KR20230100179A - 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230100179A
KR20230100179A KR1020210189865A KR20210189865A KR20230100179A KR 20230100179 A KR20230100179 A KR 20230100179A KR 1020210189865 A KR1020210189865 A KR 1020210189865A KR 20210189865 A KR20210189865 A KR 20210189865A KR 20230100179 A KR20230100179 A KR 20230100179A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser light
housing
unit
laser
substrate
Prior art date
Application number
KR1020210189865A
Other languages
English (en)
Inventor
윤현
최기훈
김태희
정지훈
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020210189865A priority Critical patent/KR20230100179A/ko
Priority to US17/979,149 priority patent/US20230204414A1/en
Priority to CN202211589410.5A priority patent/CN116400567A/zh
Publication of KR20230100179A publication Critical patent/KR20230100179A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B23K26/705—Beam measuring device
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0271—Housings; Attachments or accessories for photometers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0418—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using attenuators
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0488—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛, 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 레이저 광을 조사하는 레이저 조사부를 가지는 레이저 유닛, 상기 레이저 유닛이 대기하는 대기 위치를 제공하는 홈 포트 및 기판에 상기 레이저 광을 조사하는 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 상기 레이저 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 포함하되, 상기 홈 포트는 상기 레이저 유닛이 조사하는 상기 레이저 광으로부터 상기 레이저 광의 특성을 검측할 수 있다.

Description

검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{DETECTING UNIT, AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}
본 발명은 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광의 특성을 검출하는 검측 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 사진 공정은 노광 공정을 포함한다. 노광 공정은 웨이퍼 상에 부착된 반도체 집적 재료를 원하는 패턴으로 깎아 내기 위한 사전 작업이다. 노광 공정은 식각을 위한 패턴을 형성, 그리고 이온 주입을 위한 패턴의 형성 등 다양한 목적을 가질 수 있다. 노광 공정은 일종의 ‘틀’인 마스크(Mask)를 이용하여, 웨이퍼 상에 빛으로 패턴을 그려 넣는다. 웨이퍼 상의 반도체 집적 재료, 예컨대 웨이퍼 상의 레지스트에 빛이 노출되면, 빛과 마스크에 의해서 패턴에 맞게 레지스트의 화학적 성질이 변화한다. 패턴에 맞게 화학적 성질이 변화한 레지스트에 현상액이 공급되면 웨이퍼 상에는 패턴이 형성된다.
노광 공정을 정밀하게 수행하기 위해서는 마스크에 형성된 패턴이 정밀하게 제작되어야 한다. 패턴이 요구되는 공정 조건에 만족하게 형성되었는지 여부를 확인해야 한다. 하나의 마스크에는 많은 수의 패턴이 형성되어 있다. 이에, 작업자가 하나의 마스크를 검사하기 위해 많은 수의 패턴을 모두 검사하는 것은 많은 시간이 소요된다. 이에, 복수의 패턴을 포함하는 하나의 패턴 그룹을 대표할 수 있는 모니터링 패턴을 마스크에 형성한다. 또한, 복수의 패턴 그룹을 대표할 수 있는 앵커 패턴을 마스크에 형성한다. 작업자는 모니터링 패턴의 검사를 통해 하나의 패턴 그룹이 포함하는 패턴들의 양불을 추정할 수 있다. 또한, 작업자는 앵커 패턴의 검사를 통해 마스크에 형성된 패턴들의 양불을 추정할 수 있다.
또한, 마스크의 검사 정확도를 높이기 위해서는 모니터링 패턴과 앵커 패턴의 선폭이 서로 동일한 것이 바람직하다. 마스크에 형성된 패턴들의 선폭을 정밀하게 보정하기 위한 선폭 보정 공정이 추가로 수행된다.
도 1은 마스크 제작 공정 중 선폭 보정 공정이 수행되기 전 마스크의 모니터링 패턴의 제1선폭(CDP1) 및 앵커 패턴의 제2선폭(CDP2)에 관한 정규 분포를 보여준다. 또한, 제1선폭(CDP1) 및 제2선폭(CDP2)은 목표하는 선폭보다 작은 크기를 가진다. 선폭 보정 공정이 수행되기 전 모니터링 패턴과 앵커 패턴의 선폭(CD : Critical Dimension)에 의도적으로 편차를 둔다. 그리고, 선폭 보정 공정에서 앵커 패턴을 추가 식각 함으로써, 이 둘 패턴의 선폭을 동일하게 한다. 앵커 패턴을 추가적으로 식각하는 과정에서 앵커 패턴이 모니터링 패턴보다 과식각되는 경우, 모니터링 패턴과 앵커 패턴의 선폭의 차이가 발생하여 마스크에 형성된 패턴들의 선폭을 정밀하게 보정할 수 없다. 앵커 패턴을 추가적으로 식각할 때, 앵커 패턴에 대한 정밀한 식각이 수반되어야 한다.
앵커 패턴이 정밀하게 식각되기 위해서는 빛의 직경 크기, 빛의 강도 등의 정보를 나타내는 빛의 초점산포(프로파일;Profile)와 빛의 출력(Power)이 정밀하게 조절되어야 한다. 빛의 초점산포와 빛의 출력값은 기판(M)에 형성된 패턴에 대한 식각량, 기판(M)에 형성된 패턴에 대한 식각 균일도에 큰 영향을 미친다. 일반적으로, 빛의 프로파일을 측정하기 위해서 특정 파장 대역의 빛만 투과하거나, 특정 파장 대역의 빛을 차단하는 감쇠 필터가 설치된다. 감쇠 필터를 통과한 빛은 상대적인 출력값만 추정할 수 있을 뿐, 절대적인 빛의 출력값을 측정할 수 없어 측정 정확도가 떨어진다. 빛의 프로파일과 빛의 출력이 정확하게 측정되지 않는 경우, 앵커 패턴을 정밀하게 식각할 수 없다.
본 발명은 기판에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있는 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 홈 포트에서 광의 특성을 검측할 수 있는 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 홈 포트에서 조사되는 광으로부터 광의 프로파일과 광의 출력을 동시에 측정할 수 있는 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 광의 특성을 정확하게 계측할 수 있는 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 굴절되거나 산란된 광에 의한 광 프로파일의 측정 간섭을 최소화할 수 있는 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛, 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 레이저 광을 조사하는 레이저 조사부를 가지는 레이저 유닛, 상기 레이저 유닛이 대기하는 대기 위치를 제공하는 홈 포트 및 기판에 상기 레이저 광을 조사하는 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 상기 레이저 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 포함하되, 상기 홈 포트는 상기 레이저 유닛이 조사하는 상기 레이저 광으로부터 상기 레이저 광의 특성을 검측 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 레이저 광의 특성은 상기 레이저 광의 초점 산포와 상기 레이저 광의 출력을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 홈 포트는 내부 공간을 가지는 하우징, 상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 초점 산포를 측정하는 프로파일 측정 부재, 상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 출력을 측정하는 파워 측정 부재 및 상기 하우징의 상부에서 입사되는 상기 레이저 광을 상기 프로파일 측정 부재와 상기 파워 측정 부재로 각각 분할하는 광 분할 부재를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 분할 부재는 상기 파워 측정 부재와 마주보는 면에 무반사 코팅될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 프로파일 측정 부재는 상기 하우징의 측벽에 설치되고, 상기 파워 측정 부재는 상기 하우징의 바닥벽에 설치되고, 상기 광 분할 부재는 상기 하우징의 내부 공간에 배치되고, 상면이 지면에 대해 제1각도로 상향 경사지게 형성되고, 하면이 지면에 대해 제2각도로 상향 경사지게 형성되되, 상기 제2각도는 상기 제1각도보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 하우징의 상부로부터 입사된 상기 레이저 광 중 일부는 상기 상면에서 반사되어 상기 프로파일 측정 부재로 입사되고, 상기 하우징의 상부로부터 입사된 상기 레이저 광 중 다른 일부는 상기 상면에서 굴절되어 상기 하면으로 입사되고, 상기 하면으로 입사된 상기 레이저 광은 상기 파워 측정 부재로 입사될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 파워 측정 부재로 입사된 상기 레이저 광 중 일부는 반사되어 상기 광 분할 부재로 입사되고, 상기 광 분할 부재로 입사된 상기 레이저 광은 굴절될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는 상기 홈 포트의 하단에 설치되어 상기 하우징을 이동시키는 승강 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 프로파일 측정 부재는 상기 레이저 광 중 특정 파장을 필터링하는 광학 필터를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판에 조사되는 레이저 광의 특성을 검측하는 검측 유닛을 제공한다. 검측 유닛은 내부 공간을 가지는 하우징, 상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 특성 중 상기 레이저 광의 초점 산포를 측정하는 프로파일 측정 부재, 상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 특성 중 상기 레이저 광의 출력을 측정하는 파워 측정 부재 및 상기 하우징의 상부에서 입사되는 상기 레이저 광을 상기 프로파일 측정 부재와 상기 파워 측정 부재로 각각 분할하는 광 분할 부재를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 프로파일 측정 부재는 상기 하우징의 측벽에 설치되고, 상기 파워 측정 부재는 상기 하우징의 바닥벽에 설치되고, 상기 광 분할 부재는 상기 하우징의 내부 공간에 배치되되, 상기 광 분할 부재는 상기 파워 측정 부재와 마주보는 면에 무반사 코팅될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 분할 부재는 상면과 하면이 각각 지면에 대해 상향 경사지게 형성되고, 상기 광 분할 부재의 상단에서 하단으로 갈수록 단면적이 크게 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 하우징의 상부로부터 입사된 상기 레이저 광 중 일부는 상기 상면에서 반사되어 상기 프로파일 측정 부재로 입사되고, 상기 하우징의 상부로부터 입사된 상기 레이저 광 중 다른 일부는 상기 상면에서 굴절되어 상기 하면으로 입사되고, 상기 하면으로 입사된 상기 레이저 광은 상기 파워 측정 부재로 입사될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 파워 측정 부재로 입사된 상기 레이저 광 중 일부는 반사되어 상기 광 분할 부재로 입사되고, 상기 광 분할 부재로 입사된 상기 레이저 광은 굴절될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 프로파일 측정 부재는 상기 레이저 광 중 특정 파장을 필터링하는 광학 필터를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 복수의 셀들을 가지는 마스크를 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 처리 공간에서 마스크를 지지하고 회전시키는 지지 유닛, 상기 지지 유닛에 지지된 마스크로 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 지지 유닛에 지지된 마스크로 레이저 광을 조사하는 레이저 조사부를 가지는 레이저 유닛, 상기 레이저 유닛이 대기하는 대기 위치를 제공하는 홈 포트 및 마스크에 상기 레이저 광을 조사하는 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 상기 레이저 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 포함하되, 상기 홈 포트는 상기 레이저 유닛이 조사하는 상기 레이저 광으로부터 상기 레이저 광의 특성을 검측 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 홈 포트는 내부 공간을 가지는 하우징, 상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 특성 중 초점 산포를 측정하는 프로파일 측정 부재, 상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 특성 중 출력을 측정하는 파워 측정 부재 및 상기 하우징의 상부에서 입사되는 상기 레이저 광을 상기 프로파일 측정 부재와 상기 파워 측정 부재로 각각 분할하는 광 분할 부재를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 프로파일 측정 부재는 상기 하우징의 측벽에 설치되고, 상기 파워 측정 부재는 상기 하우징의 바닥벽에 설치되고, 상기 광 분할 부재는 상기 하우징의 내부 공간에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 분할 부재는 상면이 지면에 대해 제1각도로 상향 경사지게 형성되고, 하면이 지면에 대해 제2각도로 상향 경사지게 형성되되, 상기 제2각도는 상기 제1각도보다 크게 제공되고, 상기 광 분할 부재는 상기 파워 측정 부재와 마주보는 상기 하면에 무반사 코팅 될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는 상기 홈 포트의 하단에 설치되어 상기 하우징을 이동시키는 승강 부재를 더 포함하고, 상기 프로파일 측정 부재는 상기 레이저 광 중 특정 파장을 필터링하는 광학 필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 대한 정밀한 식각을 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 홈 포트에서 광의 특성을 검측할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 홈 포트에서 조사되는 광으로부터 광의 프로파일과 광의 출력을 동시에 측정할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 광의 특성을 정확하게 계측할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 굴절되거나 산란된 광에 의한 광 프로파일의 측정 간섭을 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 모니터링 패턴의 선폭 및 앵커 패턴의 선폭에 관한 정규 분포를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 챔버에서 처리되는 기판을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 액 처리 챔버를 상부에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 4의 조사 모듈을 정면에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 조사 모듈을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 4의 검측 유닛의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 광 분할 부재를 정면에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 8의 하우징의 상부로 입사된 광 중 어느 일부가 프로파일 측정 부재로 입사되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 도 10의 하우징의 상부로 입사된 광 중 다른 일부가 파워 측정 부재로 입사되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 도 11의 파워 측정 부재로 입사된 광 중 일부가 광 분할 부재로 입사되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는, 도 2 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 대해 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10, Index Module), 처리 모듈(20, Treating Module), 그리고 제어기(30)를 포함한다. 일 실시예에 따르면, 상부에서 바라볼 때 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치될 수 있다.
이하에서는, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(X)이라 정의하고, 정면에서 바라볼 때, 제1방향(X)과 수직한 방향을 제2방향(Y)이라 정의하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(Z)이라 정의한다.
인덱스 모듈(10)은 기판(M)이 수납된 용기(C)로부터 기판(M)을 처리하는 처리 모듈(20)로 기판(M)을 반송한다. 또한, 인덱스 모듈(10)은 처리 모듈(20)에서 소정의 처리가 완료된 기판(M)을 용기(C)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(Y)으로 형성될 수 있다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(12)와 인덱스 프레임(14)을 가질 수 있다.
로드 포트(12)에는 기판(M)이 수납된 용기(C)가 안착된다. 로드 포트(12)는 인덱스 프레임(14)을 기준으로 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치할 수 있다. 로드 포트(12)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 로드 포트(12)들은 제2방향(Y)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드 포트(12)의 개수는 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.
용기(C)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(12)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(14)은 기판(M)을 반송하는 반송 공간을 제공한다. 인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)과 인덱스 레일(124)이 제공된다. 인덱스 로봇(120)은 기판(M)을 반송한다. 인덱스 로봇(120)은 인덱스 모듈(10)과 후술하는 버퍼 유닛(200) 간에 기판(M)을 반송할 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 인덱스 핸드(122)를 포함한다. 인덱스 핸드(122)에는 기판(M)이 놓일 수 있다. 인덱스 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(Z)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 인덱스 핸드(122)들 각각은 상하 방향으로 이격되게 제공될 수 있다. 복수 개의 인덱스 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
인덱스 레일(124)은 인덱스 프레임(14) 내에 제공된다. 인덱스 레일(124)은 그 길이 방향이 제2방향(Y)을 따라 제공된다. 인덱스 레일(124)에는 인덱스 로봇(120)이 놓이고, 인덱스 로봇(120)은 인덱스 레일(124) 상에서 직선 이동 가능하게 제공될 수 있다.
제어기(30)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(30)는 기판 처리 장치(1)에 제공되는 구성들을 제어할 수 있다. 제어기(30)는 기판 처리 장치(1)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 프레임(300), 그리고 액 처리 챔버(400)를 포함할 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(M)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(M)이 일시적으로 머무는 공간을 제공한다. 반송 프레임(300)은 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400), 그리고 건조 챔버(500) 간에 기판(M)을 반송하는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(M) 상에 액을 공급하여 기판(M)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 건조 챔버(500)는 액 처리가 완료된 기판(M)을 건조하는 건조 공정을 수행한다.
버퍼 유닛(200)은 인덱스 프레임(14)과 반송 프레임(300) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 프레임(300)의 일단에 위치할 수 있다. 버퍼 유닛(200)의 내부에는 기판(M)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)은 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(Z)을 따라 이격될 수 있다.
버퍼 유닛(200)은 전면(Front Face)과 후면(Rear Face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 프레임(300)과 마주는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 후술하는 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.
반송 프레임(300)은 그 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공될 수 있다. 반송 프레임(300)의 양 측에는 액 처리 챔버(400)와 건조 챔버(500)가 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 건조 챔버(500)는 반송 프레임(300)의 측부에 배치될 수 있다. 반송 프레임(300)과 액 처리 챔버(400)는 제2방향(Y)을 따라 배치될 수 있다. 반송 프레임(300)과 건조 챔버(500)는 제2방향(Y)을 따라 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 프레임(300)의 양 측에 배치될 수 있다. 반송 프레임(300)의 일 측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(X) 및 제3방향(Z)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)의 배열로 제공될 수 있다.
반송 프레임(300)은 반송 로봇(320)과 반송 레일(324)을 가진다. 반송 로봇(320)은 기판(M)을 반송한다. 반송 로봇(320)은 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400), 그리고 건조 챔버(500) 간에 기판(M)을 반송한다. 반송 로봇(320)은 기판(M)이 놓이는 반송 핸드(322)를 포함한다. 반송 핸드(322)에는 기판(M)이 놓일 수 있다. 반송 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(Z)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
반송 레일(324)은 반송 프레임(300) 내에서 반송 프레임(300)의 길이 방향을 따라 제공될 수 있다. 일 예로, 반송 레일(324)의 길이 방향은 제1방향(X)을 따라 제공될 수 있다. 반송 레일(324)에는 반송 로봇(320)이 놓이고, 반송 로봇(320)은 반송 레일(324) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 3은 도 2의 액 처리 챔버에서 처리되는 기판을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다. 이하에서는, 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 기판(M)에 대하여 상세히 설명한다.
도 3을 참조하면, 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 피처리물은 웨이퍼, 글라스, 그리고 포토 마스크 중 어느 하나의 기판일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 의한 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 기판(M)은 노광 공정시 사용되는 ‘틀’인 포토 마스크(Photo Mask)일 수 있다.
기판(M)은 사각의 형상을 가질 수 있다. 기판(M)은 노광 공정시 사용되는 ‘틀’인 포토 마스크일 수 있다. 기판(M) 상에는 적어도 하나 이상의 기준 마크(AK)가 표시되어 있을 수 있다. 예컨대, 기준 마크(AK)는 기판(M)의 모서리 영역 각각에 복수 개가 형성될 수 있다. 기준 마크(AK)는 얼라인 키(Align Key)라 불리는 기판(M) 정렬시 사용되는 마크일 수 있다. 또한, 기준 마크(AK)는 기판(M)의 위치 정보를 도출하는데 이용되는 마크일 수 있다. 예컨대, 후술하는 촬상 유닛(4540)은 기준 마크(AK)를 촬영하여 이미지를 획득하고, 획득된 이미지를 제어기(30)로 전송할 수 있다. 제어기(30)는 기준 마크(AK)를 포함하는 이미지를 분석하여 기판(M)의 정확한 위치를 검출할 수 있다. 또한, 기준 마크(AK)는 기판(M) 반송시 기판(M)의 위치를 파악하는데 사용될 수 있다.
기판(M) 상에는 셀(CE)이 형성될 수 있다. 셀(CE)은 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 셀(CE)은 복수 개 형성될 수 있다. 각각의 셀(CE)에는 복수의 패턴이 형성될 수 있다. 각각의 셀(CE)에 형성된 패턴들은 하나의 패턴 그룹으로 정의될 수 있다. 셀(CE)에 형성되는 패턴은 노광 패턴(EP)과 제1패턴(P1)을 포함할 수 있다.
노광 패턴(EP)은 기판(M) 상에 실제 패턴을 형성하는데 사용될 수 있다. 제1패턴(P1)은 하나의 셀(CE)에 형성된 노광 패턴(EP)들을 대표하는 패턴일 수 있다. 또한, 셀(CE)이 복수로 제공되는 경우 제1패턴(P1)은 복수로 제공될 수 있다. 일 예로, 복수 개의 셀(CE) 각각에는 제1패턴(P1)이 각각 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 하나의 셀(CE)에 복수의 제1패턴(P1)이 형성될 수도 있다. 제1패턴(P1)은 각각의 노광 패턴(EP)들의 일부가 합쳐진 형상을 가질 수 있다. 제1패턴(P1)은 모니터링 패턴이라 불릴 수 있다. 복수 개의 제1패턴(P1)들의 선폭의 평균 값은 선폭 모니터링 매크로(Critical Dimension Monitoring Macro;CDMM)라 불릴 수 있다.
작업자가 주사 전자 현미경(SEM)을 통해 어느 하나의 셀(CE)에 형성된 제1패턴(P1)을 검사하는 경우, 어느 하나의 셀(CE)에 형성된 노광 패턴(EP)들의 형상의 양불 여부를 추정할 수 있다. 이에, 제1패턴(P1)은 검사용 패턴으로 기능할 수 있다. 상술한 예와 달리, 제1패턴(P1)은 실제 노광 공정에 참여하는 노광 패턴(EP)들 중 어느 하나의 패턴일 수 있다. 선택적으로, 제1패턴(P1)은 검사용 패턴이고, 동시에 실제 노광에 참여하는 노광 패턴일 수도 있다.
제2패턴(P2)은 기판(M) 전체에 형성된 노광 패턴(EP)들을 대표하는 패턴일 수 있다. 예컨대, 제2패턴(P2)은 각 제1패턴(P1)들의 일부가 합쳐진 형상을 가질 수 있다.
작업자가 주사 전자 현미경(SEM)을 통해 제2패턴(P2)을 검사하는 경우, 하나의 기판(M)에 형성된 노광 패턴(EP)들의 형상의 양불 여부를 추정할 수 있다. 이에, 제2패턴(P2)은 검사용 패턴으로 기능할 수 있다. 제2패턴(P2)은 실제 노광 공정에는 참여하지 않는 검사용 패턴일 수 있다. 제2패턴(P2)은 노광 장치의 공정 조건을 세팅하는 패턴일 수 있다. 제2패턴(P2)은 앵커 패턴(Anchor Pattern)이라 불릴 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 의한 액 처리 챔버(400)에 대해 상세히 설명한다. 또한, 이하에서는, 액 처리 챔버(400)에서 수행되는 처리 공정이 노광 공정 용 마스크 제작 과정 중 선폭 보정 공정(FCC, Fine Critical Dimension Correction) 공정을 수행하는 것을 예로 들어 설명한다.
액 처리 챔버(400)에 반입되어 처리되는 기판(M)은 전 처리가 수행된 기판(M)일 수 있다. 액 처리 챔버(400)에 반입되는 기판(M)의 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2)의 선폭은 서로 상이할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1패턴(P1)의 선폭은 제2패턴(P2)의 선폭보다 상대적으로 클 수 있다. 예컨대, 제1패턴(P1)의 선폭은 제1폭(예컨대, 69nm)을 가지고, 제2패턴(P2)의 선폭은 제2폭(예컨대, 68.5nm)을 가질 수 있다.
도 4는 도 2의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5는 도 4의 액 처리 챔버를 상부에서 바라본 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 지지 유닛(420), 처리 용기(430), 액 공급 유닛(440), 조사 모듈(450), 그리고 홈 포트(460)를 포함할 수 있다.
하우징(410)은 내부 공간을 가진다. 내부 공간에는 지지 유닛(420), 처리 용기(430), 액 공급 유닛(440), 조사 모듈(450), 홈 포트(460), 그리고 승강 부재(470)가 제공될 수 있다. 하우징(410)에는 기판(M)이 반출입 될 수 있는 반출입구(미도시)가 형성될 수 있다. 하우징(410)의 내벽면은 액 공급 유닛(440)이 공급하는 케미칼에 대해 내부식성이 높은 소재로 코팅될 수 있다.
하우징(410)의 바닥면에는 배기 홀(미도시)이 형성될 수 있다. 배기 홀(미도시)은 내부 공간를 배기할 수 있는 펌프와 같은 배기 부재와 연결될 수 있다. 내부 공간에서 발생될 수 있는 흄(Fume) 등은 배기 홀(미도시)을 통해 하우징(410)의 외부로 배기될 수 있다.
지지 유닛(420)은 기판(M)을 지지한다. 지지 유닛(420)은 후술하는 처리 용기(430)가 제공하는 처리 공간에서 기판(M)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(420)은 기판(M)을 회전시킨다. 지지 유닛(420)은 몸체(421), 지지핀(422), 지지축(426), 그리고 구동 부재(427)를 포함할 수 있다.
몸체(421)는 판 형상으로 제공될 수 있다. 몸체(421)는 일정한 두께를 가지는 판 형상을 가질 수 있다. 몸체(421)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가질 수 있다. 몸체(421)의 상부면은 기판(M)보다 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다. 몸체(421)에는 지지핀(422)이 설치될 수 있다.
지지핀(422)은 기판(M)을 지지한다. 지지핀(422)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원 형상을 가질 수 있다. 지지핀(422)은 상부에서 바라볼 때, 기판(M)의 모서리 영역과 대응하는 부분이 아래로 만입된 형상을 가질 수 있다. 지지핀(422)은 제1면과 제2면을 가질 수 있다. 예컨대, 제1면은 기판(M)의 모서리 영역의 하부를 지지할 수 있다. 제2면은 기판(M)의 모서리 영역의 측부와 마주할 수 있다. 이에, 기판(M)이 회전되는 경우, 기판(M)은 제2면에 의해 측 방향으로의 움직임이 제한될 수 있다.
지지핀(422)은 적어도 하나 이상으로 제공된다. 예컨대, 지지핀(422)은 복수 개 제공될 수 있다. 지지핀(422)은 사각의 형상을 가지는 기판(M)의 모서리 영역의 개수에 대응하는 수로 제공될 수 있다. 지지핀(422)은 기판(M)을 지지하여 기판(M)의 하면과 몸체(421)의 상면을 서로 이격시킬 수 있다.
지지축(426)은 몸체(421)와 결합한다. 지지축(426)은 몸체(421)의 하부에 위치한다. 지지축(426)은 중공 축일 수 있다. 중공 축 내부에는 유체 공급 라인(428)이 형성될 수 있다. 유체 공급 라인(428)은 기판(M)의 하부로 처리 유체 또는/및 처리 가스를 공급할 수 있다. 예컨대, 처리 유체는 케미칼 또는 린스액을 포함할 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스 액은 순수일 수 있다. 예컨대, 처리 가스는 비활성 가스일 수 있다. 처리 가스는 기판(M)의 하부를 건조시킬 수 있다. 다만, 상술한 예와 달리, 지지축(426) 내부에 유체 공급 라인(428)이 제공되지 않을 수도 있다.
지지축(426)은 구동 부재(427)에 의해 회전될 수 있다. 구동 부재(427)는 중공 모터일 수 있다. 구동 부재(427)가 지지축(426)을 회전시키면, 지지축(426)에 결합된 몸체(421)가 회전할 수 있다. 기판(M)은 지지핀(422)을 매개로 몸체(421)의 회전과 함께 회전될 수 있다.
처리 용기(430)는 처리 공간을 가진다. 처리 용기(430)는 기판(M)이 처리되는 처리 공간을 가진다. 일 예에 의하면, 처리 용기(430)는 상부가 개방된 처리 공간을 가질 수 있다. 처리 용기(430)는 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 기판(M)은 처리 공간 내에서 액 처리 및 가열 처리될 수 있다. 처리 용기(430)는 기판(M)으로 공급되는 처리액이 하우징(410), 액 공급 유닛(440), 그리고 조사 모듈(450)로 비산되는 것을 방지할 수 있다.
처리 용기(430)는 복수의 회수통들(432a, 432b, 432c)을 가질 수 있다. 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)은 기판(M)의 처리에 사용된 액 중 서로 상이한 액을 분리 회수할 수 있다. 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)은 기판(M)의 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가질 수 있다. 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)은 상부에서 바라볼 때, 지지 유닛(420)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 액 처리 공정이 진행될 때, 기판(M)의 회전에 의해 비산되는 액은 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c) 간에 형성된 사이 공간인 유입구를 통해 회수 공간으로 유입된다. 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)에는 서로 상이한 종류의 처리액이 유입될 수 있다.
일 예에 의하면, 처리 용기(430)는 제1회수통(432a), 제2회수통(432b), 그리고 제3회수통(432c)을 가질 수 있다. 제1회수통(432a)은 지지 유닛(420)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제2회수통(432b)은 제1회수통(432a)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제3회수통(432c)은 제2회수통(432b)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.
각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인들(434a, 434b, 434c)이 연결될 수 있다. 각각의 회수 라인들(434a, 434b, 434c)은 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)을 통해 유입된 처리액을 배출할 수 있다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
처리 용기(430)는 승강 부재(436)와 결합될 수 있다. 승강 부재(436)는 처리 용기(430)를 이동시킬 수 있다. 예컨대, 승강 부재(436)는 제3방향(Z)을 따라 처리 용기(430)의 위치를 변경시킬 수 있다. 승강 부재(436)는 처리 용기(430)를 상하 방향으로 이동시키는 구동 장치일 수 있다. 승강 부재(436)는 기판(M)에 대한 액 처리 및/또는 가열 처리가 수행되는 동안에는 처리 용기(430)를 위 방향으로 이동시킬 수 있다. 승강 부재(436)는 기판(M)이 내부 공간에 반입 또는 기판(M)이 내부 공간으로부터 반출되는 경우에는 처리 용기(430)를 아래 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(440)은 기판(M) 상에 액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(440)은 기판(M)을 액 처리하는 처리액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(440)은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)으로 처리액을 공급할 수 있다. 일 예로, 액 공급 유닛(440)은 복수의 셀(CE)들 내에 형성된 제1패턴(P1)과 셀들(CE)이 형성된 영역의 외부에 제2패턴(P2)이 형성된 기판(M)으로 처리액을 공급할 수 있다.
처리액은 식각액 또는 린스액으로 제공될 수 있다. 식각액은 케미칼일 수 있다. 식각액은 기판(M) 상에 형성된 패턴을 식각 할 수 있다. 식각액은 에천트(Etchant)로 불릴 수도 있다. 에천트는 암모니아, 물, 그리고 첨가제가 혼합된 혼합액과 과산화수소를 포함하는 액일 수 있다. 린스액은 기판(M)을 세정할 수 있다. 린스액은 공지된 약액으로 제공될 수 있다.
도 5를 참조하면, 액 공급 유닛(440)은 노즐(441), 고정 몸체(442), 회전 축(443), 그리고 회전 부재(444)를 포함할 수 있다. 노즐(411)은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)으로 처리액을 공급할 수 있다. 노즐(411)의 일단은 고정 몸체(442)에 연결되고, 노즐(411)의 타단은 고정 몸체(442)로부터 기판(M)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 노즐(411)은 고정 몸체(442)로부터 제1방향(X)을 따라 연장될 수 있다. 노즐(411)의 타단은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)을 향하는 방향으로 일정 각도 절곡되어 연장될 수 있다.
노즐(411)은 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c)을 포함할 수 있다. 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c) 중 어느 하나는 상술한 처리액 중 케미칼을 공급할 수 있다. 또한, 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c) 중 다른 하나는 상술한 처리액 중 린스액을 공급할 수 있다. 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c) 중 또 다른 하나는 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c) 중 어느 하나가 공급하는 케미칼과 상이한 종류의 케미칼을 공급할 수 있다.
몸체(442)는 노즐(441)을 고정 지지할 수 있다. 몸체(442)는 회전 부재(444)에 의해 제3방향(Z)을 기준으로 회전되는 회전축(443)과 연결될 수 있다. 회전 부재(444)가 회전축(443)을 회전시키면, 몸체(442)는 제3방향(Z)을 축으로 회전될 수 있다. 이에, 노즐(441)의 토출구는 기판(M)으로 처리액을 공급하는 위치인 액 공급 위치, 그리고 기판(M)으로 처리 액을 공급하지 않는 위치인 대기 위치 사이에서 이동될 수 있다.
도 6은 도 4의 조사 모듈을 정면에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7은 도 6의 조사 모듈을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 조사 모듈(450)은 기판(M)에 대해 광을 조사할 수 있다. 예컨대, 조사 모듈(450)은 기판(M)을 가열 처리할 수 있다. 또한, 조사 모듈(450)은 기판(M)을 가열 처리하는 이미지 또는/및 영상을 촬상 할 수 있다. 조사 모듈(450)은 하우징(4510), 이동 유닛(4520), 레이저 유닛(4530), 촬상 유닛(4540)을 포함할 수 있다.
하우징(4510)은 내부에 설치 공간을 갖는다. 하우징(4510)의 설치 공간에는 레이저 유닛(4530)과 촬상 유닛(4540)이 위치할 수 있다. 일 예로, 하우징(4510)의 설치 공간에는 레이저 유닛(4530), 카메라 유닛(4542), 그리고 조명 유닛(4544)이 위치할 수 있다. 하우징(4510)은 레이저 유닛(4530)과 촬상 유닛(4540)을 공정 과정 중에 발생하는 파티클, 흄(Fume), 또는 비산되는 액적으로부터 보호한다.
하우징(4510)의 하부에는 개구가 형성될 수 있다. 하우징(4510)의 개구에는 후술하는 조사 단부(4535)가 삽입될 수 있다. 하우징(4510)의 개구에 조사 단부(4535)가 삽입됨으로써, 하우징(4510)의 하단으로부터 조사 단부(4535)의 일단이 돌출되게 위치할 수 있다. 예컨대, 하우징(4510)의 하단으로부터 후술하는 경통(4537)의 일부가 돌출될 수 있다.
이동 유닛(4520)은 하우징(4510)을 이동시킨다. 이동 유닛(4520)은 하우징(4510)을 이동시킴으로써, 후술하는 조사 단부(4535)를 이동시킬 수 있다. 이동 유닛(4520)은 구동기(4522), 샤프트(4524), 그리고 이동 부재(4526)를 포함할 수 있다.
구동기(4522)는 모터일 수 있다. 구동기(4522)는 샤프트(4524)와 연결될 수 있다. 구동기(4522)는 샤프트(4524)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 구동기(4522)는 샤프트(4524)를 회전시킬 수 있다. 일 예로, 구동기(4522)는 복수로 제공될 수 있다. 복수의 구동기(4522) 중 어느 하나는 샤프트(4524)를 회전시키는 회전 모터로 제공되고, 복수의 구동기(4522) 중 다른 하나는 샤프트(4524)를 상하 방향으로 이동시키는 리니어 모터로 제공될 수도 있다.
샤프트(4524)는 하우징(4510)과 연결될 수 있다. 샤프트(4524)는 이동 부재(4526)를 매개로 하우징(4510)과 연결될 수 있다. 샤프트(4524)가 회전함에 따라 하우징(4510)도 회전할 수 있다. 이에, 후술하는 조사 단부(4535)도 그 위치가 변경될 수 있다. 예컨대, 조사 단부(4535)는 제3방향(Z)으로 그 위치가 변경될 수 있다. 또한, 조사 단부(4535)는 제3방향(Z)을 회전 축으로 그 위치가 변경될 수 있다.
상부에서 바라볼 때, 조사 단부(4535)의 중심은 샤프트(4524)의 중심으로 호(arc)를 그리며 이동할 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 조사 단부(4535)의 중심은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)의 중심을 지나도록 이동될 수 있다. 조사 단부(4535)는 이동 유닛(4520)에 의해 기판(M)으로 레이저 광(L)을 조사하는 공정 위치와, 기판(M)에 대한 가열 처리를 수행하지 않고 대기하는 위치인 대기 위치 사이에서 이동될 수 있다. 대기 위치에는 후술하는 홈 포트(460)가 위치한다.
이동 부재(4526)는 하우징(4510)과 샤프트(4524) 사이에 제공될 수 있다. 이동 부재(4526)는 LM 가이드일 수 있다. 이동 부재(4526)는 하우징(4510)을 측 방향으로 이동시킬 수 있다. 이동 부재(4526)는 하우징(4510)을 제1방향(X) 및/또는 제2방향(Y)을 따라 이동시킬 수 있다. 구동기(4522)와 이동 부재(4526)에 의해 조사 단부(4535)의 위치는 다양하게 변경될 수 있다.
레이저 유닛(4530)은 기판(M)을 가열할 수 있다. 레이저 유닛(4530)은 지지 유닛에 지지된 기판(M)을 가열할 수 있다. 레이저 유닛(4530)은 기판(M)의 일부 영역을 가열할 수 있다. 레이저 유닛(4530)은 기판(M)의 특정 영역을 가열할 수 있다. 레이저 유닛(4530)은 케미칼이 공급되어 액막이 형성된 기판(M)을 가열할 수 있다. 레이저 유닛(4530)은 기판(M) 상에 형성된 패턴을 가열할 수 있다. 레이저 유닛(4530)은 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 어느 하나를 가열할 수 있다. 레이저 유닛(4530)은 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 제2패턴(P2)을 가열할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 레이저 유닛(4530)은 레이저 광(L)을 조사하여 제2패턴(P2)을 가열할 수 있다.
레이저 유닛(4530)은 레이저 조사부(4531), 빔 익스팬더(4532), 그리고 틸팅 부재(4533), 하부 반사 부재(4534), 그리고 렌즈 부재(4535)를 포함할 수 있다. 레이저 조사부(4531)는 레이저 광(L)을 조사한다. 레이저 조사부(4531)는 직진성을 가지는 레이저 광(L)을 조사할 수 있다. 레이저 조사부(4531)로부터 조사된 레이저 광(L)은 후술하는 하부 반사 부재(4534)와 렌즈 부재(4535)를 차례대로 거쳐 기판(M)으로 조사될 수 있다. 일 예로, 레이저 조사부(4531)로부터 조사된 레이저 광(L)은 하부 반사 부재(4534)와 렌즈 부재(4535)를 차례대로 거쳐 기판(M)에 형성된 제2패턴(P2)으로 조사될 수 있다.
빔 익스팬더(4532)는 레이저 조사부(4531)에서 조사된 레이저 광(L)의 특성을 제어할 수 있다. 빔 익스팬더(4532)는 레이저 조사부(4531)에서 조사된 레이저 광(L)의 형상을 조정할 수 있다. 또한, 빔 익스팬더(4532)는 레이저 조사부(4531)로부터 조사된 레이저 광(L)의 프로파일을 조정할 수 있다. 예컨대, 레이저 조사부(4531)로부터 조사된 레이저 광(L)은 빔 익스팬더(4532)에서 직경이 변경될 수 있다. 레이저 조사부(4531)가 조사한 레이저 광(L)은 빔 익스팬더(4532)에서 그 직경이 확장 또는 축소될 수 있다.
틸팅 부재(4533)는 레이저 조사부(4531)가 조사하는 레이저 광(L)의 조사 방향을 틸팅시킬 수 있다. 틸팅 부재(4533)는 레이저 조사부(4531)를 일 축 기준으로 회전시킬 수 있다. 틸팅 부재(4533)는 레이저 조사부(4531)를 회전시켜 레이저 조사부(4531)로부터 조사되는 레이저 광(L)의 조사 방향을 틸팅시킬 수 있다. 틸팅 부재(4533)는 모터를 포함할 수 있다.
하부 반사 부재(4534)는 레이저 조사부(4531)에서 조사되는 레이저 광(L)의 조사 방향을 변경시킬 수 있다. 예컨대, 하부 반사 부재(4534)는 수평 방향으로 조사되는 레이저 광(L)의 조사 방향을 수직 아래 방향으로 변경시킬 수 있다. 예컨대, 하부 반사 부재(4534)는 레이저 광(L)의 조사 방향을 후술하는 조사 단부(4535)를 향하는 방향으로 변경시킬 수 있다. 하부 반사 부재(4534)에 의해 굴절된 레이저 광(L)은 후술하는 렌즈 부재(4535)를 통해 피처리물인 기판(M) 또는 후술하는 홈 포트(460) 내부에 제공된 검측 유닛(4640)에 전달될 수 있다.
하부 반사 부재(4534)는 상부에서 바라볼 때, 후술하는 상부 반사 부재(4548)와 중첩되게 위치할 수 있다. 하부 반사 부재(4534)는 상부 반사 부재(4548)보다 하부에 배치될 수 있다. 하부 반사 부재(4534)는 상부 반사 부재(4548)와 같은 각도로 틸팅 될 수 있다.
렌즈 부재(4535)는 렌즈(4536)와 경통(4537)으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 렌즈(4536)는 대물 렌즈일 수 있다. 경통(4537)은 렌즈 하단에 설치될 수 있다. 경통(4537)은 대체로 원통 형상을 가질 수 있다. 경통(4537)은 하우징(4510)의 하단에 형성된 개구로 삽입될 수 있다. 경통(4537)의 일단은 하우징(4510)의 하단으로부터 돌출되게 위치할 수 있다.
렌즈 부재(4535)는 레이저 광(L)이 기판(M)으로 조사되는 조사 단부(4535)로 기능할 수 있다. 레이저 유닛(4530)이 조사하는 레이저 광(L)은 조사 단부(4535)를 통해 기판(M)으로 조사될 수 있다. 카메라 유닛(4542)의 이미지 촬상은 조사 단부(4535)를 통해 제공될 수 있다. 조명 모듈(4544)이 조사하는 빛은 조사 단부(4535)를 통해 제공될 수 있다.
촬상 유닛(4540)은 레이저 유닛(4530)에서 조사하는 레이저 광(L)을 촬상할 수 있다. 촬상 유닛(4540)은 레이저 모듈(4330)에서 레이저 광(L)이 조사되는 영역에 대한 영상 및/또는 사진 등의 이미지를 획득할 수 있다. 촬상 유닛(4540)은 레이저 조사부(4531)에서 조사된 레이저 광(L)을 모니터링 할 수 있다. 촬상 유닛(4540)은 레이저 조사부(4531)에서 조사된 레이저 광(L)의 이미지 또는/및 영상을 획득할 수 있다.
촬상 유닛(4540)은 레이저 광(L)의 정보를 모니터링 할 수 있다. 예컨대, 촬상 유닛(4540)은 레이저 광(L)의 직경 정보를 모니터링 할 수 있다. 또한, 촬상 유닛(4540)은 레이저 광(L)의 중심 정보를 모니터링 할 수 있다. 또한, 촬상 유닛(4540)은 레이저 광(L)의 프로파일 정보를 모니터링 할 수 있다. 촬상 유닛(4540)은 카메라 유닛(4542), 조명 유닛(4544), 그리고 상부 반사 부재(4548)를 포함할 수 있다.
카메라 유닛(4542)은 레이저 조사부(4531)에서 조사된 레이저 광(L)의 이미지를 획득한다. 예컨대, 카메라 유닛(4542)은 레이저 조사부(4531)에서 조사된 레이저 광(L)이 조사되는 지점을 포함하는 이미지를 획득할 수 있다. 또한, 카메라 유닛(4542)은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)의 이미지를 획득한다.
카메라 유닛(4542)은 카메라일 수 있다. 카메라 유닛(4542)이 이미지를 획득하기 위해 촬상하는 방향은 후술하는 상부 반사 부재(4548)를 향할 수 있다. 카메라 유닛(4542)은 획득한 이미지를 제어기(30)로 전송할 수 있다.
조명 유닛(4544)은 카메라 유닛(4542)이 이미지를 용이하게 획득할 수 있도록 빛을 제공할 수 있다. 조명 유닛(4544)은 조명 부재(4545), 제1반사판(4546), 그리고 제2반사판(4547)을 포함할 수 있다. 조명 부재(4545)는 광을 조사한다. 조명 부재(4545)는 빛을 제공한다. 조명 부재(4545)가 제공하는 빛은 제1반사판(4546)과 제2반사판(4547)을 따라 차례로 반사될 수 있다. 조명 부재(4545)가 제공한 빛은 제2반사판(4547)으로부터 반사되어 후술하는 상부 반사 부재(4548)를 향하는 방향으로 조사될 수 있다.
상부 반사 부재(4548)는 카메라 유닛(4542)의 촬상 방향을 변경시킬 수 있다. 예컨대, 상부 반사 부재(4548)는 수평 방향인 카메라 유닛(4542)의 촬상 방향을 수직 아래 방향으로 변경시킬 수 있다. 예컨대, 상부 반사 부재(4548)는 카메라 유닛(4542)의 촬상 방향을 조사 단부(4535)를 향하도록 변경시킬 수 있다. 상부 반사 부재(4548)는 제1반사판(4546)과 제2반사판(4547)을 순차적으로 거쳐 전달되는 조명 부재(4545)의 빛의 조사 방향을 수평 방향에서 수직 아래 방향으로 변경시킬 수 있다. 예컨대, 상부 반사 부재(4548)는 조명 유닛(4544)의 빛의 조사 방향을 조사 단부(4535)를 향하도록 변경시킬 수 있다.
상부 반사 부재(4548)와 하부 반사 부재(4534)는 상부에서 바라볼 때, 중첩되게 위치할 수 있다. 상부 반사 부재(4548)는 하부 반사 부재(4534)보다 상부에 배치될 수 있다. 상부 반사 부재(4548)와 하부 반사 부재(4534)는 같은 각도로 틸팅 될 수 있다. 상부 반사 부재(4548)와 하부 반사 부재(4534)는 레이저 조사부(4531)가 조사하는 레이저 광(L)의 조사 방향, 카메라 유닛(4542)이 이미지를 획득하는 촬상 방향, 그리고 조명 유닛(4544)이 제공하는 빛의 조사 방향이 상부에서 바라볼 때, 동 축을 가지도록 할 수 있다.
도 8은 도 4의 검측 유닛의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9는 도 8의 광 분할 부재를 정면에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하에서는 도 8과 도 9를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 홈 포트와 검측 유닛에 대해 상세히 설명한다.
도 8을 참조하면, 홈 포트(460)는 하우징(410)의 내부 공간에 위치한다. 홈 포트(460)는 조사 단부(4535)가 이동 유닛(4520)에 의해 대기 위치에 있을 때, 조사 단부(4535)의 아래 영역에 설치될 수 있다. 즉, 홈 포트(460)는 레이저 유닛(4530)이 대기하는 대기 위치를 제공한다. 홈 포트(460)는 하우징(4620)과 검측 유닛(4640)을 포함할 수 있다.
하우징(4620)은 내부에 설치 공간을 가진다. 하우징(4620)의 측면에는 후술하는 프로파일 측정 부재(4650)가 설치될 수 있다. 하우징(4620)의 저면에는 후술하는 파워 측정 부재(4660)가 설치될 수 있다. 하우징(4620)의 내부 설치 공간에는 후술하는 광 분할 부재(4670)가 설치될 수 있다. 하우징(4620)의 상부는 개방되게 형성될 수 있다. 조사 단부(4535)가 대기 위치에 있을 때, 하우징(4620)의 상부에는 조사 단부(4535)가 위치할 수 있다.
상술한 바와 달리, 하우징(4620)의 상부는 개방되지 않고, 하우징(4620)의 상부에 개구가 형성될 수도 있다. 조사 단부(4535)가 대기 위치에 있을 때, 하우징(4620)의 상부에 형성된 개구는 조사 단부(4535)의 중심과 대응되는 영역에 형성될 수 있다.
검측 유닛(4640)은 하우징(4620) 내부의 설치 공간에 위치한다. 검측 유닛(4640)은 레이저 유닛(4530)이 조사하는 레이저 광(L)으로부터 레이저 광(L)의 특성을 검측한다. 검측 유닛(4640)은 프로파일 측정 부재(4650), 파워 측정 부재(4660), 그리고 광 분할 부재(4670)를 포함할 수 있다.
프로파일 측정 부재(4650)는 하우징(4620) 내부의 설치 공간에 설치된다. 예컨대, 프로파일 측정 부재(4650)는 하우징(4620)의 일 측벽에 설치될 수 있다. 프로파일 측정 부재(4650)는 레이저 유닛(4530)으로부터 조사되는 레이저 광(L)의 특성 중 레이저 광(L)의 초점 산포를 측정한다. 예컨대, 프로파일 측정 부재(4650)는 후술하는 광 분할 부재(4670)로부터 분할된 제1광(L1)으로부터 레이저 유닛(4530)에서 조사하는 레이저 광(L)의 초점 산포를 측정할 수 있다.
초점 산포는 광 프로파일(Profile)을 의미할 수 있다. 초점 산포로부터 레이저 광(L)에 포함되는 레이저 광(L)의 분포 면적, 레이저 광(L)의 강도(intensity), 레이저 광(L)의 균일도(uniformity), 또는 레이저 광(L)의 크기에 대한 데이터를 얻을 수 있다.
프로파일 측정 부재(4650)는 감쇠 필터(4652)를 포함할 수 있다. 감쇠 필터(4652)는 후술하는 광 분할 부재(4670)로부터 분할된 제1광(L1)에 포함되는 특성 대역을 갖는 파장만을 통과시키는 필터로 제공될 수 있다. 선택적으로, 감쇠 필터(4652)는 광 분할 부재(4670)로부터 분할된 제1광(L1)에 포함되는 특정 대역을 갖는 파장만을 반사시키는 필터로 제공될 수도 있다. 감쇠 필터(4652)는 공지된 광학 필터로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
파워 측정 부재(4660)는 하우징(4620) 내부의 설치 공간에 설치된다. 예컨대, 파워 측정 부재(4660)는 하우징(4620)의 바닥벽에 설치될 수 있다. 파워 측정 부재(4660)는 레이저 유닛(4530)으로부터 조사되는 레이저 광(L)의 특성 중 레이저 광(L)의 출력(Power)을 측정한다. 예컨대, 파워 측정 부재(4660)는 후술하는 광 분할 부재(4670)로부터 분할된 제2광(L2)으로부터 레이저 유닛(4530)에서 조사하는 레이저 광(L)의 출력을 측정할 수 있다.
광 분할 부재(4670)는 하우징(4620) 내부의 설치 공간에 위치한다. 광 분할 부재(4670)는 도시되지 않은 부재에 의해 하우징(4620)의 내부 설치 공간에 위치한다. 예컨대, 광 분할 부재(4670)는 하우징(4620)의 설치 공간에 위치하되, 하우징(4620)의 바닥벽과 측벽들로부터 이격되게 위치할 수 있다.
광 분할 부재(4670)는 상면과 하면을 가진다. 광 분할 부재(4670)의 상면은 상부에서 바라볼 때, 조사 단부(4535)와 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 예컨대, 광 분할 부재(4670)의 상면은 상부에서 바라볼 때, 조사 단부(4535)의 중심과 중첩되게 위치할 수 있다. 광 분할 부재(4670)의 상면은 측면에서 바라볼 때, 경사지게 형성된다. 일 예로, 광 분할 부재(4670)의 상면은 측면에서 바라볼 때, 지면에 대해 제1각도(A1)로 상향 경사지게 형성될 수 있다.
조사 단부(4535)로부터 조사되는 레이저 광(L)이 광 분할 부재(4670)의 상면에서 제1광(L1)과 제2광(L2)으로 분할된다. 일 실시예에 의하면, 제1광(L1)은 조사 단부(4535)로부터 조사되는 레이저 광(L)이 광 분할 부재(4670)의 상면에서 반사된 광일 수 있다. 제2광(L2)은 조사 단부(4535)로부터 조사된 레이저 광(L)이 광 분할 부재(4670)의 상면에서 굴절된 광일 수 있다.
제1각도(A1)는 조사 단부(4535)로부터 조사된 레이저 광(L) 중에, 광 분할 부재(4670)의 상면에서 반사된 제1광(L1)이 프로파일 측정 부재(4650)로 입사될 수 있는 각도로 형성된다.
광 분할 부재(4670)의 하면은 파워 측정 부재(4660)와 마주보게 형성된다. 광 분할 부재(4670)의 하면은 상부에서 바라볼 때, 파워 측정 부재(4660)와 중첩되는 위치에 제공된다. 광 분할 부재(4670)의 하면은 측면에서 바라볼 때, 경사지게 형성된다. 예컨대, 광 분할 부재(4670)의 하면은 측면에서 바라볼 때, 지면에 대해 제2각도(A2)로 상향 경사지게 형성될 수 있다. 일 예에 의하면, 제2각도(A2)는 제1각도(A1)보다 클 수 있다.
제2각도(A2)는 조사 단부(4535)로부터 조사된 레이저 광(L) 중에, 광 분할 부재(4670)의 상면에서 굴절된 제2광(L2)이 광 분할 부재(4670)의 하면에서 재차 굴절되어 파워 측정 부재(4660)로 입사될 수 있는 각도로 형성된다. 이에, 광 분할 부재(4670)는 하우징(4620)의 상부로부터 입사된 레이저 광(L)을 프로파일 측정 부재(4650)와 파워 측정 부재(4660)로 각각 분할할 수 있다.
광 분할 부재(4670)의 하면은 무반사 코팅 처리될 수 있다. 광 분할 부재(4670)의 하면은 레이저 광(L)이 반사되지 않을 수 있다. 예컨대, 광 분할 부재(4670)의 하면에서는 레이저 광(L)이 굴절될 수 있으나, 반사되지는 않을 수 있다.
승강 부재(470)는 하우징(410) 내에 배치된다. 승강 부재(470)는 홈 포트(460)와 결합될 수 있다. 승강 부재(470)는 하우징(4620)의 하단에 설치될 수 있다. 승강 부재(470)는 하우징(4620)의 위치를 변경시킨다. 예컨대, 승강 부재(470)는 하우징(4620)을 상하 이동시킬 수 있다. 승강 부재(470)는 하우징(4620)을 기 설정 높이로 이동시킬 수 있다.
도 10은 도 8의 하우징의 상부로 입사된 광 중 어느 일부가 프로파일 측정 부재로 입사되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 11은 도 10의 하우징의 상부로 입사된 광 중 다른 일부가 파워 측정 부재로 입사되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 12는 도 11의 파워 측정 부재로 입사된 광 중 일부가 광 분할 부재로 입사되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하에서는, 도 10 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 유닛(4530)으로부터 조사되는 레이저 광(L)의 특성을 검측하는 메커니즘에 대해 상세히 설명한다.
도 10을 참조하면, 레이저 유닛(4530)의 조사 단부(4535)는 대기 위치에 위치할 수 있다. 조사 단부(4535)가 대기 위치인 홈 포트(460) 상단에 위치할 수 있다. 조사 단부(4535)가 위치하는 대기 위치는 상부에서 바라볼 때, 광 분할 부재(4670)와 중첩되는 위치일 수 있다. 조사 단부(4535)가 대기 위치에 위치한 이후, 레이저 유닛(4530)은 광 분할 부재(4670)를 향하는 방향으로 레이저 광(L)을 조사한다.
광 분할 부재(4670)를 향해 조사된 레이저 광(L) 중 일부인 제1광(L1)은 광 분할 부재(4670)의 상면에서 반사되어 프로파일 측정 부재(4650)를 향해 나아간다. 일 예로, 광 분할 부재(4670)를 향해 조사된 레이저 광(L) 중 일부인 제1광(L1)은 제1경사(D1)로 경사진 광 분할 부재(4670)의 상면에 반사되어 프로파일 측정 부재(4650)를 향해 나아간다.
제1광(L1)은 감쇠 필터(4652)를 통과하고, 프로파일 측정 부재(4650)로 입사된다. 프로파일 측정 부재(4650)로 입사된 제1광(L1)으로부터 레이저 유닛(4530)이 조사하는 레이저 광(L)의 초점 산포를 측정할 수 있다. 즉, 제1광(L1)으로부터 레이저 유닛(4530)이 조사하는 레이저 광(L)의 프로파일을 측정할 수 있다. 예컨대, 프로파일 측정 부재(4650)는 제1광(L1)으로부터 레이저 광(L)에 포함되는 레이저 광(L)의 분포 면적, 레이저 광(L)의 강도(intensity), 레이저 광(L)의 균일도(uniformity), 또는 레이저 광(L)의 크기에 대한 데이터를 얻을 수 있다.
도 11을 참조하면, 광 분할 부재(4670)를 향해 조사된 레이저 광(L) 중 다른 일부인 제2광(L1)은 광 분할 부재(4670)의 상면으로부터 굴절되어 광 분할 부재(4670)의 하면에 입사된다. 광 분할 부재(4670)의 하면에 입사된 제2광(L2)은 제2경사(D2)로 경사진 광 분할 부재(4670)의 하면에서 굴절되어 파워 측정 부재(4660)를 향해 나아간다.
제2광(L2)은 파워 측정 부재(4660)로 입사된다. 파워 측정 부재(4660)로 입사된 제2광(L2)으로부터 레이저 유닛(4530)이 조사하는 레이저 광(L)의 출력을 측정할 수 있다. 즉, 파워 측정 부재(4660)에 의해 레이저 유닛(4530)이 조사하는 레이저 광(L)의 출력의 절대값을 측정할 수 있다.
도 12를 참조하면, 파워 측정 부재(4660)로 입사된 제2광(L2) 중 일부는 파워 측정 부재(4660)에서 반사될 수 있다. 이하에서는 파워 측정 부재(4660)로 입사된 제2광(L2) 중 파워 측정 부재(4660)에서 반사된 광을 노이즈 광(L3)이라 정의한다.
노이즈 광(L3)은 파워 측정 부재(4660)에 의해 반사되어 광 분할 부재(4670)로 다시 나아간다. 노이즈 광(L3)은 광 분할 부재(4670)의 하면으로 입사된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 광 분할 부재(4670)의 하면은 광이 반사되지 않는 재질로 코팅되므로, 노이즈 광(L3)이 광 분할 부재(4670)의 하면에서 재차 반사되는 것을 방지한다. 이에, 노이즈 광(L3)이 광 분할 부재(4670)를 통해 재차 프로파일 측정 부재(4650)로 입사되는 것을 방지한다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 의한 광 분할 부재(4670)는 파워 측정 부재(4660)로부터 반사된 노이즈 광(L3)을 반사하지 않고 굴절시킨다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 광 분할 부재(4670)의 하면은 제2경사(D2)로 형성될 수 있다. 이에, 광 분할 부재(4670)의 하면으로 입사된 노이즈 광(L3)은 굴절되어 광 분할 부재(4670)의 상면으로 입사된다.
광 분할 부재(4670)의 상면 중 노이즈 광(L3)이 입사된 위치는 조사 단부(4535)로부터 조사된 레이저 광(L)이 광 분할 부재(4670)의 상면에 입사되는 위치와 상이하다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광 분할 부재(4670)의 하면이 지면에 대해 상향 경사진 제2경사(D2)로 제공되기 때문이다.
광 분할 부재(4670)의 상면에 입사된 노이즈 광(L3)은 제1경사(D1)로 형성된 광 분할 부재(4670)의 상면에서 굴절된다. 광 분할 부재(4670)의 상면에서 굴절된 노이즈 광(L3)은 프로파일 측정 부재(4650)의 바깥 영역으로 나아간다. 광 분할 부재(4670)의 상면에서 굴절된 노이즈 광(L3)은 프로파일 측정 부재(4650)에 입사되지 못한다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 검측 유닛(4640)이 레이저 유닛(4530)이 대기하는 홈 포트(460)에 제공되어 기판(M)에 대한 공정 처리를 수행하지 않는 동안, 공정 처리에 요구되는 레이저 광(L)의 특성을 선제적으로 검측 할 수 있다. 검측된 레이저 광(L)의 특성을 근거로, 레이저 광(L)의 특성을 조절하여 효율적인 기판(M) 처리에 요구되는 레이저 광(L)의 특성을 제어할 수 있다. 이에, 효율적인 기판(M)에 대한 가열 처리를 수행할 수 있다.
일반적으로, 레이저 광(L)으로부터 검측된 측정 산포에 관한 데이터는 상대적인 레이저 광(L)의 출력값을 추정할 수 있을 뿐, 레이저 광(L)의 절대적인 출력값을 나타내는 지표로 활용할 수 없다. 본 발명의 일 예에 의하면, 홈 포트(460)에서 레이저 광(L)의 초점 산포와 출력을 동시에 측정할 수 있다. 또한, 레이저 광(L)의 초점 산포를 측정하는 프로파일 측정 부재(4650)와 레이저 광(L)의 출력을 측정하는 파워 측정 부재(4660)를 각각 제공함으로써, 레이저 광(L)의 초점 산포 및 출력을 각각 정확하게 검측 및 측정할 수 있다. 이에, 측정된 레이저 광(L)의 특성을 이용하여 공정 수행시 필요한 레이저 광(L)의 특성을 정확하게 제어할 수 있다.
파워 측정 부재(4660)로부터 재차 반사된 노이즈 광(L3)은 레이저 유닛(4530)으로부터 조사된 레이저 광(L)의 특성과 일치하지 않을 수 있다. 즉, 노이즈 광(L3)은 반사와 굴절을 거치면서 왜곡된 레이저 광(L)의 특성을 나타낼 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 검측 유닛(4640)에 의하면, 광 분할 부재(4670)의 상하면이 각각 다른 각도로 경사지게 형성되고, 광 분할 부재(4670)의 하면이 무반사 코팅됨으로써, 레이저 광(L)의 초점 산포를 측정하는 프로파일 측정 부재(4650)로 왜곡된 레이저 광(L)이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 이에, 레이저 유닛(4530)으로부터 조사되는 레이저 광(L)의 정확한 초점 산포와 출력을 각각 검출할 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예에서는 노광 패턴을 모니터링 하는 모니터링 패턴인 제1패턴(P1)과 기판을 처리하는 조건 세팅용 패턴인 제2패턴(P2)을 가지는 기판(M)에서 제2패턴(P2)의 식각률을 향상시키는 것을 예로 들어 설명하였다. 다만, 이와 달리 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2)의 기능은 상술한 본 발명의 실시예와 상이할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 의할 때, 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 하나의 패턴만 제공되고, 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 제공된 하나의 패턴의 식각률을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 의할 때, 포토 마스크 이외의 웨이퍼 또는 글라스 등의 기판에서 특정 영역의 식각률을 향상시킬 때에도 동일하게 적용될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
기판 : M
기준 마크 : AK
셀 : CE
노광 패턴 : EP
제1패턴 : P1
제2패턴 : P2
하우징 : 410
지지 유닛 : 420
처리 용기 : 430
액 공급 유닛 : 440
조사 모듈 : 450
홈 포트 : 460
검측 유닛 : 4640
프로파일 측정 부재 : 4650
파워 측정 부재 : 4660
광 분할 부재 : 4670

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 레이저 광을 조사하는 레이저 조사부를 가지는 레이저 유닛;
    상기 레이저 유닛이 대기하는 대기 위치를 제공하는 홈 포트; 및
    기판에 상기 레이저 광을 조사하는 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 상기 레이저 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 포함하되,
    상기 홈 포트는,
    상기 레이저 유닛이 조사하는 상기 레이저 광으로부터 상기 레이저 광의 특성을 검측하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 광의 특성은,
    상기 레이저 광의 초점 산포와 상기 레이저 광의 출력을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 홈 포트는,
    내부 공간을 가지는 하우징;
    상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 초점 산포를 측정하는 프로파일 측정 부재;
    상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 출력을 측정하는 파워 측정 부재; 및
    상기 하우징의 상부에서 입사되는 상기 레이저 광을 상기 프로파일 측정 부재와 상기 파워 측정 부재로 각각 분할하는 광 분할 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광 분할 부재는,
    상기 파워 측정 부재와 마주보는 면에 무반사 코팅된 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 프로파일 측정 부재는 상기 하우징의 측벽에 설치되고,
    상기 파워 측정 부재는 상기 하우징의 바닥벽에 설치되고,
    상기 광 분할 부재는,
    상기 하우징의 내부 공간에 배치되고,
    상면이 지면에 대해 제1각도로 상향 경사지게 형성되고, 하면이 지면에 대해 제2각도로 상향 경사지게 형성되되,
    상기 제2각도는 상기 제1각도보다 큰 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 하우징의 상부로부터 입사된 상기 레이저 광 중 일부는 상기 상면에서 반사되어 상기 프로파일 측정 부재로 입사되고,
    상기 하우징의 상부로부터 입사된 상기 레이저 광 중 다른 일부는 상기 상면에서 굴절되어 상기 하면으로 입사되고,
    상기 하면으로 입사된 상기 레이저 광은 상기 파워 측정 부재로 입사되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 파워 측정 부재로 입사된 상기 레이저 광 중 일부는 반사되어 상기 광 분할 부재로 입사되고, 상기 광 분할 부재로 입사된 상기 레이저 광은 굴절되는 기판 처리 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 홈 포트의 하단에 설치되어 상기 하우징을 이동시키는 승강 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 프로파일 측정 부재는,
    상기 레이저 광 중 특정 파장을 필터링하는 광학 필터를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 기판에 조사되는 레이저 광의 특성을 검출하는 검측 유닛에 있어서,
    내부 공간을 가지는 하우징;
    상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 특성 중 상기 레이저 광의 초점 산포를 측정하는 프로파일 측정 부재;
    상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 특성 중 상기 레이저 광의 출력을 측정하는 파워 측정 부재; 및
    상기 하우징의 상부에서 입사되는 상기 레이저 광을 상기 프로파일 측정 부재와 상기 파워 측정 부재로 각각 분할하는 광 분할 부재를 포함하는 검측 유닛.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 프로파일 측정 부재는 상기 하우징의 측벽에 설치되고,
    상기 파워 측정 부재는 상기 하우징의 바닥벽에 설치되고,
    상기 광 분할 부재는 상기 하우징의 내부 공간에 배치되되,
    상기 광 분할 부재는,
    상기 파워 측정 부재와 마주보는 면에 무반사 코팅된 검측 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 광 분할 부재는 상면과 하면이 각각 지면에 대해 상향 경사지게 형성되고,
    상기 광 분할 부재의 상단에서 하단으로 갈수록 단면적이 크게 형성되는 검측 유닛.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 하우징의 상부로부터 입사된 상기 레이저 광 중 일부는 상기 상면에서 반사되어 상기 프로파일 측정 부재로 입사되고,
    상기 하우징의 상부로부터 입사된 상기 레이저 광 중 다른 일부는 상기 상면에서 굴절되어 상기 하면으로 입사되고,
    상기 하면으로 입사된 상기 레이저 광은 상기 파워 측정 부재로 입사되는 검측 유닛.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 파워 측정 부재로 입사된 상기 레이저 광 중 일부는 반사되어 상기 광 분할 부재로 입사되고, 상기 광 분할 부재로 입사된 상기 레이저 광은 굴절되는 검측 유닛.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 프로파일 측정 부재는,
    상기 레이저 광 중 특정 파장을 필터링하는 광학 필터를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 복수의 셀들을 가지는 마스크를 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 하우징;
    상기 처리 공간에서 마스크를 지지하고 회전시키는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 마스크로 액을 공급하는 액 공급 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 마스크로 레이저 광을 조사하는 레이저 조사부를 가지는 레이저 유닛;
    상기 레이저 유닛이 대기하는 대기 위치를 제공하는 홈 포트; 및
    마스크에 상기 레이저 광을 조사하는 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 상기 레이저 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 포함하되,
    상기 홈 포트는,
    상기 레이저 유닛이 조사하는 상기 레이저 광으로부터 상기 레이저 광의 특성을 검측하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 홈 포트는,
    내부 공간을 가지는 하우징;
    상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 특성 중 초점 산포를 측정하는 프로파일 측정 부재;
    상기 하우징에 설치되고, 상기 레이저 광의 특성 중 출력을 측정하는 파워 측정 부재; 및
    상기 하우징의 상부에서 입사되는 상기 레이저 광을 상기 프로파일 측정 부재와 상기 파워 측정 부재로 각각 분할하는 광 분할 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 프로파일 측정 부재는 상기 하우징의 측벽에 설치되고,
    상기 파워 측정 부재는 상기 하우징의 바닥벽에 설치되고,
    상기 광 분할 부재는 상기 하우징의 내부 공간에 배치되는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 광 분할 부재는,
    상면이 지면에 대해 제1각도로 상향 경사지게 형성되고,
    하면이 지면에 대해 제2각도로 상향 경사지게 형성되되,
    상기 제2각도는 상기 제1각도보다 크게 제공되고,
    상기 광 분할 부재는,
    상기 파워 측정 부재와 마주보는 상기 하면에 무반사 코팅된 기판 처리 장치.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 홈 포트의 하단에 설치되어 상기 하우징을 이동시키는 승강 부재를 더 포함하고,
    상기 프로파일 측정 부재는,
    상기 레이저 광 중 특정 파장을 필터링하는 광학 필터를 더 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020210189865A 2021-12-28 2021-12-28 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR20230100179A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210189865A KR20230100179A (ko) 2021-12-28 2021-12-28 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US17/979,149 US20230204414A1 (en) 2021-12-28 2022-11-02 Detecting unit and substrate treating apparatus including the same
CN202211589410.5A CN116400567A (zh) 2021-12-28 2022-12-09 检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210189865A KR20230100179A (ko) 2021-12-28 2021-12-28 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230100179A true KR20230100179A (ko) 2023-07-05

Family

ID=86897497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210189865A KR20230100179A (ko) 2021-12-28 2021-12-28 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230204414A1 (ko)
KR (1) KR20230100179A (ko)
CN (1) CN116400567A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
CN116400567A (zh) 2023-07-07
US20230204414A1 (en) 2023-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20230100179A (ko) 검측 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20230213866A1 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR20230072687A (ko) 조사 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230080767A (ko) 기판 처리 방법
TWI811171B (zh) 用於處理基板之設備及用於處理基板之方法
US20230213852A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20230100203A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230103862A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230100185A (ko) 조사 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230100217A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20230100219A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20230080770A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230103857A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI814668B (zh) 用於處理基板之設備及用於處理基板之方法
KR20230033925A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230100172A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230100223A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230205091A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20230103872A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230084076A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20230033926A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230103891A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230100230A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230100226A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230100178A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal