CN116400567A - 检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置 - Google Patents

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崔基熏
金泰熙
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Abstract

本发明提供了一种检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。该基板处理装置包括：支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支承并旋转基板；液体供应单元，该液体供应单元配置为向由该支承单元支承的该基板供应液体；激光单元，该激光单元包括激光照射单元，该激光照射单元向由该支承单元支承的该基板照射激光；初始端口，该初始端口提供该激光单元等待的待机位置；以及移动单元，该移动单元用于在将激光照射至基板的工艺位置与待机位置之间移动激光单元，其中，初始端口从由激光单元照射的激光检测激光的特性。

Description

检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月28日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0189865的韩国专利申请的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种检测单元和包括该检测单元的基板处理装置，更具体地，涉及一种用于检测光特性的检测单元和包括该检测单元的基板处理装置。
背景技术
用于在晶圆上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是用于将粘附在晶圆上的半导体集成材料刮削成期望图案的初步操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于蚀刻的图案和形成用于离子注入的图案。在曝光工艺中，通过使用掩模(mask)在晶圆上用光绘制图案，该掩模是一种“框架”。当晶圆上的半导体集成材料(例如，晶圆上的抗蚀剂)暴露于光时，抗蚀剂的化学性质根据光和掩模的图案而改变。当向化学性质根据图案改变的抗蚀剂供应显影剂时，在晶圆上形成图案。
为了精确地执行曝光工艺，需要精确地制造在掩模上形成的图案。需要检查图案是否在所需的工艺条件下令人满意地形成。在一个掩模上形成了大量图案。因此，为了检查一个掩模，操作员需要花费大量时间来检查所有的大量图案。因此，在掩模上形成了能够表示包括多个图案的一个图案组的监测图案。此外，在掩模上形成了能够表示多个图案组的锚定图案(anchor pattern)。操作者可以通过检查监测图案来估计包括在一个图案组中的图案的质量。此外，操作者可以通过检查锚定图案来估计形成在掩模上的图案的质量。
此外，为了提高掩模的检查精度，优选的是，监测图案和锚定图案的临界尺寸是相同的。另外，额外地执行了用于精确校正在掩模上形成的图案的线宽的临界尺寸校正工艺。
图1示出了在掩模制造工艺期间、在执行临界尺寸校正工艺之前相对于掩模的监测图案的第一临界尺寸CDP1和锚定图案的第二临界尺寸CDP2的正态分布。此外，第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2具有小于目标临界尺寸的尺寸。在执行临界尺寸校正工艺之前，监测模式和锚定模式的临界尺寸(Critical Dimension，CD)存在故意偏差。然后，通过在临界尺寸校正工艺中额外蚀刻锚定图案，使两个图案的临界尺寸相同。当在额外蚀刻锚定图案的工艺中，锚定图案比监测图案被过度蚀刻时，由于监测图案和锚定图案之间的临界尺寸的差异，在掩模上形成的图案的临界尺寸不能被精确校正。当额外蚀刻锚定图案时，需要伴随锚定图案的精确蚀刻。
为了精确地蚀刻锚定图案，需要精确地控制光指示信息的焦点分布(轮廓(profile))和光功率，诸如光的直径和光的强度。光的焦点分布和光的功率值对在基板M上形成的图案的蚀刻量和相对于在基板M上形成的图形的蚀刻均匀性有很大影响。通常，为了测量光轮廓，安装了仅透射特定波长带的光或阻挡特定波长带光的衰减过滤器。对于通过衰减过滤器的光，仅能够估计相对功率值，而不能测量绝对光功率值，因此测量精度降低。如果没有精确地测量光轮廓和光功率，则无法准确地蚀刻锚定图案。
发明内容
本发明致力于提供一种能够在基板上执行精确蚀刻的检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。
本发明还致力于提供一种能够检测初始端口(home port)中的光特性的检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。
本发明还致力于提供一种能够同时测量从初始端口照射的光的光和光功率的检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。
本发明还致力于提供一种能够精确测量光特性的检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。
本发明还致力于提供一种能够使由于折射光或散射光引起的光轮廓的测量干扰最小化的检测单元和包括该检测单元的基板处理装置。
本发明所要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员将从本说明书和附图清楚地理解未提及的问题。
本发明的示例性实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支承和旋转基板；液体供应单元，该液体供应单元配置为向由支承单元支承的基板供应液体；激光单元，该激光单元包括激光照射单元，该激光照射单元向由该支承单元支承的基板照射激光；初始端口，该初始端口提供激光单元等待的待机位置；以及移动单元，该移动单元用于在将激光照射到基板的工艺位置与待机位置之间移动激光单元，其中，初始端口从由激光单元照射的激光检测激光特性。
根据示例性实施方案，激光特性可以包括激光的焦点分布和激光的功率。
根据示例性实施方案，初始端口可以包括：壳体，该壳体具有内部空间；轮廓测量构件，该轮廓测量构件安装在该壳体中并测量该激光的焦点分布；功率测量构件，该功率测量构件安装在该壳体中并测量该激光的功率；以及分光构件，该分光构件用于将从壳体的上部入射的激光分光到轮廓测量构件和功率测量构件。
根据示例性实施方案，可以抗反射地涂覆分光构件的面向功率测量构件的表面。
根据示例性实施方案，轮廓测量构件可以安装在壳体的侧壁上，功率测量构件可以安装在壳体的底壁上，分光构件可以设置在壳体的内部空间中，分光构件的上表面可以形成为相对于地面以第一角度向上倾斜，并且分光构件的下表面可以形成为相对于地面以第二角度向上倾斜，以及第二角度可以大于第一角度。
根据示例性实施方案，从壳体的上部入射的激光的一部分可以从上表面反射并入射到轮廓测量构件，从壳体的上部入射的另一部分可以在上表面上折射并入射到下表面上，并且入射到下表面上的激光可以入射到功率测量构件。
根据示例性实施方案，入射到功率测量构件的激光的一部分可以被反射并入射到分光构件，并且入射到分光构件的激光可以被折射。
根据示例性实施方案，基板处理设备还可以包括升降构件，该升降构件安装在初始端口的下端以移动壳体。
根据示例性实施方案，轮廓测量构件还可以包括滤光器，该滤光器用于过滤特定波长的激光。
本发明的另一示例性实施方案提供了一种用于检测照射到基板的光特性的检测单元，该检测单元包括：壳体，该壳体具有内部空间；轮廓测量构件，该轮廓测量构件安装在壳体中并测量激光特性中激光的焦点分布；功率测量构件，该功率测量构件安装在壳体中并测量激光特性中激光的功率；以及分光构件，该分光构件用于将从壳体的上部入射的激光分光到轮廓测量构件和功率测量构件。
根据示例性实施方案，轮廓测量构件可以安装在壳体的侧壁上，功率测量构件可以安装在壳体的底壁上，分光构件可以设置在壳体的内部空间，并且可以抗反射地涂覆分光构件的面向功率测量构件的表面。
根据示例性实施方案，分光构件可以具有上表面和下表面，上表面和下表面的每一者形成为相对于地面向上倾斜，并且分光构件的横截面积可以从分光构件的上端向下端增加。
根据示例性实施方案，从壳体的上部入射的激光的一部分可以从上表面反射并入射到轮廓测量构件，从壳体的上部入射的另一部分可以在上表面上折射并入射到下表面上，并且入射到下表面上的激光可以入射到功率测量构件。
根据示例性实施方案，入射到功率测量构件的激光的一部分可以被反射并入射到分光构件，并且入射到分光构件的激光可以被折射。
根据示例性实施方案，轮廓测量构件还可以包括滤光器，该滤光器用于过滤特定波长的激光。
本发明的另一个示例性实施方案提供了一种用于处理掩模的基板处理装置，该掩模包括多个单元格，该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有处理空间；支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支持和旋转掩模；液体供应单元，该液体供应单元配置为向由支承单元支承的掩模供应液体；激光单元，该激光单元包括激光照射单元，该激光照射单元向由支承单元支承的掩模照射激光；初始端口，该初始端口提供激光单元等待的待机位置；以及移动单元，该移动单元用于在将激光照射到掩模的工艺位置与待机位置之间移动激光单元，其中，初始端口从此那个由激光单元照射的激光检测激光特性。
根据示例性实施方案，初始端口可以包括：壳体，该壳体具有内部空间；轮廓测量构件，该轮廓测量构件安装在壳体中并测量激光特性中的焦点分布；功率测量构件，该功率测量构件安装在壳体中并测量激光特性中的功率；以及分光构件，该分光构件用于将从壳体的上部入射的激光分光到轮廓测量构件和功率测量构件。
根据示例性实施方案，轮廓测量构件可以安装在壳体的侧壁上，功率测量构件可以安装在壳体的底壁上，并且分光构件可以设置在壳体的内部空间中。
根据示例性实施方案，分光构件的上表面可以形成为相对于地面以第一角度向上倾斜，并且分光构件的下表面可以形成为相对于地面以第二角度向上倾斜，第二角度可以大于第一角度，并且可以抗反射地涂覆分光构件的面向功率测量构件的表面。
根据示例性实施方案，基板处理装置还可以包括升降构件，该升降构件安装在初始端口下端处以移动壳体，其中，轮廓测量构件还可以包括滤光器，该滤光器包括用于过滤特定波长的激光。
根据本发明的示例性实施方案，能够在基板上进行精确蚀刻。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，能够检测初始端口中的光特性。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，能够从初始端口中的照射光检测光的轮廓和光的功率。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，能够精确地测量光的特性。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，能够使由于折射光或散射光引起的光轮廓的测量干扰最小化。
本发明的效果不限于前述效果，并且本领域的技术人员可以从本说明书和所附的附图中清楚的理解未提及的效果。
附图说明
图1是示出了关于监测图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺度的正态分布的图。
图2是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的俯视平面图。
图3是示意性地示出了从上方观察时、图2的液体处理腔室中处理的基板的图。
图4是示意性地示出了图2的液体处理腔室的示例性实施方案的图。
图5是从上方观察的图4的液体处理腔室的图。
图6是示意性地示出了从正面观察的图4的照射模块的图。
图7是示意性地示出从顶部观察的图6的照射模块的图。
图8是示意性示出了图4的检测单元的示例性实施方案的图。
图9是示意性地示出了从正面观察的图8的分光构件的图。
图10是示意性地示出了入射到图8的壳体上部上的光的一部分入射到轮廓测量构件的状态的图。
图11是示意性示出了入射到图10的壳体上部上的光的另一部分入射到功率测量构件的状态的图。
图12是示意性示出了入射到图11的功率测量构件的光的一部分入射到分光构件的状态的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更加详细地描述本发明的示例性实施方案。本发明的示例性实施方案可以以多种形式修改，并且本发明的范围不应被解释为受下面描述的示例性实施方案的限制。示例性实施方案提供为向本领域的技术人员更完整地解释本发明。因此，附图中的组件的形状被夸大以强调更清楚的描述。
本文所使用的术语(包括技术术语和科技术语)具有与本领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义，除非这些术语被不同的定义。通用字典中所定义的术语将被解释为它们具有与相关技术上下文中的含义相匹配的含义，除非这些术语在本申请中明确定义，否则它们不应当解释为理想含义或过于正式的含义。
在下文中，将参考附图2至12更加详细地描述本发明的示例性实施方案。图2是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的俯视平面图。
参照图2，基板处理装置1包括索引模块10、处理模块20和控制器30。根据示例性实施方案，当从顶部观察时，索引模块10和处理模块20可以沿一个方向设置。
在下文中，将布置索引模块10和处理模块20的方向定义为第一方向X，当从正面看时，将垂直于第一方向X的方向定义成第二方向Y，并且将垂直于包括第一方向X和第二方向X两者的平面的方向定为第三方向Z。
索引模块10将基板M从在其中容纳基板M的容器C传送至处理基板M的处理模块20。此外，索引模块10容纳基板M，该基板在容器C中在处理模块20中已经完成预定处理。索引模块10的纵向方向可以形成在第二方向Y上。索引模块10可以具有装载端口12和索引框架14。
在其中容纳有基板M的容器C坐落在装载端口12上。装载端口12可以相对于索引框架14坐落在处理模块20的相对侧。可以设置多个装载端口12。多个装载端口12可以沿第二方向Y布置成一条线。装载端口120的数量可以根据处理模块20的处理效率和占地面积的状况等而增加或减少。
作为容器C，可以使用诸如前开式晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)的气密容器。容器C可以通过传送装置(未示出)或由操作员放置在装载端口12上，该传送装置诸如为高架传送装置、高架输送机或自动引导车辆。
索引框架14提供用于传送基板M的传送空间。索引框架14设置有索引机械手120和索引导轨124。索引机械手120传送基板M。索引机械手120可以在索引模块10与缓冲单元200(稍后将进行描述)之间传送基板M。索引机械手120包括索引手部122。基板M可以被放置在索引手部122上。索引手部122可以设置为向前且向后可移动的、绕第三方向Z可旋转的且在第三方向Z上可移动的。可以设置多个手部122。多个索引手部122可以设置为在竖直方向上彼此间隔开。多个手部122可以彼此独立地向前和向后移动。
索引导轨124设置在索引框架14内。索引导轨124的纵向方向沿第二方向Y设置。将索引机械手120放置在索引轨道124上，并且索引机械手120可以设置为在索引导轨124上沿直线可移动的。
控制器30可以控制基板处理装置1。控制器30可以控制设置到基板处理装置1的构件。控制器30可以包括工艺控制器、用户界面、显示器和存储单元，该工艺控制器由执行基板处理装置的控制的微处理器(计算机)构成，该用户界面由键盘构成，操作员在该键盘中执行命令输入操作等以便管理基板处理装置，该显示器用于视觉化并展示基板处理装置的操作状况等，并且该存储单元存储用于执行在工艺控制器的控制下在基板处理装置中执行的工艺的控制程序、或者用于根据各种数据和处理条件在各组件中执行工艺的程序(即，处理方案)。进一步地，用户界面和存储单元可以连接至工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元中的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘，也可以是便携式磁盘(诸如，CD-ROM或DVD)，或半导体存储器(诸如，闪存)。
处理模块20可以包括缓冲单元200、传送框架300、和液体处理腔室400。缓冲单元200设置有空间，装载至处理模块20的基板M以及从处理模块20卸载的基板M临时停留在该空间。传送框架300设置有用于在缓冲单元200、液体处理腔室400与干燥腔室500之间传送基板M的空间。液体处理腔室400执行通过将液体供应到基板M上来对基板M进行液体处理的液体处理工艺。干燥腔室500执行对已经完成液体处理的基板M进行干燥的干燥工艺。
缓冲单元200可以设置在索引框架14与传送框架300之间。缓冲单元200可以位于传送框架300的一端处。在其上放置基板M的狭槽(未示出)设置在缓冲单元200的内部。可以设置多个狭槽(未示出)。多个狭槽(未示出)可以设置为在第三方向6上彼此间隔开。
缓冲单元200的正面和背面是敞开的。正面是面向索引模块10的表面，并且背面是面向传送框架300的表面。索引机械手120可以通过正面接近缓冲单元200，并且传送机械手320(下面将进行描述)可以通过背面接近缓冲单元200。
传送框架300的纵向方向可以设置在第一方向X上。液体处理腔室400和干燥腔室500可以设置在传送框架300的两侧。液体处理腔室400和干燥腔室500可以设置在传送框架300的一侧上。传送框架300和液体处理腔室400可以设置在第二方向Y上。传送框架300和干燥腔室500可以设置在第二方向Y上。
根据示例性实施方案，液体处理腔室400可以设置在传送框架300的两侧上。在传送框架300的一侧处，液体处理腔室400可以在各第一方向X和第三方向Z上以A×B(A和B中的每者为1或大于1的自然数)的布置方式进行设置。
传送框架300可以包括传送机械手320和传送轨道324。传送机械手320传送基板M。传送机械手320在缓冲单元200、液体处理腔室400、与干燥腔室500之间传送基板M。传送机械手320包括传送手部322，基板M放置在该传送手部上。基板M可以放置在传送手部322上。传送手部322可以设置为向前和向后可移动的，围绕第三方向Z可旋转的，并且在第三方向Z上可移动的。设置多个手部322且彼此竖直间隔开，并且手部322可以彼此独立地向前和向后移动。
传送导轨324可以沿传送框架300的纵向方向设置在传送框架300的内部。例如，传送导轨324的纵向方向可以设置在第一方向X上。可以将传送机械手320放置在传送导轨324上，并且传送机械手320可以设置为在传送导轨324上可移动的。
图3是示意性地示出了从上方观察的图2的液体处理腔室中处理的基板的图。下文中，将参考图3来描述根据本发明的示例性实施方案在液体处理腔室400中处理的基板M。
参考图3，在液体处理腔室400中处理的物体可以是以下任一者的基板：晶圆、玻璃和光掩模。例如，根据本发明的示例性实施方案在液体处理腔室400中处理的基板M可以是光掩模，该光掩模是曝光工艺中使用的“框架”。基板M可以具有四边形形状。基板M可以是光掩模，该光掩模是曝光工艺中使用“框架”。至少一个参考标记AK可以标记在基板M上。例如，多个参考标记AK可以形成在基板M的每个边缘区域中。参考标记AK可以是用于对准基板M的标记，称为对准键(align key)。此外，参考标记AK可以是用于得到基板M的位置信息的标记。例如，拍摄单元4550(稍后将进行描述)可以通过拍摄参考标记AK来获取图像，并将获取的图像传输到控制器30。控制器30可以分析包括参考标记AK的图像以检测基板M的确切位置。另外，当传送基板M时，参考标记AK可以用于确定基板M的位置。
在基板M上可以形成单元格(cell)CE。可以形成至少一个单元格CE。例如，可以形成多个单元格CE。可以在多个单元格CE中的每一者中形成多个图案。在每个单元格CE中形成的图案可以定义为一个图案组。在每个单元格CE中形成的图案可以包括曝光图案EP(exposure pattern)和第一图案P1。
曝光图案EP可以用于在基板M上形成实际图案。第一图案P1可以是在一个单元格CE中形成的曝光图案EP的代表图案。此外，当设置有多个单元格CE时，第一图案P1可以设置为多个。例如，多个单元格CE中的每一者都可以设置有第一图案P1。然而，本发明不限于此，可以在一个单元格CE中形成多个第一图案P1。第一图案P1可以具有将相应曝光图案EP的部分进行组合的形状。第一图案P1还可以被称为监测图案。多个第一图案P1的临界尺寸的平均值可以被称为临界尺寸监测宏(Critical Dimension Monitoring Macro，CDMM)。
当操作者通过扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)检查形成在任何一个单元格CE中的第一图案P1时，可以评估形成在任何一个单元格CE中的曝光图案EP的形状是否令人满意。因此，第一图案P1可以用作用于检查的图案。与上述示例不同，第一图案P1可以是参与实际曝光工艺的曝光图案EP中的任何一者。选择性地，第一图案P1可以是同时用于检查的图案和参与实际曝光的曝光图案。
第二图案P2可以是在整个基板M上形成的曝光图案EP的代表图案。例如，第二图案P1可以具有将相应第一图案P1的部分进行组合的形状。
当操作者通过SEM检查第二图案P2时，可以评估在一个基板M上形成的曝光图案EP的形状是否令人满意。因此，第二图案P2可以用作用于检查的图案。第二图案P2可以是不参与实际曝光工艺的、用于检查的图案。第二图案P2可以是用于设置曝光装置的工艺条件的图案。第二图案P2可以被称为锚定图案。
在下文中，将详细描述根据本发明的示例性实施方案的液体处理腔室400。此外，在下文中，将基于以下实施例来描述本发明，在该实施例中，在液体处理腔室400中执行的处理是制造用于曝光工艺的掩模的工艺中的精细临界尺寸校正(Fine CriticalDimension Correction，FCC)。
装载到液体处理腔室400中并在液体处理腔室中处理的基板M可以是在其上执行了预处理的基板。装载到液体处理腔室400中的基板M的第一图案P1的临界尺寸和第二图案P2的临界尺寸可以彼此不同。根据示例性实施方案，第一图案P1的临界尺寸可以相对大于第二图案P2的临界尺度。例如，第一图案P1的临界尺寸可以具有第一宽度(例如，69nm)，而第二图案P2的临界宽度可以具有第二宽度(例如，68.5nm)。
图4是示意性地示出了图2的液体处理腔室的示例性实施方案的图。图5是从上方观察的图4的液体处理腔室的图。参见图4和图5，液体加工腔室400包括壳体410、支承单元420、处理容器430、液体供应单元440、照射模块450和初始端口460。
壳体410在其中具有空间。支承单元420、处理容器430、液体供应单元440、照射模块450和初始端口460、以及升降构件470可以设置在壳体410的内部空间中。壳体410可以设置有入口(未示出)，基板M可以通过该入口载入和取出。壳体410的内壁表面可以涂覆有对由液体供应单元440供应的化学品具有高耐腐蚀性的材料。
可以在壳体410的底表面中形成排出孔(未示出)。排出孔(未示出)可以连接到能够对壳体410的内部空间进行排出的排出构件(例如，泵)。在壳体410的内部空间中可能产生的烟气等可以通过排出孔(未示出)排出到壳体410的外部。
支承单元420支承基板M。支承单元420可以在由处理容器430(稍后将进行描述)提供的处理空间中支承基板M。支承单元420旋转基板M。支承单元420可以包括本体421、支承销422、支承轴426和驱动构件427。
本体421可以设置成板形状。本体421可以具有板形状，该板形状具有预定厚度。从顶部观察时，本体421可以具有设置为大致圆形的上表面。本体421的上表面可以具有比基板M相对更大的面积。支承销422可以安装在本体421中。
支承销422支承基板M。从顶部观察时，支承销422可以具有大致圆形。当从顶部观察时，支承销422可以具有以下形状，即对应于基板M的角区域的部分向下凹陷。支承销422可以具有第一表面和第二表面。例如，第一表面可以支承基板M的边缘区域的下部。第二表面可以面向基板M的边缘区域的侧面。因此，当基板M旋转时，基板M在横向上的移动可能由第二表面限制。
设置至少一个支承销422。例如，可以设置多个支承销422。支承销422的数量可以设置成与具有四边形形状的基板M的边缘区域的数量相对应。支承销422可以支承基板M，使得基板M的下表面和本体421的上表面彼此间隔。
支承轴426联接到本体421。支承轴426位于本体421的下方。支承轴426可以为中空轴。流体供应管线428可以形成在中空轴的内部。流体供应管线428可以向基板M的下部供应处理流体和/或处理气体。例如，处理流体可以包括化学品或冲洗液。该化学品可以是具有酸性或碱性的液体。冲洗液可以是纯水。例如，处理气体可以是惰性气体。处理气体可以干燥基板M的下部。然而，与上述实施例不同，流体供应管线428可以不设置在支承轴426内。
支承轴426可以由驱动构件427旋转。驱动构件427可以是中空电机(hollowmotor)。当驱动构件427旋转支承轴426时，与支承轴426联接的本体421可以旋转。基板M可以通过支承销422随着本体421的旋转而旋转。
处理容器430具有内部空间。处理容器430具有处理空间，在该处理空间中处理基板。根据实施例，处理容器430可以具有带有敞开顶部的处理空间。处理容器430可以具有带有敞开顶部的柱形形状。基板M可以在处理空间中进行液体处理和热处理。处理容器430可以防止向基板M供应的处理液溅射到壳体410、液体供应单元440和照射模块450。
处理容器340可以具有多个回收容器432a、432b和432c。回收容器432a，432b和432c中的每一者可以在用于处理基板M的液体中分离和回收不同液体。回收容器432a，432b和432c中的每一者可以具有回收空间，以回收用于处理基板M的液体。当从顶部观察时，回收容器432a，432b和432c中的每一者可以围绕支承单元420、以环形形状设置。当执行液体处理工艺时，通过基板M的旋转而溅射的液体通过入口引入回收空间，该入口是在相应的回收容器432a、432b和432c之间形成的间隙。可以分别将不同类型的处理液体引入回收容器432a、432b和432c中。
根据实施例，处理容器430可以包括第一回收容器432a、第二回收容器432b和第三回收容器432c。第一回收容器432a可以设置为围绕支承单元420的环形形状。第二回收容器432b可以围绕第一回收容器432a、以环形形状设置。第三回收容器432c可以围绕第二回收容器432b、以环形形状设置。
从回收容器432a、432b和432c的底部竖直向下延伸的回收管线434a、434b和434c可以分别连接到回收容器432a、432b和432c。回收管线434a、434b和434c的每一者可以分别排放通过回收容器432a、432b和432c引入的处理液。排放的处理液可以通过外部处理液体再生系统(未示出)重新使用。
处理容器430联接至升降构件436。升降构件436可以移动处理容器430。例如，升降构件436可以改变处理容器430在第三方向Z上的位置。升降构件436可以是在竖直方向上移动处理容器430的驱动设备。当在基板M上执行液体处理和/或热处理的情况下，升降构件436可以在向上方向上移动处理容器430。当将基板M装载到内部空间时、或者当基板M从内部空间卸载时，升降构件436可以在向下方向上移动处理容器430。
液体供应单元440可以将液体供应到基板M上。液体供应单元440可以供应用于液体处理基板M的处理液体。液体供应单元440可以向由支承单元420支承的基板M供应处理液体。例如，液体供应单元440可以向基板M供应处理液，在该基板M上形成有在多个单元格CE中形成的第一图案P1且在形成单元格CE的区域之外形成的第二图案P。
处理液可以设置为蚀刻液或冲洗液。蚀刻液可以为化学品。蚀刻液可以蚀刻形成在基板M上的图案。蚀刻液可以称为蚀刻剂。蚀刻剂可以是含有过氧化氢和其中混合有氨、水和添加剂的混合物的液体。冲洗液可以清洁基板M。该冲洗液可以设置为已知化学液。
参见图5，液体供应单元440可以包括喷嘴441、固定体442、旋转轴443和旋转构件444。喷嘴441可以向由支承单元420支承的基板M供应处理液。喷嘴441的一端可以连接到固定体442，并且喷嘴441另一端可以从固定体442朝向基板M延伸。喷嘴441可以在第一方向X上从固定体442延伸。喷嘴44的另一端可以在朝向由支承单元420支承的基板M的方向上以预定角度弯曲和延伸。
喷嘴441包括第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c。第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的任一者可以供应上述处理液中的化学品。此外，第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的另一者可以供应上述处理液中的冲洗液。第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的另一者可以供应与由第一喷嘴441a、第二嘴441b和第三嘴441c的任一者供应的化学品不同类型的化学品。
固定体442可以固定并支承喷嘴441。固定体442可以连接到旋转轴443，该旋转轴通过旋转构件444基于第三方向Z旋转。当旋转构件444旋转旋转轴443时，固定体442可以绕第三方向Z旋转。因此，喷嘴441的排放端口可以在液体供应位置与待机位置之间移动，该液体供应位置是向基板M供应处理液的位置，该待机位置是不向基板M供应处理液的位置。
图6是示意性地示出了从正面观察的图4的照射模块的图。图7是示意性地示出从顶部观察的图6的照射模块的图。
参见图6和图7，照射模块450可以向基板M发射光。例如，照射模块450可以对基板M执行热处理。此外，照射模块450可以拍摄图像和/或拍摄基板M被热处理的图像。照射模块450可以包括壳体4510、移动单元4520、激光单元4530和拍摄单元4540。
壳体4510在其中具有安装空间。激光单元4530和拍摄单元4540可以位于壳体4510的安装空间中。例如，激光单元4530、照相机单元4542和照明单元4544可以位于壳体4510的安装空间中。壳体4510保护激光单元4530和拍摄单元4540免受在该工艺期间产生的颗粒、烟气或溅射的液滴的影响。
开口可以形成在壳体4510的下部中。照射端4535(稍后将进行描述)可以插入壳体4510的开口中。当照射端4535插入壳体4510的开口中时，照射端4535的一端可以从壳体4510的下端突出。例如，筒(barrel)4537(稍后将进行描述)的一部分可以从壳体4510的下端突出。
移动单元4520移动壳体4510。移动单元4520通过移动壳体4510来移动照射端4535(稍后将进行描述)。移动单元4520可以包括驱动器4522、轴4524和移动构件4526。
驱动器4522可以是电机。驱动器4522可以连接到轴4524。驱动器4522可以在竖直方向上移动轴4524。驱动器4522可以旋转轴4524。例如，可以设置多个驱动器4522。多个驱动器4522中的任一者可以设置为用于旋转轴4524的旋转电机，并且多个驱动器4522中的另一者可以设置为用于在竖直方向上移动轴4524的线性电机。
轴4524可以连接到壳体4510。轴4524可以通过移动构件4526连接到壳体4510。当轴4524旋转时，壳体4510也可以旋转。因此，照射端4535(稍后将进行描述)的位置也可以改变。例如，照射端4535的位置可以在第三方向Z上改变。此外，照射端4535的位置可以在作为旋转轴的第三方向Z上改变。
当从顶部观察时，照射端4535的中心可以朝向轴4524的中心弧形地移动。当从顶部观察时，可以移动照射端4535的中心以穿过由支承单元420支承的基板M的中心。照射端4535可以通过移动单元4520在工艺位置与待机位置之间移动，在工艺位置激光L被照射到基板M，在待机位置基板等待而不在基板M上执行热处理。初始端口460(稍后将进行描述)位于待机位置。
移动构件4526可以设置在壳体4510与轴4524之间。移动构件4526可能是LM导向件。移动构件4526可以横向地移动壳体4510。移动构件4526可以在第一方向X和/或第二方向Y上移动壳体4510。照射端4535的位置可以由驱动器4522和移动构件4526进行各种改变。
激光单元4530可以加热基板M。激光单元4530可以加热由支承单元支承的基板M。激光单元4530可以加热基板M的部分区域。激光单元4530可以加热基板M的特定区域。激光单元4530可以供应有化学品以加热在其上形成液膜的基板M。激光单元4530可以加热形成在基板M上的图案。激光单元4530可以加热第一图案P1和第二图案P2中的任一者。激光单元4530可以加热第一图案P1与第二图案P2之间的第二图案P2。根据示例性实施方案，激光单元4530可以通过照射激光L来加热第二图案P2。
激光单元4530可以包括激光照射单元453，束扩展器4532，倾斜构件4533，下部反射构件4534和透镜构件4535。激光照射单元4531照射激光L。激光照射单元4531可以照射具有直线度的激光L。从激光照射单元4531照射的激光L可以依次通过将在下面进行描述的下部反射构件4534和透镜构件4535照射到基板M。例如，从激光照射单元4531照射的激光L可以依次通过下部反射构件4534和透镜构件4535照射到形成在基板M上的第二图案P2。
束扩展器4532可以控制从激光照射单元4531照射的激光L的特性。束扩展器4532可以调整从激光照射单元4531照射的激光L的形状。此外，束扩展器4532可以调整从激光照射单元4531照射的激光的轮廓。例如，可以在束扩展器4532中改变从激光照射单元4531照射的激光L的直径。由激光照射单元4531照射的激光L的直径可以在束扩展器4532中扩大或缩小。
倾斜构件4533可以使由激光照射单元4531照射的激光L的照射方向倾斜。倾斜构件4533可以使激光照射单元4531绕一个轴线旋转。倾斜构件4533可以通过旋转激光照射单元4531使从激光照射单元4531照射的激光L的照射方向倾斜。倾斜构件4533可以包括电机。
下部反射构件4534可以改变从激光照射单元4531照射的激光L的照射方向。例如，下部反射构件4534可以将在水平方向上照射的激光L的照射方向改变为竖直向下方向。例如，下部反射构件4534可以将激光L的照射方向改变为朝向照射端4535的方向，这将在下面进行描述。由下部反射构件4534折射的激光L可以通过透镜构件4535(稍后将进行描述)被传输到基板M或检测单元4640，该基板为待处理物体，该检测单元设置在初始端口460(稍后将进行描述)的内部。
当从顶部观察时，可以将下部反射构件4534定位为与上部反射构件4548(稍后将进行描述)重叠。下部反射构件4534可以设置在上部反射构件4548的下方。下部反射构件4534可以以与上部反射构件4548相同的角度倾斜。
透镜构件4535可以包括透镜4536和筒4537。例如，透镜4536可以是物镜。筒4537可以安装在透镜的下端。筒4537可以具有大致柱形形状。筒4537可以插入形成在壳体4510的下端处的开口中。筒4537的一端可以定位成从壳体4510的下端突出。
透镜构件4535可以用作照射端4535，激光L通过该照射端照射到基板M。由激光单元4530照射的激光L可以通过照射端4535照射到基板M。照相机单元4542的图像拍摄可以通过照射端4535来提供。由照明模块4544照射的光可以通过照射端4535来提供。
拍摄单元4540可以拍摄从激光单元4530照射的激光L。拍摄单元4540可以获取从激光模块4330将激光L照射到的区域的图像(例如，图像和/或照片)。拍摄单元4540可以监测从激光照射单元4531照射的激光L。拍摄单元4540可以获取从激光照射单元4531照射的激光L的图像和/或视频。
拍摄单元4540可以监测激光L的信息。例如，拍摄单元4540可以监测激光L的直径信息。另外，拍摄单元4540可以监测激光L的中心信息。另外，拍摄单元4540可以监测激光L的轮廓信息。拍摄单元4540可以包括照相机单元4542，照明单元4544和上部反射构件4548。
照相机单元4542获取从激光照射单元4531照射的激光L的图像。例如，照相机单元4542可以获取包括点的图像，从激光照射单元4531照射的激光L照射到该点。此外，照相机单元4542获取由支承单元420支承的基板M的图像。
照相机单元4542可以是相机。照相机单元4542获取图像的拍摄方向可以面向上部反射构件4548，这将在下面进行描述。照相机单元4542可以将获取的图像传输到控制器30。
照明单元4544可以提供光，使得照相机单元4542能够获取图像。照明单元4544可以包括照明构件4545，第一反射板4546和第二反射板4547。照明构件4545照射光。照明构件4545提供光。由照明构件4545提供的光可以沿第一反射板4546和第二反射板4547顺序反射。由照明构件4545提供的光可以从第二反射板4547反射，并且可以在朝向上部反射构件4548(稍后将进行描述)的方向上进行照射。
上部反射构件4548可以改变照相机单元4542的拍摄方向。例如，上部反射构件4548可以将照相机单元4542的拍摄方向(其是水平方向)改变为竖直向下方向。例如，上部反射构件4548可以将照相单元4542的拍摄方向改变为面向照射端4535。上部反射构件4548可以将来自照明构件4545的、依次穿过并传输通过第一反射板4546和第二反射板4547的光的照射方向从水平方向改变为竖直向下方向。例如，上部反射构件4548可以将照明单元4544的光的照射方向改变为朝向照射端4535。
当从上方观察时，上部反射构件4548和下部反射构件4534可以定位为彼此重叠。上部反射构件4548可以设置在下部反射构件4534的上方。上部反射构件4548和下部反射构件4534可以以相同角度倾斜。上部反射构件4548和下部反射构件4534可以设置为使得从上面观察时，由激光照射单元4531照射的激光L的照射方向、照相机单元4542获取图像的拍摄方向、以及由照明单元4544提供的光的照射方向是同轴的。
图8是示意性示出了图4的检测单元的示例性实施方案的图。图9是示意性地示出了从正面观察的图8的分光构件的图。在下文中，将参考图8和图9详细描述根据本发明示例性实施方案的初始端口和检测单元。
参照图8，初始端口460位于壳体410的内部空间中。当照射端4535通过移动单元4520而处于待机位置时，初始端口460可以安装在照射端455的下方区域中。也就是说，初始端口460提供激光单元4530等待的待机位置。初始端口460可以包括壳体4620和检测单元4640。
壳体4620在其中具有安装空间。轮廓测量构件4650(稍后将进行描述)可以安装在壳体4620的侧表面上。功率测量构件4660(稍后将进行描述)可以安装在壳体4620的底部上。分光构件4670(稍后将进行描述)可以安装在壳体4620的内部安装空间中。壳体4620的上部可以是敞开的。当照射端4535处于待机位置时，照射端455可以位于壳体4620的上方。
与上面描述的不同，壳体4620的上部没有敞开，并且可以在壳体4620的上部形成开口。当照射端4535处于待机位置时，在壳体4620的上部中形成的开口可以形成在与照射端455的中心相对应的区域中。
检测单元4640位于壳体4620内部的安装空间中。检测单元4640检测由激光单元4530照射的激光L中的激光L的特性。检测单元4640可以包括轮廓测量构件4650、功率测量构件4660和分光构件4670。
轮廓测量构件4650安装在壳体4620内部的安装空间中。例如，轮廓测量构件4650可以安装在壳体4620的一个侧壁上。轮廓测量构件4650测量从激光单元4530照射的激光L的特性中的激光L的焦点分布。例如，轮廓测量构件4650可以从分光构件4670(稍后将进行描述)分光的第一光L1测量由激光单元4530照射的激光L的焦点分布。
焦点分布可以指光分布。激光L中包含的激光L的分布区域、激光L的强度、激光L的均匀性或激光L的尺寸的数据都可以从焦距分布中获得。
轮廓测量构件4650可以包括衰减过滤器4652。衰减过滤器4652可以设置为仅允许具有特性带的波长通过的过滤器，该波长包括在由分光构件4670(稍后将进行描述)分光的第一光L1中。选择性地，衰减过滤器4652也可以设置为仅反射具有特定带的波长的过滤器，该波长包括在由分光构件4670分光的第一光L1中。衰减过滤器4652可以被各种修改并提供为已知的滤光器。
功率测量构件4660安装在壳体4620内部的安装空间中。例如，功率测量构件4660可以安装在壳体4620的底壁上。功率测量构件4660在测量自激光单元4530照射的激光L的特性中激光L的功率。例如，功率测量构件4660可以从分光构件4670(稍后将进行描述)分光的第二光L2测量由激光单元4530照射的激光L的功率。
分光构件4670位于壳体4620内部的安装空间中。分光构件4670由构件(未示出)定位在壳体4620内的安装空间中。例如，分光元件4670位于壳体4620的安装空间中，但是可以与壳体4620的底壁和侧壁间隔开。
分光构件4670具有上表面和下表面。当从顶部观察时，可以在与照射端4535重叠的位置处形成分光构件4670的上表面。例如，当从顶部观察时，可以将分光构件4670的上表面定位为与照射端4535的中心重叠。当从侧面观察时，分光构件4670的上表面形成为倾斜的。例如，当从侧面观察时，分光构件4670的上表面可以形成为相对于地面以第一角度A1向上倾斜。
从照射端4535照射的激光L在分光构件4670的上表面上被分光的第一光L1和第二光L2。根据示例性实施方案，第一光L1可以是已从照射端4535照射的、从分光构件4670的上表面反射的光。第二光L2可以是已从照射端4535照射的、在分光构件4670的上表面上折射的光。
第一角度A1可以形成为以下角度，即，在该角度处，从照射端4535照射的激光L中、从分光构件4670的上表面反射的第一光L1可以入射到轮廓测量构件4650。
分光构件4670的下表面形成为面向功率测量构件4660。当从上方观察时，分光构件4670的下表面设置在与功率测量构件4660重叠的位置处。当从侧面观察时，分光构件4670的下表面形成为倾斜的。例如，当从侧面观察时，分光构件4670的下表面可以形成为相对于地面以第二角度A2向上倾斜。根据实施例，第二角度A2可以大于第一角度A1。
第二角度A2可以形成为以下角度，即，在该角度处，从照射端4535照射的激光L中、从分光构件4670的上表面折射的第二光L2在分光构件46的下表面上再次折射并入射到功率测量构件4660。因此，分光构件4670可以将从壳体4620的上部入射的激光L分光到轮廓测量构件4650和功率测量构件4660。
分光构件4670的下表面可以用抗反射涂层处理。激光L可以不在分光构件4670的下表面上反射。例如，激光L可以在分光构件4670的下表面上折射但不反射。
升降构件470设置在壳体410中。升降构件470可以联接到初始端口460。升降构件470可以安装在壳体4620的下端。升降构件470改变壳体4620的位置。例如，升降构件470可以竖直地移动壳体4620。升降构件470可以将壳体4620移动到预设高度。
图10是示意性地示出了入射到图8的壳体上部上的光的一部分入射到轮廓测量构件的状态的图。图11是示意性示出了入射到图10的壳体上部上的光的另一部分入射到功率测量构件的状态的图。图12是示意性示出了入射到图11的功率测量构件的光的一部分入射到分光构件的状态的图。
在下文中，将参考图10至图12详细描述根据本发明的示例性实施方案的用于检测从激光单元4530照射的激光L的特性的机制。
参考图10，激光单元4530的照射端4535可以位于待机位置。照射端4535可以位于作为待机位置的初始端口460的顶部。照射端4535所在的待机位置可以是当从顶部观察时与分光构件4670重叠的位置。在照射端4535定位在待机位置处之后，激光单元4530在朝向分光构件4670的方向上照射激光L。
作为朝向分光构件4670照射的激光L的一部分的第一光L1从分光构件4670的上表面反射并朝向轮廓测量构件4650行进。例如，作为朝向分光构件4670照射的激光L的一部分的第一光L1从以第一倾斜角D1倾斜的分光构件4670的上表面反射并朝向轮廓测量构件4650行进。
第一光L1穿过衰减过滤器4652并入射到轮廓测量构件4650。可以从入射到轮廓测量构件4650的第一光L1来测量由激光单元4530照射的激光L的焦点分布。也就是说，可以从第一光L1测量由激光单元4530照射的激光L的轮廓。例如，轮廓测量构件4650可以从第一光L1获得用于包括在激光L中的激光L的分布区域、激光L的强度、激光L均匀性或激光L的尺寸的数据。
参考图11，作为朝向分光构件4670照射的激光L的另一部分的第二光L1从分光构件4670的上表面折射并入射到分光构件4670的下表面上。入射到分光构件4670的下表面上的第二光L2从以第二倾斜角D2倾斜的分光构件46的下表面折射并朝向功率测量构件4660行进。
第二光L2入射到功率测量构件4660。可以从入射到功率测量构件4660的第二光L2来测量由激光单元4530照射的激光L的功率。也就是说，由激光单元4530照射的激光L的功率的绝对值可以通过功率测量构件4660测量。
参照图12，入射到功率测量构件4660的第二光L2的一部分可以被功率测量构件460反射。在下文中，入射到功率测量构件4660的第二光L2中由功率测量构件460反射的光被定义为噪声光(noise light)L3。
噪声光L3被功率测量构件4660反射并向分光构件4670行进。噪声光L3入射到分光构件4670的下表面上。根据本发明的示例性实施方案，由于分光构件4670的下表面涂覆有不反射光的材料，所以防止了噪声光L3再次从分光构件46的下表面反射。因此，防止噪声光L3通过分光构件4670再次进入轮廓测量构件4650。也就是说，根据本发明的示例性实施方案的分光构件4670折射从功率测量构件4660反射的噪声光L3而不反射。
另外，根据本发明的示例性实施方案，分光构件4670的下表面可以形成有第二倾斜角D2。因此，入射到分光构件4670的下表面上的噪声光L3被折射并入射到分光构件46的上表面上。
噪声光L3入射到分光构件4670的上表面上的位置与从照射端4535照射的激光L入射到分光构件4670上表面的位置不同。这是因为根据本发明的示例性实施方案的分光构件4670的下表面设置有相对于地面向上倾斜的第二倾斜角D2。
入射到分光构件4670的上表面上的噪声光L3在形成有第一倾斜角D1的分光构件46的上表面上折射。从分光构件4670的上表面折射的噪声光L3向轮廓测量构件4650的外部区域行进。在分光构件4670的上表面上折射的噪声光L3不入射到轮廓测量构件4650。
根据本发明的上述示例性实施方案，检测单元4640设置到初始端口460，在基板M上没有执行工艺处理的情况下，在该初始端口中激光单元4530等待以优先检测工艺处理所需的激光L的特性。基于检测到的激光L的特性，能够通过调节激光L的特性来控制基板M的有效处理所需的激光L的特性。因此，能够有效地在基板M上执行热处理。
通常，从激光L检测到的关于测量分布的数据仅可以评估激光L的相对功率值，并且不能用作指示激光L的绝对功率值的指标。根据本发明的实施例，可以同时测量初始端口460处激光L的焦点分布和功率。此外，通过提供用于测量激光L的焦点分布的轮廓测量构件4650和用于测量激光L的功率的功率测量构件4660，能够精确地检测和测量激光L的焦点分布和功率。因此，能够通过使用测量的激光L的特性来精确地控制执行工艺所需的激光L特性。
从功率测量构件4660再次反射的噪声光L3不可以与从激光单元4530照射的激光L的特性匹配。也就是说，噪声光L3可以表现出通过反射和折射而扭曲的激光L的特性。根据本发明的示例性实施方案的检测单元4640，分光构件4670的上表面和下表面形成为以不同角度倾斜，并且抗反射地涂覆分光构件4670的下表面，使得可以防止扭曲的激光L入射到测量激光L的焦点分布的轮廓测量构件4650。因此，可以检测从激光单元4530照射的激光L的准确焦点分布和功率中的每一者。
在本发明的上述示例性实施方案中，作为实施例，基于在具有第一图案P1和第二图案P2的基板M中改善了第二图案P2的蚀刻速率的情况来描述本发明，第一图案P1为用于监测曝光图案的监测图案，第二图案P2为用于设定处理基板条件的图案。然而，与此不同，第一图案P1和第二图案P2的功能可以不同于本发明的上述示例性实施方案的功能。此外，根据本发明的示例性实施方案，可以仅设置第一图案P1和第二图案P2中的一者，并且能够改善在第一图案P1与第二图案P2之间提供的一个图案的蚀刻速率。此外，根据本发明的示例性实施方案，能够应用相同的方法来改善除光掩模之外的基板(例如，晶圆或玻璃)中的特定区域的蚀刻速率。
前述详细的描述说明了本发明。进一步地，以上内容展示并描述了本发明的示例性实施方案，并且本发明可以用于各种其他结合、修改和环境中。即，在本说明书中所公开的发明构思的范围、与本公开的发明构思等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或修正。前述示例性实施方案描述了实施本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的具体应用领域和用途中所需的各种改变是可能的。因此，本发明的上述详细描述并不旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方案。进一步地，所附权利要求也应被解释为包括其他示例性实施方案。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
支承单元，所述支承单元配置为在处理空间中支承并旋转基板；
液体供应单元，所述液体供应单元配置为向由所述支承单元支承的所述基板供应液体；
激光单元，所述激光单元包括激光照射单元，所述激光照射单元向由所述支承单元支承的所述基板照射激光；
初始端口，所述初始端口提供所述激光单元等待的待机位置；以及
移动单元，所述移动单元用于在将所述激光照射至所述基板的工艺位置与所述待机位置之间移动所述激光单元，
其中，所述初始端口从由所述激光单元照射的所述激光检测所述激光的特性。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述激光所述特性包括所述激光的焦点分布和所述激光的功率。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述初始端口包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；
轮廓测量构件，所述轮廓测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的所述焦点分布；
功率测量构件，所述功率测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的所述功率；以及
分光构件，所述分光构件用于将从所述壳体的上部入射的所述激光分光到所述轮廓测量构件和所述功率测量构件。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，抗反射地涂覆所述分光构件的面向所述功率测量构件的表面。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述轮廓测量构件安装在所述壳体的侧壁上，
所述功率测量构件安装在所述壳体的底壁上，
所述分光构件设置在所述壳体的所述内部空间中，
所述分光构件的上表面形成为相对于地面以第一角度向上倾斜，并且所述分光构件的下表面形成为相对于所述地面以第二角度向上倾斜，以及
所述第二角度大于所述第一角度。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，从所述壳体的所述上部入射的所述激光的一部分从所述上表面反射并入射到所述轮廓测量构件，
从所述壳体的所述上部入射的所述激光的另一部分在所述上表面上折射并入射到所述下表面上，并且
入射到所述下表面上的所述激光入射到所述功率测量构件。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，入射到所述功率测量构件的所述激光的一部分被反射并入射到所述分光构件，并且入射到所述分光构件的所述激光被折射。
8.根据权利要求3所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：
升降构件，所述升降构件安装在所述初始端口的下端以移动所述壳体。
9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述轮廓测量构件还包括滤光器，所述滤光器用于过滤特定波长的所述激光。
10.一种检测单元，所述检测单元用于检测照射至基板的光的特性，所述检测单元包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；
轮廓测量构件，所述轮廓测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的特性中的所述激光的焦点分布；
功率测量构件，所述功率测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的特性中的所述激光的功率；以及
分光构件，所述分光构件用于将从所述壳体的上部入射的激光分光到所述轮廓测量构件和所述功率测量构件。
11.根据权利要求10所述的检测单元，其中，所述轮廓测量构件安装在所述壳体的侧壁上，
所述功率测量构件安装在所述壳体的底壁上，
所述分光构件设置在所述壳体的所述内部空间中，并且
抗反射地涂覆所述分光构件的面向所述功率测量构件的表面。
12.根据权利要求11所述的检测单元，其中，所述分光构件具有上表面和下表面，所述上表面和所述下表面的每一者形成为相对于地面向上倾斜，并且
所述分光构件的截面面积从所述分光构件的上端到下端增加。
13.根据权利要求12所述的检测单元，其中，从所述壳体的所述上部入射的所述激光的一部分从所述上表面反射并入射到所述轮廓测量构件，
从所述壳体的所述上部入射的所述激光的另一部分在所述上表面上折射并入射到所述下表面上，并且
入射到所述下表面上的所述激光入射到所述功率测量构件。
14.根据权利要求13所述的检测单元，其中，入射到所述功率测量构件的所述激光的一部分被反射并入射到所述分光构件，并且入射到所述分光构件的所述激光被折射。
15.根据权利要求10所述的检测单元，其中，所述轮廓测量构件还包括滤光器，所述滤光器用于过滤特定波长的所述激光。
16.一种基板处理装置，所述基板处理装置用于处理包括多个单元格的掩模，所述基板处理装置包括：
壳体，所述壳体具有处理空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承并旋转掩模；
液体供应单元，所述液体供应单元配置为向由所述支承单元支承的所述掩模供应液体；
激光单元，所述激光单元包括激光照射单元，所述激光照射单元向由所述支承单元支承的所述掩模照射激光；
初始端口，所述初始端口提供所述激光单元等待的待机位置；以及
移动单元，所述移动单元用于在将所述激光照射至所述掩模的工艺位置与所述待机位置之间移动所述激光单元，
其中，所述初始端口从由所述激光单元照射的所述激光检测所述激光的特性。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，所述初始端口包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；
轮廓测量构件，所述轮廓测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的特性中的焦点分布；
功率测量构件，所述功率测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的特性中的功率；以及
分光构件，所述分光构件用于将从所述壳体的上部入射的所述激光分光到所述轮廓测量构件和所述功率测量构件。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，所述轮廓测量构件安装在所述壳体的侧壁上，
所述功率测量构件安装在所述壳体的底壁上，并且
所述分光构件设置在所述壳体的所述内部空间中。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，所述分光构件的所述上表面形成为相对于地面以第一角度向上倾斜，并且所述分光构件的所述下表面形成为相对于所述地面以第二角度向上倾斜，
所述第二角度大于所述第一角度，
抗反射地涂覆所述分光构件的面向所述功率测量构件的表面。
20.根据权利要求16所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：
升降构件，所述升降构件安装在所述初始端口的下端以移动所述壳体，
所述轮廓测量构件还包括滤光器，所述滤光器用于过滤特定波长的所述激光。
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