CN116414008A - 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法 - Google Patents

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梁孝源
柳相铉
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Abstract

本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：壳体，所述壳体具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述处理空间处支撑并旋转基板；液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将液体供应到支撑在所述支撑单元上的基板；后处理单元，所述后处理单元被配置为对支撑在所述支撑单元上的所述基板执行后处理；以及监控单元，所述监控单元被配置为检查由供应到所述基板上的所述液体形成的液膜的状态。

Description

用于处理基板的设备和用于处理基板的方法
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法。
背景技术
用于在晶片上形成图案的光刻过程包括曝光过程。曝光过程是先前执行的用于将附接到晶片的半导体集成材料切割成期望图案的操作。曝光过程可以具有多种目的，诸如形成用于蚀刻的图案和形成用于离子注入的图案。在曝光过程中，通过使用作为一种‘框架’的掩模用光在晶片上绘制图案。当晶片上的半导体集成材料(例如，晶片上的抗蚀剂)暴露于光之下时，抗蚀剂的化学性质通过光和掩模而根据图案变化。当向化学性质已根据图案而改变的抗蚀剂供应显影液时，在晶片上形成该图案。
为了精确地执行曝光过程，需要精确地制造形成在掩模上的图案。必须确认形成的图案是否满足要求的过程条件。在一个掩模上会形成大量图案。因此，为了检查一个掩模，操作者需要花费大量时间来检查所有这些大量图案。
因此，在掩模上形成能够代表包括多个图案的一个图案组的监控图案。另外，在掩模上形成可以代表多个图案组的锚定图案。操作者可以通过检查监控图案来估计一个图案组中包括的图案是否良好。另外，操作者可以通过检查锚定图案来估计形成在掩模上的图案是否良好。
此外，为了提高掩模检查的精度，优选的是监控图案和锚定图案的临界尺寸相同。
还要执行用于精确地校正形成在掩模上的图案的临界尺寸的临界尺寸校正过程。
图1示出了关于在掩模制造过程期间执行临界尺寸校正过程之前掩模的监控图案的第一临界尺寸CDP1与第二临界尺寸CDP2(锚定图案的临界尺寸)的正态分布。另外，第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2具有小于目标临界尺寸的大小。在执行临界尺寸校正过程之前，监控图案和锚定图案的临界尺寸之间存在故意偏差(CD，临界尺寸)。此外，通过在临界尺寸校正过程中额外地蚀刻锚定图案，使这两个图案的临界尺寸相同。在过蚀刻该锚定图案的过程中，如果与监控图案相比该锚定图案被更加过蚀刻，则监控图案和锚定图案的临界尺寸出现差异，因此可能无法准确校正在掩模处形成的这两个图案的临界尺寸。当额外蚀刻锚定图案时，应伴随着关于锚定图案的精确蚀刻。
在蚀刻锚定图案的过程中，向晶片供应处理液体，并且使用激光来加热形成在被供以处理液体的晶片上的锚定图案。为了关于锚定图案伴随进行精确的蚀刻，在晶片上供应的处理液体必须形成均匀液膜。形成在晶片上的液膜应形成为具有特定厚度或更大。例如，形成在晶片上的液膜应形成为比形成在晶片上的所述图案的高度更高。
如果向液膜上具有小于特定厚度的待热处理的区域照射激光，则即使在不存在液膜的部分也会执行热处理，从而对形成在晶片上的图案造成破坏。另外，即使在晶片上形成大于特定厚度的均匀液膜，如果振动传递到液膜，则存在液膜可能会因在液膜中形成边界表面而破裂的风险。因此，如果向形成有液膜的晶片照射激光，则因为该液膜的形成不均匀，所以导致激光的折射角变化，从而降低蚀刻精度。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于关于基板执行精确蚀刻的基板处理设备和方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于监控形成在基板上的墨滴的基板处理设备和方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于在基板上形成均匀墨滴的基板处理设备和方法。
本发明构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：壳体，所述壳体具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述处理空间处支撑并旋转基板；液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将液体供应到支撑在所述支撑单元上的基板；后处理单元，所述后处理单元被配置为对支撑在所述支撑单元上的所述基板执行后处理；以及监控单元，所述监控单元被配置为检查由供应到所述基板上的所述液体形成的液膜的状态。
在一个实施方式中，所述基板处理设备进一步包括控制器，所述控制器用于根据由所述监控单元检测到的所述液膜的状态来生成用于执行停止驱动所述基板处理设备的待机命令，或用于将液体供应到所述基板上的液体保留命令。
在一个实施方式中，所述监控单元包括视觉构件，所述视觉构件用于通过检测在所述液膜的表面处所述液体的流动来检测所述液膜的状态当中的所述液膜的振动。
在一个实施方式中，所述视觉构件检测是否在所述液膜的所述表面处产生所述液膜的边界表面，并且进一步检测所述液膜的所述状态当中的所述液膜的破裂。
在一个实施方式中，如果所述视觉构件检测到所述液膜的所述振动，则所述控制器生成针对所述支撑单元和所述液体供应单元的所述待机命令的信号，使得在设定时间内保持停止所述支撑单元的旋转和所述液体供应单元的液体供应。
在一个实施方式中，如果所述视觉构件检测到所述液膜的所述边界表面，则所述控制器生成针对所述液体供应单元的所述液体保留命令信号，使得在设定时间期间通过所述液体供应单元来将所述液体供应到支撑在所述支撑单元上的所述基板。
在一个实施方式中，所述液体供应单元将所述液体供应到距支撑在所述支撑单元上的所述基板的顶表面的设定高度处，并且其中所述监控单元包括：顶部光传感器，所述顶部光传感器定位在对应于所述设定高度的高度处，并且检测所述液膜的所述状态当中的所述液膜的厚度；以及底部光传感器，所述底部光传感器定位在支撑在所述支撑单元上的所述基板的所述顶表面与所述设定高度之间，并且检测所述液膜的状态当中的是否形成所述液膜，并且其中如果由所述顶部光传感器检测到的所述液膜的所述厚度低于所述设定高度，则所述控制器生成针对所述液体供应单元的所述液体保留命令信号，使得所述液体供应单元将所述液体供应到支撑在所述支撑单元上的所述基板，以使所述液膜的厚度形成到所述设定高度。
在一个实施方式中，所述监控单元包括重量测量构件，所述重量测量构件定位在所述支撑单元内并且检测供应到支撑在所述支撑单元上的所述基板的所述液体的重量。
在一个实施方式中，所述后处理单元是用于加热被供应有所述液体的基板的加热单元。
在一个实施方式中，所述加热单元是用于将激光照射到被供应有所述液体的所述基板的照射模块。
本发明构思提供了一种用于处理具有多个单元的掩模的基板处理设备。所述基板处理设备包括：支撑单元，所述支撑单元被配置为支撑并旋转掩模，所述掩模具有形成在所述多个单元内的第一图案并且具有形成在形成所述单元的区域之外的不同于所述第一图案的第二图案；液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将液体供应到支撑在所述支撑单元上的所述掩模；照射模块，所述照射模块用于将激光照射到所述第一图案和所述第二图案当中的被供应有所述液体的所述第二图案；监控单元，所述监控单元被配置为检查由供应到所述掩模上的液体形成的液膜的状态，以及控制器，并且其中所述监控单元包括视觉构件，所述视觉构件用于通过检测在所述液膜的表面处所述液体的流动来检测所述液膜的状态当中的所述液膜的振动，并且所述控制器根据由所述监控单元检测到的所述液膜的状态来生成用于执行停止驱动所述基板处理设备的待机命令，或用于将所述液体供应到所述掩模上的液体保留命令。
在一个实施方式中，如果所述视觉构件检测到所述液膜的所述振动，则所述控制器生成针对所述支撑单元和所述液体供应单元的所述待机命令的信号，使得在设定时间内保持停止所述支撑单元的旋转和所述液体供应单元的液体供应。
在一个实施方式中，所述视觉构件检测是否在所述液膜的所述表面处产生所述液膜的边界表面，并且进一步检测所述液膜的所述状态当中的所述液膜的破裂，并且如果所述视觉构件检测到所述液膜的所述边界表面，则所述控制器生成针对所述液体供应单元的所述液体保留命令信号，使得在设定时间期间通过所述液体供应单元来将所述液体供应到支撑在所述支撑单元上的所述掩模。
本发明构思提供了一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：将处理液体供应到基板；检查由供应到所述基板的所述处理液体形成的液膜的状态；以及在所述检查之后对在其处形成所述液膜的所述基板执行后处理。
在一个实施方式中，所述检查包括通过检测在所述液膜的表面处所述处理液体的流动来检测所述液膜的振动，以及如果检测到所述液膜的所述振动，则在设定时间期间保持停止将所述处理液体供应到所述基板。
在一个实施方式中，所述检查进一步包括检测是否在所述液膜的所述表面处产生所述液膜的边界表面，以及如果检测到所述液膜的破裂，则在设定时间期间进一步将所述处理液体供应到所述基板。
在一个实施方式中，所述检查进一步包括由底部光传感器来检测是否形成所述液膜，所述底部光传感器安装在对应于形成所述液膜的最小厚度的高度处。
在一个实施方式中，所述供应将所述处理液体供应到距所述基板的顶表面的设定高度处，并且所述检查进一步包括由顶部光传感器来检测由供应到所述设定高度的所述处理液体形成的所述液膜的厚度，所述顶部光传感器安装在对应于所述设定高度的高度处，以及如果检测到所述液膜的所述厚度低于所述设定高度，则在设定时间期间将所述处理液体供应到所述基板。
在一个实施方式中，所述检查进一步包括测量供应到所述基板的所述处理液体的重量，以及根据测量到的所述处理液体的所述重量来检测所述液膜的状态。
在一个实施方式中，所述基板包括多个单元，并且具有形成在所述多个单元内的第一图案和形成在形成所述单元的区域之外的不同于所述第一图案的第二图案，并且其中执行所述后处理是将激光照射到所述第一图案和所述第二图案当中的被供应有所述处理液体的所述第二图案。
根据本发明构思的实施方式，基板处理装置可以关于基板执行精确蚀刻。
根据本发明构思的实施方式，可以监控形成在基板上的墨滴的状态。
根据本发明构思的实施方式，可以在基板上形成均匀墨滴。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
附图说明
根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分，并且其中：
图1示出了监控图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸的正态分布。
图2是示意性地示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的平面视图。
图3是在图2的液体处理室处处理的基板的顶视图。
图4示意性地示出了图2的液体处理室的实施方式。
图5是图4的液体处理室的顶视图。
图6示意性地示出了从正面观察的图4的后处理单元。
图7示意性地示出了从上方观察的图6的后处理单元。
图8示意性地示出了图4的主端口的实施方式。
图9示意性地示出了从上方观察的图8的主端口和检测构件。
图10是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图。
图11示出了在图10的位置信息获取步骤处的基板处理设备。
图12示出了在图10的液体处理步骤处的基板处理设备。
图13是示出图10的液膜检查步骤的实施方式的流程图。
图14示出了在图13的液膜检查步骤处的基板处理设备。
图15示出了执行图10的后处理步骤的基板处理设备。
图16示出了执行图10的冲洗步骤的基板处理设备。
图17是示出图10的液膜检查步骤的另一个实施方式的流程图。
图18示意性地示出了图2的液体处理室的另一个实施方式。
图19是示出在图18的液体处理室中执行液膜检查步骤的另一个实施方式的流程图。
图20示意性地示出了用于在图19的液膜检查步骤中确定液膜的厚度的基板处理设备。
图21示意性地示出了用于在图19的液膜检查步骤中确定液膜的厚度处于异常状态的基板处理设备。
图22示意性地示出了在图21中的确定液膜的厚度处于异常状态之后执行液体保留命令的基板处理设备的状态。
图23示意性地示出了图2的液体处理室的另一个实施方式。
图24是示出在图23的液体处理室中执行液膜检查步骤的另一个实施方式的流程图。
具体实施方式
本发明构思可以不同地修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出并详细地描述本发明构思的具体实施方式。然而，根据本发明构思的实施方式不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括本发明构思的精神和技术范围中所包括的所有变形、等效物和替换。在本发明构思的描述中，当可能使本发明构思的本质不清楚时，可以省略对相关已知技术的详细描述。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，而不意图限制本发明构思。如本文所使用，未指定数量时以及“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地指出。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的群组的存在或添加。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一项或多项的任意和所有组合。另外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
应当理解，尽管在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用于描述各种元件、组件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段应不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，可以将下面讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
在下文中，将参考附图对本发明构思的实施方式进行详细描述。
在下文中，将参考图2至图24详细地描述本发明构思的实施方式。图2是示意性地示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的平面视图。
参考图2，基板处理设备包括转位模块10、处理模块20和控制器30。根据一个实施方式，当从上方观察时，转位模块10和处理模块20可以沿着一个方向设置。
在下文中，设置转位模块10和处理模块20的方向被定义为第一方向X，当从正面观察时垂直于第一方向X的方向被定义为第二方向Y，并且垂直于包括第一方向X和第二方向Y两者的平面的方向被定义为第三方向Z。
转位模块10将基板M从容纳基板M的容器C传送到处理基板M的处理模块20。转位模块10在容器C中储存已在处理模块20处对其完成预设处理的基板M。转位模块10的纵向方向可以在第二方向Y上形成。转位模块10可以具有装载端口12和转位框架14。
容纳基板M的容器C位于装载端口12上。装载端口12可以相对于转位框架14定位在处理模块20的对侧。可以设置多个装载端口12，并且多个装载端口12可以沿着第二方向Y布置成列。可以根据处理模块20的过程效率和占用面积条件等来增加或减少装载端口12的数量。
作为容器C，可以使用密封容器，诸如前开式统一吊舱(FOUP)。容器C可以通过传送装置(未示出)(诸如高处传送装置、高处输送器或自动引导载具)或由操作者放置在装载端口12上。
转位框架14提供了用于传送基板M的传送空间。转位机器人120和转位轨道124可以设置在转位框架14处。转位机器人120传送基板M。转位机器人120可以在转位模块10与稍后将描述的缓冲单元200之间传送基板M。转位机器人120包括转位手122。基板M可以放置在转位手122上。转位手122可以设置为可前后移动、在第三方向Z上可旋转并且沿着第三方向Z可移动。可以提供多个手122。多个手122可以各自在上/下方向上彼此间隔开。多个手122可以彼此独立地前后移动。
转位轨道124设置在转位框架14中。转位轨道124设置为使其纵向方向沿着第二方向Y。转位机器人120可以放置在转位轨道124上，并且转位机器人120可以沿着转位轨道124线性地可移动。
控制器30可以控制基板处理设备1。控制器可以包括过程控制器，所述过程控制器由执行对基板处理设备1的控制的微处理器(计算机)、操作者经由其输入管理基板处理设备1的命令的诸如键盘的用户接口、以及示出基板处理设备1的操作状况的显示器、以及存储处理方案(即，通过控制过程控制器来执行基板处理设备1的处理过程的控制程序或根据数据和处理条件来执行基板处理设备1的部件的程序)的存储器单元组成。另外，用户接口和存储器单元可以连接到过程控制器。处理方案可以存储在存储单元的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘、便携式盘(诸如CD-ROM或DVD)或者半导体存储器(诸如闪存存储器)。
控制器30可以控制基板处理设备1，因此执行下面要描述的基板处理方法。例如，控制器30可以控制设置在液体处理室400处的部件以执行下面描述的基板处理方法。
处理模块20可以包括缓冲单元200、传送框架300和液体处理室400。缓冲单元200提供被放入处理模块20中的基板M和从处理模块20取出的基板M临时停留在其中的空间。传送框架300提供用于在缓冲单元200、液体处理室400和干燥室500之间传送基板M的空间。液体处理室400将液体供应到基板M以执行用于处理基板M的液体处理过程。干燥室500可以执行用于干燥在其上已经完成液体处理的基板的干燥过程。
缓冲单元200可以设置在转位框架14与传送室300之间。缓冲单元200可以定位在传送框架300的一端处。在缓冲单元200内侧设置有放置基板M的狭槽(未示出)。可以设置多个狭槽(未示出)。多个狭槽(未示出)可以沿着第三方向Z间隔开。
缓冲单元200的前表面和后表面是开口的。前表面是朝向转位模块10的表面，并且后表面是朝向传送框架300的表面。转位机器人120可以通过前表面接近缓冲单元200，并且稍后将描述的传送机器人320可以通过后表面接近缓冲单元200。
传送框架300可以具有设置在第一方向X上的纵向方向。液体处理室400和干燥室500可以设置在传送框架300的两侧上。液体处理室400和干燥室500可以设置在传送框架300的一侧处。传送框架300和液体处理室400可以沿着第二方向Y设置。传送框架300和干燥室500可以沿着第二方向Y设置。
根据一个实施方式，液体处理室400可以设置在传送框架300的两侧上。在传送框架300的旁边，液体处理室400可以分别沿着第一方向X和第三方向Z设置成A×B的布置(其中A和B分别是大于1的自然数或1)。
传送框架300包括传送机器人320和传送轨道324。传送机器人320传送基板M。传送机器人320在缓冲单元200、液体处理室400和干燥室500之间传送基板M。传送机器人320包括其上放置有基板M的传送手322。基板M可以放置在传送手322上。传送手322可以设置为可前后可移动、绕第三方向Z可旋转并且沿着第三方向Z可移动。多个手322被设置为在上/下方向上彼此间隔开，并且多个手322可以彼此独立地前后移动。
传送轨道324可以沿着传送框架300的纵向方向设置在传送框架300中。在一个实施方式中，传送轨道324的纵向方向可以沿着第一方向X设置。传送机器人320可以放置在传送轨道324上，并且传送机器人320可以在传送轨道324上可移动。
图3从上方示意性地示出了已经在图2的液体处理室处处理的基板。在下文中，将参考图3详细地描述根据本发明构思的实施方式的在液体处理室400中处理的基板M。
参考图3，待在液体处理室400中处理的物体可以是晶片、玻璃和光掩模中的任一者。例如，在根据本发明构思的实施方式的液体处理室400中处理的基板M可以是作为在曝光过程中使用的‘框架’的光掩模。
基板M可以具有矩形形式。基板M可以是作为在曝光过程中使用的‘框架’的光掩模。可以在基板M上标记至少一个参考标记AK。例如，可以在基板M的每个拐角区域中形成多个参考标记AK。参考标记AK可以是在对准基板M时使用的被称为对准键的标记。此外，参考标记AK可以是用于导出基板M的位置的标记。例如，稍后将描述的成像单元4540可以通过对参考标记AK进行成像来获取图像，并将所获取的图像传输到控制器30。控制器30然后可以分析包括参考标记AK的图像以检测基板M的精确位置。另外，当传送基板M时，参考标记AK可以用于确定基板M的位置。
可以在基板M上形成单元CE。例如，可以形成至少一个单元CE，例如，多个单元CE。可以在每个单元CE处形成多个图案。在每个单元CE处形成的图案可以被定义为一个图案组。在单元CE处形成的图案可以包括曝光图案EP和第一图案P1。第二图案P2可以设置于在可以形成多个单元的单元区域之外的区域中。
曝光图案EP可以用于在基板M上形成实际图案。第一图案P1可以是表示在一个单元CE中的曝光图案EP的单个单元代表图案。另外，当设置多个单元CE时，在每个单元中设置第一图案，从而可以设置多个第一图案P1。在一个实施方式中，多个单元CE中的每一者可以设置有单个第一图案P1。然而，本发明构思不限于此，并且多个第一图案P1可以形成在一个单元CE中。第一图案P1可以具有组合每个曝光图案EP的部分的形式。第一图案P1可被称为监控图案。多个第一图案P1的临界尺寸的平均值可被称为临界尺寸监控宏(CDMM)。
当操作者通过扫描电子显微镜(SEM)来检查形成在任一个单元CE上的第一图案P1时，可以估计形成在任一个单元CE上的曝光图案EP的形式是良好还是较差。因此，第一图案P1可以充当用于检查曝光图案EP的检查图案。与上述示例不同，第一图案P1可以是在实际曝光过程中使用的曝光图案EP中的任一者。选择性地，第一图案P1可以是检查图案和同时在实际曝光中使用的曝光图案。
第二图案P2可以是表示在基板M的整个单元上的曝光图案EP的整个单元代表图案。例如，第二图案P2可以具有组合第一图案P1中的每一者的部分的形式。
当操作者通过扫描电子显微镜(SEM)来检查第二图案P2时，可以估计形成在一个基板M上的曝光图案EP的形式是良好还是较差。因此，第二图案P2可以充当检查图案。另外，第二图案P2可以是在实际曝光过程中不使用的检查图案。第二图案P2可以是用于设置曝光设备的过程条件的图案。第二图案P2可以被称为锚定图案。
在下文中，将详细地描述设置到液体处理室400的基板处理设备。在下文中，将在液体处理室400在制造用于曝光过程的掩模的过程期间执行精细临界尺寸校正(FCC)过程时执行的处理过程描述为示例。
待被放入液体处理室400中并在其处处理的基板M可以是已经对其执行预处理的基板M。待被放入液体处理室400中的基板M的第一图案P1的临界尺寸和第二图案P2的临界尺寸可以彼此不同。根据一个实施方式，第一图案P1的宽度可以相对大于第二图案P2的宽度。例如，第一图案P1的临界尺寸可以相对大于第二图案P2的临界尺寸。在一个实施方式中，第一图案P1的临界尺寸可以具有第一宽度(例如，69nm)。第二图案P2的临界尺寸可以具有第二宽度(例如，68.5nm)。
图4示意性地示出了图2的液体处理室的实施方式。图5是图4的液体处理室的顶视图。参考图4和图5，液体处理室400可以包括壳体410、支撑单元420、处理容器430、后处理单元450、监控单元460和主端口490。
壳体410具有内部空间。内部空间可以设置有支撑单元420、处理容器430、液体供应单元440、后处理单元450、监控单元460和主端口490,。壳体410可以设置有门道(未示出)，通过所述门道可以放入和取出基板M。壳体410的内壁表面可以涂有对液体供应单元440供应的化学品具有高耐腐蚀性的材料。
排气孔414可以形成在壳体410的底表面上。排气孔414可以连接到能够对内部空间进行排气的排气构件，诸如泵。因此，可能会在内部空间处产生的烟雾等可以通过排气孔414排到壳体410的外部。
支撑单元420可以支撑基板M。支撑单元420可以在稍后将描述的处理容器430的处理空间中支撑基板M。支撑单元420可以旋转基板M。支撑单元420可以包括主体421、支撑销422、支撑轴426和驱动构件427。
主体421可以具有板形式。主体421可以具有恒定厚度。当从上方观察时，主体421可以具有以大体圆形形式设置的顶表面。主体421的顶表面的面积可以设置为相对大于基板M的面积。支撑销422可以组合到主体421。
支撑销422可以支撑基板M。当从上方观察时，支撑销422可以具有大致圆形形式。当从上方观察时，支撑销422可以具有对应于基板M的边缘区域的向下台阶部分。支撑销422可以具有第一表面和第二表面。例如，第一表面可以支撑基板M的边缘区域的底侧。第二表面可以面向基板M的边缘区域的侧面。因此，如果基板M旋转，则基板M在横向方向上的移动可能受到第二表面的限制。
可以设置至少一个支撑销422。例如，可以设置多个支撑销422。支撑销422的数量可以被设置成对应于具有矩形形式的基板M的拐角的数量。支撑销422可以支撑基板M，因此基板M的背侧(底表面)与主体421的顶表面间隔开。
支撑轴426可以联接到主体421。支撑轴426可以定位在主体421下方。支撑轴426可以是中空轴。流体供应管线428可以形成在中空轴内。流体供应管线428可以将处理流体和/或处理气体供应到基板M下方。例如，处理流体可以包括化学液体或冲洗液体。化学品可以是具有酸性特性或碱性特性的液体。冲洗液体可以是纯水。例如，处理气体可以是惰性气体。处理气体可以干燥基板M的底部。然而，与实施方式不同，流体供应管线428可以不供应到支撑轴426内。
支撑轴426可以由驱动构件427在上/下方向上移动。支撑轴426可以由驱动构件427旋转。驱动构件427可以是中空马达。当驱动构件427旋转支撑轴426时，联接到支撑轴426的主体421可以旋转。放置在安装于主体421上的支撑销422上的基板M也可以与主体421的旋转一起旋转。
处理容器430具有处理空间。处理容器430具有用于处理基板M的处理空间。处理容器430可以具有带有开放顶部的处理空间。处理容器430可以具有带有开放顶部的圆柱形形式。基板M可以在处理空间中进行液体处理和热处理。处理容器430可以防止供应到基板M的处理液体飞散到壳体410、液体供应单元440和后处理单元450。
处理容器430可以包括底部单元、竖直单元434和倾斜单元435。当从上方看时，底部单元433可以具有在其处插入支撑轴426的开口。底部单元433可以具有被形成用于排放由液体供应单元440供应的处理液体的排放孔434。竖直单元434可以在向上方向上沿着第三方向Z从底部单元433延伸。竖直单元435可以从竖直单元434倾斜延伸。例如，倾斜单元435可以相对于地面向上倾斜延伸，因为倾斜单元435朝向支撑在支撑单元420上的基板M的方向。
处理容器430可以联接到升降构件436。升降构件436可以沿着第三方向Z改变处理容器430的位置。升降构件436可以是用于在上/下方向上移动处理容器430的驱动装置。在对基板M执行液体处理和/或后处理的同时，升降构件436可以使处理容器430在向上方向上移动。在稍后将描述的监控单元460检查基板M的液膜状态的同时，升降构件436可以使处理容器430在向下方向上移动。另外，如果基板M被放入内部空间412中以及如果基板M被从内部空间412取出，则升降构件436可以使处理容器430在向下方向上移动。
液体供应单元440可以将液体供应到基板M。液体供应单元440可以供应用于对基板M进行液体处理的处理液体。液体供应单元440可以将处理液体供应到由支撑单元420支撑的基板M。在一个实施方式中，液体供应单元440可以将处理液体供应到基板M，所述基板M具有在多个单元CE内形成的第一图案和在形成单元CE的区域之外形成的第二图案P2。
处理液体可以是蚀刻液体或冲洗液体。蚀刻液体可以是化学品。蚀刻液体可以蚀刻形成在基板M上的图案。蚀刻液体也可以被称为蚀刻液体。蚀刻液体可以是包含混合溶液的液体，在所述混合溶液中混合了氨、水和添加剂并且包括过氧化氢。冲洗液体可以清洁基板M。冲洗液体可以作为已知的化学液体提供。
参考图5，液体供应单元440可以包括喷嘴441、固定主体442、旋转轴443以及旋转构件444。喷嘴441可以将处理液体供应到由支撑单元420支撑的基板M。喷嘴441的一端可以连接到固定主体442，并且其另一端可以在从固定主体442朝向基板M的方向上延伸。喷嘴411可以在第一方向X上从固定主体442延伸。喷嘴411的另一端可以在沿支撑在支撑单元420上的基板M的方向以特定角度弯曲时延伸。
喷嘴411可以包括第一喷嘴411a、第二喷嘴411b和第三喷嘴411c。第一喷嘴411a、第二喷嘴411b或第三喷嘴411c中的任一者都可以供应上述处理液体中的化学品。另外，第一喷嘴411a、第二喷嘴411b和第三喷嘴411c中的另一者可以供应前述处理液体中的冲洗液体。第一喷嘴411a、第二喷嘴411b或第三喷嘴411c中的最后一者可以供应与由第一喷嘴411a、第二喷嘴411b或第三喷嘴411c中的另一者供应的化学品不同种类的化学品。
主体442可以固定和支撑喷嘴441。主体442可以连接到通过旋转构件444在第三方向Z上旋转的旋转轴443。当旋转构件444旋转旋转轴443时，主体442可以绕第三方向Z旋转。因此，喷嘴441的出口可以在液体供应位置与待机位置之间移动，所述液体供应位置是向基板M供应处理液体的位置，所述待机位置是不向基板M供应处理液的位置。
图6示意性地示出了从正面观察图4的后处理单元时的状态。图7示意性地示出了从上方观察的图6的后处理单元。
参考图6和图7，后处理单元450可以对基板W执行后处理。后处理单元450可以对被供以处理液的基板M进行后处理。例如，后处理单元450可以对基板M执行后处理，在由液体供应单元440在基板M上供应液体之后，所述基板上形成液膜。由后处理单元450执行的后处理可以是热处理。例如，由后处理单元450执行的后处理可以是通过对其上形成有液膜的基板M照射激光来关于基板M的特定区域进行的热处理。也就是说，根据本发明构思的实施方式的后处理单元450可以是用于加热基板M的加热单元。另外，根据本发明构思的实施方式的加热元件可以是用于照射激光的照射模块。在下文中，为了便于描述，将作为示例来描述其中根据本发明构思的实施方式的后处理单元450是照射模块的情况。
照射模块450可以对基板M执行热处理。照射模块450可以关于基板M照射光。例如，照射模块450可以进行图像或/和视频的成像以用于加热基板M。照射模块450可以包括壳体4510、移动单元4520、激光单元4530以及成像单元4540。
壳体4510在其中具有安装空间。激光单元4530和成像单元4540可以定位在壳体4510的安装空间中。在一个实施方式中，激光单元4530、相机单元4542和成像单元4544可以定位在壳体4510的安装空间中。壳体4510保护激光单元4530和成像单元4540免受在过程期间产生的颗粒、烟雾或散射液滴的影响。
开口可以形成在壳体4510下方。稍后将描述的照射端4535可以插入壳体4510的开口中。当照射端4535插入壳体4510的开口中时，照射端4535的一端可以定位成从壳体4510的底端突出。例如，稍后将描述的镜筒4537的一部分可以从壳体4510的底端突出。
移动单元4520移动壳体4510。移动单元4520可以通过移动壳体4510来移动稍后描述的照射端4535。移动单元4520可以包括驱动器4522、轴4524和移动构件4526。
驱动器4522可以是马达。驱动器4522可以连接到轴4524。驱动器4522可以在竖直方向上移动轴4524。驱动器4522可以旋转轴4524。在一个实施方式中，可以设置多个驱动器4522。多个驱动器4522中的任一者可以设置为用于旋转轴4524的旋转马达，并且多个驱动器4522中的另一者可以设置为用于在竖直方向上移动轴4524的线性马达。
轴4524可以连接到壳体4510。轴4524可以经由移动构件4526连接到壳体4510。随着轴4524旋转，壳体4510也可以旋转。因此，也可以改变稍后将描述的照射端4535的位置。例如，照射端4535的位置可以在第三方向Z上改变。另外，相对于作为旋转轴线的第三方向Z，可以改变照射端4535的位置。
当从上方观察时，照射端4535的中心可以通过画弧来移动到轴4524的中心。当从上方观察时，照射端4535的中心可以移动以穿过由支撑单元420支撑的基板M的中心。照射端部段4535可以在通过移动单元4520而在将激光L照射到基板M的过程位置与待机位置之间移动，所述待机位置是在不对基板M执行加热处理的情况下待机的位置。稍后将描述的主端口490定位在待机位置处。
移动构件4526可以设置在壳体4510与轴4524之间。移动构件4526可以是LM引导件。移动构件4526可以在侧向方向上移动壳体4510。移动构件4526可以在第一方向X和/或第二方向Y上移动壳体4510。照射端4535的位置可以通过驱动器4522和移动构件4526进行各种改变。
激光单元4530可以加热基板M。激光单元4530可以加热支撑在支撑单元上的基板M。激光单元4530可以加热基板M的部分区域。激光单元4530可以加热基板M的特定区域。激光单元4530可以加热通过供应化学品C而在其上形成液膜的基板M。激光单元4530可以加热形成在基板M上的图案。激光单元4530可以加热第一图案P1或第二图案P2中的任一者。在一个实施方式中，加热单元4530可以通过向第二图案P2照射激光L来加热第二图案P2。
激光单元4530可以包括激光照射单元4531、光束扩展器4532、倾斜构件4533、底部反射构件4534和透镜构件4535。激光照射单元461可以照射激光L。激光照射单元4531可以发射具有平直度的激光L。由激光照射单元461照射的激光L可以在穿过底部反射构件4534和透镜构件4535之后照射到基板M。在一个实施方式中，由激光照射单元461照射的激光L可以在穿过底部反射构件4534和透镜构件4535之后照射到形成在基板M上的第二图案P2。
光束扩展器4532可以控制从激光照射单元4531照射的激光L的特性。光束扩展器4532可以调整从激光照射单元4531照射的激光L的形式。另外，光束扩展器4532可以调整从激光照射单元4531照射的激光的轮廓。例如，从激光照射单元4531照射的激光L可以改变光束扩展器4532的直径。从激光照射单元4531照射的激光L可以在光束扩展器4532处扩展或减小其直径。
倾斜构件463可以使由激光照射单元461照射的激光L的照射方向倾斜。倾斜构件463可以基于轴线旋转激光照射单元461。倾斜构件4533可以通过旋转激光照射单元4531来使由激光照射单元461照射的激光L的照射方向倾斜。倾斜构件463可以包括马达。
底部反射构件4534可以改变从激光照射单元4531照射的激光L的照射方向。例如，底部反射构件4534可以将照射到水平方向的激光L的照射方向改变为竖直底部方向。例如，底部反射构件4534可以将激光L的照射方向改变为照射端4524的方向。已经由底部反射构件折射的激光L可以去往待处理的基板M或设置在稍后将描述的主端口490处的测量构件491。
当从上方观察时，底部反射构件4534可以定位成与稍后将描述的顶部反射构件4548重叠。底部反射构件4534可以设置在顶部反射构件4548下方。底部反射构件4534可以以与顶部反射构件4548相同的角度倾斜。
透镜构件4535可以包括透镜4536和镜筒4537。在一个实施方式中，透镜4536可以是物镜。镜筒4537可以安装在透镜的底端处。镜筒4537可以具有大致圆柱形的形状。镜筒4537可以插入形成在壳体4510的底端处的开口中。镜筒4537的一端可以定位成从壳体4510的底端突出。
透镜构件4535可以用作照射端4535，激光L通过所述照射端照射到基板M。由激光单元4530照射的激光L可以通过照射端4535照射到基板M。相机单元4542的成像可以通过照射端4535来提供。由照明模块4544照射的光可以通过照射端4535来提供。
成像单元4540可以对由激光单元4530照射的激光L进行成像。成像单元4540可以获取在其处从激光模块4330照射激光L的区域的图像，诸如视频和/或图像。成像单元4540可以监控从激光照射单元4531照射的激光L。成像单元4540可以获取从激光照射单元4531照射的激光L的图像或/和视频。在一个实施方式中，成像单元4540可以获取图像，诸如照射到基板M的激光L的视频和/或图像，并且将相关数据传输到控制器30。另外，成像单元4540可以获取图像，诸如照射到稍后将描述的测量构件491的激光L的图像和/或视频，并且将相关数据传输到控制器30。
成像单元4540可以监控激光L的信息。例如，成像单元4540可以监控激光L的直径信息。另外，成像单元4540可以监控激光L的中心信息。另外，成像单元4540可以监控激光L的轮廓信息。成像单元4540可以包括相机单元4542、照明单元4544和顶部反射构件4548。
相机单元4542获取从激光照射单元4531照射的激光L的图像。例如，相机单元4542可以获得包括由激光照射单元4531照射的激光L照射在其处的点的图像。另外，相机单元4542获取由支撑单元420支撑的基板M的图像。
相机单元4542可以是相机。相机单元4542成像以获取图像的方向可以指向稍后将描述的顶部反射构件4548。相机单元4542可以将获取的照片和/或视频传输到控制器30。
照明单元4544可以提供光，使得相机单元4542可以容易地获取图像。照明单元4544可以包括照明构件4545、第一反射板4546和第二反射板4547。照明构件4545照射光。照明构件4545提供光。由照明构件4545提供的光可以沿着第一反射板4546和第二反射板4547按顺序反射。由照明构件4545提供的光可以从第二反射板4547反射并且照射在朝向稍后将描述的顶部反射构件4548的方向上。
顶部反射构件4548可以改变相机单元4542的成像方向。例如，顶部反射构件4548可以将相机单元4542的作为水平方向的成像方向改变为竖直向下方向。例如，顶部反射构件4548可以改变相机单元4542的成像方向以朝向照射端4535。顶部反射构件4548可以将按顺序传输通过第一反射板4546和第二反射板4547的照明构件4545的光的照射方向从水平方向改变为竖直向下方向。例如，顶部反射构件4548可以改变照明单元4544的光的照射方向以朝向照射端4535。
当从上方观察时，顶部反射构件4548和底部反射构件4534可以定位成重叠。顶部反射构件4548可以设置在底部反射构件4534上方。顶部反射构件4548和底部反射构件4534可以以相同的角度倾斜。如果从上方看到由激光照射单元4531照射的激光L的照射方向、相机单元4542获取图像的成像方向以及由照明单元4544提供的光的照射方向，则顶部反射构件4548和底部反射构件4534可以具有同轴轴线。
返回参考图4，监控单元460可以监控由支撑单元420支撑的基板M。监控单元460可以监控形成在由支撑单元420支撑的基板M上的液膜CC的状态。由监控单元460感测到的基板M的液膜CC的状态可以传输到控制器30。根据本发明构思的实施方式的监控单元460可以包括视觉构件4620。例如，视觉构件4620可以是相机。
视觉构件4620设置在壳体410的内部空间412中。在一个实施方式中，视觉构件4620可以安装在壳体410的侧壁上。视觉构件4620可以安装在壳体410的侧壁上高于支撑单元420的位置处。视觉构件4620可以设置在能够最小化对液体供应单元440和后处理单元450的干扰的位置处。视觉构件4620可以安装在壳体410的侧壁上以在向下倾斜方向上对要成像的基板M进行成像。另外，视觉构件4620可以安装在壳体410的侧壁上的能够保持用于监控由支撑单元420支持的基板M的视角的位置。
视觉构件4620可以检测形成在基板M上的液膜CC的状态。视觉构件4620可以检测由液体供应单元440向基板M供应的化学品C形成的液膜CC的状态。根据本发明构思的实施方式，视觉构件4620可以对形成在基板M上的液膜CC的表面进行成像。视觉构件4620可以从液膜CC的成像的表面来检测形成液膜CC的化学品C的流动。视觉构件4620可以从形成在基板M上的液膜CC中的化学品C的流动来检测液膜CC的振动。例如，如果液膜CC中的化学品C的流动相对增加，则视觉构件4620可以检测到已经向基板M施加振动来引起液膜CC的振动。相反，如果液膜CC中的化学品C的流动相对减少，则视觉构件4620可以检测到基板M和液膜CC处于稳定状态。稍后将描述控制器30用以根据由监控单元460检测到的液膜的状态来控制基板处理设备1的机构的详细描述。
图8示意性示出了图4的检测构件的实施方式。图9示意性地示出了从上方观察的图8的检查构件。参考图8和图9，主端口490定位在壳体410的内部空间中。如果照射端4535通过移动单元4520处于待机位置，主端口490可以安装在照射端4535下方的区域中。也就是说，主端口490提供激光单元4530在其处做好准备的待机位置。主端口490可以包括测量构件491、板492和支撑框架493。
测量构件491设置在主端口490处。测量构件491可以定位在稍后将描述的板492的顶端处。在一个实施方式中，如果照射端4535处于待机位置，则测量构件491可以定位在照射端4535下方的区域中。
测量构件491检测从激光单元4530照射的激光L的特性。例如，测量构件491可以测量从激光单元4530照射的激光L的特性中的激光L的清晰度、激光L的圆比、激光L的梯度和/或激光L的的中心位置数据。
根据一个实施方式，成像单元4540可以将对测量构件491和测量构件491照射的激光L的图像和/或视频传输到控制器30。控制器30可以基于激光L的传输的数据来改变激光L的特性。
测量构件491可以被定义为全局坐标系统。预设的参考位置可以标记在测量构件491上。另外，测量构件491可以包括刻度以检查参考位置与激光L照射到的照射位置之间的误差。
测量构件491可以组合到板492的顶表面。板492可以由支撑框架493支撑。支撑框架493可以通过示出的升降构件来向上/向下移动。由板492和支撑框架493确定的测量构件491的高度可以设定为与由支撑单元420支撑的基板M相同的高度。从壳体410的底表面到测量构件491的顶表面的高度可以与从壳体410的底表面到由支撑单元rlxk420支撑的基板M的顶表面的高度相同。这是为了在加热基板M时使用测量构件491来测量激光L的特性和照射端4535的高度时匹配照射端4535的高度。另外，如果由激光照射单元461照射的激光L的照射方向相对于第三方向Z稍微失真，则激光L的照射位置可以根据照射端4535的高度变化，因此测量构件491可以设置在与由支撑单元420支撑的基板M相同的高度。
在下文中，将详细地描述根据本发明构思的实施方式的基板处理方法。可以通过上述液体处理室400来执行下述基板处理方法。此外，控制器30可以控制液体处理室400的部件，使得液体处理室400可以执行下述基板处理方法。例如，控制器30可以生成用于控制支撑单元420、升降构件436、液体供应单元440和监控单元460中的至少一者的控制信号，使得液体处理室400的部件可以执行下述基板处理方法。
图10是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图。图11示出了执行图10的位置信息获取步骤的基板处理设备。参考图10和图11，根据本发明构思的实施方式的基板处理方法可以包括基板放入步骤S10、过程准备步骤S20、位置信息获取步骤S30、蚀刻步骤S40、冲洗步骤S50以及基板取出步骤S60。
在基板放入步骤S10中，将基板放入壳体410的内部空间412中。例如，门(未示出)可以打开在壳体410处形成的进/出门道(未示出)。另外，在基板放入步骤S10中，传送机器人320可以将基板M坐置在支撑单元420上。当传送机器人320将基板M坐置在支撑单元420上时，升降构件436可以降低处理容器430的位置。
过程准备步骤S20可以在完成基板M的放入之后执行。在过程准备步骤S20中，可以确认在照射到基板M的激光L的照射位置处是否出现误差。例如，在过程准备步骤S20中，激光单元4530可以将测试激光L照射到误差检查单元490的测量构件491的坐标系统。如果从激光单元4530照射的测试激光L照射到提前显示在测量构件491的坐标系统上的预设目标位置，则确定在激光照射单元461处未发生失真，并且可以执行稍后将描述的下一位置信息获取步骤S30。另外，不仅在过程准备步骤S20处确认在激光L的照射位置处是否出现误差，而且可以将液体处理室400的配置返回到早期状态。
可以通过在待机位置与用激光L照射基板M的过程位置之间移动照射模块450的照射端4535并且通过支撑单元420在一个方向上旋转基板M来执行位置信息获取步骤S30。如果照射端4535被移动并且基板M在一个方向上旋转，则照射端4535和参考标记AK可以在特定时间点彼此重合，如图11所示。在这种情况下，成像单元4540可以获得参考标记AK的图像和/或视频。控制器30可以通过由图像单元4540获取的图像和/或视频数据来获得关于参考标记AK的坐标值。另外，控制器30可以提前存储基板M的左侧宽度和右侧宽度、关于基板M的中心点的坐标数据，以及关于基板M内的第一图案P1、第二图案P2和曝光图案EP的位置的坐标数据。控制器30可以基于参考标记AK的所获得的坐标值和先前存储的数据来获得关于基板M的中心点、第一图案P1和第二图案P2的位置信息。
在蚀刻步骤S40中，可以对形成在基板M上的图案执行蚀刻。在蚀刻步骤S40中，可以执行关于形成在基板M上的图案的蚀刻，使得第一图案P1的临界尺寸和第二图案P2的临界尺寸彼此一致。例如，蚀刻步骤S40可以是用于校正上述第一图案P1与第二图案P2之间的临界尺寸差异的临界尺寸校正过程。蚀刻步骤S40可以包括液体处理步骤S41、液膜步骤S42和加热步骤S42。
图12示出了用于执行图10的液体处理步骤的基板处理设备的状态。参考图12，液体处理步骤S41可以是液体供应单元440将蚀刻剂(其为化学品C)供应到基板M的步骤。在液体处理步骤S41中，支撑单元420可以不旋转基板M。这是为了最小化基板M的位置的偏差以在稍后将解释的加热步骤S43处准确地将激光L照射到特定图案。
在液体处理步骤S41处供应的化学品C的量可以足够地供应以形成一滩供应到基板M上的化学品C。根据本发明构思的实施方式的液体处理步骤S41，可以从支撑在支撑单元420上的基板M的顶表面将化学品C供应到设定高度。例如，在液体处理步骤S41处供应的化学品C的量可以覆盖基板M的整个顶表面，但可以供应到该量的化学品C不向下流或者即使化学品C从基板M向下流也不会很大的程度。如有必要，在喷嘴441改变其位置时，化学品C可以供应到基板M的整个顶表面。
在上述实施方式中，在液体处理步骤S41中将化学品C供应到基板M上而不旋转基板M，但本发明构思不限于此。例如，在液体处理步骤S41中，可以在旋转基板M的同时将化学品C供应到基板M上。
图13是示出图10的液膜检查步骤的实施方式的流程图。图14示出了执行图13的液膜检查步骤的基板处理设备。在下文中，将参考图13和图14详细地描述根据本发明构思的实施方式的液膜检查步骤。
在液膜检查步骤S42中，在液体处理步骤S41中检查由供应到基板M的化学品C形成的液膜CC的状态。液膜检查步骤S42可以在完成液体处理步骤S41之后执行。选择性地，可以在执行液体处理步骤S41的同时执行液膜检查步骤S42。另外，可以在执行蚀刻步骤S40的同时执行液膜检查步骤S42。
在液膜检查步骤S42中，使用监控单元460来检查形成在基板M上的液膜CC的状态。根据一个实施方式，在液膜检查步骤S42中，可以基于由视觉构件4620成像的基板M的表面来检测形成在基板M上的液膜CC的状态。
在液膜检查步骤S42中，可以对基板M的表面进行成像以检测在形成于基板M上的液膜CC的表面上流动的化学品C。在液膜检查步骤S42中，可以通过检测在液膜CC的表面上流动的化学品C的量来检查基板M和/或液膜CC是否振动。例如，如果未在液膜CC中检测到化学品C的流动，则视觉构件4620可以确定未在基板M和液膜CC中产生振动。另外，如果视觉构件4620检测到在液膜CC中的化学品C的流动，但产生的振动值未超过极限范围，则控制器30可以生成控制信号，所述控制信号执行过程命令以执行稍后将描述的后处理步骤S43。因此，对基板M执行稍后将描述的后处理步骤S43。
与以上描述不同，如果在液膜CC中检测到化学品C的流动，则视觉构件4620可以确定向基板M施加振动来在液膜CC中产生振动。如果在液膜CC中检测到化学品C的流动，则视觉构件4620可以检测化学品C的流量并且将其转换为振动值。
控制器30可以记录在基板M和液膜CC中产生的振动的极限范围。如果由视觉构件4620检测到的在液膜CC中产生的振动值超过极限值，则控制器30可以生成控制信号，所述控制信号执行待机命令以停止驱动基板处理设备1。控制器30可以生成用于将待机命令维持预设时间的控制信号。例如，预设时间可以高达5分钟。例如，待机命令可以处于支撑单元420不旋转并且液体供应单元440不将化学品C供应到基板M的状态。
在经过预设时间之后，视觉构件4620对形成在基板M上的液膜CC的表面进行成像。可以基于由视觉构件4620成像的基板M的表面状态来检测在液膜CC的表面上流动的化学品C。如果再次检测到液膜CC中的化学品C的流动，则视觉构件4620可以确定向基板M施加振动来在液膜CC中产生振动。视觉构件4620可以检测化学品C的流量并且将检测到的流量转换为振动值。如果由视觉构件4620检测到的振动值再次超过极限范围，则控制器30生成针对基板处理设备1的警报信号并且使其互锁。
相反，在经过预设时间之后，如果未在液膜CC中检测到化学品C的流动，则视觉构件4620可以确定向基板M施加的振动已被去除。因此，视觉构件4620可以确定解决了在液膜CC中产生的振动状态。控制器30可以生成用于执行过程命令的控制信号，使得基板处理设备1执行稍后将描述的后处理步骤S43。因此，对基板M执行稍后将描述的后处理步骤S43。
图15示出了用于执行图10的后处理步骤的基板处理设备的状态。参考图15，在加热步骤S42中，可以通过将激光L照射到基板M来加热基板M。例如，在加热步骤S42中，照射模块450可以通过将激光照射到基板M来加热在其上形成液膜的基板M。在加热步骤S42中，激光L可以照射到基板M的特定区域。激光L照射到的基板M的特定区域的温度可以增加。因此，化学品C在激光L照射到的区域处的蚀刻量可以增加。
在加热步骤S42中，激光L可以照射到第一图案P1或第二图案P2中的任一者。例如，激光L可以仅照射到第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。因此，化学品C关于第二图案P2的蚀刻能力得到改进。因此，第一图案P1的临界尺寸可以从第一宽度(例如，69nm)改变为目标临界尺寸(例如，70nm)。此外，第二图案P2的临界尺寸可以从第二宽度(例如，68.5nm)改变为目标临界尺寸(例如，70nm)。也就是说，可以通过改进关于基板M的一些区域的蚀刻能力来使形成在基板M上的图案的临界尺寸偏差最小化。
图16示出了执行图10的冲洗步骤的基板处理设备。参考图16，在冲洗步骤S50中，将在蚀刻步骤S40中产生的过程副产物从基板M去除。在冲洗步骤S50中，可以将冲洗液体R供应到旋转的基板M。可以将冲洗液体R供应到基板M以去除形成在基板M上的过程副产物。为了根据需要干燥留在基板M上的冲洗液体R，支撑单元420可以高速旋转基板M，以去除留在基板M上的冲洗液体R。
在基板取出步骤S60中，可以将已经处理的基板M从内部空间412取出。在基板取出步骤S60中，门(未示出)可以打开在壳体410处形成的进/出门道(未示出)。另外，在基板取出步骤S60中，传送机器人320可以将基板M从支撑单元420卸载并且将卸载的基板M取出内部空间412。
如果通过在其上形成有液膜CC的基板M上使用激光来加热形成在基板M上的特定图案(例如，第二图案P2)，则形成在基板M上的液膜CC的形状很重要。具体地，形成在基板M上的液膜CC的表面形状决定了形成在基板M上的图案中入射的激光L的折射角。因此，形成在基板M的表面上的液膜CC的形状的均匀形成充当精细地蚀刻特定图案的非常重要的因素。可以通过传送到基板M的振动来改变形成在基板M的表面上的液膜CC的均匀性。例如，如果支撑基板M的支撑单元420被摇动，则从支撑单元420传递到基板M的振动的幅度相应地增加。在这种情况下，振动还传递到形成在基板M上的液膜CC以改变液膜CC的表面形状。因此，当对其上形成有液膜CC的基板M照射激光L时，传递到液膜CC的振动使得难以准确地蚀刻特定图案。
根据上述本发明构思的实施方式，可以根据在由支撑单元420支撑的基板M的表面上流动的化学品C的状态使用视觉构件4620来检测向形成在基板M上的液膜CC施加的振动的幅度和/或是否已经发生振动。根据向液膜CC施加的振动的幅度，可以在液膜CC振动时防止向基板M照射激光L的后处理步骤S43。因此，可以通过防止激光L被照射到基板M的在其处形成具有低均匀性的液膜CC的特定图案区域来执行基板M的特定图案的精确蚀刻。也就是说，根据本发明构思的实施方式，如果在形成于基板M上的液膜CC具有良好均匀性时通过对基板M进行后处理来将激光L照射在特定图案上，则可以通过精确地仅以特定图案为目标来照射激光L。
下面描述的本发明构思的其他实施方式大多类似于根据本发明构思的实施方式的基板处理设备和基板处理方法，除了进一步描述的情况。因此，在下文中，为了便于描述，将省略重叠配置的描述。
图17是示出图10的液膜检查步骤的另一个实施方式的流程图。参考图17，根据本发明构思的实施方式的视觉构件4620可以检测形成在基板M上的液膜CC的状态。视觉构件4620可以检测由从液体供应单元440供应到基板M的化学品C形成的液膜CC的状态。根据本发明构思的实施方式，视觉构件4620可以对形成在基板M上的液膜CC的表面进行成像。视觉构件4620可以检测是否从液膜CC的成像表面产生液膜CC的边界表面。视觉构件4620可以根据是否出现液膜CC的边界表面来检测液膜CC的破裂状态。
例如，如果未在液膜CC的表面上检测到边界表面，则视觉构件4620可以确定液膜CC未破裂。控制器30可以生成用于执行过程命令的控制信号，使得基板处理设备1执行后处理步骤S43。因此，对基板M执行后处理步骤S43。
与以上描述不同，如果在液膜CC的表面中检测到边界表面，则视觉构件4620可以确定液膜CC被破裂。视觉构件4620可以将液膜CC处于破裂状态的数据信号传输到控制器30。如果确定液膜CC处于破裂状态，则控制器30可以生成针对液体供应单元440的控制信号，以执行用于将化学品C供应到基板M的液体保留命令。
接收到对应于液体保留命令的控制信号的液体供应单元440可以进一步在设定时间内将化学品C供应到由支撑单元420支撑的基板M。例如，设定时间可以高达5分钟。当液体供应单元440执行液体保留命令时，可以按在基板M上供应的化学品C可以形成一滩的量来供应向基板M供应的化学品C的量。例如，液体供应单元440可以将化学品C供应到距由支撑单元420支撑的基板M的顶表面的设定高度H处。
在经过预设时间之后，视觉构件4620对形成在基板M上的液膜CC的表面进行重新成像。基于由视觉构件4620成像的基板M的表面状态，视觉构件4620再次检测液膜CC的表面上是否出现边界表面。如果检测到再次在液膜CC的表面上产生边界表面，则视觉构件4620可以确定基板M被破裂。控制器30生成针对基板处理设备1的警报信号并且将警报信号互锁。
相反，在经过预设之间之后，视觉构件4620可以对形成在基板M上的液膜CC的表面进行重新成像，并且如果检测到未出现液膜CC的边界表面，则确定形成在基板M上的液膜CC的破裂状态已经被解决。控制器30可以生成用于执行过程命令的控制信号，使得基板处理设备1执行后处理步骤S43。因此，对基板M执行后处理步骤S43。
根据上述本发明构思的实施方式，可以使用视觉构件4620根据在由支撑单元420支撑的基板M的表面上流动的化学品C的状态来检测是否形成液膜CC的边界表面。因此，可以检测形成在基板M上的液膜CC是否处于破裂状态。激光L照射到液膜CC在其处破裂的区域，并且激光L折射以防止蚀刻意想不到的区域。因此，可以通过防止激光L被照射到基板M的在其处形成具有低均匀性的液膜CC的特定图案区域来执行基板M的特定图案的精确蚀刻。也就是说，根据本发明构思的实施方式，如果在形成于基板M上的液膜CC具有良好均匀性时通过对基板M进行后处理来将激光L照射在特定图案上，则可以通过精确地仅以特定图案为目标来照射激光L。
图18示意性地示出了图2的液体处理室的另一个实施方式。根据下面描述的本发明构思的其他实施方式的液体处理室类似地设置，除了上述液体处理室的配置中的监控单元460。因此，为了便于描述，将省略重叠配置的描述。
参考图18，监控单元460可以监控由支撑单元420支撑的基板M。监控单元460可以监控形成在由支撑单元420支撑的基板M上的液膜CC的状态。由监控单元460感测到的基板M的液膜CC的状态可以传输到控制器30。根据实施方式的监控单元460可以检测是否形成液膜CC和/或液膜CC的状态之中的液膜CC的厚度。监控单元460可以包括顶部光传感器4642和底部光传感器4644。
顶部光传感器4642可以检测液膜CC的厚度。顶部光传感器4642可以成对设置。顶部光传感器4642可以包括用于照射光的第一光发射单元4642a和用于接收光的第一光接收单元4642b。顶部光传感器4642可以安装在壳体410的侧壁上。顶部光传感器4642可以设置在稍后将描述的底部光传感器4644上方。顶部光传感器4642可以安装在壳体410的侧壁中的对应于设定高度H的位置处。设定高度H可以是通过从由支撑单元420支撑的基板M的顶表面开始供应化学品而形成的液膜CC的高度。如果由顶部光传感器4642检测到形成在基板M上的液膜CC的厚度，则可以通过升降构件436降低处理容器430。
底部光传感器4644可以检测是否形成液膜CC。可以设置一对底部光传感器4644。底部光传感器4644可以包括用于照射光的第二光发射单元4644a和用于接收光的第二光接收单元4644b。底部光传感器4644可以安装在壳体410的侧壁上。底部光传感器4644可以设置在顶部光传感器4642下方。底部光传感器4644可以安装在基板M的顶表面与壳体410的侧壁中的设定高度H之间。当从正面观察时，底部光传感器4644可以安装在与由支撑单元420支撑的基板M的顶表面相邻的高度处。当由底部光传感器4644检测到基板M的液膜CC形成的存在或不存在时，可以通过升降构件436降低处理容器430。例如，当从正面观察时，连接第二光发射单元4644a和第二光接收单元4644b的虚拟直线可以定位在处理容器430的顶端上方。另外，连接第二光发射单元4644a和第二光接收单元4644b的虚拟直线可以定位在基板M的顶表面上方。
图19是示出在图18的液体处理室中执行液膜检查步骤的另一个实施方式的流程图。参考图19，根据本发明构思的实施方式的底部光传感器4644可以识别是否形成液膜CC。在由底部光传感器4644检测到是否形成液膜CC之前，控制器30可以通过控制升降构件436来降低并移动处理容器430。底部光传感器4644设置在与由支撑单元420支撑的基板M的顶表面相邻的高度处，以检测在基板M上供应的化学品C是否形成液膜CC。例如，第二光发射单元4644a将光朝向第二光接收单元4644b照射。在这种情况下，处理容器430的顶端定位在连接第二光发射单元4644a和第二光接收单元4644b的虚拟直线下方。例如，在通过升降构件436来降低并移动处理容器430之后，处理容器430的顶端可以定位在基板M的顶表面下方。
如果未在第二光接收部分4644b中接收到光，则监控单元460可以确定在基板M上形成液膜CC。在这种情况下，控制器30可以生成控制信号以执行通过顶部光传感器4642来检查液膜是否不足，这将在稍后描述。
当在第二光接收部分4644b中接收到光时，监控单元460可以确定未在基板M上形成液膜CC。监控单元460可以将未形成液膜CC的数据信号传输到控制器30。当确定未形成液膜CC时，控制器30可以生成针对液体供应单元440的控制信号，以执行用于将化学品C供应到基板M的液体保留命令。
在接收到对应于保留命令的控制信号后，液体供应单元440可以再次在设定时间内将化学品C供应到由支撑单元420支撑的基板M。例如，设定时间可以高达5分钟。当液体供应单元440执行保留命令时，可以按在基板M上供应的化学品C可以形成一滩的量来供应向基板M供应的化学品C的量。例如，液体供应单元440可以将化学品C供应到距由支撑单元420支撑的基板M的顶表面的设定高度H处。
在经过预设时间之后，第二光发射单元4644a再次将光朝向第二光接收单元4644b照射。当从第二光发射单元4644a照射的光被第二光接收部分4644b接收到时，监控单元460可以确定未在基板M上形成液膜CC。在这种情况下，控制器30生成关于基板处理设备1的警报信号并将其互锁。因此，操作者可以通过确定在液体供应单元440中已经发生异常来对基板处理设备1执行维护操作。
相反，如果在已经经过预设时间之后从第二光发射单元4644a照射的光未被第二光接收部分4644b接收，则监控单元460可以确定在基板M上形成液膜CC。在这种情况下，控制器30可以生成用于执行过程命令的控制信号，使得基板处理设备1执行稍后描述的液膜缺少检查步骤。因此，执行稍后将描述的通过顶部光传感器4642来检查液膜是否不足的步骤。
图20示意性地示出了用于在图19的液膜检查步骤中确定液膜的厚度的基板处理设备。图21示意性地示出了用于在图19的液膜检查步骤中确定液膜的厚度处于异常状态的基板处理设备。图22示意性地示出了在图21中的确定液膜的厚度处于异常状态之后执行液体保留命令的基板处理设备。在下文中，将参考图20至图22详细描述顶部光传感器4642用以检测形成在基板M上的液膜CC的适当厚度的机构。
根据本发明构思的实施方式的顶部光传感器4642可以检测液膜CC的厚度。根据一个实施方式，如果形成从基板M的顶表面到设定高度H的液膜CC，则设定高度H可以被确定为液膜CC的适当厚度。当从正面观察时，顶部光传感器4642可以安装在壳体410的侧壁上的对应于从基板M的顶表面水平地到设定高度H的虚拟直线的高度处。因此，顶部光传感器4642可以检测由从支撑单元420所支撑的基板M的顶表面开始供应到设定高度H的化学品C形成的液膜CC的厚度。也就是说，顶部光传感器4642可以检测液膜CC的适当厚度。在顶部光传感器4642检测形成在基板M上的液膜CC的适当厚度之前，控制器30可以控制升降构件436来降低并移动处理容器430。因此，处理容器430的顶端可以定位在设定高度H下方。
如图20所示，第一光发射单元4642a将光朝向第二光接收单元4642b照射。如果未在第一光接收单元4642b中接收到光，则监控单元460可以确定形成在基板M上的液膜CC的厚度形成到适当厚度。监控单元460可以将形成在基板M上的液膜CC的厚度良好的数据信号传输到控制器30。控制器30可以生成用于执行过程命令的控制信号，使得基板处理设备1执行后处理步骤S43。因此，对基板M执行后处理步骤S43。
与上述描述不同并且类似于图21，如果由第一光接收单元4642b接收到光，则监控单元460可以确定形成在基板M上的液膜CC的厚度不满足适当厚度。监控单元460可以将液膜CC的厚度状态不良好的数据信号传输到控制器30。当确定液膜CC的厚度处于不良好状态时，控制器30可以生成针对液体供应单元440的控制信号，以执行用于将化学品C供应到基板M的液体保留命令。
如图22所示，接收到对应于液体保留命令的控制信号的液体供应单元440可以再次在设定时间内将化学品C供应到由支撑单元420支撑的基板M。例如，设定时间可以高达5分钟。当液体供应单元440执行保留命令时，可以按在基板M上供应的化学品C可以形成一滩的量来供应向基板M供应的化学品C的量。例如，液体供应单元440可以将化学品C供应到距由支撑单元420支撑的基板M的顶表面的设定高度H处。
在经过预设时间之后，第一光发射单元4642a再次将光朝向第一光接收单元4642b照射。如果从第一光发射单元4642a的照射的光被第一光接收单元4642b接收，则监控单元460可以确定形成在基板M上的液膜CC的厚度未形成到适当厚度。在这种情况下，控制器30生成关于基板处理设备1的警报信号并将其互锁。因此，操作者可以通过确定在液体供应单元440中已经发生异常来对基板处理设备1执行维护操作。
相反，如果从第一光发射单元4642a的照射的光未被第一光接收单元4642b接收，则监控单元460可以确定形成在基板M上的液膜CC的厚度形成到适当厚度。在这种情况下，控制器30可以生成用于执行过程命令的控制信号，使得基板处理设备1执行后处理步骤S43。因此，对基板M执行后处理步骤S43。
当通过将激光L等照射到在其上形成有液膜CC的基板M来加热形成在基板M上的特定图案时，液膜CC可以通过激光L等被蒸发。在这种情况下，形成在基板M上的液膜CC的厚度逐渐减小，并且液膜的厚度减小可以增加由激光L传送到基板M的特定图案的能量的量。因此，蚀刻剂相对于基板M的蚀刻特性会变化。
根据上述本发明构思的实施方式，可以使用监控单元460来监控由供应到支撑单元420的化学品C形成的液膜CC的状态。根据实施方式的底部光传感器4644可以准确地检测供应到基板M的化学品C是否形成液膜CC。因此，可以通过在没有形成在基板M上的液膜CC的情况下对基板M执行热处理来提前防止对形成在基板M上的图案的损坏。
另外，根据实施方式的顶部传感器4642可以准确地检测形成在基板M上的液膜CC是否形成到适合于后处理的厚度。可以准确地检测形成在基板M上的液膜CC的所需厚度，并且如果液膜CC未达到适当厚度，则可以实施流体保留操作。因此，可以通过在对基板M的后处理期间考虑到激光L引起的蒸发而形成适当厚度的液膜CC来使蚀刻剂的蚀刻特性的变化最小化。因此，如果是关于特定图案在照射激光L之后实施后处理，则可以精确地以特定图案为目标来照射激光L。
在上述本发明构思的实施方式中，作为示例描述由底部光传感器4644来检测是否形成液膜CC，并且然后由顶部光传感器4642检测液膜CC的厚度，但本发明构思不限于此。例如，由底部光传感器4644对液膜CC的形成的检测和由顶部光传感器4642对液膜CC的设定厚度的检测可以同时地执行。
图23示意性地示出了图2的液体处理室的另一个实施方式。下面描述的本发明构思的另一个实施方式的液体处理室与上述液体处理室的配置类似地设置，除了监控单元460。因此，为了便于描述，将省略重叠配置的描述。
参考图23，监控单元460可以监控由支撑单元420支撑的基板M。监控单元460可以监控形成在由支撑单元420支撑的基板M上的液膜CC的状态。由监控单元460感测到的基板M的液膜CC的状态可以传输到控制器30。根据实施方式的监控单元460可以检测液膜CC的状态之中的液膜CC的重量。可以基于由监控单元460检测到的液膜CC的重量来检测液膜CC的适当厚度。因此，根据实施方式的监控单元460可以设置为用于测量重量的重量测量构件4660。
重量测量构件4660可以安装在支撑单元420中。重量测量构件4660可以安装在主体421内。重量测量构件4660可以在主体421内连接到支撑销422的一端。重量测量构件4660连接到支撑销422并且可以测量从支撑销422传输的基板M和/或供应到基板M的化学品的重量。例如，当向基板M供应化学品C时，重量测量构件4660可以测量通过将基板M的重量和供应到基板M的化学品C的重量相加而获得的总重量。
图24是示出在图23的液体处理室中执行液膜检查步骤的另一个实施方式的流程图。参考图24，根据本发明构思的实施方式的重量测量构件4660可以测量在基板M上供应的化学品C的重量。例如，在液体处理步骤S42中，重量测量构件4660可以测量供应到基板M的化学品C和基板M的重量的组合重量。重量测量构件4660可以将关于测量到的组合重量的数据传输到控制器30。控制器30可以存储未在其上供应物质(诸如化学品C)的纯基板M的重量数据。另外，控制器30可以存储适合于执行后处理步骤S43的化学品C的重量数据。
控制器30将预先存储的基板M的净重值从重量测量构件4660传输的总重量中排除。因此，控制器30可以测量供应到基板M的化学品C的重量。
如果测量到的化学品C的重量对应于预设化学品C的重量，则控制器30可以确定向基板M供应的化学品C的量在适当范围内。因此，控制器30可以估计形成在基板M上的液膜CC的厚度在适当厚度范围内。因此，控制器30可以生成用于执行过程命令的控制信号，使得基板处理设备1执行后处理步骤S43。因此，对基板M执行后处理步骤S43。
相反，如果测量到的化学品C的重量低于预设化学品C的重量，则控制器30可以确定供应到基板M上的化学品C的量不足。另外，如果确定供应的化学品C的量不足，则控制器30可以确定形成在基板M上的液膜CC没有达到适当厚度。
如果确定向基板M供应的化学品C的重量不足，则控制器30可以生成针对液体供应单元440的控制信号，以执行用于将化学品C供应到基板M的液体保留命令。
接收到对应于液体保留命令的控制信号的液体供应单元440可以进一步在设定时间内将化学品C供应到由支撑单元420支撑的基板M。例如，设定时间可以高达5分钟。当液体供应单元440执行液体保留命令时，可以按在基板M上供应的化学品C可以形成一滩的量来供应向基板M供应的化学品C的量。例如，液体供应单元440可以将化学品C供应到距由支撑单元420支撑的基板M的顶表面的设定高度H处。
在经过预设时间之后，重量测量构件4660再次测量化学品C的重量。基于由重量测量构件4660测量到的化学品C的重量，控制器30再次检测形成在基板M上的液膜CC的厚度是否满足适当厚度。如果确定液膜C的厚度不满足适当厚度，则控制器30生成针对基板处理设备1的警报信号并且将其互锁。
另一方面，在已经过了当前时间之后，如果由重量测量构件4660测量到的重量对应于预设化学品C的重量，则控制器30可以确定形成在基板M上的液膜CC的厚度在适当厚度范围内。因此，控制器30可以生成用于执行过程命令的控制信号，使得基板处理设备1执行后处理步骤S43。因此，对基板M执行后处理步骤S43。
根据本发明构思的实施方式，可以准确地检测形成在基板M上的液膜CC是否形成到适合于后处理的厚度。使用在基板M上供应的化学品C的重量来估计形成在基板M上的液膜CC的所需厚度，并且如果液膜CC没有达到适当厚度，则可以执行流体保持操作。因此，可以通过在对基板M的后处理期间考虑到激光L引起的蒸发而形成适当厚度的液膜CC来使蚀刻剂的蚀刻特性的变化最小化。因此，如果关于特定图案实施照射激光L的后处理，则可以精确地以特定图案为目标照射激光L。
在上述本发明构思的实施方式中，第二图案P2的蚀刻速率在具有作为用于监控曝光图案的监控图案的第一图案P1和作为用于处理基板的条件设置图案的第二图案P2的基板M处得到提高。然而，与此不同，第一图案P1和第二图案P2的功能可以不同于本发明构思的上述实施方式的那些功能。另外，根据本发明构思的实施方式，提供第一图案P1或第二图案P2中的仅一者，并且可以提高第一图案P1或第二图案P2中的一者的蚀刻速率。另外，根据本发明构思的实施方式，除了光掩模外，这同样可以应用于提高基板(诸如晶片或玻璃)上的特定区域的蚀刻速率。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可以从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
尽管直到现在一直在示出和描述本发明构思的优选实施方式，但本发明构思不限于上述具体实施方式，并且应注意，在不脱离权利要求书中要求的本发明构思的本质的情况下，本发明构思所涉及领域的普通技术人员可以不同地执行本发明构思，并且不应与本发明构思的技术精神或前景分开解释修改。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，其包括：
壳体，所述壳体具有处理空间；
支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述处理空间处支撑并旋转基板；
液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将液体供应到支撑在所述支撑单元上的基板；
后处理单元，所述后处理单元被配置为对支撑在所述支撑单元上的所述基板执行后处理；以及
监控单元，所述监控单元被配置为检查由供应到所述基板上的所述液体形成的液膜的状态。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其进一步包括控制器，所述控制器用于根据由所述监控单元检测到的所述液膜的所述状态来生成用于执行停止驱动所述基板处理设备的待机命令或用于将液体供应到所述基板上的液体保留命令。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述监控单元包括视觉构件，所述视觉构件用于通过检测在所述液膜的表面处所述液体的流动来检测所述液膜的所述状态当中的所述液膜的振动。
4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中所述视觉构件检测是否在所述液膜的所述表面处产生所述液膜的边界表面，并且进一步检测所述液膜的所述状态当中的所述液膜的破裂。
5.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中如果所述视觉构件检测到所述液膜的所述振动，则所述控制器生成针对所述支撑单元和所述液体供应单元的所述待机命令的信号，使得在设定时间内保持停止所述支撑单元的旋转和所述液体供应单元的液体供应。
6.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中如果所述视觉构件检测到所述液膜的所述边界表面，则所述控制器生成针对所述液体供应单元的所述液体保留命令信号，使得在设定时间期间通过所述液体供应单元来将所述液体供应到支撑在所述支撑单元上的所述基板。
7.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述液体供应单元将所述液体供应到距支撑在所述支撑单元上的所述基板的顶表面的设定高度处，并且
其中所述监控单元包括：
顶部光传感器，所述顶部光传感器定位在对应于所述设定高度的高度处，并且检测所述液膜的所述状态当中的所述液膜的厚度；以及
底部光传感器，所述底部光传感器定位在支撑在所述支撑单元上的所述基板的所述顶表面与所述设定高度之间，并且检测所述液膜的所述状态当中的是否形成所述液膜，并且
其中如果由所述顶部光传感器检测到的所述液膜的所述厚度低于所述设定高度，则所述控制器生成针对所述液体供应单元的所述液体保留命令信号，使得所述液体供应单元将所述液体供应到支撑在所述支撑单元上的所述基板，以使所述液膜的厚度形成到所述设定高度。
8.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述监控单元包括重量测量构件，所述重量测量构件定位在所述支撑单元内并且检测供应到支撑在所述支撑单元上的所述基板的所述液体的重量。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理设备，其中所述后处理单元是用于加热被供应有所述液体的基板的加热单元。
10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中所述加热单元是用于将激光照射到被供应有所述液体的所述基板的照射模块。
11.一种用于处理具有多个单元的掩模的基板处理设备，其包括：
支撑单元，所述支撑单元被配置为支撑并旋转掩模，所述掩模具有形成在所述多个单元内的第一图案，并且具有形成在形成所述多个单元的区域之外的不同于所述第一图案的第二图案；
液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将液体供应到支撑在所述支撑单元上的所述掩模；
照射模块，所述照射模块用于将激光照射到所述第一图案和所述第二图案当中的被供应有所述液体的所述第二图案；
监控单元，所述监控单元被配置为检查由供应到所述掩模上的液体形成的液膜的状态，以及
控制器，并且
其中所述监控单元包括视觉构件，所述视觉构件用于通过检测在所述液膜的表面处所述液体的流动来检测所述液膜的所述状态当中的所述液膜的振动，并且
所述控制器根据由所述监控单元检测到的所述液膜的所述状态来生成用于执行停止驱动所述基板处理设备的待机命令，或用于将所述液体供应到所述掩模上的液体保留命令。
12.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中如果所述视觉构件检测到所述液膜的所述振动，则所述控制器生成针对所述支撑单元和所述液体供应单元的所述待机命令的信号，使得在设定时间内保持停止所述支撑单元的旋转和所述液体供应单元的液体供应。
13.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中所述视觉构件检测是否在所述液膜的所述表面处产生所述液膜的边界表面，并且进一步检测所述液膜的所述状态当中的所述液膜的破裂，并且
如果所述视觉构件检测到所述液膜的所述边界表面，则所述控制器生成针对所述液体供应单元的所述液体保留命令信号，使得在设定时间期间通过所述液体供应单元来将所述液体供应到支撑在所述支撑单元上的所述掩模。
14.一种基板处理方法，其包括：
将处理液体供应到基板；
检查由供应到所述基板的所述处理液体形成的液膜的状态；以及
在所述检查之后对在其处形成所述液膜的所述基板执行后处理。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中所述检查包括通过检测在所述液膜的表面处所述处理液体的流动来检测所述液膜的振动，以及如果检测到所述液膜的所述振动，则在设定时间期间保持停止将所述处理液体供应到所述基板。
16.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中所述检查进一步包括检测是否在所述液膜的所述表面处产生所述液膜的边界表面，以及如果检测到所述液膜的破裂，则在设定时间期间进一步将所述处理液体供应到所述基板。
17.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中所述检查进一步包括由底部光传感器来检测是否形成所述液膜，所述底部光传感器安装在对应于形成所述液膜的最小厚度的高度处。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中所述供应将所述处理液体供应到距所述基板的顶表面的设定高度处，并且
所述检查进一步包括由顶部光传感器来检测由供应到所述设定高度的所述处理液体形成的所述液膜的厚度，所述顶部光传感器安装在对应于所述设定高度的高度处，以及如果检测到所述液膜的所述厚度低于所述设定高度，则在设定时间期间将所述处理液体供应到所述基板。
19.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中所述检查进一步包括测量供应到所述基板的所述处理液体的重量，以及根据测量到的所述处理液体的所述重量来检测所述液膜的所述状态。
20.根据权利要求14至19中任一项所述的基板处理方法，其中所述基板包括多个单元，并且具有形成在所述多个单元内的第一图案和形成在形成所述单元的区域之外的不同于所述第一图案的第二图案，并且
其中执行所述后处理是将激光照射到所述第一图案和所述第二图案当中的被供应有所述处理液体的所述第二图案。
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