CN116364596A - 基板处理设备和方法 - Google Patents

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吴承彦
郑仁基
姜信华
柳相铉
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Abstract

提供了一种基板处理设备，其包括：支撑单元，所述支撑单元支撑基板；液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应到支撑单元上支撑的基板；加热单元，所述加热单元通过将激光照射到支撑单元上支撑的基板上的特定位置来加热所述基板的所述特定位置，并且在所述基板的所述特定位置和偏离所述基板的等待位置之间摆动式移动；坐标单元，所述坐标单元设置在照射端部的下方，其中当加热单元位于等待位置时，所述激光从加热单元照射到照射端部；以及图像模块，所述图像模块监测从加热单元照射的激光，其中所述图像模块计算加热单元在坐标单元上摆动式移动的移动距离，以测量加热单元在纵向方向上的第一长度。

Description

基板处理设备和方法
技术领域
示例性实施方式涉及用于处理基板的设备和方法。
背景技术
为了制造半导体器件，对诸如晶片的基板执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积的各种工艺。各种处理液体和处理气体用于各个工艺。此外，为了从基板上去除用于处理基板的处理液，对基板进行干燥处理。
用于在晶片上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是以期望的图案切割附着到晶片上的半导体集成材料的初步工作。曝光工艺可以有各种目的，例如形成蚀刻图案、形成离子注入图案等。曝光工艺通过使用作为一类“框架”的掩模来用光将图案绘制到晶片中。当晶片上的半导体集成材料(例如，晶片上的抗蚀剂)暴露于光时，抗蚀剂的化学性质根据光和掩模的图案而改变。当将显影液供应到其化学性质根据图案而改变的抗蚀剂时，在晶片上形成图案。
为了精确地执行曝光工艺，应精确地制造掩模中形成的图案。为了以期望的形状或精确地识别图案，工人通过使用诸如扫描电子显微镜(SEM)的检查设备来检查所形成的图案。然而，在一个掩模中形成大量图案。也就是说，为了检查一个掩模，需要大量时间来检查所有的所述大量图案。
因此，在掩模中形成可以表示包括多个图案的一个图案组的监测图案。此外，在掩模中形成可以表示多个图案组的锚定图案。工人可以通过检查锚定图案来估计掩模中形成的图案的缺陷。此外，工人可以通过检查监测图案来估计一个图案组中包括的图案的缺陷。
这样，工人可以有效地缩短通过在掩模中形成的监测图案和锚定图案来检查掩模所需的时间。然而，为了提高掩模检查的精度，优选监测图案和锚定图案的关键尺寸彼此相同。
当执行蚀刻以使监测图案的关键尺寸和锚定图案的临界尺寸彼此相等时，在图案中可能发生过度蚀刻。例如，监测图案的关键尺寸的蚀刻速率与锚定图案的蚀刻速率之间的差异可以发生几次，并且在为了减少这种差异而进行的重复蚀刻监测图案和/或锚定图案的过程中，在监测图案的关键尺寸和锚定图案的关键尺寸中可能发生过度蚀刻。当精确地执行蚀刻工艺以使过度蚀刻的发生最小化时，在该蚀刻工艺中需要大量时间。因此，额外地执行用于精确地校正在掩模中形成的图案的关键尺寸的关键尺寸校正工艺。
图1示出了在执行作为掩模制造工艺中的最后步骤的关键尺寸校正工艺之前，掩模的监测图案的第一关键尺寸CDP1和锚定图案的第二关键尺寸CDP2的正态分布。此外，第一关键尺寸CDP1和第二关键尺寸CDP2的尺寸小于目标关键尺寸。此外，如图1所示，在执行关键尺寸校正工艺之前，在监测图案和锚定图案的关键尺寸(CD)之间有意地给出偏差。此外，在CD校正工艺中额外地蚀刻锚定图案以使两种图案的CD相等。
在CD校正工艺中，将蚀刻化学液供应到基板上，使得第一CD CDP1和第二CD CDP2成为目标CD。然而，当蚀刻化学液均匀地供应到基板上时，即使第一CD CDP1和第二CD CDP2中的任何一者能够到达目标CD，第一CD CDP1和第二CD CDP2中的另一者也难以到达目标CD。此外，CDP1与CDP2之间的偏差不会减小。
同时，为了精确地执行CD校正工艺，需要对将激光照射到基板中的特定位置的光学模块进行精确控制。通常，光学模块移动到预设基板中特定位置的坐标。然而，存在一个问题，即由于在安装腔室中的组件、诸如光学模块时出现的公差，难以将激光准确地照射到基板内的特定位置。
发明内容
本发明的示例性实施方式的目的是提供一种可以有效处理基板的基板处理设备和方法。
此外，本发明的目的是提供一种可以使基板上形成的图案的CD均匀化的基板处理设备和方法。
此外，本发明的示例性实施方式的目的是提供一种其中激光可以精确地移动到基板上的期望目标位置的基板处理设备和方法。
此外，本发明的示例性实施方式的目的是提供一种计算将激光照射到基板的加热单元的长度的方法。
本发明要解决的问题不限于上述问题，本领域技术人员可以从以下描述中清晰地理解未提及的其他技术问题。
本发明的示例性实施方式提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：支撑单元，所述支撑单元支撑基板；液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应到所述支撑单元上支撑的所述基板；加热单元，所述加热单元通过将激光照射到所述支撑单元上支撑的所述基板上的特定位置来加热所述基板的所述特定位置，并且在所述基板的所述特定位置和偏离所述基板的等待位置之间摆动式移动；坐标单元，所述坐标单元设置在照射端部的下方，其中当所述加热单元位于所述等待位置时，所述激光从所述加热单元照射到所述照射端部；以及图像模块，所述图像模块监测从所述加热单元照射的所述激光，并且所述图像模块计算所述加热单元在所述坐标单元上摆动式移动的移动距离以测量所述加热单元在纵向方向上的第一长度。
所述加热单元可以包括：主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端；驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力；以及轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且提供所述主体的摆动运动轴线，并且所述第一长度可以是所述主体基于所述轴的所述摆动运动轴线进行摆动式运动的长度。
所述加热单元包括：主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端；驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力；以及轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且提供所述主体的摆动运动轴线，并且所述第一长度可以是所述轴的所述摆动运动轴线与所述照射端部的中心轴线之间的距离。
所述轴可以联接到所述主体的另一端。
所述加热单元还可以包括：激光模块，所述激光模块设置在所述主体的内侧，并且照射所述激光；以及图像模块，并且所述图像模块可以设置在所述主体的内侧，并且具有与所述激光模块的所述激光的照射方向相同的轴线。
所述坐标单元可以包括：坐标系，其中顶表面设置在与所述支撑单元上支撑的所述基板的顶表面相同的平面上；以及支撑框架，所述支撑框架支撑所述坐标系。
当所述照射端部的所述中心轴线和所述坐标系的中心位置对齐时，所述加热单元可以预定的第一角度摆动式移动。
所述坐标系的所述中心位置的坐标可以是(0，0)。
在所述坐标系上以所述第一角度摆动式移动的所述加热单元可以具有运动坐标；所述运动坐标可以是所述加热单元的所述照射端部的所述中心轴线定位在所述坐标系上的位置坐标；并且所述图像模块可以测量所述运动坐标。
所述图像模块可以通过使用所述运动坐标来计算所述加热单元的所述照射端部的所述中心轴线移动的移动距离。
所述图像模块可以通过使用所述第一角度和所述移动距离来计算所述第一长度。
所述第一长度可以通过以下等式计算，
<等式>
Figure BDA0004023054220000041
其中，R表示所述第一长度，L表示所述移动距离，并且θ表示所述第一角度。
所述坐标系可以提供为线网格。
在所述基板中可以多个单元形成第一图案并且在形成有所述多个单元的区域之外形成与所述第一图案不同的第二图案，并且所述基板的所述特定位置可以具有所述第二图案。
所述设备可以进一步包括：控制器，其中所述控制器可以控制所述加热单元，以便通过向所述第二图案照射所述光来使所述第一图案和所述第二图案的关键尺寸之间的偏差最小化。
本发明的另一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。所述基板处理方法可以包括：工艺准备步骤；和工艺处理步骤，其中在所述工艺准备步骤之后通过由加热单元的激光模块向所述基板照射激光来处理所述基板，并且所述工艺准备步骤可以包括摆动臂长度计算步骤，其中通过使所述加热单元在设置于所述加热单元的照射端部的下方的坐标系上旋转来计算所述加热单元的摆动臂长度。
所述摆动臂长度计算步骤可以包括：使所述坐标系的中心坐标与所述加热单元的所述照射端部的所述中心轴线匹配；使所述加热单元以预定的第一角度旋转；通过设置在所述加热单元的内侧且具有与由所述激光模块照射的所述激光的照射方向相同的轴线的图像模块计算所述加热单元的移动距离；以及通过所述第一角度和所述移动距离计算所述加热单元的摆动臂长度。
由所述图像模块通过所述第一角度和所述移动距离计算所述加热单元的所述摆动臂长度可以通过以下等式来执行，
<等式>
Figure BDA0004023054220000051
其中，R表示所述第一长度，L表示所述移动距离，并且θ表示所述第一角度。
加热单元可以包括：主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端；驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力；以及轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且联接到所述主体的另一端并提供所述主体的摆动运动轴线，并且所述摆动臂长度可以是所述主体基于所述轴的所述摆动运动轴线进行摆动式移动的长度。
所述加热单元可以包括：主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端；驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力；以及轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且联接到所述主体的另一端并提供所述主体的摆动运动轴线，并且所述摆动臂长度可以是所述轴的所述摆动运动轴线与所述照射端部的中心轴线之间的距离。
本发明的还另一个示例性实施方式提供一种基板处理设备。所述基板处理设备可以包括：支撑单元，所述支撑单元支撑基板；液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应到所述支撑单元上支撑的所述基板；加热单元，所述加热单元通过将激光照射到所述支撑单元上支撑的所述基板上的特定位置来加热所述基板的所述特定位置，并且在所述基板的所述特定位置和偏离所述基板的等待位置之间摆动式移动；以及坐标单元，所述坐标单元设置在照射端部的下方，其中当所述加热单元位于所述等待位置时，所述激光从所述加热单元照射到所述照射端部；并且所述加热单元可以包括：主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端，驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力，轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且提供所述主体的摆动运动轴线，激光模块，所述激光模块设置在所述主体的内侧并照射所述激光，以及图像模块，所述图像模块设置在所述主体的内侧，并且监测从所述加热单元照射的所述激光，并且具有与所述激光模块的所述激光的照射方向相同的轴线，所述图像模块计算所述加热单元在所述坐标单元上以预定的第一角度摆动式移动的移动距离以计算所述加热单元在纵向方向上的第一长度。
根据本发明的示例性实施方式，可以有效处理基板。
此外，根据本发明的示例性实施方式，可以使基板上形成的图案的CD均匀化。
此外，根据本发明的示例性实施方式，激光可以精确地移动到基板上的期望目标位置。
此外，根据本发明的示例性实施方式，可以提供一种用于处理基板的设备和方法，其使用摆动式移动的激光和旋转的基板支撑单元，以便精确地照射到目标位置。
此外，根据本发明的示例性实施方式，可以通过计算向基板照射激光的加热单元的长度来精确地控制加热单元。
本发明的效果不限于上述效果，本领域技术人员将从本说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示出监测模式的关键尺寸和锚定模式的关键尺寸的正态分布的图。
图2是示意性示出根据本发明示例性实施方式的用于处理基板的设备的平面图。
图3是示意性示出在图2的液体处理室中处理的基板的视图的图。
图4是示意性示出图2的液体处理室的示例性实施方式的图。
图5是从顶部观察的图4的液体处理室的示意图。
图6是示出图4的加热单元的主体、激光模块、图像模块和光学模块的视图的图。
图7是示出从顶部观察的图6的图像模块的图。
图8是示出图4的液体处理室的坐标单元和支撑单元的图。
图9是示出从顶部观察的图8的坐标单元的图。
图10是根据本发明示例性实施方式的用于处理基板的方法的流程图。
图11是示出在图10的工艺准备步骤中基板处理设备识别激光的照射位置和预设目标位置之间的误差的视图的图。
图12是示出基板处理设备执行图10的位置信息获取步骤的视图的图。
图13是示出基板处理设备执行图10的液体处理步骤的视图的图。
图14是示出基板处理设备执行图10的加热步骤的视图的图。
图15是示出基板处理设备执行图10的冲洗步骤的视图的图。
图16是示意性示出用于计算加热单元的第一长度的方法的流程图。
图17是示出加热单元的第一长度的图。
图18至图20是示意性地示出图16的每个步骤的图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅通过说明的方式示出和描述本发明的示例性实施方式。如本领域技术人员将认识到的，在都不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以各种不同的方式修改所描述的示例性实施方式。在本发明的以下描述中，省略了本文所包含的已知功能和配置的详细描述，以避免使本发明的主题不清楚。此外，相同的附图标记用于在所有附图中执行类似功能和类似动作的部件。
除非明确描述为相反情况，否则“包括”和“包含”或“含有”等变体应理解为包含所说明的元素，但不排除任何其他元素。在本申请中，应当理解，术语“包括”或“具有”表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、组件、部件或其组合，但不预先排除可能存在或添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、组件、部件或者其组合的可能性。
如果上下文中没有明确相反的含义，则单数形式包括复数形式。此外，为了更清楚地解释，附图中的元件的形状、尺寸等可能被夸大。
包括第一、第二等的术语用于描述各种组件，但这些组件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件和另一个组件。例如，第一部件可以被称为第二部件，并且类似地，第二部件可以被称为第一部件，而不脱离本发明的范围。
应当理解，当描述组件“连接”或“接近”另一组件时，该组件可以直接连接或接近该另一组件，或者它们之间可以存在另一组件。相反，应该理解，当描述组件是“直接连接”或者“直接接近”另一组件时，该组件和另一组件之间不存在组件。同时，描述组件关系的其他表达式，即“在……之间”和“直接在……之间”或“邻近”和“直接邻近”等表达也应作类似解释。
如果没有相反的定义，则本文中使用的所有术语(包括技术或科学术语)具有与本领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。在通常使用的词典中定义的术语应被解释为具有与相关技术背景下的含义相同，并且除非在本申请中明确定义，否则不被解释为理想意义或过度正式意义。
以下，将参考图2至图17描述本发明的示例性实施方式。
图2是示意性示出根据本发明示例性实施方式的用于处理基板的设备的平面图。
参考图2，基板处理设备1包括转位模块10、处理模块20和控制器30。当从顶部观察时，转位模块10和处理模块20沿一个方向布置。在下文中，转位模块10和处理模块20放置的方向将被称为第一方向X，当从顶部观察时与第一方向X垂直的方向将称为第二方向Y，并且与第一方向X和第二方向Y两者均垂直的方向被称为第三方向Z。
转位模块10可以将基板M从储存基板M的容器CR传送到处理模块20，并将处理模块20中完成处理的基板M储存在容器CR中。转位模块10的纵向方向被设置为第二方向Y。转位模块20可以包括装载端口12和转位框架14。装载端口12可以定位在基于转位框架14的处理模块20的相对侧。储存基板M的容器CR可以放置在装载端口12上。可以提供多个装载端口12，并且可以在第二方向Y上布置多个装载端12。
可以使用前开式统一吊舱(FOUP)等密封容器作为容器CR。容器CR可以通过诸如高架转运机、高架输送机、自动引导车等运输工具(未图示)或工人放置在装载端口12上。
转位机器人120可以设置在转位框架14中。可以在转位框架14中设置导轨124，其纵向方向设置在第二方向Y上。转位机器人120可以设置为可在导轨124上移动。转位机器人120可以包括放置基板M的手部122。手部122可以设置为可向前和向后移动，可以第三方向Z为轴旋转并且可在第三方向上移动。多个手部122可以设置为在竖直方向上彼此间隔开。多个相应的手部122可以彼此独立地移动。
控制器30可以控制基板处理设备1。控制器30可以包括由执行基板处理设备1的控制的微处理器(计算机)组成的处理机控制器，用于操作命令输入操作等以由操作者管理基板处理设备1的键盘，由用于可视化和显示基板处理设备的移动情况的显示器等组成的用户界面，以及存储有用于通过控制处理机控制器和程序、即用于根据处理条件执行每个配置单元中的处理的处理方案来执行在基板处理设备1中执行的处理的控制程序或各种数据的存储单元。此外，用户界面和存储单元可以连接到过程控制器。处理方案可以存储在存储单元中的存储介质中。存储介质也可以是硬盘，并且还可以是诸如CD-ROM、DVD等的可移动盘，或者诸如闪存的半导体存储器。
控制器30可以控制基板处理设备1，以便执行以下将描述的用于处理基板的方法。例如，控制器30可以控制在液体处理室400中设置的部件，以便执行以下将描述的基板处理方法。
处理模块20可包括缓冲单元200、传送框架300和液体处理室400。缓冲单元200可以提供供装载到处理模块20中的基板M和从处理模块20卸载的基板M暂时停留的空间。传送框架300可以提供在缓冲单元200和液体处理室400之间传送基板M的空间。液体处理室400执行将液体供应到基板M上并对基板M进行液体处理的液体处理过程。处理模块20还可以包括干燥室，并且干燥室可以执行对完成液体处理的基板M进行干燥的干燥过程。
缓冲单元200可以布置在转位框架14和传送框架300之间。缓冲单元200可以位于传送框架300的一端。在缓冲单元200中可以储存多个基板M。可以在缓冲单元200内设置其上放置基板M的槽(未示出)。可以提供多个槽(未示出)。多个槽(未示出)可以在第三方向Z上彼此间隔开。由此，在缓冲单元200中储存的多个基板M可以在第三方向Z上彼此间隔开的同时进行堆叠。
缓冲单元200的正面和背面可以打开。正面可以是面向转位模块10的面，背面可以是面向传送框架300的面。转位机器人120可以通过正面接近缓冲单元200，以下将描述的传送机器人320可以通过背面接近缓冲单元200。
传送框架300的纵向方向可以设置为第一方向X。液体处理室400可以设置在传送框架300两侧。当处理模块20包括干燥室时，液体处理室400可以设置在传送框架300的一侧，而干燥室可以设置在传送框架300的另一侧。液体处理室400和干燥室可以布置在传送框架300的侧部。传送框架300和液体处理室400可以沿第二方向Y布置。传送框架300和干燥室可以沿第二方向Y布置。液体处理室400可以分别在第一方向X和第三方向Z上在传送室300的一侧或两侧以A X B阵列(A和B中的每一者是1或大于1的自然数)设置。干燥室可以分别在第一方向X和第三方向Z上在传送室300的另一侧以A X B阵列(A和B中的每一者是1或大于1的自然数)设置。
传送框架300具有传送机器人320和传送轨道324。传送机器人320可以传送基板M。传送机器人320可以在缓冲单元200和液体处理室400之间传送基板M。此外，传送机器人320可以在缓冲单元200、液体处理室400和干燥室之间传送基板M。传送机器人320可以包括其上放置基板M的传送手部322。基板M可以放置在传送手部322上。传送手部322可以设置成可向前和向后移动，可以第三方向Z为轴旋转，并且可在第三方向Z上移动。可以设置多个手部322以在竖直方向上彼此间隔开。多个手部322可以彼此独立地向前和向后移动。
传送轨道324可以在传送框架300内沿传送框架300的纵向方向设置。作为示例，传送轨道324的纵向方向可以设置在第一方向X上。传送机器人320可以放置在传送轨道324上。传送机器人320可以设置在传送轨道324中，以在传送轨道上324移动。
以下，将详细描述由液体处理室400处理的基板M。
图3是示意性示出在图2的液体处理室中处理的基板的视图的图。
参考图3，由液体处理室400处理的被处理物体可以是晶片、玻璃和光掩模中的任何一种基板。例如，由液体处理室400处理的基板M可以是光掩模，其是曝光过程中使用的“框架”。
基板M可以具有正方形形状。基板M可以是光掩模，其是曝光过程中使用的“框架”。可以在基板M上标记至少一个参考标记AK。例如，可以在基板M的每个角部区域形成多个参考标记AK。作为示例，参考标记AK可包括第一至第四参考标记。参考标记AK可以称为对齐键。参考标记AK可以是使基板M对齐时使用的标记。此外，参考标记AK也可以是用于导出基板M的位置信息的标记。例如，以下将描述的图像模块470可以通过拍摄参考标记AK来获取图像，并将所获取的图像发送到控制器30。控制器30分析包括参考标记AK的图像以检测基板M的准确位置。此外，参考标记AK可以用于在传送基板M时确定基板M的位置。
可以在基板M上形成单元CE。该电池CE可以包括至少一个电池CE。可以形成多个单元CE。可以在每个单元CE中形成多个图案。在每个单元CE中形成的图案可以定义为一个图案组。在单元CE中形成的图案可以包括曝光图案EP和第一图案P1。曝光图案EP可以用于在基板M上形成实际图案。此外，第一图案P1可以是表示在一个单元CE中形成的曝光图案EP的图案。此外，当提供多个单元CE时，可以提供多个第一图案P1。此外，也可以在一个单元CE中形成多个第一图案P1。第一图案P1可以具有其中组合了相应曝光图案EP中的一些的形状。第一图案P1也可以称为监测图案。此外，第一图案P1也可以称为关键尺寸监测微处理器。
当工人通过扫描电子显微镜(SEM)检查第一图案P1时，可以评估在一个单元CE中形成的曝光图案EP的形状是否有缺陷。此外，第一图案P1可以是检查图案。此外，第一图案P1也可以是参与实际曝光过程的曝光图案EP中的任何一个图案。此外，第一图案P1可以是参与实际曝光的曝光图案以及检查图案。
第二图案P2可以是表示在整个基板M上形成的曝光图案EP的图案。例如，第二图案P1可以具有其中组合了相应第一图案P1中的一些的形状。
当工人通过扫描电子显微镜(SEM)检查第二图案P2时，可以评估在一个基板M中形成的曝光图案EP的形状是否有缺陷。此外，第二图案P2可以是检查图案。此外，第二图案P2可以是不参与实际曝光过程的检查图案。第二图案P2也可以称为锚定图案。
在下文中将详细描述在液体处理室400中设置的基板处理设备。此外，在下文中将作为示例描述在液体处理室400中执行的处理工艺执行精细关键尺寸校正(FCC)工艺，所述精细关键尺寸校正(FCC)工艺是制造用于曝光工艺的掩模期间的最后步骤。
在液体处理室400中装载和处理的基板M可以是预处理的基板。装载到液体处理室400中的基板M的第一图案P1和第二图案P2的CD可以彼此不同。例如，第一图案P1的CD可以由第一尺寸形成。第二图案P2的CD可以由第二尺寸形成。第一尺寸可以形成为大于第二尺寸。例如，第一宽度可以是69nm，第二尺寸可以是68.5nm。
图4是示意性地示出图2的液体处理室的示例性实施方式的图，图5是示出从顶部观察的图4的液体处理腔室的图。参考图4和图5，液体处理室400可以包括壳体410、支撑单元420、碗部430、液体供应单元440、加热单元450和坐标单元490。
壳体410可以具有内部空间412。壳体410可以具有其中设置有碗部430的内部空间412。壳体410可以具有其中设置有液体供应单元440和加热单元450的内部空间412。可以在壳体410中形成装载/卸载端口(未示出)，基板M可以通过该端口装载和卸载。装载/卸载端口可以通过门(未示出)选择性地打开/关闭。此外，壳体410的内壁表面可以涂覆有对由液体供应单元440供应的化学品具有耐腐蚀性的材料。可以在壳体410的底表面中形成排气孔414。排气孔414可以连接到诸如能够使内部空间412排气的泵的排气构件。因此，可能在内部空间412中产生的烟雾可以通过排气孔414排出。
支撑单元420可以在处理空间431中支撑基板M，以下将描述的碗部430具有所述处理空间431。支撑单元420可以支撑基板M。支撑单元420可以旋转基板M。
支撑单元420可包括卡盘422、支撑轴424、驱动构件425和支撑销426。支撑销426可以安装在卡盘422中。卡盘422可以具有板形状，所述板具有预定厚度。支撑轴424可以联接到卡盘422的下部。支撑轴424可以是中空轴。此外，支撑轴424可以通过驱动构件425旋转。驱动构件425可以是中空马达。当驱动构件425旋转支撑轴424时，联接到支撑轴424的卡盘422可以旋转。在安装于卡盘422中的支撑销426上放置的基板M可以随着卡盘422的旋转而旋转。
支撑销426可以支撑基板M。支撑销426可包括多个支撑销426。当从顶部观察时，该多个支撑销426可以布置成大致圆形形状。支撑销426可以具有这样的形状，其中当从顶部观察时，与基板M的角部区域相对应的部分向下凹陷。支撑销426可以包括支撑基板M的角部区域的下部的第一面和面向基板M的角部区域的侧部的第二面，以便当基板M旋转时限制基板M的横向移动。可以提供至少一个支撑销426。可以提供多个支撑销426。支撑销426可以与具有正方形形状的基板M的角部区域的数量相对应的数量提供。支撑销426支撑基板M，以使基板M的底部和卡盘422的顶部彼此间隔开。
碗部430可以具有上部开口的圆柱形形状。碗部430可以具有处理空间431，并且基板M可以在处理空间431内进行液体处理和加热处理。碗部430可以防止供应到基板M的处理液被分散并传输到壳体410、液体供应单元440和加热单元450。
碗部430可包括底部433、竖直部分434和倾斜部分435。当从顶部观察时，在底部433中可以形成孔，支撑轴424可以插入该孔中。竖直部分434可以在第三方向Z上从底部433延伸。倾斜部分435可以朝向支撑单元420上支撑的基板M延伸。倾斜部分435可以从竖直部分434向上倾斜地延伸。倾斜部分435可以延伸以从竖直部分434朝向基板M向上倾斜。可以在底部433中形成排放孔432，由液体供应单元440供应的处理液体可以通过该排放孔432排放到外部。此外，碗部430可以联接到提升构件436，并且碗部430的位置可以在第三方向Z上改变。提升构件436可以是使碗部430在竖直方向上移动的驱动装置。提升构件436可以在对基板M进行液体处理和/或加热处理时向上移动碗部430，并且在将基板M装载到内部空间412中或将基板从内部空间412卸载时向下移动碗部430。
液体供应单元440可以供应对处理基板W进行液体处理的处理液。液体供应单元430可以将处理液供应到支撑单元420上支撑的基板W。处理液可以是蚀刻液或冲洗液。蚀刻液可以是化学品。蚀刻液可以蚀刻在基板M上形成的图案。蚀刻液也可以称为蚀刻剂。冲洗液可以清洁基板M。冲洗液可以已知的化学液体提供。
液体供应单元440可以包括喷嘴441、固定主体442、旋转轴443和旋转构件444。
喷嘴411可以将处理液供应到支撑单元420上支撑的基板M。喷嘴411的一端可以联接到固定主体442，并且喷嘴411的另一端可以从固定主体4422朝向基板M延伸。喷嘴411可以在第一方向X上从固定主体442延伸。喷嘴411的另一端可以朝向支撑单元420上支撑的基板M以预定角度弯曲和延伸。
喷嘴411可以包括第一喷嘴411a、第二喷嘴411b和第三喷嘴411c。第一喷嘴411a、第二喷嘴411b和第三喷嘴411c中的任何一者可以供应处理液体中的化学品C。第一喷嘴411a、第二喷嘴411b和第三喷嘴411c中的一者可以供应处理液中的冲洗液R。此外，第一喷嘴411a、第二喷嘴411b和第三喷嘴411c中的另一者可以供应与由第一喷嘴411a、第二喷嘴411b和第三喷嘴411c中的任一者供应的化学品C不同类型的化学品C。
固定主体442可以支撑喷嘴441。固定主体442可以固定喷嘴441。固定主体442可联接到旋转轴443，该旋转轴443通过旋转构件444绕第三方向Z旋转。当旋转构件444旋转旋转轴443时，固定主体442可以绕第三方向Z旋转。因此，喷嘴441的喷射端口可以在向基板M供应处理液的液体供应位置和作为不向基板M提供处理液的位置的等待位置之间移动。
加热单元450可加热基板M。加热单元450可以通过将激光L照射到支撑单元420上支撑的基板M上的特定位置来加热基板M的特定位置。加热单元450可在基板M的特定位置和偏离基板M的等待位置之间摆动式移动。加热单元450可以加热基板M的部分区域。加热单元450可以加热对其供应了化学品C并且形成有液层的基板M。加热单元450可以加热基板M上形成的图案。加热单元450可加热基板M上形成的图案的部分图案。加热装置450可以加热第一图案P1和第二图案P2中的任何一者。例如，加热单元450可以加热第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。即，基板M的特定位置可以是第一图案P1和第二图案P2中的任何一者。作为示例，基板M的特定位置可以是第二图案P2。
加热单元450可以包括主体451、驱动器453、轴454、移动构件455、激光模块460、图像模块470和光学模块480。
主体451可以是其中具有安装空间的容器。以下将描述的激光模块460、图像模块470和光学模块480可以安装在主体451中。此外，主体451可以包括照射端部452。由以下将描述的激光模块460照射的激光L可以通过照射端部452照射到基板M。此外，可以通过照射端部452提供由以下将描述的照明构件472照射的光。此外，可以通过照射端部452实现以下将描述的图像获取部件471的图像拍摄。照射端部452可以设置在主体451的一端，并且以下将描述的轴454可以联接到主体451另一端。
驱动器453可以是马达。驱动器453可以联接到轴454。此外，轴454可以联接到主体451。轴454可以经由移动构件455联接到主体451。驱动器453可以使轴454旋转。当轴454旋转时，主体451可以旋转。因此，可以改变主体451的照射端部452的位置。例如，可以第三方向Z作为旋转轴来改变照射端部452的位置。当从顶部观察时，照射端部452的中心可以在围绕轴454绘制弧形的同时移动。即，加热单元450可以基于轴454的中心轴线摆动式移动。当加热单元450摆动式移动时，轴454可以设置在摆动运动轴线上。当从顶部观察时，照射端部452可以移动，使得照射端部451的中心通过支撑单元420上支撑的基板M的中心。照射端部452可以在向基板M照射激光L的加热位置和当基板M不加热时等待的等待位置之间移动。此外，驱动器453可以向上/向下移动轴454。即，驱动器453可以向上/向下改变照射端部452的位置。此外，提供多个驱动器453，并且任何一个驱动器可以设置为使轴454旋转的旋转马达，而另一个驱动器可以设置为向上/向下移动轴454的线性马达。
在轴4554和主体451之间可以设置移动构件455。移动构件455可以是LM引导件。移动主体455可以在横向方向上移动主体451。移动构件455可以在第一方向X和/或第二方向Y上移动主体451。加热单元450的照射端部452的位置可以通过移动构件455和驱动器453进行各种修改。
图6是示出图4的加热单元、激光模块、图像模块和光学模块的主体的视图的图，图7是示出从顶部观察的图6的图像模块的图。
参考图6和图7，在主体451中可以安装激光照射单元461、光束扩展器462和倾斜构件463。此外，在主体451中可以安装图像模块470。此外，在主体451中可以安装光学模块480。
激光模块460可以包括激光照射单元461、光束扩展器462和倾斜构件463。激光照射单元461可以照射激光L。激光照射单元462可以照射具有直线度的激光L。由激光照射单元461照射的激光L的形状、轮廓等可以由光束扩展器462调节。例如，由激光照射单元461照射的激光L的直径可以通过光束扩展器462改变。由激光照射单元461照射的激光L的直径可以通过光束扩展器462扩大或减小。
倾斜构件463可以使由激光照射单元461照射的激光L的照射方向倾斜。例如，倾斜构件463可以通过使激光照射单元461围绕轴旋转来使由激光照射单元461照射的激光L的照射方向倾斜。倾斜构件463可以包括马达。
图像模块470可以监测由激光照射单元461照射的激光L。图像模块470可以包括图像获取构件471、照明构件472、第一反射板473和第二反射板474。图像获取部件471可以获取基板M和/或以下将描述的坐标单元490的坐标系491的图像。图像获取部件471可以是照相机。图像获取构件471可以是视觉构件。图像获取部件471可以获取包括由激光照射单元461照射的激光L照射到的光斑的图像。
照明构件472可以提供光，以便容易地执行图像获取构件471的图像获取。由照明构件472提供的光可以沿着第一反射板473和第二反射板474依次反射。
当从顶部观察时，光学模块480可以允许由激光照射单元461照射的激光L的照射方向、由图像获取构件471获取的图像的拍摄方向和由照明部件472提供的光的照射方向具有相同的轴。照明构件472可以将光传输到光学模块480向其照射激光L的区域。此外，图像获取构件471可以实时获取激光L照射到的区域的图像，例如视频/照片。光学模块480可以包括第一反射构件481、第二反射构件482和透镜483。
第一反射构件481可以改变由激光照射单元461照射的激光L的照射方向。例如，第一反射构件481可以将沿水平方向照射的激光L的照射方向改变为竖直向下方向。此外，由第一反射构件481折射的激光L可以通过依次穿过透镜483和照射端部452而传输到作为处理对象的基板M。
第二反射构件482可以改变图像获取构件471的拍摄方向。例如，第二反射构件482可以将图像获取构件471的作为水平方向的拍摄方向改变为竖直向下方向。此外，第二反射构件482可以将照明构件472的传输通过第一反射板473和第二反射板474的光的照射方向从水平方向改变为竖直向下方向。
此外，当从顶部观察时，第一反射构件481和第二反射构件482可以设置在相同的位置。此外，第二反射构件482可以设置在第一反射构件481上方。此外，第一反射构件481和第二反射构件482可以相同的角度倾斜。
图8是示出图4的液体处理室的坐标单元和支撑单元的图，图9是示出从顶部观察的图8的坐标单元的图。
参考图8和图9，坐标单元490可以识别激光器L的照射位置和预定目标位置TP之间是否发生误差。例如，坐标单元490可以设置在内部空间412中。此外，当照射端部452处于等待位置时，坐标单元490可以安装在照射端部451下方的区域中。坐标单元490可以包括坐标系491、板492和支撑框架493。
坐标系491也可以称为全局坐标系。坐标系491可以提供为线网格。坐标系491的中心位置A的坐标可以是(0,0)。当加热单元450处于等待位置时，坐标系491可以设置在加热单元450的照射端部452的下方。预定目标位置TP可以在坐标系491中标记。此外，坐标系491可以包括用于识别目标位置TP和激光L照射到的照射位置之间的误差的标尺。
此外，坐标系491可以安装在板492上。板492可以由支撑框架493支撑。由板492和支撑框架493确定的坐标系491的高度可以与在支撑单元420上支撑的基板M的高度相同。例如，从壳体410的底表面到坐标系491的顶表面的高度可以等于从壳体410的底表面到支撑单元420上支撑的基板M顶表面的高度。这是为了使当使用坐标单元490识别误差时照射端部452的高度与当加热基板M时照射端部分452的高度彼此相等。当由激光照射单元461照射的激光L的照射方向与第三方向Z稍微不匹配时，激光L的照射位置可以根据照射端部452的高度而变化，因此坐标系491可以设置在与支撑单元420上支撑的基板M相同的高度处。
在下文中，将详细描述根据本发明示例性实施方式的用于处理基板的方法。以下将描述的基板处理方法可以由液体处理室400执行。此外，控制器30可以控制在液体处理室400中设置的部件，使得液体处理室400可以执行以下将描述的基板处理方法。例如，控制器30可以产生用于控制支撑单元420、提升构件436、液体供应单元440和加热单元450中的至少任何一者的控制信号，使得液体处理室400的部件可以执行以下将描述的基板处理方法。
图10是示出根据本发明示例性实施方式的用于处理基板的方法的流程图。
参考图10，根据本发明示例性实施方式的基板处理方法可以包括基板装载步骤S10、工艺准备步骤S20、位置信息获取步骤S30、蚀刻步骤S40、冲洗步骤S50和基板卸载步骤S60。
在基板装载步骤S10中，门可以打开壳体410中形成的装载/卸载端口。此外，在基板装载步骤S10中，传送机器人320可以将基板M安置在支撑单元420上。当传送机器人320将基板M安置在支撑单元420上时，提升构件436可以使碗部430的位置下降。
可以在完成基板M的装载之后执行工艺准备步骤S20。在工艺准备步骤S20中，可以识别照射到基板M的激光L的照射位置是否发生错误。例如，在工艺准备步骤S20中，激光模块470可以将测试激光L照射到坐标单元490的坐标系491。当由激光模块470照射的测试激光L与如图11所示的坐标系491中标记的预定目标位置TP匹配时，可以确定在激光照射单元461中没有发生失配，并且可以执行以下位置信息获取步骤S30。此外，在处理准备步骤S20中，可以识别激光L的照射位置是否发生错误，并且可以将液体处理室400的部件恢复到初始状态。
此外，工艺准备步骤S20可以包括计算加热单元450的第一长度R的步骤。
在位置信息获取步骤S30中，可以识别基板M的位置。在位置信息获取步骤S30中，可以获取基板M上的图案的位置信息。即，在位置信息获取步骤S30中，可以获取关于基板M的要向其供应化学品C和冲洗液R的位置以及图案的要向其照射激光L的位置的信息。位置信息获取步骤S30中的位置信息可以包括关于基板M中心的坐标和图案位置的坐标的信息。
位置信息获取步骤S30可以通过在等待位置和加热位置之间移动加热单元450的照射端部452，并通过支撑单元420在一个方向上旋转基板M来执行。当照射端部452移动并且基板M沿一个方向旋转时，照射端部451和参考标记AK可以在特定时间彼此匹配，如图12所示。在这种情况下，图像模块470可以获取参考标记AK的图像。控制器30可以通过由图像模块470获取的图像获取参考标记AK的坐标值。此外，控制器30可以预先存储关于基板M的左尺寸和右尺寸及基板M的中心点的坐标数据，以及关于基板M中的第一图案P1、第二图案P2和曝光图案EP的位置的坐标数据。控制器30可以基于所获取的关于参考标记AK的坐标值和上述预存储的数据来获取关于基板M的中心点、第一图案P1和第二图案P2的位置信息。
在蚀刻步骤S40中，可以执行蚀刻基板M上形成的图案。在蚀刻步骤S40中，可以执行蚀刻基板M上形成的图案，使得第一图案P1和第二图案P2的CD彼此匹配。蚀刻步骤S40可以是校正第一图案P1和第二图案P2的CD之间的差异的CD校正工艺。蚀刻步骤S40可以包括液体处理步骤S41和加热步骤S42。
液体处理步骤S41可以是液体供应单元440向基板M供应作为蚀刻剂的化学品C的步骤，如图13所示。在液体处理步骤S41中，支撑单元420可以不旋转基板M。在以下将描述的加热步骤S42中，为了以特定图案精确地照射激光L，应当使基板M的位置的失配最小化，原因是当旋转模板M时，基板M的位置可能发生失配。此外，在液体处理步骤S41中供应的化学品C的量可以被供应到足以形成旋涡。例如，在液体处理步骤S41中供应的化学品C的量可以覆盖基板M的整个顶表面，并且化学品C可以被提供为不从基板向下流动，或者即使化学品C向下流动，量也不多。根据需要，喷嘴441还可以在改变其位置的同时向基板M的整个顶表面供应蚀刻液。
在加热步骤S42中，可以通过向基板M照射激光L来加热基板M。在加热步骤S42中，可以通过向其中通过供应化学品C而形成液层的基板M照射激光L来加热基板M。在加热步骤S42中，激光L可以照射到基板M的特定区域。激光L照射到的特定区域的温度可以升高。因此，可以增加化学物质C对照射有激光L的区域的蚀刻程度。此外，在加热步骤S42中，可以向第一图案P1和第二图案P2中的任何一者照射激光L。例如，激光L可以仅照射到第一图案P1和第二图案P2中的第二图案P2。因此，增强了化学品C对第二图案P2的蚀刻能力。因此，第一图案P1的CD可以从第一CD(例如，69nm)改变为目标CD(例如70nm)。此外，第二图案P2的CD可以从第二CD(例如68.5nm)改变为目标CD(例如70nm)。也就是说，增强了基板M的部分区域的蚀刻能力，以使基板M上形成的图案的CD偏差最小化。
在冲洗步骤S50中，可以从基板M去除蚀刻步骤S40中产生的工艺副产物。在冲洗步骤S40中，将冲洗液R供应到旋转的基板M，以去除在基板M上形成的工艺副产品，如图15所示。为了根据需要干燥残留在基板M上的冲洗液R，支撑单元420以高速旋转基板M以去除残留在基板M上的冲洗液R。
在基板卸载步骤S60中，完成处理的基板M可以从内部空间412卸载。在基板卸载步骤S60中，门可以打开壳体410中形成的装载/卸载端口。此外，在基板卸载步骤S60中，传送机器人320可以从支撑单元420卸载基板M，并从内部空间412卸载所卸载的基板M。
在下文中，将详细描述用于计算加热单元450的第一长度R的方法。
图16是示意性示出用于计算加热单元的第一长度的方法的流程图，图17是示出加热单元的第一长度的图，图18至图20是示意性地示出图16的每个步骤的图。
用于计算加热单元450的第一长度R的方法可以由图像模块470执行。用于计算加热单元450的第一长度R的方法可以由图像获取构件471执行。用于计算加热单元450的第一长度R的方法可以由图像模块470和控制器30执行。
参考图16，用于计算加热单元450的第一长度R的方法(摆动臂长度计算方法)可以包括使坐标系491的中心坐标A与加热单元450的照射端部452的中心轴匹配的步骤S21。
加热单元450的第一长度R可以是指主体451基于轴454的摆动运动轴线进行摆动式移动的长度。作为示例，参考图17，第一长度R可以表示轴454的摆动运动轴线与照射端部452的中心轴线之间的距离。在图18至图20中，为了便于描述，主体451被示为直线，照射端部452和轴454被示意性地示为圆形。
参考图16和图18，用于计算加热单元450的第一长度R的方法(摆动臂长度计算方法)可以包括使坐标系491的中心与加热单元450的中心对齐的步骤S21。使坐标系491的中心与加热单元450的中心对齐是指使坐标系491的中心位置A与加热单元450的照射端部452的中心轴线匹配。使坐标系491的中心与加热单元450的中心对齐是指使坐标系491的中心位置A与通过照射端部452拍摄的图像模块470的拍摄方向(拍摄轴线)匹配。由此，可以通过图像模块470执行用于计算加热单元450的第一长度R的方法(摆动臂长度计算方法)。。
当加热单元450处于等待位置时，坐标单元490可以设置在加热单元450的照射端部452的下方。在这种情况下，加热单元450的照射端部452的中心轴线与坐标系491的中心位置A可以彼此匹配。然而，当加热单元450的照射端部452的中心轴线与坐标系491的中心位置A彼此不匹配时，照射端部452的中心轴线与坐标系491的中心位置A彼此对齐。因此，图像模块470的拍摄轴线可以与坐标系491的中心位置A匹配。
参考图16和图19，用于计算加热单元450的第一长度R的方法(摆动臂长度计算方法)可以包括使加热单元450以预定的第一角度θ旋转的步骤S22。作为用于计算第一长度R的值集的第一长度θ以先前已知的值提供。此外，第一角度θ提供为照射端部452可在坐标系491内移动的角度。
参考图16和图20，用于计算加热单元450的第一长度R的方法(摆动臂长度计算方法)可以包括校正加热单元450的移动长度L的步骤S23。移动距离L的计算可以由设置在加热单元450内部并且具有与由激光模块460照射的激光L的照射方向相同的轴线的图像模块470来执行。可以在坐标系491上计算移动距离L。图像模块470可以首先计算以第一角度θ移动的照射端部452的中心轴线所定位的移动位置G的坐标。图像模块470可以计算从坐标系491的中心位置A的坐标(0,0)的X轴方向移动距离Δx和从中心位置A的坐标(0,0)的y轴方向移动距离Δy。在这种情况下，以第一角度θ移动的照射端部452的中心轴线所定位的移动位置G的坐标可以是(Δx，Δy)。当导出移动位置G的坐标时，图像模块470可以计算移动距离L。移动距离L可以是中心位置A的坐标(0,0)与移动位置G的坐标(Δx，Δy)之间的直线距离。移动距离L可以通过已知的等式来计算。
参考图16和图20，用于计算加热单元450的第一长度R的方法(摆动臂长度计算方法)可以包括计算加热单元450的第一长度R(摆动臂长度)的步骤S24。图像模块470可以通过移动距离L计算加热单元450的第一长度R(摆动臂长度)。第一长度R(摆动臂长度)可以通过以下等式计算。然而，第一长度R不限于此，并且可以通过另一已知等式来计算。
<等式>
Figure BDA0004023054220000221
需要精确地控制加热单元450，以便通过使用摆动式移动的加热单元450将激光L照射到基板M内的特定位置。需要精确地知道加热单元450的长度(摆动臂长度)，以对加热单元450进行可靠操作控制。通常，摆动臂长度以先前已知的值提供。然而，由于在摆动臂的制造过程中或在将仪器安装在腔室中的过程中出现公差，因此摆动臂的设计值和实际长度值彼此不同，因此出现误差。为了纠正误差，需要测量摆动臂的实际长度R。此外，即使对于摆动臂的可靠操作控制，也需要精确测量长度R。因此，根据本发明的示例性实施方式，当摆动臂旋转时，可以通过图像模块测量坐标系上的移动量，并且可以通过移动量计算摆动臂长度。由此，可以精确地控制摆动臂，此外可以通过摆动臂将激光精确地照射到基板上的特定位置。
上述详细描述说明了本发明。此外，上述内容示出并描述了本发明的示例性实施方式，并且本发明可以用于各种其他组合、修改和环境中。也就是说，上述内容可以在本说明书中公开的本发明的概念的范围内、与本公开的范围等效的范围内和/或本领域的技术或知识的范围内进行修改或修正，并且在本发明的特定应用领域和用途中所需的各种改变是可能的。因此，以上对本发明的详细描述并不旨在将本发明限制于所公开的实施方式。此外，所附权利要求也应被解释为包括其他示例性实施方式。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，所述设备包括：
支撑单元，所述支撑单元支撑基板；
液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应到所述支撑单元上支撑的所述基板；
加热单元，所述加热单元通过将激光照射到所述支撑单元上支撑的所述基板上的特定位置来加热所述基板的所述特定位置，并且在所述基板的所述特定位置和偏离所述基板的等待位置之间摆动式移动；
坐标单元，所述坐标单元设置在照射端部的下方，其中当所述加热单元位于所述等待位置时，所述激光从所述加热单元照射到所述照射端部；以及
图像模块，所述图像模块监测从所述加热单元照射的所述激光，
其中所述图像模块计算所述加热单元在所述坐标单元上摆动式移动的移动距离，并且测量所述加热单元在纵向方向上的第一长度。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加热单元包括：
主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端，
驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力，以及
轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且提供所述主体的摆动运动轴线，并且
所述第一长度是所述主体基于所述轴的所述摆动运动轴线进行摆动式运动的长度。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热单元包括：
主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端，
驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力，以及
轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且提供所述主体的摆动运动轴线，并且
所述第一长度是所述轴的所述摆动运动轴线与所述照射端部的中心轴线之间的距离。
4.根据权利要求2或3所述的设备，其中所述轴联接到所述主体的另一端。
5.根据权利要求2或3所述的设备，其中所述加热单元还包括：
激光模块，所述激光模块设置在所述主体的内侧，并且照射所述激光，以及
图像模块，并且
所述图像模块设置在所述主体的内侧，并且具有与所述激光模块的所述激光的照射方向相同的轴线。
6.根据权利要求2或3所述的设备，其中所述坐标单元包括：
坐标系，其中顶表面设置在与所述支撑单元上支撑的所述基板的顶表面相同的平面上，以及
支撑框架，所述支撑框架支撑所述坐标系。
7.根据权利要求6所述的设备，其中当所述照射端部的所述中心轴线和所述坐标系的中心位置对齐时，所述加热单元以预定的第一角度摆动式移动。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述坐标系的所述中心位置的坐标是(0，0)。
9.根据权利要求7所述的设备，其中在所述坐标系上以所述第一角度摆动式移动的所述加热单元具有运动坐标，
所述运动坐标是所述加热单元的所述照射端部的所述中心轴线定位在所述坐标系上的位置坐标，并且
所述图像模块测量所述运动坐标。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述图像模块通过使用所述运动坐标来计算所述加热单元的所述照射端部的所述中心轴线移动的移动距离。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述图像模块通过使用所述第一角度和所述移动距离来计算所述第一长度。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一长度通过以下等式计算，
<等式>
Figure FDA0004023054210000031
其中，R表示所述第一长度，L表示所述移动距离，并且θ表示所述第一角度。
13.根据权利要求6所述的设备，其中所述坐标系提供为线网格。
14.根据权利要求1所述的设备，其中在所述基板中以多个单元形成第一图案并且在形成有所述多个单元的区域之外形成与所述第一图案不同的第二图案，并且
所述基板的所述特定位置具有所述第二图案。
15.根据权利要求14所述的设备，其进一步包括：
控制器，
其中所述控制器控制所述加热单元，以便通过向所述第二图案照射所述光来使所述第一图案和所述第二图案的关键尺寸之间的偏差最小化。
16.一种基板处理方法，所述方法包括：
工艺准备步骤；和
工艺处理步骤，其中在所述工艺准备步骤之后通过由加热单元的激光模块向所述基板照射激光来处理所述基板，
其中所述工艺准备步骤包括摆动臂长度计算步骤，其中通过使所述加热单元在设置于所述加热单元的照射端部的下方的坐标系上旋转来计算所述加热单元的摆动臂长度。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述摆动臂长度计算步骤包括：
使所述坐标系的中心坐标与所述加热单元的所述照射端部的所述中心轴线匹配，
使所述加热单元以预定的第一角度旋转，
通过设置在所述加热单元的内侧且具有与由所述激光模块照射的所述激光的照射方向相同的轴线的图像模块计算所述加热单元的移动距离，以及
通过所述第一角度和所述移动距离计算所述加热单元的摆动臂长度。
18.根据权利要求17所述的方法，其中由所述图像模块通过所述第一角度和所述移动距离计算所述加热单元的所述摆动臂长度通过以下等式来执行，
<等式>
Figure FDA0004023054210000041
其中，R表示所述第一长度，L表示所述移动距离，并且θ表示所述第一角度。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述加热单元包括：
主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端，
驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力，以及
轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且联接到所述主体的另一端并提供所述主体的摆动运动轴线，并且
所述摆动臂长度是所述轴的所述摆动运动轴线与所述照射端部的中心轴线之间的距离。
20.一种基板处理设备，所述设备包括：
支撑单元，所述支撑单元支撑基板；
液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应到所述支撑单元上支撑的所述基板；
加热单元，所述加热单元通过将激光照射到所述支撑单元上支撑的所述基板上的特定位置来加热所述基板的所述特定位置，并且在所述基板的所述特定位置和偏离所述基板的等待位置之间摆动式移动；以及
坐标单元，所述坐标单元设置在照射端部的下方，其中当所述加热单元位于所述等待位置时，所述激光从所述加热单元照射到所述照射端部，其中所述加热单元包括：
主体，所述主体具有设置有所述照射端部的一端，
驱动器，所述驱动器提供用于使所述主体摆动式移动的动力，
轴，所述轴设置在所述主体和所述驱动器之间，并且提供所述主体的摆动运动轴线，
激光模块，所述激光模块设置在所述主体的内侧并照射所述激光，以及
图像模块，所述图像模块设置在所述主体的内侧，并且监测从所述加热单元照射的所述激光，并且具有与所述激光模块的所述激光的照射方向相同的轴线，
所述图像模块计算所述加热单元在所述坐标单元上以预定的第一角度摆动式移动的移动距离，并且计算所述加热单元在纵向方向上的第一长度。
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