衬底及衬底台浸入在液体池(例如可见美国专利US 4509852，其通过引用整体地结合于本文中)意味着，在扫描曝光期间很大一部分液体必须被加速。这就要求有额外的或更大功率的电动机，并且液体中的湍流可能会导致不希望有的和无法预测的效果。

针对液体供给系统所提出的一种解决方案是，仅在衬底的局部区域上以及在投影系统的最后元件与衬底(衬底通常具有比投影系统的最后元件更大的表面积)之间提供液体。在WO99/49504中公开了已经提出的针对此而设置的一种解决方案，其通过引用整体地结合于本文中。如图2和3所示，液体经由衬底上的至少一个入口IN且优选沿着衬底相对于最后元件的运动方向来供给，并且在已经在投影系统下方通过之后经由至少一个出口OUT排出。也就是说，当衬底在元件下方沿着-X方向被扫描时，液体在元件的+X侧供给并且在-X侧被吸走。图2示意性地显示了这一设置，其中液体经由入口IN来供给，并且经由与低压源相连的出口OUT而在元件的另一侧被吸走。在图2中，液体沿着衬底相对于最后元件的运动方向来供给，但这并不是必须的。入口和出口可具有围绕着最后元件设置的各种定位和数量，在图3中显示了一个例子，其中围绕着最后元件以规则的图案设置了位于各侧上的四组入口和出口。

发明内容

因此，例如提供一种其中可降低部件因与浸液接触而产生质量下降的光刻投影装置将是有利的。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻投影装置，包括：

投影系统，其构造成可将图案化辐射光束投射到衬底上，该投影系统包括最后元件，其在最靠近衬底的表面上具有粘合在该表面上的层，还包括由与上述层相同的材料所形成的边缘阻碍物，其从该层中远离衬底地延伸出来，以便将最后元件相对于液体隔离开；和

液体供给系统，其构造成可用液体至少部分地填充投影系统的最后元件与衬底之间的空间。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻投影装置，包括：

投影系统，其构造成可将图案化辐射光束投射到衬底上，该投影系统包括最后元件，其在最靠近衬底的表面上具有层，该最后元件通过上述层而与装置相连；和

根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，包括：

将图案化辐射光束穿过设于投影系统的最后元件与衬底之间的空间内的液体而投射到衬底上，其中最后元件在最靠近衬底的表面上具有层，该最后元件通过上述层而受到支撑。

根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，包括：

将图案化辐射光束穿过设于投影系统的最后元件与衬底之间的空间内的液体而投射到衬底上，

其中，最后元件的最靠近衬底的表面具有粘合在其上的层，由与该层相同的材料所形成的边缘阻碍物从该层中远离衬底地延伸出来，以便将最后元件相对于液体隔离开。

附图说明

下面将仅通过示例的方式并参考示意性附图来介绍本发明的实施例，在附图中对应的标号表示对应的部分，其中：

图1显示了根据本发明的一个实施例的光刻装置；

图2和3显示了用于光刻投影装置的液体供给系统；

图4显示了用于光刻投影装置的另一液体供给系统；

图5显示了根据本发明的一个实施例的液体供给系统；和

图6显示了根据本发明的一个实施例的施加在投影系统的最后元件上的层和边缘阻碍物。

具体实施方式

图1示意性地显示了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括：

-构造成可调节辐射光束PB(例如UV辐射或DUV辐射)的照明系统(照明器)IL；

-构造成可支撑图案形成装置(例如掩模)MA的支撑结构(例如掩模台)MT，其与构造成可按照一定参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；

-构造成可固定衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W的衬底台(例如晶片台)WT，其与构造成可按照一定参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和

-构造成可将由图案形成装置MA施加给辐射光束B的图案投射在衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS。

该照明系统可包括用于对辐射进行引导、成形或控制的多种类型的光学部件，例如折射式、反射式、磁式、电磁式、静电式或其它类型的光学部件或其任意组合。

支撑结构支撑了图案形成装置，即支承了图案形成装置的重量。其固定图案形成装置的方式取决于图案形成装置的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如图案形成装置是否保持在真空环境下。支撑结构可使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来固定住图案形成装置。支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的。支撑结构可保证图案形成装置可例如相对于投影系统处于所需的位置。用语“分划板”或“掩模”在本文中的任何使用可被视为与更通用的用语“图案形成装置”具有相同的含义。

这里所用的用语“图案形成装置”应被广义地解释为可用于为辐射光束的横截面施加一定图案以便在衬底的目标部分中形成图案的任何装置。应当注意的是，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，那么施加于辐射光束中的图案可以不精确地对应于衬底目标部分中的所需图案。一般来说，施加于辐射光束中的图案将对应于待形成在目标部分内的器件如集成电路中的特定功能层。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的例子包括掩模、可编程的镜阵列和可编程的LCD面板。掩模在光刻领域中是众所周知的，其包括例如二元型、交变相移型和衰减相移型等掩模类型，还包括各种混合式掩模类型。可编程镜阵列的一个例子采用微型镜的矩阵设置，各镜子可单独地倾斜以沿不同方向反射所入射的辐射光束。倾斜镜在被镜矩阵所反射的辐射光束中施加了图案。

这里所用的用语“投影系统”应被广义地理解为包括各种类型的投影系统，包括折射式、反射式、反射折射式、磁式、电磁式和静电式光学系统或其任意组合，这例如应根据所用的曝光辐射或其它因素如使用浸液或使用真空的情况来适当地确定。用语“投影透镜”在本文中的任何使用均应被视为与更通用的用语“投影系统”具有相同的含义。

如这里所述，此装置为透射型(例如采用了透射掩模)。或者，此装置也可以是反射型(例如采用了如上所述类型的可编程镜阵列，或者采用了反射掩模)。

光刻装置可以是具有两个(双级)或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的那种类型。在这种“多级”式机器中，附加的台可以并联地使用，或者，可在一个或多个台上进行预备步骤而将一个或多个其它的台用于曝光。

参见图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是单独的实体，例如在辐射源为准分子激光器时。在这种情况下，辐射源不应被视为形成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束传送系统BD从源SO传递到照明器IL中，光束传送系统BD例如包括适当的引导镜和/或光束扩展器。在其它情况下，该源可以是光刻装置的一个整体部分，例如在该源为水银灯时。源SO和照明器IL及光束传送系统BD(如果需要的话)一起可称为辐射系统。

照明器IL可包括调节装置AD，其用于调节辐射光束的角强度分布。通常来说，至少可以调节照明器的光瞳面内的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照明器IL通常包括各种其它的器件，例如积分器IN和聚光器CO。照明器用来调节辐射光束，以使其在其横截面上具有所需的均匀性和强度分布。

辐射光束B入射在固定于支撑结构(例如掩模台MT)上的图案形成装置(例如掩模MA)上，并通过该图案形成装置而图案化。在穿过掩模MA后，辐射光束B通过投影系统PS，其将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉仪、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可精确地移动，以便例如将不同的目标部分C定位在辐射光束B的路径中。类似地，可用第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未明确示出)来相对于辐射光束B的路径对掩模MA进行精确的定位，例如在将掩模从掩模库中机械式地重新取出之后或者在扫描过程中。通常来说，借助于形成为第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可实现掩模台MT的运动。类似地，采用形成为第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块，可实现衬底台WT的运动。在采用步进器的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可只与短行程致动器相连，或被固定住。掩模MA和衬底W可采用掩模对准标记M1，M2和衬底对准标记P1，P2来对准。虽然衬底对准标记显示为占据了专用目标部分，然而它们可位于目标部分之间的空间内(它们称为划线片对准标记)。类似地，在掩模MA上设置了超过一个管芯的情况下，掩模对准标记可位于管芯之间。

所述装置可用于至少一种下述模式中：

1.在步进模式中，掩模台MT和衬底台WT基本上保持静止，而施加到投影光束上的整个图案被一次性投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动衬底台WT，使得不同的目标部分C被曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次静态曝光中所成像的目标部分C的大小。

2.在扫描模式中，掩模台MT和衬底台WT被同步地扫描，同时施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上(即单次动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向由投影系统PS的放大(缩小)和图像倒转特性来确定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部分的宽度(非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分的高度(扫描方向上)。

3.在另一模式中，掩模台MT基本上固定地夹持了可编程的图案形成装置，而衬底台WT在施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上时产生运动或扫描。在这种模式中通常采用了脉冲辐射源，可编程的图案形成装置根据需要在衬底台WT的各次运动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间进行更新。这种操作模式可容易地应用于采用了可编程的图案形成装置、例如上述类型的可编程镜阵列的无掩模式光刻技术。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变型，或者采用完全不同的使用模式。

在图4中显示了具有局部液体供给系统的另一浸入式光刻解决方案。液体经由位于投影系统PL两侧上的两个槽式入口IN来供给，并经由设置在入口IN的径向外侧的多个分散的出口OUT来除去。入口IN和出口OUT设置在一块板中，在该板的中心设有孔，投影光束经由该孔来投射。液体经由位于投影系统PL一侧上的一个槽式入口IN来供给，并经由设置在投影系统PL另一侧上的多个分散的出口OUT来除去，这便导致了投影系统PL和衬底W之间的液体的薄膜式流动。选择使用入口IN和出口OUT的哪种组合取决于衬底W的运动方向(入口IN和出口OUT的另一种组合被停用)。

已经提出的具有局部液体供给系统的另一浸入式光刻解决方案是提供带有液体限制结构的液体供给系统，该液体限制结构沿着投影系统的最后元件与衬底台之间的空间的至少一部分边界而延伸。该液体限制结构在XY平面内相对于投影系统基本上静止，然而其在Z方向(光轴方向)上可能存在一些相对运动。在液体限制结构和衬底表面之间形成了密封。在一个实施例中，该密封是一种无接触式密封如气封。这种带气封的系统公开于美国专利申请No.10/705783中，该申请通过引用整体地结合于本文中。

图5显示了根据本发明一个实施例的包括有液体限制结构(有时称为浸罩或喷头)的液体供给系统。特别是，图5显示了储槽10的一种设置，该储槽形成了与投影系统成像区域周围的衬底之间的无接触式密封，使得液体被限制成填充了衬底的朝向投影系统PL的主表面与投影系统PL的最后元件(例如密封了投影系统的“盖板”，或者投影系统的最后光学元件)之间的空间。位于下方且围绕着投影系统PL的最后元件的液体限制结构12形成了储槽。因此，液体供给系统提供了仅位于衬底局部区域上的液体。液体限制结构12形成了液体供给系统中的构造成用来以液体填充投影系统的最后元件与衬底W(或衬底台WT)之间的空间的那一部分。液体进入到投影系统下方的空间中并处于液体限制结构12内。液体限制结构12稍微延伸到投影系统最后元件之上一点，并且液面上升到最后元件之上，从而提供了液体缓冲。液体限制结构12具有内周边，该内周边在上端处优选地紧密地顺应着投影系统或其最后元件的形状，因此例如可以是圆形的。在底部处，该内周边紧密地顺应着成像区域的形状，例如为矩形，但并不一定要如此。图案化光束穿过该开口。

液体通过液体限制结构12的底部与衬底W的表面之间的气封16而被限制在储槽中。气封由气体如空气、合成空气、氮气或惰性气体形成，其在压力下经由入口15提供到液体限制结构12与衬底之间的间隙中，并经由出口14排出。气体入口15上的过压、出口14上的真空度以及间隙的几何形状设置成使得存在有限制了液体的向内高速气流。本领域的技术人员可以理解，还可以采用其它类型的密封来限制液体，诸如仅由一个出口来排出液体和/或气体。对于任何密封而言，都有一些液体可能会泄漏出来，例如泄漏到出口14。

图2、3和4也显示了一种由入口IN、出口OUT、衬底W和投影透镜PL的最后元件所限定的液体储槽。与图5中的液体供给系统一样，包括入口IN和出口OUT的图2、3和4所示的液体供给系统将液体提供到投影系统的最后元件与衬底主表面的局部区域之间的空间中。

图2、3和4所示的液体供给系统以及其它解决方案，例如其中浸没了衬底W或整个衬底台WT的浴槽，都可用在如下所述的本发明的一个或多个实施例中。

图6显示了根据本发明一个实施例的投影系统PL的最后元件20的细节。在图6所示的实施例中，投影系统的最后光学元件20是用于成形和/或引导图案化光束的投影系统PL的最后透镜元件。

在一个实施例中，可透过193纳米辐射的材料为石英，否则该辐射的强度会导致明显的压实效应。图案化光束的辐射强度在最后元件处最高，但也可趋向于最小，因此如果用石英制造的话，那么该元件可能承受到压实作用。因此，在一个实施例中，该最后元件的材料可替代性地使用CaF₂，因为它在193纳米处不会承受到压实作用。CaF₂的使用甚至更适用于157纳米的辐射，这是因为石英无法透过具有该波长的辐射。然而，CaF₂可能会溶解在浸入式光刻装置所使用的浸液11中，或者与之发生反应。

在欧洲专利申请No.03257400.6中公开了保护投影系统的最后元件20的若干方法，该申请通过引用整体地结合于本文中。

采用CaF₂用于投影系统PL的最后元件的另一问题是，CaF₂具有非常高的热膨胀系数(比熔融石英高40倍)，因而如果安装材料不同的话，则很难以不会引发较大热应力和变形的方式将其安装在投影系统中。这些应力和变形会以一阶方式随膨胀系数的差异而线性式变化。因此，尤其对于其中最后透镜元件的定位要求比非浸入式光刻装置高2到10倍的浸入式光刻装置而言，安装CaF₂的光学元件可能会有问题。

参见图6，图中显示了根据本发明一个实施例的投影系统的最后元件。投影系统的最后元件(例如透镜)20的最靠近衬底的底面25被设置在该最后元件20上的熔融石英层40保护起来。该层具有50微米到5毫米范围内的厚度，并且可接触式粘合或胶粘在该最后元件20上。在接触式粘合中不使用粘胶，粘合面光滑且干净，足以直接粘在一起。在粘合到最后元件上之后，可对熔融石英层40进行磨削和抛光到所需的厚度，避免在处理非常薄的熔融石英层时所固有的困难。因此，在一个实施例中，层40和最后元件20粘合在一起，并且最后元件20并不是仅被涂覆。

虽然这种粘合形式可针对粘合不相同材料如CaF₂和熔融石英的方面提供非常强的粘合，然而温度变化和热梯度可能会导致粘合“呼吸”，即两种材料的不同热膨胀或收缩会导致它们分开，直到释放应力时为止。虽然粘合在热分离时通常会非常快速地重新成形，但是如果在例如层40的抛光或磨削期间或使用浸入式光刻装置的期间最后元件与液体接触时产生这种情况的话，那么液体就可被抽入到间隙中。

为了保护最后元件20和层40之间的粘合，由与层40相同的材料制成并且从层40中远离衬底地(朝向投影系统PL的其余部分)延伸的边缘阻碍物60完成了最后元件20周围的阻挡，使得最后元件20相对于液体11隔离开。

边缘阻碍物60连接在层40边缘的周围。如图所示，边缘阻碍物60连接在延伸超出最后元件20的底面25的边缘之外的板40边缘的附近。也可以采用其它设置，例如通过将边缘阻碍物60粘合到层40的边缘表面而不是粘合到板40的顶面上。在一个实施例中，边缘阻碍物60和层40之间的粘合是熔合。通过引用结合于本文中的PCT专利申请No.PCT/EP04/013310详细地公开了这种粘合技术。在一个实施例中，边缘阻碍物60的形式为截头锥体。然而，边缘阻碍物60可具有任何形状，只要它能形成容纳最后元件20的凹腔。

最后元件20可具有覆盖了最后元件20的底面的侧部，使得在一个实施例中，层40悬置在最后元件20的底面上，因而边缘阻碍物60可连接到层40的表面之上。在一个实施例中，在边缘阻碍物60和最后元件20之间留有间隙，然而这并不是必须的。

如图6所示，最后元件20可通过边缘阻碍物60和层40而安装在投影系统PS主体的支座80上。这样做是有利的，因为边缘阻碍物60用作支座80和最后元件20之间的去耦结构，从而显著降低了由温度和安装情况所引发的应力和变形。或者，最后元件20可通过层40直接安装在支座80上。还可在层40或边缘阻碍物60上连接构造成可测量最后元件20的位置的测量系统或传感器。与投影系统或传感器的连接可通过传统方式来实现。

虽然已经介绍了带有层40和包括熔融石英的边缘阻碍物60的本发明实施例，然而层40和/或边缘阻碍物60可采用任何适当的材料。在一个实施例中，用于层40和/或边缘阻碍物60的材料可耐受浸液的冲击，并且具有比最后元件20的材料的热膨胀系数更低的热膨胀系数，其中浸液可以是水以外的液体，而最后元件20的材料可以是CaF₂以外的材料。在一个实施例中，该热膨胀系数比最后元件的材料的热膨胀系数至少低2倍、5倍、10倍或20倍。最后元件20可由任何适当的材料制成。

在欧洲专利申请No.03257072.3中公开了双级或双步浸入式光刻装置的概念。这种装置设有用于支撑衬底的两个台。采用处于第一位置中的台在无浸液的情况下进行调平测量，采用处于第二位置中的台在存在浸液的情况下进行曝光。或者，该装置仅具有一个台。

虽然在本文中具体地参考了IC制造中的光刻装置的使用，然而应当理解，这里所介绍的光刻装置还可具有其它应用，例如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域的技术人员可以理解，在这种替代性应用的上下文中，用语“晶片”或“管芯”在这里的任何使用分别被视为与更通用的用语“衬底”或“目标区域”具有相同的含义。这里所指的衬底可在曝光前或曝光后例如在轨道(一种通常在衬底上施加抗蚀层并对暴露出来的抗蚀层进行显影的工具)或度量和/或检查工具中进行加工。在适当之处，本公开可应用于这些和其它的衬底加工工具中。另外，衬底可被不止一次地加工，例如以形成多层IC，因此，这里所用的用语“衬底”也可指已经包含有多层已加工的层的衬底。

虽然在上文中已经针对光学式光刻的应用来具体说明了本发明实施例的使用，然而可以理解，本发明可用在其它应用例如压印式光刻(imprint lithography)中，并且在情况允许时并不限于光学式光刻。在压印式光刻中，图案形成装置的外轮廓限定了将在衬底上形成的图案。图案形成装置的外轮廓可压入到提供到衬底上的抗蚀剂层中，此时抗蚀剂通过施加电磁辐射、热量、压力或其组合来固化。该图案形成装置运动到抗蚀剂之外，在抗蚀剂固化后留下图案。

这里所用的用语“辐射”和“光束”用于包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如波长约为365、248、193、157或126纳米)，远紫外线(EUV)辐射(例如波长在5-20纳米的范围内)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

用语“透镜”在允许之处可指多种光学部件中的任意一种或其组合，包括折射式、反射式、磁式、电磁式和静电式光学部件。

虽然在上文中已经描述了本发明的特定实施例，然而可以理解，本发明可通过不同于上述的方式来实施。例如在适当之处，本发明可采用含有一个或多个描述了上述方法的机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者存储有这种计算机程序的数据存储介质(如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

本发明的一个或多个实施例可应用于任何浸入式光刻装置，例如上述那些类型，而不论浸液是提供到槽中还是仅仅提供在衬底的局部表面区域上。液体供给系统是可向投影系统与衬底和/或衬底台之间的空间提供液体的任何机构，它可以包括一个或多个结构、一个或多个液体入口、一个或多个气体入口、一个或多个气体出口和/或一个或多个液体出口的任何组合，该组合将液体提供给并且限制在该空间中。在一个实施例中，该空间的表面可限制为衬底和/或衬底台的一部分，该空间的表面可完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者该空间可以包封衬底和/或衬底台。

上面这些描述是示例性而非限制性的。因此，对本领域的技术人员来说很明显，在不脱离下述权利要求的范围的前提下，可以对本发明进行修改。

Claims

1.一种光刻投影装置，包括：

投影系统，其构造成可将图案化辐射光束投射到衬底上，所述投影系统包括最后元件，其在最靠近所述衬底的表面上具有粘合在所述表面上的层，还包括由与所述层相同的材料所形成的边缘阻碍物，其从所述层中远离所述衬底地延伸出来，以便将所述最后元件相对于液体隔离开；和

液体供给系统，其构造成可用液体至少部分地填充所述投影系统的最后元件与衬底之间的空间；

其中，所述最后元件通过与所述边缘阻碍物和/或层的连接而安装在所述装置上。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述边缘阻碍物熔合在所述层上。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述边缘阻碍物不与所述最后元件接触。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述层是板。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述层和阻碍物包括熔融石英。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述最后元件包括CaF₂。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述边缘阻碍物为截头锥体的形状。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述层与所述表面接触式粘合。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述层基本上不溶于所述液体。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述层具有比所述最后元件的热膨胀系数更低的热膨胀系数，

11.一种光刻投影装置，包括：

投影系统，其构造成可将图案化辐射光束投射到衬底上，所述投影系统包括最后元件，其在最靠近所述衬底的表面上具有层，所述最后元件通过所述层与所述装置相连；和

液体供给系统，其构造成可用液体至少部分地填充所述投影系统的最后元件与衬底之间的空间。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述装置还包括边缘阻碍物，其由与所述层相同的材料形成，并且从所述层中远离所述衬底地延伸出来，从而将所述最后元件相对于液体隔离开。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述层是板，所述最后元件通过与所述层和边缘阻碍物而安装在所述装置上。

14.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述层与所述最后元件接触式粘合。

15.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述层具有比所述最后元件的热膨胀系数更低的热膨胀系数。

16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述层具有比所述最后元件的热膨胀系数低十倍的热膨胀系数。

17.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述层基本上不溶于所述液体。

18.一种器件制造方法，包括：

将图案化辐射光束穿过设于投影系统的最后元件与衬底之间的空间内的液体而投射到所述衬底上，

其中，所述最后元件的最靠近所述衬底的表面具有粘合在其上的层，由与所述层相同的材料形成的边缘阻碍物从所述层中远离衬底地延伸出来，以便将最后元件相对于液体隔离开；所述最后元件通过与所述边缘阻碍物和/或层的连接而安装在所述装置上。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述层基本上不溶于所述液体。

20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述层具有比所述最后元件的热膨胀系数更低的热膨胀系数。

21.一种器件制造方法，包括：将图案化辐射光束穿过设于投影系统的最后元件与衬底之间的空间内的液体而投射到所述衬底上，其中所述最后元件在最靠近衬底的表面上具有层，所述最后元件通过所述层而受到支撑。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述层基本上不溶于所述液体。

23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述层具有比所述最后元件的热膨胀系数更低的热膨胀系数。