JP2005294839A - リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びその方法により製造したデバイス - Google Patents

リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びその方法により製造したデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2005294839A
JP2005294839A JP2005100831A JP2005100831A JP2005294839A JP 2005294839 A JP2005294839 A JP 2005294839A JP 2005100831 A JP2005100831 A JP 2005100831A JP 2005100831 A JP2005100831 A JP 2005100831A JP 2005294839 A JP2005294839 A JP 2005294839A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
measurement
liquid
lithographic apparatus
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005100831A
Other languages
English (en)
Inventor
Johannes Jacobus Matheus Baselmans
ヤコブス マテウス バーゼルマンズ ヨハネス
Nicolaas Lambertus Donders Sjoerd
ニコラース ラムベルテュス ドンデルス ショーエルト
Alexander Hoogendam Christiaan
アレクサンダー ホーゲンダム クリスティアーン
Hans Jansen
ヤンセン ハンス
Johannes Sophia Maria Mertens Jeroen
ヨハネス ソフィア マリア メルテンス イェロエン
Johannes Catharinus Hubertus Mulkens
キャサリヌス フーベルテュス ムルケンス ヨハネス
Bob Streefkerk
シュトレーフケルク ボブ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2005294839A publication Critical patent/JP2005294839A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7096Arrangement, mounting, housing, environment, cleaning or maintenance of apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】例えば、浸漬リソグラフィ装置内での焦点合せが改善されたリソグラフィ投影装置を提供すること。
【解決手段】基板は、液体供給システムから供給された浸漬液の中で露光される。露光前に、測定部で基板表面のマップが生成される。測定が液体中で行われるように、測定システムと基板の間の空間が液体供給システムによって満たされる。
【選択図】図5

Description

本発明は、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びその方法により製造したデバイスに関する。
リソグラフィ装置は、基板の標的部分に所望のパターンを施す機械装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)を製造する際に使用することができる。その場合、ICの個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスク等のパターン形成装置を使用することができ、このパターンは、放射線感応材料(レジスト)の層を有する基板(例えば、シリコン・ウェハ)上の標的部分(例えば、1つ又は複数のダイを含む部分)上に結像することができる。一般に、単一の基板は、次々に露光される、互いに隣接する標的部分からなるネットワークを含む。公知のリソグラフィ装置には、パターン全体を各標的部分上に一度に露光させることによって標的部分が照射される、いわゆるステッパ、及び、投影ビームを介して所与の方向(「走査」方向)にパターンを走査し、それと同期して、この方向と平行又は逆平行に基板を同期走査することによって、各標的部分が照射される、いわゆるスキャナが含まれる。
リソグラフィ投影装置内で比較的高い屈折率を有する液体、例えば水の中に基板を浸漬させて投影システムの最終要素と基板の間の空間を満たす方法が提案されている。この方法の要点は、露光放射線が液体中では波長が短くなるため、より小さいフィーチャを結像することが可能であることである。(液体の効果は、システムの有効NAも増加させ、焦点深度も深くするとみなされてもよい。)固体粒子(例えば、石英)を中に浮遊させた水等、他の浸漬液も提案されている。
しかし、基板又は基板と基板テーブルを液体の槽に浸漬させること(全体を参照として本明細書に援用される、米国特許第4509852号参照)は、走査露光中に大量の液体を加速させなければならないことを意味する。このことは、追加の又はより強力なモータを必要とし、液体中の乱流によって望ましくなく、予測できない作用がもたらされることがある。
提案されている1つの解決策としては、液体供給システム(基板は、一般に投影システムの最終要素よりも大きな表面積を有する)を使用して、基板の局部上、かつ投影システムの最終要素と基板の間のみに液体を供給する液体供給システムが提案されている。そうするために提案された1つの方法が、PCT特許出願公開WO99/49504に開示されており、その全体を参照として本明細書に援用する。図2及び図3に示されているように、液体は、好ましくは最終要素に対する基板の相対移動の方向に沿って、少なくとも1つの入口INから基板上に供給され、投影システムの下を通過後、少なくとも1つの出口OUTから除去される。つまり、基板が要素の下を−X方向に走査されるとき、液体が要素の+X側で供給され−X側で回収される。図2は、液体が入口INを介して供給され、要素の向こう側の、低圧源に接続された出口OUTによって回収される構成を概略的に示している。図2では、最終要素に対する基板の相対移動の方向に沿って液体が供給されているが、必ずしもこうである必要はない。様々な向き、並びに最終要素の周りに様々な入口及び出口の数を配置させることが可能であり、一例が図3に示されている。図3では、入口と片側の出口とが4組、最終要素の周りに規則的パターンで設けられている。
露光前に、基板の位置合せ及びレベリングが行われる。これには複雑でかさの高い装置が必要である。浸漬液を供給するために使用される装置もかさばることがあり、それ故、浸漬装置、並びに位置合せ及びレベリング装置の配列は難しい。更に、露光を行うための屈折率が周りの領域の屈折率と異なることがあり、従って、位置合せ及びレベリングはより複雑になる。従って、浸漬装置内での正確な位置合せ及びレベリングは、難しく、問題である。更に、位置合せ及びレベリングが近くの「乾式」環境で行われる場合、基板上に残留液があると、誤測定を招くことがある。
従って、例えば、浸漬リソグラフィ装置内での焦点合せが改善されたリソグラフィ投影装置を提供することが有利であろう。
一態様によれば、放射ビームを供給するように構成された照明システムと、ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板の標的部分上にパターン形成されたビームを投影するように構成された投影システムと、投影システムと基板テーブルの間の空間を少なくとも部分的に第1の液体で満たすように構成された第1の液体供給システムと、基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定するように構成され、かつ第1の液体供給システムからは供給されない第2の液体中で測定が行われるように構成された測定システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
基板の測定及び露光の両方が浸漬液を通して行われるので、光路長の変化によって誤差が生じない。更に、例えばレベリング及び位置合せ等の測定が液体を通して行われる場合は、基板上の残留液に伴う問題を避けることができる。
一実施例では、装置は、測定システムと基板テーブルの間の空間を少なくとも部分的に第2の液体で満たすように構成された第2の液体供給システムを含む。第1の液体供給システムによって供給される第1の液体と、第2の液体供給システムで供給される第2の液体とは同じ種類であってよい。そうすることで、液体間の屈折率の違いによる誤差の解消に役立つはずである。
一実施例では、測定システムは、基板上の複数の点の高さ測定(つまり、Z方向における測定)及び/又は傾斜測定(つまり、R及び/又はR方向における測定)を行うように構成されたレベル・センサを含む。例えば、基板上のある1点の高さを測定するには、ビームをある回折格子を介して投影させ、基板上のある1点で反射させ、次いで別の回折格子を介して投影させることができる。各回折格子の画像の重なりの程度が基板上のその点の高さを示す。従って、投影システムを使用して基板を露光する前に、基板上の複数の点の相対位置を、それぞれ液体を通してマッピングすることができる。
一実施例では、測定システムは、基板上の複数の位置合せマークの位置を測定(X、Y及び/又はR方向における測定)するように構成された位置合せシステムを含む。浸漬液内での使用に特に適した位置合せセンサは、係属中のヨーロッパ特許出願第03255395.0号に記載されている。基板は、参照基準を持つことができ、測定システムはその参照基準の位置を測定する。一実施例では、基板テーブルの参照基準を基準として複数の位置合せマークそれぞれの位置を測定して、参照基準を基準とする位置合せマークのマップを作成することができる。一実施例では、参照基準は透過画像センサを含む。
一実施例によれば、露光部及び別に設けた測定部があり、露光部には投影システムが設けられ、測定部には測定システムが設けられ、基板テーブルは露光部と測定部の間で移動可能となっている。更に、複数の基板テーブルを設け、それぞれを露光部と測定部の間で移動可能とすることもできる。基板テーブルは、基板を支持するように設計されており、移動のための装置を組み込むか、或いはモータや機械式アーム等、装置の別の部分によって移動させることもできる。
一実施例では、投影部及び測定部は別々である、つまり、1つの基板は同時に露光部と測定部に存在することはできない。従って、1つの基板テーブルをマッピング中に、第2の基板テーブルを露光することができる。従って、基板のスループットが上がり、装置はより効率的になり、所有コストが改善される。
一実施例では、位置合せシステムは、2つの互いに垂直な直線方向の変位、及びその2つの垂直方向によって規定される平面内の回転を測定する。
一実施例では、第1の液体供給システムの液体源と第2の液体供給システムの液体源とが同じである。こうすることにより、第1及び第2の液体供給システムの両方に同じ浸漬液を使用し、露光部及び測定部の両方に新鮮な浸漬液を供給するようにすることができる。従って、浸漬液の質又は特性が変わっても、測定部及び露光部の両方の全体にそれを行き渡らせることができる。従って、測定部と露光部の間の光路長の相対誤差を最小限に抑えることができる。一実施例では、第1及び第2の液体供給システムは接続されてもよい。例えば、測定部用の液体供給システムの出口からの浸漬液を、露光部用の液体供給システムの入口へ供給することができる。
一実施例によれば、第1の液体供給システム及び第2の液体供給システムが別々に設けられる。これらは、同じ液体源を持たず、接続もされていない。測定には特定の液体が有利であり得るが、露光部では他の液体を使用することが適切であり得る。
一実施例では、第1の液体供給システムは、投影システムと基板テーブル間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる封止部材を含む。更に、第2の液体供給システムは、測定システムと基板テーブル間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる封止部材を含む。従って、液体は、封止部材によって局部に封じ込められ、浸漬液による装置への損傷を最小限に抑えることができる。
一実施例では、液体供給システムは、封止部材と基板表面の間を封止するように構成されたシールを含む。このシールは、封止部材と基板テーブルの間に非接触シールを形成することができ、それにより、例えば、測定中又は走査露光中それぞれに、基板が、例えば投影システム及び/又は測定システムの下を移動するときに、投影システム及び/又は測定システムと基板テーブルとの間の空間に液体を封じ込める。シールは、気体シールでも、流体静力学的シールでも、流体動力学的シールでもよい。
封止部材は、円形であれ、方形であれ、又は他の形であれ、閉ループの形をとって空間の周りに設けられてもよいし、不完全なもの、例えばU字形を形成するものでも、単に空間の片側に沿って延びる形のものでさえもよい。封止部材が不完全な場合でも、それは、基板が投影システム及び/又は測定システムの下を移動するときに液体を封じ込める位置になければならない。
一実施例では、封止部材とシールの内側の基板表面との間隙は小さいので、毛管現象によって液体が間隙に引き込まれる。気体シールからのガスも、空間に入るのが防止される。封止部材の下に液体を引き込む毛管力と、ガス流の押し出しとの均衡がとられ、特に安定したシールが形成される。
一態様によれば、放射ビームを供給するように構成された照明システムと、ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板の標的部分上にパターン形成されたビームを投影するように構成された投影システムと、測定ビームを使用して基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定するように構成された測定システムと、投影システムと基板テーブルの間の空間、並びに測定システムと基板テーブルの間の空間を少なくとも部分的に液体で満たすように構成された液体供給システムとを備え、測定システムが、基板テーブルが投影ビーム及び測定ビームの経路内に同時に存在できないように構成されたリソグラフィ装置が提供される。
更なる態様によれば、測定システムから投影される測定ビームを使用して、基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定する工程であって、測定が液体中で行われるが、基板と投影システムの間に供給される液体中では行われない工程と、基板と投影システムの間に供給される液体を通して、パターン形成された放射ビームを基板の標的部分上に投影する工程とを含む、デバイス製造方法が提供される。
更なる態様によれば、測定システムから投影される測定ビームを使用して、測定システムと基板の間に供給される液体中で基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定する工程と、液体を通して、パターン形成された放射ビームを基板の標的部分上に投影する工程とを含み、パターン形成されたビーム及び測定ビームが、パターン形成されたビーム及び測定ビームの経路内に基板が同時に存在しないように構成されるデバイス製造方法が提供される。
デバイスは、先に述べたいくつかの方法に従って製造することができる。
さらなる態様によれば、放射ビームを供給するように構成された照明システムと、ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板の標的部分上にパターン形成されたビームを投影するように構成された投影システムと、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間を、少なくとも部分的に第1の液体で満たすように構成された第1の液体供給システムと、基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定するように構成され、かつ第1の液体供給システムからは供給されない第2の液体中で測定が行われるように構成された測定システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
本明細書では、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に述べるが、本明細書に記述するリソグラフィ装置は、磁気ドメイン・メモリ用の集積光学系、ガイダンス及び検出パターン、並びに、液晶表示装置(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造等、他の応用例も含むことができることを理解されたい。このような代替の応用例に関して、本明細書で「ウェハ」又は「ダイ」という用語が使われている場合は、より一般的な用語である「基板」又は「標的部分」とそれぞれ同義語とみなすことができることは、当業者には理解されよう。本明細書に記載する基板は、例えば、トラック(通常、基板にレジスト層を施し、露光されたレジストを現像するツール)、測定ツール又は検査ツールにおいて、露光の前又は後に処理することができる。応用可能であれば、本明細書の開示は、このような他の基板処理ツールに使用することができる。更に、基板は、例えば、多層ICを作成するために2回以上処理することができる。従って、本明細書で使用する「基板」という用語は、処理済みの複数の層を既に含む基板であるとも言える。
本明細書で使用する「放射線」及び「ビーム」という用語は、紫外(UV)線(例えば、波長365、248、193、157又は126nmを有するもの)等、あらゆる種類の電磁放射線を包含する。
本明細書で使用する「パターン形成装置」という用語は、投影ビームの断面にパターンを付与して、基板の標的部分にパターンを形成するため等に使用できるどんな装置も意味するとして広く解釈されたい。投影ビームに付与されるパターンは、基板の標的部分における所望のパターンに厳密には対応しないことがあることに留意されたい。一般に、投影ビームに付与されるパターンは、集積回路等、標的部分内に形成されるデバイス内の特定の機能層に対応する。
パターン形成装置は、透過性でも反射性でもよい。パターン形成装置の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ、及びプログラム可能LCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィ分野では公知であり、マスクの種類には、バイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク及び減衰位相シフト・マスク、並びに様々なハイブリッド・マスクが含まれる。プログラム可能ミラー・アレイの実施例では、異なる方向から入る放射線ビームを反射するようにそれぞれ傾斜させることができる小さなミラーから成るマトリックス配列を使用し、このようにして反射ビームはパターン形成される。パターン形成装置の各実施例では、支持構造は、例えば必要に応じて固定又は移動可能で、パターン形成装置を、例えば、投影システムに対して所望の位置に存在させるようにできる、フレーム又はテーブルとすることができる。本明細書で「レチクル」又は「マスク」という用語が使われている場合は、より一般的な用語である「パターン形成装置」と同義語であるとみなすことができる。
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、例えば、使用する露光放射線、或いは浸漬液の使用又は真空の使用等の他のファクタに適した屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系等、様々な種類の投影システムを包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書で「レンズ」という用語が使われている場合は、より一般的な用語である「投影システム」と同義語であるとみなすことができる。
照明システムも、放射線の投影ビームを案内し、整形し、又は制御するための屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系の構成要素等、様々な種類の光学系構成要素を包含し、このような構成要素もまた、以下に、一括して又は単独で「レンズ」と呼ぶことができる。
リソグラフィ装置は、2つ(2ステージ)以上の基板テーブル(及び/又は2枚以上のマスク・テーブル)を有する種類のものでよい。このような「複数ステージ」の機械装置では、並行して追加のテーブルも使用することができる。或いは1つ又は複数のテーブル上で予備工程を実行し、1つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用することができる。例えば、1つの基板テーブルでレベリング測定を行い、別のステージ上で露光を行うことができる。
以下に、ほんの一例として、添付の概略図面を参照して、本発明の実施例について述べる。図面において、対応する参照番号は対応する部分を示す。
図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置の概略図である。この装置は、放射線(例えば、UV放射線)の投影ビームPBを供給する照明システム(照明器)ILと、パターン形成装置(例えば、マスク)MAを支持し、アイテムPLに対してパターン形成装置を正確に位置決めする第1の位置決め装置PMに接続された第1の支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、基板(例えば、レジスト被膜ウェハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えば、ウェハ・テーブル)WTと、パターン形成装置MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを、基板Wの標的部分C(例えば、1つ又は複数のダイを含む)上に結像させる投影システム(例えば、屈折投影レンズ)PLとを含む。
図に示すように、装置は透過型のものである(例えば、透過マスクを使用したもの)。或いは、装置は屈折型のものでもよい(例えば、先に述べた型のプログラム可能ミラー・アレイを使用したもの)。
照明器ILは、放射線源SOから放射ビームを受ける。放射線源及びリソグラフィ装置は、例えば、放射線源がエキシマ・レーザである場合、別々の要素とすることができる。この場合、放射線源は、リソグラフィ装置の部分を形成するとはみなされず、放射ビームは、例えば、適切な誘導ミラー及び/又はビーム・エキスパンダを含むビーム供給システムBDによって、放射線源SOから照明器ILへ送られる。その他の場合、例えば、放射線源が水銀ランプの場合、放射線源は装置の一体部分とすることができる。放射線源SO及び照明器IL、並びにビーム供給システムBDが必要な場合はそれも併せて、放射システムと呼ぶことができる。
照明器ILは、ビームの角輝度分布を調整する調整手段AMを含むことができる。一般に、証明器の瞳平面における輝度分布の、少なくとも、半径方向の外側及び/又は内側の範囲(通常、それぞれσ−アウター及びσ−インナーと呼ばれる)を調整することができる。更に、照明器ILは、一般に積分器INやコンデンサCO等、様々な他の構成要素を含む。照明器は、投影ビームPBと呼ばれ、その断面において所望の均一性及び輝度分布を有する調節済みの放射ビームを提供する。
投影ビームPBは、マスク・テーブルMT上に保持されたマスクMAに入射する。投影ビームPBは、マスクMAを横断後、投影システムPLを通過し、それにより基板Wの標的部分C上にビームが収束される。基板テーブルWTは、第2の位置決め装置PW及び位置センサIF(例えば、干渉計装置)によって、例えば互いに異なる標的部分CがビームPBの経路内に位置するように、正確に移動することができる。同様に、第1の位置決め装置PM及び別の位置センサ(図1には明確に示していない)を、例えばマスク・ライブラリからの機械的検索の後に又は走査中に使って、マスクMAをビームPBの経路に対して正確な位置に配置させることができる。一般に、対象テーブルMT及びWTの移動は、位置決め装置PM及びPWの一部を形成する、長いストロークのモジュール(大雑把な位置決め)及び短いストロークのモジュール(微細な位置決め)によって実現される。しかし、ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、マスク・テーブルMTは、短いストロークのアクチュエータのみに接続又は固定されることがある。マスクMA及び基板Wは、マスク位置合せマークM及びM、並びに基板位置合せマークP及びPを使用して位置合せすることができる。
図に示した装置は、次の好ましいモードで使用することができる。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが、基本的に静止状態に保たれ、投影ビームに付与されたパターン全体が、ある標的部分C上に一度に投影される(つまり、単一静的露光)。次いで、別の標的部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTをX及び/又はY方向にシフトさせる。ステップ・モードでは、露光領域の最大のサイズによって、単一静的露光で結像される標的部分Cの大きさが制限される。
2.スキャン・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが、同期的に走査され、投影ビームに付与されたパターンが、ある標的部分C上に投影される(つまり、単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)特性及び像反転特性によって決まる。スキャン・モードでは、単一動的露光における標的部分の幅(非走査方向の幅)は、露光領域の最大のサイズによって制限されるが、標的部分の長さ(走査方向の長さ)は、走査動作の長さによって決まる。
3.別のモードでは、マスク・テーブルMTが、プログラム可能パターン形成装置を保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルWTが、移動又は走査され、投影ビームに付与されたパターンが、ある標的部分C上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射線源が使用され、プログラム可能パターン形成装置は、基板テーブルWTの移動が済む度に、又は走査中の連続的放射パルスの合間に必要に応じて更新される。この操作モードは、先に述べたような種類のプログラム可能ミラー・アレイ等、プログラム可能パターン形成装置を利用する、マスクなしのリソグラフィに容易に適用できる。
上記の使用モードの組合せ及び/又は変更、或いは全く異なる使用モードも利用することができる。
浸漬用リソグラフィ液供給システムには、投影システムの要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる封止部材を設けることができる。封止部材は、X、Y又はZ方向に(但し、Z方向は光軸の方向である)ある程度相対移動することがあるが、XY平面内の投影システムに対して実質的に静止している。シールは、封止部材と基板表面の間に形成される。一実施例では、シールは、気体シール等の無接触シールである。このようなシステムは、例えば、その全体を参照として本明細書に援用される米国特許出願第10/705,783号に開示されている。
光路長は、光ビームが通過する媒体の屈折率によって変わる。従って、投影ビームが浸漬液を通して投影される場合、光路長は、同様のビームが気体を透過する場合とは異なる。位置合せ及び/又はレベリングの測定が、測定ビームを使用して乾式環境で行われ、露光が浸漬液を通して行われる場合、光路長の違いによって位置合せ誤差が生じ得る。光路長の違いが補償されたとしても、基板が2回目或いはそれ以降の回に位置合せ及び/又はレベリングされる時に基板上に残留浸漬液があると、更に誤差が生じ得る。
従って、一実施例では、図5に示すように、測定システム30と基板テーブルWTの間の空間に液体(例えば、水)を供給して液体貯蔵槽20を形成するように、液体供給口28が設けられている。この実施例では、貯蔵槽20は、測定システム30のイメージ・フィールドの周りに基板に対して無接触シールを形成することによって、液体を封じ込め、基板表面と投影システム30の最終要素との間の空間を満たしている。測定システム30の最終要素の下でそれを取り囲んで位置する封止部材22は、貯蔵槽20と境を接し、液体供給口28を含む。封止部材22は、測定システムの最終要素の少し上に延び、上端部で測定システム又はその最終要素の、例えば丸みを帯びた形状にぴったりと一致する内周を有している。測定システムの下の空間及び封止部材22内に液体が供給され、液体の液面が測定システム30の最終要素より高くなり、液体緩衝域が提供される。
封止部材22の底部と基板Wの表面の間に形成された気体シール26によって、液体が槽内に封じ込まれる。気体シールは、例えば、空気又は人工空気、好ましくはN又は別の不活性ガス等の気体によって形成されており、こうした気体は、封止部材22と基板Wの間に入口25から加圧供給され第1の出口24から回収される。気体入口25にかかる過剰圧力、第1の出口24の真空度、及び間隙の幾何形状は、液体を封じ込めるための内側に向かう高速空気流が生じるように構成される。
或いは、気体シール16の代わりに静圧軸受又は動圧シールを使用することもできる。静圧軸受については、ヨーロッパ特許出願第03254078.3号に記載されている。ヨーロッパ特許出願公開第1477856号には、少なくともZ方向に作動可能な封止部材が開示されており、このような封止部材は本発明にも適している。
槽20を液体で満たした後、測定部で位置合せ及び/又はレベル測定を行うことができる。基板テーブルには、基準とも呼ばれることがある参照基準F1が設けられている。参照基準F1は、エッチングにより標準位置合せマークに対応するパターンで穴を開けたプレートを含むことができ、その下には、透過画像センサとしても知られる、放射線に反応する放射線センサがある。測定部では、測定システム30内の位置合せシステムを使用し、基板テーブルWTを移動させて参照基準F1を検出し、次いで基板W上の複数の位置合せマークを検出し、そうすることで基板の複数の位置合せマークの位置(本明細書ではX、Y及び/又はR方向を意味する)を探し出すことができる。一実施例では、位置合せマークの位置は、参照基準F1を基準にして測定され決められる。
次いで、測定部で基板のレベル測定が行われる。基板のレベルを測定するために、基板Wから反射される前に第1の回折格子を横切る、レベリング・ビーム(測定システム30から投影される)を使用することができる。次いで、第2の回折格子を、基板Wから反射された後のレベリング・ビームの経路に配置する。レベル測定センサによって、第1及び第2の回折格子の画像が一致する程度が測定される。その程度は、基板Wの高さ(本明細書ではZ方向を意味する)及び/又は傾斜(本明細書ではR及び/又はR方向を意味する)によって決まる。基板のレベル測定の更なる説明については、ヨーロッパ特許出願公開第1304597号を参照されたい。従って、基板の位置合せ及び基板のレベル測定からのデータを使用することによって、基板のマップを生成することができる。
基板Wの測定終了後、例えば気体入口の圧力を低下させ、液体を真空システムによって吸い出すことによって液体槽20を空にすることができる。或いは、例えば図2、図3及び図4に示すケースでは、入口INから基板上への液体の流れを断ち、液体が出口OUTから吸い出されるようにすることによっても空にすることができる。
次いで、図6に示すように、基板テーブルWTを、別に設けた露光部へ移動させる。露光部は、測定部と同様な液体供給口18、及び槽10を収める封止部材12を有する。封止部材12の底部では、必ずしもそうである必要はないが、内周がイメージ・フィールドの、例えば方形の形状にぴったりと一致している。入口15及び出口14を有する気体シールも存在する。基板テーブルが露光部に移動した後、液体供給口18を介して液体槽10が満たされる。露光部での基板テーブルWTの正確な位置を確認するために、マスクMA上の位置合せマークの空間像を介して、参照基準F1が立体的に走査される。参照基準がベスト・フォーカス平面内において、マスクのマークの画像と位置が合うと最大値信号が返される。従って、測定部で生成された基板Wのマップを使用することによって、基板W上の複数の点のそれぞれの位置(本明細書では位置、高さ及び/又は傾斜)が分かる。基板テーブルWTの移動を追跡するために、基板テーブルWTの1つ又は複数の側面に向けて投影される干渉計ビーム等、適切な位置測定装置を使用することができる。基板テーブルの特定の点を投影システムPLの焦点に置き、基板Wの標的部分Cを露光することができる。
次いで、槽10と同様にして槽20から液体が除去される。次いで、さらなる処理のために基板を取りはずし、新しい基板を基板テーブルWT上に配置することができる。新しい基板を有する基板テーブルを測定部へ戻し、プロセスを繰り返すことができる。
基板テーブルWTの正確な位置の確認のために、先に述べた透過画像センサの位置を液体を通して、又は液体を通さずに感知して補正を加えることができる。
一実施例では、それぞれが参照基準を有する少なくとも2つの基板テーブルがあり、一方の基板テーブルが測定部に存在する間、他方は露光部に存在する。これらの基板テーブルは、露光部と測定部の間を移動可能である。
参照基準マークF1及び投影システムを使用して基板を位置合せする代わりに、光軸外測定を使用することができる。投影システムPL近傍の別のシステムを使用して、参照基準マークF1に位置合せすることができる。或いは、異なる参照基準及び異なるシステム、例えば、投影システムの投影軸に垂直な軸を有するものを使用することもできる。このような光軸外測定については、更にヨーロッパ特許出願公開第0906590号に記載されている。
2つの液体供給口18及び28は、別々に設けられていても、接続されていてもよく、例えば液体源が同じでもよい。一方の槽の出口からの液体を、他方の槽の液体供給口の液体源とすることができる。
基板テーブルが投影システムの上にある場合(つまり、投影システムが図1と上下逆である場合)、槽10及び20内の液体を、必ずしも完全に除去する必要はなく、必要に応じて補充することができる。
局部的液体供給システムを有する浸漬リソグラフィの更なる解決手段が、図4に示されている。液体は、投影システムPLの各側にある2本の溝状入口INから供給され、入口INの半径方向外側に配置された複数の互いに離れた出口OUTから除去される。入口IN及び出口OUTは、中央に投影ビームが投影される穴部があるプレート内に配列することができる。液体は、投影システムPLの一方の側の1本の溝状入口INから供給され、投影システムPLと基板Wの間で薄膜状の液体の流れとなって、投影システムPLの他方の側の複数の互いに離れた出口OUTから除去される。どの入口INと出口OUTを組み合わせて使用するかは、基板Wの移動方向に応じて決まる(その際、他の組合せの入口IN及び出口OUTは休止している)。
本発明は、特に先に述べた種類のものに限らず、どんな浸漬リソグラフィ装置にも応用することができる。
本発明の特定の実施例についてこれまで記載してきたが、記載した以外の方法でも実施できることが理解されよう。本発明はその記載によって限定されるものではない。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す概略図である。 本発明の一実施例による液体供給システムを示す概略図である。 本発明の一実施例による、図2の液体供給システムの概略代替図である。 本発明の一実施例による代替の液体供給システムを示す概略図である。 本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置の詳細を示す概略図である。 本発明の一実施例による、図5に示すリソグラフィ投影装置の、露光プロセスにおける異なる段を同様に詳細に示す概略図である。

Claims (45)

  1. リソグラフィ装置であって、
    放射ビームを供給するように構成された照明システムと、
    ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    前記基板の標的部分上に前記パターン形成されたビームを投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムと前記基板テーブルの間の空間を少なくとも部分的に第1の液体で満たすように構成された第1の液体供給システムと、
    前記基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定するように構成され、かつ前記第1の液体供給システムからは供給されない第2の液体中で測定が行われるように構成された測定システムと
    を備える、リソグラフィ装置。
  2. 前記測定システムと前記基板テーブルの間の空間を、少なくとも部分的に前記第2の液体で満たすように構成された第2の液体供給システムを更に含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記第2の液体供給システムが、前記測定システムの最終要素と前記基板テーブルとの間の空間を、少なくとも部分的に前記第2の液体で満たすように構成される、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記第1の液体供給システムが、前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルの間の空間を、少なくとも部分的に第1の液体で満たすように構成される、請求項1、2又は3に記載のリソグラフィ装置。
  5. リソグラフィ装置であって、
    放射ビームを供給するように構成された照明システムと、
    ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    前記基板の標的部分上に前記パターン形成されたビームを投影するように構成された投影システムと、
    測定ビームを使用して前記基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定するように構成された測定システムと、
    前記投影システムと前記基板テーブルの間の空間、並びに前記測定システムと前記基板テーブルの間の空間を少なくとも部分的に液体で満たすように構成された液体供給システムと
    を備え、
    前記測定システムが、前記基板テーブルが前記投影ビーム及び前記測定ビームの経路内に同時に存在できないように構成されている、リソグラフィ装置。
  6. 前記投影システムと前記基板テーブルの間の空間に満たされる液体の液体源、並びに前記測定システムと前記基板テーブルの間の空間を満たす液体の液体源が同じである、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記液体供給システムが、前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルの間の空間を少なくとも部分的に液体で満たすように構成されている、請求項5又は6に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記液体供給システムが、前記測定システムと前記基板テーブルの間の空間の境界、前記投影システムと前記基板テーブルの間の空間の境界、或いは両方の空間の境界の少なくとも一部分に沿って延びる封止部材を含む、請求項5から7までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記封止部材が、前記空間の周りに閉ループを形成している、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記液体供給システムが、前記封止部材と前記基板の表面との間にシールを形成するように構成されたシールを更に含む、請求項8又は9に記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記シールが、気体シール、流体静力学的シール、又は流体動力学的シールである、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
  12. 測定システムから投影される測定ビームを使用して、基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定する工程であって、測定が液体中で行われるが、前記基板と投影システムの間に供給される液体中では行われない工程と、
    前記基板と前記投影システムの間に供給される液体を通して、パターン形成された放射ビームを前記基板の標的部分上に投影する工程と
    を含む、デバイス製造方法。
  13. 測定システムから投影される測定ビームを使用して、前記測定システムと前記基板の間に供給される液体中で基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定する工程と、
    液体を通して、パターン形成された放射ビームを前記基板の標的部分上に投影する工程と
    を含み、
    前記パターン形成されたビーム及び前記測定ビームが、前記パターン形成されたビーム及び前記測定ビームの経路内に前記基板が同時に存在しないように構成されている、デバイス製造方法。
  14. 前記測定システムと前記基板の間の空間、前記投影システムと前記基板の間の空間、或いは両方の空間を少なくとも部分的に満たす工程を含む、請求項12又は13に記載のデバイス製造方法。
  15. 前記測定システムと前記基板の間に供給される液体の液体源と、前記投影システムと前記基板の間に供給される液体の液体源が同じである、請求項12、13又は14に記載のデバイス製造方法。
  16. 前記測定システムと前記基板の間の空間の境界、前記投影システムと前記基板の間の空間の境界、或いは両方の境界の少なくとも一部分を封止する工程を含む、請求項12、13、14又は15に記載のデバイス製造方法。
  17. 前記封止工程が、気体シール、流体静力学的シール、又は流体動力学的シールで行われる、請求項16に記載のデバイス製造方法。
  18. 基板上の複数の点のそれぞれの位置を測定する工程が、前記基板上の複数の点のそれぞれの位置の高さ、傾斜、又は両方を測定する工程を含む、請求項12から17までのいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
  19. 基板上の複数の点のそれぞれの位置を測定する工程が、前記基板上の複数の位置合せマークのそれぞれの位置を測定する工程を含む、請求項18に記載のデバイス製造方法。
  20. 基板上の複数の点のそれぞれの位置を測定する工程が、前記基板上の複数の位置合せマークのそれぞれの位置を測定する工程を含む、請求項12から19までのいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
  21. 前記基板を保持する基板テーブルの参照基準の位置を測定する工程を含む、請求項12から19までのいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
  22. 基板上の複数の点のそれぞれの位置を測定する工程が、前記基板テーブルの参照基準を基準として、前記基板上の複数の位置合せマークのそれぞれの位置を測定する工程を含む、請求項21に記載のデバイス製造方法。
  23. 前記基板を露光部と別に設けた測定部との間で移動させる工程を含み、前記投影システムが前記露光部に設けられ、前記測定システムが前記測定部に設けられている、請求項12から22までのいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
  24. 前記露光部及び前記測定部が、基板が前記露光部及び前記測定部に同時に存在できないように構成されている、請求項23に記載のデバイス製造方法。
  25. 複数の基板テーブルのそれぞれを、前記露光部と前記測定部の間で移動させる工程を含む、請求項23又は24に記載のデバイス製造方法。
  26. リソグラフィ装置であって、
    放射ビームを供給するように構成された照明システムと、
    ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    前記基板の標的部分上に前記パターン形成されたビームを投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルとの間の空間を、少なくとも部分的に第1の液体で満たすように構成された第1の液体供給システムと、
    前記基板上の複数の点の位置をそれぞれ測定するように構成され、かつ前記第1の液体供給システムからは供給されない第2の液体中で測定が行われるように構成された測定システムと
    を含むリソグラフィ装置。
  27. 前記測定システムの最終要素と前記基板テーブルとの間の空間を、少なくとも部分的に前記第2の液体で満たすように構成された第2の液体供給システムを更に含む、請求項26に記載のリソグラフィ装置。
  28. 前記第1の液体供給システムの液体源と前記第2の液体供給システムの液体源とが同じである、請求項2又は27のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  29. 前記第2の液体供給システムが、前記測定システムと前記基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って延びる封止部材を含む、請求項2、27又は28のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  30. 前記封止部材が、前記測定装置と前記基板テーブルとの間の空間の周りに閉ループを形成している、請求項2、27、28又は29に記載のリソグラフィ装置。
  31. 前記第2の液体供給システムが、前記封止部材と前記基板の表面との間にシールを形成するように構成されたシールを更に含む、請求項29に記載のリソグラフィ装置。
  32. 前記シールが、気体シール、流体静力学的シール、又は流体動力学的シールである、請求項31に記載のリソグラフィ装置。
  33. 前記第1の液体供給システムが、前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って延びる封止部材を含む、請求項1から4まで、又は請求項26から32までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  34. 前記封止部材が、前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間の周りに閉ループを形成する、請求項33に記載のリソグラフィ装置。
  35. 前記第1の液体供給システムが、前記封止部材と前記基板の表面との間にシールを形成するように構成されたシールを更に含む、請求項33又は34に記載のリソグラフィ装置。
  36. 前記シールが、気体シール、流体静力学的シール、又は流体動力学的シールである、請求項35に記載のリソグラフィ装置。
  37. 前記測定システムが、前記基板上の複数の点のそれぞれの高さ、傾斜、又は両方を測定するように構成されたレベル・センサを含む、請求項1から11まで、又は請求項26から36までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  38. 前記測定システムが、前記基板上の複数の位置合せマークのそれぞれの位置を測定するように構成された位置合せシステムを含む、請求項1から11まで、又は請求項26から37までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  39. 前記測定システムが、前記基板上の複数の位置合せマークのそれぞれの位置を測定するように構成された位置合せシステムを含む、請求項1から11まで、又は請求項26から38までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  40. 前記基板テーブルが参照基準を有し、前記測定システムが前記参照基準の位置を測定する、請求項1から11まで、又は請求項26から39までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  41. 前記参照基準が、透過画像センサを含む、請求項40に記載のリソグラフィ装置。
  42. 前記測定システムが、前記基板テーブルの参照基準を基準として、前記基板上の複数の位置合せマークのそれぞれの位置を測定するように構成されている、請求項1から11まで、又は請求項26から41までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  43. 露光部と、別に設けた測定部とを含み、前記投影システムが前記露光部に設けられ、前記測定システムが前記測定部に設けられ、前記基板テーブルが前記露光部と前記測定部の間で移動可能である、請求項1から11まで、又は請求項26から42までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  44. 前記露光部及び前記測定部が、基板が前記露光部及び前記測定部に同時に存在できないように構成された、請求項43に記載のリソグラフィ装置。
  45. 前記露光部と前記測定部の間でそれぞれ移動可能な複数の基板テーブルを含む、請求項1から11まで、又は請求項26から44までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
JP2005100831A 2004-04-01 2005-03-31 リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びその方法により製造したデバイス Pending JP2005294839A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/814,822 US7034917B2 (en) 2004-04-01 2004-04-01 Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005294839A true JP2005294839A (ja) 2005-10-20

Family

ID=35053888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005100831A Pending JP2005294839A (ja) 2004-04-01 2005-03-31 リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びその方法により製造したデバイス

Country Status (2)

Country Link
US (4) US7034917B2 (ja)
JP (1) JP2005294839A (ja)

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10257766A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
CN104678715B (zh) 2003-02-26 2017-05-17 株式会社尼康 曝光方法以及器件制造方法
ATE426914T1 (de) * 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4488005B2 (ja) 2003-04-10 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
KR101238142B1 (ko) 2003-04-10 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
JP4837556B2 (ja) 2003-04-11 2011-12-14 株式会社ニコン 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法
KR101697896B1 (ko) 2003-04-11 2017-01-18 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
SG194246A1 (en) 2003-04-17 2013-11-29 Nikon Corp Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
KR20060009356A (ko) * 2003-05-15 2006-01-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI612557B (zh) * 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TW200509205A (en) 2003-05-23 2005-03-01 Nippon Kogaku Kk Exposure method and device-manufacturing method
CN101614966B (zh) 2003-05-28 2015-06-17 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101520591B1 (ko) 2003-06-13 2015-05-14 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP4437474B2 (ja) 2003-06-19 2010-03-24 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7236232B2 (en) * 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
JP4697138B2 (ja) * 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
WO2005006416A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP2264531B1 (en) * 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP3346485A1 (en) 2003-07-25 2018-07-11 Nikon Corporation Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method
KR101642670B1 (ko) * 2003-07-28 2016-07-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100407371C (zh) * 2003-08-29 2008-07-30 株式会社尼康 曝光装置和器件加工方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101308826B1 (ko) 2003-09-03 2013-09-13 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101664642B1 (ko) 2003-09-29 2016-10-11 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
WO2005036621A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
TWI605315B (zh) 2003-12-03 2017-11-11 Nippon Kogaku Kk Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7990516B2 (en) 2004-02-03 2011-08-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus
US20070030467A1 (en) * 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
TWI486719B (zh) 2004-03-25 2015-06-01 尼康股份有限公司 曝光方法
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
CN103605262B (zh) 2004-06-09 2016-06-29 株式会社尼康 曝光装置及其维护方法、以及元件制造方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1780773A4 (en) * 2004-07-12 2008-03-05 Nikon Corp METHOD FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITIONS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
KR101342330B1 (ko) 2004-07-12 2013-12-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1801853A4 (en) * 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158896B1 (en) * 2004-11-01 2007-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Real time immersion medium control using scatterometry
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20090262316A1 (en) 2005-01-31 2009-10-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20070258068A1 (en) * 2005-02-17 2007-11-08 Hiroto Horikawa Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US20090226846A1 (en) * 2005-03-30 2009-09-10 Nikon Corporation Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Manufacturing Method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090033896A1 (en) * 2005-06-28 2009-02-05 Hiroyuki Nagasaka Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101486086B1 (ko) * 2006-05-10 2015-01-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8164736B2 (en) * 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
NL2003575A (en) * 2008-10-29 2010-05-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8547526B2 (en) * 2009-04-07 2013-10-01 Micron Technology, Inc. Photolithography systems and associated methods of selective die exposure
US9810619B2 (en) 2012-09-12 2017-11-07 Kla-Tencor Corporation Method and system for simultaneous tilt and height control of a substrate surface in an inspection system

Family Cites Families (151)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE242880C (ja)
DE221963C (ja)
DE224448C (ja)
DE206607C (ja)
DE221563C (ja)
US663365A (en) * 1899-06-08 1900-12-04 George S Sergeant Grate-bar.
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
AU5067898A (en) 1996-11-28 1998-06-22 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
KR100544439B1 (ko) 1997-03-07 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 얼라인먼트유니트를갖는리소그래픽투영장치
EP0900412B1 (en) 1997-03-10 2005-04-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a positioning device having two object holders
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (en) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6618118B2 (en) * 2001-05-08 2003-09-09 Asml Netherlands B.V. Optical exposure method, device manufacturing method and lithographic projection apparatus
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
EP1304597A1 (en) 2001-10-19 2003-04-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006502558A (ja) 2001-11-07 2006-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 光学式スポット格子アレイ印刷装置
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
TWI242691B (en) 2002-08-23 2005-11-01 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
KR100585476B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) * 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
AU2003289239A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure system and device producing method
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
CN1717776A (zh) 2002-12-10 2006-01-04 株式会社尼康 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置
SG158745A1 (en) 2002-12-10 2010-02-26 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
CN100370533C (zh) 2002-12-13 2008-02-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置
KR100971441B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
USRE46433E1 (en) 2002-12-19 2017-06-13 Asml Netherlands B.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
CN104678715B (zh) * 2003-02-26 2017-05-17 株式会社尼康 曝光方法以及器件制造方法
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4488005B2 (ja) 2003-04-10 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
KR101238142B1 (ko) 2003-04-10 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101697896B1 (ko) 2003-04-11 2017-01-18 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
JP4837556B2 (ja) 2003-04-11 2011-12-14 株式会社ニコン 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG194246A1 (en) 2003-04-17 2013-11-29 Nikon Corp Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4697138B2 (ja) 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
DE602004020634D1 (de) 2003-08-07 2009-05-28 Nippon Kogaku Kk Belichtungsverfahren
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
KR101308826B1 (ko) 2003-09-03 2013-09-13 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005191393A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191381A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
CN100524616C (zh) 2004-02-19 2009-08-05 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
US20070030467A1 (en) 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
US7215431B2 (en) * 2004-03-04 2007-05-08 Therma-Wave, Inc. Systems and methods for immersion metrology
JP4510494B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005286068A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20110058148A1 (en) 2011-03-10
US7034917B2 (en) 2006-04-25
US20050219483A1 (en) 2005-10-06
US20080218711A1 (en) 2008-09-11
US7834977B2 (en) 2010-11-16
US7375796B2 (en) 2008-05-20
US20050219482A1 (en) 2005-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005294839A (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びその方法により製造したデバイス
JP6469761B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4277014B2 (ja) リソグラフィー装置及びデバイス製造方法
US7038760B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5194050B2 (ja) リソグラフィ装置
US9261797B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
JP4728382B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2004165666A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2008219017A (ja) リソグラフィック装置、位置合せ装置、デバイス製造方法、位置合せ方法及び装置を変換する方法
JP5412399B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5155277B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN100504611C (zh) 光刻设备与装置制造方法
JP4459176B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070614

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080522

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080527

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080820

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080930