JP4983257B2 - 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法 - Google Patents
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Description
本願は、2004年8月18日に出願された特願2004−238007号、2004年10月25日に出願された特願2004−309322号、及び2005年3月28日に出願された特願2005−091221号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
R=k1・λ/NA ... (1)
δ=±k2・λ/NA2 ... (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
また、計測部上に液体が残留することを防止できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第6の態様に従えば、液体(LQ)を介して基板(P)を露光する露光装置において、所定面(51、65A)上に計測部(61)が配置された計測システム(60)と、所定面(51、65A)上で計測部(61)を含むように規定された第1領域(W1)と、第1領域(W2)近傍の第2領域(W2)とを備え、第2領域(W2)の表面には撥液性の膜が形成され、第1領域(W1)の表面には撥液性の膜が形成されていない露光装置(EX)が提供される。
本発明の第6の態様によれば、計測部上に撥液性の膜が形成されていないので、撥液性の膜の劣化に起因する計測精度の低下を防止することができる。
図1は第1の実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを支持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHを有し、基板ホルダPHに基板Pを保持して移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。更に露光装置EXは、投影光学系PLの結像特性(光学特性)の計測に用いられる空間像計測システム60を備えている。空間像計測システム60は、投影光学系PLの像面側に配置されたスリット部61を有するスリット板65と、光電変換素子からなる受光素子73と、スリット板65を通過した光を受光素子73に導く光学系74とを備えている。受光素子73は、スリット板65及び光学系74を介して投影光学系PLを通過した光(露光光EL)を受光する。
次に、第2の実施形態について図9を参照しながら説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
次に、第3の実施形態について図10を参照しながら説明する。図10において、第1パターン61の−Y側の一端部と、第2パターン80のうち最も+Y側に配置されたラインパターン81の中央部とが接続している。そして、第1パターン61の端部と第2パターン80とが接続する接続位置と、第2パターン80の端部との距離は、第1パターン61よりも長くなっている。このような構成とすることによっても、第2パターン80によって、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退けて第2領域S2に集めることができる。
次に、第4の実施形態について図11を参照しながら説明する。図11において、第2パターン80を構成する複数のラインパターン81A〜81Dのそれぞれの幅は互いに異なっている。具体的には、Y軸方向に並んだ複数のラインパターン81A〜81Dのうち、第1パターン61に最も近くに形成されている(最も+Y側に形成されている)ラインパターン81Aの幅が最も狭く、−Y側に向かうにつれて漸次太くなっている。そして、本実施形態においては、第1パターン61の幅とラインパターン81Bの幅とが同じになっている。このように、第2パターン80を構成するラインパターン81の幅が、第1パターン61の幅と異なっていたり、複数のラインパターン81のそれぞれの幅が互いに異なっている構成であっても、第2パターン80によって、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退けて第2領域S2に集めることができる。
次に、第5の実施形態について図12を参照しながら説明する。図12において、第2パターン80を構成する複数のラインパターン81A〜81Dのそれぞれは、Y軸に関して互いに異なる角度で形成されている。具体的には、Y軸方向に並んだ複数のラインパターン81A〜81Dのうち、第1パターン61に最も近くに形成されている(最も+Y側に形成されている)ラインパターン81AがY軸方向とほぼ平行に形成されており、−Y側に向かうにつれてY軸方向との角度が漸次大きくなっている。このような構成とすることによっても、第2パターン80によって、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退けて第2領域S2に集めることができる。
次に、第6の実施形態について図13を参照しながら説明する。図13において、第1パターン61の深さD1と、第2パターン80を構成するラインパターン81の深さD2とは互いに異なっている。具体的には、第1パターン61は第2パターン80のラインパターン81よりも深く形成されている(D1>D2)。第1パターン61は遮光膜62をエッチング処理して完全に除去することで形成され、その第1パターン61においてはガラス板部材64が露出しているが、第2パターン80(ラインパターン81)は、ソフトエッチングにより遮光膜62を完全に除去せずに一部残すことで、第1パターン61の深さD1よりも浅く形成されている。そして、第2パターン80(ラインパターン81)においては、ガラス板部材64は露出しておらず、クロムからなる遮光膜62で被覆されている。このような構成とすることにより、スリット板65に露光光ELが照射されたとき、露光光ELは第1パターン61を通過するが、第2パターン80(ラインパターン81)を通過しない。したがって、第2パターン80を通過した露光光ELが第1光学素子66に入射して、空間像計測システム60の計測精度が劣化するといった不都合を防止することができる。
次に、第7の実施形態について図14を参照しながら説明する。図14において、第1パターン61の深さD1と、第2パターン80を構成するラインパターン81の深さD2とは互いに異なっており、第2パターン80のラインパターン81は第1パターン61よりも深く形成されている(D2>D1)。本実施形態においては、第2パターン80(ラインパターン81)に対応するガラス板部材64の一部がエッチングされている。このように、第1領域S1の表面に形成された凹部からなる第1パターン61に対して、第2領域S2の表面に第1パターン61よりも深い凹部からなる第2パターン80(ラインパターン81)を設けることで、第2領域S2においては液体LQを保持する能力が更に増すため、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、より円滑に第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。
次に、第8の実施形態について図15を参照しながら説明する。図15において、第1パターン61を構成する凹部には、例えばSiO2等の所定材料61'が配置されている。そして、凹部61に配置された所定材料61'の上面と、遮光膜62の上面とはほぼ面一となっている。すなわち、露光光ELが通過する第1パターン61を含む第1領域S1には段差(凹部)が形成されていない。こうすることにより、第1領域S1に液体LQが残留する不都合をより確実に防止することができる。
次に、第9の実施形態について図16を参照しながら説明する。図16において、ラインパターン81の断面形状は、上側(遮光膜62の上面側)から下側(ガラス板部材64側)に向かって漸次拡がるようにテーパ形状に形成されている。こうすることにより、ラインパターン81を有する第2領域S2においては液体LQを保持する能力が更に増すため、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、より円滑に第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。
次に、第10の実施形態について図17を参照しながら説明する。図17において、凹部からなるラインパターン81を含む第2領域S2の表面が、第1領域S1の表面よりも粗くなっている。第2領域S2の表面を粗くするために、本実施形態においては、第2領域S2に対してサンドブラスト加工が施されている。こうすることによっても、第2領域S2においては液体LQを保持する能力が更に増すため、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、より円滑に第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。
次に、第11の実施形態について図18を参照しながら説明する。図18において、第1パターン61を含む第1領域S1を形成する遮光膜62と、第2パターン80を含む第2領域S2を形成する遮光膜62'とは、互いに異なる材料によって形成されている。そして、遮光膜62'を形成する材料は、遮光膜62を形成する材料よりも液体LQに対して親液性を有している。これにより、凹部であるラインパターン81の内壁面を含む第2領域S2の表面は、凹部である第1パターン61の内壁面を含む第1領域S2の表面よりも液体LQに対して親液性となっている。こうすることにより、第2領域S2においては液体LQを保持する能力が更に増すため、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、より円滑に第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。なお、第1〜第10の実施形態のように、第1領域S1及び第2領域S2のそれぞれに遮光膜62を設け、その遮光膜62のうち第2領域S2に対応する領域の表面に、遮光膜62よりも親液性を有する親液性材料をコーティングすることで、第2領域S2の表面を第1領域の表面よりも液体LQに対して親液性にすることもできる。逆に、遮光膜62のうち第1領域S1に対応する領域の表面に、遮光膜62よりも撥液性を有する撥液性材料をコーティングするようにしてもよい。
次に、第12の実施形態について図19を参照しながら説明する。図19において、第2パターン80Eを構成するラインパターン81Eは、スリット板65の上面65Aよりも上方に突出した凸部により構成されている。本実施形態においては、スリット板65の上面65A(遮光膜62の上面)上にSiO2からなる凸部が設けられている。このような構成とすることによっても、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。もちろん、第2パターン80としては、凸部と凹部とのそれぞれを含む構成であってもよい。
次に、第13の実施形態について図20を参照しながら説明する。図20において、第2パターン80Fは、平面視略円形状の小さい凸部81Fを複数並べたドット状パターンによって構成されている。このような構成とすることによっても、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。もちろん、ドット状パターンとしては、平面視略円形状の小さい凹部を複数並べた構成であってもよいし、凸部と凹部とのそれぞれを含む構成であってもよい。
次に、第14の実施形態について図21を参照しながら説明する。図21において、第2パターン80Gは、X軸方向に延びる短い溝部81Gと、Y軸方向に延びる短い溝部81Hとを、XY方向に関して規則的に並べて形成し、これら溝部81G、81Hを互いに接続して略格子状とした格子状パターンによって構成されている。これら溝部81G、81Hは、遮光膜62をエッチングすることで形成可能である。このような構成とすることによっても、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。なお、例えば遮光膜62の上にSiO2等からなるタイル状の複数の凸部を並べることによって、図21に示すような格子状パターンを形成してもよい。
次に、第15の実施形態について図22を参照しながら説明する。図22は、スリット板65が配置された基板ステージPST(Zチルトステージ52)の上面51の一部を示す平面図である。上述したように、基板ステージPSTの上面51は撥液性を有しているが、本実施形態においては、撥液性を有する基板ステージPSTの上面51の一部に親液性領域W1が設けられ、その親液性領域W1の内側にスリット板65が配置されている。すなわち、図22において、基板ステージPSTの上面51上には、親液性領域W1と、その親液性領域W1の外側に配置された撥液性領域W2とが設けられている。このような親液性領域W1と撥液性領域W2とは、例えば基板ステージPSTの上面51に施された撥液性の被膜を、一部の領域(親液性領域W1に対応する領域)だけ除去することによって形成することができる。
次に、第16の実施形態について図23を参照しながら説明する。図23において、基板ステージPSTの上面51上には、上述した第15の実施形態同様、親液性領域W1と、その親液性領域W1の外側に配置された撥液性領域W2とが設けられている。スリット板65は親液性領域W1の内側に配置されており、スリット板65の第1パターン61を含む第1領域S1は、親液性領域W1内において、親液性領域W1の中心(重心、図心)からはずれた位置に配置されている。そして、親液性領域W1と撥液性領域W2との境界エッジ部EGのうち、スリット板65(第1パターン61)から離れた境界エッジ部EGのエッジ形状は、平面視において鋸歯状に形成されている。本実施形態においては、親液性領域W1はほぼ矩形状(四角形状)であって境界エッジ部EGは4つの辺を有しており、その辺に対応する境界エッジ部EG1〜EG4のうちスリット板65から離れた境界エッジ部EG1、EG2が鋸歯状に形成されている。所定方向に関して占める領域の大きさがほぼ同じ場合においては、鋸歯状に形成された境界エッジ部のエッジ長さは、鋸歯状に形成されていない境界エッジ部のエッジ長さよりも長くなる。すなわち、Y軸方向に関して占める領域の大きさがほぼ同じであって互いに対向する境界エッジ部EG1、EG3のうち、鋸歯状に形成された境界エッジ部EG1のエッジ長さは、対向する境界エッジ部EG3のエッジ長さよりも長い。同様に、X軸方向に関して占める領域の大きさがほぼ同じであって互いに対向する境界エッジ部EG2、EG4のうち、鋸歯状に形成された境界エッジ部EG2のエッジ長さは、対向する境界エッジ部EG4のエッジ長さよりも長い。
なお、本実施形態においても、基板ステージPSTの上面51のうち第1パターン61を含む所定領域の撥液性の膜が部分的に除去されているため、撥液性の膜の劣化に起因する計測精度の悪化を防止することもできる。
次に、第17の実施形態について図24を参照しながら説明する。図24において、基板ステージPSTの上面51上には、上述した第15、第16の実施形態同様、親液性領域W1と、その親液性領域W1の外側に配置された撥液性領域W2とが設けられている。
スリット板65は親液性領域W1の内側に配置されており、スリット板65の第1パターン61を含む第1領域S1は、親液性領域W1内において、親液性領域W1の中心(重心、図心)からはずれた位置に配置されている。そして、親液性領域W1と撥液性領域W2との境界エッジ部EG(EG1〜EG4)のうち、スリット板65(第1パターン61)から離れた境界エッジ部EG(EG1、EG2)近傍の親液性領域W1に、微小撥液性領域W2'が複数設けられている。本実施形態においては、微小撥液性領域W2'は平面視矩形状に形成されており、親液性領域W1の内側において、境界エッジ部EG1、EG2に沿って複数設けられている。なお、微小撥液性領域W2'の形状は矩形状に限らず、円形状など任意の形状でよい。
なお、本実施形態においても、基板ステージPSTの上面51のうち第1パターン61を含む所定領域の撥液性の膜が部分的に除去されているため、撥液性の膜の劣化に起因する計測精度の悪化を防止することもできる。
次に、第18の実施形態について図25を参照しながら説明する。図25において、基板ステージPSTの上面51上には、上述した第15〜第17の実施形態同様、親液性領域W1と、その親液性領域W1の外側に配置された撥液性領域W2とが設けられている。
スリット板65は親液性領域W1の内側に配置されており、スリット板65の第1パターン61を含む第1領域S1は、親液性領域W1内において、親液性領域W1の中心(重心、図心)からはずれた位置に配置されている。そして、親液性領域W1と撥液性領域W2との境界エッジ部EG(EG1〜EG4)のうち、スリット板65(第1パターン61)から離れた境界エッジ部EG(EG1、EG2)近傍の親液性領域W1に、図20を参照して説明した第13の実施形態のような、平面視略円形状の小さい凸部81Fが複数設けられている。凸部81Fは、親液性領域W1の内側において、境界エッジ部EG1、EG2に沿って複数設けられており、ドット状パターンを形成している。
なお本実施形態においても、基板ステージPSTの上面51のうち第1パターン61を含む所定領域の撥液性の膜が部分的に除去されているため、撥液性の膜の劣化に起因する計測精度の悪化を防止することもできる。
次に、第19の実施形態について図26を参照しながら説明する。図26は、マスクアライメント系360で計測される基準マークMFMを示す図である。基準マークMFMは、マスクアライメント系360によって計測される第1パターン61Kと、第1パターン61Kに接続する第2パターン80Kとを有している。第1パターン61Kは、4つのラインアンドスペースパターン61Lを組み合わせて矩形状に配置したものであって、マスクアライメント系360の計測領域に応じた基準部材300上の第1領域S1に設けられている。第2パターン80Kも、第1パターン61Kの4つのラインアンドスペースパターン61Lのそれぞれに接続するラインアンドスペースパターン81Lによって構成されている。第2パターン80Kは、第1領域S1の外側の第2領域S2に設けられており、第1領域S1に対して離れる方向に延びるように形成されている。このような構成とすることによっても、第2パターン80Kは、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。また、図27に示すように、第2パターン80Kを構成するラインアンドスペースパターン81Lを途中で曲げるように形成してもよい。
なお、基板アライメント系350で計測される基準マークPFM上に液体LQが残留する可能性がある場合には、基準マークMFMと同様にして、基準マークPFMを含む第1領域S1から残留した液体LQを退かして、第2領域S2に集めることができる。
また、基板ステージPST上の基準マークMFM及び/又はPFM上に液体LQが残留する可能性がある場合には、上述の第15〜第18の実施形態と同様にして、基準マークMFM及び/又はPFMを含む第1領域S1から残留した液体LQを退かして、その近傍の第2領域S2に集めることができる。
上述した各実施形態においては、第2領域S2に設けられた第2パターン80は凹部及び凸部のうち少なくともいずれか一方によって構成されているが、例えば第2領域S2に第2パターン80を設けなくても、第1領域S1の表面と第2領域S2の表面との少なくとも一方に所定の加工を施すことで、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。例えば、図28に示すように、第1領域S1には表面処理を施さずに、凹部及び凸部を有さない第2領域S2を親液化処理して親液性にすることで、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第2領域S2側に引き込み、第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。また、表面処理のために使用する材料の条件や、使用する露光光EL、あるいは液体LQの条件等を含む露光条件によっては、第1領域S1に表面処理(撥液化処理)を施した場合であっても、その撥液性の経時的な劣化の促進が抑えられる可能性がある。そのような場合には、第1領域S1の表面に撥液性材料を使って撥液化処理を行うといった簡単な構成で、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。もちろん、第2領域S2の表面に親液化処理を施し、第1領域S1の表面に撥液化処理を施すといったように、第1領域S1及び第2領域S2の双方に所定の加工(表面処理)を施してもよい。あるいは、第2領域S2の表面は主に遮光膜62の表面であるため、遮光膜62の形成用材料として、液体LQに対して親液性を有する材料を使用し、第1領域S1の表面を形成する材料として、液体LQに対して撥液性を有する材料を使用することで、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、第1領域S1より退かして第2領域S2に集めることができる。またここでは、第2領域には凹部又は凸部からなる第2パターンを設けない場合について説明したが、図29に示すように、この第2パターンを設けられていない第2領域S2の表面にサンドブラスト加工等の粗面処理を施し、第2領域S2の表面を、第1領域S1の表面よりも粗くすることで、第1領域S1と第2領域S2とにまたがるようにして残留した液体LQを、より円滑に第1領域S1より退かして第2領域S2側に集めることができる。
次に、第21の実施形態について説明する。図30において、基板ステージPST上には、第1パターン61を有するスリット板65が設けられている。スリット板65の上面65A(基板ステージPSTの上面51)には、スリット部61を含む第1領域S1と、所定の加工が施された第2領域S2とが規定されている。第2領域S2は第1領域S1の近傍に規定されている。図28を参照して説明したように、第2領域S2には親液化処理が施されており、第2領域S2の表面は、第1領域S1の表面よりも液体LQに対して親液性を有している。親液性を有する第2領域S2は遮光膜62上に規定されている。なお図30においては、基準部材、照度ムラセンサの上板、照度センサの上板等の図示は省略してある。
次に、第22の実施形態について説明する。上述の第21の実施形態においては、基板ステージ駆動機構PSTDを使って基板ステージPST全体を傾斜させることで、第1領域S1を含むスリット板65の上面65Aを傾斜しているが、図34に示すように、第1領域S1を含むスリット板65の上面65Aが、基板ステージPSTの上面51に対して傾斜するように、基板ステージPSTに対してスリット板65を取り付けるようにしてもよい。そして、第1領域S1を含むスリット板65の上面65AをXY平面に対して傾斜した状態で液浸機構1を使って第1領域S1上に液体LQの液浸領域AR2を形成して計測処理を行ってもよいし、計測処理中に第1領域S1を含むスリット板65の上面65AとXY平面とがほぼ平行となるように基板ステージ駆動機構PSTDを使って基板ステージPSTの姿勢を調整し、計測処理後にスリット板65の上面65Aが傾斜するように基板ステージPSTの姿勢を調整するようにしてもよい。なお、第1領域S1を含むスリット板65の上面65AをXY平面に対して傾斜した状態で計測処理を行う場合には、その傾斜量に応じて計測結果を補正するようにしてもよい。
次に、第23の実施形態について図35を参照しながら説明する。図35において、露光装置EXは、基板ステージPST上に設けられたスリット板65と、スリット板65の上面65Aの第1領域S1上に気体の流れを生成する気体供給系700とを備えている。気体供給系700は、気体を供給する気体供給口701Aを有する供給部材701を備えている。供給部材701は供給部材駆動機構702により基板ステージPST(第1領域S1)に対して相対的に移動可能に設けられており、制御装置CONTは、供給部材駆動機構702及び基板ステージ駆動機構PSTDの少なくとも一方を駆動することにより、供給部材701と基板ステージPSTとの相対的な位置関係を調整可能である。
次に、第24の実施形態について、図37を参照しながら説明する。図37において、露光装置EXは、投影光学系PLの一部を含む基板ステージPST近傍の空間(空調空間)825を空調する空調系800を備えている。空調空間825は、空調室804の内側の空間であって、その空調室804の内側には、少なくとも投影光学系PLの像面側先端と、スリット板65を含む基板ステージPSTとが配置される。なお、露光装置EX全体は、不図示のチャンバ内部に収容されており、そのチャンバ内部に空調室804が配置される。
次に、第25の実施形態について、図38A、図38B、及び図38Cを参照しながら説明する。本実施形態においては、スリット板65を保持した基板ステージPSTを、スリット板65の上面65Aとほぼ平行な平面内(XY平面内)における第1の方向に移動した後、第1の方向とは別の(逆の)第2の方向に移動することで、第1領域S1に残留した液体LQを第1領域S1より退かす。すなわち、液体LQの慣性によって、液体LQを第1領域S1より退かす。そして、第1の方向に移動するときの第1の移動速度に対して、第2の方向に移動するときの第2の移動速度を速くすることで、第1領域S1に残留した液体LQを第1領域S1より良好に退かすことができる。
なお、特開平11−135400号公報や特開2000−164504号公報などに開示されているような基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置において、上述のような計測部(各種センサや基準部材など)を計測ステージに配置した場合にも、本発明を適用できる。
また、図39に示した実施形態においては、空調系800から横向き(Y軸と平行)に吹き出されるサイドフローの気体を使って、計測ステージSSTのスリット板65上の第1領域S1から残留した液体LQを退かすようにしているが、図40に示すように、空調系900から下向き(Z軸と平行)に吹き出されるダウンフローの気体を使って、計測ステージSSTのスリット板65上の第1領域S1から残留した液体LQを退かすようにしてもよい。図40は、本実施形態に係る露光装置EXの概略構成図である。なお、図39と共通の部材には、同一符号を付して説明は省略する。
また、図39、図40に示した実施形態においては、空調系(800、900)から吹き出される気体を使って、計測ステージSSTのスリット板65上の第1領域S1から残留した液体LQを退かすようにしているが、空調系(800、900)とは別に、図35に示したような気体供給系700を設けてもよい。図41は、本実施形態に係る露光装置EXの概略構成図である。なお、図35に示した気体供給系700と共通の部材には、同一符号を付して説明は省略する。
また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系PLの光学素子2の射出側の光路空間を液体(純水)で満たして基板Pを露光する構成になっているが、国際公開第2004/019128号に開示されているように、投影光学系PLの光学素子2の入射側の光路空間も液体(純水)で満たすようにしてもよい。この場合、光学素子2は平行平板であってもよいし、レンズであってもよい。
また、本発明の露光装置は投影光学系を持たないタイプの露光装置にも適用することができる。この場合、光源からの露光光が光学素子を通過して液浸領域に照射されることになる。国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。
Claims (56)
- 液体を介して基板を露光する露光装置において、
所定面上に計測部が配置された計測システムと、
前記所定面上において前記計測部を含むように規定された第1領域とを備え、
前記第1領域に残留した液体が、前記第1領域より退くように、前記第1領域は傾斜している露光装置。 - 前記第1領域を傾斜させる駆動機構を備えた請求項1記載の露光装置。
- 前記計測部を保持して移動可能なステージを備え、
前記ステージ上面は前記所定面を含み、前記駆動機構は、前記ステージを傾斜させることによって、前記第1領域を傾斜させる請求項2記載の露光装置。 - 前記第1領域上に液体が配置された状態で前記計測部を使った計測処理が行われた後、前記駆動機構は前記第1領域を傾斜させる請求項2又は3記載の露光装置。
- 前記第1領域は、前記所定面のうち前記第1領域以外の領域に対して傾斜している請求項1記載の露光装置。
- 前記所定面上において前記第1領域の近傍に規定され、所定の加工が施された第2領域を備え、
前記第1領域よりも前記第2領域が下側になるように、前記第1、第2領域を含む前記所定面が傾斜している請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記第2領域の表面は、前記第1領域の表面よりも前記液体に対して親液性である請求項6記載の露光装置。
- 前記第2領域の表面が、前記第1領域の表面よりも粗い請求項6記載の露光装置。
- 前記第2領域の表面には凹部と凸部との少なくとも一方が形成されている請求項6記載の露光装置。
- 前記第1領域の表面には凹部が形成されており、前記第2領域の表面には前記第1領域の凹部よりも深い凹部が形成されている請求項6記載の露光装置。
- 液体を介して基板を露光する露光装置において、
所定面上に計測部が配置された計測システムと、
前記所定面上において前記計測部を含むように規定された第1領域とを備え、
前記第1領域に残留した液体が、前記第1領域より退くように、前記第1領域上に気体の流れを生成する露光装置。 - 前記第1領域の近傍に、前記第1領域の表面とほぼ平行な気体の流れを生成する気体供給口が設けられている請求項11記載の露光装置。
- 前記所定面を含む空間を空調する空調系を有し、
前記空調系により生成された気体の流れによって、前記第1領域に残留した液体が、前記第1領域より退く請求項11記載の露光装置。 - 前記空調系により生成された気体の流れに対して、前記第1領域の表面がほぼ平行となるように、前記第1領域の位置又は姿勢を制御する制御装置を備えた請求項13記載の露光装置。
- 前記計測部を保持して移動可能なステージを備え、
前記ステージ上面は前記所定面を含み、前記制御装置は、前記ステージの位置又は姿勢を制御することによって、前記第1領域の位置又は姿勢を制御する請求項14記載の露光装置。 - 前記所定面上において前記第1領域よりも前記気体の流れの下流側に規定され、所定の加工が施された第2領域を備えた請求項11〜15のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第2領域の表面は、前記第1領域の表面よりも前記液体に対して親液性である請求項16記載の露光装置。
- 前記第2領域の表面が、前記第1領域の表面よりも粗い請求項16記載の露光装置。
- 前記第2領域の表面には凹部と凸部との少なくとも一方が形成されている請求項16記載の露光装置。
- 前記第1領域の表面には凹部が形成されており、前記第2領域の表面には前記第1領域の凹部よりも深い凹部が形成されている請求項16記載の露光装置。
- 前記所定面上において前記第1領域の近傍に配置され、前記第1領域の表面よりも前記液体に対して親液性である表面を有する第2領域を備える請求項11〜15のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記気体の流れによって、前記第1領域より退いた前記液体は、前記第2領域に集められる請求項21に記載の露光装置。
- 液体を介して基板を露光する露光装置において、
所定面上に計測部が配置された計測システムと、
前記所定面上に前記計測部を含むように規定された第1領域と、
前記第1領域近傍の第2領域とを備え、
前記第2領域の表面には撥液性の膜が形成され、前記第1領域の表面には撥液性の膜が形成されていない露光装置。 - 前記第1領域においては、前記撥液性の膜が除去されている請求項23記載の露光装置。
- 前記第1領域が、前記第2領域に囲まれている請求項23又は24記載の露光装置。
- 前記第1領域の少なくとも一部に紫外光が照射され、前記第2領域に前記紫外光が照射されない請求項23〜25のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記撥液性の膜は、フッ素系樹脂の膜を含む請求項23〜26のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記基板は、投影光学系からの露光光で露光され、
前記紫外光は、前記投影光学系からの前記露光光を含む請求項26又は27に記載の露光装置。 - 前記液体を介して前記第1領域に前記露光光が照射される請求項28に記載の露光装置。
- 前記第1領域の前記計測部を介して前記露光光を受光する受光素子を備える請求項28又は29に記載の露光装置。
- 前記受光素子の受光結果に基づいて、前記投影光学系の光学特性を求める請求項30に記載の露光装置。
- 前記第1領域の少なくとも一部は、透明部材の表面を含む請求項23〜31のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第1領域の表面の少なくとも一部は、前記透明部材上に設けられた遮光膜の表面を含む請求項32に記載の露光装置。
- 前記第1領域の表面の少なくとも一部は、遮光膜の表面を含む請求項23〜32のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記遮光膜は、クロムの膜を含む請求項33又は34に記載の露光装置。
- 前記計測部は、前記遮光膜に形成された開口パターンを含む請求項33〜35のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記開口パターンは、ラインパターンを含む請求項36に記載の露光装置。
- 前記第1領域の表面の少なくとも一部は、反射膜の表面を含む請求項23〜37のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記反射膜は、アルミニウムの膜を含む請求項38に記載の露光装置。
- 請求項1〜請求項39のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
- 液体を介して光学部材の下面からの露光光で基板を露光する露光装置に用いられる計測部材であって、
前記光学部材の前記下面が対向可能な所定面と、
前記所定面上に配置された計測部と、
前記所定面上に前記計測部を含むように規定された第1領域と、
前記第1領域近傍の第2領域と、を備え、
前記第2領域の表面には撥液性の膜が形成され、前記第1領域の表面には撥液性の膜が形成されていない計測部材。 - 前記第1領域においては、前記撥液性の膜が除去されている請求項41記載の計測部材。
- 前記第1領域が、前記第2領域に囲まれている請求項41又は42記載の計測部材。
- 前記第1領域の少なくとも一部に紫外光が照射され、前記第2領域に前記紫外光が照射されない請求項41〜43のいずれか一項に記載の計測部材。
- 前記撥液性の膜は、フッ素系樹脂の膜を含む請求項41〜44のいずれか一項に記載の計測部材。
- 前記基板は、光学部材からの露光光で露光され、
前記紫外光は、前記光学部材からの前記露光光を含む請求項44又は45に記載の計測部材。 - 前記液体を介して前記第1領域に前記露光光が照射される請求項46に記載の計測部材。
- 前記第1領域の少なくとも一部は、透明部材の表面を含む請求項41〜47のいずれか一項に記載の計測部材。
- 前記第1領域の表面の少なくとも一部は、前記透明部材上に設けられた遮光膜の表面を含む請求項48に記載の計測部材。
- 前記第1領域の表面の少なくとも一部は、遮光膜の表面を含む請求項41〜48のいずれか一項に記載の計測部材。
- 前記遮光膜は、クロムの膜を含む請求項49又は50に記載の計測部材。
- 前記計測部は、前記遮光膜に形成された開口パターンを含む請求項49〜51のいずれか一項に記載の計測部材。
- 前記開口パターンは、ラインパターンを含む請求項52に記載の計測部材。
- 前記第1領域の表面の少なくとも一部は、反射膜の表面を含む請求項41〜53のいずれか一項に記載の計測部材。
- 前記反射膜は、アルミニウムの膜を含む請求項54に記載の計測部材。
- 投影光学系からの露光光を計測する計測方法であって、
請求項41〜55のいずれか一項に記載の計測部材を前記投影光学系と対向するように配置することと、
前記投影光学系と前記計測部材との間を液体で満たすことと、
前記投影光学系からの前記露光光を前記液体を介して前記計測部材の前記計測部に照射することと、を含む計測方法。
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SG170060A1 (en) * | 2005-09-09 | 2011-04-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device production method |
US8125610B2 (en) * | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7709813B2 (en) * | 2006-04-03 | 2010-05-04 | Nikon Corporation | Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids |
JP5055971B2 (ja) * | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2008192854A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Canon Inc | 液浸露光装置 |
US20080198346A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
SG185313A1 (en) | 2007-10-16 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
CN101681123B (zh) | 2007-10-16 | 2013-06-12 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101695034B1 (ko) | 2008-05-28 | 2017-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
JP2009295933A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Canon Inc | ダミー露光基板及びその製造方法、液浸露光装置、並びに、デバイス製造方法 |
NL2006506A (en) * | 2010-04-28 | 2011-10-31 | Asml Netherlands Bv | A component of an immersion system, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2019979A (en) | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Asml Netherlands Bv | An Object in a Lithographic Apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005303316A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (155)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPH0782981B2 (ja) | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
KR20030096435A (ko) | 1996-11-28 | 2003-12-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법 |
WO1998028665A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6262796B1 (en) | 1997-03-10 | 2001-07-17 | Asm Lithography B.V. | Positioning device having two object holders |
JP3817836B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU3849199A (en) | 1998-05-19 | 1999-12-06 | Nikon Corporation | Aberration measuring instrument and measuring method, projection exposure apparatus provided with the instrument and device-manufacturing method using the measuring method, and exposure method |
US6819414B1 (en) | 1998-05-19 | 2004-11-16 | Nikon Corporation | Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
KR20040007444A (ko) | 2001-02-06 | 2004-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법 |
EP1231514A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
AU2003256081A1 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
JP3953460B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG135052A1 (en) | 2002-11-12 | 2007-09-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN1723541B (zh) | 2002-12-10 | 2010-06-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
KR101036114B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP4595320B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
AU2003276569A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
DE60314668T2 (de) | 2002-12-19 | 2008-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
CN100385535C (zh) | 2002-12-19 | 2008-04-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照射光敏层上斑点的方法和装置 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
TWI247339B (en) | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
CN1771463A (zh) | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
SG141426A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
KR20170064003A (ko) | 2003-04-10 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
KR101324818B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-11-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
SG194246A1 (en) | 2003-04-17 | 2013-11-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI518742B (zh) | 2003-05-23 | 2016-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
US6995833B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
KR20060027832A (ko) | 2003-07-01 | 2006-03-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법 |
EP2843472B1 (en) | 2003-07-08 | 2016-12-07 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR20170070264A (ko) | 2003-09-03 | 2017-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
JP4513299B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
JP2007525824A (ja) | 2003-11-05 | 2007-09-06 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | マイクロチップを製造するための方法および装置 |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
WO2005054953A2 (en) | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Carl-Zeiss Smt Ag | Holding device for an optical element in an objective |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
US7385764B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-06-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
WO2005059617A2 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2005183656A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 露光装置 |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
CN102169226B (zh) | 2004-01-14 | 2014-04-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 反射折射投影物镜 |
JP4958562B2 (ja) | 2004-01-16 | 2012-06-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 偏光変調光学素子 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
WO2005071491A2 (en) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US8852850B2 (en) | 2004-02-03 | 2014-10-07 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2005081067A1 (en) | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2007523383A (ja) | 2004-02-18 | 2007-08-16 | コーニング インコーポレイテッド | 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系 |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7513802B2 (en) * | 2004-03-23 | 2009-04-07 | Leviton Manufacturing Company, Inc. | Lamp base adapter |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20140138350A (ko) | 2004-05-17 | 2014-12-03 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7446850B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7248334B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Sensor shield |
-
2005
- 2005-08-17 US US11/660,209 patent/US8305553B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-17 KR KR1020077000944A patent/KR20070048164A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-08-17 EP EP05780490A patent/EP1801853A4/en not_active Withdrawn
- 2005-08-17 WO PCT/JP2005/015028 patent/WO2006019124A1/ja active Application Filing
- 2005-08-17 JP JP2006531833A patent/JP4983257B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-18 TW TW094128179A patent/TW200617617A/zh unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005303316A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200617617A (en) | 2006-06-01 |
US8305553B2 (en) | 2012-11-06 |
EP1801853A1 (en) | 2007-06-27 |
EP1801853A4 (en) | 2008-06-04 |
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US20070263182A1 (en) | 2007-11-15 |
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