CN115763339A - 用于处理基板的装置和用于处理基板的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。掩模处理装置包括配置为支承和旋转掩模的支承单元，掩模在其多个单元格内具有第一图案以及在多个单元格的外部区域具有第二图案；包括将激光照射到第二图案的激光照射器的激光照射模块和配置为改变激光照射模块位置的移动模块的加热单元；和配置为控制支承单元和加热单元的控制器，其中当基于掩模的中心将处理位置划分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，激光照射器在从待机位置向处理位置直线移动的方向上位于第四象限和第一象限、在与第四象限垂直的方向上位于第三象限、并且在与第一象限垂直的方向上位于第二象限，其中，控制器控制支承单元的旋转，使得第二图案位于第四象限。

Description

用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月2日提交韩国专利局的、申请号为10-2021-0116912的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国申请的全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和基板处理方法，更具体地，涉及用于通过加热基板来处理基板的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

为了制造半导体元件，在诸如晶圆的基板上执行各种工艺，诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺和薄膜沉积工艺。在各工艺中使用各种处理液体和处理气体。此外，在基板上执行干燥工艺、以从基板移除用以处理基板的处理液体。

用于在晶圆上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是将附着在晶圆上的半导体集成材料切割成期望图案的预执行的操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于蚀刻的图案、以及形成用于离子注入的图案。在曝光过程中，使用掩模(mask)用光在晶圆上绘制图案，掩模是一种“框架”。当光暴露至晶圆上的半导体集成材料(例如，晶圆上的光刻胶)时，光刻胶的化学性质根据由光和掩模形成的图案而改变。在将显影液供应至光刻胶(光刻胶的化学性质已经根据图案而改变)时，在晶圆上形成图案。

为了精确地执行曝光工艺，必须精确地制造形成在掩模上的图案。为了确认图案以期望的形式精确地形成，操作者使用诸如扫描电子显微镜(scanning electronmicroscope，SEM)的检查设备来检查形成的图案。然而，大量图案形成在一个掩模上。也就是说，为了检查一个掩模，需要花费大量时间来检查所有大量图案。

因此，在掩模上形成能够表示包括多个图案的一个图案组的监测图案。此外，可以代表多个图案组的锚定图案形成在掩模上。操作者可以通过检查锚定图案来估计在掩模上形成的图案是否良好。此外，操作者可以通过检查监测图案来估计一个图案组中包括的图案是否良好。

如上所述，由于监测图案和锚定图案形成在掩模上，操作者可以有效地缩短掩模检查所需的时间。但是，为了提高掩模检查的精度，优选使监测图案和锚定图案的临界尺寸相同。

当执行蚀刻以使监测图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸相等时，可能会在图案处发生过度蚀刻。例如，用于监测图案的临界尺寸的蚀刻率与用于锚定图案的蚀刻率之间的差异可能会出现多次，并且在重复蚀刻监测图案和/或锚定图案以减小差异的过程中，过度蚀刻可能发生在监测图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸处。当精确地执行蚀刻工艺以使此类过度蚀刻的发生最小化时，该蚀刻工艺花费大量时间。因此，额外执行了用于精确地校准形成在掩模上的图案的临界尺寸的临界尺寸校准工艺。

图1示出了在掩模制造工艺期间、在执行临界尺寸校正工艺之前，关于掩模的监测图案的第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2(锚定图案的临界尺寸)的正态分布。此外，第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2具有比目标临界尺寸更小的尺寸。在执行临界尺寸校正工艺之前，监测图案的临界尺寸(critical dimension，CD)与锚定图案的临界尺寸之间存在故意偏差(deliberate deviation)。并且，通过在临界尺寸校正工艺中对锚定图案进行额外蚀刻，使这两种图案的临界尺寸相同。在对锚定图案进行过度蚀刻的工艺中，如果锚定图案比监测图案更加过度蚀刻，则监测图案和锚定图案的临界尺寸会出现差异，从而在掩模处形成的图案的临界尺寸可能无法准确校正。当对锚定图案进行额外蚀刻时，应伴随相对于锚定图案的精确蚀刻。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于有效处理基板的基板处理装置和基板处理方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于使形成在基板上的图案的临界尺寸均匀的基板处理装置和基板处理方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于对形成在基板上的特定图案精确地执行蚀刻的基板处理装置和基板处理方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于使设置在基板上的加热单元的结构最小化的基板处理装置和基板处理方法。

本发明构思的技术目的不限于上述技术目的，并且其他未提及的技术目的对本领域技术人员而言将从以下描述中变得显而易见。

本发明构思提供了一种用于掩模处理装置。该掩模处理装置包括：支承单元，该支承单元配置为支承和旋转掩模，该掩模具有在其多个单元格(cell)内的第一图案以及在多个单元格的外部区域的第二图案；加热单元，该加热单元包括激光照射模块和移动模块，该激光照射模块具有用于将激光照射到第二图案的激光照射器，该移动模块配置为改变激光照射模块的位置；以及控制器，该控制器配置为控制支承单元和加热单元，并且其中，当基于掩模的中心、将处理位置划分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，激光照射器在从待机位置向处理位置直线移动的方向上定位在第四象限和第一象限处、在与第四象限垂直的方向上定位在第三象限处、并且在与第一象限垂直的方向上定位在第二象限处，并且其中，所述控制器控制所述支承单元的旋转，使得第二图案定位在第四象限处。

在实施方案中，控制器控制加热单元，使得所述激光照射器从待机位置移动到与定位在第四象限处的第二图案相对应的照射位置，并且激光从照射位置照射到所述第二图案。

在实施方案中，移动模块在与地面水平的第一方向、和与所述第一方向垂直且与地面水平的第二方向上移动所述激光照射器，其中，所述第四象限是从待机位置到照射位置、使激光照射器在第一方向上的移动量和在所述第二方向上的移动量的总和最小化的区域。

在实施方案中，掩模处理装置还包括待机端口，该待机端口具有定位在待机位置处的激光照射器，以及其中，在待机端口上设置有监测目标，该监测目标具有在从上方观察时与激光照射器的中心匹配的原点。

在实施方案中，加热单元还包括照相机模块，在所述照相机模块中、从激光照射器照射的激光获取在监测目标上显示的图像，并且将所获取的图像传送到控制器。

在实施方案中，控制器从图像中得到激光的位置信息，并且基于位置信息计算激光照射器从待机位置到定位在照射位置处的第二图案的移动量。

在实施方案中，控制器从图像中得到激光的直径信息，并且基于激光的直径信息获取从激光照射器照射的激光的信息。

在实施方案中，第一象限、第二象限、第三象限和第四象限在逆时针方向上依次定位。

本发明构思提供了一种用于掩模处理装置。该掩模处理装置包括：液体供应单元，该液体供应单元用于将处理液体供应至支承在支承单元上的掩模；以及容器，该容器具有用于处理掩模的处理空间、并且设置有用于回收处理液体的回收路径，以及其中支承单元在处理空间处支承掩模。

在实施方案中，控制器控制加热单元，以便通过相对于第二图案照射激光来使第一图案的临界尺寸和第二图案的临界尺寸最小化。

在实施方案中，提供给各单元格的第一图案是形成在单元格处的曝光图案的监测图案，并且第二图案是掩模处理装置的条件设定图案。

本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：支承单元，该支承单元用于支承和旋转基板，该基板具有在其上形成的特定图案；加热单元，该加热单元用于加热图案；以及控制器，该控制器用于控制支承单元和加热单元，并且其中，控制器控制支承单元以通过旋转基板来将图案移动到加热位置、且控制加热单元以使加热单元移动到待机位置和加热位置。

在实施方案中，当基于所述基板的中心、将处理位置划分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，加热单元在从待机位置向处理位置直线移动的方向上定位在所述第四象限和所述第一象限处、在与所述第四象限垂直的方向上定位在第三象限处、并且在与所述第一象限的垂直方向上定位在第二象限处，并且加热位置为当图案定位在第四象限处时、所述图案的位置。

在实施方案中，加热单元在与地面水平的第一方向上、和与第一方向垂直且与地面水平的第二方向上移动，以及其中，第四象限是从待机位置到照射位置、使加热单元在第一方向上的移动量和在第二方向上的移动量之和最小化的区域。

本发明构思提供了一种用于蚀刻基板的基板处理方法，该基板具有第一图案和与形成于基板上的第一图案不同的第二图案。基板处理方法包括：作为位置校正步骤，将第二图案移动到照射位置；作为液体处理步骤，将蚀刻液体供应到基板上；以及作为加热步骤，在具有蚀刻液残留在基板上的状态下，将激光照射到移动至照射位置的第二图案，并且其中，当基于基板的中心、将处理位置划分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，当加热单元在从待机位置向处理位置直线移动的方向上定位在第四象限和第一象限处、在与所述第四象限垂直的方向上定位在第三象限处、并且在与所述第一象限垂直的方向上定位在第二象限处时，照射位置是与定位在第四象限处的第二位置相对应的位置。

在实施方案中，第四象限是所述加热单元从待机位置到照射位置的移动最小的区域。

在实施方案中，位置校正步骤旋转基板、以将第二图案移动到第四象限。

在实施方案中，在加热步骤中，加热单元从待机位置移动到与定位在第四象限处的第二图案相对应的照射位置，并且将激光从照射位置照射到第二图案。

在实施方案中，基板处理方法还包括执行以下工艺：通过相对于第二图案照射激光，使第一图案的临界尺寸与第二图案的临界尺寸之间的偏差最小化。

在实施方案中，第一图案是形成在基板上的曝光图案的监测图案，并且第二图案是用于处理基板的条件设定图案。

根据本发明构思的实施方案，可以有效地处理基板。

根据本发明构思的实施方案，可以使形成在基板上的图案的临界尺寸均匀。

根据本发明构思的实施方案，可以对形成在基板上的特定图案执行精确地蚀刻。

根据本发明构思的实施方案，可以使设置在基板上的加热单元的结构最小化。

本发明构思的效果不限于上述效果，并且其他未提及的效果对于本领域技术人员而言从以下描述将变得显而易见。

附图说明

参照以下附图，上述和其他目的及特征将通过以下描述而变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且附图中：

图1示出了监测图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸的正态分布。

图2为示意性地示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的平面图。

图3示意性地示出了在图2的液体处理腔室处处理的基板的状态。

图4示意性地示出了图2的液体处理腔室的实施方案。

图5为图4的液体处理腔室的俯视图。

图6示出了图4的加热单元的本体、激光照射模块和照相机模块。

图7为图6的图像模块的俯视图。

图8示出了图4的液体处理腔室的误差检查单元和支承单元。

图9为图8的误差检查单元的俯视图。

图10为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图。

图11示出了基板处理装置检查图10的工艺准备步骤中激光的照射位置与预设的监测目标位置之间的误差的状态。

图12和图13示出了执行图10的位置校正步骤的基板处理装置的状态。

图14示出了执行图10的液体处理步骤的基板处理装置的状态。

图15和图16示出了执行图10的加热步骤的基板处理装置的状态。

具体实施方式

本发明构思可以进行各种修改并且可以具有各种形式，且将在附图中示出并详细描述其具体实施方案。然而，根据本发明构思的实施方案并不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括包含在本发明构思的精神和技术范围内的所有变换、等同物和替换。在本发明构思的说明书中，当相关的已知技术使得本发明构思的本质不必要地不清楚时，将省略对它们的详细描述。

本文中使用的术语仅是为了描述特定实施方案的目的，且不旨在限制本发明构思。如本文中使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还应当理解，在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意组合和所有组合。此外，术语“示例性”旨在指代实施例或示例。

应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中被用于描述各种元件、组件、区域、层和/或区段，但是这些元件、组件、区域、层和/或区段应不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层和/或区段与另一区域、层和/或区段区分开来。因此，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一区段可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二区段，而不会背离本发明构思的教导。

以下，将参照附图详细地描述本发明构思的实施方案。

在下文中，将参照图2至图16详细描述本发明构思的实施方案。图2为示意性地示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的平面图。参考图2，基板处理设备包括索引模块10、处理模块20和控制器30。根据实施方案，当从上方观察时，索引模块10和处理模块20可以沿一个方向设置。在下文中，设置索引模块10和处理模块20的方向被定义为第一方向X，当从上方观察时，与第一方向X垂直的方向被定义为第二方向Y，并且与包括第一方向X和第二方向Y的平面垂直的方向被定义为第三方向Z。

索引模块10将基板M从在其中容纳基板M的容器C传送到用于处理基板M的处理模块20。索引模块10储存在容器C中的、在处理模块20处已经完成预定处理的基板M。索引模块10的纵向方向可以形成在第二方向Y上。索引模块10可以具有装载端口12和索引框架14。

在其中容纳有基板M的容器C安置在装载端口12上。装载端口12可以相对于索引框架14定位在处理模块20的相对侧上。可以设置多个装载端口12，并且多个装载端口12可以沿第二方向Y布置成一行。装载端口12的数量可以根据处理模块20的工艺效率和占地面积条件等来增加或减少。

作为容器C，可以使用密封容器，诸如前开式晶圆盒(front open unified pod，FOUP)。容器C可以通过诸如高架传送机、高架输送机或自动引导车辆的传送装置(未图示)或由操作员放置在装载端口12上。

索引机械手120和索引轨道124可以设置在索引框架14处。索引机械手120传送基板M。索引机械手120可以在索引模块10与稍后描述的缓冲单元200之间传送基板M。索引机械手120包括索引手部122，基板M放置在索引手部122上。基板M可以放置在索引手部122上。索引手部122可以被设置为向前和向后可移动的、在第三方向Z上可旋转的并且沿着第三方向Z可移动的。多个手部122可以被设置为在上/下方向上彼此间隔开。多个手部122可以是彼此独立地向前和向后可移动的。

索引导轨124设置在索引框架14中，索引导轨具有沿第二方向Y的长度方向。索引机械手120可以放置在索引导轨124上，并且索引机械手120可以为沿索引导轨124可移动的。

控制器30可以控制基板处理装置。控制器可以包括工艺控制器和存储单元，该工艺控制器由以下构成：微处理器(计算机)，该微处理器(计算机)执行基板处理装置的控制；用户界面(诸如，键盘)，操作者通过该用户界面输入命令、以管理基板处理装置；以及显示器，该显示器显示基板处理装置的运行情况；该存储单元存储处理方案(treatingrecipe)，该处理方案为通过控制工艺控制器来实施基板处理装置的处理工艺的控制程序、或根据数据和处理条件实施基板处理装置的组件的程序。此外，用户界面和存储单元可以连接到工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘、便携式盘(诸如，CD-ROM或DVD)或半导体存储器(诸如，闪存)。

处理模块20可以包括缓冲单元200、传送腔室300、和液体处理腔室400。缓冲单元200提供空间，送入处理模块20中的基板M和从处理模块20中取出的基板M暂时停留在该空间中。传送腔室300提供有用于在缓冲单元200、液体处理腔室400与干燥腔室500之间传送基板M的空间。液体处理腔室400将液体供应到基板M上、以执行用于处理基板M的液体处理工艺。

缓冲单元200可以设置在索引框架14与传送腔室300之间。缓冲单元200可以定位在传送腔室300的端部处。基板M放置于其中的狭槽(未示出)设置在缓冲单元200内部。多个狭槽(未示出)可以设置为在第三方向Z上彼此间隔开。

缓冲单元200的前面和后面是敞开的。前面是面向索引模块10的表面，并且后面是面向传送腔室300的表面。索引机械手120可以通过前面接近缓冲单元200，并且传送机械手320(下面将要描述)可以通过后面接近缓冲单元200。

传送腔室300可以具有设置在第一方向X上的纵向方向。液体处理腔室400和干燥腔室500可以设置在传送腔室300的两侧。液体处理腔室400和干燥腔室500可以设置在传送腔室300的一侧处。传送腔室300和液体处理腔室400可以沿第二方向Y设置。传送腔室300和干燥腔室500可以沿第二方向Y设置。

根据实施方案，液体处理腔室400可以设置在传送腔室300的两侧上。液体处理腔室400可以在传送腔室300的旁边处、分别沿第一方向X和第三方向Z、以A×B(其中A和B分别是大于1或1的自然数)的布置来设置。

传送腔室300包括传送机械手320和传送轨道340。传送机械手320传送基板M。传送机械手320在缓冲单元200、液体处理腔室400与干燥腔室500之间传送基板M。传送机械手320包括传送手部322，基板M放置在传送手部122上。基板M可以放置在传送手部322上。传送手部322可以设置为向前和向后可移动的、围绕第三方向Z可旋转的、并且沿第三方向Z可移动的。多个手部322设置为在上/下方向上彼此间隔开，并且多个手部322可以彼此独立地为向前和向后可移动的。

传送轨道340可以沿传送腔室300的纵向方向设置在传送腔室300中。在实施方案中，传送轨道340的纵向方向可以沿第一方向X设置。传送机械手320可以放置在传送轨道340上并且传送机械手320可以为在传送轨道340上可移动的。

下文中，将详细描述设置在液体处理腔室400中处理的基板M。图3示意性地示出了在图2的液体处理腔室中处理的基板的状态。

参考图3，在液体处理腔室400中待处理的物体可以是以下中的任一者：晶圆、玻璃和光掩模。例如，在液体处理腔室400中处理的基板M可以是作为在曝光工艺中使用的“框架”的光掩模。

基板M可以具有矩形形状。基板M可以为作为曝光工艺中使用的“框架”的光掩模。可以将至少一个参考标记AK标记在基板M上。例如，多个参考标记AK可以形成在基板M的各角落区域中。参考标记AK可以是在对准基板M时使用的、称为对准图例(align key)的标记。进一步地，参考标记AK可以为用于获取基板M的位置的标记。例如，后面描述的图像模块470可以通过对参考标记AK成像来获取图像，并将获取的图像传输至控制器30。然后控制器30可以分析包括参考标记AK的图像、以检测基板M的精确位置。此外，还可以在传送基板M时使用参考标记AK来确定基板M的位置。

可以在基板M上形成单元格CE。可以形成至少一个单元格CE，例如，可以形成多个单元格CE。可以在各单元格CE处形成多个图案。在各单元格CE处形成的图案可以被定义为一个图案组。形成在单元格CE处的图案可以包括曝光图案EP和第一图案P1。可以在形成有多个单元格的单元格区域的外部区域中设置第二图案P2。

曝光图案EP可以用于在基板M上形成实际图案。第一图案P1可以是代表一个单元格CE中的曝光图案EP的单个单元格代表图案。此外，当设置多个单元格CE时，在各单元格中提供第一图案，以便可以提供多个第一图案P1。在实施方案中，多个单元格CE中的每一个可以设置有单个第一图案P1。然而，本发明构思不限于此，多个第一图案P1可以形成在一个单元格CE中。第一图案P1可以具有组合各曝光图案EP的部分的形式。第一图案P1可以被称为监测图案。多个第一图案P1的临界尺寸的平均值可以被称为临界尺寸监测宏(criticaldimension monitoring macro)。

当操作者通过扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)检查第一图案P1时，可以估计形成在一个单元格CE中的曝光图案EP的形式是好还是坏。因此，第一图案P1可以用作检查图案、以检查曝光图案EP。此外，与上述实施方案不同，第一图案P1可以是在实际曝光工艺中使用的曝光图案EP的任一种。此外，第一图案P1不仅可以用作检查图案以检查曝光图案，还可以用作在实际曝光中使用的曝光图案。

第二图案P2可以是代表在基板M的整个单元格上的曝光图案EP的整个单元格代表图案。例如，第二图案P2可以具有组合各第一图案P1的部分的形式。

当操作者通过扫描电子显微镜(SEM)检查第二图案P2时，可以估计形成在一个基板M中的曝光图案EP的形式是好还是坏。因此，第二图案P2可以用作检查图案。此外，第二图案P2可以是在实际曝光工艺中不使用的检查图案。第二图案P2可以是用于设置曝光装置的工艺条件的图案。第二图案P2可以被称为锚定图案。

下文中，将详细描述设置至液体处理腔室400的基板处理装置。在下文中，将描述在制造用于曝光工艺的掩模的工艺期间，液体处理腔室400在执行精细临界尺寸校正(finecritical dimension correction，FCC)工艺的情况下、执行的处理工艺作为实施例。

将在液体处理腔室400处送入和处理的基板M可以是已经对其执行预处理的基板M。待送入到液体处理腔室400中的基板M的第一图案P1的临界尺寸和第二图案P2的临界尺寸可以彼此不同。例如，第一图案P1的临界尺寸可以大于第二图案P2的临界尺寸。在实施方案，第一图案P1的临界尺寸可以具有第一宽度(例如，69nm)。第二图案P2的临界尺寸可以具有第二宽度(例如，68.5nm)。

图4示意性地示出了图2的液体处理腔室的实施方案。图5为图4的液体处理腔室的俯视图。参考图4和图5，液体处理腔室400包括壳体(未示出)、支承单元420、处理容器430、液体供应单元440、以及加热单元450。

壳体(未示出)具有内部空间。壳体(未示出)可以具有设置有处理容器430的内部空间。壳体(未示出)可以具有内部空间，液体供应单元440和加热单元450设置在该内部空间中。壳体(未示出)可以设置有通道(未示出)，通过该通道可以送入和取出基板M。壳体(未示出)的内壁表面可以涂覆有对液体供应单元440供应的化学品具有高耐腐蚀性的材料。

排放孔(未示出)可以形成在壳体(未示出)的底表面上。排放孔(未示出)可以连接到排放构件，诸如能够对内部空间进行排放的泵。因此，可能在内部空间处产生的烟气等可以通过排放孔(未示出)排放到壳体(未示出)的外部。

支承单元420可以在下面描述的处理容器430的处理空间中支承基板M。支承单元420可以支承基板M。支承单元420可以旋转基板M。支承单元420可以包括卡盘421、支承销422、支承轴426和驱动构件427。

卡盘421可以具有带有恒定厚度的板状。当从上方观察时，卡盘421可以具有设置成基本上圆形形状的顶表面。卡盘421的顶表面可以设置为具有比基板M的面积更大的面积。支承销422可以安装在卡盘421上。

支承销422可以支承基板M。多个支承销422沿顶侧卡盘421的圆周方向设置，由此从上方观察时，支承销422可以具有大致圆形形式。当从上方观察时，支承销422可以具有阶梯部分以支承基板M。支承销422的阶梯部分可以具有第一表面(下表面)和第二表面(侧表面)。在实施方案中，第一表面可以支承在基板M的边缘区域处的背侧(底侧)表面。第二表面可以支承基板M的侧表面，以便限制在基板M旋转时、基板M的横向移动。可以设置至少一个支承销422。在实施方案中，可以设置多个支承销422。支承销422可以以与具有矩形形状的基板M的角的数量相对应的数量设置。支承销422可以支承基板M的背侧(底表面)、以与卡盘421的顶表面间隔开。

支承轴426可以耦接至卡盘421。支承轴426可以定位在卡盘421的下面。支承轴426可以是空心轴。支承轴426可以通过驱动构件427来旋转。驱动构件427可以是空心马达。当驱动构件427旋转支承轴426时，耦接至支承轴426的卡盘421可以旋转。放置在安装在卡盘421上的支承销422上的基板M可以与卡盘421的旋转一起旋转。

处理容器430具有带有敞开顶部的处理空间。处理容器430可以具有带有敞开顶部的圆柱形。基板M可以在处理空间中进行液体处理和热处理。处理容器430可以防止供应到基板M的处理液体飞散到壳体(未示出)、液体供应单元440和加热单元450。

处理容器430可以具有多个回收容器432a、432b和432c。回收容器432a、432b和432c中的每一个可以分别回收用于处理基板M的液体中的彼此不同的液体。回收容器432a、432b和432c中的每一个都具有用于再收集用于处理基板M的液体的回收空间。回收容器432a、432b和432c中的每一个可以以围绕支承单元420的圆环状形式设置。当执行液体处理工艺时，通过基板M的旋转而飞散的液体通过入口引入到回收空间中，该入口是分别形成在回收容器432a、432b和432c之间的空间。可以将不同类型的处理液体引入到回收容器432a、432b和432c中的每一个。

根据实施方案，处理容器430可以具有第一回收容器432a、第二回收容器432b和第三回收容器432c。第一回收容器432a可以以围绕支承单元420的圆环状形式设置。第二回收容器432b可以以围绕第一回收容器432a的圆环状形式设置。第三回收容器432c可以以围绕第二回收容器432b的圆环状形式设置。

在各自底表面的底部方向上竖直延伸的回收管线434a、434b、434c可以连接至回收容器432a、432b、432c的每一个。回收管线434a、434b、434c的每一个可以通过回收容器432a、432b、432c的每一个排出引入的处理液体。排出的处理液体可以通过外部处理液体再生系统(未示出)重复使用。

处理容器430可以耦接到上升/下降构件436。上升/下降构件436可以沿第三方向Z改变处理容器430的位置。上升/下降构件436可以是用于在上/下方向上移动处理容器430的驱动设备。在对基板M执行液体处理和/或热处理的情况下，上升/下降构件436可以在向上方向上移动处理容器430。当将基板M送入内部空间或将基板M从内部空间取出时，上升/下降构件436可以在向下方向上移动处理容器430。

液体供应单元440可以向基板M供应液体。液体供应单元440可以供应用于对基板M进行液体处理的处理液体。液体供应单元440可以向由支承单元420支承的基板M供应处理液体。在实施方案中，液体供应单元440可以将处理液体供应到基板M，该基板具有形成在多个单元格CE内的第一图案和形成在形成有单元格CE的区域处的外部的第二图案P2。

处理液体可以为蚀刻液或冲洗液。蚀刻液可以为化学品。蚀刻液可以蚀刻形成在基板M上的图案。蚀刻液也可以称为蚀刻液体。蚀刻液可以是包含混合有氨、水和添加剂以及包括过氧化氢的混合溶液的液体。冲洗液可以清洁基板M。冲洗液可以提供为已知的化学液体。

参考图5，液体供应单元440可以包括喷嘴441、固定体442、旋转轴443和旋转构件444。喷嘴441可以将处理液体供应到由支承单元420支承的基板M。喷嘴441的一端可以连接至固定体442，喷嘴的另一端可以在从固定体442朝向基板M的方向上延伸。喷嘴441可以在第一方向X上从固定体442延伸。

喷嘴411可以包括第一喷嘴411a、第二喷嘴411b和第三喷嘴411c。第一喷嘴411a、第二喷嘴411b或第三喷嘴411c中的任何一个都可以供应上述处理液体中的化学品C。此外，第一喷嘴411a、第二喷嘴411b或第三喷嘴411c中的另一个可以供应上述处理液体中的冲洗液R。第一喷嘴411a、第二喷嘴411b或第三喷嘴411c中的最后一个可以供应不同于通过第一喷嘴411a、第二喷嘴411b或第三喷嘴411c中的另一个所供应的化学品C的不同种类的化学品C。

固定体442可以固定和支承喷嘴441。固定体442可以通过旋转构件444连接到在第三方向Z上旋转的旋转轴443。当旋转构件444旋转旋转轴443时，固定体442可以围绕第三方向Z旋转。因此，喷嘴441的出口可以在液体供应位置与待机位置之间移动，液体供应位置是处理液体被供应到基板M的位置，待机位置是处理液体不被供应到基板M的位置。

加热单元450可以加热基板M。加热单元450可以加热基板M的部分区域。加热单元450可以加热基板M的特定区域。加热单元450可以加热通过供应化学品C在其上形成有液膜的基板M。加热单元450可以加热形成在基板M上的图案。加热单元450可以加热形成在基板M上的一些图案。加热单元450可以加热第一图案P1或第二图案P2中的任何一个。例如，加热单元450可以加热第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。在实施方案中，加热单元450可以通过将激光L照射到第二图案P2来加热第二图案P2。

图6示出了图4的加热单元的本体、激光照射模块和照相机模块。参考图6，加热单元450可以包括本体451、移动模块、激光照射模块460和照相机模块。移动模块可以包括驱动器453和导轨R。照相机模块可以包括图像模块470和光学模块480。

本体451可以是其中具有安装空间的容器。本体451可以设置有稍后描述的激光照射模块460、图像模块470和光学模块480。本体451可包括激光照射器452。由稍后描述的激光照射模块460发射的激光L可以通过激光照射器452发射到基板M。此外，由稍后描述的照明构件472照射的光也可以通过激光照射器452来提供。此外，稍后描述的图像获取构件471的图像成像可以通过激光照射器452来执行。

驱动器453可以是马达。在实施方案中，驱动器453可以设置为线性马达。驱动器453可以设置为提供驱动力的已知马达。驱动器453可以连接到本体451。驱动器453可以在与本体451的纵向方向正交的横向方向上移动本体451。驱动器453可以沿第一方向X和/或第二方向Y移动本体451。驱动器453可以在待机位置与加热位置之间移动稍后描述的激光照射器452，该待机位置为激光照射器452不执行工艺的位置，该加热位置为激光照射器452在基板M上照射激光L的位置。此外，驱动器453可以在第三方向Z上移动本体451。

导轨R具有可以沿第一方向的长度方向。驱动器453定位在导轨R上。定位在导轨R上的驱动器453可以沿导轨R在第一方向X上移动。连接到驱动器453的本体451可以在第一方向X上移动。因此，设置在本体451的、与驱动器453相对的一端处的激光照射器452可以在第一方向X上移动。

第二驱动器455可以是用于产生动力的任何一种已知设备，诸如马达、气压缸、液压缸或螺线管。第二驱动器455可以连接到本体451。第二驱动器455可以连接到轴(未显示)。轴(未显示)可以通过接收由第二驱动器455产生的驱动力、在第二方向Y上移动本体451。因此，激光照射器452可以在第二方向Y上移动。第二驱动器455可以在待机位置与加热位置之间移动激光照射器452，该待机位置是在稍后描述的激光照射器452不执行工艺的位置，并且加热位置是激光照射器452将激光L照射到基板M上的位置。

图6示出了图4的加热单元的主体、激光照射模块和照相机模块。图7是图6的图像模块的俯视图。参考图6和图7，激光照射模块460可以安装在本体451上。照相机模块可以安装在本体451上。

激光照射模块460可以包括激光照射单元461、光束扩展器462和倾斜构件463。激光照射单元461可以照射激光L。激光照射单元461可以发射具有直线度的激光L。由激光照射单元461发射的激光L的形状/轮廓可以由光束扩展器462调整。例如，由激光照射单元461发射的激光L的直径可以由光束扩展器462改变。由激光照射单元461发射的激光L的直径可以由光束扩展器462扩展或降低。

倾斜构件463可以倾斜由激光照射单元461发射的激光L的照射方向。例如，倾斜构件463可以基于轴线旋转激光照射单元461、以使由激光照射单元461照射的激光L的照射方向倾斜。倾斜构件463可以包括马达。

照相机模块可以包括图像模块470和光学模块480。图像模块470可以监测由激光照射单元461发射的激光L。图像模块470可以包括图像获取构件471、照明构件472、第一反射板473和第二反射板474。图像获取构件471可以获取基板M和/或稍后描述的误差检查单元490的监测目标491的图像。图像获取构件471可以为照相机。图像获取构件471可以获取包括由激光照射单元461照射的激光L照射的点处的图像。图像模块470可以将由图像获取构件471获取的图像传输到控制器30。图像模块470可以通过从激光照射器452发射的激光L获取在稍后描述的监测目标491上显示的图像，并将获取的图像传输到控制器30。

照明构件472可以提供光，从而可以容易地执行图像获取构件471的图像获取。由照明构件472提供的光可以沿第一反射板473和第二反射板474顺序地反射。

从上方观察时，光学模块480可以具有由激光照射单元461照射的激光L的照射方向、图像获取构件471获取图像的成像方向和由照明构件472提供的光的照射方向的同轴线。照明构件472可以将光传输到激光L被光学模块480照射到的区域。此外，图像获取构件471可以实时获取图像，诸如激光L照射到的区域的图像/照片。光学模块480可以包括第一反射构件481、第二反射构件482和透镜483。

第一反射构件481可以改变由激光照射单元461发射的激光L的照射方向。例如，第一反射构件481可以将水平方向上照射的激光L的照射方向改变为垂直向下方向。此外，由第一反射构件481折射的激光L可以依次穿过透镜483和激光照射器452，并且可以传输到待处理的基板M或传输到稍后描述的监测目标491。

第二反射构件482可以改变图像获取构件471的成像方向。例如，第二反射构件482可以将水平方向上的图像获取构件471的成像方向改变为垂直向下方向。此外，第二反射构件482可以将依次透过第一反射板473和第二反射板474的照明构件472的光的照射方向从水平方向改变为垂直向下方向。

此外，第一反射构件481和第二反射构件482可以设置在从上方观察时相同的位置处。第一反射构件481和第二反射构件482可以设置成使得成像方向和激光路径重合。此外，第二反射构件482可以设置在第一反射构件481上方。此外，第一反射构件481和第二反射构件482可以以相同的角度倾斜。

图8示出了图4的液体处理腔室的误差检查单元和支承单元。图9是图8的误差检查单元的俯视图。参考图8和图9，误差检查单元490可以检查激光L的照射位置与预设目标位置TP之间是否发生误差。例如，误差检查单元490可以设置在壳体(未示出)的内部空间中。此外，当激光照射器452处于上述待机位置时，误差检查单元490可以安装在激光照射器452下方的区域中。误差检查单元490可以包括监测目标491、板492和支承框架493。板492和支承框架493可以设置为待机端口，该待机端口提供激光照射器452待机的空间。待机端口定位在激光照射器452待机的待机位置处。因此，当从上方观察时，板492和支承框架493可以定位在待机位置处。

检测目标491可以被称为全局坐标系。预设目标位置TP可以标记在监测目标491上。此外，监测目标491可以包括标尺、以检查目标位置TP与激光L照射到的照射位置之间的误差。监测目标491可以具有与定位在待机端口上方的激光照射器452的中心相对应的原点。监测目标491可以具有与从定位在待机端口上方的激光照射器452照射的光的中心相对应的原点。

监测目标491可以安装到板492上。板492可以由支承框架493支承。由板492和支承框架493确定的监测目标491的高度可以与由支承单元420支承的基板M的高度相同。例如，从壳体(未示出)的底表面到监测目标491的顶表面的高度可以与从壳体(未示出)的底表面到由支承单元420支承的基板M的顶表面的高度相同。这是为了使当使用误差检查单元490检查误差时、激光照射器452的高度与当加热基板M时激光照射器452的高度匹配。

当由激光照射单元461照射的激光L的照射方向相对于第三方向Z略微变形时，激光L的照射位置可能根据激光照射单元461的高度而变化，因此监测目标491可以设置在与由支承单元420支承的基板M相同的高度处。

在下文中，将详细描述根据本发明构思的实施方案的基板处理方法。下文描述的基板处理方法可以通过上面描述的液体处理腔室400来执行。此外，控制器30可以控制液体处理腔室400的组件，使得液体处理腔室400可以执行下述的基板处理方法。例如，控制器30可以产生用于控制支承单元420、上升/下降构件436、液体供应单元440和加热单元450中的至少一个的控制信号，使得液体处理腔室400的组件可以执行下面描述的基板处理方法。

图10为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图。参考图10，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以包括基板送入步骤S10、工艺准备步骤S20、位置校正步骤S30、蚀刻步骤S40、冲洗步骤S50和基板取出步骤S60。

在基板送入步骤S10中，门可以打开形成在壳体(未示出)处的送入/取出端口。此外，在基板送入步骤S10中，传送机械手320可以将基板M安置在支承单元420上。在传送机械手320将基板M安置在支承单元420上的情况下，上升/下降构件436可以降低处理容器430的位置。

图11示出了在图10的工艺准备步骤中基板处理装置检查激光的照射位置与预设目标位置之间的误差的状态。参考图11，可以在完成基板M的送入之后执行工艺准备步骤S20。在工艺准备步骤S20中，可以确认基板M是否准确地安置在支承销422上。在工艺准备步骤S20中，可以确认基板M的位置。在工艺准备步骤S20中，可以确认在照射到基板M的激光L的照射位置是否发生误差。例如，在工艺准备步骤S20中，激光照射模块460可以将测试激光L照射到误差检查单元490的监测目标491。

投影在监测目标491上的激光L的图像可以由图像获取构件471获取。在激光照射模块460的待机位置处的位置信息可以从由图像获取构件471获取的获取图像中得到。从激光照射器452发射的激光L的位置信息可以从获取图像中得到。

在实施方案中，当从激光照射器452发射的激光L没有位于监测目标491的原点处时，可以确定在激光照射单元461处发生了变形。当激光照射到监测目标491的预设目标位置TP时，确定激光照射单元461处没有发生变形，并且可以执行以下位置校正步骤S30。

此外，激光照射器452从上面描述的待机位置到定位在照射激光L的加热位置处的特定图案的移动量的总和可以基于从获取图像计算出的测试激光L的位置信息来计算。在实施方案中，可以分别计算激光照射器452在第一方向X上的移动量和在第二方向Y上从待机位置到定位在加热位置处的第二图案P2的移动量。当激光照射器452在第一方向X的移动量或在第二方向Y的移动量与移动量的预设值不同时，可以确定激光照射器452的位置发生变形。

此外，也可以得到从获取图像计算出的测试激光L的直径信息。基于得到的测试激光L的直径信息，可以获取从激光照射器542照射的激光L的信息。例如，当激光L的获取图像在预定范围的直径范围之外时，可以确定在光束扩展器462中已经出现了问题。

图12和图13为示出了执行图10的位置校正步骤的基板处理装置的状态的图。参考图12和图13，位置校正步骤S30可以将形成在基板M上的特定图案移动到照射激光L的加热位置。加热位置可以是等分的四个区域中基板M支承在支承单元420上的一个区域。在实施方案中，当将处理位置划分成用于处理支承在支承单元上的基板的四个相等部分时，激光照射器452的加热位置可以在从待机位置到处理位置移动的第一方向X和/或第二方向Y上顺序地定位在第四象限A4和第一象限A1，并且当第三象限A3在与第四象限A4垂直的方向上定位时，激光照射器的加热位置可以定位在第四象限A4内，并且当第二象限A2在与第一象限垂直的向上方向上定位时，激光照射器的加热位置可以定位在第四象限内。也就是说，加热位置可以是当激光照射器452从待机位置移动到处理位置时、激光照射器452的移动量最小的区域。

在位置校正步骤S30中，形成在基板M上的第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2移动到加热位置。在位置校正步骤S30中，支承单元420旋转，使得第二图案P2定位在第四象限A4内。在实施方案中，当第二图案P2定位在第一象限A1内时，支承单元420顺时针旋转以将第二图案P2定位在第四象限A4内。在另一实施方案中，当第二图案P2定位在第三象限A3内时，支承单元420逆时针旋转以将第二图案P2定位在第四象限A4内。

在蚀刻步骤S40中，可以对形成在基板M上的图案进行蚀刻。在蚀刻步骤S40中，可以相对于形成在基板M上的图案进行蚀刻，使得第一图案P1的临界尺寸与第二图案P2的临界尺寸彼此一致。蚀刻步骤S40可以为用于校正上面描述的第一图案P1与第二图案P2之间的临界尺寸差异的临界尺寸校正工艺。蚀刻步骤S40可以包括液体处理步骤S41和加热步骤S42。

图14示出了用于执行图10的液体处理步骤的基板处理装置的状态。参考图14，液体处理步骤S41可以是液体供应单元440将作为化学品C的蚀刻剂供应到基板M的步骤。在液体处理步骤S41中，支承单元420可以旋转基板M。然而，本发明构思不限于此，并且在液体处理步骤S41中，支承单元420可以不旋转基板M。在液体处理步骤S41处供应的化学品C的量可以以足以形成供应到基板M上的化学物质C的坑(puddle)的方式供应。例如，在液体处理步骤S41中供应的化学品C的量可以覆盖基板M的整个上表面，但也可以供应为化学品C的量也不向下流动、或者即使化学品C从基板M向下也不会过大的程度。如果必要的话，还可以在喷嘴441改变其位置的情况下、将蚀刻剂供应至基板M的整个上表面。在液体供应单元440将化学品C供应到基板M之后，支承单元420可以不旋转。支承单元420可以停止以形成供应到基板M上的化学品C的坑。

图15和图16为示出了用于执行图10的位置加热步骤的基板处理装置的状态的图。参考图15和图16，在加热步骤S42中，可以通过向基板M照射激光L来加热基板M。在加热步骤S42中，加热单元450可以通过向基板M照射激光L来加热其上形成有液膜的基板M。在加热步骤S42中，激光照射模块460可以通过将激光L照射到在其上通过供应化学品C来形成液膜的基板M来加热基板M。

在加热步骤S42中，激光L可以照射到基板M的特定区域。在加热步骤S42中，激光L可以照射到加热位置。在加热步骤S42中，激光照射模块460可以从待机位置移动到加热位置、以将激光L照射到加热位置。在实施方案中，在加热步骤S42中，激光照射器452可以移动到第四象限A4(即，加热位置)、以朝向位于第四象限A4处的第二图案P2发射激光L。可以提高激光L照射到的特定区域的温度。因此，可以增加通过将激光L照射到的区域的化学品C的蚀刻程度。此外，在加热步骤S42中，激光L可以照射到第一图案P1或第二图案P2中的任何一个。例如，激光L可以仅发射到第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。因此，改善了化学品C相对于第二图案P2的蚀刻能力。因此，第一图案P1的临界尺寸可以从第一宽度(例如，69nm)改变至目标临界尺寸(例如，70nm)。此外，第二图案P2的临界尺寸可以从第二宽度(例如，68.5nm)改变至目标临界尺寸(例如，70nm)。也就是说，通过改善相对于基板M的某些区域的蚀刻能力，可以使形成在基板M上的图案的临界尺寸偏差最小化。

此外，根据本发明构思的实施方案，可以通过预先将第二图案P2移动到照射激光L的加热位置来使激光照射模块460的移动距离最小化。因此，可以使激光照射模块460的移动行程最小化，从而简化加热单元450的结构。因此，可以简化液体处理腔室400的结构。此外，通过仅移动激光照射器452的最小距离，可以使可能发生在移动激光照射器452的工艺中的、激光照射模块460以光形式的变化或照射光的位置的变形最小化。

在冲洗步骤S50中，可以从基板M上去除在蚀刻步骤S40中产生的工艺副产物。在冲洗步骤S50中，可以将冲洗液R供应至旋转的基板M、以去除形成在基板M上的工艺副产物。为了根据需要干燥残留在基板M上的冲洗液R，支承单元420可以高速旋转基板M、以去除残留在基板M上的冲洗液R。

在基板取出步骤S60中，可以从内部空间412取出已经处理的基板M。在基板取出步骤S60中，门可以打开形成在壳体(未示出)处的送入/取出端口。此外，在基板取出步骤S60中，传送机械手320可以从支承单元420卸载基板M并且将卸载的基板M从内部空间412中取出。

在上面描述的本发明构思的实施方案中，在具有第一图案P1和第二图案P2的基板M处改善了第二图案P2的蚀刻速率，该第一图案为用于监测曝光图案的监测图案，该第二图案为用于处理基板的条件设定图案。然而，与此不同，第一图案P1和第二图案P2的功能可以不同于本发明构思的上述实施方案的功能。此外，根据本发明构思的实施方案，仅设置第一图案P1或第二图案P2中的一个，并且可以改善第一图案P1或第二图案P2之一的蚀刻率。此外，根据本发明构思的实施方案，同样可以应用于改善基板(例如，晶圆或玻璃，而不是光掩模)上的特定区域的蚀刻速率。

本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属技术领域的技术人员能够从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。

尽管至此已经图示和描述了本发明构思的优选的实施方案，但是本发明构思不限于上述具体实施方案，并且应当注意，本发明构思所属技术领域的普通技术人员可以在不脱离权利要求中要求保护的发明构思的本质的情况下以各种方式执行本发明构思，并且不应将修改与本发明构思的技术精神或前景分开进行解释。

Claims (20)

1.一种掩模处理装置，所述掩模处理装置包括：

支承单元，所述支承单元配置为支承和旋转掩模，所述掩模具有第一图案和第二图案，所述第一图案在所述掩模的多个单元格内，所述第二图案在所述多个单元格的外部区域；

加热单元，所述加热单元包括激光照射模块和移动模块，所述激光照射模块具有用于将激光照射到所述第二图案的激光照射器，所述移动模块配置为改变所述激光照射模块的位置；以及

控制器，所述控制器配置为控制所述支承单元和所述加热单元，并且

其中，当基于所述掩模的中心、将处理位置划分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，所述激光照射器在从待机位置向所述处理位置直线移动的方向上定位在所述第四象限和所述第一象限处、在与所述第四象限垂直的方向上定位在第三象限处、并且在与所述第一象限垂直的方向上定位在第二象限处，并且

其中，所述控制器控制所述支承单元的旋转，使得所述第二图案定位在所述第四象限处。

2.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中，所述控制器控制所述加热单元，使得所述激光照射器从所述待机位置移动到与定位在所述第四象限处的所述第二图案相对应的照射位置，并且所述激光从所述照射位置照射到所述第二图案。

3.根据权利要求2所述的掩模处理装置，其中，所述移动模块在与地面水平的第一方向、和与所述第一方向垂直且与地面水平的第二方向上移动所述激光照射器，以及

其中，所述第四象限是从所述待机位置到所述照射位置、使所述激光照射器在所述第一方向上的移动量和在所述第二方向上的移动量的总和最小化的区域。

4.根据权利要求3所述的掩模处理装置，所述掩模处理装置还包括待机端口，所述待机端口具有定位在所述待机位置处的所述激光照射器，以及

其中，在所述待机端口上设置有监测目标，所述监测目标具有在从上方观察时、与所述激光照射器的中心匹配的原点。

5.根据权利要求4所述的掩模处理装置，其中，所述加热单元还包括照相机模块，在所述照相机模块中、从所述激光照射器照射的激光获取显示在所述监测目标上的图像，并且将所获取的图像传送到所述控制器。

6.根据权利要求5所述的掩模处理装置，其中，所述控制器从所述图像中得到所述激光的位置信息，并且基于所述位置信息计算所述激光照射器从所述待机位置到定位在所述照射位置处的所述第二图案的移动量。

7.根据权利要求5所述的掩模处理装置，其中，所述控制器从所述图像中得到所述激光的直径信息，并且基于所述激光的所述直径信息来获取从所述激光照射器照射的所述激光的信息。

8.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中，所述第一象限、所述第二象限、所述第三象限和所述第四象限在逆时针方向上依次定位。

9.根据权利要求1所述的掩模处理装置，所述掩模处理装置还包括：

液体供应单元，所述液体供应单元配置为将处理液体供应至支承在所述支承单元上的所述掩模；以及

容器，所述容器具有用于处理所述掩模的处理空间、并且提供用于回收所述处理液体的回收路径，并且

其中所述支承单元在所述处理空间处支承所述掩模。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的掩模处理装置，其中所述控制器控制所述加热单元，从而通过相对于所述第二图案照射所述激光来使所述第一图案的临界尺寸和所述第二图案的临界尺寸最小化。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的掩模处理装置，其中，提供给每个单元格的所述第一图案是形成在单元格处的曝光图案的监测图案，并且所述第二图案是所述掩模处理装置的条件设定图案。

12.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

支承单元，所述支承单元配置为支承和旋转基板，所述基板具有形成在其上的特定图案；

加热单元，所述加热单元配置为加热所述图案；以及

控制器，所述控制器配置为控制所述支承单元和所述加热单元，并且

其中，所述控制器控制所述支承单元、以通过旋转所述基板将所述图案移动到加热位置，并且控制加热单元、使所述加热单元移动到待机位置和所述加热位置。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，当基于所述基板的中心、将处理位置划分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，所述加热单元在从待机位置向处理位置直线移动的方向上定位在所述第四象限和所述第一象限处、在与所述第四象限垂直的方向上定位在第三象限处、并且在与所述第一象限垂直的方向上定位在第二象限处，并且

所述加热位置为在所述图案定位在所述第四象限处时所述图案的位置。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，所述加热单元在与所述地面水平的第一方向上、和与所述第一方向垂直且与所述地面水平的第二方向上移动，并且

其中，所述第四象限是从所述待机位置到所述照射位置、使所述加热单元在所述第一方向上的移动量和在所述第二方向上的移动量的总和最小化的区域。

15.一种用于蚀刻基板的基板处理方法，所述基板具有第一图案以及第二图案，所述第二图案与在所述基板上形成的所述第一图案不同，所述基板处理方法包括：

位置校正步骤，所述位置校正步骤将所述第二图案移动到照射位置；

液体处理步骤，所述液体处理步骤将蚀刻液供应到所述基板上；以及

加热步骤，所述加热步骤在所述蚀刻液残留在所述基板上的状态下、将激光照射到移动至所述照射位置的第二图案，并且

其中，当基于所述基板的中心、将处理位置划分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，当所述加热单元在从待机位置向所述处理位置直线移动的方向上定位在所述第四象限和所述第一象限处、在与所述第四象限垂直的方向上定位在第三象限处、并且在与所述第一象限垂直的方向上定位在第二象限处时，所述照射位置是与定位在所述第四象限处的所述第二位置相对应的位置。

16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，所述第四象限是所述加热单元从所述待机位置到所述照射位置的移动最小的区域。

17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，所述位置校正步骤旋转所述基板、以将所述第二图案移动到所述第四象限。

18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，在所述加热步骤中，所述加热单元从所述待机位置移动到与定位在所述第四象限处的所述第二图案相对应的所述照射位置，并且将所述激光从所述照射位置照射到所述第二图案。

19.根据权利要求15至18中任一项所述的基板处理方法，所述基板处理方法还包括执行以下过程：通过相对于所述第二图案照射所述激光、使所述第一图案的临界尺寸与所述第二图案的临界尺寸之间的偏差最小化。

20.根据权利要求15至18中任一项所述的基板处理方法，其中，所述第一图案是形成在所述基板上的曝光图案的监测图案，并且所述第二图案是用于处理所述基板的条件设定图案。

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