JP3910032B2 - 基板現像装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)に被着された感光性被膜に対して現像処理を施す基板現像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、基板に対するフォトリソグラフィによる塗布被膜へのパターニングは、塗布装置による塗布液の塗布、熱処理装置による塗布後ベーク、露光装置による露光、熱処理装置による露光後ベーク、基板現像装置による現像、熱処理装置による現像後ベークを順に施すことで行われている。その後、パターン寸法が所望の精度で形成されているか否かを判断するために、CD(Critical Dimension)の確認が行われる。
【0003】
CDの確認には一般的にCD用のSEM(走査型電子顕微鏡)が用いられており、パターン寸法を測定し、それが所望精度を満たしていない場合には、被膜を剥離した後に上述した処理を再び行う「リワーク」と呼ばれる作業を行う。なお、一般的には、パターン精度が向上するようにレシピ等を調整した後にリワークを行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置はCDの確認のためにCD−SEMが使われており、現像後ベークを終えた基板をCD−SEMに移動して測定する。そのため測定結果が得られるまでは基板現像装置を停止せざるを得ず、稼働時間が低下するという問題がある。なお、精度測定用のパイロット基板を用いて確認が行われた後に、製品用の基板に対して現像処理が行われる場合もあるが、その場合であっても寸法が所望精度を満たしていない場合には所望精度が得られるまでパイロット基板に対してリワークを行う必要がある。
【0005】
このような問題を解決するために、CD−SEMを基板現像装置に組み込むという提案もなされている。しかし、SEMの動作原理上、安定した電子ビームを得るためにはチャンバを減圧する必要があるので、測定に長時間を要するという問題がある。そのため、やはり上述の同様の問題が生じる。
【0006】
また、CD−SEMは非常に高価であるので、これを基板現像装置に一体的に取り付けるとなると装置コストが高くなるという問題もある。
【0007】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、反射光に基づいてパターン寸法の適否を判断することにより、装置の稼働率を向上させることができ、しかも比較的コストで実現可能な基板現像装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に対して現象処理を施す基板現像装置において、基板を吸着保持するスピンチャックと、現像された被膜のパターン寸法を反射光に基づき測定するとともに、パターン寸法の適否を判定するための測定手段と、前記測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には警報を発する警報手段と、を備え、前記測定手段は、前記スピンチャック上の基板に対して光を照射する多波長光源と、前記スピンチャック上の基板からの反射光を分光する分光器と、前記分光器からの出力を処理して、現像された被膜のパターン寸法を求めるとともにパターン寸法の適否を判定する画像処理手段と、を備え、基板に対して前記スピンチャック上で現像・リンスが終了した後に、判定することを特徴とするものである。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板現像装置において、前記測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には、処理を停止することを特徴とするものである。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の基板現像装置において、さらに、オペレータが操作する操作部を備え、前記測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には、同じロットの残りの基板に対して、不適であると判定された基板と同じ処理を施すか、中止するかの選択について、オペレータによる判断を前記操作部から受け付けることを特徴とするものである。
【0011】
請求項4に記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板現像装置において、前記画像処理手段は、測定された分光反射スペクトルに基づきパターン寸法の適否を判定することを特徴とするものである。
【0012】
請求項5に記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板現像装置において、前記画像処理手段は、測定された特定波長の反射光強度に基づきパターン寸法の適否を判定することを特徴とするものである。
【0013】
【作用】
請求項1に記載の発明の作用は次のとおりである。
すなわち、基板現像装置に内蔵された測定手段が反射光に基づきパターン寸法を測定してその適否を判定する。すなわち、測定手段の多波長光源からの光が基板の塗布被膜被着面で反射し、それが分光器で分光される。分光された光は画像処理手段により処理される。そして、パターン寸法が不適である場合には警報手段が警報を発するので、パターン寸法測定のために基板を別体の測定装置に移動させることなく現像処理が適切に行われたかを判断することができ、しかもSEMを用いないのでコストを抑制できる。したがって、装置の稼働率を向上させることができ、比較的低コストで実現することができる。
【0014】
請求項2に記載の発明によれば、測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には、処理を停止する。
【0015】
請求項3に記載の発明によれば、測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には、同じ処理を施すか、中止するかの選択について、オペレータによる判断を操作部から受け付ける。
【0016】
請求項4に記載の発明によれば、画像処理手段は、測定された分光反射スペクトルがパターン寸法ごとに異なることに基づきパターン寸法の適否を判定する。
【0017】
請求項5に記載の発明によれば、画像処理手段は、測定された反射光強度がパターン寸法ごとに異なることに基づきパターン寸法の適否を判定する。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
図1はこの発明の一実施例に係り、その要部を示した斜視図である。
【0019】
スピンチャック1は、基板Wを水平姿勢に吸着保持する。このスピンチャック1は、電動モータ3の回転軸に連結されており、電動モータ3が駆動されると鉛直軸周りに回転される。
【0020】
基板Wの側方にあたる待機位置には、現像ノズル5とリンスノズル7が配置されている。これらのノズル5,7は、図示しない移動機構によって図中に二点鎖線で示す方向に対して基板Wの表面に沿って移動される。また、図示省略しているが、それぞれの下面には、上記移動方向に直交する方向に長辺を有するスリット状の開口部を備えている。現像ノズル5は電磁開閉弁9を介して現像液供給源に連通接続されており、リンスノズル7は電磁開閉弁11を介してリンス液供給源に連通接続されている。
【0021】
上述した現像ノズル5及びリンスノズル7の移動方向付近には、基板Wの側方に離れた「待機位置」と基板Wの周辺部上方にあたる「測定位置」とにわたって移動可能であり、測定位置付近においてある一定範囲を自在に移動可能に構成された光学ヘッド13が配備されている。この光学ヘッド13は、詳細は後述するが、基板Wの表面における反射光を測定するものである。
【0022】
上述した電動モータ3と、現像ノズル5と、リンスノズル7と、電磁開閉弁9と、電磁開閉弁11と、光学ヘッド13とは、コントローラ15によって制御されている。
【0023】
図2を参照して光学ヘッド13とコントローラ15について詳細に説明する。なお、図2は、それらの詳細を示したブロック図である。
【0024】
基板Wの上方にあたる光学ヘッド13の下部には、光源部17が配備されている。光源部17から横向きに射出された光はビームスプリッタ19により下方に反射されて対物レンズ21を通り、基板Wに対して照射される。
【0025】
光源部17は、ハロゲンランプまたはハロゲンランプ及び重水素ランプを備えたランプ17aと、複数個のレンズ17bとを備えており、可視光または紫外光を含んだ可視光を射出する。
【0026】
基板Wからの反射光は、再び対物レンズ21を通るとともに、その上方の光軸上に配備されたビームスプリッタ19を透過し、その上方に配備されているチューブレンズ23により集光されて分光ユニット25に入射される。
【0027】
また、分光ユニット25とチューブレンズ23の間には、プリズム27が配備されており、基板Wからの反射光の一部を取り出すようになっている。取り出された反射光の一部は、撮像ユニット29に導かれ、レンズ29aを介して所定位置に集光される。集光位置には撮像素子29bが配設されており、測定領域の画像信号が画像処理部31に出力される。
【0028】
画像処理部31は、入力された画像信号に所定の処理を施してI/O33に出力する。出力された画像信号は、CPUやメモリを内蔵した制御部35の制御によりディスプレイ装置37に出力される。オペレータは、このようにして表示される画像を見ながら、操作部39を操作して光学ヘッド13を移動させ、基板W表面の測定パターンがある位置に測定領域を移動して測定を行う。
【0029】
分光ユニット25は、反射光の入射位置にピンホールが形成されたプレート25aと、このプレート25aの上方に配備されて反射光を分光する凹面回折格子25bと、この凹面回折格子25bによって分光された回折光の分光光強度を検出する光検出器25cとを備える。光検出器25cは、例えば、フォトダイオードアレイやCCDなどにより構成されており、プレート25aに形成されているピンホールと共役な関係に配置されている。したがって、分光ユニット25に入射した反射光は、凹面回折格子25bで分光され、この光の分光光強度に対応した信号が光検出器25cから分光反射スペクトルとしてデータ処理部41に出力される。
【0030】
データ処理部41は、操作部39を介してのオペレータの指示に基づく制御部35からの制御信号に応じて処理を行う。簡単に説明すると、まず、予め複数枚の基板Wに同一のパターン寸法測定用の測定パターンを含む製品パターンを形成する。なお、そのときの塗布条件、現像条件などをパターン寸法がある程度変動するように異ならせた上で現像・リンスまでの処理を施しておく。そして、全ての基板Wについて分光反射スペクトルを測定するとともに、CD−SEMなどを用いて各基板Wのパターン寸法を測定しておく。次に、パターン寸法と分光反射スペクトルとを対応付けた検量線データを予め作成しておき、これをデータ処理部41に記憶しておく。
【0031】
なお、この検量線データは、フォトリソグラフィの工程、基板Wの種類、塗布被膜の種類など、分光反射スペクトルとパターン寸法の関係が変わるごとに作成しておくことが好ましい。
【0032】
そして、実際の製品である基板Wの処理の際には、現像・リンス後の基板Wで分光反射スペクトルを測定し、データ処理部41がその分光反射スペクトルと検量線データとから対応するパターン寸法を求める。その結果、所望精度を満たしていない場合には、警報としてディスプレイ装置37に対して所定の表示を行うようになっている。
【0033】
なお、上述した光学ヘッド13が本発明における測定手段に相当し、ディスプレイ装置37が警報手段に相当する。また、光源部17が多波長光源に相当し、凹面回折格子25bが分光器に相当し、データ処理部41が測定手段及び画像処理手段に相当する。
【0034】
次に、図3のフローチャートを参照して、上述した装置による処理の詳細について説明する。なお、図3のフローチャートは、現像・リンス後の処理だけを示している。
【0035】
まず、以下の処理が既に行われているものとする。
現像ノズル5及びリンスノズル7並びに光学ヘッド13が待機位置に移動されている状態で、測定パターンを含む製品パターンが露光された基板Wがスピンチャック1に吸着保持される。そして、基板Wを静止させた状態で、電磁開閉弁9を開放して一定流量で現像液を現像ノズル5から吐出させながら、現像ノズル5を基板Wの表面に沿って一定の速度で移動させる。これにより基板Wの表面に一定量の現像液が液盛りされる(パドル現像と呼ばれる)。この状態を一定時間だけ保持した後、電動モータ3を数秒間回転させて現像液を振り切るとともに、回転が停止したら、電磁開閉弁11を開放してリンス液(純水)を一定流量でリンスノズル7から吐出させながら、リンスノズル7を基板Wの表面に沿って移動させる。これによって基板Wの現像作用が停止される。その後、所定時間だけ電動モータ3を回転させて、基板Wを振り切り乾燥させる。
【0036】
ステップS1
このような現像・リンスが終了した時点で、制御部35の制御の下で、自動的に光学ヘッド13が待機位置から図1に実線で示すような位置に移動する。そして、オペレータはディスプレイ装置37に映し出される基板Wの表面を確認しつつ、操作部39を介して光学ヘッド13を基板W上の測定パターンがある位置に測定領域を移動させる。
【0037】
ステップS2
光学ヘッド13の測定領域が測定パターン上に位置した場合には、オペレータが操作部39を介して測定開始を指示する。すると、データ処理部41は、分光ユニット25からの出力を処理して、分光反射スペクトルを測定する。
【0038】
なお、データ処理部41にてパターンマッチングを行いながら、電動モータ3と図示しない光学ヘッド3の移動手段を制御して、基板W上の測定パターンを探させて光学ヘッド13が測定パターン上に位置したら自動的に分光反射スペクトルを測定するようにしてもよい。
【0039】
ステップS3
データ処理部41は、測定した分光反射スペクトルと、予め記憶してある検量線データとに基づいて測定パターンにおけるパターン寸法を求める。
【0040】
ステップS4
データ処理部41は、求めたパターン寸法と本来必要な寸法とを比較して、所望精度を満たしているか否かを判断する。なお、本来必要な寸法と所望精度(例えば、±5%の精度)は、予め操作部39を介して設定されているものとする。精度を満たしている場合には、ステップS5に移行して次の基板Wの処理に移る。その一方、精度を満たしていない場合には、ステップS6に移行して警報に相当する表示をディスプレイ装置37に表示するとともに、処理を停止してオペレータに判断を委ねる。
【0041】
すなわち、オペレータは、パターン寸法の精度に問題が生じたので、同じロットの残りの基板全てに対して取り敢えず同じ処理を施すか、この時点で同じロットの残りの基板に対する処理を中止するかを選択し、それに応じた操作を行った後に塗布被膜の剥離処理を行うリワークを行う。
【0042】
このように基板現像装置に内蔵された光学ヘッド13及びデータ処理部41が分光反射スペクトルに基づきパターン寸法を測定してその適否を判定する。そして、パターン寸法が不適である場合には警報を発するので、パターン寸法測定のために基板を測定装置に移動させることなく現像処理が適切に行われたかを判断することができ、しかもSEMを用いないのでコストを抑制できる。したがって、基板現像装置の稼働率を向上させることができるとともに、比較的低コストで実現することができる。
【0043】
なお、本発明は、次のように種々の変形実施が可能である。
【0044】
(1)上記の説明では、画像処理手段に相当するデータ処理部41が分光反射スペクトルに基づきパターン寸法の適否を判断しているが、これに代えて特定波長の反射光強度を用いてもよい。これはパターン寸法ごとに特定波長の反射光強度が異なる特性を利用したものである。もちろん、処理に先立ってパターン寸法ごとに特定波長の反射光強度を測定して、検量線データとして保存しておく必要がある。
【0045】
この場合、比較的簡単な処理で実現でき、データ処理部41の負荷を軽くすることができる。その一方、先に述べた分光反射スペクトルに基づき判断する場合は、高精度な判断が可能である。したがって、先に述べたスペクトルと反射光強度とは、求める精度に応じて使い分けることが好ましい。
【0046】
(2)上述した基板現像装置に加えて塗布装置、加熱・冷却装置、搬送装置など複数種類の処理装置を備えた基板処理装置の場合には、基板現像装置に隣接する位置に上述した光学ヘッド13を備えた測定装置を備える構成としてもよい。この場合には、基板現像装置と測定装置とが本発明おける基板現像装置に相当する。このように構成した場合には、基板現像装置で現像を終えた基板を搬送装置で測定装置に搬送した後に上述した処理を行えばよい。
【0047】
(3)スリット状の開口部を備えた現像ノズル5及びリンスノズル7によりパドル現像を行う装置を例に採ったが、これに代えて円形状の開口部を有する現像ノズル及びリンスノズルを備え、基板Wを回転させつつ現像液等を供給する現像方式の基板現像装置にも適用可能である。
【0048】
(4)基板Wの表面のうち光学ユニット13が移動可能な範囲を視野とするCCDカメラを配備しておき、撮影した基板W表面の画像をデータ処理部41で処理することで基板W上の測定パターンがある位置を求め、その位置に電動モータ3及び光学ヘッド13を移動させるようにしてもよい。これにより現像後のパターン測定を自動で迅速に行うことが可能となる。
【0049】
(5)警報手段としては、ディスプレイ装置37に代えてランプなどの発光手段や音声発生手段などを採用してもよく、さらに複数の手段を組み合わせてもよい。
【0050】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項1に記載の発明によれば、基板現像装置に内蔵された測定手段が反射光に基づきパターン寸法を測定してその適否を判定する。具体的には、測定手段の多波長光源からの光が基板の塗布被膜被着面で反射し、それが分光器で分光された後に画像処理手段により処理される。したがってSEMを用いることなく、光強度に基づいてパターン寸法の適否について判断することができる。そして、パターン寸法が不適である場合には警報手段が警報を発するので、パターン寸法測定のために基板を測定装置に移動させることなく現像処理が適切に行われたかを判断することができ、しかもSEMを用いないのでコストを抑制できる。したがって、装置の稼働率を向上させることができるとともに、比較的低コストで実現することができる。
【0051】
請求項2に記載の発明によれば、測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には、処理を停止する。
【0052】
請求項3に記載の発明によれば、測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には、同じ処理を施すか、中止するかの選択について、オペレータによる判断を操作部から受け付ける。
【0053】
請求項4に記載の発明によれば、測定された分光反射スペクトルがパターン寸法ごとに異なる特性を利用してパターン寸法の適否を判定するので、高精度に判断することができる。
【0054】
請求項5に記載の発明によれば、測定された反射光強度がパターン寸法ごとに異なる特性を利用してパターン寸法の適否を判定するので、比較的簡単な処理で実現でき、測定手段の負荷を軽くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例に係る基板現像装置の要部を示す斜視図である。
【図2】 コントローラ及び光学ヘッドの詳細構成を示すブロック図である。
【図3】 動作説明に供するフローチャートである。
【符号の説明】
W … 基板
1 … スピンチャック
3 … 電動モータ
5 … 現像ノズル
7 … リンスノズル
13 … 光学ヘッド(測定手段)
15 … コントローラ
17 … 光源部(多波長光源)
25 … 分光ユニット
25b … 凹面回折格子(分光器)
37 … ディスプレイ装置(警報手段)
41 … データ処理部(測定手段、画像処理手段)
Claims (5)
- 基板に対して現象処理を施す基板現像装置において、
基板を吸着保持するスピンチャックと、
現像された被膜のパターン寸法を反射光に基づき測定するとともに、パターン寸法の適否を判定するための測定手段と、
前記測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には警報を発する警報手段と、
を備え、
前記測定手段は、
前記スピンチャック上の基板に対して光を照射する多波長光源と、
前記スピンチャック上の基板からの反射光を分光する分光器と、
前記分光器からの出力を処理して、現像された被膜のパターン寸法を求めるとともにパターン寸法の適否を判定する画像処理手段と、
を備え、基板に対して前記スピンチャック上で現像・リンスが終了した後に、判定する
ことを特徴とする基板現像装置。 - 請求項1に記載の基板現像装置において、
前記測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には、処理を停止することを特徴とする基板現像装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板現像装置において、
さらに、オペレータが操作する操作部を備え、
前記測定手段がパターン寸法を不適であると判定した場合には、同じロットの残りの基板に対して、不適であると判定された基板と同じ処理を施すか、中止するかの選択について、オペレータによる判断を前記操作部から受け付けることを特徴とする基板現像装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板現像装置において、
前記画像処理手段は、測定された分光反射スペクトルに基づきパターン寸法の適否を判定することを特徴とする基板現像装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板現像装置において、
前記画像処理手段は、測定された特定波長の反射光強度に基づきパターン寸法の適否を判定することを特徴とする基板現像装置。
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