KR20230033925A

KR20230033925A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Info

Publication number: KR20230033925A
Application number: KR1020210116912A
Authority: KR
Inventors: 김태희; 최기훈; 윤현; 손원식; 양효원; 정인기
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-09-02
Filing date: 2021-09-02
Publication date: 2023-03-09
Also published as: US20230185206A1; CN115763339A

Abstract

본 발명은 복수의 셀들을 가지는 마스크를 처리하는 장치를 제공한다. 마스크 처리 장치는 상기 복수의 셀들 내에 제1패턴이 형성되고, 상기 셀들이 형성된 영역의 외부에 상기 제1패턴과 상이한 제2패턴이 형성된 마스크를 지지하고, 회전시키는 지지 유닛, 상기 제1패턴과 상기 제2패턴 중 상기 제2패턴에 레이저 광을 조사하는 레이저 조사기를 가지는 레이저 조사 모듈 및 상기 레이저 조사 모듈의 위치를 변경시키는 이동 모듈을 가지는 가열 유닛 및 상기 지지 유닛과 상기 가열 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 처리 위치를 상기 마스크의 중심을 기준으로 제1사분면에서 제4사분면으로 4등분할 때, 상기 레이저 조사기가 대기 위치에서 상기 처리 위치로 직선 이동하는 방향으로 순차적으로 상기 제4사분면 및 상기 제1사분면이 위치되고, 상기 제4사분면과 수직한 방향으로 제3사분면이 위치되고, 그리고 상기 제1사분면과 수직한 방향으로 제2사분면이 위치되고, 상기 제어기는 상기 제2패턴이 제4사분면에 위치하도록 상기 지지 유닛의 회전을 제어할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 가열하여 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위해 웨이퍼와 같은 기판에는 사진, 식각, 애싱, 이온 주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에는 다양한 처리 액과 처리 가스들이 사용된다. 또한, 기판을 처리하는데 사용되는 처리 액을 기판으로부터 제거하기 위해 기판에 대한 건조 공정이 수행된다.

웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 상기 사진 공정은 노광 공정을 포함한다. 노광 공정은 웨이퍼 상에 부착된 반도체 집적 재료를 원하는 패턴으로 깎아 내기 위한 사전 작업이다. 노광 공정은 식각을 위한 패턴을 형성, 그리고 이온 주입을 위한 패턴의 형성 등 다양한 목적을 가질 수 있다. 노광 공정은 일종의 ‘틀’인 마스크(Mask)를 이용하여, 웨이퍼 상에 빛으로 패턴을 그려 넣는다. 웨이퍼 상의 반도체 집적 재료, 예컨대 웨이퍼 상의 레지스트에 빛이 노출되면, 빛과 마스크에 의해서 패턴에 맞게 레지스트의 화학적 성질이 변화한다. 패턴에 맞게 화학적 성질이 변화한 레지스트에 현상액이 공급되면 웨이퍼 상에는 패턴이 형성된다.

노광 공정을 정밀하게 수행하기 위해서는 마스크에 형성된 패턴이 정밀하게 제작되어야 한다. 패턴이 원하는 형상으로, 그리고 정밀하게 형성되었는지를 확인하기 위해 작업자는 주사 전자 현미경(SEM)과 같은 검사 장비를 이용하여 형성된 패턴을 검사한다. 그러나, 하나의 마스크에는 많은 수의 패턴이 형성되어 있다. 즉, 하나의 마스크를 검사하기 위해 많은 수의 패턴을 모두 검사하기에는 많은 시간이 소요된다.

이에, 복수의 패턴을 포함하는 하나의 패턴 그룹을 대표할 수 있는 모니터링 패턴을 마스크에 형성한다. 또한, 복수의 패턴 그룹을 대표할 수 있는 앵커 패턴을 마스크에 형성한다. 작업자는 앵커 패턴의 검사를 통해 마스크에 형성된 패턴들의 양불을 추정할 수 있다. 또한, 작업자는 모니터링 패턴의 검사를 통해 하나의 패턴 그룹이 포함하는 패턴들의 양불을 추정할 수 있다.

이와 같이, 마스크에 형성된 모니터링 패턴 및 앵커 패턴을 통해 작업자는 마스크 검사에 소요되는 시간을 효과적으로 단축할 수 있다. 그러나, 이러한 마스크 검사의 정확도를 높이기 위해서는 모니터링 패턴 및 앵커 패턴의 선폭이 서로 동일한 것이 바람직하다.

모니터링 패턴의 선폭, 그리고 앵커 패턴의 선폭을 서로 동일하게 하게 위해 식각을 수행하게 되면 패턴에 과식각이 발생될 수 있다. 예컨대, 모니터링 패턴의 선폭에 대한 식각 레이트와 앵커 패턴에 대한 식각 레이트의 차이는 여러 번 발생될 수 있고, 그러한 차이를 줄이기 위해 모니터링 패턴 및/또는 앵커 패턴을 반복 식각하는 과정에서 모니터링 패턴의 선폭, 그리고 앵커 패턴의 선폭에 과식각이 발생할 수 있다. 이와 같은 과식각 발생을 최소화하기 위해 식각 공정을 정밀하게 수행하는 경우, 식각 공정에 많은 시간이 소요된다. 이에, 마스크에 형성된 패턴들의 선폭을 정밀하게 보정하기 위한 선폭 보정 공정이 추가로 수행된다.

도 1은 마스크 제작 공정 중 선폭 보정 공정이 수행되기 전 마스크의 모니터링 패턴의 제1선폭(CDP1) 및 앵커 패턴의 선폭(CDP2)에 관한 정규 분포를 보여준다. 또한, 제1선폭(CDP1) 및 제2선폭(CDP2)은 목표하는 선폭보다 작은 크기를 가진다. 선폭 보정 공정이 수행되기 전 모니터링 패턴과 앵커 패턴의 선폭(CD : Critical Dimension)에 의도적으로 편차를 둔다. 그리고, 선폭 보정 공정에서 앵커 패턴을 추가 식각 함으로써, 이 둘 패턴의 선폭을 동일하게 한다. 앵커 패턴을 추가적으로 식각하는 과정에서 앵커 패턴이 모니터링 패턴보다 과식각되는 경우, 모니터링 패턴과 앵커 패턴의 선폭의 차이가 발생하여 마스크에 형성된 패턴들의 선폭을 정밀하게 보정할 수 없다. 앵커 패턴을 추가적으로 식각할 때, 앵커 패턴에 대한 정밀한 식각이 수반되어야 한다.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 기판 상에 형성된 패턴의 선폭을 균일하게 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 기판 상에 형성된 특정 패턴에 대한 식각을 정밀하게 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 기판 상에 제공되는 가열 유닛의 구조를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 레이저 조사기가 상기 대기 위치에서 상기 제4사분면에 위치한 상기 제2패턴에 대응하는 조사 위치로 이동하고, 상기 조사 위치에서 상기 제2패턴으로 상기 광을 조사하도록 상기 가열 유닛을 제어할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 이동 모듈은 지면에 대해 수평한 제1방향, 그리고 상기 제1방향과 수직하고 지면에 대해 수평한 제2방향으로 상기 레이저 조사기를 이동시키고, 상기 제4사분면은 상기 대기 위치에서 상기 조사 위치까지 상기 레이저 조사기의 상기 제1방향의 이동량 및 상기 제2방향의 이동량의 합이 최소가 되는 영역일 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는 상기 대기 위치에서 상기 레이저 조사기가 위치하는 대기 포트가 더 형성되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 대기 포트 상에는 상기 레이저 조사기의 중심과 일치하는 원점을 가지는 모니터링 타겟이 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 가열 유닛은 상기 레이저 조사기에서 조사된 상기 광이 상기 모니터링 타겟에 표시된 이미지를 획득하고, 상기 획득된 이미지를 상기 제어기로 전송하는 카메라 모듈을 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 이미지로부터 상기 광의 위치 정보를 도출하고, 상기 위치 정보에 근거하여 상기 대기 위치로부터 상기 조사 위치에 위치하는 상기 제2패턴까지의 상기 레이저 조사기의 이동량을 산출할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 이미지로부터 상기 광의 직경 정보를 도출하고, 상기 광의 직경 정보에 근거하여 상기 레이저 조사기로부터 조사되는 상기 광의 정보를 획득할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1사분면, 상기 제2사분면, 상기 제3사분면, 그리고 상기 제4사분면은 순차적으로 반시계 방향으로 위치할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는 상기 지지 유닛 상에 지지된 상기 마스크로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛 및 상기 마스크가 처리되는 처리 공간을 가지고, 상기 처리액이 회수되는 회수 경로를 제공하는 용기를 더 포함하고, 상기 지지 유닛은 상기 처리 공간에서 상기 마스크를 지지할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 제2패턴에 대해 상기 광을 조사하여 상기 제1패턴의 선폭과 상기 제2패턴의 선폭의 편차를 최소화하도록 상기 레이저 조사기를 제어할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 각각의 셀에 제공된 상기 제1패턴은 상기 셀에 형성된 노광 패턴의 모니터링 패턴이고, 상기 제2패턴은 상기 마스크 처리 장치의 조건 세팅용 패턴일 수 있다.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 특정 패턴이 형성되는 상기 기판을 지지하고, 회전시키는 지지 유닛, 상기 패턴을 가열하는 가열 유닛, 상기 지지 유닛과 상기 가열 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 기판을 회전시켜 상기 패턴이 가열 위치로 이동하도록 상기 지지 유닛을 제어하고, 상기 가열 유닛이 대기 위치와 상기 가열 위치로 이동하도록 상기 가열 유닛을 제어할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 처리 위치를 상기 기판의 중심을 기준으로 제1사분면에서 제4사분면으로 4등분할 때, 상기 가열 유닛이 상기 대기 위치에서 상기 처리 위치로 직선 이동하는 방향으로 순차적으로 상기 제4사분면 및 상기 제1사분면이 위치되고, 상기 제4사분면과 수직한 방향으로 제3사분면이 위치되고, 그리고 상기 제1사분면과 수직한 방향으로 제2사분면이 위치되고, 상기 가열 위치는 상기 패턴이 상기 제4사분면에 위치할 때, 상기 패턴의 위치일 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 가열 유닛은 지면에 대해 수평한 제1방향, 그리고 상기 제1방향과 수직하고 지면에 대해 수평한 제2방향으로 이동하고, 상기 제4사분면은 상기 대기 위치에서 상기 조사 위치까지 상기 가열 유닛의 상기 제1방향의 이동량 및 상기 제2방향의 이동량의 합이 최소가 되는 영역일 수 있다.

또한, 본 발명은 제1패턴, 그리고 상기 제1패턴과 상이한 제2패턴이 형성된 기판을 식각하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 상기 제2패턴을 조사 위치로 이동시키는 위치 보정 단계, 상기 기판 상으로 식각액을 공급하는 액 처리 단계 및 상기 기판 상에 상기 식각액이 잔류한 상태에서, 상기 조사 위치로 이동된 상기 제2패턴으로 레이저 광을 조사하는 가열 단계를 포함하되, 상기 조사 위치는 처리 위치를 상기 기판의 중심을 기준으로 제1사분면에서 제4사분면으로 4등분할 때, 상기 가열 유닛이 대기 위치에서 상기 처리 위치로 직선 이동하는 방향으로 순차적으로 상기 제4사분면 및 상기 제1사분면이 위치되고, 상기 제4사분면과 수직한 방향으로 제3사분면이 위치되고, 상기 제1사분면과 수직한 방향으로 제2사분면이 위치될 때, 상기 제4사분면에 위치하는 상기 제2패턴에 대응하는 위치일 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제4사분면은 상기 대기 위치에서 상기 조사 위치까지의 상기 가열 유닛의 이동량이 최소가 되는 영역일 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 위치 보정 단계는 상기 기판을 회전시켜 상기 제2패턴을 상기 제4사분면으로 이동시킬 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 가열 단계는 상기 가열 유닛이 상기 대기 위치에서 상기 제4사분면에 위치하는 상기 제2패턴에 대응하는 상기 조사 위치로 이동하고, 상기 조사 위치에서 상기 제2패턴으로 상기 광을 조사할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 방법은 상기 제2패턴에 대해 상기 광을 조사하여 상기 제1패턴의 선폭과 상기 제2패턴의 선폭의 편차를 최소화하는 공정을 수행할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1패턴은 상기 기판에 형성된 노광 패턴의 모니터링 패턴이고, 상기 제2패턴은 상기 기판을 처리하는 조건 세팅용 패턴일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상에 형성된 패턴의 선폭을 균일하게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상에 형성된 특정 패턴에 대한 식각을 정밀하게 수행할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상에 제공되는 가열 유닛의 구조를 최소화할 수 있다.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 모니터링 패턴의 선폭 및 앵커 패턴의 선폭에 관한 정규 분포를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 챔버에서 처리되는 기판의 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 액 처리 챔버를 상부에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 4의 가열 유닛의 바디, 레이저 조사 모듈 및 카메라 모듈의 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 이미지 모듈을 상부에서 바라본 도면이다.
도 8은 도 4의 액 처리 챔버가 가지는 오차 확인 유닛, 그리고 지지 유닛을 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8의 오차 확인 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 11은 도 10의 공정 준비 단계에서 기판 처리 장치가 레이저의 조사 위치와 미리 설정된 모니터링 타겟 위치 사이의 오차를 확인하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 12 및 도 13은 도 10의 위치 보정 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다.
도 14는 도 10의 액 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다.
도 15 및 도 16은 도 10의 가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하에서는 도 2 내지 도 16을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 대해 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10, Index Module), 처리 모듈(20, Treating Module), 그리고 제어기(30)를 포함한다. 일 실시예에 따르면, 상부에서 바라볼 때 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치될 수 있다. 이하에서는 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(X)이라 정의하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(X)과 수직한 방향을 제2방향(Y)이라 정의하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(Z)이라 정의한다.

인덱스 모듈(10)은 기판(M)이 수납된 용기(CR)로부터 기판(M)을 처리하는 처리 모듈(20)로 기판(M)을 반송한다. 인덱스 모듈(10)은 처리 모듈(20)에서 소정의 처리가 완료된 기판(M)을 용기(CR)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(Y)으로 형성될 수 있다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(12)와 인덱스 프레임(14)을 가질 수 있다.

로드 포트(12)에는 기판(M)이 수납된 용기(CR)가 안착된다. 로드 포트(12)는 인덱스 프레임(14)을 기준으로 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치할 수 있다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드 포트(12)들은 제2방향(Y)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드 포트(12)의 개수는 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.

용기(CR)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(CR)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(12)에 놓일 수 있다.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)과 인덱스 레일(124)이 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(M)을 반송한다. 인덱스 로봇(120)은 인덱스 모듈(10), 그리고 후술하는 버퍼 유닛(200) 간에 기판(M)을 반송할 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(M)이 놓이는 인덱스 핸드(122)를 포함한다. 인덱스 핸드(122)에는 기판(M)이 놓일 수 있다. 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(Z)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공될 수 있다. 복수 개의 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.

인덱스 레일(124)은 인덱스 프레임(14) 내에 그 길이 방향이 제2방향(Y)을 따라 제공된다. 인덱스 레일(124)에는 인덱스 로봇(120)이 놓이고, 인덱스 로봇(120)은 인덱스 레일(124) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.

제어기(30)는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 제어기(30)는 기판 처리 장치의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.

제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 액 처리 챔버(400)에 제공되는 구성들을 제어할 수 있다.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 그리고 액 처리 챔버(400)를 포함할 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(M)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(M)이 일시적으로 머무는 공간을 제공한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400), 그리고 건조 챔버(500) 간에 기판(M)을 반송하는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(M) 상에 액을 공급하여 기판(M)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다.

버퍼 유닛(200)은 인덱스 프레임(14)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치할 수 있다. 버퍼 유닛(200)의 내부에는 기판(M)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(Z)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공될 수 있다.

버퍼 유닛(200)은 전면(Front Face)과 후면(Rear Face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 후술하는 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(300)의 양 측에는 액 처리 챔버(400)와 건조 챔버(500)가 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 건조 챔버(500)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 반송 챔버(300)와 액 처리 챔버(400)는 제2방향(Y)을 따라 배치될 수 있다. 반송 챔버(300)와 건조 챔버(500)는 제2방향(Y)을 따라 배치될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양 측에 배치될 수 있다. 반송 챔버(300)의 일 측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(X) 및 제3방향(Z)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)의 배열로 제공될 수 있다.

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)과 반송 레일(340)을 가진다. 반송 로봇(320)은 기판(M)을 반송한다. 반송 로봇(320)은 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400), 그리고 건조 챔버(500) 간에 기판(M)을 반송한다. 반송 로봇(320)은 기판(M)이 놓이는 반송 핸드(322)를 포함한다. 반송 핸드(322)에는 기판(M)이 놓일 수 있다. 반송 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(Z)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.

반송 레일(340)은 반송 챔버(300) 내에서 반송 챔버(300)의 길이 방향을 따라 제공될 수 있다. 일 예로, 반송 레일(340)의 길이 방향은 제1방향(X)을 따라 제공될 수 있다. 반송 레일(340)에는 반송 로봇(320)이 놓이고, 반송 로봇(320)은 반송 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.

이하에서는 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 기판(M)에 대하여 상세히 설명한다. 도 3은 도 2의 액 처리 챔버에서 처리되는 기판의 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.

도 3을 참조하면, 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 피처리물은 웨이퍼, 글라스, 그리고 포토 마스크 중 어느 하나의 기판일 수 있다. 예컨대, 액 처리 챔버(400)에서 처리되는 기판(M)은 노광 공정시 사용되는 ‘틀’인 포토 마스크(Photo Mask)일 수 있다.

기판(M)은 사각의 형상을 가질 수 있다. 기판(M)은 노광 공정시 사용되는 ‘틀’인 포토 마스크일 수 있다. 기판(M) 상에는 적어도 하나 이상의 기준 마크(AK)가 표시되어 있을 수 있다. 예컨대, 기준 마크(AK)는 기판(M)의 모서리 영역 각각에 복수 개가 형성될 수 있다. 기준 마크(AK)는 얼라인 키(Align Key)라 불리는 기판(M) 정렬시 사용되는 마크일 수 있다. 또한, 기준 마크(AK)는 기판(M)의 위치 정보를 도출하는데 이용되는 마크일 수 있다. 예컨대, 후술하는 이미지 모듈(470)은 기준 마크(AK)를 촬영하여 이미지를 획득하고, 획득된 이미지를 제어기(30)로 전송할 수 있다. 제어기(30)는 기준 마크(AK)를 포함하는 이미지를 분석하여 기판(M)의 정확한 위치를 검출할 수 있다. 또한, 기준 마크(AK)는 기판(M) 반송시 기판(M)의 위치를 파악하는데 사용될 수 있다.

기판(M) 상에는 셀(CE)이 형성될 수 있다. 셀(CE)은 적어도 하나 이상, 예컨대 셀(CE)은 복수 개가 형성될 수 있다. 각각의 셀(CE)에는 복수의 패턴이 형성될 수 있다. 각각의 셀(CE)에 형성된 패턴들은 하나의 패턴 그룹으로 정의될 수 있다. 셀(CE)에 형성되는 패턴은 노광 패턴(EP)과 제1패턴(P1)을 포함할 수 있다.

노광 패턴(EP)은 기판(M) 상에 실제 패턴을 형성하는데 사용될 수 있다. 제1패턴(P1)은 하나의 셀(CE)에 형성된 노광 패턴(EP)들을 대표하는 패턴일 수 있다. 또한, 셀(CE)이 복수로 제공되는 경우 제1패턴(P1)은 복수로 제공될 수 있다. 일 예로, 복수 개의 셀(CE) 각각에는 제1패턴(P1)이 각각 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 하나의 셀(CE)에 복수의 제1패턴(P1)이 형성될 수도 있다. 제1패턴(P1)은 각 노광 패턴(EP)들의 일부가 합쳐진 형상을 가질 수 있다. 제1패턴(P1)은 모니터링 패턴이라 불릴 수 있다. 복수 개의 제1패턴(P1)들의 선폭의 평균 값은 선폭 모니터링 매크로(Critical Dimension Monitoring Macro)라 불릴 수 있다.

작업자가 주사 전자 현미경(SEM)을 통해 제1패턴(P1)을 검사하는 경우, 하나의 셀(CE)에 형성된 노광 패턴(EP)들의 형상의 양불 여부를 추정할 수 있다. 이에, 제1패턴(P1)은 검사용 패턴일 수 있다. 또한, 상술한 예와 달리, 제1패턴(P1)은 실제 노광 공정에 참여하는 노광 패턴(EP)들 중 어느 하나의 패턴일 수도 있다. 또한, 제1패턴(P1)은 검사용 패턴이면서 실제 노광에 참여하는 노광 패턴일 수도 있다.

제2패턴(P2)은 기판(M) 전체에 형성된 노광 패턴(EP)들을 대표하는 패턴일 수 있다. 예컨대, 제2패턴(P2)은 각 제1패턴(P1)들의 일부가 합쳐진 형상을 가질 수 있다.

작업자가 주사 전자 현미경(SEM)을 통해 제2패턴(P2)을 검사하는 경우, 하나의 기판(M)에 형성된 노광 패턴(EP)들의 형상의 양불 여부를 추정할 수 있다. 이에, 제2패턴(P2)은 검사용 패턴일 수 있다. 또한, 제2패턴(P2)은 실제 노광 공정에는 참여하지 않는 검사용 패턴일 수 있다. 제2패턴(P2)은 노광 장치의 공정 조건을 세팅하는 패턴일 수 있다. 제2패턴(P2)은 앵커 패턴(Anchor Pattern)이라 불릴 수 있다.

이하에서는, 액 처리 챔버(400)에 제공되는 기판 처리 장치에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 이하에서는 액 처리 챔버(400)에서 수행되는 처리 공정이 노광 공정 용 마스크 제작 과정 중 선폭 보정 공정(FCC, Fine Critical Dimension Correction) 공정을 수행하는 것을 예로 들어 설명한다.

액 처리 챔버(400)에 반입되어 처리되는 기판(M)은 전 처리가 수행된 기판(M)일 수 있다. 액 처리 챔버(400)에 반입되는 기판(M)의 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2)의 선폭은 서로 상이할 수 있다. 예컨대, 제1패턴(P1)의 선폭은 제1폭(예컨대, 69nm)을 가질 수 있다. 제2패턴(P2)의 선폭은 제2폭(예컨대, 68.5nm)을 가질 수 있다.

도 4는 도 2의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5는 도 4의 액 처리 챔버를 상부에서 바라본 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 지지 유닛(420), 처리 용기(430), 액 공급 유닛(440), 그리고 가열 유닛(450)을 포함할 수 있다.

하우징(410)은 내부 공간을 가진다. 하우징(410)은 처리 용기(430)가 제공되는 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(410)은 액 공급 유닛(440)과 가열 유닛(450)이 제공되는 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(410)에는 기판(M)이 반출입 될 수 있는 반출입구(미도시)가 형성될 수 있다. 하우징(410)의 내벽면은 액 공급 유닛(440)이 공급하는 케미칼에 대해 내부식성이 높은 소재로 코팅될 수 있다.

하우징(410)의 바닥면에는 배기 홀(미도시)이 형성될 수 있다. 배기 홀(미도시)은 내부 공간를 배기할 수 있는 펌프와 같은 배기 부재와 연결될 수 있다. 이에, 내부 공간에서 발생될 수 있는 흄(Fume) 등은 배기 홀(미도시)을 통해 하우징(410)의 외부로 배기될 수 있다.

지지 유닛(420)은 후술하는 처리 용기(430)가 가지는 처리 공간에서 기판(M)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(420)은 기판(M)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(420)은 기판(M)을 회전시킬 수 있다. 지지 유닛(420)은 척(421), 지지핀(422), 지지축(426), 그리고 구동 부재(427)를 포함할 수 있다.

척(421)은 일정한 두께를 가지는 판 형상을 가질 수 있다. 척(421)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가질 수 있다. 척(421)의 상부면은 기판(M)보다 큰 면적을 갖도록 제공될 수 있다. 척(421)에는 지지핀(422)이 설치될 수 있다.

지지핀(422)은 기판(M)을 지지할 수 있다. 지지핀(422)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원 형상을 가질 수 있다. 지지핀(422)은 상부에서 바라볼 때, 기판(M)의 모서리 영역과 대응하는 부분이 아래 방향으로 만입된 형상을 가질 수 있다. 지지핀(422)은 제1면과 제2면을 가질 수 있다. 일 예로, 제1면은 기판(M)의 모서리 영역의 하부를 지지할 수 있다. 제2면은 기판(M)이 회전되는 경우 기판(M)의 측 방향으로의 움직임을 제한할 수 있도록 기판(M)의 모서리 영역의 측부와 마주할 수 있다. 지지핀(422)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 일 예로, 지지핀(422)은 복수 개가 제공될 수 있다. 지지핀(422)은 사각의 형상을 가지는 기판(M)의 모서리 영역의 개수에 대응하는 수로 제공될 수 있다. 지지핀(422)은 기판(M)을 지지하여 기판(M)의 하면과 척(421)의 상면을 이격시킬 수 있다.

지지축(426)은 척(421)과 결합될 수 있다. 지지축(426)은 척(421)의 하부에 위치할 수 있다. 지지축(426)은 중공 축일 수 있다. 지지축(426)은 구동 부재(427)에 의해 회전될 수 있다. 구동 부재(427)는 중공 모터일 수 있다. 구동 부재(427)가 지지축(426)을 회전시키면, 지지축(426)에 결합된 척(421)이 회전할 수 있다. 척(421)에 설치된 지지핀(422)에 놓인 기판(M)은 척(421)의 회전과 함께 회전될 수 있다.

처리 용기(430)는 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 처리 용기(430)는 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 기판(M)은 처리 공간 내에서 액 처리 및 가열 처리될 수 있다. 처리 용기(430)는 기판(M)으로 공급되는 처리 액이 하우징(410), 액 공급 유닛(440), 그리고 가열 유닛(450)으로 비산되는 것을 방지할 수 있다.

처리 용기(430)는 복수의 회수통(432a, 432b, 432c)을 가질 수 있다. 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)은 기판(M)의 처리에 사용된 액 중 서로 상이한 액을 분리 회수할 수 있다. 회수통들(432a, 432b, 432c)은 각각 기판(M)의 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가질 수 있다. 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)은 지지 유닛(420)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 액 처리 공정이 진행될 때, 기판(M)의 회전에 의해 비산되는 액은 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c) 간에 형성된 사이 공간인 유입구를 통해 회수 공간으로 유입된다. 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)에는 서로 상이한 종류의 처리액이 유입될 수 있다.

일 예에 의하면, 처리 용기(430)는 제1회수통(432a), 제2회수통(432b), 그리고 제3회수통(432c)을 가질 수 있다. 제1회수통(432a)은 지지 유닛(420)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제2회수통(432b)은 제1회수통(432a)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제3회수통(432c)은 제2회수통(432b)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.

각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인들(434a, 434b, 434c)이 연결될 수 있다. 각각의 회수 라인들(434a, 434b, 434c)은 각각의 회수통들(432a, 432b, 432c)을 통해 유입된 처리액을 배출할 수 있다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.

처리 용기(430)는 승강 부재(436)와 결합될 수 있다. 승강 부재(436)는 제3방향(Z)을 따라 처리 용기(430)의 위치를 변경시킬 수 있다. 승강 부재(436)는 처리 용기(430)를 상하 방향으로 이동시키는 구동 장치일 수 있다. 승강 부재(436)는 기판(M)에 대한 액 처리 및/또는 가열 처리가 수행되는 동안에는 처리 용기(430)를 위 방향으로 이동시킬 수 있다. 승강 부재(436)는 기판(M)이 내부 공간에 반입 또는 기판(M)이 내부 공간으로부터 반출되는 경우에는 처리 용기(430)를 아래 방향으로 이동시킬 수 있다.

액 공급 유닛(440)은 기판(M) 상에 액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(440)은 기판(M)을 액 처리하는 처리액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(440)은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)으로 처리액을 공급할 수 있다. 일 예로, 액 공급 유닛(440)은 복수의 셀(CE)들 내에 형성된 제1패턴(P1)과 셀들(CE)이 형성된 영역의 외부에 제2패턴(P2)이 형성된 기판(M)으로 처리액을 공급할 수 있다.

처리액은 식각액, 또는 린스액일 수 있다. 식각액은 케미칼일 수 있다. 식각액은 기판(M) 상에 형성된 패턴을 식각 할 수 있다. 식각액은 에천트(Etchant)로 불릴 수도 있다. 에천트는 암모니아, 물, 그리고 첨가제가 혼합된 혼합액과 과산화수소를 포함하는 액일 수 있다. 린스액은 기판(M)을 세정할 수 있다. 린스액은 공지된 약액으로 제공될 수 있다.

도 5를 참조하면, 액 공급 유닛(440)은 노즐(441), 고정 몸체(442), 회전 축(443), 그리고 회전 부재(444)를 포함할 수 있다. 노즐(411)은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)으로 처리액을 공급할 수 있다. 노즐(411)은 고정 몸체(442)에 일단이 연결되고, 타단이 고정 몸체(442)로부터 기판(M)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 노즐(411)은 고정 몸체(442)로부터 제1방향(X)을 따라 연장될 수 있다. 노즐(411)의 타단은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)을 향하는 방향으로 일정 각도 절곡되어 연장될 수 있다.

노즐(411)은 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c)을 포함할 수 있다. 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c) 중 어느 하나는 상술한 처리액 중 케미칼(C)을 공급할 수 있다. 또한, 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c) 중 다른 하나는 상술한 처리액 중 린스액(R)을 공급할 수 있다. 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c) 중 또 다른 하나는 제1노즐(411a), 제2노즐(411b), 그리고 제3노즐(411c) 중 어느 하나가 공급하는 케미칼(C)과 상이한 종류의 케미칼(C)을 공급할 수 있다.

몸체(442)는 노즐(441)을 고정 지지할 수 있다. 몸체(442)는 회전 부재(444)에 의해 제3방향(Z)을 기준으로 회전되는 회전축(443)과 연결될 수 있다. 회전 부재(444)가 회전축(443)을 회전시키면, 몸체(442)는 제3방향(Z)을 축으로 회전될 수 있다. 이에, 노즐(441)의 토출구는 기판(M)으로 처리액을 공급하는 위치인 액 공급 위치, 그리고 기판(M)으로 처리 액을 공급하지 않는 위치인 대기 위치 사이에서 이동될 수 있다.

가열 유닛(450)은 기판(M)을 가열할 수 있다. 가열 유닛(450)은 기판(M)의 일부 영역을 가열할 수 있다. 가열 유닛(450)은 기판(M)의 특정 영역을 가열할 수 있다. 가열 유닛(450)은 케미칼(C)이 공급되어 액막이 형성된 기판(M)을 가열할 수 있다. 가열 유닛(450)은 기판(M) 상에 형성된 패턴을 가열할 수 있다. 가열 유닛(450)은 기판(M) 상에 형성된 패턴 중 일부의 패턴을 가열할 수 있다. 가열 유닛(450)은 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 어느 하나를 가열할 수 있다. 예컨대, 가열 유닛(450)은 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 제2패턴(P2)을 가열할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 가열 유닛(450)은 제2패턴(P2)으로 레이저 광(L)을 조사하여 제2패턴(P2)을 가열할 수 있다.

도 6은 도 4의 가열 유닛의 바디, 레이저 조사 모듈 및 카메라 모듈의 모습을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 가열 유닛(450)은 바디(451), 이동 모듈, 레이저 조사 모듈(460), 카메라 모듈을 포함할 수 있다. 이동 모듈은 제1구동기(453), 제2구동기(455), 그리고 가이드 레일(R)을 포함할 수 있다. 카메라 모듈은 이미지 모듈(470)과 광학 모듈(480)을 포함할 수 있다.

바디(451)는 내부에 설치 공간을 가지는 용기일 수 있다. 바디(451)에는 후술하는 레이저 모듈(460), 이미지 모듈(470), 그리고 광학 모듈(480)이 설치될 수 있다. 바디(451)는 레이저 조사기(452)를 포함할 수 있다. 후술하는 레이저 모듈(460)이 조사하는 레이저 광(L)은 레이저 조사기(452)를 통해 기판(M)으로 조사될 수 있다. 또한, 후술하는 조명 부재(472)가 조사하는 빛은 레이저 조사기(452)를 통해 제공될 수 있다. 또한, 후술하는 이미지 획득 부재(471)의 이미지 촬상은 레이저 조사기(452)를 통해 이루어질 수 있다.

제1구동기(453)는 모터일 수 있다. 일 예로, 제1구동기(453)는 리니어 모터로 제공될 수 있다. 제1구동기(453)는 구동력을 제공하는 공지된 모터로 제공될 수 있다. 제1구동기(453)는 바디(451)와 연결될 수 있다. 제1구동기(453)는 바디(451)를 측 방향으로 이동시킬 수 있다. 제1구동기(453)는 바디(451)를 제1방향(X) 및/또는 제2방향(Y)을 따라 이동시킬 수 있다. 제1구동기(453)는 후술하는 레이저 조사기(452)가 공정을 수행하지 않는 위치인 대기 위치와 레이저 조사기(452)가 기판(M) 상에 레이저 광(L)을 조사하는 위치인 가열 위치 간에 레이저 조사기(452)를 이동시킬 수 있다.

가이드 레일(R)은 제1방향을 따라 길이 방향이 형성될 수 있다. 가이드 레일(R) 상에는 제1구동기(453)가 위치한다. 가이드 레일(R) 상에 위치된 제1구동기(453)는 가이드 레일(R) 상에서 제1방향(X)으로 이동될 수 있다. 제1구동기(453)에 연결된 바디(451)는 제1방향(X)으로 이동될 수 있다. 이에, 바디(451)의 하단에 제공된 레이저 조사기(452)는 제1방향(X)으로 이동될 수 있다.

제2구동기(455)는 모터, 공압 실린더, 유압 실린더, 또는 솔레노이드 등 동력을 발생시키는 공지된 장치 중 어느 하나일 수 있다. 제2구동기(455)는 바디(451)와 연결될 수 있다. 제2구동기(455)는 샤프트(미도시)와 연결될 수 있다. 샤프트(미도시)는 제2구동기(455)가 발생시키는 구동력을 전달받아 바디(451)를 제2방향(Y)으로 이동시킬 수 있다. 이에, 레이저 조사기(452)는 제2방향(Y)으로 이동될 수 있다. 제2구동기(455)는 후술하는 레이저 조사기(452)가 공정을 수행하지 않는 위치인 대기 위치와 레이저 조사기(452)가 기판(M) 상에 레이저 광(L)을 조사하는 위치인 가열 위치 간에 레이저 조사기(452)를 이동시킬 수 있다.

도 6은 도 4의 가열 유닛의 바디, 레이저 조사 모듈 및 카메라 모듈의 모습을 보여주는 도면이다. 도 7은 도 6의 이미지 모듈을 상부에서 바라본 도면이다. 도 6과 도 7을 참조하면, 바디(451)에는 레이저 조사 모듈(460)이 설치될 수 있다. 바디(451)에는 카메라 모듈이 설치될 수 있다.

레이저 조사 모듈(460)은 레이저 조사부(461), 빔 익스팬더(462), 그리고 틸팅 부재(463)를 포함할 수 있다. 레이저 조사부(461)는 레이저 광(L)을 조사할 수 있다. 레이저 조사부(461)는 직진성을 가지는 레이저 광(L)을 조사할 수 있다. 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)은 빔 익스팬더(462)에서 형상/프로파일 등이 조정될 수 있다. 예컨대, 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)은 빔 익스팬더(462)에서 그 직경이 변경될 수 있다. 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)은 빔 익스팬더(462)에서 그 직경이 확장 또는 축소될 수 있다.

틸팅 부재(463)는 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)의 조사 방향을 틸팅시킬 수 있다. 예컨대, 틸팅 부재(463)는 레이저 조사부(461)를 일 축을 기준으로 회전시켜, 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)의 조사 방향을 틸팅시킬 수 있다. 틸팅 부재(463)는 모터를 포함할 수 있다.

카메라 모듈은 이미지 모듈(470)과 광학 모듈(480)을 포함할 수 있다. 이미지 모듈(470)은 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)을 모니터링할 수 있다. 이미지 모듈(470)은 이미지 획득 부재(471), 조명 부재(472), 제1반사 판(473), 그리고 제2반사 판(474)을 포함할 수 있다. 이미지 획득 부재(471)는 기판(M) 및/또는 후술하는 오차 확인 유닛(490)의 모니터링 타겟(491)에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 이미지 획득 부재(471)는 카메라일 수 있다. 이미지 획득 부재(471)는 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)이 조사되는 지점을 포함하는 이미지를 획득할 수 있다. 이미지 모듈(470)은 이미지 획득 부재(471)에서 획득한 이미지를 제어기(30)로 전송할 수 있다. 이미지 모듈(470)은 레이저 조사기(452)에서 조사된 레이저 광(L)이 후술하는 모니터링 타겟(491)에 표시된 이미지를 획득하고, 획득한 이미지를 제어기(30)로 전송할 수 있다.

조명 부재(472)는 이미지 획득 부재(471)의 이미지 획득이 용이하게 수행될 수 있도록 빛을 제공할 수 있다. 조명 부재(472)가 제공하는 빛은 제1반사 판(473)과 제2반사 판(474)을 따라 차례로 반사될 수 있다.

광학 모듈(480)은 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)의 조사 방향, 이미지 획득 부재(471)가 이미지를 획득하는 촬상 방향, 그리고 조명 부재(472)가 제공하는 빛의 조사 방향이 상부에서 바라볼 때, 동 축을 가지도록 할 수 있다. 광학 모듈(480)에 의해 레이저 광(L)이 조사되는 영역에 조명 부재(472)가 빛을 전달할 수 있다. 또한, 레이저 광(L)이 조사되는 영역 대한 영상/사진 등의 이미지를 이미지 획득 부재(471)가 실시간으로 획득할 수 있다. 광학 모듈(480)은 제1반사 부재(481), 제2반사 부재(482), 그리고 렌즈(483)를 포함할 수 있다.

제1반사 부재(481)는 레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)의 조사 방향을 변경시킬 수 있다. 예컨대, 제1반사 부재(481)는 수평 방향으로 조사되는 레이저 광(L)의 조사 방향을 수직 아래 방향으로 변경시킬 수 있다. 또한, 제1반사 부재(481)에 의해 굴절된 레이저 광(L)은 렌즈(483)와 레이저 조사기(452)를 순차적으로 통과하여 피처리물인 기판(M) 또는 후술하는 모니터링 타겟(491)에 전달될 수 있다.

제2반사 부재(482)는 이미지 획득 부재(471)의 촬상 방향을 변경시킬 수 있다. 예컨대, 제2반사 부재(482)는 수평 방향인 이미지 획득 부재(471)의 촬상 방향을 수직 아래 방향으로 변경시킬 수 있다. 또한, 제2반사 부재(482)는 제1반사 판(473) 및 제2반사 판(474)을 순차적으로 거쳐 전달되는 조명 부재(472)의 빛의 조사 방향을 수평 방향에서 수직 아래 방향으로 변경시킬 수 있다.

또한, 제1반사 부재(481)와 제2반사 부재(482)는 상부에서 바라볼 때 같은 위치에 제공될 수 있다. 또한, 제2반사 부재(482)는 제1반사 부재(481)보다 상부에 배치될 수 있다. 또한, 제1반사 부재(481)와 제2반사 부재(482)는 같은 각도로 틸팅되어 있을 수 있다.

도 8은 도 4의 액 처리 챔버가 가지는 오차 확인 유닛, 그리고 지지 유닛을 나타낸 도면이다. 도 9는 도 8의 오차 확인 유닛을 상부에서 바라본 도면이다. 도 8과 도 9를 참조하면, 오차 확인 유닛(490)은 레이저 광(L)의 조사 위치와 미리 설정된 타겟 위치(TP) 사이에 오차가 발생하는지를 확인할 수 있다. 예컨대, 오차 확인 유닛(490)은 하우징(410)의 내부 공간에 제공될 수 있다. 또한, 오차 확인 유닛(490)은 레이저 조사기(452)가 상술한 대기 위치에 있을 때, 레이저 조사기(452)의 아래 영역에 설치될 수 있다. 오차 확인 유닛(490)은 모니터링 타겟(491), 플레이트(492), 그리고 지지 프레임(493)을 포함할 수 있다. 플레이트(492)와 지지 프레임(493)은 레이저 조사기(452)가 대기하는 공간을 제공하는 대기 포트로 제공될 수 있다. 대기 포트는 레이저 조사기(452)가 대기하는 대기 위치에 위치한다. 이에, 플레이트(492)와 지지 프레임(493)은 상부에서 바라볼 때, 대기 위치에 위치할 수 있다.

모니터링 타겟(491)은 글로벌 좌표계로 불릴 수도 있다. 모니터링 타겟(491)에는 미리 설정된 타겟 위치(TP)가 표시되어 있을 수 있다. 또한, 모니터링 타겟(491)은 타겟 위치(TP)와 레이저 광(L)이 조사되는 조사 위치 사이의 오차를 확인할 수 있도록 눈금을 포함할 수 있다. 모니터링 타겟(491)은 대기 포트의 상부에 위치한 레이저 조사기(452)의 중심과 일치하는 원점을 가질 수 있다. 모니터링 타겟(491)은 대기 포트의 상부에 위치한 레이저 조사기(452)에서 조사되는 광의 중심과 일치하는 원점을 가질 수 있다.

모니터링 타겟(491)은 플레이트(492) 상에 설치될 수 있다. 플레이트(492)는 지지 프레임(493)에 의해 지지될 수 있다. 플레이트(492) 및 지지 프레임(493)에 의해 결정되는 모니터링 타겟(491)의 높이는 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)과 같은 높이일 수 있다. 예컨대, 하우징(410)의 바닥면으로부터 모니터링 타겟(491)의 상면까지의 높이는, 하우징(410)의 바닥면으로부터 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)의 상면까지의 높이와 같을 수 있다. 이는, 오차 확인 유닛(490)을 이용하여 오차를 확인할 때에 레이저 조사기(452)의 높이와, 기판(M)을 가열할 때의 레이저 조사기(452)의 높이를 서로 일치시키기 위함이다.

레이저 조사부(461)가 조사하는 레이저 광(L)의 조사 방향이 제3방향(Z)에 대하여 약간의 틀어짐이라도 발생하는 경우, 레이저 조사기(452)의 높이에 따라 레이저 광(L)의 조사 위치는 달라질 수 있기 때문에 모니터링 타겟(491)은 지지 유닛(420)에 지지된 기판(M)과 같은 높이에 제공될 수 있다.

이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 상술한 액 처리 챔버(400)가 수행할 수 있다. 또한, 상술한 제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 액 처리 챔버(400)가 수행할 수 있도록, 액 처리 챔버(400)가 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 액 처리 챔버(400)가 가지는 구성들이 수행할 수 있도록, 지지 유닛(420), 승강 부재(436), 액 공급 유닛(440), 그리고 가열 유닛(450) 중 적어도 어느 하나를 제어하는 제어 신호를 발생시킬 수 있다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 기판 반입 단계(S10), 공정 준비 단계(S20), 위치 보정 단계(S30), 식각 단계(S40), 린스 단계(S50), 그리고 기판 반출 단계(S60)를 포함할 수 있다.

기판 반입 단계(S10)에는 하우징(410)에 형성된 반출입구를 도어가 개방할 수 있다. 또한, 기판 반입 단계(S10)에는 반송 로봇(320)이 지지 유닛(420)에 기판(M)을 안착시킬 수 있다. 반송 로봇(320)이 지지 유닛(420)에 기판(M)을 안착시키는 동안 승강 부재(436)는 처리 용기(430)의 위치를 하강시킬 수 있다.

도 11은 도 10의 공정 준비 단계에서 기판 처리 장치가 레이저의 조사 위치와 미리 설정된 타겟 위치 사이의 오차를 확인하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 공정 준비 단계(S20)는 기판(M)의 반입이 완료된 이후 수행될 수 있다. 공정 준비 단계(S20)에서는 지지핀(422)에 기판(M)이 정확히 안착되었는지 여부를 확인할 수 있다. 공정 준비 단계(S20)에서는 기판(M)의 위치를 확인할 수 있다. 공정 준비 단계(S20)에는 기판(M)으로 조사되는 레이저 광(L)의 조사 위치에 오차가 발생하는지를 확인할 수 있다. 예컨대, 공정 준비 단계(S20)에는 레이저 조사 모듈(470)이 오차 확인 유닛(490)의 모니터링 타겟(491)으로 테스트용 레이저 광(L)을 조사할 수 있다.

모니터링 타겟(491)에 표시된 레이저 광(L)의 이미지를 이미지 획득 부재(471)에 의해 획득될 수 있다. 이미지 획득 부재(471)에 의해 획득된 이미지로부터 레이저 조사 모듈(470)의 대기 위치에서의 위치 정보를 도출할 수 있다. 획득된 이미지로부터 레이저 조사기(452)에서 조사되는 레이저 광(L)의 위치 정보를 도출할 수 있다.

일 예로, 레이저 조사기(452)에서 조사되는 레이저 광(L)이 모니터링 타겟(491)의 원점에 위치하지 않는 경우, 레이저 조사부(461)에 틀어짐이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 모니터링 타겟(491)에 표시된 미리 설정된 타겟 위치(TP)와 일치하는 경우, 레이저 조사부(461)에 틀어짐이 발생되지 않은 것으로 판단하고, 하기 위치 보정 단계(S30)를 수행할 수 있다.

또한, 획득된 이미지로부터 산출된 테스트용 레이저 광(L)의 위치 정보에 근거하여, 상술한 대기 위치로부터 레이저 광(L)을 조사하는 가열 위치에 위치하는 특정 패턴까지의 레이저 조사기(542)의 이동량의 총 합을 산출할 수 있다. 일 예로, 대기 위치로부터 가열 위치에 위치하는 제2패턴(P2)까지의 레이저 조사기(542)의 제1방향(X)으로의 이동량과 제2방향(Y)으로의 이동량을 각각 산출할 수 있다. 레이저 조사기(542)의 제1방향(X)으로의 이동량 또는 제2방향(Y)으로의 이동량이 기 설정된 이동량의 값과 동일하지 않은 경우, 레이저 조사기(542)의 위치가 틀어진 것으로 판단할 수 있다.

또한, 획득된 이미지로부터 산출된 테스트용 레이저 광(L)의 직경 정보를 도출할 수 있다. 도출된 테스트용 레이저 광(L)의 직경 정보에 근거하여 레이저 조사기(542)로부터 조사되는 레이저 광(L)의 정보를 획득할 수 있다. 일 예로, 획득된 레이저 광(L)의 이미지가 기 설정 범위의 직경 범위를 벗어난 경우, 빔 익스팬더(462)에 문제가 생긴 것으로 판단할 수 있다.

도 12 및 도 13은 도 10의 위치 보정 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다. 도 12와 도 13을 참조하면, 위치 보정 단계(S30)는 기판(M) 상에 형성된 특정 패턴을 레이저 광(L)이 조사되는 가열 위치로 이동시킬 수 있다. 가열 위치는 지지 유닛(420) 상에 지지된 기판(M)을 4등분한 영역 중 하나일 수 있다. 일 예로, 가열 위치는 지지 유닛(420) 상에 지지된 기판(M)이 처리되는 처리 위치를 4등분할 때, 레이저 조사기(452)가 대기 위치에서 처리 위치로 이동하는 제1방향(X) 및/또는 제2방향(Y)으로, 순차적으로 제4사분면(A4)과 제1사분면(A1)이 위치되고, 제4사분면(A4)과 수직한 방향으로 제3사분면(A3)이 위치되고, 제1사분면과 수직한 위 방향으로 제2사분면(A2)이 위치될 때, 제4사분면(A4) 내에 위치할 수 있다. 즉, 가열 위치는 레이저 조사기(452)가 대기 위치에서 처리 위치로 이동할 때, 레이저 조사기(452)의 이동량이 가장 작은 영역일 수 있다.

위치 보정 단계(S30)는 기판(M) 상에 형성된 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 제2패턴(P2)을 가열 위치로 이동시킨다. 위치 보정 단계(S30)는 제2패턴(P2)을 제4사분면(A4) 내로 위치하도록 지지 유닛(420)을 회전시킨다. 일 예로, 제2패턴(P2)이 제1사분면(A1) 내에 위치하는 경우, 지지 유닛(420)이 시계 방향으로 회전하여 제2패턴(P2)을 제4사분면(A4) 내로 위치시킨다. 다른 예로, 제2패턴(P2)이 제3사분면(A3) 내에 위치하는 경우, 지지 유닛(420)이 반시계 방향으로 회전하여 제2패턴(P2)을 제4사분면(A4) 내로 위치시킨다.

식각 단계(S40)에는 기판(M) 상에 형성된 패턴에 대한 식각을 수행할 수 있다. 식각 단계(S40)에는 제1패턴(P1)의 선폭과 제2패턴(P2)의 선폭이 서로 일치하도록 기판(M) 상에 형성된 패턴에 대한 식각을 수행할 수 있다. 식각 단계(S40)는, 상술한 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2)의 선폭 차이를 보정하는 선폭 보정 공정일 수 있다. 식각 단계(S40)는 액 처리 단계(S41) 및 가열 단계(S42)를 포함할 수 있다.

도 14는 도 10의 액 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다. 도 14를 참조하면, 액 처리 단계(S41)는 기판(M)으로 액 공급 유닛(440)이 기판(M)으로 에천트(Etchant)인 케미칼(C)을 공급하는 단계일 수 있다. 액 처리 단계(S41)에는 지지 유닛(420)이 기판(M)을 회전시킬 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 액 처리 단계(S41)에서는 지지 유닛(420)이 기판(M)을 회전시키지 않을 수 있다. 액 처리 단계(S41)에 공급되는 케미칼(C)의 양은 기판(M) 상에 공급된 케미칼(C)이 퍼들(Puddle)을 형성할 수 있을 정도로 공급될 수 있다. 예컨대, 액 처리 단계(S41)에서 공급되는 케미칼(C)의 양은 기판(M) 상면 전체를 덮되, 케미칼(C)이 기판(M)으로부터 흘러내리지 않거나 또는 흘러내리더라도 그 양이 크지 않은 정도로 공급될 수 있다. 필요에 따라서는, 노즐(441)이 그 위치를 변경하면서 기판(M)의 상면 전체에 식각 액을 공급할 수도 있다. 기판(M)으로 액 공급 유닛(440)이 케미칼(C)을 공급한 이후, 지지 유닛(420)은 회전하지 않을 수 있다. 지지 유닛(420)이 정지하여 기판(M) 상에 공급된 케미칼(C)이 퍼들(Puddle)을 형성할 수 있다.

도 15 및 도 16은 도 10의 가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다. 도 15와 도 16을 참조하면, 가열 단계(S42)에는 기판(M)으로 레이저 광(L)을 조사하여 기판(M)을 가열할 수 있다. 가열 단계(S42)에는 가열 유닛(450)이 케미칼(C)이 공급되어 액막이 형성된 기판(M)으로 레이저 광(L)을 조사하여 기판(M)을 가열할 수 있다. 가열 단계(S42)는 레이저 조사 모듈(470)이 케미칼(C)이 공급되어 액막이 형성된 기판(M)으로 레이저 광(L)을 조사하여 기판(M)을 가열할 수 있다.

가열 단계(S42)에는 기판(M)의 특정 영역으로 레이저 광(L)을 조사할 수 있다. 가열 단계(S42)는 가열 위치로 레이저 광(L)을 조사할 수 있다. 가열 단계(S42)는 레이저 조사 모듈(470)이 대기 위치에서 가열 위치로 이동하여 가열 위치에 레이저 광(L)을 조사할 수 있다. 일 예로, 가열 단계(S42)는 레이저 조사기(452)가 가열 위치인 제4사분면(A4)으로 이동하여 제4사분면(A4) 내에 위치하는 제2패턴(P2)을 향해 레이저 광(L)을 조사할 수 있다. 레이저 광(L)이 조사된 특정 영역의 온도는 높아질 수 있다. 이에, 레이저 광(L)이 조사된 영역의 케미칼(C)에 의한 식각 정도는 커질 수 있다. 또한, 가열 단계(S42)에는, 레이저 광(L)이 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 어느 하나에 조사될 수 있다. 예컨대, 레이저 광(L)은 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 제2패턴(P2)에만 조사될 수 있다. 이에, 케미칼(C)의 제2패턴(P2)에 대한 식각 능력은 향상된다. 이에, 제1패턴(P1)의 선폭은 제1폭(예컨대, 69nm)에서 목표 선폭(예컨대, 70nm)으로 변화될 수 있다. 또한, 제2패턴(P2)의 선폭은 제2폭(예컨대, 68.5nm)에서 목표 선폭(예컨대, 70nm)으로 변화될 수 있다. 즉, 기판(M)의 일부 영역에 대한 식각 능력을 향상시켜, 기판(M) 상에 형성된 패턴의 선폭 편차를 최소화할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 레이저 조사기(452)가 레이저 광(L)을 조사하는 가열 위치로 제2패턴(P2)을 사전에 미리 이동시킴으로써, 레이저 조사 모듈(470)의 이동 거리가 최소화될 수 있다. 이에, 레이저 조사 모듈(470)의 이동 스트로크가 최소화되어 가열 유닛(450)의 구조가 단순화될 수 있다. 이에, 액 처리 챔버(400)의 구조가 단순화될 수 있다. 또한, 레이저 조사기(452)가 최소의 거리만을 이동함으로써, 레이저 조사기(452)가 조사 위치로 이동하는 과정에서 발생할 수 있는 레이저 조사 모듈(470)의 광의 형상 변경이나, 광을 조사하는 위치가 틀어지는 문제를 최소화할 수 있다.

린스 단계(S50)에는 식각 단계(S40)에서 발생하는 공정 부산물을 기판(M)으로부터 제거할 수 있다. 린스 단계(S50)에는 회전하는 기판(M)으로 린스 액(R)을 공급하여 기판(M) 상에 형성된 공정 부산물을 제거할 수 있다. 필요에 따라 기판(M) 상에 잔류하는 린스 액(R)을 건조시키기 위해 지지 유닛(420)은 기판(M)을 고속으로 회전시켜 기판(M)에 잔류하는 린스 액(R)을 제거할 수 있다.

기판 반출 단계(S60)에는 처리가 완료된 기판(M)을 내부 공간(412)으로부터 반출할 수 있다. 기판 반출 단계(S60)에는 하우징(410)에 형성된 반출입구를 도어가 개방할 수 있다. 또한, 기판 반출 단계(S60)에는 반송 로봇(320)이 지 기판(M)을 지지 유닛(420)으로부터 언로딩하고, 언로딩 된 기판(M)을 내부 공간(412)으로부터 반출할 수 있다.

상술한 본 발명의 실시예에서는 노광 패턴을 모니터링 하는 모니터링 패턴인 제1패턴(P1)과 기판을 처리하는 조건 세팅용 패턴인 제2패턴(P2)을 가지는 기판(M)에서 제2패턴(P2)의 식각률을 향상시키는 것을 예로 들어 설명하였다. 다만, 이와 달리 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2)의 기능은 상술한 본 발명의 실시예와 상이할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 의할 때, 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 하나의 패턴만 제공되고, 제1패턴(P1)과 제2패턴(P2) 중 제공된 하나의 패턴의 식각률을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 의할 때, 포토 마스크 이외의 웨이퍼 또는 글라스 등의 기판에서 특정 영역의 식각률을 향상시킬 때에도 동일하게 적용될 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

기판 : M
기준 마크 : AK
셀 : CE
노광 패턴 : EP
제1패턴 : P1
제2패턴 : P2
하우징 : 410
지지 유닛 : 420
처리 용기 : 430
액 공급 유닛 : 440
가열 유닛 : 450

Claims

복수의 셀들을 가지는 마스크를 처리하는 장치에 있어서,
상기 복수의 셀들 내에 제1패턴이 형성되고, 상기 셀들이 형성된 영역의 외부에 상기 제1패턴과 상이한 제2패턴이 형성된 마스크를 지지하고, 회전시키는 지지 유닛;
상기 제1패턴과 상기 제2패턴 중 상기 제2패턴에 레이저 광을 조사하는 레이저 조사기를 가지는 레이저 조사 모듈 및 상기 레이저 조사 모듈의 위치를 변경시키는 이동 모듈을 가지는 가열 유닛; 및
상기 지지 유닛과 상기 가열 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
처리 위치를 상기 마스크의 중심을 기준으로 제1사분면에서 제4사분면으로 4등분할 때, 상기 레이저 조사기가 대기 위치에서 상기 처리 위치로 직선 이동하는 방향으로 순차적으로 상기 제4사분면 및 상기 제1사분면이 위치되고, 상기 제4사분면과 수직한 방향으로 제3사분면이 위치되고, 그리고 상기 제1사분면과 수직한 방향으로 제2사분면이 위치되고,
상기 제어기는,
상기 제2패턴이 제4사분면에 위치하도록 상기 지지 유닛의 회전을 제어하는 마스크 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 레이저 조사기가 상기 대기 위치에서 상기 제4사분면에 위치한 상기 제2패턴에 대응하는 조사 위치로 이동하고, 상기 조사 위치에서 상기 제2패턴으로 상기 광을 조사하도록 상기 가열 유닛을 제어하는 마스크 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 이동 모듈은,
지면에 대해 수평한 제1방향, 그리고 상기 제1방향과 수직하고 지면에 대해 수평한 제2방향으로 상기 레이저 조사기를 이동시키고,
상기 제4사분면은,
상기 대기 위치에서 상기 조사 위치까지 상기 레이저 조사기의 상기 제1방향의 이동량 및 상기 제2방향의 이동량의 합이 최소가 되는 영역인 마스크 처리 장치.
제3항에 있어서,
상기 장치는,
상기 대기 위치에서 상기 레이저 조사기가 위치하는 대기 포트가 더 형성되고,
상부에서 바라볼 때, 상기 대기 포트 상에는 상기 레이저 조사기의 중심과 일치하는 원점을 가지는 모니터링 타겟이 제공되는 마스크 처리 장치.
제4항에 있어서,
상기 가열 유닛은,
상기 레이저 조사기에서 조사된 상기 광이 상기 모니터링 타겟에 표시된 이미지를 획득하고, 상기 획득된 이미지를 상기 제어기로 전송하는 카메라 모듈을 더 포함하는 마스크 처리 장치.
제5항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 이미지로부터 상기 광의 위치 정보를 도출하고, 상기 위치 정보에 근거하여 상기 대기 위치로부터 상기 조사 위치에 위치하는 상기 제2패턴까지의 상기 레이저 조사기의 이동량을 산출하는 마스크 처리 장치.
제5항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 이미지로부터 상기 광의 직경 정보를 도출하고, 상기 광의 직경 정보에 근거하여 상기 레이저 조사기로부터 조사되는 상기 광의 정보를 획득하는 마스크 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1사분면, 상기 제2사분면, 상기 제3사분면, 그리고 상기 제4사분면은 순차적으로 반시계 방향으로 위치하는 마스크 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 장치는,
상기 지지 유닛 상에 지지된 상기 마스크로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 및
상기 마스크가 처리되는 처리 공간을 가지고, 상기 처리액이 회수되는 회수 경로를 제공하는 용기를 더 포함하고,
상기 지지 유닛은 상기 처리 공간에서 상기 마스크를 지지하는 마스크 처리 장치.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 제2패턴에 대해 상기 광을 조사하여 상기 제1패턴의 선폭과 상기 제2패턴의 선폭의 편차를 최소화하도록 가열 유닛을 제어하는 마스크 처리 장치.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각각의 셀에 제공된 상기 제1패턴은 상기 셀에 형성된 노광 패턴의 모니터링 패턴이고, 상기 제2패턴은 상기 마스크 처리 장치의 조건 세팅용 패턴인 마스크 처리 장치.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
특정 패턴이 형성되는 상기 기판을 지지하고, 회전시키는 지지 유닛;
상기 패턴을 가열하는 가열 유닛;
상기 지지 유닛과 상기 가열 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 기판을 회전시켜 상기 패턴이 가열 위치로 이동하도록 상기 지지 유닛을 제어하고, 상기 가열 유닛이 대기 위치와 상기 가열 위치로 이동하도록 상기 가열 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
제12항에 있어서,
처리 위치를 상기 기판의 중심을 기준으로 제1사분면에서 제4사분면으로 4등분할 때, 상기 가열 유닛이 상기 대기 위치에서 상기 처리 위치로 직선 이동하는 방향으로 순차적으로 상기 제4사분면 및 상기 제1사분면이 위치되고, 상기 제4사분면과 수직한 방향으로 제3사분면이 위치되고, 그리고 상기 제1사분면과 수직한 방향으로 제2사분면이 위치되고,
상기 가열 위치는 상기 패턴이 상기 제4사분면에 위치할 때, 상기 패턴의 위치인 기판 처리 장치.
제13항에 있어서,
상기 가열 유닛은 지면에 대해 수평한 제1방향, 그리고 상기 제1방향과 수직하고 지면에 대해 수평한 제2방향으로 이동하고,
상기 제4사분면은,
상기 대기 위치에서 상기 조사 위치까지 상기 가열 유닛의 상기 제1방향의 이동량 및 상기 제2방향의 이동량의 합이 최소가 되는 영역인 기판 처리 장치.
제1패턴, 그리고 상기 제1패턴과 상이한 제2패턴이 형성된 기판을 식각하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 제2패턴을 조사 위치로 이동시키는 위치 보정 단계;
상기 기판 상으로 식각액을 공급하는 액 처리 단계; 및
상기 기판 상에 상기 식각액이 잔류한 상태에서, 상기 조사 위치로 이동된 상기 제2패턴으로 레이저 광을 조사하는 가열 단계를 포함하되,
상기 조사 위치는,
처리 위치를 상기 기판의 중심을 기준으로 제1사분면에서 제4사분면으로 4등분할 때, 상기 가열 유닛이 대기 위치에서 상기 처리 위치로 직선 이동하는 방향으로 순차적으로 상기 제4사분면 및 상기 제1사분면이 위치되고, 상기 제4사분면과 수직한 방향으로 제3사분면이 위치되고, 상기 제1사분면과 수직한 방향으로 제2사분면이 위치될 때, 상기 제4사분면에 위치하는 상기 제2패턴에 대응하는 위치인 기판 처리 방법.
제15항에 있어서,
상기 제4사분면은,
상기 대기 위치에서 상기 조사 위치까지의 상기 가열 유닛의 이동량이 최소가 되는 영역인 기판 처리 방법.
제16항에 있어서,
상기 위치 보정 단계는,
상기 기판을 회전시켜 상기 제2패턴을 상기 제4사분면으로 이동시키는 기판 처리 방법.
제17항에 있어서,
상기 가열 단계는,
상기 가열 유닛이 상기 대기 위치에서 상기 제4사분면에 위치하는 상기 제2패턴에 대응하는 상기 조사 위치로 이동하고, 상기 조사 위치에서 상기 제2패턴으로 상기 광을 조사하는 기판 처리 방법.
제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은 상기 제2패턴에 대해 상기 광을 조사하여 상기 제1패턴의 선폭과 상기 제2패턴의 선폭의 편차를 최소화하는 공정을 수행하는 기판 처리 방법.
제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1패턴은 상기 기판에 형성된 노광 패턴의 모니터링 패턴이고, 상기 제2패턴은 상기 기판을 처리하는 조건 세팅용 패턴인 기판 처리 방법.