JP5449672B2 - 投影光学系、露光装置、および露光方法 - Google Patents

投影光学系、露光装置、および露光方法 Download PDF

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Description

本発明は、投影光学系、露光装置、および露光方法に関し、特に半導体素子や液晶表示素子などのマイクロデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される露光装置に好適な投影光学系に関するものである。
半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程において、マスク（またはレチクル）のパターン像を、投影光学系を介して、感光性基板（フォトレジストが塗布されたウェハ、ガラスプレート等）上に投影露光する露光装置が使用されている。露光装置では、半導体素子等の集積度が向上するにつれて、投影光学系に要求される解像力（解像度）が益々高まっている。
そこで、投影光学系の解像力に対する要求を満足するために、照明光（露光光）の波長λを短くするとともに、投影光学系の像側開口数ＮＡを大きくする必要がある。具体的には、投影光学系の解像度は、ｋ・λ／ＮＡ（ｋはプロセス係数）で表される。また、像側開口数ＮＡは、投影光学系と感光性基板との間の媒質（通常は空気などの気体）の屈折率をｎとし、感光性基板への最大入射角をθとすると、ｎ・sinθで表される。
この場合、最大入射角θを大きくすることにより像側開口数の増大を図ろうとすると、感光性基板への入射角および投影光学系からの射出角が大きくなり、光学面での反射損失が増大して、大きな実効的な像側開口数を確保することはできない。そこで、投影光学系と感光性基板との間の光路中に屈折率の高い液体のような媒質を満たすことにより像側開口数の増大を図る液浸技術が知られている（たとえば特許文献１）。
国際公開第ＷＯ２００４／０１９１２８号パンフレット
上述のように、露光装置用の投影光学系の解像力を向上させる手法として、気体よりも屈折率の高い液体などの媒質で像空間を埋めることにより１を超えるような大きな像側開口数を確保する技術が知られている。一方、マイクロリソグラフィーにおいてチップコストを無視した微細パターン形成は成り立たず、現在最も有力な液浸リソグラフィシステムとして、投影光学系の像空間の限定された部分にのみ液体を供給排出する機構を設けた、いわゆる局所液浸システムが主流である。この場合、投影光学系の像空間において液体（浸液）が介在する範囲をできるだけ小さく抑えることが、基板ステージ（ウェハステージ）の巨大化の回避やアライメント光学系の精度の向上などに有利である。
また、像側開口数が例えば１．２を超えるような液浸投影光学系では、ペッツバール条件を成立させて像の平坦性を得るという観点から反射屈折光学系の採用が望ましく、あらゆるパターンへの対応力の観点から有効視野領域および有効投影領域が光軸を含まない軸外視野光学系の採用が望ましい。反射屈折型で軸外視野型の液浸投影光学系を採用する場合、従来の屈折型の投影光学系よりも最大像高が大きくなる。その結果、投影光学系中の最も像側に配置される屈折光学素子の射出面を従来技術にしたがって光軸に関して回転対称な形状に形成すると、投影光学系の像空間において液体が介在する範囲が大きくなり、ひいては基板ステージの巨大化やアライメント光学系の精度低下などを招いてしまう。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、たとえば反射屈折型で且つ軸外視野型であって、像空間において液体（浸液）が介在する範囲を小さく抑えることのできる液浸型の投影光学系を提供することを目的とする。また、本発明は、像空間において液体が介在する範囲を小さく抑えることのできる高解像な液浸投影光学系を用いて、基板ステージの巨大化やアライメント光学系の精度低下などを招くことなく、微細なパターンを高精度に投影露光することのできる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、第１面の像を液体を介して第２面に投影する投影光学系において、
前記投影光学系は、最も前記第２面側に配置された屈折光学素子を備え、
前記屈折光学素子の射出面は、前記第２面上の有効投影領域の形状に応じて、前記投影光学系の光軸に関して回転非対称な形状を有することを特徴とする投影光学系を提供する。ここで、「回転非対称な形状」とは、「無限回回転対称な形状以外の形状」を指す。
本発明の第２形態では、第１面の像を液体を介して第２面に投影する投影光学系において、
前記投影光学系は、最も前記第２面側に配置された屈折光学素子を備え、
前記屈折光学素子の射出面は、前記投影光学系の光軸に関して２回回転対称な形状を有することを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第３形態では、第１面の像を液体を介して第２面に投影する投影光学系において、
前記投影光学系は、最も前記第２面側に配置された屈折光学素子を備え、
前記屈折光学素子の射出面は前記第２面上において直交する２つの軸線方向に関してほぼ対称な形状を有し、前記射出面の中心軸線と前記屈折光学素子の入射面の外周に対応する円の中心軸線と前記光軸とはほぼ一致していることを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第４形態では、第１面の像を液体を介して第２面に投影する投影光学系において、
前記投影光学系は、最も前記第２面側に配置された屈折光学素子を備え、
前記屈折光学素子の射出面は、前記投影光学系の光軸に関して１回回転対称な形状を有することを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第５形態では、第１面の像を液体を介して第２面に投影する投影光学系において、
前記投影光学系は、最も前記第２面側に配置された屈折光学素子を備え、
前記屈折光学素子の射出面は前記第２面上において直交する２つの軸線方向に関してほぼ対称な形状を有し、前記射出面の中心軸線と前記屈折光学素子の入射面の外周に対応する円の中心軸線とはほぼ一致し、前記射出面の中心軸線は前記２つの軸線方向のうちの一方の軸線方向に沿って前記光軸から偏心していることを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第６形態では、第１面の像を液体を介して第２面に投影する投影光学系において、
前記投影光学系は、最も前記第２面側に配置された屈折光学素子を備え、
前記屈折光学素子の射出面は前記第２面上において直交する２つの軸線方向のうちの一方の軸線方向に関してほぼ対称で且つ他方の軸線方向に関して非対称な形状を有し、前記屈折光学素子の入射面の外周に対応する円の中心軸線と前記光軸とはほぼ一致し、前記射出面の中心軸線は前記一方の軸線方向に沿って前記光軸から偏心していることを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第７形態では、第１面の像を液体を介して第２面に投影する投影光学系において、
前記投影光学系は、最も前記第２面側に配置された屈折光学素子を備え、
前記屈折光学素子の射出面は前記第２面上において直交する２つの軸線方向に関してほぼ対称な形状を有し、前記屈折光学素子の入射面の外周に対応する円の中心軸線と前記光軸とはほぼ一致し、前記射出面の中心軸線は前記２つの軸線方向のうちの一方の軸線方向に沿って前記光軸から偏心していることを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第８形態では、第１面の像を液体を介して第２面に投影する投影光学系において、
前記投影光学系は、最も前記第２面側に配置された屈折光学素子を備え、
前記第２面上において直交する２つの軸線方向を設定するとき、一方の軸線方向についての前記屈折光学素子の射出面の長さと、他方の軸線方向についての前記射出面の長さとは互いに異なる長さであることを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第９形態では、前記第１面に設定された所定のパターンからの照明光に基づいて、前記パターンの像を前記第２面に設定された感光性基板上に投影するための第１形態〜第８形態の投影光学系を備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
本発明の第１０形態では、所定のパターンを前記第１面に設定する設定工程と、
前記所定のパターンからの照明光に基づいて、第１形態〜第８形態の投影光学系を介して前記パターンの像を前記第２面に設定された感光性基板上に投影露光する露光工程とを含むことを特徴とする露光方法を提供する。
本発明の第１１形態では、第１形態〜第８形態の投影光学系を介して前記第１面に設定されたパターンの像を前記第２面に設定された感光性基板上に投影露光する露光工程と、
前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
本発明の第１２形態では、第１面の像を第２面に形成する液浸対物光学系に用いられて、一方の光学面が液体に接する屈折光学素子において、
前記屈折光学素子の前記一方の光学面は、前記第２面上の有効投影領域の形状に応じて、前記液浸対物光学系の光軸に関して回転非対称な形状を有することを特徴とする屈折光学素子を提供する。
本発明の第１３形態では、第１面の像を第２面に形成する液浸対物光学系に用いられて、一方の光学面が液体に接する屈折光学素子において、
前記第２面上において直交する２つの軸線方向を設定するとき、一方の軸線方向についての前記屈折光学素子の前記一方の光学面の長さと、他方の軸線方向についての前記一方の光学面の長さとは互いに異なる長さであることを特徴とする屈折光学素子を提供する。
本発明の典型的な形態にしたがう液浸型の投影光学系は、たとえば反射屈折型で且つ軸外視野型であって、最も像面側に配置された屈折光学素子の射出面が、像面上の有効投影領域の形状に応じて、光軸に関して回転非対称な形状を有する。具体的には、当該屈折光学素子の射出面は、たとえば像面上において直交する２つの軸線方向に関してほぼ対称な形状を有し、射出面の中心軸線と屈折光学素子の入射面の外周に対応する円の中心軸線とはほぼ一致し、射出面の中心軸線は上記２つの軸線方向のうちの一方の軸線方向に沿って光軸から偏心している。
その結果、本発明の投影光学系では、最も像面側に配置された屈折光学素子の射出面が有効投影領域の形状に応じて回転非対称な形状に形成されているので、像空間において液体（浸液）が介在する範囲を小さく抑えることができる。また、本発明の露光装置および露光方法では、像空間において液体が介在する範囲を小さく抑えることのできる高解像な液浸投影光学系を用いているので、基板ステージの巨大化やアライメント光学系の精度低下などを招くことなく、微細なパターンを高精度に投影露光することができ、ひいては良好なマイクロデバイスを高精度に製造することができる。
本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。 本実施形態においてウェハ上に形成される矩形状の静止露光領域と基準光軸との位置関係を示す図である。 本実施形態の各実施例における境界レンズとウェハとの間の構成を模式的に示す図である。 本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。 第１実施例の投影光学系における横収差を示す図である。 本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。 第２実施例の投影光学系における横収差を示す図である。 最も像側に配置される屈折光学素子の射出面を従来技術にしたがって回転対称な形状に形成したときの不都合を具体的に説明するための図である。 本実施形態の各実施例における液中平行平面板の構成を概略的に示す図である。 本実施形態の第１変形例にかかる液中平行平面板の構成を概略的に示す図である。 本実施形態の第２変形例にかかる液中平行平面板の構成を概略的に示す図である。 本実施形態の第３変形例にかかる液中平行平面板の構成を概略的に示す図である。 マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法のフローチャートである。 マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法のフローチャートである。
符号の説明
Ｒ レチクル
ＲＳＴ レチクルステージ
ＰＬ 投影光学系
Ｌｂ 境界レンズ
Ｌｐ 液中平行平面板
Ｌｍ１，Ｌｍ２ 純水（液体）
Ｗ ウェハ
１ 照明光学系
９ Ｚステージ
１０ ＸＹステージ
１２ 移動鏡
１３ ウェハレーザ干渉計
１４ 主制御系
１５ ウェハステージ駆動系
２１ 第１給排水機構
２２ 第２給排水機構
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図１では、Ｘ軸およびＹ軸がウェハＷに対して平行な方向に設定され、Ｚ軸がウェハＷに対して直交する方向に設定されている。さらに具体的には、ＸＹ平面が水平面に平行に設定され、＋Ｚ軸が鉛直方向に沿って上向きに設定されている。
本実施形態の露光装置は、図１に示すように、たとえば露光光源であるＡｒＦエキシマレーザ光源を含み、オプティカル・インテグレータ（ホモジナイザー）、視野絞り、コンデンサレンズ等から構成される照明光学系１を備えている。光源から射出された波長１９３ｎｍの紫外パルス光からなる露光光（露光ビーム）ＩＬは、照明光学系１を通過し、レチクル（マスク）Ｒを照明する。レチクルＲには転写すべきパターンが形成されており、パターン領域全体のうちＸ方向に沿って長辺を有し且つＹ方向に沿って短辺を有する矩形状（スリット状）のパターン領域が照明される。
レチクルＲを通過した光は、液浸型の投影光学系ＰＬを介して、フォトレジストが塗布されたウェハ（感光性基板）Ｗ上の露光領域に所定の縮小投影倍率でレチクルパターンを形成する。すなわち、レチクルＲ上での矩形状の照明領域に光学的に対応するように、ウェハＷ上ではＸ方向に沿って長辺を有し且つＹ方向に沿って短辺を有する矩形状の静止露光領域（実効露光領域）にパターン像が形成される。
図２は、本実施形態においてウェハ上に形成される矩形状の静止露光領域（すなわち実効露光領域）と基準光軸との位置関係を示す図である。本実施形態では、図２に示すように、基準光軸ＡＸを中心とした半径Ｂを有する円形状の領域（イメージサークル）ＩＦ内において、基準光軸ＡＸからＹ方向に軸外し量Ａだけ離れた位置に所望の大きさを有する矩形状の実効露光領域ＥＲが設定されている。
ここで、実効露光領域ＥＲのＸ方向の長さはＬＸであり、そのＹ方向の長さはＬＹである。したがって、図示を省略したが、レチクルＲ上では、矩形状の実効露光領域ＥＲに対応して、基準光軸ＡＸからＹ方向に軸外し量Ａに対応する距離だけ離れた位置に実効露光領域ＥＲに対応した大きさおよび形状を有する矩形状の照明領域（すなわち実効照明領域）が形成されていることになる。
レチクルＲはレチクルステージＲＳＴ上においてＸＹ平面に平行に保持され、レチクルステージＲＳＴにはレチクルＲをＸ方向、Ｙ方向および回転方向に微動させる機構が組み込まれている。レチクルステージＲＳＴは、レチクルレーザ干渉計（不図示）によってＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置がリアルタイムに計測され、且つ制御される。ウェハＷは、ウェハホルダ（不図示）を介してＺステージ９上においてＸＹ平面に平行に固定されている。
また、Ｚステージ９は、投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行なＸＹ平面に沿って移動するＸＹステージ１０上に固定されており、ウェハＷのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）および傾斜角を制御する。Ｚステージ９は、Ｚステージ９上に設けられた移動鏡１２を用いるウェハレーザ干渉計１３によってＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置がリアルタイムに計測され、且つ制御される。
また、ＸＹステージ１０は、ベース１１上に載置されており、ウェハＷのＸ方向、Ｙ方向および回転方向を制御する。一方、本実施形態の露光装置に設けられた主制御系１４は、レチクルレーザ干渉計により計測された計測値に基づいてレチクルＲのＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置の調整を行う。即ち、主制御系１４は、レチクルステージＲＳＴに組み込まれている機構に制御信号を送信し、レチクルステージＲＳＴを微動させることによりレチクルＲの位置調整を行う。
また、主制御系１４は、オートフォーカス方式及びオートレベリング方式によりウェハＷ上の表面を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込むため、ウェハＷのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）および傾斜角の調整を行う。即ち、主制御系１４は、ウェハステージ駆動系１５に制御信号を送信し、ウェハステージ駆動系１５によりＺステージ９を駆動させることによりウェハＷのフォーカス位置および傾斜角の調整を行う。
更に、主制御系１４は、ウェハレーザ干渉計１３により計測された計測値に基づいてウェハＷのＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置の調整を行う。即ち、主制御系１４は、ウェハステージ駆動系１５に制御信号を送信し、ウェハステージ駆動系１５によりＸＹステージ１０を駆動させることによりウェハＷのＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置調整を行う。
露光時には、主制御系１４は、レチクルステージＲＳＴに組み込まれている機構に制御信号を送信すると共に、ウェハステージ駆動系１５に制御信号を送信し、投影光学系ＰＬの投影倍率に応じた速度比でレチクルステージＲＳＴおよびＸＹステージ１０を駆動させつつ、レチクルＲのパターン像をウェハＷ上の所定のショット領域内に投影露光する。その後、主制御系１４は、ウェハステージ駆動系１５に制御信号を送信し、ウェハステージ駆動系１５によりＸＹステージ１０を駆動させることによりウェハＷ上の別のショット領域を露光位置にステップ移動させる。
このように、ステップ・アンド・スキャン方式によりレチクルＲのパターン像をウェハＷ上に走査露光する動作を繰り返す。すなわち、本実施形態では、ウェハステージ駆動系１５およびウェハレーザ干渉計１３などを用いてレチクルＲおよびウェハＷの位置制御を行いながら、矩形状の静止露光領域および静止照明領域の短辺方向すなわちＹ方向に沿ってレチクルステージＲＳＴとＸＹステージ１０とを、ひいてはレチクルＲとウェハＷとを同期的に移動（走査）させることにより、ウェハＷ上には静止露光領域の長辺ＬＸに等しい幅を有し且つウェハＷの走査量（移動量）に応じた長さを有する領域に対してレチクルパターンが走査露光される。
図３は、本実施形態の各実施例における境界レンズとウェハとの間の構成を模式的に示す図である。図３を参照すると、本実施形態の各実施例にかかる投影光学系ＰＬでは、レチクルＲ側（物体側）の面が第２液体Ｌｍ２に接し且つウェハＷ側（像側）の面が第１液体Ｌｍ１に接する液中平行平面板Ｌｐが最もウェハ側に配置されている。そして、この液中平行平面板Ｌｐに隣接して、レチクルＲ側の面が気体に接し且つウェハＷ側の面が第２液体Ｌｍ２に接する境界レンズＬｂが配置されている。
本実施形態の各実施例において、例えば１．１よりも大きい屈折率を有する第１液体Ｌｍ１および第２液体Ｌｍ２として、半導体製造工場等で容易に大量に入手できる純水（脱イオン水）を用いている。また、境界レンズＬｂは、レチクルＲ側に凸面を向け且つウェハＷ側に平面を向けた正レンズである。さらに、境界レンズＬｂおよび液中平行平面板Ｌｐはともに、石英により形成されている。これは、境界レンズＬｂや液中平行平面板Ｌｐを蛍石により形成すると、蛍石は水に溶ける性質（可溶性）があるため、投影光学系の結像性能を安定的に維持することが困難になるからである。
また、蛍石では内部の屈折率分布が高周波成分を有することが知られており、この高周波成分を含む屈折率のばらつきがフレアの発生を招く恐れがあり、投影光学系の結像性能を低下させ易い。さらに、蛍石は固有複屈折性を有することが知られており、投影光学系の結像性能を良好に維持するためには、この固有複屈折性の影響を補正する必要がある。したがって、蛍石の可溶性、屈折率分布の高周波成分および固有複屈折性の観点から、境界レンズＬｂや液中平行平面板Ｌｐを石英により形成することが好ましい。
なお、投影光学系ＰＬに対してウェハＷを相対移動させつつ走査露光を行うステップ・アンド・スキャン方式の露光装置において、走査露光の開始から終了まで投影光学系ＰＬの境界レンズＬｂとウェハＷとの間の光路中に液体（Ｌｍ１，Ｌｍ２）を満たし続けるには、たとえば国際公開番号ＷＯ９９／４９５０４号公報に開示された技術や、特開平１０−３０３１１４号公報に開示された技術などを用いることができる。
国際公開番号ＷＯ９９／４９５０４号公報に開示された技術では、液体供給装置から供給管および排出ノズルを介して所定の温度に調整された液体を境界レンズＬｂとウェハＷとの間の光路を満たすように供給し、液体供給装置により回収管および流入ノズルを介してウェハＷ上から液体を回収する。一方、特開平１０−３０３１１４号公報に開示された技術では、液体を収容することができるようにウェハホルダテーブルを容器状に構成し、その内底部の中央において（液体中において）ウェハＷを真空吸着により位置決め保持する。また、投影光学系ＰＬの鏡筒先端部が液体中に達し、ひいては境界レンズＬｂのウェハ側の光学面が液体中に達するように構成する。
本実施形態では、図１に示すように、第１給排水機構２１を用いて、液中平行平面板ＬｐとウェハＷとの間の光路中において第１液体Ｌｍ１としての純水を循環させている。また、第２給排水機構２２を用いて、境界レンズＬｂと液中平行平面板Ｌｐとの間の光路中において第２液体Ｌｍ２としての純水を循環させている。このように、浸液としての純水を微小流量で循環させることにより、防腐、防カビ等の効果により液体の変質を防ぐことができる。
本実施形態の各実施例において、非球面は、光軸に垂直な方向の高さをｙとし、非球面の頂点における接平面から高さｙにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離（サグ量）をｚとし、頂点曲率半径をｒとし、円錐係数をκとし、ｎ次の非球面係数をＣnとしたとき、以下の数式（ａ）で表される。後述の表（１）および（２）において、非球面形状に形成されたレンズ面には面番号の右側に＊印を付している。
ｚ＝（ｙ2／ｒ）／［１＋｛１−（１＋κ）・ｙ2／ｒ2｝1/2］
＋Ｃ4・ｙ4＋Ｃ6・ｙ6＋Ｃ8・ｙ8＋Ｃ10・ｙ10
＋Ｃ12・ｙ12＋Ｃ14・ｙ14＋・・・ （ａ）
また、本実施形態の各実施例において、投影光学系ＰＬは、物体面（第１面）に配置されたレチクルＲのパターンの第１中間像を形成するための第１結像光学系Ｇ１と、第１中間像からの光に基づいてレチクルパターンの第２中間像（第１中間像の像であってレチクルパターンの２次像）を形成するための第２結像光学系Ｇ２と、第２中間像からの光に基づいて像面（第２面）に配置されたウェハＷ上にレチクルパターンの最終像（レチクルパターンの縮小像）を形成するための第３結像光学系Ｇ３とを備えている。ここで、第１結像光学系Ｇ１および第３結像光学系Ｇ３はともに屈折光学系であり、第２結像光学系Ｇ２は凹面反射鏡ＣＭを含む反射屈折光学系である。
また、第１結像光学系Ｇ１と第２結像光学系Ｇ２との間の光路中には第１平面反射鏡（第１偏向鏡）Ｍ１が配置され、第２結像光学系Ｇ２と第３結像光学系Ｇ３との間の光路中には第２平面反射鏡（第２偏向鏡）Ｍ２が配置されている。こうして、各実施例の投影光学系ＰＬでは、レチクルＲからの光が、第１結像光学系Ｇ１を介して、第１平面反射鏡Ｍ１の近傍にレチクルパターンの第１中間像を形成する。次いで、第１中間像からの光が、第２結像光学系Ｇ２を介して、第２平面反射鏡Ｍ２の近傍にレチクルパターンの第２中間像を形成する。さらに、第２中間像からの光が、第３結像光学系Ｇ３を介して、レチクルパターンの最終像をウェハＷ上に形成する。
また、各実施例の投影光学系ＰＬでは、第１結像光学系Ｇ１および第３結像光学系Ｇ３が鉛直方向に沿って直線状に延びる光軸ＡＸ１および光軸ＡＸ３を有し、光軸ＡＸ１および光軸ＡＸ３は基準光軸ＡＸと一致している。一方、第２結像光学系Ｇ２は水平方向に沿って直線状に延びる（基準光軸ＡＸに垂直な）光軸ＡＸ２を有する。こうして、レチクルＲ、ウェハＷ、第１結像光学系Ｇ１を構成するすべての光学部材および第３結像光学系Ｇ３を構成するすべての光学部材は、重力方向と直交する面すなわち水平面に沿って互いに平行に配置されている。さらに、第１平面反射鏡Ｍ１および第２平面反射鏡Ｍ２は、レチクル面に対して４５度の角度をなすように設定された反射面をそれぞれ有し、第１平面反射鏡Ｍ１と第２平面反射鏡Ｍ２とは１つの光学部材として一体的に構成されている。また、各実施例において、投影光学系ＰＬは、物体側および像側の双方にほぼテレセントリックに構成されている。
［第１実施例］
図４は、本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。図４を参照すると、第１実施例にかかる投影光学系ＰＬにおいて第１結像光学系Ｇ１は、レチクル側から順に、平行平面板Ｐ１と、両凸レンズＬ１１と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１２と、両凸レンズＬ１３と、レチクル側に非球面形状の凹面を向けた両凹レンズＬ１４と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１５と、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１６と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１７と、レチクル側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１８と、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１９と、両凸レンズＬ１１０と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１１１とにより構成されている。
また、第２結像光学系Ｇ２は、光の進行往路に沿ってレチクル側（すなわち入射側）から順に、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ２１と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ２２と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡ＣＭとから構成されている。また、第３結像光学系Ｇ３は、レチクル側（すなわち入射側）から順に、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１と、両凸レンズＬ３２と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ３３と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３４と、両凹レンズＬ３５と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた両凹レンズＬ３６と、レチクル側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３７と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３８と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた負メニスカスレンズＬ３９と、レチクル側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１０と、両凸レンズＬ３１１と、開口絞りＡＳと、ウェハ側に平面を向けた平凸レンズＬ３１２と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１３と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１４と、ウェハ側に平面を向けた平凸レンズＬ３１５（境界レンズＬｂ）と、平行平面板Ｌｐとにより構成されている。
第１実施例では、境界レンズＬｂと平行平面板（液中平行平面板）Ｌｐとの間の光路および平行平面板ＬｐとウェハＷとの間の光路に、使用光（露光光）であるＡｒＦエキシマレーザ光（中心波長λ＝１９３．３０６ｎｍ）に対して１．４３５８７６の屈折率を有する純水（Ｌｍ１，Ｌｍ２）が満たされている。また、境界レンズＬｂおよび平行平面板Ｌｐを含むすべての光透過部材が、使用光の中心波長に対して１．５６０３２６１の屈折率を有する石英（ＳｉＯ2）により形成されている。
次の表（１）に、第１実施例にかかる投影光学系ＰＬの諸元の値を掲げる。表（１）において、λは露光光の中心波長を、βは投影倍率（全系の結像倍率）の大きさを、ＮＡは像側（ウェハ側）開口数を、ＢはウェハＷ上でのイメージサークルＩＦの半径を、Ａは実効露光領域ＥＲの軸外し量を、ＬＸは実効露光領域ＥＲのＸ方向に沿った寸法（長辺の寸法）を、ＬＹは実効露光領域ＥＲのＹ方向に沿った寸法（短辺の寸法）をそれぞれ表している。
また、面番号は物体面（第１面）であるレチクル面から像面（第２面）であるウェハ面への光線の進行する経路に沿ったレチクル側からの面の順序を、ｒは各面の曲率半径（非球面の場合には頂点曲率半径：ｍｍ）を、ｄは各面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍｍ）を、ｎは中心波長に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射される度にその符号を変えるものとする。したがって、面間隔ｄの符号は、第１平面反射鏡Ｍ１の反射面から凹面反射鏡ＣＭまでの光路中および第２平面反射鏡Ｍ２から像面までの光路中では負とし、その他の光路中では正としている。
そして、第１結像光学系Ｇ１では、レチクル側に向かって凸面の曲率半径を正とし、レチクル側に向かって凹面の曲率半径を負としている。第２結像光学系Ｇ２では、光の進行往路に沿って入射側（レチクル側）に向かって凹面の曲率半径を正とし、入射側に向かって凸面の曲率半径を負としている。第３結像光学系Ｇ３では、レチクル側に向かって凹面の曲率半径を正とし、レチクル側に向かって凸面の曲率半径を負としている。なお、表（１）における表記は、以降の表（２）においても同様である。
表（１）
（主要諸元）
λ＝１９３．３０６ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝１．３２
Ｂ＝１５．３ｍｍ
Ａ＝２．８ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝５ｍｍ

（光学部材諸元）
面番号 ｒ ｄ ｎ 光学部材
（レチクル面） 113.7542
1 ∞ 8.0000 1.5603261 （Ｐ１）
2 ∞ 6.0000
3 961.49971 52.0000 1.5603261 （Ｌ１１）
4 -260.97642 1.0000
5 165.65618 35.7731 1.5603261 （Ｌ１２）
6 329.41285 15.7479
7 144.73700 56.4880 1.5603261 （Ｌ１３）
8 -651.17229 4.1450
9* -678.61021 18.2979 1.5603261 （Ｌ１４）
10 173.73534 1.0000
11 82.85141 28.4319 1.5603261 （Ｌ１５）
12 122.17403 24.6508
13 -632.23083 15.8135 1.5603261 （Ｌ１６）
14 -283.76586 22.9854
15 -95.83749 44.8780 1.5603261 （Ｌ１７）
16 -480.25701 49.9532
17* -327.24655 37.6724 1.5603261 （Ｌ１８）
18 -152.74838 1.0000
19 -645.51205 47.0083 1.5603261 （Ｌ１９）
20 -172.70890 1.0000
21 1482.42136 32.7478 1.5603261 （Ｌ１１０）
22 -361.68453 1.0000
23 185.06735 36.2895 1.5603261 （Ｌ１１１）
24* 1499.92500 72.0000
25 ∞ -204.3065 （Ｍ１）
26 115.50235 -15.0000 1.5603261 （Ｌ２１）
27 181.35110 -28.1819
28 107.57500 -18.0000 1.5603261 （Ｌ２２）
29 327.79447 -34.9832
30 165.18700 34.9832 （ＣＭ）
31 327.79446 18.0000 1.5603261 （Ｌ２２）
32 107.57500 28.1819
33 181.35110 15.0000 1.5603261 （Ｌ２１）
34 115.50235 204.3065
35 ∞ -72.0000 （Ｍ２）
36 552.89298 -24.4934 1.5603261 （Ｌ３１）
37 211.40931 -1.0000
38 -964.15750 -27.5799 1.5603261 （Ｌ３２）
39 451.41200 -1.0000
40 -239.74429 -35.7714 1.5603261 （Ｌ３３）
41 -171769.23040 -1.0000
42 -206.94777 -50.0000 1.5603261 （Ｌ３４）
43* -698.47035 -43.1987
44 560.33453 -10.0000 1.5603261 （Ｌ３５）
45 -116.92245 -46.5360
46 209.32811 -10.0000 1.5603261 （Ｌ３６）
47* -189.99848 -23.6644
48* 1878.63986 -31.5066 1.5603261 （Ｌ３７）
49 211.85278 -1.0000
50 -322.20466 -33.1856 1.5603261 （Ｌ３８）
51* -1160.22740 -10.0172
52 -2715.10365 -22.0000 1.5603261 （Ｌ３９）
53* -959.87714 -42.0799
54* 727.37853 -62.0255 1.5603261 （Ｌ３１０）
55 240.59248 -1.0000
56 -16276.86134 -62.1328 1.5603261 （Ｌ３１１）
57 333.64919 -1.0000
58 ∞ -1.0000 （ＡＳ）
59 -303.09919 -68.2244 1.5603261 （Ｌ３１２）
60 ∞ -1.0000
61 -182.25869 -77.6122 1.5603261 （Ｌ３１３）
62* -472.72383 -1.0000
63 -131.14200 -49.9999 1.5603261 （Ｌ３１４）
64* -414.78286 -1.0000
65 -75.90800 -43.3351 1.5603261 （Ｌ３１５：Ｌｂ）
66 ∞ -1.0000 1.435876 （Ｌｍ２）
67 ∞ -13.0000 1.5603261 （Ｌｐ）
68 ∞ -2.9999 1.435876 （Ｌｍ１）
（ウェハ面）

（非球面データ）
９面
κ＝０
Ｃ4＝−７．９０３１×１０-8 Ｃ6＝８．６７０９×１０-12
Ｃ8＝−６．５４７２×１０-16 Ｃ10＝１．５５０４×１０-20
Ｃ12＝２．６８００×１０-24 Ｃ14＝−２．６０３２×１０-28
Ｃ16＝７．３３０８×１０-33 Ｃ18＝０

１７面
κ＝０
Ｃ4＝４．７６７２×１０-9 Ｃ6＝−８．７１４５×１０-13
Ｃ8＝−２．８５９１×１０-17 Ｃ10＝３．９９８１×１０-21
Ｃ12＝−１．９９２７×１０-25 Ｃ14＝２．８４１０×１０-30
Ｃ16＝６．５５３８×１０-35 Ｃ18＝０

２４面
κ＝０
Ｃ4＝２．７１１８×１０-8 Ｃ6＝−４．０３６２×１０-13
Ｃ8＝８．５３４６×１０-18 Ｃ10＝−１．７６５３×１０-22
Ｃ12＝−１．１８５６×１０-27 Ｃ14＝５．２５９７×１０-31
Ｃ16＝−２．０８９７×１０-35 Ｃ18＝０

４３面
κ＝０
Ｃ4＝−１．８８３９×１０-8 Ｃ6＝５．６００９×１０-13
Ｃ8＝−１．８３０６×１０-17 Ｃ10＝２．２１７７×１０-21
Ｃ12＝−２．３５１２×１０-25 Ｃ14＝１．７７６６×１０-29
Ｃ16＝−６．５３９０×１０-34 Ｃ18＝０

４７面
κ＝０
Ｃ4＝９．０７７３×１０-8 Ｃ6＝−５．４６５１×１０-12
Ｃ8＝４．４０００×１０-16 Ｃ10＝−２．７４２６×１０-20
Ｃ12＝３．２１４９×１０-25 Ｃ14＝２．３６４１×１０-28
Ｃ16＝−１．３９５３×１０-32 Ｃ18＝０

４８面
κ＝０
Ｃ4＝３．０４４３×１０-8 Ｃ6＝−１．６５２８×１０-12
Ｃ8＝２．３９４９×１０-17 Ｃ10＝−４．４９５３×１０-21
Ｃ12＝３．０１６５×１０-25 Ｃ14＝−１．２４６３×１０-28
Ｃ16＝１．０７８３×１０-32 Ｃ18＝０

５１面
κ＝０
Ｃ4＝１．８３５７×１０-8 Ｃ6＝−４．３１０３×１０-13
Ｃ8＝−９．４４９９×１０-17 Ｃ10＝４．３２４７×１０-21
Ｃ12＝−１．６９７９×１０-25 Ｃ14＝８．６８９２×１０-30
Ｃ16＝−１．５９３５×１０-34 Ｃ18＝０

５３面
κ＝０
Ｃ4＝−３．９０００×１０-8 Ｃ6＝−７．２７３７×１０-13
Ｃ8＝１．１９２１×１０-16 Ｃ10＝−２．６３９３×１０-21
Ｃ12＝−３．１５４４×１０-26 Ｃ14＝１．８７７４×１０-30
Ｃ16＝−２．３５４５×１０-35 Ｃ18＝０

５４面
κ＝０
Ｃ4＝１．９１１６×１０-8 Ｃ6＝−６．７７８３×１０-13
Ｃ8＝１．５６８８×１０-17 Ｃ10＝−６．０８５０×１０-22
Ｃ12＝１．８５７５×１０-26 Ｃ14＝−４．２１４７×１０-31
Ｃ16＝７．３２４０×１０-36 Ｃ18＝０

６２面
κ＝０
Ｃ4＝３．０６４９×１０-8 Ｃ6＝−２．３６１３×１０-12
Ｃ8＝１．５６０４×１０-16 Ｃ10＝−７．３５９１×１０-21
Ｃ12＝２．１５９３×１０-25 Ｃ14＝−３．５９１８×１０-30
Ｃ16＝２．５８７９×１０-35 Ｃ18＝０

６４面
κ＝０
Ｃ4＝−６．０８４９×１０-8 Ｃ6＝−８．７０２１×１０-13
Ｃ8＝−１．５６２３×１０-16 Ｃ10＝１．５６８１×１０-20
Ｃ12＝−１．６９８９×１０-24 Ｃ14＝７．９７１１×１０-29
Ｃ16＝−２．７０７５×１０-33 Ｃ18＝０
図５は、第１実施例の投影光学系における横収差を示す図である。収差図において、Ｙは像高を、実線は中心波長１９３．３０６０ｎｍを、破線は１９３．３０６ｎｍ＋０．２ｐｍ＝１９３．３０６２ｎｍを、一点鎖線は１９３．３０６ｎｍ−０．２ｐｍ＝１９３．３０５８ｎｍをそれぞれ示している。なお、図５における表記は、以降の図７においても同様である。図５の収差図から明らかなように、第１実施例では、非常に大きな像側開口数（ＮＡ＝１．３２）および比較的大きな実効露光領域ＥＲ（２６ｍｍ×５ｍｍ）を確保しているにもかかわらず、波長幅が１９３．３０６ｎｍ±０．２ｐｍの露光光に対して収差が良好に補正されていることがわかる。
［第２実施例］
図６は、本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。図６を参照すると、第２実施例にかかる投影光学系ＰＬにおいて第１結像光学系Ｇ１は、レチクル側から順に、平行平面板Ｐ１と、両凸レンズＬ１１と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１２と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１３と、レチクル側に非球面形状の凹面を向けた両凹レンズＬ１４と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１５と、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１６と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１７と、レチクル側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１８と、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１９と、両凸レンズＬ１１０と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１１１とにより構成されている。
また、第２結像光学系Ｇ２は、光の進行往路に沿ってレチクル側（すなわち入射側）から順に、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ２１と、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ２２と、レチクル側に凹面を向けた凹面反射鏡ＣＭとから構成されている。また、第３結像光学系Ｇ３は、レチクル側（すなわち入射側）から順に、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１と、両凸レンズＬ３２と、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ３３と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３４と、両凹レンズＬ３５と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた両凹レンズＬ３６と、レチクル側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３７と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３８と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた平凹レンズＬ３９と、レチクル側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１０と、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１１と、開口絞りＡＳと、ウェハ側に平面を向けた平凸レンズＬ３１２と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１３と、ウェハ側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズＬ３１４と、ウェハ側に平面を向けた平凸レンズＬ３１５（境界レンズＬｂ）と、平行平面板Ｌｐとにより構成されている。
第２実施例においても第１実施例と同様に、境界レンズＬｂと平行平面板Ｌｐとの間の光路および平行平面板ＬｐとウェハＷとの間の光路に、使用光（露光光）であるＡｒＦエキシマレーザ光（中心波長λ＝１９３．３０６ｎｍ）に対して１．４３５８７６の屈折率を有する純水（Ｌｍ１，Ｌｍ２）が満たされている。また、境界レンズＬｂおよび平行平面板Ｌｐを含むすべての光透過部材が、使用光の中心波長に対して１．５６０３２６１の屈折率を有する石英により形成されている。次の表（２）に、第２実施例にかかる投影光学系ＰＬの諸元の値を掲げる。
表（２）
（主要諸元）
λ＝１９３．３０６ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝１．３
Ｂ＝１５．４ｍｍ
Ａ＝３ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝５ｍｍ

（光学部材諸元）
面番号 ｒ ｄ ｎ 光学部材
（レチクル面） 128.0298
1 ∞ 8.0000 1.5603261 （Ｐ１）
2 ∞ 3.0000
3 708.58305 50.0000 1.5603261 （Ｌ１１）
4 -240.96139 1.0000
5 159.28256 55.0000 1.5603261 （Ｌ１２）
6 1030.42583 15.3309
7 175.91680 33.4262 1.5603261 （Ｌ１３）
8 1901.42936 13.4484
9* -313.76486 11.8818 1.5603261 （Ｌ１４）
10 235.56199 1.0000
11 90.40801 53.3442 1.5603261 （Ｌ１５）
12 109.36394 12.8872
13 -1337.13410 20.2385 1.5603261 （Ｌ１６）
14 -314.47144 10.2263
15 -106.13528 42.5002 1.5603261 （Ｌ１７）
16 -334.97792 56.0608
17* -1619.43320 46.3634 1.5603261 （Ｌ１８）
18 -167.00000 1.0000
19 -568.04127 48.4966 1.5603261 （Ｌ１９）
20 -172.67366 1.0000
21 637.03167 27.8478 1.5603261 （Ｌ１１０）
22 -838.93167 1.0000
23 264.56403 30.7549 1.5603261 （Ｌ１１１）
24* 3443.52617 72.0000
25 ∞ -237.1956 （Ｍ１）
26 134.07939 -15.0000 1.5603261 （Ｌ２１）
27 218.66017 -33.2263
28 111.51192 -18.0000 1.5603261 （Ｌ２２）
29 334.92606 -28.5215
30 170.92067 28.5215 （ＣＭ）
31 334.92606 18.0000 1.5603261 （Ｌ２２）
32 111.51192 33.2263
33 218.66017 15.0000 1.5603261 （Ｌ２１）
34 134.07939 237.1956
35 ∞ -72.0000 （Ｍ２）
36 1133.17643 -25.2553 1.5603261 （Ｌ３１）
37 247.47802 -1.0000
38 -480.60890 -29.6988 1.5603261 （Ｌ３２）
39 626.43077 -1.0000
40 -208.29831 -36.2604 1.5603261 （Ｌ３３）
41 -2556.24930 -1.0000
42 -173.46230 -50.0000 1.5603261 （Ｌ３４）
43* -294.18687 -26.4318
44 699.54032 -11.5000 1.5603261 （Ｌ３５）
45 -106.38847 -47.9520
46 158.19938 -11.5000 1.5603261 （Ｌ３６）
47* -189.99848 -27.6024
48* 487.32943 -34.3282 1.5603261 （Ｌ３７）
49 153.21216 -1.0000
50 -280.33475 -39.4036 1.5603261 （Ｌ３８）
51* -1666.66667 -17.3862
52 ∞ -22.0000 1.5603261 （Ｌ３９）
53* -1511.71580 -40.3150
54* 655.86673 -62.2198 1.5603261 （Ｌ３１０）
55 242.88510 -1.0000
56 843.73059 -49.2538 1.5603261 （Ｌ３１１）
57 280.00000 -1.0000
58 ∞ -1.0000 （ＡＳ）
59 -291.92686 -61.1038 1.5603261 （Ｌ３１２）
60 ∞ -1.0000
61 -179.32463 -67.4474 1.5603261 （Ｌ３１３）
62* -438.34656 -1.0000
63 -128.42402 -52.4156 1.5603261 （Ｌ３１４）
64* -401.88080 -1.0000
65 -75.86112 -41.5893 1.5603261 （Ｌ３１５：Ｌｂ）
66 ∞ -1.0000 1.435876 （Ｌｍ２）
67 ∞ -16.5000 1.5603261 （Ｌｐ）
68 ∞ -3.0000 1.435876 （Ｌｍ１）
（ウェハ面）

（非球面データ）
９面
κ＝０
Ｃ4＝−３．１７５３×１０-8 Ｃ6＝９．０４６１×１０-12
Ｃ8＝−１．０３５５×１０-15 Ｃ10＝１．２３９８×１０-19
Ｃ12＝−１．１２２１×１０-23 Ｃ14＝５．７４７６×１０-28
Ｃ16＝−１．１８００×１０-32 Ｃ18＝０

１７面
κ＝０
Ｃ4＝−２．８３９９×１０-8 Ｃ6＝−３．０４０１×１０-13
Ｃ8＝１．１４６２×１０-17 Ｃ10＝４．０６３９×１０-22
Ｃ12＝−８．６１２５×１０-26 Ｃ14＝４．４２０２×１０-30
Ｃ16＝−９．９１５８×１０-35 Ｃ18＝０

２４面
κ＝０
Ｃ4＝２．１４９９×１０-8 Ｃ6＝−３．８８６１×１０-13
Ｃ8＝５．４８１２×１０-18 Ｃ10＝−２．１６２３×１０-23
Ｃ12＝−２．５６３６×１０-26 Ｃ14＝２．１８７９×１０-30
Ｃ16＝−６．５０３９×１０-35 Ｃ18＝０

４３面
κ＝０
Ｃ4＝−２．０５３３×１０-8 Ｃ6＝７．８０５１×１０-13
Ｃ8＝９．４００２×１０-18 Ｃ10＝−２．１０４３×１０-21
Ｃ12＝７．８１８２×１０-25 Ｃ14＝−９．２００７×１０-29
Ｃ16＝３．６７４２×１０-33 Ｃ18＝０

４７面
κ＝０
Ｃ4＝９．８６３９×１０-8 Ｃ6＝−６．７３５９×１０-12
Ｃ8＝６．８５７９×１０-16 Ｃ10＝−６．１６０４×１０-20
Ｃ12＝５．１７２２×１０-24 Ｃ14＝−２．９４１２×１０-28
Ｃ16＝８．６６８８×１０-33 Ｃ18＝０

４８面
κ＝０
Ｃ4＝４．３１０１×１０-8 Ｃ6＝−３．２８０５×１０-12
Ｃ8＝５．６４３２×１０-17 Ｃ10＝−９．２３４５×１０-22
Ｃ12＝１．０７１３×１０-25 Ｃ14＝−９．９９４４×１０-30
Ｃ16＝１．８１４８×１０-33 Ｃ18＝０

５１面
κ＝０
Ｃ4＝２．５８３９×１０-8 Ｃ6＝−１．８８４８×１０-12
Ｃ8＝−４．９２７１×１０-17 Ｃ10＝４．４９４６×１０-21
Ｃ12＝−７．２５５０×１０-26 Ｃ14＝４．９２３７×１０-31
Ｃ16＝−２．４２６０×１０-35 Ｃ18＝６．２５６５×１０-40

５３面
κ＝０
Ｃ4＝−４．７４４９×１０-8 Ｃ6＝−２．３０７５×１０-13
Ｃ8＝１．０４７５×１０-16 Ｃ10＝−２．１８０５×１０-21
Ｃ12＝−９．０５３０×１０-26 Ｃ14＝４．６２７４×１０-30
Ｃ16＝−６．４９６１×１０-35 Ｃ18＝３．４４０２×１０-41

５４面
κ＝０
Ｃ4＝２．０３２８×１０-8 Ｃ6＝−７．７４３９×１０-13
Ｃ8＝１．６２１７×１０-17 Ｃ10＝−３．５５３１×１０-22
Ｃ12＝８．２６３４×１０-27 Ｃ14＝２．６２３２×１０-31
Ｃ16＝−２．０９８９×１０-35 Ｃ18＝４．０８８８×１０-40

６２面
κ＝０
Ｃ4＝２．５１２１×１０-8 Ｃ6＝−２．０３４２×１０-12
Ｃ8＝１．２９０６×１０-16 Ｃ10＝−５．４４５５×１０-21
Ｃ12＝１．２８８５×１０-25 Ｃ14＝−１．４６００×１０-30
Ｃ16＝３．２８５０×１０-36 Ｃ18＝０

６４面
κ＝０
Ｃ4＝−２．８０９８×１０-8 Ｃ6＝−３．９５６５×１０-12
Ｃ8＝３．１９６６×１０-16 Ｃ10＝−２．７２４６×１０-20
Ｃ12＝１．８２６６×１０-24 Ｃ14＝−８．６２４４×１０-29
Ｃ16＝２．１５７０×１０-33 Ｃ18＝０
図７は、第２実施例の投影光学系における横収差を示す図である。図７の収差図から明らかなように、第２実施例においても第１実施例と同様に、非常に大きな像側開口数（ＮＡ＝１．３）および比較的大きな実効露光領域ＥＲ（２６ｍｍ×５ｍｍ）を確保しているにもかかわらず、波長幅が１９３．３０６ｎｍ±０．２ｐｍの露光光に対して収差が良好に補正されていることがわかる。
このように、本実施形態の投影光学系ＰＬでは、境界レンズＬｂとウェハＷとの間の光路中に大きな屈折率を有する純水（Ｌｍ１，Ｌｍ２）を介在させることにより、大きな実効的な像側開口数を確保しつつ、比較的大きな有効結像領域を確保することができる。すなわち、各実施例では、中心波長が１９３．３０６ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光に対して、約１．３の高い像側開口数を確保するとともに、２６ｍｍ×５ｍｍの矩形形状の実効露光領域（静止露光領域）ＥＲを確保することができ、たとえば２６ｍｍ×３３ｍｍの矩形状の露光領域内に回路パターンを高解像度で走査露光することができる。
上述の各実施例では、反射屈折型の光学系中の往復光学素子（Ｌ２１，Ｌ２２）の１つのレンズ面の形状誤差がローカルフレアの発生に対して通常のレンズ面の２倍の影響を及ぼすことに着目し、１つのレンズ面で２倍のローカルフレアが発生してしまう往復光路から非球面を外すことにより、すなわち往復光学素子の全てが非球面形状に形成された光学面を含まないように構成することにより、ローカルフレアの低減を図っている。そして、上述の各実施例では、光が２回通過する往復光路部分に結晶材料を配置しないことにより、すなわち第２結像光学系Ｇ２中の往復光学素子（Ｌ２１，Ｌ２２）の全てを非晶質材料（本実施例では石英）により形成することにより、ローカルフレアのさらなる低減を図っている。また、上述の各実施例では、第２結像光学系Ｇ２中の凹面反射鏡ＣＭの反射面の形状誤差もローカルフレアの発生に対して片道光路中のレンズ面の２倍の影響を及ぼすため、凹面反射鏡ＣＭの反射面を球面形状に形成することによりローカルフレアのさらなる低減を図っている。
本実施形態の液浸投影光学系ＰＬでは、反射屈折型の光学系を採用しているので、大きな像側開口数にもかかわらずペッツバール条件をほぼ成立させて像の平坦性を得ることができるとともに、有効視野領域（実効照明領域）および有効投影領域（実効露光領域ＥＲ）が光軸を含まない軸外視野型の光学系を採用してレンズ開口（瞳）中の遮光部を有しないようにしているため、あらゆるパターンへの対応力を確保することができる。しかしながら、本実施形態のような反射屈折型で軸外視野型の液浸投影光学系ＰＬでは、最も像側（ウェハＷ側）に配置される屈折光学素子としての液中平行平面板Ｌｐの射出面を従来技術にしたがって光軸ＡＸ３（すなわち基準光軸ＡＸ）に関して回転対称な形状に形成すると不都合が発生する。
図８は、最も像側に配置される屈折光学素子の射出面を従来技術にしたがって回転対称な形状に形成したときの不都合を具体的に説明するための図である。図８を参照すると、液浸投影光学系ＰＬ中において最も像側（ウェハＷ側）に配置される屈折光学素子としての液中平行平面板Ｌｐの入射面は、光軸ＡＸを中心とした円３０に対応する外周を有する。言い換えると、液中平行平面板Ｌｐの入射面は、互いに直交する２つの軸線方向に関してほぼ同じ長さを有する。実際には、液中平行平面板Ｌｐの入射面の外周の一部にオリエンテーションフラット等の切欠が設けられたり、入射面の外周が多角形状に形成されたり、入射面と面一にホールド用のタブが設けられたりすることがあるが、いずれにしても液中平行平面板Ｌｐの入射面の外周に対応する円３０の中心軸線は光軸ＡＸと一致している。
一方、液中平行平面板Ｌｐの射出面を有効な結像光束が通過する領域として定義される有効射出領域３１は、ウェハＷ上において光軸ＡＸを含まない矩形状の実効露光領域（静止露光領域）ＥＲに対応するように、光軸ＡＸから一方向（Ｙ方向）に偏心し且つ長方形の隅角部が丸まったような形状を有する。従来技術では、液中平行平面板Ｌｐの射出面が有効射出領域３１の回転非対称性とは無関係に光軸ＡＸに関して回転対称な形状（無限回回転対称な形状）、言い換えると互いに直交する２つの軸線方向に関してほぼ同じ長さを有する形状に形成されるので、液中平行平面板Ｌｐの射出面は光軸ＡＸを中心として有効射出領域３１を内包するような大きな円３２に対応する外周を有することになる。その結果、従来技術では、投影光学系ＰＬの像空間において液体Ｌｍ１が介在する範囲が大きくなり、ひいては基板ステージ（９〜１１）の巨大化やアライメント光学系（不図示）の精度低下などを招く。
図９は、本実施形態の各実施例における液中平行平面板の構成を概略的に示す図である。図９において、（ａ）は液中平行平面板Ｌｐの底面図であり、（ｂ）および（ｃ）は液中平行平面板Ｌｐの側面図である。図９を参照すると、本実施形態の各実施例において液中平行平面板Ｌｐの入射面Ｌｐａは円４０に対応する外周を有し、この入射面Ｌｐａの外周に対応する円４０の中心４０ａは光軸ＡＸ（ＡＸ３）からＹ方向に偏心している。ちなみに、破線４１で示す参照円は、光軸ＡＸを中心として円４０に内接する円である。言い換えると、液中平行平面板Ｌｐの入射面Ｌｐａは、互いに直交する２つの軸線方向（ＸＹ方向）に関してほぼ同じ長さを持つように形成されている。
液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂにおける有効射出領域４２は、Ｘ方向およびＹ方向に関してほぼ対称で且つ長方形の隅角部が丸まったような形状を有し、有効射出領域４２の中心４２ａは入射面Ｌｐａの外周に対応する円４０の中心４０ａと一致している。液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、有効射出領域４２の周囲に僅かなマージン領域を確保して有効射出領域４２を内包するようなＸ方向およびＹ方向に関してほぼ対称な形状を有し、射出面Ｌｐｂの中心Ｌｐｂａは有効射出領域４２の中心４２ａおよび入射面Ｌｐａの外周に対応する円４０の中心４０ａと一致している。別の観点でみると、液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、光軸ＡＸに関して１回回転対称な形状を有する。なお、図９（ａ）において射出面Ｌｐｂを包囲する領域であってハッチングの施された部分Ｌｐｃは、射出面Ｌｐｂの外周から光入射側に延びる傾斜面である。
すなわち、本実施形態の各実施例において、液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、ウェハＷ上において直交する２つの軸線方向すなわちＸ方向およびＹ方向に関してほぼ対称な形状を有する。また、射出面Ｌｐｂの中心軸線Ｌｐｂａと入射面Ｌｐａの外周に対応する円４０の中心軸線４０ａとは一致し、射出面Ｌｐｂの中心軸線ＬｐｂａはＹ方向に沿って光軸ＡＸから偏心している。そして、ウェハＷ上の実効露光領域ＥＲ（すなわち投影光学系ＰＬの有効投影領域）の中心軸線（重心軸線）は、射出面Ｌｐｂの中心軸線Ｌｐｂａとほぼ一致している。言い換えると、射出面Ｌｐｂの一方の軸線方向（Ｙ方向）についての長さと、他方の軸線方向（Ｘ方向）についての長さとが互いに異なっている。
以上のように、本実施形態では、液中平行平面板Ｌｐの射出面が有効射出領域４２の光軸ＡＸに関する回転非対称性とは無関係に光軸ＡＸに関して回転対称な形状に形成される従来技術とは異なり、液中平行平面板Ｌｐの射出面ＬｐｂがウェハＷ上において光軸ＡＸを含まない実効露光領域ＥＲ（すなわち投影光学系ＰＬの有効投影領域）の形状に応じて光軸ＡＸに関して回転非対称な形状に形成されている（互いに直交する２つの軸線方向（ＸＹ方向）での射出面Ｌｐｂの長さが異なるように形成されている）ので、投影光学系ＰＬの像空間において液体（浸液）Ｌｍ１が介在する範囲を小さく抑えることができる。本実施形態の露光装置では、像空間において液体Ｌｍ１が介在する範囲を小さく抑えることのできる高解像な液浸投影光学系ＰＬを用いているので、基板ステージ（９〜１１）の巨大化やアライメント光学系の精度低下などを招くことなく、微細なパターンを高精度に投影露光することができる。
図１０は、本実施形態の第１変形例にかかる液中平行平面板の構成を概略的に示す図である。図１０において、（ａ）は液中平行平面板Ｌｐの底面図であり、（ｂ）および（ｃ）は液中平行平面板Ｌｐの側面図である。図１０を参照すると、第１変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの入射面Ｌｐａは、光軸ＡＸ（ＡＸ３）を中心とした円５０に対応する外周を有する。言い換えると、液中平行平面板Ｌｐの入射面Ｌｐａは、互いに直交する２つの軸線方向（ＸＹ方向）に関してほぼ同じ長さを持つように形成されている。液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂにおける有効射出領域５１は、Ｘ方向およびＹ方向に関してほぼ対称で且つ長方形の隅角部が丸まったような形状を有し、有効射出領域５１の中心５１ａは光軸ＡＸからＹ方向に偏心している。
液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、有効射出領域５１の一方の長辺側および両方の短辺側に僅かなマージン領域を確保しつつ他方の長辺側に比較的大きなマージン領域を確保して有効射出領域５１を内包し、Ｘ方向およびＹ方向に関してほぼ対称な形状を有する。図１０（ａ）において射出面Ｌｐｂを包囲する領域であってハッチングの施された部分Ｌｐｃは、射出面Ｌｐｂの外周から光入射側に延びる傾斜面である。
すなわち、第１変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、Ｘ方向およびＹ方向に関してほぼ対称な形状を有する。別の観点でみると、第１変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、光軸ＡＸに関して２回回転対称な形状を有する。また、射出面Ｌｐｂの中心軸線Ｌｐｂａ（図１０では不図示）と入射面Ｌｐａの外周に対応する円５０の中心軸線５０ａ（図１０では不図示）と光軸ＡＸとは一致している。そして、ウェハＷ上の実効露光領域ＥＲ（すなわち投影光学系ＰＬの有効投影領域）の中心軸線（重心軸線）は、射出面Ｌｐｂの中心軸線Ｌｐｂａ（すなわち光軸ＡＸ）からＹ方向に偏心している。言い換えると、射出面Ｌｐｂの一方の軸線方向（Ｙ方向）についての長さと、他方の軸線方向（Ｘ方向）についての長さとが互いに異なっている。
図１０の第１変形例においても図９の実施形態と同様に、液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂが、ウェハＷ上において光軸ＡＸを含まない実効露光領域ＥＲ（すなわち投影光学系ＰＬの有効投影領域）の形状に応じて、光軸ＡＸに関して回転非対称な形状に形成されている（互いに直交する２つの軸線方向（ＸＹ方向）での射出面Ｌｐｂの長さが異なるように形成されている）ので、投影光学系ＰＬの像空間において液体（浸液）Ｌｍ１が介在する範囲を小さく抑えることができる。
図１１は、本実施形態の第２変形例にかかる液中平行平面板の構成を概略的に示す図である。図１１において、（ａ）は液中平行平面板Ｌｐの底面図であり、（ｂ）および（ｃ）は液中平行平面板Ｌｐの側面図である。図１１を参照すると、第２変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの入射面Ｌｐａは、光軸ＡＸ（ＡＸ３）を中心とした円６０に対応する外周を有する。液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂにおける有効射出領域６１は、Ｘ方向およびＹ方向に関してほぼ対称で且つ長方形の隅角部が丸まったような形状を有し、有効射出領域６１の中心６１ａは光軸ＡＸからＹ方向に偏心している。言い換えると、射出面Ｌｐｂの一方の軸線方向（Ｙ方向）についての長さと、他方の軸線方向（Ｘ方向）についての長さとが互いに異なっている。
液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、有効射出領域６１の周囲に僅かなマージン領域を確保して有効射出領域６１を内包するようなＹ方向に関してほぼ対称でＸ方向に関して非対称な形状を有し、射出面Ｌｐｂの中心（重心）Ｌｐｂａ（図１１では不図示）は有効射出領域６１の中心６１ａの近傍（Ｙ方向に沿った近傍）に位置している。図１１（ａ）において射出面Ｌｐｂを包囲する領域であってハッチングの施された部分Ｌｐｃは、射出面Ｌｐｂの外周から光入射側に延びる傾斜面である。
すなわち、第２変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、Ｙ方向に関してほぼ対称で且つＸ方向に関して非対称な形状を有する。言い換えると、射出面Ｌｐｂは、一方の軸線方向（Ｙ方向）についての長さと、他方の軸線方向（Ｘ方向）についての長さとが互いに異なるように形成されている。また、入射面Ｌｐａの外周に対応する円６０の中心軸線６０ａ（図１１では不図示）と光軸ＡＸとは一致し、射出面Ｌｐｂの中心軸線（重心軸線）ＬｐｂａはＹ方向に沿って光軸ＡＸから偏心している。そして、ウェハＷ上の実効露光領域ＥＲ（すなわち投影光学系ＰＬの有効投影領域）の中心軸線（重心軸線）は、射出面Ｌｐｂの中心軸線（重心軸線）Ｌｐｂａとほぼ一致している。別の観点でみると、第２変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、光軸ＡＸに関して１回回転対称な形状を有する。
図１１の第２変形例においても図９の実施形態と同様に、液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂが、ウェハＷ上において光軸ＡＸを含まない実効露光領域ＥＲ（すなわち投影光学系ＰＬの有効投影領域）の形状に応じて、光軸ＡＸに関して回転非対称な形状に形成されている（互いに直交する２つの軸線方向（ＸＹ方向）での射出面Ｌｐｂの長さが異なるように形成されている）ので、投影光学系ＰＬの像空間において液体（浸液）Ｌｍ１が介在する範囲を小さく抑えることができる。
図１２は、本実施形態の第３変形例にかかる液中平行平面板の構成を概略的に示す図である。図１２において、（ａ）は液中平行平面板Ｌｐの底面図であり、（ｂ）および（ｃ）は液中平行平面板Ｌｐの側面図である。図１２を参照すると、第３変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの入射面Ｌｐａは、光軸ＡＸ（ＡＸ３）を中心とした円７０に対応する外周を有する。言い換えると、液中平行平面板Ｌｐの入射面Ｌｐａは、互いに直交する２つの軸線方向（ＸＹ方向）に関してほぼ同じ長さを持つように形成されている。液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂにおける有効射出領域７１は、Ｘ方向およびＹ方向に関してほぼ対称で且つ長方形の隅角部が丸まったような形状を有し、有効射出領域７１の中心７１ａは光軸ＡＸからＹ方向に偏心している。
液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、有効射出領域７１の周囲に僅かなマージン領域を確保して有効射出領域７１を内包するようなＸ方向およびＹ方向に関してほぼ対称な形状を有し、射出面Ｌｐｂの中心Ｌｐｂａは有効射出領域７１の中心７１ａと一致している。図１２（ａ）において射出面Ｌｐｂを包囲する領域であってハッチングの施された部分Ｌｐｃは、射出面Ｌｐｂの外周から光入射側に延びる傾斜面である。
すなわち、第３変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、Ｘ方向およびＹ方向に関してほぼ対称な形状を有する。また、射出面Ｌｐｂは、一方の軸線方向（Ｙ方向）についての長さと、他方の軸線方向（Ｘ方向）についての長さとが互いに異なるような形状を有する。また、入射面Ｌｐａの外周に対応する円７０の中心軸線７０ａ（図１２では不図示）と光軸ＡＸとは一致し、射出面Ｌｐｂの中心軸線ＬｐｂａはＹ方向に沿って光軸ＡＸから偏心している。そして、ウェハＷ上の実効露光領域ＥＲ（すなわち投影光学系ＰＬの有効投影領域）の中心軸線（重心軸線）は、射出面Ｌｐｂの中心軸線Ｌｐｂａとほぼ一致している。別の観点でみると、第３変形例にかかる液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂは、光軸ＡＸに関して１回回転対称な形状を有する。
図１２の第３変形例においても図９の実施形態と同様に、液中平行平面板Ｌｐの射出面Ｌｐｂが、ウェハＷ上において光軸ＡＸを含まない実効露光領域ＥＲ（すなわち投影光学系ＰＬの有効投影領域）の形状に応じて、光軸ＡＸに関して回転非対称な形状に形成されている（互いに直交する２つの軸線方向（ＸＹ方向）での射出面Ｌｐｂの長さが異なるように形成されている）ので、投影光学系ＰＬの像空間において液体（浸液）Ｌｍ１が介在する範囲を小さく抑えることができる。なお、第１変形例〜第３変形例に示す構成は一例であって、液中平行平面板Ｌｐの入射面および射出面の構成については本発明の範囲内において様々な変形例が可能である。
ところで、上述の実施形態では、境界レンズＬｂとウェハＷとの間の光路中に平行平面板（一般にはほぼ無屈折力の光学部材）Ｌｐが配置されているので、浸液としての純水がウェハＷに塗布されたフォトレジストからのアウトガス等による汚染を受けても、境界レンズＬｂとウェハＷとの間に介在する平行平面板Ｌｐの作用により、汚染された純水による境界レンズＬｂの像側光学面の汚染を有効に防ぐことができる。さらに、液体（純水：Ｌｍ１，Ｌｍ２）と平行平面板Ｌｐとの屈折率差が小さいため、平行平面板Ｌｐに要求される姿勢や位置精度が大幅に緩和されるので、平行平面板Ｌｐが汚染されても部材交換を随時行うことにより光学性能を容易に復元することができる。
また、液中平行平面板Ｌｐの作用により、境界レンズＬｂに接する液体Ｌｍ２のスキャン露光時の圧力変動やステップ移動時の圧力変動が小さく抑えられるので、比較的小さなスペースで液体を保持することが可能になる。しかしながら、上述の実施形態の構成に限定されることなく、平行平面板Ｌｐの設置を省略した構成も可能である。この場合、最も像側（ウェハＷ側）に配置される屈折光学素子としての境界レンズＬｂに対して本発明を適用することができる。具体的には、境界レンズＬｂの入射面および射出面に対して、たとえば図１０の第１変形例、図１１の第２変形例、図１２の第３変形例などの構成を適用することにより、本発明の効果を得ることができる。ただし、図９の実施形態では入射面の外周に対応する円の中心が光軸ＡＸから偏心しているので、この構成を境界レンズＬｂの入射面に適用することはできない。
また、上述の実施形態では、有効視野が光軸を含まない軸外視野型の反射屈折光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、他の一般的な液浸型の投影光学系に対して本発明を適用することができる。ただし、上述したように、軸外視野型の反射屈折光学系に本発明を適用することにより、像の平坦性を得ることができるとともに、あらゆるパターンへの対応力を確保することができる。また、各実施例に示すような３回結像型で軸外視野型の反射屈折光学系では、より光軸ＡＸの近傍に実効露光領域ＥＲを設定することができるので、最も像側（ウェハＷ側）に配置される屈折光学素子（平行平面板Ｌｐまたは境界レンズＬｂ）の回転非対称性を緩和することができ、光学系の製造に好適であるとともに装置構成の簡略化にも都合がよい。
上述の実施形態では、境界レンズＬｂとウェハＷとの間の光路中に充填される液体として純水（Ｌｍ１，Ｌｍ２）を用いたが、その代わりに、それよりも屈折率が高い液体（たとえば屈折率が１．６以上の液体）を用いても良い。このような高屈折率液体としては、たとえばグリセノール（ＣＨ2［ＯＨ］ＣＨ［ＯＨ］ＣＨ2［ＯＨ］）やヘプタン（Ｃ7Ｈ16）等を用いることができる。また、Ｈ+、Ｃｓ-、Ｋ+、Ｃｌ-、ＳＯ4 2-、ＰＯ4 2-を入れた水、アルミニウム酸化物の微粒子を混ぜた水、イソプロパノール、ヘキサン、ヘプタン、デカンや、三井化学株式会社によるデルファイ（環状炭化水素骨格を基本とする化合物）、ＪＳＲ株式会社によるＨＩＦ−００１、イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニーによるＩＦ１３１やＩＦ１３２、ＩＦ１７５などを用いることができる。
このような高屈折率液体を用いる場合には、投影光学系ＰＬの大きさ、特に直径方向の大きさを抑えるために、投影光学系ＰＬの一部のレンズ、特に像面（ウェハＷ）に近いレンズを高屈折率の材料で形成することが好ましい。このような高屈折率材料としては、たとえば酸化カルシウムまたは酸化マグネシウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、バリウム・リチウム・フローライド（ＢａＬｉＦ3）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット（[Lutetium Aluminum Garnet]ＬｕＡＧ）や、スピネル（[crystalline magnesium aluminum spinel] ＭｇＡｌ2Ｏ4）などの結晶材料、あるいはこれらを主成分とする混晶を用いることが好ましい。
これにより、実現可能なサイズのもとで、高い開口数を実現することができる。たとえばＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用いた場合にも、１．５程度、あるいはそれ以上の高い開口数を実現することが可能となる。また、露光光ＩＬとして波長１５７ｎｍのＦ2レーザを用いる場合には、液体として、Ｆ2レーザ光を透過可能な液体、たとえば過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることが好ましい。
上述の実施形態の露光装置では、照明装置によってレチクル（マスク）を照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図１３のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図１３のステップ３０１において、１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、その１ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、ステップ３０１〜ステップ３０５では、ウェハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウェハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
また、本実施形態の露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図１４のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図１４において、パターン形成工程４０１では、本実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程４０２へ移行する。
次に、カラーフィルター形成工程４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程４０２の後に、セル組み立て工程４０３が実行される。セル組み立て工程４０３では、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程４０２にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。
セル組み立て工程４０３では、例えば、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程４０２にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。その後、モジュール組み立て工程４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
なお、上述の実施形態では、ＡｒＦエキシマレーザ光源を用いているが、これに限定されることなく、たとえばＦ2 レーザ光源のような他の適当な光源を用いることもできる。ただし、露光光としてＦ2レーザ光を用いる場合は、液体としてはＦ2レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）等のフッ素系の液体を用いることになる。
また、上述の実施形態では、露光装置に搭載される液浸型の投影光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、他の一般的な液浸型の投影光学系に対して本発明を適用することもできる。また、液浸対物光学系において一方の光学面が液体に接する屈折光学素子に対しても本発明を適用することができる。
なお、上述の実施形態では、境界レンズＬｂおよび液中平行平面板Ｌｐを非晶質材料の石英で形成したが、境界レンズＬｂおよび液中平行平面板Ｌｐを形成する材料としては石英には限定されず、たとえば酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムなどの結晶材料を用いてもよい。
また、上述の実施形態では、第１液体および第２液体として純水を用いたが、第１および第２液体としては純水には限定されず、たとえばＨ+，Ｃｓ+，Ｋ+、Ｃｌ-，ＳＯ4 2-，ＰＯ4 2-を入れた水、イソプロパノール，グリセロール、ヘキサン、ヘプタン、デカンなどを用いることができる。

Claims (19)

  1. 液体を介して照明光で基板を露光する液浸露光装置に搭載され、前記照明光が照射される第１面の像を、前記液体を介して第２面に投影するように設計された投影光学系において、
    前記照明光を反射する反射鏡と、前記液体と接し、一部を前記照明光が通過する射出面を有し、前記投影光学系の光軸上に配置される屈折光学素子と、を備え、
    前記屈折光学素子は、その射出側の一部に、前記射出面が他の部分に対して突出して形成される突出部を有し、
    前記射出面の一部を通過する前記照明光によって前記第２面に投影される前記像の投影領域は、前記第２面内で直交する第１方向及び第２方向の一方に関する幅が、前記第１方向及び第２方向の他方に関する幅よりも狭く、
    前記突出部は、前記一方の方向に関する幅が、前記他方の方向に関する幅よりも狭くなるように形成され、
    前記第２面に投影される像の投影領域は、その中心が前記一方の方向に関して前記光軸からずれており、
    前記突出部は、その中心が前記一方の方向に関して前記光軸からずれており、
    当該投影光学系は、前記反射鏡を介して前記照明光が前記屈折光学素子に入射する反射屈折系であることを特徴とする投影光学系。
  2. 前記屈折光学素子は、前記突出部の側面が傾斜面であることを特徴とする請求項１に記載の投影光学系。
  3. 前記突出部は、その幅が前記射出面に近づくにつれて狭まるように前記傾斜面が形成されることを特徴とする請求項２に記載の投影光学系。
  4. 前記屈折光学素子は、その射出側で、前記突出部の外側に平面を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の投影光学系。
  5. 前記屈折光学素子は、その射出側で、前記突出部の周囲領域が平面であることを特徴とする請求項４に記載の投影光学系。
  6. 前記屈折光学素子は、前記射出面が平面であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の投影光学系。
  7. 前記屈折光学素子は、前記照明光が入射する凸面を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の投影光学系。
  8. 前記屈折光学素子は、その射出側で、前記射出面を含む一部が前記液体に接することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投影光学系。
  9. 射出側の開口数は、１．３以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の投影光学系。
  10. 前記射出面は、その面内において前記投影光学系の光軸と交差することを特徴する請求項１乃至９のいずれか１項に記載の投影光学系。
  11. 前記射出面は、前記投影光学系の光軸に関して回転非対称な形状を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の投影光学系。
  12. 前記射出面は、前記投影光学系の光軸に関して１回回転対称な形状を有することを特徴とする請求項１１に記載の投影光学系。
  13. 前記射出面の中心は、前記投影光学系の光軸に直交する方向に関して、前記第２面に投影される像の投影領域の中心とほぼ一致していることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の投影光学系。
  14. 前記第１面からの前記照明光が入射して、第１中間像を形成する第１結像光学系と、
    前記反射鏡を含み、前記第１中間像からの前記照明光が入射して、第２中間像を形成する第２結像光学系と、
    前記屈折光学素子を含み、前記第２中間像からの前記照明光が入射して、前記像を形成する第３結像光学系と、を備えることを特徴とする請求項１３に記載の投影光学系。
  15. 前記第３結像光学系が屈折系であることを特徴とする請求項１４に記載の投影光学系。
  16. 前記第１結像光学系が屈折系であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の投影光学系。
  17. 請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の投影光学系と、
    前記屈折光学素子の近傍にその一部が設けられ、前記投影光学系の下に液体を供給する液浸装置と、を備え、
    前記投影光学系の下に位置付けられた基板を、前記液体を介して露光する液浸露光装置。
  18. 請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の投影光学系の下に基板を位置付けることと、
    前記投影光学系と液体を介して前記基板を露光することを特徴とする露光方法。
  19. 請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の投影光学系と液体を介して基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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US20080151364A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007005777A (ja) * 2005-05-25 2007-01-11 Tokuyama Corp 液浸式露光装置のラストレンズ
JP5156740B2 (ja) 2006-07-03 2013-03-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィ投影対物器械を修正／修理する方法
US7567338B2 (en) * 2006-08-30 2009-07-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008150276A (ja) * 2006-11-21 2008-07-03 Canon Inc 紫外光用ガラス組成物及びそれを用いた光学装置
EP2097789B1 (en) 2006-12-01 2012-08-01 Carl Zeiss SMT GmbH Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations
JP2009026977A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Canon Inc 投影光学系及びそれを有する露光装置
JP2009120405A (ja) * 2007-11-09 2009-06-04 Canon Inc 紫外光用ガラス組成物及びそれを用いた光学装置
DE102009037077B3 (de) * 2009-08-13 2011-02-17 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches Projektionsobjektiv
US9298102B2 (en) 2013-03-13 2016-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
DE102013204391B3 (de) 2013-03-13 2014-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator
US9651872B2 (en) 2013-03-13 2017-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004019128A2 (en) * 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
WO2004092830A2 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
JP2005003982A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
WO2005006417A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005020298A1 (ja) * 2003-08-26 2005-03-03 Nikon Corporation 光学素子及び露光装置
JP2005115127A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Nikon Corp 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法
JP2006140494A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (804)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (ja)
JP3293882B2 (ja) 1992-03-27 2002-06-17 株式会社東芝 投影露光装置
JPS444993Y1 (ja) 1964-05-28 1969-02-24
JPS5857066B2 (ja) 1979-06-29 1983-12-17 古河電気工業株式会社 リニアモ−タ
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5845502A (ja) 1981-09-12 1983-03-16 Kobe Steel Ltd 熱間鍛造過程材の寸法形状の測定方法
JPS5845502U (ja) 1981-09-21 1983-03-26 株式会社津山金属製作所 広角反射器
JPS5849932A (ja) 1981-09-21 1983-03-24 Ushio Inc 照度分布パタ−ンの調整器
JPS58115945A (ja) 1981-12-29 1983-07-09 Toyoda Gosei Co Ltd ハンドル部への電力伝送と信号送受方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS59155843A (ja) 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6145923A (ja) 1984-08-10 1986-03-06 Aronshiya:Kk 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法
JPS6187125A (ja) * 1984-09-20 1986-05-02 Canon Inc スリツト露光投影装置
JPH0682598B2 (ja) 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPS61217434A (ja) 1985-03-20 1986-09-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 搬送用装置
JPS6194342A (ja) 1984-10-16 1986-05-13 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JPS6194342U (ja) 1984-11-27 1986-06-18
JPS61156736A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 露光装置
JPS61196532A (ja) 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPS61270049A (ja) 1985-05-24 1986-11-29 Toshiba Corp テ−ブル装置
JPS622539A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc 照明光学系
JPS622540A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JPS6217705A (ja) 1985-07-16 1987-01-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク光学系用照明装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62100161A (ja) 1985-10-23 1987-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 平面モ−タ
JPS62120026A (ja) 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd Ｘ線露光装置
JPH07105323B2 (ja) 1985-11-22 1995-11-13 株式会社日立製作所 露光方法
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62153710A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Furukawa Alum Co Ltd ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS62188316A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS62203526A (ja) 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ自動車株式会社 無線電力伝送装置
JP2506616B2 (ja) 1986-07-02 1996-06-12 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法
JPS6336526A (ja) 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63128713A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
JPS63141313A (ja) 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd 薄板変形装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63160192A (ja) 1986-12-23 1988-07-02 株式会社明電舎 高周波加熱装置の接続導体
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH0718699B2 (ja) 1987-05-08 1995-03-06 株式会社ニコン 表面変位検出装置
JPS6426704A (en) 1987-05-11 1989-01-30 Jiei Shirinian Jiyon Pocket structure of garment
JPS63292005A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Nikon Corp 走り誤差補正をなした移動量検出装置
JPH07117371B2 (ja) 1987-07-14 1995-12-18 株式会社ニコン 測定装置
JPS6468926A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Nikon Corp Measurement of image distortion in projection optical system
JPH0191419A (ja) 1987-10-01 1989-04-11 Canon Inc 露光装置
JPH01115033A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd ガス放電表示装置
JPH01147516A (ja) 1987-12-04 1989-06-09 Canon Inc ビーム位置制御装置
JP2728133B2 (ja) 1987-12-09 1998-03-18 株式会社リコー デジタル画像形成装置
JPH01202833A (ja) 1988-02-09 1989-08-15 Toshiba Corp 高精度ｘｙステージ装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0545102Y2 (ja) 1988-02-24 1993-11-17
JPH01255404A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Toshiba Corp 浮上用電磁石装置
JPH01278240A (ja) 1988-04-28 1989-11-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用無停電電源
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH01314247A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Fuji Plant Kogyo Kk プリント基板の自動露光装置
JPH0831514B2 (ja) 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0242382A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Canon Inc 移動ステージ構造
JPH0265149A (ja) 1988-08-30 1990-03-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2729058B2 (ja) 1988-08-31 1998-03-18 山形日本電気株式会社 半導体装置の露光装置
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JP2682067B2 (ja) 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2697014B2 (ja) 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH02139146A (ja) 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段６自由度位置決めテーブル
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
JPH07104442B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 旭硝子株式会社 フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法
DE3907136A1 (de) 1989-03-06 1990-09-13 Jagenberg Ag Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen
JPH02261073A (ja) 1989-03-29 1990-10-23 Sony Corp 超音波モータ
JPH02287308A (ja) 1989-04-03 1990-11-27 Mikhailovich Khodosovich Vladimir 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法
JPH02285320A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡の絞装置
JPH02298431A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 放電加工装置
JPH02311237A (ja) 1989-05-25 1990-12-26 Fuji Electric Co Ltd 搬送装置
JPH0341399A (ja) 1989-07-10 1991-02-21 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0364811A (ja) 1989-07-31 1991-03-20 Okazaki Seisakusho:Kk 中空心線ｍｉケーブルと中空心線ｍｉケーブルの製造方法
JPH0372298A (ja) 1989-08-14 1991-03-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0394445A (ja) 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ搬送システム
JPH03132663A (ja) 1989-10-18 1991-06-06 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03134341A (ja) 1989-10-20 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置
JP2784225B2 (ja) 1989-11-28 1998-08-06 双葉電子工業株式会社 相対移動量測定装置
JP3067142B2 (ja) 1989-11-28 2000-07-17 富士通株式会社 ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JPH03211812A (ja) 1990-01-17 1991-09-17 Canon Inc 露光装置
JP2515098Y2 (ja) 1990-02-08 1996-10-23 光洋精工株式会社 四輪駆動車用駆動力伝達装置
JPH03263810A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 半導体露光装置の振動制御方法
JP2624560B2 (ja) 1990-04-20 1997-06-25 日鐵溶接工業株式会社 ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤ
JPH0710897B2 (ja) 1990-04-27 1995-02-08 日本油脂株式会社 プラスチックレンズ
JPH0432154A (ja) 1990-05-25 1992-02-04 Iwasaki Electric Co Ltd メタルハライドランプ装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3077176B2 (ja) 1990-08-13 2000-08-14 株式会社ニコン 露光方法、装置、及び素子製造方法
JP2995820B2 (ja) 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法，並びにデバイス製造方法
JP3049774B2 (ja) 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP2548834B2 (ja) 1990-09-25 1996-10-30 三菱電機株式会社 電子ビーム寸法測定装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JPH04152512A (ja) 1990-10-16 1992-05-26 Fujitsu Ltd ウエハチャック
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
JPH04179115A (ja) 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
JP3094439B2 (ja) 1990-11-21 2000-10-03 株式会社ニコン 露光方法
JPH0480052U (ja) 1990-11-27 1992-07-13
JPH04235558A (ja) 1991-01-11 1992-08-24 Toshiba Corp 露光装置
JP3255168B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-12 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP3084761B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP3200894B2 (ja) 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JP2860174B2 (ja) 1991-03-05 1999-02-24 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
JPH04280619A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH04282539A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Hitachi Ltd 反射・帯電防止膜の形成方法
JPH05259069A (ja) 1991-03-13 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ周辺露光方法
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04296092A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー装置
JP2602345Y2 (ja) 1991-03-29 2000-01-11 京セラ株式会社 静圧軸受装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH04330961A (ja) 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
FR2676288B1 (fr) 1991-05-07 1994-06-17 Thomson Csf Collecteur d'eclairage pour projecteur.
JPH04343307A (ja) 1991-05-20 1992-11-30 Ricoh Co Ltd レーザー調整装置
JP2884830B2 (ja) 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JPH0590128A (ja) 1991-06-13 1993-04-09 Nikon Corp 露光装置
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05109601A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JPH05127086A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05199680A (ja) 1992-01-17 1993-08-06 Honda Motor Co Ltd 電源装置
JPH0794969B2 (ja) 1992-01-29 1995-10-11 株式会社ソルテック 位置合せ方法及びその装置
JP3194155B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH05217837A (ja) 1992-02-04 1993-08-27 Toshiba Corp Ｘｙ移動テーブル
JP3153372B2 (ja) 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH05241324A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nikon Corp フォトマスク及び露光方法
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
DE4213332C1 (en) 1992-04-23 1993-06-17 Wolfgang Dipl.-Ing. 2000 Hamburg De Miegel Drive for underground prodn. of conduits - comprises outer appts. area in which a striker and floor compressor are integrated
JP3242693B2 (ja) 1992-05-15 2001-12-25 富士通株式会社 ペリクル貼り付け装置
JP2673130B2 (ja) 1992-05-20 1997-11-05 株式会社キトー 走行用レールの吊下支持装置
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JPH0636054A (ja) 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp ワンチップマイクロコンピュータ
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07318847A (ja) 1994-05-26 1995-12-08 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06104167A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 露光装置及び半導体装置の製造方法
JP2884947B2 (ja) 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2724787B2 (ja) 1992-10-09 1998-03-09 キヤノン株式会社 位置決め装置
JPH06124872A (ja) 1992-10-14 1994-05-06 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06148399A (ja) 1992-11-05 1994-05-27 Nikon Corp Ｘ線用多層膜ミラーおよびｘ線顕微鏡
JPH06163350A (ja) 1992-11-19 1994-06-10 Matsushita Electron Corp 投影露光方法および装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JPH06186025A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Yunisun:Kk 三次元測定装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3201027B2 (ja) 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JPH06204121A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2765422B2 (ja) 1992-12-28 1998-06-18 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2786070B2 (ja) 1993-01-29 1998-08-13 セントラル硝子株式会社 透明板状体の検査方法およびその装置
JPH07245258A (ja) 1994-03-08 1995-09-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH06244082A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3291818B2 (ja) 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3537843B2 (ja) 1993-03-19 2004-06-14 株式会社テクノ菱和 クリーンルーム用イオナイザー
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
JP3309871B2 (ja) 1993-04-27 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH06326174A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd ウェハ真空吸着装置
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JP3844787B2 (ja) 1993-09-02 2006-11-15 日産化学工業株式会社 フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
JP3099933B2 (ja) 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
JP3376045B2 (ja) 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07134955A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Hitachi Ltd 表示装置およびその反射率調整方法
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JP3278303B2 (ja) 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07147223A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Hitachi Ltd パターン形成方法
EP0656555B1 (en) 1993-12-01 2003-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display for 3D images
JPH07167998A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Nikon Corp レーザープラズマｘ線源用標的
JP3487517B2 (ja) 1993-12-16 2004-01-19 株式会社リコー 往復移動装置
JPH07183201A (ja) 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JP3508190B2 (ja) 1993-12-21 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置及び投写型表示装置
JPH07190741A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
JPH07220989A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1998-02-18 日本電気株式会社 光強度分布シミュレーション方法
JP3372633B2 (ja) 1994-02-04 2003-02-04 キヤノン株式会社 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置
JP2836483B2 (ja) 1994-05-13 1998-12-14 日本電気株式会社 照明光学装置
JPH07239212A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
JPH07243814A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 線幅測定方法
JPH07263315A (ja) 1994-03-25 1995-10-13 Toshiba Corp 投影露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JPH07283119A (ja) 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法
JP3193567B2 (ja) 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JP3090577B2 (ja) 1994-06-29 2000-09-25 浜松ホトニクス株式会社 導電体層除去方法およびシステム
JP3205663B2 (ja) 1994-06-29 2001-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JPH0822948A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3205468B2 (ja) 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JPH0846751A (ja) 1994-07-29 1996-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 照明光学系
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08151220A (ja) 1994-11-28 1996-06-11 Nippon Sekiei Glass Kk 石英ガラスの成形方法
JPH08162397A (ja) 1994-11-30 1996-06-21 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08195375A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 回転乾燥方法および回転乾燥装置
JPH08203803A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Nikon Corp 露光装置
JP3521544B2 (ja) 1995-05-24 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3312164B2 (ja) 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
JPH08297699A (ja) 1995-04-26 1996-11-12 Hitachi Ltd 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
JP3531297B2 (ja) 1995-06-19 2004-05-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP3561556B2 (ja) 1995-06-29 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ マスクの製造方法
JP3637639B2 (ja) 1995-07-10 2005-04-13 株式会社ニコン 露光装置
JPH09108551A (ja) 1995-08-11 1997-04-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 浄水器
JPH0961686A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp プラスチックレンズ
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3487527B2 (ja) 1995-09-14 2004-01-19 株式会社東芝 光屈折装置
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
JPH0992593A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
FR2740554A1 (fr) 1995-10-31 1997-04-30 Philips Electronique Lab Systeme de controle de la phase de decharge des cycles de charge-decharge d'une batterie rechargeable, et dispositif hote muni d'une batterie intelligente
JPH09134870A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd パターン形成方法および形成装置
JPH09148406A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JPH09151658A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nichibei Co Ltd 移動間仕切壁のランナ連結装置
JPH09160004A (ja) 1995-12-01 1997-06-20 Denso Corp 液晶セル及びその空セル
JP3406957B2 (ja) 1995-12-06 2003-05-19 キヤノン株式会社 光学素子及びそれを用いた露光装置
JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09178415A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 光波干渉測定装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3232473B2 (ja) 1996-01-10 2001-11-26 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3189661B2 (ja) 1996-02-05 2001-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP3576685B2 (ja) 1996-02-07 2004-10-13 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09227294A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 人工水晶の製造方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JP3782151B2 (ja) 1996-03-06 2006-06-07 キヤノン株式会社 エキシマレーザー発振装置のガス供給装置
JPH09243892A (ja) 1996-03-06 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子
JPH09281077A (ja) 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd キャピラリ−電気泳動装置
JP2691341B2 (ja) 1996-05-27 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09326338A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Nikon Corp 製造管理装置
JPH09325255A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 電子カメラ
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH102865A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Nikon Corp レチクルの検査装置およびその検査方法
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1032160A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JP3646415B2 (ja) 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
JP3646757B2 (ja) 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH1079337A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH1062305A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Advantest Corp Ｃｃｄカメラの感度補正方法およびｃｃｄカメラ感度補正機能付ｌｃｄパネル表示試験システム
JPH1082611A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
JPH10104427A (ja) 1996-10-03 1998-04-24 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
JPH10116778A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Canon Inc スキャン露光装置
JPH10116779A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp ステージ装置
JP3955985B2 (ja) 1996-10-16 2007-08-08 株式会社ニコン マーク位置検出装置及び方法
KR100191329B1 (ko) 1996-10-23 1999-06-15 윤종용 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치.
JPH10135099A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP3624065B2 (ja) 1996-11-29 2005-02-23 キヤノン株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JPH10169249A (ja) 1996-12-12 1998-06-23 Ohbayashi Corp 免震構造
JPH10189700A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp ウェーハ保持機構
JP2910716B2 (ja) 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH10206714A (ja) 1997-01-20 1998-08-07 Canon Inc レンズ移動装置
JP2926325B2 (ja) 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10209018A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線マスクフレームおよびｘ線マスクの保持方法
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH118194A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH113856A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JP3233341B2 (ja) 1997-06-12 2001-11-26 船井電機株式会社 製パン機およびこれに用いられる記録媒体
JPH113849A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JPH1114876A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Nikon Corp 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Nikon Corp 試料保持装置および走査型露光装置
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1187237A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
JP4164905B2 (ja) 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11111819A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JPH11111818A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハ保持装置及びウェハ保持具
JPH11111601A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP3097620B2 (ja) 1997-10-09 2000-10-10 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
JPH11150062A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nikon Corp 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11163103A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH11159571A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Nikon Corp 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031716A1 (fr) 1997-12-16 1999-06-24 Nikon Corporation Aligneur, methode d'exposition et procede de fabrication de ce dispositif
JP3673633B2 (ja) 1997-12-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 投影光学系の組立調整方法
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11219882A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Nikon Corp ステージ及び露光装置
JP3820728B2 (ja) 1998-02-04 2006-09-13 東レ株式会社 基板の測定装置
JPH11288879A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Hitachi Ltd 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
JPH11233434A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
JPH11260686A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 露光方法
JPH11264756A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
WO1999049366A1 (fr) 1998-03-20 1999-09-30 Nikon Corporation Photomasque et systeme d'exposition par projection
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
KR20010042133A (ko) 1998-03-26 2001-05-25 오노 시게오 노광방법, 노광장치, 포토마스크, 포토마스크의 제조방법,마이크로디바이스, 및 마이크로디바이스의 제조방법
JPH11307610A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
JPH11312631A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
JP4090115B2 (ja) 1998-06-09 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
WO1999066370A1 (fr) 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede relatif a l'elaboration d'un masque
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000021748A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP2000021742A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
DE19829612A1 (de) 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP2000032403A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
JP2000036449A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Nikon Corp 露光装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU4930099A (en) 1998-08-18 2000-03-14 Nikon Corporation Illuminator and projection exposure apparatus
JP2000081320A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000092815A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP4132397B2 (ja) 1998-09-16 2008-08-13 積水化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2000121491A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Nikon Corp 光学系の評価方法
JP2001176766A (ja) 1998-10-29 2001-06-29 Nikon Corp 照明装置及び投影露光装置
JP2000147346A (ja) 1998-11-09 2000-05-26 Toshiba Corp モールドレンズの取付機構
JP2000180371A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
JP4146952B2 (ja) 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000208407A (ja) 1999-01-19 2000-07-28 Nikon Corp 露光装置
JP2000243684A (ja) 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000240717A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Canon Inc 能動的除振装置
JP2000252201A (ja) 1999-03-02 2000-09-14 Nikon Corp 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法
JP2000286176A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
JP2000283889A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法
AU4143000A (en) 1999-04-28 2000-11-17 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US6671246B1 (en) * 1999-04-28 2003-12-30 Olympus Optical Co., Ltd. Optical pickup
DE19921795A1 (de) 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
WO2001003170A1 (fr) 1999-06-30 2001-01-11 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
JP2001020951A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Toto Ltd 静圧気体軸受
JP2001023996A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 半導体製造方法
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
JP2001037201A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2001044097A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
JP3110023B1 (ja) 1999-09-02 2000-11-20 岩堀 雅行 燃料放出装置
JP2001083472A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光変調装置、光源装置、及び露光装置
JP4362857B2 (ja) 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
WO2001022480A1 (fr) 1999-09-20 2001-03-29 Nikon Corporation Mecanisme a attelages paralleles, systeme d'exposition et procede de fabrication, et procede de fabrication de dispositifs
JP2001097734A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス製容器およびその製造方法
KR100625625B1 (ko) 1999-10-07 2006-09-20 가부시키가이샤 니콘 기판, 스테이지 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 장치 및노광 방법
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001135560A (ja) 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
JP2001144004A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2001167996A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP2001203140A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3413485B2 (ja) 2000-01-31 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 リニアモータにおける推力リップル測定方法
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP2001228404A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Nikon Engineering Co Ltd 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法
JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2001242269A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法
US7301605B2 (en) * 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
DE10010131A1 (de) 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
JP2001267227A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001265581A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP2001272764A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法
JP4689064B2 (ja) 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001282526A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2001296105A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
JP2001297976A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001304332A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Canon Inc 能動制振装置
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
EP1277073B1 (en) 2000-04-25 2006-11-15 ASML Holding N.V. Optical reduction system with control of illumination polarization
JP2003532282A (ja) 2000-04-25 2003-10-28 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド レチクル回折誘起バイアスのない光学縮小システム
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
JP2001356263A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Pioneer Electronic Corp 組み合わせ対物レンズ、光ピックアップ装置、光学式記録再生装置及び組み合わせ対物レンズ製造方法
JP2002016124A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2002043213A (ja) 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
EP1744193A1 (en) 2000-08-18 2007-01-17 Nikon Corporation Optical element holding device with drive mechanism allowing movement of the element along three coordinate axes
JP3645801B2 (ja) 2000-08-24 2005-05-11 ペンタックス株式会社 ビーム列検出方法および検出用位相フィルター
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4504537B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002093686A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002091922A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Fujitsu General Ltd アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
US20020075467A1 (en) 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP2002158157A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2002170495A (ja) 2000-11-28 2002-06-14 Akira Sekino 隔壁一体型合成樹脂背面基板
JP2002231619A (ja) 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002190438A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Nikon Corp 露光装置
JP2002198284A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002203763A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002195912A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002202221A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3495992B2 (ja) 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2002227924A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Canon Inc 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置
WO2002063664A1 (fr) 2001-02-06 2002-08-15 Nikon Corporation Systeme et procede d'exposition et procede de production de dispositif
TWI285295B (en) 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
JP4714403B2 (ja) 2001-02-27 2011-06-29 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
JP2002258487A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4501292B2 (ja) 2001-03-05 2010-07-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法
JP2002289505A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置，露光装置の調整方法，マイクロデバイスの製造方法
WO2002080185A1 (fr) 2001-03-28 2002-10-10 Nikon Corporation Dispositif a etages, dispositif d'exposition et procede de fabrication du dispositif
JP2002365783A (ja) 2001-04-05 2002-12-18 Sony Corp マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP2002324743A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2002329651A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
DE10124566A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10124803A1 (de) 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
JP2002353105A (ja) 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，およびマイクロデバイスの製造方法
JP2002359174A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
JP4622160B2 (ja) 2001-05-31 2011-02-02 旭硝子株式会社 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置
JP4689081B2 (ja) 2001-06-06 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法
JP3734432B2 (ja) 2001-06-07 2006-01-11 三星電子株式会社 マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法
JPWO2002101804A1 (ja) 2001-06-11 2004-09-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置
JP2002367523A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
JP2003017003A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JP2003045712A (ja) 2001-07-26 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 防水コイル及びその製造方法
JP4522024B2 (ja) 2001-07-27 2010-08-11 キヤノン株式会社 水銀ランプ、照明装置及び露光装置
JP2003043223A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Nikon Corp 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
JP2003068600A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
JP4183166B2 (ja) 2001-08-31 2008-11-19 京セラ株式会社 位置決め装置用部材
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
JP2003081654A (ja) 2001-09-06 2003-03-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 合成石英ガラスおよびその製造方法
JPWO2003023832A1 (ja) 2001-09-07 2004-12-24 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003084445A (ja) 2001-09-13 2003-03-19 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
JP4160286B2 (ja) 2001-09-21 2008-10-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法
JP3910032B2 (ja) 2001-09-25 2007-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP2003114387A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP4412450B2 (ja) 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2003124095A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003130132A (ja) 2001-10-22 2003-05-08 Nec Ameniplantex Ltd 除振機構
JP4362999B2 (ja) 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2003166856A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
JP2003161882A (ja) 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP3945569B2 (ja) 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
JP2003188087A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP3809381B2 (ja) 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003229347A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Canon Inc 半導体製造装置
JP2003233001A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003240906A (ja) 2002-02-20 2003-08-27 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止体およびその製造方法
JP2003258071A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP2003263119A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Fuji Xerox Co Ltd リブ付き電極およびその製造方法
JP3984841B2 (ja) 2002-03-07 2007-10-03 キヤノン株式会社 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3975787B2 (ja) 2002-03-12 2007-09-12 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4100011B2 (ja) 2002-03-13 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置、有機ｅｌ装置の製造装置及び製造方法
JP4335495B2 (ja) 2002-03-27 2009-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置
JP2003297727A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JPWO2003085708A1 (ja) 2002-04-09 2005-08-18 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10310690A1 (de) 2002-04-12 2003-10-30 Heidelberger Druckmasch Ag Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine
JP4292497B2 (ja) 2002-04-17 2009-07-08 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および露光方法
JP4037179B2 (ja) 2002-06-04 2008-01-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、洗浄装置
JP2004015187A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ
JP2004014876A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
JP3448812B2 (ja) 2002-06-14 2003-09-22 株式会社ニコン マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法
JP2004022708A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Nikon Corp 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP2004179172A (ja) 2002-06-26 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP4012771B2 (ja) 2002-06-28 2007-11-21 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム
JP2004039952A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
JP2004040039A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Sony Corp 露光方法の選択方法
JP2004045063A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Topcon Corp 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
JP2004071851A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Canon Inc 半導体露光方法及び露光装置
JP2004085612A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法
JP4095376B2 (ja) 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004095653A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Nikon Corp 露光装置
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
JP2004103674A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2004098012A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器
JP4269610B2 (ja) 2002-09-17 2009-05-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光装置の製造方法
JP2004119497A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Huabang Electronic Co Ltd 半導体製造設備と方法
JP4333866B2 (ja) 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2004128307A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法
JP2004134682A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Nikon Corp 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
JP2004146702A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004153096A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004153064A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004152705A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004165249A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
JP2004163555A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Olympus Corp 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ
JP2004165416A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Nikon Corp 露光装置及び建屋
JP2004172471A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4378938B2 (ja) 2002-11-25 2009-12-09 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
JP4314555B2 (ja) 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
TW200412617A (en) 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20110086130A (ko) 2002-12-10 2011-07-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2004301825A (ja) 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP2004193425A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Nikon Corp 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004198748A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004205698A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP2004221253A (ja) 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
JP2004224421A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Autom Mach Works Ltd 製品供給装置
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2004241666A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Nikon Corp 計測方法及び露光方法
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004259828A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 半導体露光装置
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2004259985A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
KR101562447B1 (ko) 2003-02-26 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2004260081A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置
JP4305003B2 (ja) 2003-02-27 2009-07-29 株式会社ニコン Ｅｕｖ光学系及びｅｕｖ露光装置
JP2004260115A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
KR101181688B1 (ko) 2003-03-25 2012-09-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2004294202A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 画面の欠陥検出方法及び装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4374964B2 (ja) 2003-09-26 2009-12-02 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4281397B2 (ja) 2003-04-07 2009-06-17 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4288413B2 (ja) 2003-04-07 2009-07-01 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
DE602004020200D1 (de) 2003-04-07 2009-05-07 Nippon Kogaku Kk Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JP4465974B2 (ja) 2003-04-07 2010-05-26 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4341277B2 (ja) 2003-04-07 2009-10-07 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
JP2004319724A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Ses Co Ltd 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
JPWO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2006-07-13 株式会社ニコン 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2004107011A1 (ja) * 2003-05-06 2004-12-09 Nikon Corporation 投影光学系、露光装置及び露光方法
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP2004335864A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP4487168B2 (ja) 2003-05-09 2010-06-23 株式会社ニコン ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置
JP2004342987A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Canon Inc ステージ装置
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TW201415536A (zh) 2003-05-23 2014-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
JP2004356205A (ja) 2003-05-27 2004-12-16 Tadahiro Omi スキャン型露光装置および露光方法
KR20060009956A (ko) 2003-05-28 2006-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2004356410A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JPWO2004109780A1 (ja) 2003-06-04 2006-07-20 株式会社ニコン ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JP2005005295A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
JP2005005521A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
EP2216685B1 (en) 2003-06-19 2012-06-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005011990A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005026634A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2005-01-27 Nikon Corporation フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005051147A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005055811A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Olympus Corp 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法
JP2005064210A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP4262031B2 (ja) 2003-08-19 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
KR101345020B1 (ko) 2003-08-29 2013-12-26 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
DE10343333A1 (de) 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005091023A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Minolta Co Ltd 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
JP2005093324A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toshiba Corp 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005093948A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
JP4385702B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005114882A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
JP2005116831A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Nikon Corp 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2005-04-21 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置および露光方法
WO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2005-04-21 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005127460A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 免震除振床システム
KR101121260B1 (ko) 2003-10-28 2012-03-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
JP4631707B2 (ja) 2003-11-13 2011-02-16 株式会社ニコン 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JPWO2005048325A1 (ja) 2003-11-17 2007-11-29 株式会社ニコン ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
JP4470095B2 (ja) 2003-11-20 2010-06-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4552428B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社ニコン 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175177A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 光学装置及び露光装置
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
KR101119813B1 (ko) 2003-12-15 2012-03-06 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
DE602004027162D1 (de) 2004-01-05 2010-06-24 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
JP4586367B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP2005209705A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4474927B2 (ja) 2004-01-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005209769A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Canon Inc 露光装置
JP4319189B2 (ja) 2004-01-26 2009-08-26 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7557900B2 (en) 2004-02-10 2009-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method
CN100592210C (zh) * 2004-02-13 2010-02-24 卡尔蔡司Smt股份公司 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
WO2005081291A1 (ja) 2004-02-19 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置及びデバイスの製造方法
JP2005234359A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Ricoh Co Ltd 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置
JP4693088B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
WO2005081292A1 (ja) 2004-02-20 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置、供給方法及び回収方法、露光方法、ならびにデバイス製造方法
JP4333404B2 (ja) 2004-02-25 2009-09-16 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005243904A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
JP2005251549A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Nikon Corp マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP4778685B2 (ja) 2004-03-10 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
JP4577023B2 (ja) * 2004-03-15 2010-11-10 ソニー株式会社 ソリッドイマージョンレンズ、集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4510494B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
KR101330370B1 (ko) 2004-04-19 2013-11-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005311020A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4569157B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社ニコン 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
JP2005340605A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Nikon Corp 露光装置およびその調整方法
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
JP2006005197A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Canon Inc 露光装置
JP4419701B2 (ja) 2004-06-21 2010-02-24 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
EP1788694A4 (en) 2004-07-15 2014-07-02 Nikon Corp EQUIPMENT FOR PLANAR MOTOR, STAGE EQUIPMENT, EXPOSURE EQUIPMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
JP4411158B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-10 キヤノン株式会社 露光装置
JP2006049758A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
JP2006054364A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Nikon Corp 基板吸着装置、露光装置
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
JP4983257B2 (ja) 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
JP2006073584A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
JP4779973B2 (ja) 2004-09-01 2011-09-28 株式会社ニコン 基板ホルダ及びステージ装置並びに露光装置
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006080281A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Nikon Corp ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20070048722A (ko) 2004-09-10 2007-05-09 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치 및 노광 장치
JP2006114195A (ja) * 2004-09-14 2006-04-27 Sony Corp レンズ保持体とこれを用いた集光レンズ、光学ピックアップ装置及び光記録再生装置
JP2006114196A (ja) * 2004-09-14 2006-04-27 Sony Corp ソリッドイマージョンレンズとこれを用いた集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法
JP2006086141A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
EP1804278A4 (en) 2004-09-14 2011-03-02 Nikon Corp CORRECTION METHOD AND EXPOSURE DEVICE
JP2006086442A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
CN101015039B (zh) 2004-09-17 2010-09-01 尼康股份有限公司 曝光用基板、曝光方法及元件制造方法
JP2004359966A (ja) 2004-09-24 2004-12-24 Jsr Corp 熱可塑性樹脂組成物
JP4804358B2 (ja) 2004-09-27 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 空間光変調装置、光学処理装置、及びカップリングプリズムの使用方法
JP2006100363A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP2006114839A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2006120985A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006121009A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US8330939B2 (en) 2004-11-01 2012-12-11 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage
JP4517354B2 (ja) 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006051909A1 (ja) 2004-11-11 2006-05-18 Nikon Corporation 露光方法、デバイス製造方法、及び基板
JP2006140366A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
EP3428724A1 (en) 2004-12-15 2019-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
JP2005150759A (ja) 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2006170811A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Nikon Corp 多層膜反射鏡、ｅｕｖ露光装置、及び軟ｘ線光学機器
JP2006170899A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Sendai Nikon:Kk 光電式エンコーダ
EP1830456A1 (en) 2004-12-24 2007-09-05 Nikon Corporation Magnetic guiding apparatus, stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006177865A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Ntn Corp 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4402582B2 (ja) 2004-12-27 2010-01-20 大日本印刷株式会社 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置
JP4632793B2 (ja) 2005-01-12 2011-02-16 京セラ株式会社 ナビゲーション機能付き携帯型端末機
US8053937B2 (en) 2005-01-21 2011-11-08 Nikon Corporation Linear motor, stage apparatus and exposure apparatus
JP2006222222A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Canon Inc 投影光学系及びそれを有する露光装置
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
JP2006253572A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5125503B2 (ja) 2005-03-23 2013-01-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4858744B2 (ja) 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
JP2006278820A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP4546315B2 (ja) 2005-04-07 2010-09-15 株式会社神戸製鋼所 微細加工用型の製造方法
WO2006118108A1 (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法
US8248577B2 (en) * 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101504765B1 (ko) * 2005-05-12 2015-03-30 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
JP2006343023A (ja) 2005-06-08 2006-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 冷却器
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4710427B2 (ja) 2005-06-15 2011-06-29 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
JP5069232B2 (ja) * 2005-07-25 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ
JP5309565B2 (ja) 2005-08-05 2013-10-09 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007048819A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007043980A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Sanei Gen Ffi Inc 焼成和洋菓子用品質改良剤
JP2007087306A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Yokohama National Univ 目標画像指定作成方式
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
JP4640090B2 (ja) 2005-10-04 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構
JP2007113939A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nikon Corp 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2007120333A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器
JP2007120334A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp 車両駆動システムの異常診断装置
JP4809037B2 (ja) 2005-10-27 2011-11-02 日本カニゼン株式会社 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品
WO2007055237A1 (ja) 2005-11-09 2007-05-18 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20080068013A (ko) 2005-11-14 2008-07-22 가부시키가이샤 니콘 액체 회수 부재, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조방법
JP2007142313A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Nikon Corp 計測工具及び調整方法
JP2007144864A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置
TW200725195A (en) 2005-12-06 2007-07-01 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and unit manufacturing method
EP3327759A1 (en) 2005-12-08 2018-05-30 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP4800901B2 (ja) 2005-12-12 2011-10-26 矢崎総業株式会社 電圧検出装置及び絶縁インタフェース
US20070166134A1 (en) 2005-12-20 2007-07-19 Motoko Suzuki Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus
JP2007170938A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sendai Nikon:Kk エンコーダ
JP2007207821A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2007227637A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Canon Inc 液浸露光装置
US20090002830A1 (en) 2006-02-27 2009-01-01 Nikon Corporation Dichroic Filter
JP4929762B2 (ja) 2006-03-03 2012-05-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007280623A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
JP2007295702A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Toshiba Mach Co Ltd リニアモータ、および、ステージ駆動装置
JPWO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2009-09-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
JP4873138B2 (ja) 2006-06-21 2012-02-08 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及びプログラム
JP2008058580A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Canon Inc 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム
JP2008064924A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Seiko Epson Corp 定着装置及び画像形成装置
EP2068349A4 (en) 2006-09-29 2011-03-30 Nikon Corp STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE
JP2007051300A (ja) 2006-10-10 2007-03-01 Teijin Chem Ltd 難燃性樹脂組成物
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
TWI452437B (zh) 2006-11-27 2014-09-11 尼康股份有限公司 An exposure method, a pattern forming method, and an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
WO2008078668A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Miura Co., Ltd. ボイラ給水用補給水の供給方法
JP5146323B2 (ja) 2006-12-27 2013-02-20 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
WO2008090975A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
CN101681092B (zh) 2007-05-09 2012-07-25 株式会社尼康 光罩用基板、光罩用基板的成形构件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法
BRPI0812782B1 (pt) 2007-05-31 2019-01-22 Panasonic Corp aparelho de captura de imagem, aparelho de provisão de informação adicional e método para uso em um aparelho de provisão de informação adicional
JP5194650B2 (ja) 2007-08-31 2013-05-08 株式会社ニコン 電子カメラ
JP4499774B2 (ja) 2007-10-24 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
JPWO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2011-11-24 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
KR101504388B1 (ko) 2008-06-26 2015-03-19 가부시키가이샤 니콘 표시소자의 제조방법 및 제조장치
KR20110028473A (ko) 2008-06-30 2011-03-18 가부시키가이샤 니콘 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치, 및 회로 형성 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004019128A2 (en) * 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
WO2004092830A2 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
JP2005003982A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
WO2005006417A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005020298A1 (ja) * 2003-08-26 2005-03-03 Nikon Corporation 光学素子及び露光装置
JP2005115127A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Nikon Corp 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法
JP2006140494A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016118790A (ja) * 2005-05-12 2016-06-30 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法

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Publication number Publication date
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