JP4146828B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明はリソグラフィ装置に関する。

リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。この場合、マスクなどのパターン化手段（パターン付与手段）を使用してＩＣの個々の層に対応する回路パターンが生成され、このパターンが、放射線感応材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイ部分からなる）に結像（イメージ）される。通常、１枚の基板には、順次露光される隣接ターゲット部分の全回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回の照射でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるステッパと、パターンを放射線ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、同時に、基板をこの方向に平行に、あるいは逆平行に同期走査することによってターゲット部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。

投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填するために、比較的屈折率の大きい液体中（例えば水中）にリソグラフィ投影装置内の基板を浸す方法が提案されている。この方法のポイントは、液体中では露光放射線の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを結像することができることである。（また液体の効果は、システムの有効ＮＡが大きくなり、且つ焦点深度が長くなることにあると見なすことができる。）

しかしながら、基板または基板と基板テーブルを液体槽に浸す（例えば参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許４，５０９，８５２号明細書を参照されたい）ことは、走査露光の間、加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味しており、そのためにはモータを追加するか、あるいはより強力なモータが必要であり、また液体の攪乱により望ましくない予測不可能な影響がもたらされることがある。

提案されている解決法の１つは、液体供給システムの場合、液体封込みシステムを使用して、基板の局部領域上のみ、および投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を提供することである（基板の表面積は、通常、投影システムの最終エレメントの表面積より広い）。参照によりその全体が本明細書に組み込まれる国際公開第９９／４９５０４号パンフレットには、そのために提案される方法の１つが開示されている。図２および図３に示すように、液体は、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って、少なくとも１つの入口ＩＮによって基板に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板が最終エレメントの下を−Ｘ方向に走査される際に、最終エレメントの＋Ｘ側で液体が供給され、−Ｘ側で除去される。図２は、入口ＩＮを介して液体が供給され、最終エレメントのもう一方の側で、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって除去される構造を略図で示したものである。図２に示す図解では、液体は、必ずしもそれには限定されるものではないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って供給される。最終エレメントの周りには、様々な配向および数の入口および出口を配置することが可能であり、図３はその実施例の１つを示したもので、両側に出口を備えた４組の入口が、最終エレメントの周りに一定のパターンで提供されている。

提案されているもう１つの解決法は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って展開したシール部材を備えた液体供給システムを提供することである。シール部材は、Ｚ方向（光軸の方向）における若干の相対移動があってもよいが、投影システムに対して実質的にＸＹ平面内に静止している。シール部材と基板の表面の間にシールが形成されている。このシールは、ガス・シールなどの非接触シールであることが好ましい。参照によりその全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願第０３２５２９５５．４号に、このようなシステムが開示されている。

リソグラフィ装置内に液体が存在する結果、周囲の空気の湿度が極めて高くなる。最大１００％までのレベルの湿度が記録された。空気中の水分がリソグラフィ装置の他の部品に浸入し、それにより他の機械部品および測定コンポーネントが汚染され、リソグラフィ装置の動作および正確な測定を危うくしている。空気中の水分は機械部品の錆の原因になり、リソグラフィ装置の寿命を短くする。湿気を帯びた空気がリソグラフィ装置全体に充満することを防ぐために、投影システムとシール部材の間に湿った空気を拘束するように相対移動する金属膜が使用される。別法としては、ゴム様のビトン・リングを使用して液体が拘束されるが、これらのいずれの方法も、投影システムとシール部材の間に振動力が伝わる原因になっている。

本発明の目的は、湿った空気を拘束する方法を提供することである。

本発明の一観点によれば、
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
投影ビームの断面にパターンを付与するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板のターゲット部分に投射するための投影システムと、
前記投影システムの最終エレメントと前記基板との間の空間の少なくとも一部に液浸液を充填するための液体供給システムと
を有するリソグラフィ装置において、
ガス流手段であって、前記液浸液の上方のガスおよび前記液浸液と接触しているガスが前記ガス流手段を超えてリークするのを防止するためのガスの流れを、前記液浸液に向けて提供するガス流手段を特徴とするリソグラフィ装置が提供される。

したがって液浸液の上方の湿った空気（投影ビームは下向きに伝搬する）が投影装置に対して微小体積に極限され、また装置の部品間に剛直な接続が存在しないため、投影装置の部品間に自由な相対移動が生じる。装置の損傷を回避し、湿気を吸収するためには、使用するガスは清浄であり、且つ乾燥していなければならない。

ガス流手段は、システムから汚染物質を除去することもできる真空源を備えていることが好ましく、固体粒子（装置を引っかいて損傷させる原因になる）、液体粒子あるいは使用しているガス以外のガス粒子などの汚染物質を除去することができる。真空源は、中心に投影システムが配置された環状入口を備えた真空チャンバを備えることができる。

ガス流手段は、前記ガスの流れが通る通路を備えている。したがってこの通路は湿ったガスの量を制限しており、また通路を通って流れる清浄で乾燥したガスが湿ったガスのリークを防止している。この通路の少なくとも一部は、投影システムおよびガス流手段の一部で形成することができる。

投影システムはさらに、前記通路の前記一部を形成している、レンズ・シールによって投影システムの残りの部分に接合されたレンズ・カバーを備えている。したがってこのレンズ・カバーは投影システムに気密カバーを提供し、投影システムへの湿った空気の侵入を防止している。レンズ・シールはフレキシブルであることが必要であり、にかわ（ｇｌｕｅ）であることが好ましい。したがって装置の部品間の相対移動が危うくなることはない。

液体供給システムは、前記投影システムの最終エレメントと前記基板テーブルとの間の前記空間の境界の少なくとも一部に沿って展開したシール部材を備えることができ、前記ガス流手段は、前記ガスの流れが前記シール部材と前記投影システムとの間を流れるように配置される。ガス流手段の存在により、シール部材と投影システムとの間に相対移動が生じることができる。装置は、ガス流手段が投影システムと前記シール部材との間に配置されるように構成されることが好ましい。シール部材は、任意選択で、前記シール部材と前記基板との表面の間にガス・シールを形成するためのガス・シール手段を備えている。したがって基板、ガス・シール手段、シール部材、ガス流手段および投影システムによって、湿った空気が拘束される。シール部材は、リソグラフィ投影装置のベース・フレームの上に取り付けられている。シール部材は、ベース・フレームに対してＺ、ＲｘおよびＲｙ方向に移動可能であり（Ｚ方向は投影ビームが伝搬する方向である）、且つ他のすべての方向に対しては固定されていることが好ましい。

本発明の他の観点によれば、
基板を提供するステップと、
照明システムを使用して放射線の投影ビームを提供するステップと、
投影ビームの断面にパターンを付与するようにパターン化手段を使用するステップと、
投影ステップで使用する投影システムの最終エレメントと前記基板との間に液体を提供するステップと、
パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投射するステップと
を含むデバイス製造方法において、
前記液浸液の上方の空間のガス流れであって、それにより前記液浸液の上方のガスおよび前記液浸液と接触しているガスが前記ガス流れを超えてリークすることを防止するガス流れを特徴とするデバイス製造方法が提供される。

本発明は、図２および図３に示す液体供給システムと共に容易に使用することができる。液浸液の上方の空間に入口および出口を追加配置することにより、液浸液の上方のガス空間から液浸流体を吸収するガスの流れを生成することができる。

本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について言及されているが、本明細書において説明するリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションの文脈においては、本明細書における「ウェハ」あるいは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」あるいは「ターゲット部分」という用語の同義語と見なすことができることが、当業者には理解されよう。本明細書において言及されている基板は、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ露光済みレジストを現像するツール）、または度量衡学（ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ）ツールもしくは検査ツール中で、露光前もしくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。また基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。

本明細書に使用されている「放射線」および「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射線（例えば、波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍの放射線）を含むあらゆるタイプの電磁放射線が包含されている。

本明細書に使用されている「パターン化手段」という用語は、投影ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するように使用することができる手段を意味するものとして広義に解釈されたい。投影ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに厳密に対応している必要はないことに留意されたい。投影ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス中の特定の機能層（例えば集積回路など）に対応している。

パターン化手段は、透過型であってもあるいは反射型であっても良い。パターン化手段の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイおよびプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交互位相シフトおよび減衰位相シフトなどのマスク・タイプ、および様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用される。微小ミラーの各々は、入射する放射線ビームが異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができるため、この方法により、反射したビームがパターン化される。パターン化手段のいずれの実施例においても、支持構造として、例えば必要に応じて固定あるいは移動させることができ、またパターン化手段を例えば投影システムに対して所望の位置に確実に位置決めすることができるフレームもしくはテーブルが使用される。本明細書における「レチクル」あるいは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化手段」という用語の同義語と見なすことができる。

本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、例えば使用する露光放射線に適した、あるいは液浸流体の使用もしくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系およびカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されるものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。

また照明システムには、放射線の投影ビームを導き、整形し、あるいは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネントおよびカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含され、このようなコンポーネントについても、以下、集合的もしくは個々に「レンズ」と呼ぶことができる。

リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「マルチ・ステージ」マシンの場合、追加のテーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用するのと同時に、１つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。

以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。

図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。この装置は、
放射線の投影ビームＰＢ（例えばＵＶ放射線）を提供するための照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターン化手段（例えばマスク）ＭＡを支持するための第１の支持構造ＭＴであって、アイテムＰＬに対してパターン化手段を正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の支持構造（例えばマスク・テーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するための基板テーブルＷＴであって、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴと、
パターン化手段ＭＡによって投影ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイからなる）に結像するための投影システム（例えば屈折型投影レンズ系）ＰＬと
を備えている。

図に示すように、このリソグラフィ装置は、透過型（例えば透過型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィ装置は、反射型（例えば上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した）タイプの装置であっても良い。

イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受け取る。放射線源が例えばエキシマ・レーザである場合、放射線源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。その場合、放射源線は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射線ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビーム拡大器を備えたビーム引渡しシステムＢＤを使用して放射線源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外の、例えば放射線源が水銀灯などの場合、放射線源は、リソグラフィ装置の一構成要素である。放射線源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム引渡しシステムＢＤと共に放射線システムと呼ぶことができる。

イルミネータＩＬは、ビームの角度強度分布を調整するための調整手段ＡＭを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部および／または内部ラジアル範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、通常、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、他の様々なコンポーネントを備えている。イルミネータは、投影ビームＰＢと呼ばれる、所望の一様な強度分布をその断面に有する調整済み放射線ビームを提供する。

マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに投影ビームＰＢが入射する。マスクＭＡを透過した投影ビームＰＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させるレンズＰＬを通過する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決め手段ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉デバイス）を使用して正確に移動させることができ、それにより例えば異なるターゲット部分Ｃを投影ビームＰＢの光路内に位置決めすることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭおよびもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、例えばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、もしくは走査中に、マスクＭＡを投影ビームＰＢの光路に対して正確に位置決めすることができる。通常、オブジェクト・テーブルＭＴおよびＷＴの移動は、位置決め手段ＰＭおよびＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）および短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されるが、ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２および基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。

図に示す装置は、以下に示す好ましいモードで使用することができる。
（１）ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回の照射（すなわち単一静的露光）で投影される。次に、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
（２）走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期走査される（すなわち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小率）およびイメージ反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非走査方向の）が制限され、また走査運動の長さによってターゲット部分の高さ（走査方向の）が左右される。
（３）他のモードでは、プログラム可能パターン化手段を保持するようにマスク・テーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、基板テーブルＷＴが移動もしくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射線源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、あるいは連続する放射線パルスと放射線パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化手段が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化手段を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。

上で説明した使用モードの組合せおよび／またはその変形形態もしくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。

図４に示すように、投影レンズと基板の間の液体リザーバ１０は、投影レンズの周囲に環を形成しているガス・シール１６によって閉ざされている。ガス・シールであることが好ましいシール１６は、入口１５を介して加圧状態でシール部材１２と基板との間のギャップに供給され且つ第１の出口１４を介して抽出されるガス（例えば空気もしくは合成空気、好ましくはＮ_２もしくは他の不活性ガス）によって形成されている。ガス入口１５の過剰圧力、第１の出口１４の真空レベルおよびギャップのジオメトリは、液体を拘束する内側に向かう高速空気流が存在するようになされている。ガスの入口および出口と基板Ｗの間の間隔は微小である。

入口２２から液体リザーバに液体が供給され、投影システムＰＬの最終エレメントの底部の上方に延びている。超過した液体は、出口１４から除去される。

図４に示すように、投影システムは、シール４０によって投影システムＰＬの主要部分に取り付けられたレンズ・カバー３５をさらに備えている。シール４０は、投影システムＰＬの主要部分とレンズ・カバー３５との間の微小相対移動に適応するようにフレキシブルでなければならない。「にかわ」がとりわけ有効であることが分かっている。

リザーバ１０の上方の空間に、入口３３を備えた真空チャンバ３４が配置されている。真空チャンバ３４およびレンズ・カバー３５の外側は通路３２を形成しており、この通路に沿ってガスが真空チャンバ３４に向かって流れている。通路３２に沿って流れるガスの他に、周囲のあらゆる領域からのガスが真空チャンバ３４に向かって流れる。リザーバ１０の上方のガス中における液浸流体の蒸気分圧が高く、また通路３２に沿ったガスの流れが投影システムＰＬへの湿ったガスの侵入を防止している。またガスの流れによって周囲のガスの湿気が吸収されるため、湿度勾配が存在し、リザーバ１０から遠ざかるほどガスの湿気が減少する。したがって装置の繊細な部品、例えば干渉計ビームのためのミラーなどは、測定が湿気の影響を受けることがないよう、リソグラフィ装置内の乾燥した部分に配置されている。また、「にかわ」をシール４０として使用する場合、乾燥したガスの流れにより、にかわが乾燥した状態に確実に維持され、したがって気密シールが維持される。また、にかわ４０を乾燥した状態に維持することにより、にかわの膨張が防止され、延いては投影システムを変形させることになる力の生成が防止される。

真空チャンバ３４は、上記実施例の場合のように投影システムから独立させることも、あるいは投影システムＰＬの一部もしくはシール部材１２の一部にすることも可能であるが、いずれの場合においてもｚ方向に駆動することができる。複数のガス通路３２を存在させることができ、投影システムＰＬの周囲に真空チャンバ３４を配置することができる。あるいは別法として、１つの環状真空チャンバにスリット入口を備えることができる。説明した実施例は、真空チャンバの実施例、すなわち過少圧力によってガスの流れを生成する実施例であるが、同様に過剰圧力を使用してガス流手段を構成することも可能である。

上で説明したシステムは、図２および図３に示す、入口ＩＮおよび出口ＯＵＴの上方に真空チャンバ３４および通路３２が配置された液体供給システムと共に使用することも可能である。

以上、本発明の特定の実施例について説明してきたが、説明した以外の方法で本発明を実践可能であることは理解されよう。以上の説明は、本発明の制限を意図したものではない。

本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 本発明による液体供給システムを示す図である。 図２に示す本発明による液体供給システムの代替図である。 本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置を示す図である。

符号の説明

１０ 液体リザーバ
１２ シール部材
１４、ＯＵＴ 出口
１５、２２、３３、ＩＮ 入口
１６ ガス・シール
３２ 通路
３４ 真空チャンバ
３５ レンズ・カバー
４０ シール
ＡＭ 調整手段
Ｃ ターゲット部分
ＣＯ コンデンサ
ＩＦ 位置センサ
ＩＬ 照明システム（イルミネータ）
ＩＮ インテグレータ
Ｍ１、Ｍ２ マスク位置合せマーク
ＭＡ パターン化手段
ＭＴ 第１の支持構造
Ｐ１、Ｐ２ 基板位置合せマーク
ＰＢ 放射線の投影ビーム
ＰＬ 投影システム（レンズ）
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル

Claims (17)

1. 放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
   前記投影ビームの断面にパターンを付与するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
   基板を保持するための基板テーブルと、
   パターン化された投影ビームを前記基板のターゲット部分に投射するための投影システムと、
   前記投影システムの最終エレメントと前記基板との間の空間の少なくとも一部に液浸液を充填するための液体供給システムと、
   前記液浸液に向けてガスの流れを提供するためのガス流手段であって、それによって前記液浸液の上方のガス及び前記液浸液と接触しているガスが前記ガス流手段を超えてリークするのを防止するガス流手段とを備え、
   前記ガス流手段は、真空源であることを特徴とするリソグラフィ装置。
2. 前記ガスの流れは、前記投影システムの周囲のガスから湿気を吸収し、前記液浸液から遠ざかる程、ガスの湿気が減少するように湿度勾配を形成する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記真空源は、前記液浸液と接触している前記ガスを除去する、請求項１又は請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記真空源は、前記液浸液と接触している前記ガスから汚染物質を除去する、請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記真空源は、環状入口を有する真空チャンバを備え、
   前記投影システムは、前記環の中心に配置されている、請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記ガス流手段は、前記ガスの流れが通る通路を有している、請求項１乃至請求項５のうち何れか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記通路の少なくとも一部は、前記投影システム及び前記ガス流手段によって形成される、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記投影システムは、前記通路の前記一部を形成しているレンズ・カバーであって、レンズ・シールによって前記投影システムの残りの部分に接合されたレンズ・カバーを更に有している、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記レンズ・シールは、フレキシブルである、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記レンズ・シールは、にかわである、請求項８又は請求項９に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記液体供給システムは、前記投影システムの前記最終エレメントと前記基板との間の前記空間の境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材を更に有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
12. 前記ガス流手段は、前記ガスの流れが前記シール部材と前記投影システムとの間を流れるように配置されている、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
13. 前記シール部材は、前記シール部材と前記基板の表面との間にガス・シールを形成するためのガス・シール手段を更に有する、請求項１１又は請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
14. 前記シール部材は、ベース・フレームの上に取り付けられる、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
15. 前記シール部材は、前記ベース・フレームに対してＺ、Ｒｘ及びＲｙ方向に移動することができ、且つ他のあらゆる方向に対して固定されている、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
16. 基板を提供するステップと、
    照明システムを使用して放射線の投影ビームを提供するステップと、
    前記投影ビームの断面にパターンを付与するようにパターン化手段を使用するステップと、
    投影ステップで使用する投影システムの最終エレメントと前記基板との間に液浸液を提供するステップと、
    パターン化された投影ビームを前記基板のターゲット部分に投射するステップと、
    前記液浸液に向けてガスの流れを提供し、それによって前記液浸液の上方のガス及び前記液浸液と接触しているガスが前記ガスの流れを超えてリークするのを防止するステップと、を備え、
    前記ガスの流れは、真空源によって形成される、デバイス製造方法。
17. 前記ガスの流れは、前記投影システムの周囲のガスから湿気を吸収し、前記液浸液から遠ざかる程、ガスの湿気が減少するように湿度勾配を形成する、請求項１６に記載のデバイス製造方法。

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