CN116382028A - 用于处理基板的装置及用于处理基板的方法 - Google Patents

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金泰熙
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Abstract

本发明构思提供一种基板处理装置。基板处理装置包括支承单元，其配置为旋转并支承基板；液体供应单元，其配置为将液体供应至支承于支承单元上的基板；及光学模块，用于加热支承于支承单元上的基板，且其中支承单元包括示教构件，示教构件具有显示与支承单元的中心匹配的参考点的栅格。

Description

用于处理基板的装置及用于处理基板的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月31日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0193590和2022年05月11日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2022-0058020的韩国专利申请的优先权和权益，它们的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方案是关于基板处理装置及基板处理方法，更具体地，是关于通过加热基板来处理基板的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
用于在晶圆上形成图案的光学微影术工艺包括曝光工艺。曝光工艺是预先为将附着于晶圆的半导体集成材料切割成所需图案而执行的操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于蚀刻的图案及形成用于离子植入的图案。在曝光工艺中，使用掩模(其是一种“框架”)用光在晶圆上绘制图案。当光暴露于晶圆上的半导体集成材料(举例而言，晶圆上的抗蚀剂)时，抗蚀剂的化学性质根据通过光及掩模的图案而改变。当将显影液体供应至化学性质根据图案而改变的抗蚀剂时，在晶圆上形成图案。
为了精确执行曝光工艺，掩模上形成的图案必须经精确制造。必须检查图案形成是否满足工艺条件。在一个掩模上形成大量图案。也就是说，操作者需要花费大量时间检验大量图案中的全部以检验一个掩模。因此，在掩模上形成能够代表包括多个图案的一个图案组的监测图案。此外，在掩模上形成可以代表多个图案组的锚定图案。操作者可以经由检验监测图案来估计包括在一个图案组中的图案是否良好。此外，操作者可以经由检验锚定图案来估计形成在掩模上的图案是否良好。
另外，为了提高掩模检验的准确性，最佳情况是监测图案与锚定图案的临界维度相同。另外执行临界维度校正工艺以精确地校正形成于掩模处的图案的临界维度。
图1示出了在掩模制造工艺期间执行临界维度校正工艺之前、关于掩模的监测图案的第一临界维度CDP1及第二临界维度CDP2(锚定图案的临界维度)的常态分布。此外，第一临界维度CDP1及第二临界维度CDP2具有比目标临界维度小的尺寸。在执行临界维度校正工艺之前，监测图案及锚定图案的临界维度(CD，临界维度)之间存在故意的偏差。并且，通过在临界维度校正工艺中另外蚀刻锚定图案，使这两个图案的临界维度相同。在过度蚀刻锚定图案的工艺中，如果锚定图案比监测图案更过度蚀刻，则监测图案与锚定图案的临界维度会出现差异，因此形成于掩模处的图案的临界维度可能无法准确地校正。当另外蚀刻锚定图案时，应伴随着锚定图案的精确蚀刻。
在对锚定图案执行蚀刻的工艺中，将处理液体供应至掩模，并通过激光来加热形成于掩模上的锚定图案。为了精确地瞄准并加热锚定图案，必须精确地设定激光照射区域的中心。照射激光的光学模块相对于默认激光照射区域的中心移动。举例而言，计算从默认激光的照射区域的中心至形成于待处理的掩模上的锚定图案的距离，且基于此，光学模块移动至个别位置并照射激光。如果默认激光照射区域的中心与掩模的中心分离，且如果光学模块可以移动到存在锚定图案的区域以照射激光，则其可以移动至与形成于掩模上的实际锚定图案位置不同的位置以照射激光。在这种情况下，由于激光不能照射至实际锚定图案，故难以准确地蚀刻锚定图案。
发明内容
本发明构思的实施方案提供一种用于对基板进行精确蚀刻的基板处理装置及基板处理方法。
本发明构思的实施方案提供一种用于精确加热基板的特定区域的基板处理装置及基板处理方法。
本发明构思的实施方案提供一种用于精确示教用于精确照射激光至基板的特定区域的激光的照射区域的中心的基板处理装置及基板处理方法。
本发明构思的技术目标不限于上述技术目标，其他未提及的技术目标将从以下描述而对本领域技术人员变得明显。
本发明构思提供一种基板处理装置。基板处理装置包括支承单元，支承单元配置为旋转并支承基板；液体供应单元，其配置为供应液体至支承于支承单元上的基板；以及光学模块，其用于加热支承于支承单元上的基板，且其中支承单元包括示教构件(teachingmember)，示教构件具有显示与支承单元的中心匹配的参考点的栅格。
在实施方案中，示教构件的顶表面定位于支承在支承单元上的基板的底表面的下方。
在实施方案中，光学模块包括：激光单元，其配置为经由头喷嘴照射激光至支承在支承单元上的基板；及成像单元，其配置为通过经由头喷嘴对目标对象成像来获取图像。
在实施方案中，经由头喷嘴照射的激光的照射方向与经由头喷嘴对目标物体成像的成像方向是同轴的。
在实施方案中，基板处理装置进一步包括用于控制支承单元及光学模块的控制器，且其中控制器将头喷嘴移动至以恒定速度旋转的示教构件的顶侧，通过对旋转示教构件成像来获取包括栅格的图像，计算在设定时间期间通过包括图像的整个区域中的图像的中心的设定区域的栅格数目，并基于栅格数目的改变将头喷嘴的中心移动至参考点。
在实施方案中，控制器将头喷嘴从具有在设定时间期间通过设定区域的大量栅格的位置移动至具有相对小栅格数目的位置。
在实施方案中，如果在设定时间期间通过设定区域的栅格数目变为0，则控制器停止头喷嘴的移动。
在实施方案中，支承单元进一步包含用于支承基板的支承销，示教构件定位于包括支承单元的中心的中心区域处，且支承销定位于支承支承单元的中心区域的边缘区域处。
在实施方案中，示教构件可以从支承单元的顶部部分拆卸。
在实施方案中，示教构件联接至支承单元的顶部部分。
在实施方案中，头喷嘴的中心、经由头喷嘴照射的激光的中心、及成像单元的成像区域的中心彼此匹配。
本发明构思提供一种基板处理方法。基板处理方法包括：在处理空间处处理基板；以及在处理基板之前或之后调整经由光学模块的头喷嘴照射的激光的中心，且其中在从上方看时，经由光学模块的头喷嘴对目标对象成像的成像区域的中心与激光的中心相对应，且其中头喷嘴在调整激光的中心时移动，从而在从上方看时，成像区域的中心与在处理空间处支承基板的支承单元的中心相对应。
在实施方案中，显示对应于支承单元的中心的参考点的栅格定位于支承单元的顶部部分处。
在实施方案中，在基板从处理空间带出的状态下、执行调整激光的中心，并移动头喷嘴，从而成像区域的中心与参考点相对应。
在实施方案中，调整激光的中心将头喷嘴移动至以恒定速度旋转的示教构件的顶侧，通过对旋转示教构件成像来获取包括栅格的图像，计算在设定时间期间通过包括图像的整个区域中的图像的中心的设定区域的栅格数目，并基于栅格数目的改变将头喷嘴的中心移动至参考点。
在实施方案中，调整激光的中心将头喷嘴从具有在设定时间期间通过设定区域的大量栅格的位置移动至具有相对小栅格数目的位置，如果在设定时间期间通过设定区域的栅格数目变为0，则停止头喷嘴的移动。
在实施方案中，处理基板包括供应液体至由支承单元支承的基板及用激光加热支承于支承单元上的基板，并在供应液体之前或加热基板之后执行调整激光的中心。
在实施方案中，基板包括具有多个单元的掩模，且掩模包括形成于多个单元内的第一图案、及在形成多个单元的区域外部形成的、不同于第一图案的第二图案，且其中加热基板将激光照射至第一图案及第二图案中的第二图案。
本发明构思提供一种用于处理具有多个单元的掩模的基板处理装置。基板处理装置包括：支承单元，支承单元配置为支承掩模，掩模具有形成于多个单元内的第一图案、以及在形成多个单元的区域外部形成的不同于第一图案的第二图案；液体供应单元，其配置为供应液体至支承于支承单元上的掩模；以及光学模块，其用于加热支承于支承单元上的掩模，且其中支承单元包括：支承销，其用于支承掩模；以及示教构件，其具有显示与支承单元匹配的参考点的栅格，且其中光学模块包括：头喷嘴；激光单元，其配置为经由头喷嘴照射激光至掩模；以及成像单元，其配置为经由头喷嘴对目标对象成像，且其中示教构件定位于包括支承单元的中心的中心区域处，且支承销定位于围绕支承单元的中心区域的边缘区域处，且示教构件的顶表面定位于支承在支承单元上的掩模的底表面的下方，且其中经由头喷嘴照射的激光的照射方向与经由头喷嘴对目标对象成像的成像方向同轴，且在从上方看时，经由头喷嘴照射的激光的中心与经由头喷嘴对目标对象成像的成像区域的中心相对应。
在实施方案中，基板处理装置进一步包括用于控制支承单元及光学模块的控制器，且其中控制器将头喷嘴移动至以恒定速度旋转的示教构件的顶侧，通过对旋转示教构件成像来获取包括栅格的图像，计算在设定时间期间通过包括图像的整个区域中的图像的中心的设定区域的栅格数目，且直到在设定时间期间通过设定区域的栅格数目变为0，停止头喷嘴的移动。
根据本发明构思的实施方案，基板能够被精确地蚀刻。
根据本发明构思的实施方案，基板的特定区域能够被精确地加热。
根据本发明构思的实施方案，用于将激光精确地照射至基板的特定区域的激光的照射区域的中心能够被精确地示教。
本发明构思的效果不限于上述效果，其他未提及的效果将从以下描述而对本领域技术人员变得明显。
附图说明
上述及其他目的及特征将从参考附图的以下描述变得明显，其中除非另有规定，否则相同的参考数字贯穿各图是指相同的部分。
图1示出了监测图案的临界维度及锚定图案的临界维度的常态分布。
图2是示意性示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的平面图。
图3示意性示出了从上方看时、图2的腔室中经处理的基板。
图4是示意性示出了从上方看时、形成于图3的基板上的第二图案的实施方案的放大图。
图5示意性示出了从上方看时、基板支承于图4的支承单元上的状态下的腔室的实施方案。
图6示意性示出了从上方看时、基板未支承于图4的支承单元上的状态下的腔室的实施方案。
图7示意性示出了从侧面观察时、根据图4的实施方案的光学模块。
图8示意性示出了从上方看时、根据图4的实施方案的光学模块。
图9示意性示出了从正面看时、根据图4的另一实施方案的支承单元及示教构件。
图10是示教构件的立体图。
图11是根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图。
图12是示意性示出了图11的示教步骤的次序的方框图。
图13示出了在图11的示教步骤中头喷嘴从栅格的顶侧向上移动的状态。
图14示出了以时间次序的图13的栅格中经由已向上移动的头喷嘴获取的栅格图像中一设定区域中的图像。
图15示出了在图11的示教步骤中成像区域的中心移动至栅格的参考点的状态。
图16示意性示出了经由图15的头喷嘴获取的栅格图像中的设定区域中的图像。
图17是根据图11的发明构思的另一实施方案的基板处理方法的流程图。
【符号说明】
1：基板处理装置；2：第一方向；4：第二方向；6：第三方向；10：索引模块；12：装载端口；14：索引框架；20：处理模块；30：控制器；120：索引机械手；122：索引手部；124：索引轨道；200：缓冲单元；300：转移框架；320：转移机械手；322：手部；324：转移轨道；400：腔室；410：壳体；412：内部空间；414：排气孔；420：支承单元；421：主体；422：支承销；423：支承轴；424：驱动器；425：示教构件；426：本体；427：栅格；430：处理容器；431：处理空间；434：排放孔；436：提升/降低构件；440：液体供应单元；441：喷嘴；441a：第一喷嘴；441b：第二喷嘴；441c：第三喷嘴；442：固定体；443：旋转轴；444：旋转驱动器；450：光学模块；460：壳体；470：移动单元；472：驱动单元；474：轴；480：头喷嘴；490：示教构件；492：本体；494：栅格；500：激光单元；520：振荡单元；522：倾斜构件；540：扩展器；600：底部反射板；700：成像单元；800：照明单元；900：顶部反射构件；920：第一反射板；940：第二反射板；960：顶部反射板；A：整个区域；AA：设定区域；AK：参考标记；C：参考点；CDP1：第一临界维度；CDP2：第二临界维度；CE：单元；EP：曝光图案；F：容器；M：基板；MC：中心；P1：第一图案；P2：第二图案；S10：示教步骤；
S20：处理步骤；S22：液体处理步骤；S24：加热步骤；S26：冲洗步骤；S30：处理步骤；S32：液体处理步骤；S34：加热步骤；S36：冲洗步骤；S40：示教步骤；T1：第一时间点；T2：第二时间点。
具体实施方式
本发明构思可以进行各种修改并可以具有各种形式，其具体实施方案将在附图中示出并详细描述。然而，根据本发明构思的实施方案并不旨在限制具体公开形式，且应理解，本发明构思包括包含于本发明构思的精神及技术范围内的所有变换、等价物、及替换。在本发明构思的描述中，当相关已知技术的详细描述可能使本发明构思本质不清楚时，可以省略其描述。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方案，并不旨在限制本发明构思。如本文所用，单数形式“一(a)”、“一(an)”及“该(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确规定。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”指定前述特征、整数、步骤、操作、组件、及/或元件的存在，但不排除一或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、元件、及/或其组的存在或添加。如本文所用，术语“及/或(and/or)”包括相关联列出项目中的一者或多者的任何及所有组合。此外，术语“示例性(exemplary)”旨在是指实施例或示出了。
应理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种组件、元件、区、层及/或部分，但这些组件、元件、区、层及/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件、元件、区、层或部分与另一区、层或部分。因此，在不背离本发明构思的教导的情况下，以下讨论的第一组件、元件、区、层或部分可以称为第二组件、元件、区、层或部分。
以下将参考附图详细描述本发明构思的实施方案。
以下将参考图2至图17详细描述本发明构思的实施方案。图2是示意性示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的平面图。
参考图2，基板处理装置1包括索引模块10、处理模块20、及控制器30。根据实施方案，当从上方看时，索引模块10与处理模块20可以沿一方向布置。
以下，索引模块10及处理模块20的布置方向界定为第一方向2，在从上方看时、垂直于第一方向2的方向界定为第二方向4，垂直于包括第一方向2及第二方向4的平面的方向界定为第三方向6。
索引模块10转移基板M。索引模块10在储存基板M的容器F与处理模块20之间转移基板M。举例而言，索引模块10将在处理模块20已完成预定处理的基板M转移至容器F。举例而言，索引模块10将在处理模块20处已完成预定处理的基板从处理模块20转移至容器F。索引模块10的长度方向可以形成于第二方向4上。
索引模块10可以具有装载端口12及索引框架14。储存基板M的容器F定位于装载端口12上。装载端口12可以相对于索引框架14定位于处理模块20的相对侧上。索引模块10中可以设置多个装载端口12。多个装载端口12可以沿第二方向4配置在一条线上。装载端口12的数目可以根据处理模块20的处理效率及占地面积条件等而增加或减少。
可以使用诸如前开式晶圆传送盒(front opening unified pod；FOUP)的密封容器作为容器F。容器F可以通过诸如高架传输机、高架输送机、或自动导引车辆的转移构件(未显示)、或通过操作者放置于装载端口12上。
索引框架14可以具有用于转移基板M的转移空间。索引机械手120及索引轨道124可以设置于索引框架14的转移空间处。索引机械手120转移基板M。索引机械手120可以在索引模块10与待稍后描述的缓冲单元200之间转移基板M。索引机械手120包括索引手部122。
基板M可以放置于索引手部122上。索引手部122可以设置成可以向前及向后移动、可以在垂直方向(例如，第三方向6)上旋转、并可以沿轴向方向移动。多个索引手部122可以设置成放置于索引框架14的转移空间处。多个索引手部122可以在上/下方向上彼此间隔开。多个索引手部122可以彼此独立地向前及向后可移动。
索引轨道124放置于索引框架14的转移空间中。索引轨道124可以设置有平行于第二方向4的其长度方向。索引机械手120可以放置于索引轨道124上，且索引机械手120可以沿索引轨道124可以移动。也就是说，索引机械手可以沿索引轨道124向前及向后移动。
控制器30可以包括由执行基板处理装置1的控制的微处理器(计算机)组成的工艺控制器，诸如操作者透过其可以输入命令来管理基板处理装置的键盘、及显示基板处理装置的操作状况的显示器的用户接口，及存储处理配方，即，用以通过控制工艺控制器来执行基板处理装置1的处理工艺的工艺程序或用以根据数据及处理条件执行基板处理装置的组件的程序的存储器单元。此外，用户接口及存储器单元可以连接至工艺控制器。处理配方可以存储于存储单元的存储媒体中，且存储媒体可以为硬盘、诸如CD-ROM或DVD的可以携式碟、或诸如闪存的半导体存储器。
控制器30可以控制基板处理装置1的组件，从而可以执行下述基板处理方法。举例而言，控制器30可以控制包括于下文提及的腔室400中的组件。
处理模块20可以包括缓冲单元200、转移框架300、及腔室400。
缓冲单元200具有缓冲空间。缓冲空间用作其中暂时保留带入处理模块20的基板M及从处理模块20带出的基板M的空间。缓冲单元200可以布置于索引框架14与转移框架300之间。缓冲单元200可以定位于转移框架300的一末端。其上放置基板M的槽(未显示)可以安装于缓冲单元200中。多个槽(未显示)可以安装于缓冲单元200内。多个槽(未显示)可以彼此垂直间隔开。
在缓冲单元200中，正面及背面打开。正面可以为面对索引框架14的表面。背面可以为面对转移框架300的表面。索引机械手120可以经由正面存取缓冲单元200。待稍后描述的转移机械手320可以经由背面存取缓冲单元200。
转移框架300在缓冲单元200与腔室400之间提供用于转移基板M的空间。转移框架300可以具有在与第一方向2水平的方向上的纵向方向。腔室400可以布置于转移框架300的侧面上。转移框架300及腔室400可以布置于第二方向4上。根据实施方案，腔室400可以布置于转移框架300的两个侧表面上。布置于转移框架300的一侧上的腔室400可以分别沿第一方向2及第二方向4具有A×B(A、B是大于1的自然数或1)的阵列。
转移框架300具有转移机械手320及转移轨道324。转移机械手320转移基板M。转移机械手320在缓冲单元200与腔室400之间转移基板M。转移机械手320包括其上放置基板M的手部322。基板M可以放置于手部322上。手部322可以向前及向后可移动、可以在作为轴的垂直方向(例如，第三方向6)上旋转、并可以在轴向方向(例如，第三方向6)上移动。转移机械手320可以包括多个手部322。多个手部322可以布置成在垂直方向上间隔开。此外，多个手部322可以彼此独立地向前及向后可移动。
转移轨道324可以在转移框架300中形成于与转移框架300的纵向方向水平的方向上。举例而言，转移轨道324的纵向方向可以为与第一方向2水平的方向。转移机械手320放置于转移轨道324上，且转移机械手320可以沿转移轨道324向前及向后移动。
图3示意性示出了从上方看时、图2的腔室中经处理的基板。以下将参考图3详细描述根据本发明构思的实施方案的在腔室400中处理的基板M。
待在图3中所示的腔室400中处理的对象可以为晶圆、玻璃、及光掩模中的任一者。根据本发明构思的实施方案，在腔室400中处理的基板M可以为光掩模，其是在曝光工艺期间使用的“框架”。举例而言，根据实施方案的基板M可以具有矩形形状。参考标记AK、第一图案P1、及第二图案P2可以形成于基板M上。
至少一个参考标记AK可以形成于基板M上。举例而言，参考标记AK是与基板M的拐角的数目相对应的数目，并可以形成于基板M的拐角区域中。
参考标记AK可以用于对准基板M。此外，参考标记AK可以为用于判定待稍后描述的支承单元420在支承工艺期间是否发生变形的标记。另外，参考标记AK可以用于导出由支承单元420支承的基板M的位置信息。举例而言，待稍后描述的成像单元700可以通过对参考标记AK成像来获取包括参考标记AK的图像，并将获取的图像传输至控制器30。控制器30可以通过分析包括参考标记AK的图像来侦测基板M的准确位置、基板是否变形等。此外，当转移机械手320转移基板M时，参考标记AK可以用于导出基板M的位置信息。因此，参考标记AK可以界定为所谓的对准键。
可以在基板M上形成单元CE。可以在基板上形成至少一个单元。可以在多个单元CE中的各者中形成多个图案。在各个单元CE中形成的图案可以包括曝光图案EP及第一图案P1。在各个单元CE处形成的图案(举例而言，第一图案P1及曝光图案EP)可以界定为一个图案组。
曝光图案EP可以用于在基板M上形成实际图案。第一图案P1可以为代表形成于一个单元CE中的曝光图案EP的图案。如果在基板M上形成多个单元CE，则多个第一图案P1可以设置于单元CE处。举例而言，可以在多个单元CE中的各者中形成一第一图案P1。然而，本发明构思不限于此，可以在一个单元CE中形成多个第一图案P1。
第一图案P1可以具有其中组合曝光图案EP中的一些的形状。第一图案P1可以界定为所谓的监测图案。多个第一图案P1的临界维度的平均值可以界定为临界维度监测宏(critical dimension monitoring macro；CDMM)。
如果操作者经由扫描电子显微镜(scanning electron microscope；SEM)来检验在任何一个单元CE中形成的第一图案P1，则估计形成于任何一个单元CE中的曝光图案EP的形状是否良好是可能的。因此，第一图案P1可以用作检验图案。与上述实施例不同，第一图案P1可以为参与实际曝光工艺的曝光图案EP中的任一者。选择性地，第一图案P1可以为检验图案，并可以为同时参与实际曝光工艺的图案。
第二图案P2可以形成于基板M上形成的单元CE外部。举例而言，第二图案P2可以形成于形成多个单元CE的区域的外部区域中。第二图案P2可以为代表形成于基板M上的曝光图案EP的图案。第二图案P2可以界定为锚定图案。可以形成至少一个或更多个第二图案P2。多个第二图案P2可以形成于基板M上。多个第二图案P2可以以串联及/或并联的组合配置。举例而言，可以在基板M上形成五个第二图案P2，且五个第二图案P2可以以两列与三列的组合配置。选择性地，多个第二图案P2可以具有其中组合第一图案P1中的一些的形状。
如果操作者经由扫描电子显微镜(SEM)检验第二图案P2，则估计在一个基板M上形成的曝光图案EP的形状是否良好是可能的。因此，第二图案P2可以用作检验图案。第二图案P2可以为不参与实际曝光工艺的检验图案。此外，第二图案P2可以为用于设定曝光设备的工艺条件的图案。
以下对根据本发明构思的实施方案的腔室400进行解释。此外，在待稍后描述的腔室400中执行的处理工艺可以为用于曝光工艺的掩模制造工艺中的精细临界维度校正(Fine Critical Dimension Correction；FCC)。
此外，在腔室400中处理的基板M可以为已在其上执行预处理的基板。在带入腔室400中的基板M上形成的第一图案P1与第二图案P2的临界维度可以彼此不同。根据实施方案，第一图案P1的临界维度可以比第二图案P2的临界维度相对更大。举例而言，第一图案P1的临界维度可以具有第一宽度(例如，69nm)，第二图案P2的临界维度可以具有第二宽度(例如，68.5nm)。
图4示意性示出了图2的腔室的实施方案。图5示意性示出了当基板由图4的支承单元支承时、从上方看时腔室的状态。图6示意性示出了当基板未由图4的支承单元支承时、从上方看时腔室的状态。
参考图4至图6，腔室400可以包括壳体410、支承单元420、处理容器430、液体供应单元440、及光学模块450。
壳体410可以具有实质上矩形形状。壳体410具有内部空间412。支承单元420、处理容器430、液体供应单元440、及光学模块450可以定位于内部空间412中。
可以在壳体410处形成基板M经由其带出的开口(未显示)。开口(未显示)可以通过未显示的门组件选择性地打开及关闭。壳体410的内壁表面可以涂布有对由待稍后描述的液体供应单元440供应的液体具有高耐腐蚀性的材料。
排气孔414形成于壳体410的底表面上。排气孔414连接至减压构件(未显示)。举例而言，减压构件(未显示)可以为泵。排气孔414排出内部空间412的气氛。此外，排气孔414将内部空间412中产生的诸如颗粒的副产物排放至内部空间412的外部。
支承单元420定位于内部空间412中。支承单元420支承基板M。此外，支承单元420旋转基板M。支承单元420可以包括主体421、支承销422、支承轴423、驱动器424、及示教构件425。
主体421通常可以具有板形状。主体421可以具有带预定厚度的板形状。当从上方看时，主体421的顶表面可以具有实质上圆形形状。主体421的顶表面可以具有比基板M的顶表面及底表面相对更大的面积。
支承销422支承基板M。支承销422可以支承基板M，以将基板M的底表面与主体421的顶表面分离开。当从上方看时，支承销422可以定位于主体421的边缘区域处。主体421的边缘区域可以界定为围绕包括主体421中心的中心区域的区域。支承单元420可以包括多个支承销422。举例而言，可以有四个支承销422。多个支承销422可以各个布置于具有矩形形状的基板M的拐角区域中的各者处。
当从上方看时，支承销422可以具有实质上圆形形状。支承销422可以具一形状，其中对应于基板M的拐角区域的一部分向下凹陷。支承销422可以具有第一表面及第二表面。举例而言，第一表面可以支承基板M的拐角区域的底部末端。此外，第二表面可以面对基板M的拐角区域的侧面末端。因此，如果基板M旋转，则第二表面可以限制基板M的侧向分离。
支承轴423具有在垂直方向上的其长度方向。支承轴423联接至主体421。支承轴423联接至主体421的底部部分。支承轴423可以通过驱动器424在垂直方向上(例如，在第三方向6上)移动。此外，支承轴423可以通过驱动器424旋转。驱动器424可以为马达。如果驱动器424旋转支承轴423，则联接至支承轴423的主体421可以旋转。因此，基板M可以经由支承销422与主体421的旋转一起旋转。
示教构件425可以示教经由待稍后描述的头喷嘴480照射的激光的照射区域的中心位置。此外，示教构件425可以示教经由头喷嘴480对目标对象成像的成像区域的中心位置。
如图6中所示，示教构件425可以包括本体426及栅格427。本体426可以联接至主体421。本体426可以联接至主体421的顶部部分。当从上方看时，本体426可以布置于包括主体421的中心的中心区域中。根据实施方案，本体426与主体421可以整体形成。栅格427可以设置于本体426的顶表面上。根据实施方案，本体426可以具有实质上圆柱形状。然而，本发明构思不限于此，本体426可以变形为各种形状。
栅格427可以定位于本体426的顶表面上。栅格427可以为其上刻有栅格图案的板。参考点C可以显示于栅格427的中心处。当从上方看时，参考点C可以定位成与主体421的中心重叠。此外，在基板M置于支承销422上的状态下，参考点C可以与基板M的中心重叠。也就是说，当从上方看时，参考点C的中心、主体421的中心及由支承单元420支承的基板M中央可以彼此重叠。栅格427与本体426可以整体形成。举例而言，栅格427的顶部末端与本体426的顶部末端可以具有相同的高度。
如图4中所示，在基板M置于支承销422上的状态下，基板M与栅格427可以彼此间隔开。根据实施方案，在基板M置于支承销422上的状态下，基板M的底表面可以定位于栅格427的顶表面的上方。也就是说，如果基板M置于支承销422上，则栅格427及本体426可以布置在不会干扰基板M的位置处。
处理容器430可以具有打开顶部的圆柱形状。具有打开顶部的处理容器430的内部空间用作处理空间431。举例而言，处理空间431可以为其中对基板M进行液体处理及/或热处理的空间。处理容器430可以防止供应至基板M的液体散射至壳体410、液体供应单元440、及光学模块450。
可以在处理容器430的底表面上形成支承轴423插入其中的开口。从上方看时，开口与支承轴423可以重叠。另外，可以在处理容器430的底表面上形成排放孔434，经由排放孔434可以将通过液体供应单元440供应的液体排放至外部。经由排放孔434排放的液体可以转移至未显示的外部再生系统。处理容器430的侧表面可以从处理容器430的底表面向上延伸。处理容器430的顶部末端可以倾斜。举例而言，处理容器430的顶部末端可以相对于地面朝向由支承单元420支承的基板M向上延伸。
处理容器430可以联接至提升/降低构件436。提升/降低构件436可以在垂直方向上(例如，第三方向6上)移动处理容器430。当基板M经液体处理或加热时，提升/降低构件436可以向上移动处理容器430。在这种情况下，处理容器430的顶部末端可以定位为比由支承单元420支承的基板M的顶部末端相对更高。在基板带入内部空间412的情况下，及基板M带出内部空间412的情况下，提升/降低构件436可以向下移动处理容器430。在这种情况下，处理容器430的顶部末端可以比支承单元420的顶部末端相对更低地定位。
液体供应单元440供应液体至基板M。液体供应单元440可以供应处理液体至基板M。举例而言，处理液体可以为蚀刻液体或冲洗液体。蚀刻液体可以为化学品。蚀刻液体可以蚀刻形成于基板M上的图案。蚀刻液体可以称为蚀刻剂。蚀刻剂可以为氨、水、及包括添加有添加剂的混合液体及过氧化氢的液体的混合物。冲洗液体可以清洗基板M。冲洗液体可以作为已知的化学液体提供。
液体供应单元440可以包括喷嘴441、固定体442、旋转轴443、及旋转驱动器444。
喷嘴441将液体供应至由支承单元420支承的基板M。喷嘴441的一末端可以联接至固定体442，而喷嘴441的另一末端可以在远离固定体442的方向上延伸。根据实施方案，喷嘴441的另一末端可以在朝向由支承单元420支承的基板M的方向上以预定角度弯曲并延伸。
如图5及图6中所示，喷嘴441可以包括第一喷嘴441a、第二喷嘴441b、或第三喷嘴441c。第一喷嘴441a、第二喷嘴441b、及第三喷嘴441c可以将不同种类的液体供应至基板M。
举例而言，第一喷嘴441a、第二喷嘴441b、及第三喷嘴441c中的一者可以将上述处理液体中的化学品供应至基板M。此外，第一喷嘴441a、第二喷嘴441b、及第三喷嘴441c可以将上述处理液体中的冲洗液体供应至基板。第一喷嘴441a、第二喷嘴441b、及第三喷嘴441c中的另一者可以供应与由第一喷嘴441a、第二喷嘴441b、第三喷嘴441c中的任一者供应的化学品不同类型或具有不同浓度的化学品。
如图4中所示，固定体442固定并支承喷嘴441。固定体442联接至旋转轴443。旋转轴443的一末端联接至固定体442，而旋转轴443的另一末端联接至旋转驱动器444。旋转轴443具有在垂直方向上(例如第三方向6上)的纵向方向。旋转驱动器444使旋转轴443旋转。如果旋转驱动器444旋转旋转轴443，则联接至旋转轴443的固定体442可以基于垂直方向的轴旋转。因此，喷嘴441的排放端口可以在液体供应位置与备用位置之间移动。液体供应位置可以为液体供应单元440将液体供应至由支承单元420支承的基板M的位置。备用位置可以为一位置，在该位置处液体不会供应至基板M，而是备用。举例而言，备用位置可以为包括处理容器430的外部区域的位置。可以在喷嘴441备用的备用位置处设置原位端口(未显示)，在原位端口处喷嘴441可以备用。
图7是示意性示出了根据图4的实施方案的光学模块的侧视图。图8是示意性示出了根据图4的实施方案的光学模块的俯视图。以下将参考图4至图8详细描述根据本发明构思的实施方案。
如图4中所示，光学模块450定位于内部空间412中。光学模块450加热基板M。光学模块450可以加热经液体供应的基板M。根据实施方案，光学模块450可以将激光照射至一区域，其中形成残留液体的基板M的整个区域中的特定图案。举例而言，光学模块450可以通过用激光照射图3中所示的第二图案P2来加热第二图案P2。形成用激光照射的第二图案P2的区域的温度可能升高。因此，在形成第二图案P2的区域中，通过液体的蚀刻程度可以比在基板M的其他区域中相对更高。
此外，光学模块450可以对照射激光的区域成像。举例而言，光学模块450可以获取包括从待稍后描述的激光单元500照射的激光的区域的图像。
光学模块450可以包括壳体460、移动单元470、头喷嘴480、激光单元500、底部反射板600、成像单元700、照明单元800、及顶部反射构件900。
如图7及图8中所示，壳体460在其中具有安装空间。壳体460的安装空间可以具有从外部密封的环境。在壳体460的安装空间中，可以定位头喷嘴480的一部分、激光单元500、成像单元700、及照明单元800。壳体460保护激光单元500、成像单元700、及照明单元800不受工艺期间产生的副产品或散射液体的影响。头喷嘴480、激光单元500、成像单元700、及照明单元800可以由壳体460模块化。
可以在壳体460的底部处形成开口。待稍后描述的头喷嘴480可以插入形成于壳体460处的开口中。当头喷嘴480插入壳体460的开口中时，头喷嘴480的底部部分可以从壳体460的底部末端突出，如图4及图7中所示。
如图4中所示，移动单元470联接至壳体460。移动单元470移动壳体460。移动单元470可以包括驱动单元472及轴474。
驱动单元472可以为马达。驱动单元472连接至轴474。驱动单元472可以垂直及水平地移动轴474。另外，驱动单元472可以以第三方向6为轴旋转轴474。尽管未显示，但根据实施方案的移动单元470可以包括多个驱动单元。多个驱动单元中的任一者可以为用于旋转轴474的旋转马达，多个驱动单元中的另一者可以为用于水平移动轴474的线性马达，且多个驱动单元中的又一者可以为用于垂直移动轴474的线性马达。
轴474联接至壳体460。当轴474通过驱动单元472在水平方向上移动或旋转时，插入壳体460中形成的开口中的头喷嘴480的位置还可以在水平面上改变。此外，随着轴474在垂直方向上移动，头喷嘴480的高度可以在水平面上改变。
如图7中所示，头喷嘴480可以具有物镜及镜筒。待稍后描述的激光单元500可以经由头喷嘴480照射激光至目标对象。当从上方看时，经由头喷嘴480照射的激光可以具有实质上平坦的顶部形状。
此外，待稍后描述的成像单元700可以经由头喷嘴480对目标对象成像。举例而言，成像单元700可以将激光照射至目标对象的区域成像，并可以获取包括激光的图像。此外，从待稍后描述的照明单元800传输的光可以经由头喷嘴480传输至目标对象。根据实施方案，目标对象可以为由支承单元420支承的基板M。此外，目标对象可以为栅格427。
如图5及图6中所示，头喷嘴480可以通过移动单元470在工艺位置与备用位置之间移动。
根据实施方案，工艺位置可以为形成于由支承单元420支承的基板M上的第二图案P2的顶侧。举例而言，工艺位置可以为从上方看时形成于由支承单元420支承的基板M的第二图形P2上的区域的中心与头喷嘴480的中心重叠的位置。
根据实施方案，示教位置可以为示教构件425的顶侧。举例而言，当从上方看时，示教位置可以为栅格427与头喷嘴480重叠的位置。
根据实施方案，备用位置可以为处理容器430的外部区域。未显示的原位端口可以定位于备用位置。根据实施方案，可以在备用位置中执行调整光学模块450的状态的维护操作。
图7中所示的激光单元500用激光经由头喷嘴480照射至目标对象。举例而言，如果头喷嘴480定位于工艺位置中，则激光单元500将激光经由头喷嘴480照射至由支承单元420支承的基板M上。
如图7中所示，激光单元500可以包括振荡单元520及扩展器540。振荡单元520振荡激光。振荡单元520可以使激光朝向扩展器540振荡。从振荡单元520振荡的激光的输出可以根据工艺要求条件而改变。
可以在振荡单元520中安装倾斜构件522。倾斜构件522可以改变由振荡单元520振荡的激光的振荡方向。根据实施方案，倾斜构件522可以为马达。倾斜构件522可以基于轴旋转振荡单元520。
扩展器540可以包括未显示的多个透镜。扩展器540可以通过改变多个透镜之间的间隔来改变从振荡单元520(振荡器)振荡的激光的发散角度。因此，扩展器540可以改变从振荡单元520振荡的激光的直径。举例而言，扩展器540可以扩大或减小从振荡单元520振荡的激光的直径。激光的直径在扩展器540处改变，因此可以改变激光的轮廓。根据实施方案，扩展器540可以设置为可以变光束扩展器望远镜(variable beam expander telescope；BET)。将在扩展器540中改变直径的激光传输至底部反射板600。
图7中所示的底部反射板600定位于从振荡单元520振荡的激光的动作路径上。根据实施方案，当从侧面观察时，底部反射板600可以定位于与振荡单元520及扩展器540相对应的高度处。此外，当从上方看时，底部反射板600可以定位成与头喷嘴480重叠。此外，当从上方看时，底部反射板600可以定位成与待稍后描述的顶部反射板960重叠。底部反射板600可以布置于顶部反射板960的下方。底部反射板600可以以与顶部反射板960相同的角度倾斜。
底部反射板600可以改变从振荡单元520振荡的激光的动作路径。根据实施方案，底部反射板600可以将在水平方向上移动的激光的动作路径改变为垂直向下方向。动作路径通过底部反射板600改变成垂直向下方向的激光可以传输至头喷嘴480。举例而言，从振荡单元520振荡的激光可以通过依序通过扩展器540、底部反射板600、及头喷嘴480而照射至形成于基板M上的第二图案P2。
图7及图8中所示的成像单元700可以对照射至目标对象的激光成像。成像单元700可以对用激光照射的区域成像。成像单元700可以获取包括用激光照射的区域的目标对象的图像。如图所示，目标对象可以为由支承单元420支承的基板M或栅格427。
成像单元700可以为相机模块。根据实施方案，成像单元700可以为其中焦点经自动调整的相机模块。另外，成像单元700可以为用于照射可以见光或远红外光的相机模块。由成像单元700获取的图像可以为视频及/或照片。成像单元700的成像方向可以指向顶部反射板960。可以通过顶部反射板960将成像单元700的成像方向从水平方向改变为垂直向下方向。举例而言，成像单元700的成像方向可以通过顶部反射板960改变为朝向头喷嘴480的方向。因此，成像单元700可以通过经由头喷嘴480对目标对象成像来获取目标对象的图像。
图8中所示的照明单元800将照明传输至目标对象，使得成像单元700可以容易地获取目标对象的图像。由照明单元800传输的光可以面对待稍后描述的第一反射板920。传输至第一反射板920的光可以依序移动经由第二反射板940及顶部反射板960，以经由头喷嘴480传输至目标对象。
顶部反射构件900可以包括第一反射板920、第二反射板940、及顶部反射板960。
第一反射板920及第二反射板940可以安装于彼此对应的高度处。第一反射板920可以改变由照明单元800传输的光的方向。第一反射板920可以将所接收光在朝向第二反射板940的方向上反射。第二反射板940可以改变由第一反射板920传输的光的方向。第二反射板940可以在朝向顶部反射板960的方向上反射从第一反射板920接收的光。
当从上方看时，顶部反射板960与底部反射板600布置成重叠。顶部反射板960可以设置于底部反射板600的上方。顶部反射板960及底部反射板600可以以与上述相同的角度倾斜。
顶部反射板960可以将成像单元700的成像方向及照明单元800的光传输方向改变为朝向头喷嘴480的方向。因此，成像单元700的成像方向及照明单元800的照明方向可以与激光的照射方向同轴，激光的动作路径已通过底部反射板600改变为朝向头喷嘴480的方向。换言之，当从上方看时，激光单元500经由头喷嘴480照射激光至目标对象的方向、成像单元700经由头喷嘴480对目标对象成像的方向、及照明单元800传输光至目标对象的方向可以重叠。
与上述实施例不同，干燥腔室(未显示)可以进一步布置于转移框架300的一侧上。在干燥腔室(未显示)中，在其上完成液体处理及/或热处理的基板可以在腔室400中干燥。腔室400可以布置于转移框架300的比干燥腔室(未显示)相对邻近缓冲单元200的侧部上。
以下将描述根据本发明构思的实施方案的腔室的经修改实施方案。由于除另外描述的情况以外，根据下述实施方案的腔室与上述腔室的配置基本相同或相似，故将省略对冗余内容的描述。
图9示意性示出了根据图4的另一实施方案的支承单元及示教构件的前视图。图10是图9的示教构件的立体图。
参考图9，可以在包括主体421的中心的中心区域中形成槽。举例而言，主体421的中心区域的顶表面可以比围绕主体421的中心区的边缘区域的顶表面低的阶梯。待稍后描述的示教构件490可以插入主体421的中心区域中。支承销422可以布置于主体421的边缘区域中。
参考图9及图10，示教构件490可以包括本体492及栅格494。本体492可以具有与形成于主体421中的槽相对应的形状。本体492可以插入形成于主体421中的槽中。本体492可以从主体421拆卸。可以在本体492上安装未显示的固定夹具。固定夹具可以将本体492固定至主体421。然而，本发明构思不限于此，且在本体492插入形成于主体421中的槽中之后，可以使用各种已知的方法将本体492固定至主体421。
从本体492的顶表面至底表面的高度可能大于形成于主体421的中心区域中的槽的高度。此外，随着本体492插入主体421的槽中，本体492的顶部部分可以从主体421的边缘区域的顶表面向上突出。此外，在本体492插入主体421的槽中的状态下，本体492的顶部末端可以定位于支承销422的顶部末端的下方。此外，在本体492插入主体421的槽中且基板M置于支承销422上的情况下，本体492的顶部末端可以定位于基板M的底表面的下方。
栅格494可以定位于本体492的顶表面上。栅格494的顶部末端与本体492的顶部末端可以具有相同的高度。因此，当本体492插入主体421的槽中时，栅格494的顶部末端可以定位于支承销422的顶部末端的下方。此外，当本体492插入主体421的槽中且基板M置于支承销422上时，栅格494的顶部末端可以定位于基板M的底表面的下方。
以下将详细描述根据本发明构思的实施方案的基板处理方法。下述基板处理方法可以在根据上述实施方案的腔室400中执行。此外，控制器30可以控制腔室400的组件，以便执行下述基板处理方法。
以下，为了便于理解，将作为实施例描述示教构件联接至支承单元的实施方案，但在参考图9及图10描述的支承单元及示教构件中可以执行相同或类似的机制。
图11是根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图。参考图11，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以包括示教步骤S10及处理步骤S20。示教步骤S10可以在执行处理步骤S20之前执行。举例而言，示教步骤S10可以在将基板M带入腔室400的内部空间412之前执行。
在示教步骤S10中，可以示教经由头喷嘴480照射的激光的中心位置。根据实施方案，当从上方看时，头喷嘴480的中心与经由头喷嘴480照射的激光的中心可以为相同的。因此，在示教步骤S10中，可以通过示教经由头喷嘴480对目标对象成像的成像区域的中心位置来示教经由头喷嘴480照射至目标对象的激光的中心位置。
图12是示意性示出了图11的示教步骤的次序的方框图。图13图示在图11的示教步骤中头喷嘴从栅格的顶侧向上移动的状态。
参考图12及图13，在示教步骤S10中，头喷嘴480在包括支承单元420的中心的中心区域中向上移动。如上前述，示教构件425定位于支承单元420的中心区域中。因此，在示教步骤S10中，头喷嘴480从示教构件425向上移动。根据实施方案，在示教步骤S10中，头喷嘴480从栅格427向上移动。
如果头喷嘴480定位于栅格427的顶侧处，则图4中所示的支承单元420旋转。如果头喷嘴480定位于栅格427的顶侧处，则成像单元700对旋转栅格427成像。成像单元700通过对旋转栅格527成像来获取栅格427的图像。根据实施方案，通过成像单元700获取的栅格427的图像可以为一图像。成像单元700将获取的图像传输至控制器30。
控制器30检查头喷嘴的中心是否与栅格427上显示的参考点C匹配。控制器30可以检查由成像单元700成像的成像区域的中心是否与参考点C匹配，并检查激光照射的中心及头喷嘴的中心是否与参考点C匹配。以下将详细描述控制器30检查成像区域的中心与参考点C是否彼此重合的机制。
图14是处理以时间次序的图13的栅格中经由已向上移动的头喷嘴获取的栅格图像中一设定区域中的图像。
参考图13及图14，控制器30可以设定从成像单元700接收的栅格427的图像的整个区域A的设定区域AA。设定区域AA可以是指包括变为图像的全部区域A中的中心MC的点的区域。用作图像的整个区域A中的中心MC的点可以与由成像单元700成像的成像区域的中心重合。此外，设定区域AA可以具有与显示于栅格427上的参考点C相对应的区域。举例而言，假设中心MC与显示于栅格427上的参考点C定位于同一轴上，则设定区域AA与参考点C在从上方看时可以彼此重叠。
控制器30可以计算通过设定区域AA的栅格数目。根据实施方案，控制器30可以计算在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目。设定时间可以界定为由图4中所示的支承单元420及类似者支承的基板M在执行待稍后描述的处理步骤S20的工艺期间旋转一次所需的时间。然而，上述解释时间的界定仅用于说明目的，而并不限于此。
控制器30计算在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目，并计算所计算栅格数目的变化值。举例而言，如图14中所示，控制器30判定在第一时间点T1处获取的图像中是否有栅格通过设定区域AA，及在第二时间点T2处获取的图像中是否有栅格通过设定区域AA。第二时间点T2可以为从第一时间点T1流逝很短时间的一时间点。
如图14中所示，由于通过控制器30获取的图像是旋转栅格427的图像，故控制器30可以判定在第一时间点T1处有一栅格通过设定区域AA，而在第二时间点T2处没有栅格通过设定区域AA。因此，控制器30可以计算随着从第一时间点T1至第二时间点T2的时间流逝而通过设定区域AA的栅格数目为1。举例而言，如图13中所示，如果由成像单元700通过对栅格427成像而获取的图像的中心MC定位于栅格427的最外部分附近，则控制器30可以计算在设定时间期间通过设定区域的栅格数目为64。
如果在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目不对应于零，则控制器30可以移动头喷嘴480。控制器30可以将头喷嘴480移动至在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目变小的位置。因此，如图13中所示，控制器30可以将定位于栅格427的最外部分附近的头喷嘴480朝向栅格427的中心方向移动。通过控制器30计算的在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目在栅格427的中心区域中比在栅格427的边缘区域中少是自然的。也就是说，控制器30可以在朝向参考点C的方向上移动头喷嘴480。
图15示出了在图11的示教步骤中成像区域的中心移动至栅格的参考点的状态。图16示意性示出了经由图15的头喷嘴获取的栅格的图像中的设定区域中的图像。
控制器30可以移动头喷嘴480，直到在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目变为零。如图15中所示，如果由成像单元700成像的成像区域的中心与参考点C重合，则如图16中所示，从由控制器30获取的图像计算的在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目可以为0。如果在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目变为0，则控制器30停止头喷嘴480的移动并结束示教步骤S10。
返回参考图11，处理步骤S20可以包括液体处理步骤S22、加热步骤S24、及冲洗步骤S26。根据实施方案，液体处理步骤S22与加热步骤S24可以组合起来，以称为蚀刻步骤。在蚀刻步骤中，可以蚀刻形成于基板M上的图案。举例而言，蚀刻形成于基板M上的特定图案(例如，第二图案P2)，使得形成于图3的基板M上的第一图案P1的临界维度与形成于图3的基板M的第二图案P2的临界维度重合是可能的。蚀刻步骤可以为指用于校正第一图案P1与第二图案P2的临界维度之间的差异的临界维度校正工艺。
在液体处理步骤S22中，液体供应单元440可以将是蚀刻剂的化学品供应至由支承单元420支承的基板M。在液体处理步骤S22中，可以将化学品供应至旋转停止的基板M。如果供应化学品至停止旋转的基板M，则可以以足以形成熔池的量供应向基板M供应的化学品。举例而言，如果在液体处理步骤S22中供应化学品至旋转停止的基板M，则供应的化学品的量可以覆盖基板M的整个顶表面，且可以经供应，使得即使化学品没有从基板M流动或向下流动，量也不会大。如果需要，喷嘴441可以在改变其位置的同时将化学品供应至基板M的整个顶表面。
通过供应化学品至基板M完成液体处理步骤S22之后，控制器30可以将光学模块450移动至工艺位置。工艺位置可以预先存储于控制器30中。举例而言，针对各个基板M形成第二图案P2的区域可以不同。因此，如果预处理的基板M带至内部空间412中以通过腔室400处理，则控制器30可以存储从已在其上完成预处理并带入的基板M的中心至基板M上形成第二图案P2的区域的中心的位置坐标。
在示教步骤S10中，控制器30移动头喷嘴480，头喷嘴480的中心与参考点C对准。如上前述，当从上方看时，参考点C可以与由支承单元420支承的基板M的中心重合。因此，控制器30可以使用存储的位置坐标将头喷嘴480的中心从参考点C移动至基板M上形成第二图案P2的区域的中心的顶侧。
当从上方看时头喷嘴480的中心对应于形成第二图案P2的区域的中心时，加热步骤S24开始。在加热步骤S24中，通过用激光照射基板M来加热基板M。根据实施方案，在加热步骤S24中，可以通过将激光照射至基板M上形成的第二图案P2上来加热基板M。
形成用激光照射的第二图案P2的区域的温度可能升高。因此，在形成第二图案P2的区域中已供应的化学品的蚀刻速率可能增加。因此，第一图案P1的临界维度可以从第一宽度(例如，69nm)改变为目标临界维度(例如，70nm)。此外，第二图案P2的临界维度可以从第二宽度(例如，68.5nm)改变为目标临界维度(例如，70nm)。也就是说，在加热步骤S24中，对基板M的部分区域的蚀刻能力得以改善，从而使形成于基板M上的图案的临界维度偏差最小化。
为了对第二图案P2精确地照射激光，头喷嘴480的中心应定位于形成第二图案P2的区域的中心的上方。在示教步骤S10中，将成像区域的中心调整为参考点C。因此，头喷嘴480的中心也调整为参考点C。此外，经由头喷嘴480照射的激光的照射中心调整为参考点C。当从上方看时，参考点C对应于基板M的中心。基板M上形成第二图案P2的区域的中心的坐标是基于基板M的中心计算的。也就是说，根据本发明构思的实施方案，通过在示教步骤S10中准确地示教头喷嘴480的中心作为参考点C，头喷嘴480的中心可以准确地移动至形成第二图案P2的区域的中心的顶侧。因此，在加热步骤S24中，可以通过照射形成第二图案P2的区域来集体且准确地加热第二图案P2。
此外，根据本发明构思的实施方案，可以通过在示教步骤S10中调整成像区域的中心来调整激光的照射中心，从而可以更有效地调整激光照射至目标对象的位置。
在加热步骤S24完成之后，可以执行冲洗步骤S26。在加热步骤S24完成之后，光学模块450可以从工艺位置移动至备用位置。在冲洗步骤S26中，液体供应单元440可以将冲洗液体供应至旋转基板M。在冲洗步骤S26中，可以将冲洗液体供应至基板M以移除附着于基板M的副产物。此外，为了根据需要干燥残留于基板M上的冲洗液体，支承单元420可以通过高速旋转基板M来移除残留于基板M上的冲洗液体。
在上述实施例中，控制器30计算在设定时间期间通过设定区域AA的栅格数目，并使用计算的栅格数目改变成像单元700的成像区域的中心位置，但并不限于此。举例而言，控制器30可以从由成像单元700获取的图像中随着栅格427旋转而改变的栅格的径向形状改变成像单元700的成像区域的中心位置。举例而言，控制器30可以将头喷嘴480从栅格的径向形状有许多改变的位置移动至几乎没有改变的位置。较佳地，控制器30可以将头喷嘴480移动至栅格的径向形状中改变最小化的位置。栅格的径向形状中的改变最小化的位置可以为成像区域的中心与参考点C重合的点。
图17是根据图11的另一实施方案的基板处理方法的流程图。参考图17，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以包括处理步骤S30及示教步骤S40。根据实施方案的处理步骤S30大部分与参考图11描述的处理步骤S20相同或类似，而示教步骤S40大部分与参考图11描述的示教步骤S10相同或类似或更少。然而，根据本发明构思的实施方案的示教步骤S40可以在处理步骤S30完成之后执行。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本领域技术人员可以从说明书及附图清楚地理解未提及的效果。
尽管到目前为止已说明及描述本发明构思的较佳实施方案，但本发明构思不限于上述特定实施方案，并指出，本领域的一般技术人员可以在不背离申请专利范围中所主张的本发明构思的本质的情况下，以各种方式实施本发明构思，且不应将这些修改与本发明构思的技术精神或前景分开解译。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包含：
支承单元，所述支承单元配置为旋转并支承基板；
液体供应单元，所述液体供应单元配置为供应液体至支承于所述支承单元上的所述基板；以及
光学模块，所述光学模块用于加热支承于所述支承单元上的所述基板，
其中，所述支承单元包括示教构件，所述示教构件具有显示与所述支承单元的中心匹配的参考点的栅格。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述示教构件的顶表面定位于支承于所述支承单元上的所述基板的底表面的下方。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述光学模块包括：
激光单元，所述激光单元配置为经由头喷嘴照射激光至支承于所述支承单元上的所述基板；以及
成像单元，所述成像单元配置为通过经由所述头喷嘴对目标对象成像来获取图像。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，经由所述头喷嘴照射的所述激光的照射方向与经由所述头喷嘴对所述目标对象成像的成像方向是同轴的。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包含用于控制所述支承单元及所述光学模块的控制器，
其中，所述控制器将所述头喷嘴移动至以恒定速度旋转的所述示教构件的顶侧，通过对旋转所述示教构件进行成像来获取包括所述栅格的图像，且
计算在设定时间期间通过包括所述图像的整个区域中的所述图像的中心的设定区域的栅格数目，并基于所述栅格数目中的改变将所述头喷嘴的所述中心移动至所述参考点。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述控制器将所述头喷嘴从具有在所述设定时间期间通过所述设定区域的大量栅格的位置移动至具有相对小栅格数目的位置。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，如果在所述设定时间期间通过所述设定区域的所述栅格数目变为0，则所述控制器停止所述头喷嘴的移动。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其中，所述支承单元进一步包含用于支承所述基板的支承销，
所述示教构件定位于包括所述支承单元的中心的中心区域处，且
所述支承销定位于支承所述支承单元的中心区域的边缘区域处。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述示教构件可以从所述支承单元的顶部部分拆卸。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述示教构件联接至所述支承单元的顶部部分。
11.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，所述头喷嘴的中心、经由所述头喷嘴照射的所述激光的中心、及所述成像单元的成像区域的中心彼此匹配。
12.一种基板处理方法，所述基板处理方法包含以下步骤：
在处理空间处处理基板；以及
在所述处理基板之前或之后，调整经由光学模块的头喷嘴照射的激光的中心，
其中，当从上方看时，经由所述光学模块的所述头喷嘴对目标对象成像的成像区域的中心对应于所述激光的所述中心，并且
其中，所述头喷嘴在所述调整所述激光的所述中心时移动，从而当从上方看时，所述成像区域的所述中心对应于在所述处理空间处支承所述基板的支承单元的中心。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，显示与所述支承单元的所述中心相对应的参考点的栅格定位于所述支承单元的顶部部分处。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，所述调整所述激光的所述中心是在所述基板从所述处理空间带出的状态下执行的，且移动所述头喷嘴，从而使所述成像区域的所述中心与所述参考点相对应。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，所述调整所述激光的所述中心将所述头喷嘴移动至以恒定速度旋转的示教构件的顶侧，通过对旋转所述示教构件进行成像来获取包括所述栅格的图像，并且
计算在设定时间期间通过包括所述图像的整个区域中的所述图像的中心的设定区域的栅格数目，并基于所述栅格数目的改变将所述头喷嘴的所述中心移动至所述参考点。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，所述调整所述激光的所述中心将所述头喷嘴从具有在所述设定时间期间通过所述设定区域的大量栅格的位置移动至具有相对小栅格数目的位置，并且
如果在所述设定时间期间通过所述设定区域的所述栅格数目变为0，则停止所述头喷嘴的移动。
17.根据权利要求12至16中任一项所述的基板处理方法，其中，所述处理基板包括供应液体至由所述支承单元支承的基板，并用所述激光加热支承于所述支承单元上的所述基板，并且
所述调整所述激光的所述中心是在所述供应液体之前或在所述加热基板之后执行的。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，所述基板包括具有多个单元的掩模，
所述掩模包括形成于所述多个单元内的第一图案、以及在形成所述多个单元的区域外部形成且不同于所述第一图案的第二图案，并且
其中，所述加热基板将所述激光照射至所述第一图案及所述第二图案中的所述第二图案。
19.一种用于处理具有多个单元的掩模的基板处理装置，所述基板处理装置包含：
支承单元，所述支承单元配置为支承所述掩模，所述掩模具有形成于所述多个单元内的第一图案、以及在形成所述多个单元的区域外部形成且不同于所述第一图案的第二图案；
液体供应单元，所述液体供应单元配置为供应液体至支承于所述支承单元上的所述掩模；以及
光学模块，所述光学模块用于加热支承于所述支承单元上的所述掩模，
其中，所述支承单元包括：
支承销，所述支承销用于支承所述掩模；以及
示教构件，所述示教构件具有显示与所述支承单元匹配的参考点的栅格，
其中，所述光学模块包括：
头喷嘴；
激光单元，所述激光单元配置为经由所述头喷嘴照射激光至所述掩模；及
成像单元，所述成像单元配置为经由所述头喷嘴对目标对象成像，其中，所述示教构件定位于包括所述支承单元的中心的中心区域处，所述支承销定位于围绕所述支承单元的中心区域的边缘区域处，
所述示教构件的顶表面定位于支承于所述支承单元上的所述掩模的底表面的下方，并且
其中，经由所述头喷嘴照射的所述激光的照射方向与经由所述头喷嘴对所述目标对象成像的成像方向是同轴的，且当从上方看时，经由所述头喷嘴照射的所述激光的中心与经由所述头喷嘴对所述目标对象成像的成像区域的中心相对应。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置进一步包含用于控制所述支承单元及所述光学模块的控制器，
其中，所述控制器将所述头喷嘴移动至以恒定速度旋转的所述示教构件的顶侧，通过对旋转所述示教构件进行成像来获取包括所述栅格的图像，并且
计算在设定时间期间通过包括所述图像的整个区域中的所述图像的中心的设定区域的栅格数目，并且直到在所述设定时间期间通过所述设定区域的所述栅格数目变为0，停止所述头喷嘴的移动。
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