CN116364623A - 基板处理设备和基板处理方法 - Google Patents

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姜信华
吴承彦
朴永镐
柳相铉
金光燮
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Semes Co Ltd
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Abstract

公开了一种用于处理基板的方法，在所述基板上形成有多个参考标记和图案。所述方法包括：工艺准备操作；位置信息获取操作，其获取关于所述图案的实际位置的信息；以及工艺执行操作，其将处理液体供应到所述基板，并通过将激光照射到被施加有所述处理液体的所述基板上的所述图案来加热所述基板，所述位置信息获取操作包括获取关于所述多个参考标记中的至少三个参考标记的实际位置的信息，并通过所述参考标记的实际位置的信息来获取所述图案的实际位置的信息。

Description

基板处理设备和基板处理方法
技术领域
本文描述的本发明构思的实施例涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法。
背景技术
为了制造半导体器件，在基板(诸如晶片)上进行各种工艺，诸如照相、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积。在这些工艺中，会使用各种处理液体和处理气体。此外，为了从基板移除用于处理基板的处理液体，进行干燥基板的工艺。
用于在晶片上形成图案的照相工艺包括曝光工艺。曝光操作是将附着在晶片上的半导体材料直接刮成图案的初步操作。曝光工艺可以具有多种目的，诸如形成用于蚀刻的图案和形成用于离子注入的图案。在曝光工艺中，通过使用作为一种框架的掩模用光在晶片上绘制图案。当晶片上的半导体集成材料(例如，晶片上的抗蚀剂)直接暴露于光时，抗蚀剂的化学性质根据光和掩模的图案而改变。当向其化学性质根据图案而改变的抗蚀剂供应显影液时，在晶片上形成图案。
为了精确地执行曝光工艺，应精确地制造形成在掩模上的图案。为了识别图案是否具有期望的形状以及图案是否精确形成，操作者通过使用诸如扫描电子显微镜(SEM)的检查装备来检查形成的图案。然而，因为在一个掩模中形成多个图案，所以为了检查一个掩模，必须检查所有的多个图案。因此，必须花费很多时间来检查掩模。
因此，可以表示包括多个图案的一个图案组的监控图案形成在掩模上。此外，可以表示多个图案组的锚定图案形成在掩模上。操作者可以通过检查锚定图案来估计在掩模上形成的图案的质量。此外，操作者可以通过检查监控图案来估计一个图案组中包括的图案的质量。
以这种方式，通过形成在掩模中的监控图案和锚定图案，操作者可以有效地缩短检查掩模的时间。然而，为了提高掩模检查的精度，优选的是监控图案和锚定图案的线宽相同。
当执行蚀刻以使监控图案和锚定图案的线宽相同时，图案可能被过度蚀刻。例如，监控图案的线宽的蚀刻速率与锚定图案的线宽的蚀刻速率之间可能会出现多次差异，并且在重复地蚀刻监控图案和/或锚定图案以减小差异的工艺中，可能会在监控图案的线宽和锚定图案的线宽中发生过度蚀刻。当精确地执行蚀刻工艺以最小化过度蚀刻时，在蚀刻工艺中会花费很多时间。因此，附加地执行用于精确校正形成在掩模中的图案的线宽的线宽校正工艺。
图1示出了在掩模制造工艺中，在执行线宽校正工艺之前，掩模的监控图案的第一线宽CDP1和锚定图案的第二线宽CDP2的正态分布。此外，第一线宽CDP1和第二线宽CDP2是小于目标线宽的线宽。在执行线宽校正工艺之前，监控图案和锚定图案的线宽(临界尺寸)故意有偏差。此外，通过在线宽校正工艺中附加地蚀刻锚定图案，使两个图案的线宽相同。
在附加地蚀刻锚定图案的工艺中，当锚定图案比监控图案蚀刻更多时，监控图案和锚定图案的线宽变得不同，从而无法校正掩模中形成的图案的线宽。因此，当附加地蚀刻锚定图案时，必须精确蚀刻锚定图案。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种可以有效地处理基板的基板处理设备以及一种基板处理方法。
本发明构思的实施例提供了一种可以使形成在基板上的图案的线宽均匀的基板处理设备以及一种基板处理方法。
本发明构思的实施例提供了一种可以精确蚀刻形成在基板上的特定图案的基板处理设备及一种基板处理方法。
本发明构思要解决的问题不限于上述问题，并且本发明构思的实施例所属领域的技术人员可以从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。
本发明构思的实施例提供了一种用于处理基板的方法，其中在基板上形成有多个参考标记和图案。该方法包括：工艺准备操作；位置信息获取操作，其获取关于图案的实际位置的信息；以及工艺执行操作，其将处理液体供应到基板，并通过将激光照射到被施加有所述处理液体的基板上的图案来加热基板，
位置信息获取操作包括获取关于多个参考标记中的至少三个参考标记的实际位5置的信息，并通过参考标记的实际位置的信息来获取图案的实际位置的信息。
本发明构思的实施例提供了一种用于处理基板的方法，其中在基板上形成有多个参考标记和图案。该方法包括：工艺准备操作；液体处理操作，其将处理液体供应到基板；位置信息获取操作，其获取关于图案的实际位置的信息；
以及加热操作，其通过将激光照射到被施加有所述处理液体的基板上的图案来0加热基板，位置信息获取操作包括获取关于多个参考标记中的至少三个参考标记的实际位置的信息，并通过参考标记的实际位置的信息来获取图案的实际位置的信息。
位置信息获取操作可以包括：推导出形成在基板上的第一参考标记的实际坐标的第一参考标记搜索操作，推导出形成在基板上的第二参考标记的实际坐5标的第二参考标记搜索操作和推导出形成在基板上的第三参考标记的实际坐标的第三参考标记搜索操作。
第一参考标记搜索操作可以包括：将照射激光的加热单元旋转特定角度，通过旋转支撑基板的支撑单元而将第一参考标记定位在加热单元照射端下方的
基板上，搜索第一参考标记，以及基于加热单元的位移和支撑单元的位移推导0出第一参考标记实际位置的坐标。
第二参考标记搜索操作可以包括：通过旋转支撑单元将第二参考标记定位在加热单元照射端下方的基板上，搜索第二参考标记，以及基于加热单元的位移和支撑单元的位移推导出第二参考标记实际位置的坐标。
第三参考标记搜索操作可以包括：通过旋转支撑单元将第三参考标记定位5在加热单元照射端下方的基板上，搜索第三参考标记，以及基于加热单元的位移和支撑单元的位移推导出第三参考标记实际位置的坐标。
工艺准备操作可以包括：识别向基板照射激光的加热单元以及支撑并旋转基板的支撑单元是否能够操作。
工艺准备操作可以包括识别向基板供应处理液体的液体供应单元的处理液体是否能够被排放。
图案可以包括第一图案和不同于第一图案的第二图案，并且激光可以照射至第二图案。
通过向第二图案照射激光，可以最小化第一图案的线宽和第二图案的线宽之间的偏差。
加热单元可以包括图像模块，该图像模块监控激光照射的点，并且图像模块可以搜索参考标记。
本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备。基板处理设备包括：支撑单元，其支撑并旋转基板；液体供应单元，其向由支撑单元支撑的基板供应处理液体；加热单元，其包括向被施加有处理液体的的基板上的图案照射激光的激光模块，以及监控激光照射到的点的图像模块；以及控制器，在所述基板上形成多个参考标记，图像模块获取多个参考标记中至少三个参考标记的实际位置，并通过参考标记的实际位置推导出图案的实际位置，以及激光模块将激光照射到基板的图案的实际位置。
在液体供应单元向基板供应处理液体之前，图像模块可以推导出基板的实际位置。
在液体供应单元向基板供应处理液体之后，图像模块可以推导出基板的实际位置。
图像模块可以顺序搜索形成在基板上的第一参考标记至第三参考标记的实际坐标。
控制器可以将加热单元旋转特定角度，使得在搜索第一参考标记的实际坐标时，加热单元移动至基板上的搜索区域。
控制器可以旋转其上坐置有所述基板的支撑单元，使得当搜索第一参考标记的实际坐标时，基板上的第一参考标记位于加热单元的照射端下方。
在搜索第一参考标记之后，图像模块可以基于加热单元的位移和支撑单元的位移，推导出第一参考标记的实际位置。
在推导出第一参考标记的实际位置后，控制器可以控制加热单元和支撑单元，以推导出第二参考标记的实际位置。控制器可以旋转其上坐置有所述基板的支撑单元，使得当搜索第二参考标记的实际坐标时，基板上的第二参考标记位于加热单元的照射端下方，并且图像模块可以基于加热单元的位移和支撑单元的位移来推导出第二参考标记的实际位置。
在推导出第二参考标记的实际位置后，控制器可以控制加热单元和支撑单元，以推导出第三参考标记的实际位置。控制器可以旋转其上坐置有所述基板的支撑单元，使得当搜索第三参考标记的实际坐标时，基板上的第三参考标记位于加热单元的照射端下方，并且图像模块可以基于加热单元的位移和支撑单元的位移来推导出第三参考标记的实际位置。
图案可以包括监控图案和锚定图案，并且加热单元可以将激光照射至锚定图案。
附图说明
根据参考以下附图的以下描述，上述和其他目的和特征将变得明显，其中除非另有说明，否则相同的附图标记在各个图中是指相同的部分，并且其中：
图1是示出监控图案的线宽和锚定图案的线宽的正态分布的视图；
图2是示意性地展示了根据本发明构思的实施例的基板处理设备的平面视图；
图3是示意性地示出在图2的液体处理室中处理的基板的外观的视图；
图4是示意性地示出图2的液体处理室的实施例的视图；
图5是从顶部观察时的图4的液体处理室的视图；
图6是示出图4的加热单元的主体、激光模块、图像模块和光学模块的外观的视图；
图7是当从顶部观察时图6的图像模块的视图；
图8是示出图4的液体处理室的误差识别单元和支撑单元的视图；
图9是当从顶部观察时图8的误差识别单元的视图；
图10是展示了根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图；
图11是示出在图10的工艺准备操作中通过基板处理设备识别激光的照射位置和预设目标位置之间的误差的外观的视图；
图12是图10的位置信息获取操作的流程图；
图13是图12的位置信息获取操作的流程图；
图14和图15是示出执行图12和图13的第一参考标记搜索操作的基板处理设备的外观的视图；
图16是示出执行图12和图13的第二参考标记搜索操作的基板处理设备的外观的视图；
图17是示出执行图12和图13的第三参考标记搜索操作的基板处理设备的外观的视图；
图18是示出执行图10的液体处理操作的基板处理设备的外观的视图；
图19是示出执行图10的加热操作的基板处理设备的外观的视图；
图20是示出执行图10的冲洗操作的基板处理设备的外观的视图；以及
图21是示出根据本发明构思的另一实施例的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地描述本发明构思的示例性实施例，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实施本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同形式实现并且不限于各实施例。此外，在本发明构思的优选实施例的详细描述中，相关已知功能或配置的详细描述在其使本发明构思的实质不必要地模糊时将被省略。此外，在整个附图中，相同的附图标记用于执行类似功能和操作的部分。
“包括”一些元素的表述可以意味着可以进一步包括另一要素而不被排除，除非有特别矛盾的描述。详细地，术语“包括”和“具有”用于表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、元件、部分或其组合，并且可以理解为可以添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、元素、部分或其组合。
除非另有指明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了更清楚地描述，可以夸大部件的形状和尺寸。
诸如第一和第二的术语可以用于描述各种部分，但是这些部分不受术语的限制。术语可以仅用于区分一个部件与另一个部件的目的。例如，在不脱离本发明构思的范围的情况下，第一部件可以称为第二部件，并且类似地，第二部件可以称为第一部件。
当提及一个部件“连接到”或“联接到”另一个部件时，应当理解，第一部件可以直接连接或联接到第二部件，但是可以在其间提供第三部件。另一方面，当提及一个部件“直接连接到”或“直接联接到”另一个部件时，应当理解，它们之间不存在第三部件。应当理解，其他描述部件之间关系的表述，诸如“之间”、“直接之间”、“相邻”和“直接相邻”，可以具有相同的目的。
此外，除非另有定义，否则本文所用的所有术语(包括技术或科学术语)具有本发明构思所属领域的技术人员通常所理解的相同的含义。通用词典中定义的术语应理解为具有与相关技术的上下文的含义一致的含义，并且除非在本公开的说明书中明确定义，否则不应理解为理想的或过于正式的含义。
在下文中，将参考图2至图21描述本发明构思的实施例。
图2是示意性地示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备的平面视图。
参考图2，基板处理设备包括转位模块10、处理模块20和控制器30。当从顶部观察时，转位模块10和处理模块20沿一个方向设置。在下文中，其中设置转位模块10和处理模块20的方向将称为第一方向“X”，当从顶部观察时垂直于第一方向“X”的方向将称为第二方向“Y”，并且垂直于第一方向“X”和第二方向“Y”两者的方向将称为第三方向“Z”。
转位模块10将基板“M”从其中容纳基板“M”的容器CR传送到处理模块20，并且将已经由处理模块20完成处理的基板“M”储存在容器CR中。转位模块10的纵向方向在第二方向“Y”上。转位模块10包括多个装载端口12和转位框架14。装载端口12相对于转位框架14位于处理模块20的相反侧上。其中接收基板“M”的容器CR位于装载端口12上。可以提供多个装载端口12，并且多个装载端口12可以沿第二方向“Y”设置。
容器CR可以是密封容器，诸如前开式统一吊舱(FOUP)。容器CR可以通过进给单元(未示出)(诸如高处传送装置、高处输送器或自动引导载具)或由操作者放置在装载端口12上。
转位机器人120设置在转位框架14中。导轨124(其纵向方向平行于第二方向“Y”)可以设置在转位框架14中，并且转位机器人120可以在导轨124上移动。转位机器人120包括在其上放置基板“M”的手部122，并且手部122可以向前和向后移动，围绕第三方向“Z”旋转，并且可沿着第三方向“Z”移动。多个手部122可以设置为在向上/向下方向上彼此间隔开，并且手部122可独立地向前和向后移动。
控制器30可以控制基板处理设备。控制器30可以包括：工艺控制器，工艺控制器包括执行基板处理设备的控制的微处理器(计算机)；用户界面，用户界面包括用于输入命令以允许操作者管理基板处理设备的键盘以及可视化和显示基板处理设备的操作情况的显示器；以及存储器单元，存储器单元用于存储用于在工艺控制器的控制下、执行由基板处理设备执行的工艺的控制程序或者用于执行工艺的程序(也就是说，根据各种数据和工艺条件的要素中的工艺配方)。此外，用户界面和存储器单元可以连接到工艺控制器。工艺配方可以存储在存储器单元的存储器介质中，并且存储器介质可以是硬盘，并且可以是诸如CD-ROM、DVD等的可移动磁盘、半导体存储器，诸如闪存。
控制器30可以控制基板处理设备，使得基板处理设备执行将在下面描述的基板处理方法。例如，控制器30可以控制设置于液体处理室400的配置以执行将在下面描述的基板处理方法。
处理模块20包括缓冲单元200、传送室300和液体处理室400。缓冲单元200提供空间，其中送入处理模块20中的基板“M”和从处理模块20带出的基板“M”临时停留在该空间中。液体处理室400通过将液体供应到基板“M”上来执行对基板“M”进行液体处理的液体处理工艺。传送室300在缓冲单元200与液体处理室400之间传送基板“M”。
传送室300设置成使得其纵向方向是第一方向“X”。缓冲单元200设置在转位模块10与传送室300之间。液体处理室400可以设置在传送室300的一侧上。液体处理室400和传送室300可以沿第二方向“Y”设置。缓冲单元200可以位于传送室300的一端处。
根据示例，液体处理室400可以设置在传送室300的相反侧上。在传送室300的一侧上，液体处理室400可以在第一方向“X”和第三方向“Z”上以A×B的阵列设置(A和B是等于1或大于1的整数)。
传送室300具有传送机器人320。导轨324(其纵向方向是第一方向“X”)可以设置在传送室300中，并且传送机器人320可以沿着导轨324移动。传送机器人320包括在其上放置基板“M”的手部322，并且手部322可以设置成可向前和向后移动，围绕第三方向“Z”旋转，以及沿着第三方向“Z”移动。多个手部332可以设置成在向上/向下方向上彼此间隔开。多个手部322可以独立地向前和向后移动。
缓冲单元200包括在其上放置基板“M”的多个缓冲器220。缓冲器220设置成沿第三方向“Z”彼此间隔开。缓冲单元200的前面和后面可以是开放的。前面是面向转位模块10的表面，并且后面是面向传送室300的表面。转位机器人120可以通过前面接近缓冲单元200，并且传送机器人320可以通过后面接近缓冲单元200。
在下文中，将详细地描述在液体处理室400中处理的基板“M”。
图3是示意性地示出在图2.液体处理室中处理的基板的外观的视图。
参考图3，在液体处理室400中待处理的物体可以是晶片、玻璃和光掩模中的任一种的基板。例如，在液体处理室400中处理的基板“M”可以是作为在曝光工艺中使用的框架的光掩模。
基板“M”可以具有矩形形状。基板“M”可以是作为在曝光工艺中使用的框架的光掩模。可以在基板“M”上标记至少一个参考标记AK。例如，可以在基板“M”的拐角区域中形成多个参考标记AK。参考标记AK可以是在对准基板“M”时使用的被称为对准键的标记。另外，参考标记AK可以是用于推导出基板“M”的位置信息的标记。例如，下面将描述的图像模块470可以通过拍摄参考标记AK来获取图像，并可以将所获取的图像传输到控制器30。控制器30可以通过分析包括参考标记AK的图像来检测基板“M”的精确位置。此外，当传送基板“M”时，参考标记AK也可以用于识别基板“M”的位置。
多个参考标记AK可以形成在基板“M”上。作为示例，多个参考标记AK可以包括第一至第四参考标记AK1、AK2、AK3和AK4。第一至第四参考标记AK1、AK2、AK3和AK4可以设置成彼此间隔开。第一至第四参考标记AK1、AK2、AK3和AK4可以设置成以相等的间隔彼此间隔开。
可以在基板“M”上形成单元CE。可以形成至少一个，例如，多个单元CE。多个图案可以形成在单元CE中的每一个中。在单元CE中的每一个中形成的图案可以被定义为一个图案组。在单元CE中形成的图案可以包括曝光图案EP和第一图案P1。曝光图案EP可以用于在基板“M”上形成实际图案。此外，第一图案P1可以是代表形成在一个单元CE中的曝光图案EP的图案。此外，当设置多个单元CE时，可以设置多个第一图案P1。此外，可以在一个单元CE中形成多个第一图案P1。第一图案P1可以具有其中组合了曝光图案EP中的一些的形状。第一图案P1也可以被称为监控图案。此外，第一图案P1也可以被称为临界尺寸监控宏。
当操作者通过扫描电子显微镜(SEM)检查第一图案P1时，可以估计形成在一个单元CE中的曝光图案EP的形状的质量。此外，第一图案P1可以是检查图案。此外，第一图案P1可以是参与实际曝光工艺的曝光图案EP中的任一个。此外，第一图案P1可以不仅是检查图案，还是参与实际曝光的曝光图案。
第二图案P2可以是代表形成在整个基板“M”中的曝光图案EP的图案。例如，第二图案P2可以具有其中组合了第一图案P1中的一些的形状。
当操作者通过扫描电子显微镜(SEM)检查第二图案P2时，可以估计形成在一个基板“M”中的曝光图案EP的形状的质量。因此，第二图案P2可以是检查图案。此外，第二图案P2可以是未参与实际曝光工艺的检查图案。第二图案P2可以被称为锚定图案。
在下文中，将描述设置到液体处理室400的基板处理设备。此外，在下文中，在液体处理室400中执行的处理工艺中，作为制造用于曝光工艺的掩模的工艺的最终操作的精细临界尺寸校正工艺的性能将作为示例进行描述。
送入液体处理室400的待处理的基板“M”可以是其上已经进行预处理的基板“M”。送入到液体处理室400中的基板“M”的第一图案P1和第二图案P2的线宽可以是不同的。例如，第一图案P1的线宽可以是第一宽度(例如，69nm)。第二图案P2的线宽可以是第二宽度(例如，68.5nm)。
图4是示意性地示出图2的液体处理室的实施例的视图。图5是从顶部观察的图4的液体处理室的视图。参考图4和图5，液体处理室400可以包括外壳410、支撑单元420、碗状部430、液体供应单元440、加热单元450以及误差识别单元490。
外壳410可以具有内部空间412。外壳410可以具有内部空间412，碗状部430设置在所述内部空间中。外壳410可以具有内部空间412，其中设置有液体供应单元440和加热单元450。可以在外壳410中形成进/出开孔(未示出)，可以通过该开孔送入或取出基板“M”。可以由门(未示出)选择性地打开和封闭进/出开孔。此外，可以在外壳410的内壁表面上涂覆对由液体供应单元440供应的化学品具有高抵抗性的材料。
此外，排气孔414可以形成在外壳410的底表面上。排气孔414可以连接到排气构件，诸如泵，其可以对内部空间412进行排气。因此，可能在内部空间412产生的烟雾可以通过排气孔414排到外部。
支撑单元420可以在下面将描述的碗状部430的处理空间431中支撑基板“M”。支撑单元420可以支撑基板“M”。支撑单元420可以旋转基板“M”。
支撑单元420可以包括卡盘422、支撑轴424、驱动构件425以及支撑销426。支撑销426可以安装在卡盘422中。卡盘422可以具有板形状，该板形状具有特定厚度。支撑轴424可以联接到卡盘422的下侧。支撑轴424可以是中空轴。此外，可以由驱动构件425旋转支撑轴424。例如，驱动构件425可以是空心电机。当驱动构件425旋转支撑轴424时，联接到支撑轴424的卡盘422可以旋转。定位在安装于卡盘422中的支撑销426上的基板“M”也可以在旋转卡盘422时与卡盘422一起旋转。
支撑销426可以支撑基板“W”。当从顶部观察时，支撑销426可以具有大致圆形形状。此外，当从顶部观察时，支撑销426可以具有其中与基板“M”的角区域对应的部分向下凹陷的形状。也就是说，支撑销426可以包括支撑基板“M”的角区域的下侧的第一表面和面向基板“M”的角区域的一侧的第二表面，使得当旋转基板“M”时，可以限制基板“M”在横向方向上的移动。可以设置至少一个支撑销426。可以设置多个支撑销426。支撑销426的数量可以对应于具有矩形形状的基板“M”的角区域的数量。支撑销426可以通过支撑基板“M”而将基板“M”的下表面和卡盘422的上表面彼此隔开。
碗状部430可以具有容器形状，其上侧是敞开的。碗状部430可以具有处理空间431，并且基板“M”可以在处理空间431中进行液体处理和加热。碗状部430可以防止供应到基板“M”的处理液体飞溅并传输到外壳410、液体供应单元440和加热单元450。
碗状部430可以包括底部部分433、竖直部分434和倾斜部分435。当从顶部观察时，底部部分433可以具有开口，支撑轴424可以插入所述开口中。竖直部分434可以沿第三方向“Z”从底部部分433延伸。倾斜部分435可以延伸以从竖直部分434向上倾斜。例如，倾斜部分435可以在面向由支撑单元420支撑的基板“M”的方向上倾斜地延伸。可以在底部部分433中形成排放孔432，由液体供应单元440供应的处理液体可以通过该排放孔排放到外部。此外，碗状部430可以联接到升降构件436，使得其位置沿着第三方向“Z”改变。升降构件436可以是向上和向下移动碗状部430的驱动装置。当对基板“M”进行液体处理和/或加热基板“M”时，升降构件436可以向上移动碗状部430，并且在将基板“M”送入内部空间412或者从内部空间412取出基板“M”时，该升降构件可以向下移动碗状部430。
液体供应单元440可以供应用于对基板“M”进行液体处理的处理液体。液体供应单元440可以将处理液体供应到由支撑单元420支撑的基板“M”。处理液体可以包括蚀刻液体或冲洗液体。蚀刻液体可以是化学品。蚀刻液体可以蚀刻形成在基板“M”上的图案。蚀刻液体也可以被称为蚀刻剂。冲洗液体可以清洁基板“M”。冲洗液体可以是已知的化学品。
液体供应单元440可以包括喷嘴441、固定主体442、旋转轴443以及旋转构件444。
喷嘴441可以将处理液体供应到由支撑单元420支撑的基板“M”。喷嘴441的一端可以连接到固定主体442，并且其相反端可以在从固定主体442面向基板“M”的方向上延伸。喷嘴441可以从固定主体442沿第一方向“X”延伸。此外，喷嘴441的相反端可以在面向由支撑单元420支撑的基板“M”的方向上以特定角度弯曲从而延伸。
喷嘴441可以包括第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c。第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的任一个都可以供应上述处理液体中的化学品“C”。此外，第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的另一个可以供应上述处理液体中的冲洗液体“R”。此外，第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的又一个可以供应与由第一喷嘴441a、第二喷嘴441b和第三喷嘴441c中的任一个供应的化学品“C”不同类型的化学品“C”。
主体442可以固定和支撑喷嘴441。主体442可以连接到通过旋转构件444绕第三方向“Z”旋转的旋转轴443。当旋转构件444旋转旋转轴443时，主体442可以绕第三方向“Z”旋转。因此，喷嘴441的排放口可以在作为其中向基板“M”供应处理液体的位置的液体供应位置和作为其中不向基板“M”供应处理液体的位置的待命位置之间移动。
加热单元450可以加热基板“M”。加热单元450可以加热基板“M”的部分区域。加热单元450可以加热基板“M”，化学品“C”被供应到该基板，使得形成液膜。加热单元450可以加热形成在基板“M”上的图案。加热单元450可以加热形成在基板“M”上的图案中的一些。加热单元450可以加热第一图案P1或第二图案P2中的任一个。例如，加热单元450可以加热第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。
加热单元450可以包括主体451、驱动器453、轴454、移动构件455、激光模块460、图像模块470以及光学模块480。
主体451可以是其内部具有安装空间的容器。将在下面描述的激光模块460、图像模块470和光学模块480可以安装在主体451中。此外，主体451可以包括照射端452。此外，由下面将描述的激光模块460照射的激光“L”可以通过照射端452照射到基板“M”。此外，由下面将描述的照明构件472照射的光可以通过照射端452提供。此外，下面将描述的图像获取构件471的图像可以通过照射端452获取。
驱动器453可以是马达。驱动器453可以连接到轴454。此外，轴454可以连接到主体451。轴454可以通过移动构件455作为媒介连接到主体451。驱动器453可以连接到轴454。当轴454旋转时，主体451可以旋转。因此，也可以改变主体451的照射端452的位置。例如，照射端452的位置可以在第三方向“Z”作为其旋转轴线的同时改变。当从顶部观察时，照射端452的中心可以在围绕轴454画弧的同时移动。当从顶部观察时，照射端452可以移动，使得其中心穿过由支撑单元420支撑的基板的中心。照射端452可以在加热位置和待命位置之间移动，其中在加热位置，激光“L”照射到基板“M”，以及其中在待命位置，当基板“M”未被加热时，基板“M”待命。此外，驱动器453可以在向上/向下方向上移动轴454。也就是说，驱动器453可以在向上/向下方向上改变照射端452的位置。此外，可以设置多个驱动器453，并且它们中的任何一个可以作为旋转轴454的旋转电机来提供，并且它们中的另一个可以作为在向上/向下方向上移动轴454的线性电机来提供。
移动构件455可以设置在轴454与主体451之间。移动构件455可以是LM引导件。移动构件455可以在横向方向上移动主体451。移动构件455可以在第一方向“X”和/或第二方向“Y”上移动主体451。可以由移动构件455和驱动器453以各种方式改变加热单元450的照射端452的位置。
图6是示出图4的加热单元的主体、激光模块、图像模块和光学模块的外观的视图。图7是当从顶部观察时图6的图像模块的视图。
参考图6和图7，激光照射部分461、光束扩展器462和倾斜构件463可以安装在主体451中。此外，图像模块470可以安装在主体451中。此外，光学模块480可以安装在主体451中。
激光模块460可以包括激光照射部分461、光束扩展器462和倾斜构件463。激光照射部分461可以照射激光“L”。激光照射部分461可以照射具有平直度的激光“L”。由激光照射部分461照射的激光“L”的形状/轮廓可以由光束扩展器462调整。例如，由激光照射部分461照射的激光“L”的直径可以由光束扩展器462改变。例如，从激光照射部分461照射的激光“L”的直径可以由光束扩展器462增大或减小。
倾斜构件463可以使由激光照射部分461照射的激光“L”的照射方向倾斜。例如，倾斜构件463可以通过围绕一个轴线旋转激光照射部分461来使由激光照射部分461照射的激光“L”的照射方向倾斜。倾斜构件463可以包括电机。
图像模块470可以监控由激光照射部分461照射的激光“L”。图像模块470可以包括图像获取构件471、照明构件472、第一反射板473以及第二反射板474。图像获取构件471可以获取基板“M”和/或下面将描述的误差识别单元490的坐标系统491的图像。图像获取构件471可以是相机。图像获取构件471可以是视觉装置。图像获取构件471可以获取包括由激光照射部分461照射的激光“L”所照射的点的图像。
照明构件472可以提供光，使得图像可以容易地由图像获取构件471获取。由照明构件472提供的光可以沿着第一反射板473和第二反射板474按顺序反射。
光学模块480可以配置成使得当从顶部观察时，由激光照射部分461照射的激光“L”的照射方向、其中图像获取构件471获取图像的拍摄方向以及由照明构件472提供的光的照射方向可以在相同的轴线上。照明构件472可以将光传输到其中激光“L”通过光学模块480照射到的区域。此外，图像获取构件471可以实时地获取激光“L”照射到的区域的图像，诸如图像/图片。光学模块480可以包括第一反射构件481、第二反射构件482和透镜483。
第一反射构件481可以改变由激光照射部分461照射的激光“L”的照射方向。例如，第一反射构件481可以将水平照射的激光“L”的照射方向改变为向下方向。另外，由第一反射构件481折射的激光“L”可以按顺序通过透镜483和照射端452，并且可以传输到待处理的基板“M”或下面将描述的坐标系统491。
第二反射构件482可以改变图像获取构件471的拍摄方向。例如，第二反射构件482可以将图像获取构件471的水平方向的拍摄方向改变为竖直向下方向。此外，第二反射构件482可以将按顺序经由第一反射板473和第二反射板474传输的照明构件472的光的照射方向从水平方向改变为竖直向下方向。
此外，当从顶部观察时，第一反射构件481和第二反射构件482可以设置在相同的位置。此外，第二反射构件482可以设置在第一反射构件481的上侧。此外，第一反射构件481和第二反射构件482可以以相同的角度倾斜。
图8是示出图4的液体处理室的误差识别单元和支撑单元的视图。图9是当从顶部观察时图8的误差识别单元的视图。
参考图8和图9，误差识别单元490可以识别在激光“L”的照射位置和预设目标位置TP之间是否产生了误差。例如，误差识别单元490可以设置在内部空间412中。此外，当照射端452位于上述待命位置时，误差识别单元490可以安装在照射端452下侧的区域中。误差识别单元490可以包括坐标系统491、板492和支撑框架493。
坐标系统491也可以被称为全局坐标系统。预设目标位置TP可以标记在坐标系统491上。此外，坐标系统491可以包括刻度以检查目标位置TP与激光“L”照射到的照射位置之间的误差。此外，坐标系统491可以安装在板492上。板492可以由支撑框架493支撑。坐标系统491的由板492和支撑框架493确定的高度可以与由支撑单元420支撑的基板“M”的高度相同。例如，从外壳410的底表面到坐标系统491的顶表面的高度可以与从外壳410的底表面到由支撑单元420支撑的基板“M”的顶表面的高度相同。这是为了使通过使用误差识别单元490识别误差时的照射端452的高度和加热基板“M”时的照射端452的高度彼此一致。当由激光照射部分461照射的激光“L”的照射方向相对于第三方向“Z”即使以很小程度扭曲时，激光“L”的照射位置可以根据照射端452的高度变化，并且因此，坐标系统491可以设置在与由支撑单元420支撑的基板“M”相同的高度处。
在下文中，将详细地描述根据本发明构思的实施例的用于处理基板的方法。将在下面描述的用于处理基板的方法可以通过上述液体处理室400来执行。此外，上述控制器30可以控制液体处理室400的配置，使得通过液体处理室400执行将在下面描述的用于处理基板的方法。例如，控制器30可以生成控制信号，该控制信号控制支撑单元420、升降构件436、液体供应单元440和加热单元450中的至少一个，使得液体处理室400的配置执行下面将描述的基板处理方法。
图10是展示了根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。
参考图10，根据本发明构思的实施例的基板处理方法可以包括基板送入操作S10、工艺准备操作S20、位置信息获取操作S30、蚀刻操作S40、冲洗操作S50以及基板取出操作S60。
在基板送入操作S10中，门可以打开在外壳410中形成的进/出开孔。此外，在基板送入操作S10中，传送机器人320可以将基板“M”坐置在支撑单元420上。在传送机器人320将基板“M”坐置在支撑单元420上时，升降构件436可以降低碗状部430的位置。可以在已送入基板“M”之后执行工艺准备操作S20。
在工艺准备操作S20中，可以识别照射至基板“M”的激光“L”的照射位置是否存在误差。例如，在工艺准备操作S20中，激光模块460可以将用于测试的激光“L”照射到误差识别单元490的坐标系统491。如图11所示，当由激光模块460照射的用于测试的激光“L”与坐标系统491中标记的预设目标位置TP一致时，可以确定激光照射部分461没有变形，并因此可以执行下面的位置信息获取操作S30。此外，在工艺准备操作S20中，不仅可以识别激光“L”的照射位置是否出现误差，而且液体处理室400的配置可以返回到初始状态。
在工艺准备操作S20中，可以识别加热单元450是否可以操作。当加热单元450位于待命位置时，坐标系统491可以位于加热单元450的照射端452下方。在工艺准备操作S20中，可以通过在其中加热单元450位于待命位置的状态下将激光“L”照射到坐标系统491来识别加热单元450的激光模块460是否可以被识别。此外，可以通过拍摄照射到坐标系统491的激光“L”的外观而捕获的图像，来识别加热单元450的图像模块470是否可以操作。此外，可以通过图像模块470的图像，来识别激光模块460和图像模块470。
在工艺准备操作S20中，可以识别支撑单元420是否可以操作。在工艺准备操作S20中，控制器30可以通过旋转其上坐置基板“M”的支撑单元420来识别支撑单元420是否被操作。控制器30可以通过在支撑单元420的一个方向和/或与一个方向相反的方向上旋转支撑单元420来识别支撑单元420是否被操作。
在工艺准备操作S20中，可以识别液体供应单元440是否可以排放处理液体。控制器30可以将液体供应单元440定位在待命位置。控制器30可以识别处理液体是否从位于待命位置的液体供应单元440的喷嘴441排出。控制器30可以通过从第一至第三喷嘴441a、441b和441c排放处理液体来识别液体供应单元440是否可以排放处理液体。
在位置信息获取操作S30中，可以识别基板“M”的位置。在位置信息获取操作S30中，可以获取形成在基板“M”中的图案的位置信息。也就是说，在位置信息获取操作S30中，可以获取关于将向其供应化学品“C”和冲洗液体“R”的基板“M”的位置以及将向其照射激光“L”的图案的位置的信息。在位置信息获取操作S30中获取的位置信息可以是关于基板“M”的中心坐标和图案坐标的信息。
图12是图10的位置信息获取操作的流程图。图13是图12的位置信息获取操作的流程图。图14和图15是示出执行图12和图13的第一参考标记搜索操作的基板处理设备的外观的视图。图16是示出执行图12和图13的第二参考标记搜索操作的基板处理设备的外观的视图。图17是示出执行图12和图13的第三参考标记搜索操作的基板处理设备的外观的视图。
在位置信息获取操作S30中，加热单元450的照射端452可以在待命位置和加热位置之间移动，并且支撑单元420可以在一个方向上旋转基板“M”。在位置信息获取操作S30中，可以获取关于多个参考标记AK中的至少三个参考标记的实际位置的信息，并且可以通过参考标记AK的实际位置的信息来获取激光“L”将要照射到的图案的信息。然后，位置信息可以是坐标信息。
在位置信息获取操作S30中，可以顺序地推导出形成在基板“M”上的第一至第三参考标记AK1、AK2和AK3的实际位置。位置信息获取操作S30可以包括：推导出第一参考标记AK1的实际坐标的第一参考标记搜索操作，推导出形成在基板“M”上的第二参考标记AK2的实际坐标的第二参考标记搜索操作和推导出形成在基板“M”上的第三参考标记AK3的实际坐标的第三参考标记搜索操作。可以顺序地执行第一参考标记搜索操作、第二参考标记搜索操作、第三参考标记搜索操作。
参考图13和图14，在第一参考标记搜索操作中，照射激光“L”的加热单元450可以旋转特定角度。加热单元450可以围绕轴454旋转。当加热单元450旋转时，加热单元450的照射端452可以移动到基板“M”上的搜索区域。加热单元450的旋转角度可以是预设角度。当加热单元450以预设角度旋转时，加热单元450的照射端452可以位于搜索区域中。搜索区域可以是基板“M”的角区域。搜索区域可以是其上形成参考标记AK的基板“M”上的角区域。搜索区域可以是这样的区域，其中，在坐置于支撑单元420上的基板“M”的多个顶点中，包括最近的顶点。
在第一参考标记搜索操作中，通过在加热单元450旋转后旋转支撑基板“M”的支撑单元420，基板“M”上的第一参考标记AK1可以位于加热单元450的照射端452下方。基板“M”可以向一个方向或与其相反的方向旋转。如图14所示，当支撑单元420旋转基板“M”时，第一参考标记AK1可以在特定时间点位于照射端452下方。
当第一参考标记AK1位于照射端452下方时，图像模块470可以搜索第一参考标记AK1。通过图像模块470搜索第一参考标记AK1可以意味着第一参考标记AK1位于图像模块470的拍摄屏幕的中心。通过图像模块470搜索第一参考标记AK1可以意味着第一参考标记AK1定位成使得图像模块470的拍摄屏幕的中心和第一参考标记AK1的中心彼此重合。在通过图像模块470搜索第一参考标记AK1的过程中，可以逐渐移动加热单元450和支撑单元420。
当图像模块470未能发现第一参考标记AK1时，可以在支撑单元420旋转后再次搜索第一参考标记AK1。图像模块470可以重复旋转支撑单元420并搜索第一参考标记AK1，直至找到第一参考标记AK1。
当找到第一参考标记AK1时，图像模块470可以获取第一参考标记AK1的图像。通过由图像模块470获取的图像，控制器30可以获取第一参考标记AK的实际位置的坐标值。可以通过计算加热单元450的位移和支撑单元420的位移来计算实际位置或第一参考标记AK1的坐标值。
当第一参考标记搜索操作完成时，执行第二参考标记搜索操作。参考图15，在第二参考标记搜索操作中，通过旋转支撑单元420，基板“M”上的第二参考标记AK2可以位于加热单元450的照射端452的下方。基板“M”可以向一个方向或与其相反的方向旋转。如图15所示，当支撑单元420旋转基板“M”时，第二参考标记AK2可以在特定时间点位于照射端452下方。
当第二参考标记AK2位于照射端452下方时，图像模块470可以搜索第二参考标记AK2。通过图像模块470搜索第二参考标记AK2可以意味着第二参考标记AK2位于图像模块470的拍摄屏幕的中心。通过图像模块470搜索第二参考标记AK2可以意味着第二参考标记AK2定位成使得图像模块470的拍摄屏幕的中心和第二参考标记AK2的中心彼此重合。在通过图像模块470搜索第二参考标记AK2的过程中，可以逐渐移动加热单元450和支撑单元420。
当图像模块470未能发现第二参考标记AK2时，可以在支撑单元420旋转后再次搜索第二参考标记AK2。图像模块470可以重复旋转支撑单元420并搜索第二参考标记AK2，直至找到第二参考标记AK2。
当找到第二参考标记AK2时，图像模块470可以获取第二参考标记AK2的图像。通过由图像模块470获取的图像，控制器30可以获取第二参考标记AK2的实际位置的坐标值。可以通过计算加热单元450的位移和支撑单元420的位移来计算实际位置或第二参考标记AK2的坐标值。
当第二参考标记搜索操作完成时，执行第三参考标记搜索操作。参考图16，在第三参考标记搜索操作中，通过旋转支撑单元420，基板“M”上的第三参考标记AK3可以位于加热单元450的照射端452的下方。基板“M”可以向一个方向或与其相反的方向旋转。如图17所示，当支撑单元420旋转基板“M”时，第三参考标记AK3可以在特定时间点位于照射端452下方。
当第三参考标记AK3位于照射端452下方时，图像模块470可以搜索第三参考标记AK3。通过图像模块470搜索第三参考标记AK3可以意味着第三参考标记AK3位于图像模块470的拍摄屏幕的中心。通过图像模块470搜索第三参考标记AK3可以意味着第三参考标记AK3定位成使得图像模块470的拍摄屏幕的中心和第三参考标记AK3的中心彼此重合。在通过图像模块470搜索第三参考标记AK3的过程中，可以逐渐移动加热单元450和支撑单元420。
当图像模块470未能发现第三参考标记AK3时，可以在支撑单元420旋转后再次搜索第三参考标记AK3。图像模块470可以重复旋转支撑单元420并搜索第三参考标记AK3，直至找到第三参考标记AK3。
当找到第三参考标记AK3时，图像模块470可以获取第三参考标记AK3的图像。通过由图像模块470获取的图像，控制器30可以获取第三参考标记AK3的实际位置的坐标值。可以通过计算加热单元450的位移和支撑单元420的位移来计算实际位置或第三参考标记AK3的坐标值。
图像模块470可以通过第一至第三参考标记AK1、AK2和AK3的实际位置的坐标信息，计算激光“L”将照射到的图案的实际位置的坐标。图像模块470可以计算第一图案P1或第二图案P2的实际坐标。图像模块470可以计算第一图案P1和第二图案P2中第二图案P2的实际坐标。
在计算出激光“L”将照射到的图案的实际坐标之后，可以基于激光“L”将照射到的图案的实际坐标来计算支撑单元420和加热单元450的位移。图像模块470可以基于激光“L”将照射到的图案的实际坐标来计算支撑单元420的旋转角度或旋转量。此外，图像模块470可以基于激光“L”将照射到的图案的实际坐标来计算加热单元450的旋转角度、旋转量或位移。
在通过图像模块470计算出激光“L”将照射的图案的实际坐标以及加热单元450和支撑单元420的位移后，执行图10的蚀刻操作40。
同时，基板“M”的向左宽度/向右宽度和基板“M”的中心点的坐标数据，以及关于基板“M”中第一图案P1、第二图案P2和曝光图案EP的位置的坐标数据可以预先存储在控制器30中。控制器30可以基于所获取的参考标记AK的坐标值和预先存储的上述数据，获取关于基板“M”的中心点以及第一图案P1和第二图案P2的位置的信息。
图18是示出执行图10的液体处理操作的基板处理设备的外观的视图。图19是示出执行图10的加热操作的基板处理设备的外观的视图。
在蚀刻操作S40中，可以蚀刻基板“M”上形成的图案。在蚀刻操作S40中，可以蚀刻形成在基板“M”上的图案，使得第一图案P1的线宽和第二图案P2的线宽彼此一致。蚀刻操作S40可以是校正第一图案P1和第二图案P2的线宽之间的上述差异的线宽校正工艺。蚀刻操作S40可以包括液体处理操作S41和加热操作S42。
液体处理操作S41可以是通过液体供应单元440向基板“M”供应作为蚀刻剂的化学品“C”的操作，如图17所示。在液体处理操作S41中，支撑单元420可以不旋转基板“M”。在接下来的加热操作S42中，必须最小化基板“M”的位置变形，从而精确地以特定的图案照射激光“L”，这是因为当基板“M”旋转时，基板“M”的位置会变形。此外，在液体处理操作41中供应的化学品“C”的量可以足够大，使得供应到基板“M”上的化学品“C”形成坑池。例如，在液体处理操作S41中供应的化学品“C”的量可以足够大，使得化学品“C”覆盖基板“M”的整个上表面，但是不会从基板“M”溢出，或者即使化学品“C”溢出，化学品“C”的量也不会太大。根据需要，当喷嘴441的位置改变时，可以将蚀刻液体供应到基板“M”的整个上表面。
在加热操作S42中，可以通过将激光“L”照射到基板“M”来加热基板“M”。在加热操作S42中，如图18所示，加热模块460可以通过将激光“L”照射到其中在供应化学品“C”时形成液体膜的基板“M”上来加热基板“M”。在加热操作S42中，激光“L”可以照射到基板“M”的特定区域。激光“L”照射到的特定区域的温度可以升高。因此，化学品“C”在激光“L”照射到的区域处的蚀刻程度可以增加。此外，在加热操作S42中，激光“L”可以照射到第一图案P1或第二图案P2中的任一个。例如，激光“L”可以仅照射到第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。因此，增强了化学品“C”对第二图案P2的蚀刻性能。因此，第一图案P1的线宽可以改变为第一宽度(例如，69nm)下的目标线宽(例如，70nm)。此外，第二图案P2的线宽可以改变为第二宽度(例如，68.5nm)下的目标线宽(例如，70nm)。也就是说，可以通过增强基板“M”的部分区域的蚀刻性能来最小化基板“M”上形成的图案的线宽的偏差。
图20是示出执行图10的冲洗操作的基板处理设备的外观的视图。
在冲洗操作S50中，可以从基板“M”去除在蚀刻操作S40中产生的工艺副产物。如图19所示，在冲洗操作S50中，可以通过向旋转的基板“M”供应冲洗液体“R”来去除在基板“M”上形成的工艺副产物。根据需要，为了干燥残留在基板“M”上的冲洗液体“R”，支撑单元420可以通过高速旋转基板“M”来去除残留在基板“M”上的冲洗液体“R”。
在基板取出操作S60中，可以将已经处理的基板“M”从内部空间412取出。在基板取出操作S60中，门可以打开在外壳410中形成的进/出开孔。此外，在基板取出操作S60中，传送机器人320可以将基板“M”从支撑单元420卸载并且可以将卸载的基板“M”带出内部空间412。
图21是示出根据本发明构思的另一实施例的基板处理方法的流程图。
图10是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。图20是示出根据本发明构思的另一实施例的基板处理方法的流程图。
根据本发明构思的实施例的基板处理方法和根据另一实施例的基板处理方法仅在位置信息获取操作S30的顺序上不同，并且操作的内容是相同的。详细地，根据实施例的位置信息获取操作S30和根据另一实施例的位置信息获取操作S30是相同的，并且仅在顺序上不同。
根据本实施例的基板处理方法，可以在向基板“M”供应处理液体之前执行位置信息获取操作S30，以及根据另一实施例的基板处理方法，可以在向基板“M”供应处理液体的液体处理操作和向基板“M”照射激光的加热操作之间执行位置信息获取操作S30。也就是说，在根据另一实施例的基板处理方法中，可以在其中处理液已经被供应到基板“M”的状态下执行位置信息获取操作S30。
为了将激光“L”照射至基板“M”上的目标位置，有必要将加热单元450的照射端452精确定位在目标位置。然而，传送机器人320可能不会将基板“M”定位在支撑单元420上的适当位置处。
然而，根据本发明构思的实施例，可以推导出第一至第三参考标记AK1、AK2和AK3的实际坐标，并且可以通过使用第一至第三参考标记AK1、AK2和AK3的实际坐标推导出激光将照射到的图案的实际位置。
根据本发明构思的实施例，可以提供一种可以有效处理基板的基板处理设备以及一种基板处理方法。
根据本发明构思的实施例，可以使形成在基板上的图案的线宽一致。
根据本发明构思的实施例，可以精确地蚀刻在基板上形成的特定图案。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可以从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
以上详细描述例示了本发明构思。此外，以上提及的内容描述本发明构思的示范性实施例，并且本发明构思可以用于各种其它组合、改变和环境。也就是说，可以在不脱离说明书中所公开的本公开的范围、书面公开的等效范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下修改并纠正本公开。书面实施例描述用于实施本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以作出本发明构思的详述的应用领域和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并不意图限制所公开的实施例状态中的本发明构思。另外，应理解，所附权利要求书包括其他实施例。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的方法，在所述基板上形成有多个参考标记和图案，所述方法包括：
工艺准备操作；
位置信息获取操作，所述位置信息获取操作获取关于所述图案的实际位置的信息；以及
工艺执行操作，所述工艺执行操作将处理液体供应到所述基板，并通过将激光照射到被施加有所述处理液体的所述基板上的所述图案来加热所述基板，
其中，所述位置信息获取操作包括：
获取关于所述多个参考标记中的至少三个参考标记的实际位置的信息；以及
通过所述参考标记的实际位置的信息来获取所述图案的实际位置的信息。
2.一种用于处理基板的方法，在所述基板上形成有多个参考标记和图案，所述方法包括：
工艺准备操作；
液体处理操作，所述液体处理操作向所述基板供应处理液体；
位置信息获取操作，所述位置信息获取操作获取关于所述图案的实际位置的信息；以及
加热操作，所述加热操作通过将激光照射到被施加有所述处理液体的所述基板上的所述图案来加热所述基板，
其中，所述位置信息获取操作包括：
获取关于所述多个参考标记中的至少三个参考标记的实际位置的信息；以及
通过所述参考标记的实际位置的信息来获取所述图案的实际位置的信息。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述位置信息获取操作包括：
第一参考标记搜索操作，所述第一参考标记搜索操作推导出形成在所述基板上的第一参考标记的实际坐标；
第二参考标记搜索操作，所述第二参考标记搜索操作推导出形成在所述基板上的第二参考标记的实际坐标；以及
第三参考标记搜索操作，所述第三参考标记搜索操作推导出形成在所述基板上的第三参考标记的实际坐标。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一参考标记搜索操作包括：
旋转加热单元，所述加热单元以特定角度旋转照射所述激光；
通过旋转支撑所述基板的支撑单元而将所述第一参考标记定位在所述加热单元的照射端下方的所述基板上；
搜索所述第一参考标记；以及
基于所述加热单元的位移和所述支撑单元的位移来推导出所述第一参考标记的实际位置的坐标。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二参考标记搜索操作包括：
通过旋转所述支撑单元而将所述第二参考标记定位在所述加热单元的所述照射端下方的所述基板上；
搜索所述第二参考标记；以及
基于所述加热单元的位移和所述支撑单元的位移推导出所述第二参考标记的实际位置的坐标。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三参考标记搜索操作包括：
通过旋转所述支撑单元，将所述第三参考标记定位在所述加热单元的所述照射端下方的所述基板上；
搜索所述第三参考标记；以及
基于所述加热单元的位移和所述支撑单元的位移推导出所述第三参考标记的实际位置的坐标。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述工艺准备操作包括：
识别向所述基板照射所述激光的加热单元以及支撑并旋转所述基板的支撑单元是否能够操作。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述工艺准备操作包括：
识别液体供应单元的所述处理液体是否能够被排放，所述液体供应单元向所述基板供应所述处理液体。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括第一图案和第二图案，所述第二图案不同于所述第一图案，以及
其中所述激光照射到所述第二图案。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，通过向所述第二图案照射所述激光来最小化所述第一图案的线宽和所述第二图案的线宽之间的偏差。
11.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，其中，所述加热单元包括图像模块，所述图像模块监控所述激光照射的点，以及
其中，所述图像模块搜索所述参考标记。
12.一种基板处理设备，其包括：
支撑单元，所述支撑单元配置成支撑和旋转基板；
液体供应单元，所述液体供应单元配置成向由所述支撑单元支撑的所述基板供应处理液体；
加热单元，所述加热单元包括激光模块和图像模块，所述激光模块配置成将激光照射到被施加有所述处理液体的所述基板上的图案，以及所述图像模块配置成监控所述激光照射到的点；以及
控制器，
其中，在所述基板上形成多个参考标记，
其中，所述图像模块获取所述多个参考标记中的至少三个参考标记的实际位置，并通过所述参考标记的实际位置推导出所述图案的实际位置，以及
其中，所述激光模块将所述激光照射到所述基板的所述图案的实际位置。
13.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，在所述液体供应单元向所述基板供应所述处理液体之前，所述图像模块推导出所述基板的实际位置。
14.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，在所述液体供应单元向所述基板供应所述处理液体之后，所述图像模块推导出所述基板的实际位置。
15.根据权利要求12或13所述的基板处理设备，其中，所述图像模块顺序地搜索形成在所述基板上的第一参考标记至第三参考标记的实际坐标。
16.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中，所述控制器将所述加热单元旋转特定角度，使得当搜索所述第一参考标记的实际坐标时，所述加热单元移动到所述基板上的搜索区域。
17.根据权利要求16所述的基板处理设备，其中，所述控制器旋转其上坐置有所述基板的所述支撑单元，使得当找到所述第一参考标记的实际坐标时，所述基板上的所述第一参考标记位于所述加热单元的照射端下方。
18.根据权利要求17所述的基板处理设备，其中，在搜索所述第一参考标记之后，所述图像模块基于所述加热单元的位移和所述支撑单元的位移来推导出所述第一参考标记的实际位置。
19.根据权利要求18所述的基板处理设备，其中，在推导出所述第一参考标记的实际位置之后，所述控制器控制所述加热单元和所述支撑单元，以推导出第二参考标记的实际位置，
其中，当搜索所述第二参考标记的实际坐标时，所述控制器旋转其上坐置有所述基板的所述支撑单元，使得所述基板上的所述第二参考标记位于所述加热单元的所述照射端下方，以及
其中，所述图像模块基于所述加热单元的位移和所述支撑单元的位移来推导出所述第二参考标记的实际位置。
20.根据权利要求19所述的基板处理设备，其中，在推导出所述第二参考标记的实际位置之后，所述控制器控制所述加热单元和所述支撑单元，以推导出第三参考标记的实际位置，
其中，当搜索所述第三参考标记的实际坐标时，所述控制器旋转其上坐置有所述基板的所述支撑单元，使得所述基板上的所述第三参考标记位于所述加热单元的所述照射端下方，以及
其中，所述图像模块基于所述加热单元的位移和所述支撑单元的位移来推导出所述第三参考标记的实际位置。
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