JPH09102453A

JPH09102453A - 基板保持部材及び露光装置

Info

Publication number: JPH09102453A
Application number: JP27978295A
Authority: JP
Inventors: Katsuya Machino; 勝弥町野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-10-03
Filing date: 1995-10-03
Publication date: 1997-04-15

Abstract

(57)【要約】【課題】露光条件の変更により基板が変更された場合
に、当該基板に適合する基板保持部材を選択するするこ
とを可能にする基板保持部材を提供する。【解決手段】感光基板Ｗを保持する基板保持部材２０
は、基準平面内で移動する基板テーブル１８に着脱可能
で、少なくとも読み出し可能な各種情報が記憶された情
報記憶部２０Ａを有する。これによれば、情報記憶部２
０Ａに、例えば基板保持部材の種類、適合する基板の特
性等の情報が予め記憶させ、この情報を読み出すことに
より、当該基板保持部材２０の種類等の判別が可能とな
り、これにより露光条件が変更された場合であっても、
適合する基板保持部材２０Ａを選択し、交換することが
可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板保持部材及び露
光装置に係り、更に詳しくは半導体素子、液晶表示素子
等の電子デバイスをフォトリソグラフィ技術を用いて製
造する露光装置及びこの露光装置に使用して好適な基板
保持部材に関する。本発明に係る基板保持部材は、前記
素子の検査装置や評価装置にも好適に使用できる。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィ工程で製造する場合に、フォトマスク又は
レチクルのパターンを投影光学系を介して、基板ステー
ジ（例えばウエハステージ）上の感光基板（例えばウエ
ハ）に露光する投影露光装置が使用されている。かかる
従来の投影露光装置では、ウエハを平坦な状態で動かな
いように保持するために、ウエハステージ上に取り付け
られたウエハホルダによりウエハを吸着して保持してい
る。しかしながらウエハを保持するウエハホルダとウエ
ハとの間に塵又はゴミ等の異物が存在する状態でウエハ
を吸着すると、その異物によりウエハの露光面の平面度
が悪化する。その露光面の平面度の悪化は、ウエハの各
ショット領域の位置ずれ誤差や、フォーカス誤差の要因
となり、ＬＳＩ等を製造する際の歩留まりを悪化させる
大きな要因になっていた。そのため、従来は一般に一定
の間隔で露光装置を停止して、ウエハホルダを作業者の
手が届く位置に移動させて、磁石や無塵布を用いて作業
者が手を動かして全体を拭いていた。

【０００３】しかしながら、このような手作業ではウエ
ハホルダの清掃に長時間を要し、しかもこの清掃作業中
は装置を停止しなければならず、非常に効率の悪いもの
であった。かかる清掃作業の効率化のため、本願出願人
は特開平６−７７１１３号、及び特開平７−６６１１４
号において、クリーニング部材を用いて、自動的にウエ
ハホルダを清掃する技術や、ウエハのフォーカス位置を
検出するためのフォーカス位置検出手段を用いて、前回
のショット領域のフォーカス位置と、今回のショット領
域のフォーカス位置との比較により異物の有無の判定を
行う技術や、そのフォーカス位置検出手段の検出結果を
演算処理して、ウエハホルダ表面上で清掃の必要な領域
を求め、その清掃が必要な表面領域を重点的に清掃する
技術等を提案している。

【０００４】しかしながら、ウエハホルダ表面上に固着
している微小な異物は、各種の力、例えばファンデルワ
ールス力、化学的結合力、静電気による結合力等によっ
て強固に付着しているため、前記特開平６−７７１１３
号、特開平７−６６１１４号に記載の発明によってもな
かなか完全に除去することができない。かかる点に鑑み
て、本願出願人は、先に、特願平６−２５２２４３号と
して、有機材料系のブラシスクラブ手段と紫外線照射手
段を切り換えながら、ウエハホルダ表面だけでなく、ウ
エハ受け渡し部まで微細な塵埃を除去する方法を提案し
た。またこの出願においては微細な塵埃を紫外線照射手
段で除去するだけでなく、紫外線によるウエハホルダ表
面改質を行うことで（親水性化を図ることで）微細な塵
埃、例えばフォトレジスト小片などを除去しやすく、ま
た付着しにくくする方法も提案している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
願平６−２５２２４３号に記載の発明も、精密に調整さ
れた露光装置のウエハステージ上で清掃作業を行なうた
め、装置への影響を考慮して比較的弱い力をウエハホル
ダ表面上に加えて異物を除去していたので、完全に異物
を除去するには長時間を要するおそれもあり、かかる場
合には、露光装置の生産ラインへの復帰に長時間を要
し、また、精密に調整された露光装置上で清掃を行うた
め、時として装置自身の精度に悪影響を与えるおそれも
ある。

【０００６】かかる精密な露光装置の精度を一切損なう
ことなく、かつ、露光装置の生産性の低下を招かないた
めには、ウエハホルダ自体を自動的に取り替え、別の場
所で洗浄することが有効であると考えられる。

【０００７】本願出願人は、先に特願平７−８１８２６
号として、基板ホルダの着脱機構と、保管部と、洗浄部
とこれら三者間で基板ホルダを受け渡し・搬送を行なう
搬送系とを有する露光装置を提案している。

【０００８】ところで、露光装置では、露光するウエハ
の条件に応じて、すなわち、ウエハ径、ウエハ厚さ、ウ
エハ材質、使用されるレイヤによりウエハホルダを取り
替えて露光を行う必要がある。すなわち、通常のシリコ
ンウエハで直径Ｄ＝６インチ、厚さｔ＝０．５ｍｍ等の
場合には専用のウエハホルダを、またＳＯＳ（Silicon
on Sapphire）でＤ＝３インチ、ｔ＝０．３ｍｍ等の場
合には同様に専用の低反射ウエハホルダを使用する必要
があるが、特願平７−８１８２６号の発明でも露光条件
が変わる毎に露光装置を停止させ、交換作業を人間が行
う他なかった。このため、ウエハの種類、材質、レイヤ
の種類等を変更する度に、露光装置を停止させる必要が
あり、生産性の低下を招くおそれがあった。例えばウエ
ハ上に帯電した静電気を徐々に放電させるため、通常の
酸化皮膜処理されたアルミニウム製ウエハホルダから導
電性を有するセラミックウエハホルダに変更する際に、
生産ラインを停止させ、人間が交換・確認作業するた
め、生産ライン復帰への時間を長く要し、同様にウエハ
外径の異なるウエハを露光処理する際にも、ウエハ外
径、及びウエハ厚さに起因するウエハホルダの交換作業
が必要となり、生産性の低下を招くという不都合があっ
た。

【０００９】本発明は、上述したような事情の下になさ
れたもので、その目的は、露光条件の変更により基板が
変更された場合に、当該基板に適合する基板保持部材の
自動的な選択を可能にする基板保持部材を提供すること
にある。

【００１０】また、本発明の別の目的は、生産性の低下
を招くことなく、各種基板に対応して基板保持部材の自
動交換を行なうことができる露光装置を提供することに
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マスクに形成されたパターンの像を感光基板上に転
写する露光装置に用いられ、前記感光基板を保持する基
板保持部材であって、基準平面内で移動する基板テーブ
ルに着脱可能で、少なくとも読み出し可能な各種情報が
記憶された情報記憶部を有する。

【００１２】これによれば、情報記憶部に、例えば基板
保持部材の種類、適合する基板の特性等の情報が予め記
憶されている場合には、この情報を読み出すことによ
り、当該基板保持部材の種類等の判別が可能となり、こ
れにより露光条件が変更された場合であっても、適合す
る基板保持部材を選択し、交換することが可能になる。

【００１３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板保持部材において、前記情報記憶部は各種情報を
読み書き可能な情報記録媒体から成ることを特徴とす
る。これによれば、情報記憶部に後発的に情報を書き込
むことができ、例えば、露光履歴等の情報、汚染に関す
る詳細情報等を記憶させることができる。例えば、基板
保持部材の汚染詳細情報を記憶させる場合には、これに
より異物の位置や大きさ等が瞬時に判断され、例えば、
左上端部に異物が存在する場合は、その部分に相当する
露光ショットを無効ショットとし、他の露光ショットに
ついて適正な露光が可能である。

【００１４】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の基板保持部材において、前記各種情報として少
なくとも当該基板保持部材に関する情報、及び当該基板
保持部材によって保持される感光基板に関する情報の少
なくとも一方を含むことを特徴とする。これによれば、
この情報に基づいて露光条件の変更に合わせて適合する
基板保持部材の選択、交換を確実に行なうことができ
る。

【００１５】請求項４に記載の発明は、マスクに形成さ
れたパターンの像を感光基板上に転写する露光装置であ
って、前記請求項１に記載の基板保持部材を複数収納し
て保管可能な保管部と；前記保管部に対し出し入れされ
る前記基板保持部材の情報記憶部に記憶された各種情報
を読み出す情報読取手段と；前記情報読取手段によって
読み出された情報を記憶する記憶部とを有する。これに
よれば、情報読取手段では保管部に対し出し入れされる
基板保持部材の情報記憶部に記憶された各種情報を読み
出し、この読み出された情報が記憶部に格納される。こ
のため、記憶部の記憶内容に基づいて保管部内で複数の
基板保持部材を管理することができるとともに、露光条
件の変化に対応して適合する基板保持部材を即座に選択
し、生産性の低下を招くことなく、各種基板に対応して
基板保持部材の自動交換を行なうことが可能となる。

【００１６】請求項５に記載の発明は、マスクに形成さ
れたパターンの像を感光基板上に転写する露光装置であ
って、前記請求項２に記載の基板保持部材を複数収納し
て保管可能な保管部と；前記保管部に対し出し入れされ
る前記基板保持部材の情報記憶部に対し各種情報を読み
書きする情報記録手段と；前記情報記録手段によって読
み書きする情報を記憶する記憶部とを有する。これによ
れば、情報記録手段では保管部に対し出し入れされる基
板保持部材の情報記憶部に対し各種情報を読み書きし、
この読み書きされる情報が記憶部に記憶される。このた
め、記憶部の記憶内容に基づいて保管部内で複数の基板
保持部材を管理することができるとともに、露光条件の
変化に対応して適合する基板保持部材を即座に選択し、
生産性の低下を招くことなく、各種基板に対応して基板
保持部材の自動交換を行なうことが可能となる他、例え
ば、露光履歴、洗浄履歴、汚染に関する詳細情報等の後
発的な情報の種々の利用が可能となる。

【００１７】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の露光装置において、前記基板保持部材の情報記憶部が
相変化によって光学特性が変化する情報記録媒体から成
り、前記情報記録手段が、前記情報記録媒体に情報を読
み書き可能な光学ヘッドを有することを特徴とする。こ
れによれば、いわゆる相変化により情報記憶部に対する
情報の記録が行なわれ、反射光の強度変化に基づいて情
報の読み出しが行なわれる。この場合、情報が記録され
た部分への上書きは、自動的に防止される。

【００１８】請求項７に記載の発明は、請求項５に記載
の露光装置において、前記基板保持部材の情報記憶部が
磁気記録媒体から成り、前記情報記録手段が、前記磁気
記録媒体に情報を読み書き可能な磁気ヘッドを有するこ
とを特徴とする。これによれば、情報記憶部に対し、情
報の書き込み、読み出し、上書き等が自由自在に行なわ
れる。この場合、情報の読み書きを高速に行なうことが
できる。

【００１９】請求項８に記載の発明は、請求項５に記載
の露光装置において、前記基板保持部材の情報記憶部が
光磁気記録方式の情報記録媒体から成り、前記情報記録
手段が、前記情報記録媒体に情報を読み書き可能な光磁
気ヘッドを有することを特徴とする。これによれば、情
報記憶部を構成する情報記録媒体のいわゆる磁化反転作
用により情報が書き込まれ、反射光からのカー回転角に
基づいて情報の読み取り（再生）がおこなれる。

【００２０】請求項９に記載の発明は、請求項４又は５
に記載の露光装置において、前記保管部が、前記基板保
持部材を複数収納して貯蔵可能な貯蔵部と、前記基板保
持部材を清浄化する清掃部と、前記貯蔵部と前記清掃部
間を前記基板保持部材を搬送する搬送系とを有すること
を特徴とする。これによれば、基板保持部材の交換は勿
論、この交換後の基板保持部材を即座に洗浄、洗浄後に
保管、必要に応じて取り出す等のことが可能となり、特
に、この保管部を複数台の露光装置本体で共有する場合
に、それぞれで即座に清浄な基板保持部材が使用可能で
あり、各露光装置本体で基板保持部材の清掃が終了する
まで、露光工程を停止して半導体の生産性を低下させる
ような不都合が解消される。

【００２１】

【実施例】

《第１実施例》以下、本発明の第１実施例を図１ないし
図６に基づいて説明する。図１には、第１実施例にかか
る露光システムの全体の構成が概念的に示されている。
この図１に示されるように、この実施例の露光システム
は、複数（ここでは３台）の半導体露光装置本体１０
Ａ、１０Ｂ、１０Ｃと、これらの半導体露光装置本体１
０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃによって共用される保管部として
のウエハホルダストッカ１１とを備えている。図１にお
いて、符号１２は、ウエハホルダストッカ１１と半導体
露光装置本体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃとの間でやり取り
される後述する基板保持部材としてのウエハホルダ２０
の搬送路を示す。この搬送路１２に沿って図示しない清
浄化されたベルトコンベヤ式の搬送装置であるクリーン
トラックが配置され、これによってウエハホルダストッ
カ１１から半導体露光装置本体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ
にウエハホルダ２０が搬送されるようになっている。な
お、いわゆる無人搬送機（ＡＧＶ）によってウエハホル
ダの搬送装置を構成しても良い。

【００２２】次に、本第１実施例のシステムの構成各部
について説明する。図２には、露光装置本体１０Ａの主
要部の構成が示されている。

【００２３】図２おいて、ベース１３は図示しない防振
台上にほぼ水平に載置され、このベース１３上に、Ｖフ
ラットガイドに沿ってＹ軸方向に移動可能なＹ軸ステー
ジ１４が設けられ、更にこのＹ軸ステージ１４上をＶフ
ラットガイドに沿ってＹ軸に直交するＸ軸方向に移動可
能なＸ軸ステージ１５が設けられている。Ｙ軸ステージ
１４は、ベース１３のＹ方向一端に設けられたＹ軸駆動
モータ１６によって駆動されるようになっており、Ｘ軸
ステージ１５はＹ軸ステージ１４のＸ方向の一端に設け
られたＸ軸駆動モータ１７によって駆動されるようにな
っている。

【００２４】Ｘ軸ステージ１５上には、ウエハテーブル
１８が搭載されている。このウエハテーブル１８は、図
示しない駆動機構によってＸＹ平面に直交するＺ軸方向
の移動及びＸ軸回りの回転角（Ｙ方向の傾斜角）、Ｙ軸
回りの回転角（Ｘ方向の傾斜角）が調整可能とされてい
る。このウエハテーブル１８上にＺ軸回りの微小回転が
可能なθテーブル１９が載置されている。さらに、この
θテーブル１９上に基板保持部材としてのウエハホルダ
２０がいわゆるキネマティック構造により保持され図示
しない吸着手段によって吸着されている。ここで、キネ
マティック構造とは、簡単にいうと、ウエハホルダ２０
を点とＶ溝と面とで３点支持するもので、ウエハホルダ
２０を上下方向及び傾斜方向のいずれの方向に動かして
も余分なストレスが掛からないようになっている。従っ
て、θテーブル１９上には、いわゆるＶ・ＨＯＬＥ・Ｐ
ＬＡＩＮ（Ｖ溝部、穴部、平面部）が形成され、これに
対応してウエハホルダ２０の裏面にはそれぞれに対応す
る形状の凸部が形成されている。

【００２５】さらに、本実施例ではウエハホルダ２０の
一部に外方への突出部が形成され、この突出部に情報記
憶部２０Ａが設けられている。この情報記憶部２０Ａ
は、いわゆる相変化型の光ディスクと同様に相変化によ
って光学特性が変化する情報記録媒体によって構成され
ている。より具体的には、この情報記憶部２０Ａは、ア
クリル樹脂の基板と、この基板上に形成されたテルル低
酸化物を主体としスズＳｎ，ゲルマニウムＧｅ等の元素
が加えられた記録膜と、この記録膜上に形成された紫外
線硬化膜とから成る３層構造の記録媒体によって構成さ
れている。従って、この情報記憶部２０Ａに対して後述
する光学ヘッド５０によって必要な情報を読み書きでき
るようになっている。

【００２６】ウエハホルダ２０上には、感光基板として
のウエハＷが吸着固定されている。

【００２７】ウエハテーブル１８上には、バネ力、又は
モータで駆動されるウエハ位置決めピン２１Ａ、２１
Ｂ、２１Ｃが設けられている。このため、ウエハホルダ
２０の設定位置にかかわらず、ウエハＷはウエハ位置決
めピン２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃによってθテーブル１９
に対し中心出しがされた状態で正確に位置決めされるよ
うになっている。

【００２８】ウエハテーブル１８上のＸ軸方向の一端に
は、Ｙ軸方向に沿ってＸ軸用移動鏡２２Ｘが配置され、
また、Ｙ軸方向の一端には、Ｘ軸方向に沿ってＹ軸用移
動鏡２２Ｙが配置されている。これらの移動鏡２２Ｘ、
２２Ｙに対向してＸ軸レーザ干渉計２３Ｘ、及びＹ軸レ
ーザ干渉計２３Ｙが設置され、レーザ干渉計２３Ｘ、２
３ＹからのレーザビームＬＢＸ、ＬＢＹが移動鏡２２
Ｘ、２２Ｙにより反射され、これによりＸ軸レーザ干渉
計２３Ｘ及びＹ軸レーザ干渉計２３Ｙによりウエハテー
ブル１８のＸ座標、Ｙ座標が計測されるようになってい
る。

【００２９】ウエハＷの上方には、投影レンズＰＬがそ
の光軸をＺ方向に向けて配置されている。このため、ウ
エハホルダ２０を介してウエハＷが、ウエハテーブル１
８によりＺ方向位置の調整、ＸＹ位置の調整及び微小傾
斜調整が行なわれ、θテーブル１９により微小回転が行
われてアライメントが実行されると、レチクル（不図
示）の上の微細パターンが投影レンズＰＬによってウエ
ハＷ上に投影露光されるようになっている。なお、Ｚ方
向位置の調整は、図示しない焦点検出系、例えば斜入射
光式の焦点検出系の出力に基づいて行なわれる。

【００３０】前記ウエハＷ、ウエハホルダ２０は、交換
作業が自動的に行えるよう、ウエハ交換スライダ２４、
ウエハホルダ交換フォーク２５Ａ、２５Ｂにより、搬送
可能な構成となっている。また、ウエハ交換スライダ２
４、ウエハホルダ交換フォーク２５Ａ、２５Ｂ上には固
定用の吸着溝、吸着用吸盤２６Ａ、２６Ｂが設けられ、
ウエハＷ、ウエハホルダ２０は、搬送中に堅固に保持さ
れることにより、安全なハンドリングがなされるように
なっている。

【００３１】その他の露光装置１０Ｂ、１０Ｃも、上述
した露光装置１０Ａと同様にして構成されている。

【００３２】図３には、本第１実施例の露光システムの
制御系の構成が、ウエハホルダストッカ１１を中心に示
されている。この図３に示されるように、ウエハホルダ
ストッカ１１の制御系としては、搬送系制御部２７、貯
蔵収納系制御部２８、洗浄系制御部２９が設けられ、こ
れら３つの制御部２７、２８、２９は、ウエハホルダス
トッカＣＰＵ（以下、「ストッカＣＰＵ」という）３０
の支配化に置かれている。このストッカＣＰＵ３０は、
ワークステーション等から成る図示しないホストコンピ
ュータに接続されている。また、ストッカＣＰＵ３０に
は、情報記録手段としての情報記録装置５０（これにつ
いては、後に詳述する）及び記憶部としてのメモリ５０
Ａが接続されている。

【００３３】ホストコンピュータには、露光装置本体１
０Ａ、１０Ｂ，１０Ｃの主制御部３１Ａ、３１Ｂ、３１
Ｃもそれぞれ接続されている。これらの露光装置本体１
０Ａ、１０Ｂ，１０Ｃの主制御部、３１Ａ，３１Ｂ，３
１Ｃには、ウエハにレジストを塗布したり、パターン露
光後のウエハを現像したりする塗布・現像装置（Coater
-Developer）の制御部（Ｃ／Ｄ制御部）３２Ａ、３２
Ｂ、３２Ｃがそれぞれ接続されている。

【００３４】次に、ウエハホルダストッカ１１につい
て、図４に基づいて説明する。このウエハホルダストッ
カ１１の内部は、搬送系制御部２７、貯蔵収納系制御部
２８、洗浄系制御部２９に対応して搬送系、貯蔵収納系
（貯蔵部）、洗浄系（清浄部）の３系統に分かれてい
る。

【００３５】搬送系は、前述したウエハホルダ交換フォ
ーク２５Ａ、２５Ｂと同様の機能を有する図示しない搬
送フォークを有している。すなわち、この搬送フォーク
によってウエハホルダストッカ１１内をウエハホルダ２
０が図４中に一点鎖線で示される経路（Ａ〜Ｈ）に沿っ
て搬送されるようになっている。

【００３６】貯蔵収納系は、ウエハホルダ２０を収納す
る３つのウエハホルダライブラリ３３Ａ、３３Ｂ、３３
Ｃを有しており、洗浄されたウエハホルダ２０のうち露
光装置本体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃで使用されないも
の、及び次に使用されるべく予約されたものがストッカ
ＣＰＵ３０によって情報記憶部２０Ａに記憶された情報
に基づいて識別され、収納されている。また、これらの
ウエハホルダライブラリ３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃには、
各種ウエハの大きさ、厚さ、材質等による違いに対応す
る各種の清浄化されたウエハホルダ２０が情報記憶部２
０Ａに記憶された情報をもとに管理収納されている。

【００３７】洗浄系は、紫外線照射部３４、ブラシスク
ラブ部３５及び蒸気乾燥部３６を有している。次に、こ
の洗浄系の構成各部について更に詳述する。

【００３８】蒸気乾燥部３６は、洗浄槽３７を備え、こ
の洗浄槽３７の内部には洗浄用の混合液３８が投入され
ており、混合液３８の液層３８ｂの液面Ｂ１の上部には
混合液３８の蒸気層３８ａが形成されている。蒸気層３
８ａの上部は、ウエハホルダ２０を出し入れするために
洗浄槽３７の頂部の開口部を開閉する開閉蓋３７Ａの開
閉に伴い洗浄槽３７内の上部の空間に流通する大気と、
境界面Ｂ２において直接接触している。被洗浄物である
ウエハホルダ２０は、上下の一点鎖線で示される矢印に
沿って不図示の搬送フォークにより洗浄槽３７の内部に
搬送され、洗浄槽３７の液面Ｂ１と境界面Ｂ２との間に
停滞している蒸気層３８ａと大気中を設定時間に従って
移動し水切り乾燥が遂行される。

【００３９】洗浄槽３７の底部には、洗浄槽３７内の混
合液３８の温度を上げるための加熱ヒータ３９が設けら
れている。洗浄槽３７の底部で且つ液層３８ｂ中には、
液層３８ｂの温度を測定するための液温度センサ４０ａ
が設けられており、液温度センサ４０ａの測定値に基づ
いて加熱ヒータ３９の動作が制御される。加熱ヒータ３
９としては電気ヒータが用いられており、その加熱面の
温度は温度センサ４０ｂにより測定される。加熱ヒータ
３９の加熱面は液層３８ｂと直接接触しており、加熱面
の温度が異常に上昇した場合、混合液３８の液層３８ｂ
が局所的に異常温度に曝されて劣化する。これを防止す
るため、温度センサ４０ｂが設置される。同時に温度セ
ンサ４０ｂは加熱ヒータ３９自身の温度異常（高温、低
温）の検知も可能である。この加熱ヒータ３９として
は、電気その他の熱源により直接加熱する方式の他、局
部加熱を避けるため、間接的に混合液３８を加熱する、
例えば加熱媒体との熱交換による間接加熱方式を用いて
も良い。加熱媒体としては低圧〜高圧蒸気の使用が一般
的であるが、その他一般の熱媒体油あるいはリン酸エス
テル等の熱安定性に優れた熱媒体油も使用することがで
きる。

【００４０】また、洗浄槽３７の底部には、各洗浄成分
の濃度を検出する液成分センサ４１ａ〜４１ｃが設置さ
れており、液成分センサ４１ａ〜４１ｃにより、洗浄槽
３７内にて使用される混合液３８を構成する各洗浄成分
の成分比が検知される。各洗浄成分は図示しない第１〜
第３液供給タンクに別々に充填されており、それぞれ供
給配管４２ａ〜４２ｃを通じて洗浄槽３７に供給され
る。供給配管４２ａ〜４２ｃの洗浄槽３７への入り口に
は洗浄槽３７に供給される各洗浄成分の量を制御する注
入元バルブ４３ａ〜４３ｃが設けられており、液成分セ
ンサ４１ａ〜４１ｃの情報に基づき、注入元バルブ４３
ａ〜４３ｃの開閉制御により、各洗浄成分の濃度が精密
に制御される。なお、この各洗浄成分の濃度の制御は、
液成分センサ４１ａ〜４１ｃのみならず、注入元バルブ
４３ａ〜４３ｃの直後に設置される不図示の流量センサ
によって遂行されても良い。また、前記２重の検知手段
を同時に使用しても良い。

【００４１】また、洗浄槽３７の底部には排液用パイプ
４４が接続されており、この排液用パイプ４４の洗浄槽
３７近くには排液用バルブ４５が設けられており、混合
液３８は使用された後、あるいは液面調整時に排液用バ
ルブ４５を開いて、洗浄槽３７から不図示の駆動ポンプ
により回収される。

【００４２】また、洗浄槽３７内の下部の側壁には液層
３８ｂの液面Ｂ１を検知する液量センサ４６ａ〜４６ｄ
が液層３８ｂの上部から下部に向けて順次設けられてお
り、液量センサ４６ａ〜４６ｄの測定結果に基づき、洗
浄槽３７の注入元バルブ４３ａ〜４３ｃの開閉制御によ
り、液面Ｂ１が制御される。

【００４３】注入元バルブ４３ａ〜４３ｃを経て洗浄槽
３７にそれぞれ流入する複数の洗浄成分は、洗浄槽３７
の底部の洗浄成分の流入口近くに配置された図示しない
攪拌機により均一に混合される。この攪拌機は、混合液
３８の液層３８ｂの洗浄槽３７内における温度分布を均
一にする作用も行う。

【００４４】洗浄槽３７の側壁の上部には、蒸気層３８
ａと大気との境界面Ｂ２を所定の高さに制御するための
凝縮器４７が設置されている。凝縮器４７の冷却管内部
には冷却媒体が流されており、蒸気層３８ａの上部は凝
縮器４７の冷却作用により凝縮し、再度液層３８ｂへ戻
される。前記境界面Ｂ２は凝縮器４７の冷却能力が下が
れば上昇し、凝縮器４７の能力が上がれば下降する。冷
却媒体の温度及び流量を制御することにより、境界面Ｂ
２を一定の高さに保つことができる。蒸気層３８ａの温
度状態は、洗浄槽３７の側壁の上部から下部にかけて順
次設けられ、大気及び蒸気層３８ａ中に突き出された蒸
気温度センサ４８ａ〜４８ｃにより測定され、境界面Ｂ
２の位置はそれらの蒸気温度センサ４８ａ〜４８ｃの測
定結果に基づき検出される。なお、凝縮器４７で使用さ
れる冷却媒体としては一般的に冷却水が使用されるが、
別に設けた冷却機構により冷却した水及びグライコール
等を循環させても良い。また、冷却機構の冷却剤を直接
循環させて冷却することもできる。

【００４５】また、洗浄槽３７の液面Ｂ１上で且つ蒸気
層３８ａ中に、洗浄槽３７の側壁を貫通し、洗浄槽３７
の中央部に突き出た形で凝縮液受け４９が配置されてい
る。蒸気層３８ａより低温のウエハホルダ２０の表面上
に多量の凝縮液が生じ、この凝縮液によりウエハホルダ
２０上に付着している有機系塵埃が溶解されて廃液とな
って凝縮液受け４９で収集され、洗浄槽３７の外部へ排
出される。同時に、余分の水分も凝縮し、凝縮廃液とし
て凝縮液受け４９で収集され、洗浄槽３７から除去され
る。

【００４６】なお、洗浄槽３７の蒸気温度センサ４８ａ
〜４８ｃ、液温度センサ４０ａ及び温度センサ４０ｂか
らの温度検出結果、液成分センサ４１ａ〜４１ｃの各共
沸成分の濃度の検出結果、及び液量センサ４６ａ〜４６
ｄからの液量情報はすべて前述した洗浄系制御部２９を
介してストッカＣＰＵ３０に供給されている。ストッカ
ＣＰＵ３０には、予め蒸気乾燥部３６を制御するための
設定値に関する情報が与えられており、前記各センサか
らの情報に基づいてストッカＣＰＵ３０によって、搬送
系制御部２７を介して図示しない搬送フォークが制御さ
れ、洗浄系制御部２９を介して注入元バルブ４３ａ〜４
３ｃ及び加熱ヒータ３９の動作が制御される。

【００４７】次に、上述のようにして構成された蒸気乾
燥部３６における洗浄動作について、イソプロピルアル
コール及び水を用いた二成分系の一例について説明す
る。なお、イソプロピルアルコール、イソプロピルエー
テル及び水を用いた三成分系の場合も蒸気乾燥部３６で
は洗浄効果を発揮するが、ここではその説明を省略す
る。なお、二成分系及び三成分系共に水としては超純水
を用いる。

【００４８】ここでは、ウエハホルダ２０の耐熱性を考
慮し、イソプロピルアルコール−水の二成分系の極小沸
点である共沸点の７９．５℃近辺で水きり乾燥を行うよ
うに設定する。

【００４９】図示しない第１液供給タンクには、イソプ
ロピルアルコール、同じく図示しない第２液供給タンク
には超純水を満たしておき、同じく図示しない第３液供
給タンクの図示しない液注入元バルブを常時閉状態にし
ておく。第１液供給タンク、第２液供給タンクの液注入
元バルブ（いずれも図示せず）を開き、供給配管４２
ａ、４２ｂを通して洗浄槽３７にイソプロピルアルコー
ル及び超純水が所定の割合になるように供給する。この
場合、第１液供給タンクよりイソプロピルアルコールを
約８８重量％、第２液供給タンクより超純水を約１２重
量％、それぞれ供給配管４２ａ、４２ｂを通して洗浄槽
３７に供給する。洗浄槽３７内に投入された各成分は、
洗浄槽３７の底部に固定された図示しない攪拌機により
均一に混合される。各成分は、液量センサ４６ａ〜４６
ｄの検出結果に基づく液層３８ｂの液量と液成分センサ
４１ａ、４１ｂの検出結果に基づく各成分の量とを調節
する注入元バルブ４３ａ、４３ｂの動作により、必要量
だけ洗浄槽３７に投入される。

【００５０】必要量だけ投入されたことが液量センサ４
６ａ〜４６ｄにより検知されると、液量センサ４６ａ〜
４６ｄからの信号に基づいて、加熱用ヒータ３９による
加熱が開始される。加熱にともなって蒸気が発生し、液
層３８ｂの成分比が変化する。従って、注入元バルブ４
３ａ、４３ｂで微小制御して、液層３８ｂの成分比及び
液面Ｂ１を一定に保ちながら加熱用ヒータ３９で共沸点
まで加熱する。

【００５１】この共沸点は、７９．５℃で水の沸点より
も約２０℃低く、イソプロピルアルコールの沸点よりも
約３℃低い値となっている。発生した蒸気は洗浄槽３７
の上部に向けて拡散するが、凝縮器４７により蒸気層３
８ａの境界面Ｂ２が一定の高さとなるように制御されて
おり、この状態での蒸気層３８ａ中のイソプロピルアル
コール濃度は、８０重量％を越えた状態で保たれてい
る。凝縮器４７により凝縮した各々の蒸気は再度洗浄槽
３７の底部へ戻され加熱される。

【００５２】液温度センサ４０ａ及び温度センサ４０ｂ
及び蒸気温度センサ４８ａ〜４８ｃの検出結果から、洗
浄槽３７内の状態が安定したことが確認された後、開閉
蓋３７Ａを解放して搬送フォークにより、被洗浄物であ
るウエハホルダ２０を液面Ｂ１と境界面Ｂ２の中間部に
停止させる。蒸気層３８ａより低温のウエハホルダ２０
の表面上に多量の凝縮液が生じ、この凝縮液により有機
系塵埃が溶解され、廃液となって凝縮液受け４９で収集
され、洗浄槽３７の外部へ排出される。同時に、ウエハ
ホルダ２０に付着していた水分も混合蒸気に溶解して凝
縮液として除去される。ウエハホルダ２０は所定の時間
後、搬送フォークにより洗浄槽３７の外部に取り出され
るが、すでにウエハホルダ２０の表面から水分が除去
（水きり）された状態にあり、ウエハホルダ２０に付着
した主にイソプロピルアルコール蒸気による凝縮液は乾
燥速度が早く洗浄槽３７の外部に搬送される間に急速に
蒸発する。以上のようにして、蒸気乾燥部５６によりウ
エハホルダ２０の洗浄及び乾燥が行われる。

【００５３】ブラシスクラブ部３５は、スクラブ洗浄槽
７０を有しており、このスクラブ洗浄槽７０の頂部には
被洗浄物を出し入れするための開口部７１が設けられて
おり、ウエハホルダ２０は一点鎖線７９で示されるよう
に図示しない搬送フォークにより開口部７１を通ってス
クラブ洗浄槽７０内部に運ばれてスクラブ洗浄が行われ
る。ウエハホルダ２０が開口部７１を搬送される間を除
き、開口部７１を閉鎖する閉鎖用の密閉蓋７２が閉鎖さ
れている。

【００５４】スクラブ洗浄槽７０の内部の開口部７１付
近からスクラブ洗浄槽７０の底部にかけてリンスシャワ
ーノズル７４ａ、７４ｂ、超音波シャワーノズル７５
ａ、７５ｂ、及びスクラブブラシ７３ａ、７３ｂが配置
されている。リンスシャワーノズル７４ａ、７４ｂはス
クラブ洗浄槽７０の左右の両壁を貫通する配管の先端に
それぞれ設けられており、当該各配管を介して不図示の
リンス液供給源から供給されるリンス液がリンスシャワ
ーノズル７４ａ、７４ｂからウエハホルダ２０に向けて
噴射されるようになっている。

【００５５】超音波シャワーノズル７５ａ、７５ｂも同
様にスクラブ洗浄槽７０の左右の両壁を貫通する配管７
７ａ、７７ｂの先端にそれぞれ設けられており、配管７
７ａ、７７ｂを介して不図示のシャワー液供給源から供
給されたシャワー液が超音波エネルギーを与えられた状
態で超音波シャワーノズル７５ａ、７５ｂからウエハホ
ルダ２０に向けて噴射されるようになっている。即ち、
超音波シャワーノズル７５ａ、７５ｂは、シャワー液に
所定周波数（例えば、１ＭＨｚ）の超音波を重畳させて
噴射するものである。

【００５６】リンスシャワーノズル７４ａ、７４ｂ及び
超音波シャワーノズル７５ａ、７５ｂからそれぞれ噴射
されるリンス液及びシャワー液としては超純水及び溶剤
等の中から適当な洗浄剤が選択される。

【００５７】スクラブブラシ７３ａ、７３ｂはスクラブ
洗浄槽７０のほぼ中央部に設けられ、スクラブブラシ７
３ａ、７３ｂとの間をウエハホルダ２０が通過できるよ
うに配置されている。ウエハホルダ２０は、不図示の駆
動系により往復回転するスクラブブラシ７３ａ、７３ｂ
の間で上下動してブラッシングされる。スクラブブラシ
７３ａ、７３ｂによるブラッシング中は、超音波シャワ
ーノズル７５ａ、７５ｂからウエハホルダ２０の表面に
向けてシャワー液が噴射される。

【００５８】スクラブ洗浄槽７０の底部には、洗浄後の
リンス液及びシャワー液による洗浄廃液が対流するが、
その洗浄廃液の液面は不図示の液面センサにより検出さ
れ、それに基づいて、スクラブ洗浄槽７０の底部に設け
られた排液パイプ８０から排出または回収される。排液
パイプ８０の入り口には排液バルブ８０ａが設置されて
おり、この排液バルブ８０ａの開閉により廃液の液面が
調整されるようになっている。

【００５９】次に、ブラシスクラブ部における洗浄動作
の一例について説明する。

【００６０】まず、スクラブ洗浄槽７０の頂部の密閉蓋
７２が開かれ、被洗浄物であるウエハホルダ２０が、搬
送フォークにより一点鎖線７９で示される経路に沿って
スクラブ洗浄槽７０内に搬送される。ウエハホルダ２０
がスクラブ洗浄槽７０内に移動した後、洗浄が開始され
る。

【００６１】ウエハホルダ２０がリンスシャワーノズル
７４ａ、７４ｂの付近に到着すると、リンスシャワーノ
ズル７４ａ、７４ｂからウエハホルダ２０に向けてリン
ス液が噴射される。リンス液によりその表面が十分濡ら
されたウエハホルダ２０に向けて超音波シャワーノズル
７５ａ、７５ｂから超音波エネルギーを加えられたシャ
ワー液が噴射される。十分に濡らされたウエハホルダ２
０は、スクラブブラシ７３ａ、７３ｂによりブラッシン
グされて表面に付着した汚染物が除去される。ウエハホ
ルダ２０がスクラブブラシ７３ａ、７３ｂによりブラッ
シングされる間、超音波シャワーノズル７５ａ、７５ｂ
から超音波シャワー液がウエハホルダ２０に向けて噴射
される。

【００６２】ここで使用されるリンスシャワーノズル７
４ａ、７４ｂ用のリンス液及び超音波シャワーノズル７
５ａ、７５ｂ用のシャワー液の種類は、ウエハホルダ２
０の表面の汚れの状況及び汚染物質の性質により選択さ
れる。例えば汚れの程度が小さく、また汚れが水に落ち
やすい性質のものであればリンス液及びシャワー液とし
て超純水等が選択される。ウエハホルダ２０の表面の汚
れが酷く、また油脂分等水に落ちにくい場合は、アルコ
ール類、エーテル類、ケトン類、又は共沸混合液等の中
から適当な洗浄剤が選択される。

【００６３】スクラブが終了したウエハホルダ２０は、
再びリンスシャワーノズル７４ａ、７４ｂにより十分リ
ンスされた後、搬送フォークにより一点鎖線７９で示さ
れる経路に沿ってスクラブ洗浄槽７０の外部に搬送され
る。ウエハホルダ２０がスクラブ洗浄槽７０の外部に移
動すると共に密閉蓋７２が閉じられる。

【００６４】なお、前記蒸気乾燥部３６としては、多成
分系（二成分系又は三成分系）の共沸を利用した洗浄乾
燥方法を行なうものを例示したが、本発明がこれに限定
されることはなく、従来からの単一成分を利用した洗浄
乾燥方法（混合液を使用せず、例えばフレオンのみ、又
はイソプロピルアルコールのみ使用の方法）を行なうも
のも勿論適用可能である。

【００６５】紫外線照射部３４は、親水性化槽８３を有
し、この親水性化槽８３の頂部には被洗浄物であるウエ
ハホルダ２０を出し入れするための開口部８４が設けら
れており、ウエハホルダ２０は一点鎖線８８で示される
ように不図示のウエハ搬送フォークにより開口部８４を
通って親水性化槽８３内部に運ばれてウエハホルダ２０
の表面の親水性化が行われる。親水性化の操作時は、開
口部８４を閉鎖する密閉蓋８５が開閉される。

【００６６】親水性化槽８３の頂部と底部のほぼ中間位
置に紫外線を発生する紫外線ランプ８１ａ、８１ｂが親
水性化槽８３の左右の両壁とほぼ平行に配置され、ウエ
ハホルダ２０の表面に左右から紫外線が照射されるよう
になっている。紫外線ランプ８１ａ、８１ｂの外側に
は、それぞれ反射板８２ａ、８２ｂが紫外線ランプ８１
ａ、８１ｂを覆うように配置されており、紫外線ランプ
８１ａ、８１ｂから発生した紫外線は、直接的に、また
反射板８２ａ、８２ｂを介して間接的にウエハホルダ２
０に導かれる。

【００６７】また、親水性化槽８３の頂部には被洗浄物
を出し入れするための開口部８４以外に親水性化を促進
するための酸素（Ｏ₂）又はオゾン（Ｏ₃）を親水性化槽
８３内に注入するための開口部８６が設けられており、
酸素又はオゾンは、開口部８６に通じるノズル８７を介
して不図示のボンベより供給される。

【００６８】親水性化槽８３の底部には、原子状酸素又
はオゾンと各種有機物との反応により発生するＣＯ，Ｃ
Ｏ₂，Ｈ₂Ｏ等の反応生成物を含んだ汚染ガスを吸引する
排気管８９が接続されており、親水性化槽８３内のガス
は不図示の吸引装置により排気管８９から吸引されて、
排気管８９に設けられた排気バルブ８９ａの開閉により
親水性化槽８３外部に排出される。排気管８９の途中に
は、触媒が充填された触媒管９０が設けられており、吸
引された親水性化槽８３内の有害なガスは触媒により中
和された後、外部の吸引装置に導かれる。

【００６９】次に、上述のようにして構成された紫外線
照射部３４における洗浄動作の一例について説明する。

【００７０】まず、親水性化槽８３の頂部の密閉蓋８５
が開かれ、被洗浄物であるウエハホルダ２０が搬送フォ
ークにより一点鎖線８８で示される経路に沿って親水性
化槽８３内の紫外線照射位置の不図示のホルダまで搬送
される。ウエハホルダ２０が親水性化槽８３内に移動し
て搬送フォークが外部へ退避するとともに密閉蓋８５が
閉じられ、親水性化槽８３内が密閉される。

【００７１】次に、親水性化槽８３の底部の排気管８９
の排気バルブ８９ａが開かれ、不図示の吸引装置の駆動
により、親水性化槽８３内のガスを吸引しながら、親水
性化槽８３の頂部に設けたノズル８７から酸素（Ｏ₂）
及びオゾン（Ｏ₃）を多量に含むガスが親水性化槽８３
の内部の空間に注入される。

【００７２】酸素及びオゾンを多量に含んだガスが注入
された後、紫外線ランプ８１ａ、８１ｂから波長が１８
５ｎｍ及び２５４ｎｍの紫外線がウエハホエルダ２０の
表面に向けて一定時間照射される。その間ノズル８７か
ら酸素及びオゾンを多量に含むガスが継続的に注入され
ると共に、排気管８９から親水性化槽８３内の排気ガス
が吸引される。

【００７３】酸素及びオゾンは紫外線により活性化し、
特にオゾンから活性酸素（原子状酸素）Ｏ^*が遊離す
る。活性酸素、オゾン、及び紫外線の作用により、ウエ
ハホルダ２０の表面は疎水性から表面から親水性の表面
へと改善される。

【００７４】表面改質後、ウエハホルダ２０は、再び一
点鎖線８８の搬送経路に従って搬送フォークにより親水
性化槽８３の外部へ搬送される。その場合ウエハホルダ
２０が親水性化槽８３の外部に移動する前に密閉蓋８５
が開かれ、ウエハホルダ２０が親水性化槽８３の外部に
移動するとともに密閉蓋８５が閉じられる。

【００７５】上述したようにして、紫外線照射部での洗
浄が終了し、親水性化槽８３の外部に搬送されたウエハ
ホルダ２０は、スクラブ洗浄槽７０の上部まで搬送さ
れ、スクラブ洗浄槽７０内に移される。その後、前述し
た如くして、スクラブ洗浄部によるスクラブ洗浄、蒸気
乾燥部による洗浄及び水切り乾燥が行なわれる。

【００７６】このように、本第１実施例の洗浄系による
と、スクラブ洗浄槽７０における洗浄処理の前工程とし
て親水性化槽８３において被洗浄物であるウエハホルダ
２０の表面が親水性化されるため、ウエハホルダ２０の
表面の濡れ性が向上し、スクラブ洗浄槽７０でのウエハ
ホルダ２０表面の汚れ落ちが良い。従って、洗浄槽３７
における共沸混合液３８による洗浄の前工程でスクラブ
洗浄槽７０によりウエハホルダ２０表面の落ち難い汚れ
が更に完璧に除去されるので、ウエハホルダ２０の清浄
度（クリーン度）が向上すると共に、洗浄槽３７におけ
る混合液３８がウエハホルダ２０の表面に附着した汚染
物質により汚染される度合いが小さいので、混合液の清
浄度が保たれる。

【００７７】更に、本実施例ではウエハホルダストッカ
１１の入口（図４中に符号Ａで示す）の近傍には、前述
した情報記録装置が設けられている（但し、図４では図
示省略）。図５に、この情報記録装置５０が示されてい
る。この情報記録装置５０は、ウエハホルダ２０の情報
記憶部２０Ａに対する情報の読み書き（記録、再生）を
行なう装置である。この情報記録装置５０は、大きく
は、移動テーブル部５１と光学ヘッド５２とから構成さ
れ、移動テーブル部５１は、図５における紙面に直交す
る水平面内に配置されたベース部５３と、このベース部
５３上を図示しない一対のＸ_W軸ガイドに沿ってＸ_W軸
方向（図５における左右方向）に移動するＸテーブル５
４と、このＸテーブル５４上をＹ_W駆動軸５５及びＹ_W
軸ガイド５６Ａ、５６Ｂに沿ってＹ_W軸方向（図５にお
ける紙面直交方向）に移動可能なＹテーブル５７とを備
えている。このＹテーブル５７には、当該Ｙテーブル５
７上に載置されたウエハホルダ２０を吸着するための吸
着用管路５８が形成されており、この吸着用管路５８が
図示しない真空ポンプ等の真空源に接続されている。

【００７８】光学ヘッド５２は、記録用半導体レーザ５
９、送光光学系部６０、レーザモニタ６１、消去用半導
体レーザ６２、ＰＢＳ（偏向ビームスプリッタ）６３及
び集光レンズ６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ等を備えている。
この光学ヘッド５２によれば、情報記憶部２０Ａに対す
る情報の記録（書き込み）、消去、再生（読み出し）が
次のようにして行なわれる。

【００７９】即ち、情報を記録する場合には、ストッカ
ＣＰＵ３０によりウエハホルダ２０の情報記憶部２０Ａ
の記録したい場所に集光レンズ６４Ａの焦点が一致する
ように図示しない駆動系を介してＸテーブル５４、Ｙテ
ーブル５７が駆動されると、記録用半導体レーザ５９か
ら射出されたレーザ光が送光光学系部６０、ＰＢＳ６３
及び集光レンズ６４Ａを通り情報記憶部２０Ａに照射さ
れ、情報記憶部２０Ａを構成する記録膜のその照射ポイ
ントがその照射レーザエネルギにより加熱され結晶質が
アモルファス化することにより情報が記録される。この
ような情報の記録がＸテーブル５４、Ｙテーブル５７の
移動中に行なわれる。

【００８０】情報を消去したい場合は、消去したい情報
が記録された場所に集光レンズ６４Ａの焦点が一致する
ように図示しない駆動系を介してＸテーブル５４、Ｙテ
ーブル５７が駆動されると、消去用半導体レーザ６２よ
り射出した光（この光は、記録用の光より少し光量が弱
い）が集光レンズ６４Ｂ、ＰＢＳ６３及び集光レンズ６
４Ａを介して前記箇所に照射され、記録膜の情報が記録
されてアモルファス化した部分が結晶質に戻る相変化に
より、情報が消去される。勿論のこの場合もＸテーブル
５４、Ｙテーブル５７の移動中に、情報の消去が行なわ
れる。

【００８１】情報を再生する場合には、不図示の再生光
照射光学系からの光（この光は、消去用の光に比べても
一層光量が小さい）が、集光レンズ６４Ｃ、ＰＢＳ６３
及び集光レンズ６４Ａを介して情報記憶部２０Ａに照射
されると、その照射ポイントからの反射光がレーザモニ
タ６１で受光される。このような再生光の受光が、スト
ッカＣＰＵ３０によるＸテーブル５４、Ｙテーブル５７
の駆動中に行なわれると、情報が記録されてアモルファ
ス化した記録膜部分と、情報が記録されず結晶質のまま
である記録膜部分からの反射光の光量が異なるので、レ
ーザモニタ６１の光電変換信号を処理することにより情
報を再生する（読み出す）ことができる。

【００８２】ストッカＣＰＵ３０では、ウエハホルダス
トッカ１１に対し出し入れされる全てのウエハホルダ２
０の情報記憶部２０Ａに対し、情報記録装置５０を用い
て必要な情報の記録再生を行ない、その情報をメモリ５
０Ａに記憶するようになっている。ここで、情報記憶部
２０Ａに予め記録され、あるいは記録される情報、即ち
メモリ５０Ａに記憶される情報は、各ウエハホルダ２０
に適したウエハＷに関する情報、当該各ウエハホルダ２
０に関する情報に大別される。この内、ウエハに関する
情報としては、ウエハ材質、例えばＳＯＳ、Ｓｉ、Ｇ
ａＡｓ等、ウエハ形状、例えば外径、厚さ、外観等、
その他が挙げられる。また、ウエハホルダに関する情
報としては、洗浄履歴、例えば使用可否、洗浄回数
等、使用されたロット名、汚染の詳細情報、例えば
異物の存在する位置、大きさ等、適合する露光装置の
情報その他が挙げられる。

【００８３】次に、半導体露光装置本体１０の主制御部
３１Ａ内ＣＰＵによる主要な制御アルゴリズムについ
て、図６のフローチャートに沿って説明する。このフロ
ーチャートがスタートするのは、図示しないウエハオー
トローダによりウエハ交換スライダ２４が駆動され、不
図示のカセット内のウエハＷがウエハステージ１８上に
載置されたウエハホルダ２０上にロードされた時であ
る。

【００８４】ステップ２００で図示しないフォーカス検
出系を用いて当該ウエハＷのフラットネスをチェック
（計測）する。具体的には、フォーカス検出系がいわゆ
る斜入射光式の検出系である場合には、モータ１６、１
７を駆動してウエハステージ１８を２次元方向に移動さ
せつつ、ウエハＷ上の数点のＺ軸方向位置を検出するこ
とにより、ウエハＷのフラットネスをチェックする。こ
のように、ウエハＷのフラットネスをチェックするの
は、ウエハＷ自体のフラットネスの不良、レジストム
ラ、塵埃等異物による影響によりフォーカス誤差、横ず
れ等を生じ、露光不良を招くので、露光前にウエハＷの
フラットネスをチェックすることにより、かかる露光不
良の発生を事前に回避するためである。

【００８５】次のステップ２０２ではステップ２００で
検出したウエハＷ上の数点のＺ軸方向位置の差が所定範
囲内にあるか否かを判断することにより、ウエハＷのフ
ラットネスが良好であるか否かを判断する。この判断が
肯定された場合には、ステップ２０４に進んで露光処理
ルーチンへ移行していわゆるステップ・アンド・リピー
ト方式で当該ウエハＷの露光処理を実行後、一連の処理
を終了する。なお、の露光処理ルーチンの処理の具体的
な内容は、公知であり、しかも本発明との関連が薄いの
で、その説明は省略する。

【００８６】一方、ステップ２０２における判断が否定
された場合は、当該ウエハＷのフラットネスが不良であ
り、そのままでは露光を行なえないので、ステップ２０
６に移行し、予め設定されたウエハフラットネス検査の
回数を超過したか否かを判断する。これは、稀に起こる
別の要因（電磁ノイズ等）によるフラットネスの検査結
果へ与える影響を除くため、同一ウエハに対して複数回
のフラネットネスチェックを行なうようにしたからであ
る。従って、このステップ２０６における判断が否定さ
れた場合には、ステップ２００に戻り、上記処理・判断
を繰り返す。所定の検査回数、例えば３回のフラットネ
スチェックの結果が全てフラットネス不良である場合に
は、当該ウエハのフラットネスは確かに不良であると結
論付けられるので、ステップ２０６からステップ２０８
に進み、再測定ウエハの最後であるか否かを判断する。
これは、ウエハフラットネスの測定結果の不良がウエハ
自体に起因して生じているのか、あるいはウエハホルダ
２０表面上に塵埃、レジスト小片等の異物が付着してウ
エハフラットネスの不良に帰結しているのかを判断する
ために、１枚又は複数枚の別のウエハ（再測定ウエハ）
についてフラットネス測定を行うようにしたからであ
る。

【００８７】ステップ２０８における判断が否定された
場合には、ステップ２１０に進んでその時点でウエハホ
ルダ２０上に載置されているウエハＷのアンロード指令
を図示しないウエハオートローダに送出する。これによ
り、図示しないウエハオートローダによりウエハ交換ス
ライダ２４が駆動され、当該ウエハが不図示のアンロー
ドカセットへアンロードされる。これに続いて、ステッ
プ２１２で次の新しいウエハＷ（別の再測定ウエハ）の
ロード指令を図示しないウエハオートローダに送出す
る。これにより、図示しないウエハオートローダにより
ウエハ交換スライダ２４が駆動され、別の再測定ウエハ
が不図示のロードカセットよりウエハテーブル１８上の
ウエハホルダ２０上へロードされる。このようにしてウ
エハ交換を実行した後、ステップ２００に戻って上記処
理・判断を繰り返す。

【００８８】例えば、３枚の別個のウエハで再フラット
ネス測定を行うように予め設定されている場合は、３枚
の別個のウエハでフラットネス測定を行ない、しかも各
ウエハについて所定回数（例えば３回）のフラットネス
測定が終了し、全てフラットネス不良である場合は、ス
テップ２０８における判断が肯定されるので、ウエハホ
ルダの方に明らかにウエハフラットネス悪化の原因があ
ると判断し、ステップ２１４に移行する。反対に一度で
もフラットネスが良好と判断された場合には、ステップ
２０４の露光処理ルーチンへ移行する。

【００８９】ステップ２１４では、上記のウエハフラッ
トネスの測定が適正なウエハホルダで行われたかを判断
する。この判断は、ストッカＣＰＵ３０を介してメモリ
５０Ａに記憶されている現在ウエハテーブル１８上に載
置されているウエハホルダ（以下、適宜「装着ウエハホ
ルダ」という）２０に関する情報を読み出し、その情報
に基づいて装着ウエハホルダと現在の露光工程とがマッ
チしているか否かを判断することにより行なわれる。な
お、露光装置本体１０Ａに前述した光学ヘッド５２と同
様の光学ヘッドを設けて直接装着ウエハホルダ２０の情
報記憶部２０Ａから情報を読み出すようにすることも可
能である。

【００９０】そして、適正なウエハホルダで上記のウエ
ハフラットネスの測定が行なわれ、ステップ２１４にお
ける判断が肯定された場合には、ステップ２１５に進ん
で交換制限回数以下であるか否かを判断する。これは、
通常、ウエハホルダストッカ１１内には同条件のウエハ
ホルダ２０が数多く収納貯蔵されているため、全てのウ
エハホルダ２０を露光装置本体に填着してウエハフラッ
トネスを測定するには不都合がある。そこで、ウエハホ
ルダの交換制限回数を予め設定し、その交換制限回数以
下か否かを判断するようにしたものである。

【００９１】そして、交換制限回数以下の場合はステッ
プ２１５の判断が肯定され、ステップ２１６へ進んで、
ストッカＣＰＵ３０を介してメモリ５０Ａ内に記憶され
ているウエハホルダライブラリ（３３Ａ〜３３Ｃ）に格
納されているウエハホルダ２０の情報を検索する。例え
ば、本露光工程がｔ＝２ｍｍのガラスウエハ露光工程で
ある場合には、ウエハステージ１８のＺ軸ストローク
（光軸方向ストローク）範囲内にあるウエハホルダ厚で
かつ低反射表面を保有するウエハホルダを検索する。

【００９２】次のステップ２１８では検索結果に基づい
て適正なウエハホルダが存在するか否かを判断し、適正
なウエハホルダが発見されなかった場合は、ステップ２
２０に移り、ステップ２２０に移行して警告表示を行う
と共に、ホストコンピュータに通知した後、ステップ２
２２において装置を管理するオペレータをコールし、ス
テップ２２４に進んで故障処理ルーチンへ移行する。こ
の故障処理ルーチンの最初のステップは、オペレータに
よる指示待ちステップである。その後は、当該故障処理
ルーチンによりオペレータの指示に従った処理がなされ
るが、ここでは、その詳細な説明は省略する。

【００９３】一方、適正なウエハホルダが存在する場合
には、ステップ２２６に移行してその適正なウエハホル
ダをロードすべき旨のコマンドをホストコンピュータに
送出後、そのウエハホルダが図示しないクリーントラッ
クによりウエハホルダ交換フォーク（２５Ａ、２５Ｂ）
との受け渡し位置まで搬送されるのを待つ。

【００９４】これにより、ホストコンピュータの指示に
応じてストッカＣＰＵ３０により不図示の搬送フォーク
が駆動され当該ウエハホルダ２０が該当するウエハホル
ダライブラリ（３３Ａ〜３３Ｃのいずれか）から取り出
され、Ａ点まで搬送される。そして、ストッカＣＰＵ３
０によりそのウエハホルダ２０の情報記憶部２０Ａに情
報記録装置５０を用いて必要な情報、例えば使用露光装
置履歴、処理されるロットと名称、処理予定ウエハ枚数
等が記録された後、搬送フォークが駆動されウエハホル
ダストッカ１１のＨ点より図示しないクリーントラック
に受け渡される。そして、クリーントラックにより搬送
路１２に沿ってそのウエハホルダ２０がウエハホルダ交
換フォーク（２５Ａ、２５Ｂ）との受け渡し位置まで搬
送される。

【００９５】ステップ２２８では図示しないウエハオー
トローダーにウエハのアンロードコマンドを送る。これ
により、ウエハオートローダーによりウエハ交換スライ
ダ２４が駆動されウエハＷがウエハホルダ２０上からア
ンロードされる。

【００９６】次のステップ２３０ではウエハホルダ交換
フォーク２５Ａ、２５Ｂを用いてウエハテーブル１８上
から使用中のウエハホルダ２０をアンロードし、クリー
ントラックに渡す。その後、このウエハホルダ２０は、
クリーントラックにより搬送路１２に沿ってウエハホル
ダストッカ１１内のＡ点まで搬送され、そこで、ストッ
カＣＰＵ３０により情報記録装置５０を用いてそのウエ
ハホルダ２０の情報記憶部２０Ａに対する必要な情報の
読み書きが行なわれ、以降はウエハホルダストッカ１１
内の搬送系により図４中に一点鎖線で示される搬送経路
に沿って洗浄系へと搬送され、前述した洗浄処理（清浄
化処理）が行われる。清浄化処理（洗浄）後のウエハホ
ルダ２０は、ウエハホルダストッカ１１内のウエハホル
ダライブラリ３３Ａ〜３３Ｃのいずれかに格納される。

【００９７】ステップ２３２ではクリーントラックによ
り受け渡し位置まで搬送されている適正なウエハホルダ
をウエハホルダ交換フォーク２５Ａ、２５Ｂによりウエ
ハテーブル１８上にロードする。

【００９８】この後、ステップ２３４において再度ウエ
ハロードカセット（不図示）よりウエハがウエハホルダ
２０上に再ロードされ、不図示のフォーカス検出系によ
り焦点検出チェックが行われ、ウエハテーブル１８のＺ
軸移動（光軸方向移動）によって合焦が不可能な場合
は、ステップ２２０へ移行する。ステップ２３４におい
て合焦が可能である場合は、ステップ２００へ再度戻
り、以後上記処理・判断が繰り返される。従って、ウエ
ハフラットネスの確認後、ウエハフラットネスが改善さ
れ良好な場合は、通常の露光処理ルーチンが開始される
（ステップ２００→２０２→２０４）。

【００９９】この一方、上記ステップ２１４における判
断が否定された場合は、上述した適正ホルダで測定し、
交換制限回数以下である場合と同様に、ステップ２１６
に進み、以下前述した処理・判断が行なわれる。

【０１００】他の露光装置本体１０Ｂ、１０Ｃの主制御
部３１Ｂ、３１ＣのＣＰＵにおいても上で述べたと同一
の制御アルゴリズムに従い、露光に先立ってウエハフラ
ットネスチェック、及びその結果に基づいたウエハホル
ダ２０の自動交換が実行される。

【０１０１】以上説明したように、本第１実施例の露光
システムによると、基板保持部材としてのウエハホルダ
２０の表面が汚れた場合、ウエハ交換の際に、ウエハフ
ラットネスのチェック結果に基づいて、清浄なウエハホ
ルダ２０に即座にかつ自動的に交換される。汚れたウエ
ハホルダ２０の洗浄は、露光装置本体と離れて設けられ
たウエハホルダストッカ１１内の洗浄系で行なわれる。
従って、精密に調整された露光装置本体上でウエハホル
ダを加圧し清掃することが不要となり、精密に調整され
た露光装置本体の精度をウエハホルダの清掃作業により
損なうことがない。また、従来のようにウエハホルダの
清掃作業の間に露光装置本体を停止する必要がないの
で、生産性を飛躍的に向上させることができる。

【０１０２】また、ウエハホルダ２０に情報記憶部２０
Ａが設けられているので、この情報記憶部２０Ａに各種
の情報を読み書きできる。例えば、当該ウエハホルダ２
０がＳＯＳ、Ｄ＝φ３”、ｔ＝０．３ｍｍ用である場合
はこの情報を全て情報記憶部２０Ａ上に予め記録するこ
とができ、しかも情報記憶部２０Ａが相変化型の情報記
憶媒体により形成されているので、この情報が記録され
た部分には上書きが不可能な状態となっている。

【０１０３】露光装置本体（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）
からウエハホルダ２０が図４のＡ点に搬入されると、情
報記録装置５０によりそのウエハホルダ２０の情報記憶
部２０Ａに対し各種の情報が読み書きされ、ストッカＣ
ＰＵ３０により各種処理が行われる。このため、ウエハ
ホルダ２０の情報記憶部２０Ａには、当該ウエハホルダ
２０が洗浄前に保有していた情報、つまり異物の有無、
異物の位置、大きさ等の各種データの他、洗浄後の情
報、つまり洗浄結果（成否）洗浄回数、使用の可否等が
記録される。

【０１０４】従って、露光条件の変更により、ウエハの
種類が変更された場合であっても、情報記憶部２０Ａに
記憶された情報に基づいて適切なウエハホルダが自動的
に選択され、交換されるので、生産性を低下させること
がないという利点がある。

【０１０５】また、ウエハホルダストッカ１１を複数の
半導体露光装置本体で共有しているので、複数の様々な
ウエハホルダ２０を複数の半導体露光装置本体で生産性
の低下をきたすことなく清浄化が可能である。

【０１０６】例えば、ウエハに関する仕様が露光装置本
体１０ＡはＳＯＳ、Ｄ＝φ３”、ｔ＝０．３ｍｍ、露光
装置本体１０ＢがＳｉ、Ｄ＝φ１５０ｍｍ、ｔ＝０．５
ｍｍ，露光装置本体１０ＣがＳｉ、Ｄ＝φ１００ｍｍ、
ｔ＝０．３ｍｍの場合を想定してみる。

【０１０７】露光装置本体１０Ａ上でＳＯＳウエハを露
光する前にウエハのフラットネスを測定する。この場
合、図６のフローチャートに示される制御アルゴリズム
に従って測定交換作業がなされるが、露光装置本体１０
Ａ上のウエハホルダ２０の代替となる仕様を有するウエ
ハホルダ２０がウエハホルダストッカ１１内に存在する
かどうかが、情報記録装置５０によりウエハホルダ２０
の情報記憶部２０Ａから読み出されてメモリ５０Ａに格
納された情報に基づいて検索される。

【０１０８】万一、適合するウエハホルダ２０が存在す
ればそのウエハホルダの情報記憶部２０Ａに使用露光装
置履歴、処理されるロットと名称、処理予定ウエハ枚数
等が記録され、ウエハホルダストッカ１１のＨ点よりク
リーントラックに移送され、露光装置本体１０Ａに受け
渡され正常な露光が開始される。このようにして個々の
露光装置本体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃに適合するウエハ
ホルダ２０を即座に適正に準備することが可能である。

【０１０９】また、ウエハホルダストッカ１１に適合す
るウエアホルダが無い場合は、情報記憶部２０Ａに記憶
される情報には前記の如く、ウエハホルダ２０の汚染詳
細情報が含まれているため、これにより異物の位置や大
きさ等が瞬時に判断され、例えば、左上端部に異物が存
在する場合は、その部分に相当する露光ショットを無効
ショットとし、ホストコンピュータへ情報を受け渡して
そのまま露光が可能である。すなわち、後工程ではこの
無効ショットの情報により、プロセスを止めることなく
生産を続けることが可能である。かかる場合、ウエハホ
ルダストッカ１１内に適合するウエハホルダ２０が格納
された段階で、ウエハホルダを交換するか上記の露光動
作を継続するかを判断すればよい。

【０１１０】なお、ウエハホルダストッカ１１内にウエ
ハ材質のみが異なり、他の要素は全く同じ仕様のウエハ
ホルダ２０が存在しても、ウエハホルダ２０の選択は情
報記憶部２０Ａ内の情報に基づいて行なわれるので、誤
って選択されることはない。すなわち、露光装置本体１
０Ａ用のウエハホルダはＳＯＳ用であり、万一Ｓｉ用の
ホルダが存在しても、低反射処理が行われていないた
め、誤って選択され異常露光や、ミスアライメント等の
重大な障害が生じないように、前記情報が利用される。

【０１１１】さらに、本第１実施例では、ウエハホルダ
ストッカ１１内に搬送系、洗浄系及び貯蔵収納系の３系
統を有しているので、生産性の低下をきたすことなく、
ウエハホルダ２０表面上に固着した塵埃等をウエハホル
ダストッカ１１内の洗浄系で清浄化することが可能とな
り、強いスクラブ力、超音波及び有機溶剤等を使用する
ことにより、ウエハホルダ２０清浄度を向上させること
ができる。

【０１１２】《第２実施例》次に、本発明の第２実施例
を図７に基づいて説明する。ここで、前述した第１実施
例と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号
を付すと共に、その説明を簡略にしあるいは省略する。

【０１１３】この第２実施例は、前述した第１実施例に
おける情報記録装置５０に代えて図７に示される情報記
録装置１００が情報記録手段として設けられている点に
特徴を有する。

【０１１４】この情報記録装置１００は、移動テーブル
部５１と、磁気ヘッド１０１とを備えている。この磁気
ヘッド１０１には、リード・ライト制御部（ＲＷ制御
部）１０２が接続され、このリード・ライト制御部１０
２が前述したストッカＣＰＵ３０に接続されている。

【０１１５】また、本第２実施例では磁気ヘッド１０１
に対応して、ウエハホルダ２０の情報記憶部２０Ａが磁
気ディスクと同様に、基板と基板上に塗布された磁性体
とからなる磁気記録媒体によって構成されている。

【０１１６】これによれば、情報を記録する（書き込
む）場合には、リード・ライト制御部１０２より、磁気
ヘッド１０１のコイルに電流を送り、ヘッドの真下の記
録媒体の面の磁気の向きを変化（磁性粒子の磁化の方向
を反転、磁化反転）させる。磁束が反転した状態は通常
２進の「１」を表わし、反転しない場合は「０」として
いる。

【０１１７】この一方、情報を再生（読み出す）場合に
は、記録媒体に記憶されている磁界が磁気ヘッド１０１
を通過するとコイルに電流が発生する。この電流がリー
ド・ライト制御部１０２で２進信号に変換される。

【０１１８】このような情報記憶部２０Ａに対する情報
の読み書きが、移動テーブル部５１のＸテーブル５４、
Ｙテーブル５７の移動中に行なわれる。その他の部分の
構成は、第１実施例と同一である。

【０１１９】この第２実施例によっても前述した第１実
施例と同等の効果を得ることができる他、情報記憶部２
０Ａに対する情報の読み書きを一層高速に、かつ上書き
を含めて自在に行なうことができる。但し、この第２実
施例の場合は、スクラブ部３５の処理については制限が
あるため、スクラブ部３５の処理を適正化したほうが良
い結果が得られる。

【０１２０】《第３実施例》次に、本発明の第３実施例
を図８に基づいて説明する。ここで、前述した第１実施
例と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号
を付すと共に、その説明を簡略にしあるいは省略する。

【０１２１】この第３実施例は、前述した第１実施例に
おける情報記録装置５０に代えて図８に示される情報記
録装置１１０が情報記録手段として設けられている点に
特徴を有する。

【０１２２】この情報記録装置１１０は、移動テーブル
部５１と、光磁気ヘッド１１１とを備えている。光磁気
ヘッド１１１は、基本的には第１実施例における光学ヘ
ッド５２に近似しているが、集光レンズ６４Ａの移動テ
ーブル部５１側に図８に示されるようなコイル１１２が
設けられている点が異なる。このコイル１１２がリード
・ライト制御部（ＲＷ制御部）１１３に接続され、この
リード・ライト制御部１１３が前述したストッカＣＰＵ
３０に接続されている。

【０１２３】また、本第３実施例では光磁気ヘッド１１
１に対応して、ウエハホルダ２０の情報記憶部２０Ａが
光磁気ディスクと同様の光磁気記録媒体によって構成さ
れている。即ち、この情報記憶部２０Ａは、ガラス基
板、ポリカーボネート基板又はエポキシ基板等の基板
と、この基板上に形成されたＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｇｄ等
のアモルファス磁性膜（記録膜）と、このアモルファス
磁性膜上に形成された紫外線硬化膜とから成る３層構造
となっている。

【０１２４】これによれば、情報を記録する（書き込
む）場合には、記録用レーザ光源からレーザ光を照射し
て記録部を加熱しつつ、リード・ライト制御部１０２よ
りコイル１１２に変調信号を送り、この信号変調された
磁界をヘッドの真下の記録媒体に印加することにより、
記録媒体の面の磁気の向きを変化（磁性粒子の磁化の方
向を反転、磁化反転）させる。この磁束変化により、情
報が記録される。

【０１２５】この一方、情報を再生（読み出す）場合に
は、再生光を集光レンズ６４Ａを介して記録媒体に照射
し、反射光をレーザモニタで受光して、その反射光から
のカー回転角を調べることで信号が再生される。

【０１２６】このような情報記憶部２０Ａに対する情報
の読み書きが、移動テーブル部５１のＸテーブル５４、
Ｙテーブル５７の移動中に行なわれる。その他の部分の
構成は、第１実施例と同一である。

【０１２７】この第３実施例によっても前述した第１実
施例と同等の効果を得ることができる。

【０１２８】なお、上記第１ないし第３実施例では、情
報記憶部２０Ａを情報を読み書き可能な記録媒体により
構成する場合を例示したが、本発明がこれに限定される
ものではなく、ガラス基板上にバーコード等の識別符号
を付して情報記憶部を構成し、このバーコード等の読み
取り手段を情報読み取り手段として設け、メモリ５０Ａ
内に、各種の情報テーブルを設けて各々の識別符号と情
報を対応づけるようにしても良い。この場合は、ウエハ
ホルダストッカ１１内のメモリ５０Ａ内で情報の記録、
消去、照合等全てが行なわれるようになる。

【０１２９】また、ウエハホルダストッカも上記実施例
で例示したものに限られるものではなく、例えば、図９
に示されるようなものでも良い。

【０１３０】この図９に示されるウエハホルダストッカ
１２１は、貯蔵収納系としてウエハホルダライブラリ３
３を１つだけ備えている。また、洗浄系としては、ウエ
ハホルダ２０に紫外線を照射する紫外線照射ランプ１２
２Ａ、１２２Ｂと超純水に約１ＭＨｚの超音波を重畳さ
せ、ウエハホルダ２０に照射する超音波リンスユニット
１２３Ａ、１２３Ｂ、及び側面又は底面に同様の超音波
発振子１２４を有し、かつ、底部に排液用配管１２６と
給液用配管１２５を有する液洗浄ユニット１２８を有し
ている。

【０１３１】搬送系としては、前記ウエハホルダ交換フ
ォーク（２５Ａ，２５Ｂ）と同様の機能を有する搬送フ
ォーク１２７を有している。

【０１３２】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし３
に記載の発明によれば、露光条件の変更により基板が変
更された場合に、それに対応した基板保持部材を選択
し、自動的に交換することが可能になるという従来にな
い優れた効果がある。

【０１３３】また、請求項４ないし９に記載の発明によ
れば、生産性の低下を招くことなく、各種基板に対応し
て基板保持部材の自動交換を行なうことができるという
効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る露光システムの全体構成を示
す図である。

【図２】図１の露光装置本体１０Ａの主要部の構成を示
す斜視図である。

【図３】図１の露光システムの制御系の構成を示すブロ
ック図である。

【図４】図１のウエハホルダストッカの構成を示す説明
図である。

【図５】図３の情報記録装置の構成を示す説明図であ
る。

【図６】露光装置本体１０Ａの主制御部内ＣＰＵの主要
な制御アルゴリズムを示すフローチャートである。

【図７】第２実施例の主要部の構成を示す説明図であ
る。

【図８】第３実施例の主要部の構成を示す説明図であ
る。

【図９】ウエハホルダストッカの他の構成例を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０Ａ〜１０Ｃ露光装置本体１１ウエハホルダストッカ（保管部）１８ウエハテーブル（基板テーブル）２０ウエハホルダ（基板保持部材）２０Ａ情報記憶部３３ウエハホルダライブラリ（貯蔵部）３３Ａ〜３３Ｃウエハホルダライブラリ（貯蔵部）３４紫外線照射部（清掃部の一部）３５ブラシスクラブ部（清掃部の一部）３６蒸気乾燥部（清掃部の一部）５０情報記録装置（情報記録手段）５０Ａメモリ（記憶部）５２光学ヘッド１００情報記録装置（情報記録手段）１０１磁気ヘッド１１０情報記録装置（情報記録手段）１１１光磁気ヘッド１２７搬送系Ｗウエハ（感光基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクに形成されたパターンの像を感光
基板上に転写する露光装置に用いられ、前記感光基板を
保持する基板保持部材であって、基準平面内で移動する基板テーブルに着脱可能で、少な
くとも読み出し可能な各種情報が記憶された情報記憶部
を有する基板保持部材。
【請求項２】前記情報記憶部は各種情報を読み書き可
能な情報記録媒体から成ることを特徴とする請求項１に
記載の基板保持部材。
【請求項３】前記各種情報として少なくとも当該基板
保持部材に関する情報、及び当該基板保持部材によって
保持される感光基板に関する情報の少なくとも一方を含
むことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板保持部
材。
【請求項４】マスクに形成されたパターンの像を感光
基板上に転写する露光装置であって、前記請求項１に記載の基板保持部材を複数収納して保管
可能な保管部と；前記保管部に対し出し入れされる前記
基板保持部材の情報記憶部に記憶された各種情報を読み
出す情報読取手段と；前記情報読取手段によって読み出
された情報を記憶する記憶部とを有する露光装置。
【請求項５】マスクに形成されたパターンの像を感光
基板上に転写する露光装置であって、前記請求項２に記載の基板保持部材を複数収納して保管
可能な保管部と；前記保管部に対し出し入れされる前記
基板保持部材の情報記憶部に対し各種情報を読み書きす
る情報記録手段と；前記情報記録手段によって読み書き
する情報を記憶する記憶部とを有する露光装置。
【請求項６】前記基板保持部材の情報記憶部が相変化
によって光学特性が変化する情報記録媒体から成り、前記情報記録手段が、前記情報記録媒体に情報を読み書
き可能な光学ヘッドを有することを特徴とする請求項５
に記載の露光装置。
【請求項７】前記基板保持部材の情報記憶部が磁気記
録媒体から成り、前記情報記録手段が、前記磁気記録媒体に情報を読み書
き可能な磁気ヘッドを有することを特徴とする請求項５
に記載の露光装置。
【請求項８】前記基板保持部材の情報記憶部が光磁気
記録方式の情報記録媒体から成り、前記情報記録手段が、前記情報記録媒体に情報を読み書
き可能な光磁気ヘッドを有することを特徴とする請求項
５に記載の露光装置。
【請求項９】前記保管部が、前記基板保持部材を複数
収納して貯蔵可能な貯蔵部と、前記基板保持部材を清浄
化する清掃部と、前記貯蔵部と前記清掃部間を前記基板
保持部材を搬送する搬送系とを有することを特徴とする
請求項４又は５に記載の露光装置。