JPH07134955A - 表示装置およびその反射率調整方法 - Google Patents
表示装置およびその反射率調整方法Info
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- JPH07134955A JPH07134955A JP5282576A JP28257693A JPH07134955A JP H07134955 A JPH07134955 A JP H07134955A JP 5282576 A JP5282576 A JP 5282576A JP 28257693 A JP28257693 A JP 28257693A JP H07134955 A JPH07134955 A JP H07134955A
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- ultrafine particles
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】反射防止特性に優れ、所定の波長範囲における
反射率の変化が少なく、かつ帯電防止特性を兼ね備えた
処理膜を低コストで形成した表示装置およびその反射率
調整方法を提供する。 【構成】表示装置の画面を構成する基板１の表面上に、
ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 、およびこれらの混合物の中から選択した１種以上の
超微粒子からなる導電性高屈折率層８と、前記導電性高
屈折率層を構成する前記超微粒子の間および／または上
層にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の少なくとも一方からなるマト
リクス層８とを備える。
反射率の変化が少なく、かつ帯電防止特性を兼ね備えた
処理膜を低コストで形成した表示装置およびその反射率
調整方法を提供する。 【構成】表示装置の画面を構成する基板１の表面上に、
ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 、およびこれらの混合物の中から選択した１種以上の
超微粒子からなる導電性高屈折率層８と、前記導電性高
屈折率層を構成する前記超微粒子の間および／または上
層にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の少なくとも一方からなるマト
リクス層８とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管，液晶表示装
置、その他の各種表示装置に係り、特にその表面に帯電
防止と反射防止層を有する表示装置およびその反射率調
整方法に関する。
置、その他の各種表示装置に係り、特にその表面に帯電
防止と反射防止層を有する表示装置およびその反射率調
整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パソコン，ワークステーションモニター
および対応ソフトの表示性能の高度化、エルゴノミクス
関連規制の広まりに伴って、表示装置の表面処理膜の性
能向上が一層必要となっている。
および対応ソフトの表示性能の高度化、エルゴノミクス
関連規制の広まりに伴って、表示装置の表面処理膜の性
能向上が一層必要となっている。
【０００３】特に、情報量の多いカラーディスプレイモ
ニターに適用される超高精細のカラーディスプレイ管と
して使用されるシャドウマスク型カラー陰極線管では、
そのマスクピッチがますます細かくなっており、表面処
理を施さない管（無処理球）と同等レベルの解像度が要
求されている。
ニターに適用される超高精細のカラーディスプレイ管と
して使用されるシャドウマスク型カラー陰極線管では、
そのマスクピッチがますます細かくなっており、表面処
理を施さない管（無処理球）と同等レベルの解像度が要
求されている。
【０００４】その対策のための表面処理膜として、光の
干渉を利用した多層の蒸着膜や、所謂ＣＶＤ膜が実用化
されている。しかし、これら蒸着膜やＣＶＤ膜（多層コ
ーティング膜）の形成はコスト高であるため、ごく限ら
れた高級品種のみに適用されているのが現状であり、高
性能の表面処理膜を低コストで得ることが特に重要な課
題となっている。
干渉を利用した多層の蒸着膜や、所謂ＣＶＤ膜が実用化
されている。しかし、これら蒸着膜やＣＶＤ膜（多層コ
ーティング膜）の形成はコスト高であるため、ごく限ら
れた高級品種のみに適用されているのが現状であり、高
性能の表面処理膜を低コストで得ることが特に重要な課
題となっている。
【０００５】本発明者等は、前記光の干渉を利用した反
射防止膜を低コストで実現できるものとして、超微粒子
を用いた反射防止膜を提案した（特開昭６３−１９３１
０１号公報参照）。
射防止膜を低コストで実現できるものとして、超微粒子
を用いた反射防止膜を提案した（特開昭６３−１９３１
０１号公報参照）。
【０００６】上記公報に開示の発明は、表示装置の画面
を構成する基板にＳｉＯ2 超微粒子を添加したＳｉ（Ｏ
Ｒ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を塗布し、
これを焼成して当該基板上にＳｉＯ2 超微粒子およびこ
れを固定するＳｉＯ2 バインダーからなる反射防止膜を
形成するものである。
を構成する基板にＳｉＯ2 超微粒子を添加したＳｉ（Ｏ
Ｒ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を塗布し、
これを焼成して当該基板上にＳｉＯ2 超微粒子およびこ
れを固定するＳｉＯ2 バインダーからなる反射防止膜を
形成するものである。
【０００７】この反射防止膜は、超微粒子と空気で構成
される表面層の屈折率が順次厚さ方向に連続して変化す
ることによる光の干渉を利用して反射率を実質的に低下
させるものである。
される表面層の屈折率が順次厚さ方向に連続して変化す
ることによる光の干渉を利用して反射率を実質的に低下
させるものである。
【０００８】また、上記の反射防止層は、高屈折率のＳ
ｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 などからなる帯電防止層を有し、帯
電防止および反射防止層を構成している。
ｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 などからなる帯電防止層を有し、帯
電防止および反射防止層を構成している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の技術に
おける蒸着膜等の多層コーティング膜は、膜形成コスト
が高いために高級品種等の一部品種のみに限定されてい
たが、最近の著しい表示性能の高度化に対応するため
に、全ての品種に適用を図る必要が出てきた。
おける蒸着膜等の多層コーティング膜は、膜形成コスト
が高いために高級品種等の一部品種のみに限定されてい
たが、最近の著しい表示性能の高度化に対応するため
に、全ての品種に適用を図る必要が出てきた。
【００１０】上記の多層コーティング膜の層数は３〜４
とすることが要求され、反射率の波長依存性の少ない特
性をもつ膜が要求され、製造コストの面で制約を受ける
という問題があった。
とすることが要求され、反射率の波長依存性の少ない特
性をもつ膜が要求され、製造コストの面で制約を受ける
という問題があった。
【００１１】一般光学特性としては、層数の多い方が所
定の波長領域に対して反射率の変化の少ないフラットな
反射特性をもつ膜が得られるとされている。
定の波長領域に対して反射率の変化の少ないフラットな
反射特性をもつ膜が得られるとされている。
【００１２】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、反射防止特性に優れ、所定の波長範囲における
反射率の変化が少なく、かつ帯電防止特性を兼ね備えた
処理膜を低コストで形成した表示装置およびその反射率
調整方法を提供することにある。
解消し、反射防止特性に優れ、所定の波長範囲における
反射率の変化が少なく、かつ帯電防止特性を兼ね備えた
処理膜を低コストで形成した表示装置およびその反射率
調整方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、本発明の請求項１に記載の発明は、表示
装置の画面を構成する基板の表面上に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ
2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 、およびこれ
らの混合物の中から選択した１種以上の超微粒子からな
る導電性高屈折率層と、前記導電性高屈折率層を構成す
る前記超微粒子の間および／または上層にＳｉＯ2 ，Ｍ
ｇＦ2 の少なくとも一方からなるマトリクス層とを備え
たことを特徴とする。
に、本発明は、本発明の請求項１に記載の発明は、表示
装置の画面を構成する基板の表面上に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ
2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 、およびこれ
らの混合物の中から選択した１種以上の超微粒子からな
る導電性高屈折率層と、前記導電性高屈折率層を構成す
る前記超微粒子の間および／または上層にＳｉＯ2 ，Ｍ
ｇＦ2 の少なくとも一方からなるマトリクス層とを備え
たことを特徴とする。
【００１４】また、請求項２に記載の発明は、表示装置
の画面を構成する基板の表面上に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ
3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 、およびこれらの
混合物の中から選択した１種以上の超微粒子からなる導
電性高屈折率層と、前記導電性高屈折率層を構成する前
記超微粒子の間および／または上層にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ
2 の少なくとも一方からなるマトリクス層とを備えると
共に、前記導電性高屈折率層の一部に空気層からなる中
間層を設けたことを特徴とする。
の画面を構成する基板の表面上に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ
3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 、およびこれらの
混合物の中から選択した１種以上の超微粒子からなる導
電性高屈折率層と、前記導電性高屈折率層を構成する前
記超微粒子の間および／または上層にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ
2 の少なくとも一方からなるマトリクス層とを備えると
共に、前記導電性高屈折率層の一部に空気層からなる中
間層を設けたことを特徴とする。
【００１５】さらに、請求項３に記載の発明は、前記超
微粒子，中間層，マトリクス層、および最外層空気のそ
れぞれの占める体積分率によって前記帯電防止および反
射防止膜の厚み方向の各部分の屈折率を調整することを
特徴とする。
微粒子，中間層，マトリクス層、および最外層空気のそ
れぞれの占める体積分率によって前記帯電防止および反
射防止膜の厚み方向の各部分の屈折率を調整することを
特徴とする。
【００１６】
【作用】ＳｉＯ2 超微粒子とＳｎＯ2 導電粒子を組合せ
た帯電防止／反射防止膜は、低コストでかつ反射率の波
長依存性の少ない特性を有している。
た帯電防止／反射防止膜は、低コストでかつ反射率の波
長依存性の少ない特性を有している。
【００１７】本発明の請求項１においては、表示装置の
画面を構成する基板の表面上に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ
2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 、およびこれ
らの混合物の中から選択した１種以上の超微粒子からな
る導電性高屈折率層を形成し、さらにその上に前記導電
性高屈折率層を構成する前記超微粒子の間またはその上
層、もしくは前記超微粒子の間とその上層にＳｉＯ2 ，
ＭｇＦ2 の少なくとも一方からなるマトリクス層とを備
えたことにより、帯電防止を兼ね備えた反射防止層が得
られる。
画面を構成する基板の表面上に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ
2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 、およびこれ
らの混合物の中から選択した１種以上の超微粒子からな
る導電性高屈折率層を形成し、さらにその上に前記導電
性高屈折率層を構成する前記超微粒子の間またはその上
層、もしくは前記超微粒子の間とその上層にＳｉＯ2 ，
ＭｇＦ2 の少なくとも一方からなるマトリクス層とを備
えたことにより、帯電防止を兼ね備えた反射防止層が得
られる。
【００１８】また、本発明の請求項２においては、上記
の構成における超微粒子層の一部に低屈折率の空気層を
介在させたことにより、反射防止特性がさらに向上す
る。
の構成における超微粒子層の一部に低屈折率の空気層を
介在させたことにより、反射防止特性がさらに向上す
る。
【００１９】そして、本発明の請求項３においては、表
示装置の基板上に形成する超微粒子層，マトリクス層，
および最外層空気、あるいは超微粒子層，中間空気層，
マトリクス層，および最外層空気のそれぞれの占める体
積分率によって各層の屈折率を制御し、処理層全体の屈
折率を調整する方法で所要の反射率が得られる。
示装置の基板上に形成する超微粒子層，マトリクス層，
および最外層空気、あるいは超微粒子層，中間空気層，
マトリクス層，および最外層空気のそれぞれの占める体
積分率によって各層の屈折率を制御し、処理層全体の屈
折率を調整する方法で所要の反射率が得られる。
【００２０】上記各層の屈折率の制御は、当該各層の塗
布液組成、塗布条件等によって行う。
布液組成、塗布条件等によって行う。
【００２１】この各層屈折率の体積分率（層の厚み）を
調整して光の干渉作用を利用することにより全体の反射
率の低減が図られる。
調整して光の干渉作用を利用することにより全体の反射
率の低減が図られる。
【００２２】また、高屈折率層の構成成分にＳｎＯ2 ，
Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 等の導電性超微粒子を使用する
ことで、帯電防止特性を得る。
Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 等の導電性超微粒子を使用する
ことで、帯電防止特性を得る。
【００２３】そして、上記本発明の構成によれば帯電／
反射防止層の表面凹凸による汚れ付着除去が容易にな
る。
反射防止層の表面凹凸による汚れ付着除去が容易にな
る。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２５】図１は本発明による表示装置をカラー陰極
線管に適用した実施例を説明するための当該カラー陰極
線管の構造を説明する部分断面した模式図であって、１
はスクリーンであるパネル、２はファンネル、３はネッ
ク、４はネック３の部分に収納された電子銃、５はシャ
ドウマスク、６は蛍光面、７はファンネル２の部分に装
架された偏向ヨーク、８はパネル１の外面に形成した帯
電防止および反射防止層（帯電防止／反射防止層）、９
は防爆バンドである。なお、パネル１，ファンネル２お
よびネック３で陰極線管の外囲器を構成し、Ｒ，Ｇ，Ｂ
は電子ビームを示す。
線管に適用した実施例を説明するための当該カラー陰極
線管の構造を説明する部分断面した模式図であって、１
はスクリーンであるパネル、２はファンネル、３はネッ
ク、４はネック３の部分に収納された電子銃、５はシャ
ドウマスク、６は蛍光面、７はファンネル２の部分に装
架された偏向ヨーク、８はパネル１の外面に形成した帯
電防止および反射防止層（帯電防止／反射防止層）、９
は防爆バンドである。なお、パネル１，ファンネル２お
よびネック３で陰極線管の外囲器を構成し、Ｒ，Ｇ，Ｂ
は電子ビームを示す。
【００２６】図示したように、スクリーンすなわち画面
を構成するパネル１の外面に帯電防止／反射防止層８が
形成され、この帯電防止／反射防止層８により外光の反
射を防止して高コントラストの画像を再生できると共
に、パネル１の内面に印加される高電圧によるパネル１
の外面に生じる高圧の静電気は防爆バンド９を介して接
地される。
を構成するパネル１の外面に帯電防止／反射防止層８が
形成され、この帯電防止／反射防止層８により外光の反
射を防止して高コントラストの画像を再生できると共
に、パネル１の内面に印加される高電圧によるパネル１
の外面に生じる高圧の静電気は防爆バンド９を介して接
地される。
【００２７】図２は本発明による表示装置をカラー陰極
線管に適用した実施例を説明するための図１の矢印Ａ部
分の構成の１実施例の説明図であって、（ａ）は断面
図、（ｂ）は各層の屈折率の大きさの関係を示す説明図
である。
線管に適用した実施例を説明するための図１の矢印Ａ部
分の構成の１実施例の説明図であって、（ａ）は断面
図、（ｂ）は各層の屈折率の大きさの関係を示す説明図
である。
【００２８】同図（ａ）において、１１は低屈折率のマ
トリクス層、１２は高屈折率の超微粒子を含む層、１３
はパネルを構成するガラス基板、１５は帯電防止／反射
防止層である。
トリクス層、１２は高屈折率の超微粒子を含む層、１３
はパネルを構成するガラス基板、１５は帯電防止／反射
防止層である。
【００２９】ガラス基板１３の表面（外面）にはＳｎＯ
2 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 からなる超微粒子１２と、この高屈折率
の超微粒子１２の間と上層にＳｉＯ2 からなる導電性の
低屈折率のマトリクス層１１が形成されている。
2 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 からなる超微粒子１２と、この高屈折率
の超微粒子１２の間と上層にＳｉＯ2 からなる導電性の
低屈折率のマトリクス層１１が形成されている。
【００３０】ここで、ｎ0 を空気の屈折率（ｎ0 ＝１．
０）、ｎa を空気側から少し中に入った部分のマトリク
ス層１１の屈折率、ｎb をガラス基板１３側から少し中
に入った部分の高屈折率のＳｎＯ2 超微粒子１２を含む
部分の屈折率、ｎg をガラス基板の屈折率（陰極線管の
パネルの場合は、例えばｎg ＝１．５２）とする。ま
た、この帯電防止／反射防止層全体の膜厚をｄとする。
０）、ｎa を空気側から少し中に入った部分のマトリク
ス層１１の屈折率、ｎb をガラス基板１３側から少し中
に入った部分の高屈折率のＳｎＯ2 超微粒子１２を含む
部分の屈折率、ｎg をガラス基板の屈折率（陰極線管の
パネルの場合は、例えばｎg ＝１．５２）とする。ま
た、この帯電防止／反射防止層全体の膜厚をｄとする。
【００３１】同図（ｂ）に示したように、ガラス基板１
３とこの上に形成された帯電防止／反射防止層１５
（層）の各層の間の屈折率の関係は、ガラス基板１３と
膜１５の境界付近で最大値をとり、マトリクス１１と空
気の境界付近に向かって漸次低減するようになってい
る。
３とこの上に形成された帯電防止／反射防止層１５
（層）の各層の間の屈折率の関係は、ガラス基板１３と
膜１５の境界付近で最大値をとり、マトリクス１１と空
気の境界付近に向かって漸次低減するようになってい
る。
【００３２】そして、 としたとき、反射率が最小となる条件は また、ｎb ＞ｎg のとき、反射率Ｒ2 は Ｒ2 ＝｛（ｎg −ｎb /ｎa ）／（ｎg ＋ｎb /ｎa ）｝2 ・・（３） で示されるため、Ｒ2 を０にするためには、 の関係が必要である。
【００３３】上記（２）式と（４）式の関係をできるだ
け満足させるように膜１５を形成すれば反射率は限り無
く０パーセントに近づくことが分る。
け満足させるように膜１５を形成すれば反射率は限り無
く０パーセントに近づくことが分る。
【００３４】図３は本発明による表示装置をカラー陰極
線管に適用した実施例を説明するための図１の矢印Ａ部
分の構成の他の実施例の説明図であって、（ａ）は断面
図、（ｂ）は各層の屈折率の大きさの関係を示す説明図
である。
線管に適用した実施例を説明するための図１の矢印Ａ部
分の構成の他の実施例の説明図であって、（ａ）は断面
図、（ｂ）は各層の屈折率の大きさの関係を示す説明図
である。
【００３５】同図（ａ）において、１１は低屈折率のマ
トリクス層、１２は高屈折率の超微粒子を含む層、１３
はパネルを構成するガラス基板、１４は中間空気層、１
６は帯電防止／反射防止層である。
トリクス層、１２は高屈折率の超微粒子を含む層、１３
はパネルを構成するガラス基板、１４は中間空気層、１
６は帯電防止／反射防止層である。
【００３６】ガラス基板１３の表面（外面）にはＳｎＯ
2 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 にＴｉＯ2 を含む超微粒子１２と、この
高屈折率の超微粒子１２の間と上層にＳｉＯ2 からなる
導電性の低屈折率のマトリクス層１１が形成されてい
る。また、超微粒子１２からなる高屈折率の層には空気
層からなる中間層（中間空気層）１４が形成されてい
る。
2 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 にＴｉＯ2 を含む超微粒子１２と、この
高屈折率の超微粒子１２の間と上層にＳｉＯ2 からなる
導電性の低屈折率のマトリクス層１１が形成されてい
る。また、超微粒子１２からなる高屈折率の層には空気
層からなる中間層（中間空気層）１４が形成されてい
る。
【００３７】ここで、ｎ0 を空気の屈折率（ｎ0 ＝１．
０）、ｎ2aを空気側から少し中に入った部分のマトリク
ス層１１の屈折率、ｎ2bをマトリクス層と高屈折率層と
が入り混じった部分の屈折率、ｎ1aを高屈折率の超微粒
子１２を含む層の屈折率、ｎ1bを高屈折率層と中間空気
層１４の入り混じった部分の屈折率とする。
０）、ｎ2aを空気側から少し中に入った部分のマトリク
ス層１１の屈折率、ｎ2bをマトリクス層と高屈折率層と
が入り混じった部分の屈折率、ｎ1aを高屈折率の超微粒
子１２を含む層の屈折率、ｎ1bを高屈折率層と中間空気
層１４の入り混じった部分の屈折率とする。
【００３８】また、ｎg をガラス基板１３の屈折率（陰
極線管のパネルの場合は、例えばｎg ＝１．５２）とす
る。
極線管のパネルの場合は、例えばｎg ＝１．５２）とす
る。
【００３９】そして、ｄ1 は屈折率ｎ1bの層と屈折率ｎ
1aの層で構成される層の厚みを、ｄ2 は屈折率ｎ2bの層
と屈折率ｎ2aの層で構成される層の厚みをそれぞれ示
す。
1aの層で構成される層の厚みを、ｄ2 は屈折率ｎ2bの層
と屈折率ｎ2aの層で構成される層の厚みをそれぞれ示
す。
【００４０】同図（ｂ）に示したように、層１６を構成
する各層の屈折率は、中間空気層１４を有するために、
屈折率ｎ1bの層と屈折率ｎ1aの層で構成される層（厚さ
ｄ1の層）と、屈折率ｎ2bの層と屈折率ｎ2aの層で構成
される層（厚さｄ2 の層）の境界付近で最大となり、最
外空気層に向かって小さくなる。
する各層の屈折率は、中間空気層１４を有するために、
屈折率ｎ1bの層と屈折率ｎ1aの層で構成される層（厚さ
ｄ1の層）と、屈折率ｎ2bの層と屈折率ｎ2aの層で構成
される層（厚さｄ2 の層）の境界付近で最大となり、最
外空気層に向かって小さくなる。
【００４１】ここで、 としたとき、反射率が最小となる条件は を満足させる関係に有り、かつ としたとき、 ｒ0 ＝ｒ2 ・・・・・・・・・・・・・（８） ｒ1 2（１＋ｒ0 ｒ2 ）2 ＝４ｒ0 ｒ2 ・・・・・・（９） の（８）式，（９）式の条件を同時に近似的に満足する
ように、この膜を形成する。この場合、反射率は殆ど０
パーセントになる。
ように、この膜を形成する。この場合、反射率は殆ど０
パーセントになる。
【００４２】いま、ガラス基板１３の表面上に、ＳｎＯ
2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 および、これらの
混合成分の中から選択した１種以上の超微粒子１２から
なる導電性高屈折率層の一部に空気層（中間空気層）１
４を設け、かつこれらの超微粒子１２間および／または
その上層にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 のうちの少なくとも一方
の低屈折率成分からなるマトリクス層１１を有するよう
にすれば、図３（ｂ）に示したような屈折率分布を有
し、前記（７）式，（８）式，（９）式を近似的に満足
させる層（帯電防止／反射防止層）１６が得られる。
2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 および、これらの
混合成分の中から選択した１種以上の超微粒子１２から
なる導電性高屈折率層の一部に空気層（中間空気層）１
４を設け、かつこれらの超微粒子１２間および／または
その上層にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 のうちの少なくとも一方
の低屈折率成分からなるマトリクス層１１を有するよう
にすれば、図３（ｂ）に示したような屈折率分布を有
し、前記（７）式，（８）式，（９）式を近似的に満足
させる層（帯電防止／反射防止層）１６が得られる。
【００４３】図４は本発明による帯電防止／反射防止層
の形成方法の実施例と形成した帯電防止／反射防止層の
特性の説明図であって、Ｎｏ．１とＮｏ．３は前記図２
で説明した表示装置の実施例に、Ｎｏ．２とＮｏ．４は
前記図３で説明した表示装置の実施例に対応する。
の形成方法の実施例と形成した帯電防止／反射防止層の
特性の説明図であって、Ｎｏ．１とＮｏ．３は前記図２
で説明した表示装置の実施例に、Ｎｏ．２とＮｏ．４は
前記図３で説明した表示装置の実施例に対応する。
【００４４】まず、Ｎｏ．１に示す実施例では、マトリ
クス層１１はエチルシリケートのアルコール溶液から形
成される。このマトリクス層１１を構成する焼成後の膜
はＳｉＯ2 を主成分とする層で出来ているため、表面の
凹凸が多少存在することを考慮すると、中間空気層を一
部含むので、その屈折率ｎa は１．３８となる。
クス層１１はエチルシリケートのアルコール溶液から形
成される。このマトリクス層１１を構成する焼成後の膜
はＳｉＯ2 を主成分とする層で出来ているため、表面の
凹凸が多少存在することを考慮すると、中間空気層を一
部含むので、その屈折率ｎa は１．３８となる。
【００４５】また、高屈折率の超微粒子１２を含む層は
ＳｎＯ2 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 超微粒子を主成分とするエチルシ
リケートのアルコール溶液から形成されるので、ｎb は
１．９０となり、 ｎb ／ｎa ＝１．３８ で、ガラス基板のｎg ＝１．５２に近いものとなる。
ＳｎＯ2 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 超微粒子を主成分とするエチルシ
リケートのアルコール溶液から形成されるので、ｎb は
１．９０となり、 ｎb ／ｎa ＝１．３８ で、ガラス基板のｎg ＝１．５２に近いものとなる。
【００４６】そして、（１）式からｎ＝１．６０とな
り、層１５の厚みｄは、λ0 ＝５７５ｎｍとして、
（２）式よりｄ＝９０ｎｍとなる。また、反射率Ｒ2 は
（３）式より、０．２３パーセントとなり、十分に反射
防止を達成できる。
り、層１５の厚みｄは、λ0 ＝５７５ｎｍとして、
（２）式よりｄ＝９０ｎｍとなる。また、反射率Ｒ2 は
（３）式より、０．２３パーセントとなり、十分に反射
防止を達成できる。
【００４７】なお、図４のＮｏ．３は超微粒子からなる
高屈折率の層をＮｏ．１で使用したＳｎＯ2 ＋Ｓｂ2 Ｏ
3 にＴｉＯ2 を含有したものを使用して形成したもので
ある。
高屈折率の層をＮｏ．１で使用したＳｎＯ2 ＋Ｓｂ2 Ｏ
3 にＴｉＯ2 を含有したものを使用して形成したもので
ある。
【００４８】この実施例では、ｎb は２．１０となり、 ｎb ／ｎa ＝１．５２ で、ガラス基板のｎg ＝１．５２に等しいものとなる。
【００４９】実施例Ｎｏ．２とＮｏ．４においては、ガ
ラス基板上に高屈折率の層（第１層）を形成する際のバ
インダー（第１層のマトリクス層）としてエチルシリケ
ートの添加量を０または極微量として空気層１４を形成
したものである。そして、Ｎｏ．４の実施例では第２層
であるマトリクス１１の形成時にエチルシリケート＋Ｍ
ｇＦ2 をエタノールに溶解したものを塗布してなるもの
である。
ラス基板上に高屈折率の層（第１層）を形成する際のバ
インダー（第１層のマトリクス層）としてエチルシリケ
ートの添加量を０または極微量として空気層１４を形成
したものである。そして、Ｎｏ．４の実施例では第２層
であるマトリクス１１の形成時にエチルシリケート＋Ｍ
ｇＦ2 をエタノールに溶解したものを塗布してなるもの
である。
【００５０】すなわち、第１層目の高屈折率層を形成す
るとき、それに添加するマトリクスの量を加減すること
で、ある程度の空孔を残した状態とし、第２層を形成す
るマトリクス１１の塗布時に当該マトリクス溶液が上記
空孔に滲み込み、屈折率連続変化が得られるようにした
ものである。
るとき、それに添加するマトリクスの量を加減すること
で、ある程度の空孔を残した状態とし、第２層を形成す
るマトリクス１１の塗布時に当該マトリクス溶液が上記
空孔に滲み込み、屈折率連続変化が得られるようにした
ものである。
【００５１】また、上記帯電防止／反射防止層の形成を
主としてディップ法で２回の塗布で行ったものとしてい
るが、膜厚の制御が十分に行うことができるものであれ
ば、スピンコート法、あるいはその他の適宜の塗布法を
採用することができる。
主としてディップ法で２回の塗布で行ったものとしてい
るが、膜厚の制御が十分に行うことができるものであれ
ば、スピンコート法、あるいはその他の適宜の塗布法を
採用することができる。
【００５２】上記反射防止層の反射率は、各構成層それ
ぞれの占める体積分率によって前記帯電防止および反射
防止膜の厚み方向の各部分の屈折率を設定することによ
って調整できる。
ぞれの占める体積分率によって前記帯電防止および反射
防止膜の厚み方向の各部分の屈折率を設定することによ
って調整できる。
【００５３】なお、上記各実施例は表示装置としてカラ
ー陰極線管を例として説明したが、本発明はこれに限る
ものではなく、液晶表示装置、投射型陰極線管、その他
の帯電防止性と反射防止性を必要とされる各種表示装
置、さらには表示装置に限らず種々の電子装置あるいは
電子装置以外の装置に適用できるものである。
ー陰極線管を例として説明したが、本発明はこれに限る
ものではなく、液晶表示装置、投射型陰極線管、その他
の帯電防止性と反射防止性を必要とされる各種表示装
置、さらには表示装置に限らず種々の電子装置あるいは
電子装置以外の装置に適用できるものである。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射防止性能に優れ、かつ簡単な方法で形成できる表示
装置を提供することが可能である。
反射防止性能に優れ、かつ簡単な方法で形成できる表示
装置を提供することが可能である。
【００５５】また、本発明における帯電防止／反射防止
層は、多層蒸着で形成したものと同様に、光の干渉を利
用した反射防止層であるために、表示装置の高解像度性
を有し、かつ膜厚方向の屈折率が連続的に変化するメカ
ニズムであるため、層数が非常に多い構造に近似される
ので、反射率の波長依存性が少ない平坦な分光反射特性
をもつ。したがって、特定の強い不快な色付きが生じる
ことがなく、例えばボトム波長が５７５ｎｍのとき、均
一に薄い青色に着色し、表示装置の画面全体が黒く沈ん
だ色に見えるので、高コントラストが得られる。
層は、多層蒸着で形成したものと同様に、光の干渉を利
用した反射防止層であるために、表示装置の高解像度性
を有し、かつ膜厚方向の屈折率が連続的に変化するメカ
ニズムであるため、層数が非常に多い構造に近似される
ので、反射率の波長依存性が少ない平坦な分光反射特性
をもつ。したがって、特定の強い不快な色付きが生じる
ことがなく、例えばボトム波長が５７５ｎｍのとき、均
一に薄い青色に着色し、表示装置の画面全体が黒く沈ん
だ色に見えるので、高コントラストが得られる。
【００５６】また、本発明における帯電防止／反射防止
層は、高屈折率層の間あるいは最外表面は平坦なマトリ
クス層で被覆されるので、従来のごとくＳｉＯ2 超微粒
子を添加した反射防止層のように表面凹凸が無いか、も
しくは少ないので、汚れの除去性が非常に良好である。
層は、高屈折率層の間あるいは最外表面は平坦なマトリ
クス層で被覆されるので、従来のごとくＳｉＯ2 超微粒
子を添加した反射防止層のように表面凹凸が無いか、も
しくは少ないので、汚れの除去性が非常に良好である。
【００５７】例えば、本発明における帯電防止／反射防
止層を、めがね拭き用の布（例えば、東レ（株）製の
「トレシー」（商品名）などで拭き取ることで、指紋そ
の他の汚れが簡単に除去することができる。
止層を、めがね拭き用の布（例えば、東レ（株）製の
「トレシー」（商品名）などで拭き取ることで、指紋そ
の他の汚れが簡単に除去することができる。
【００５８】そして、本発明における帯電防止／反射防
止層の高屈折率層がＳｎＯ2 で代表されるように導電性
を有しているため、陰極線管など帯電防止を必要とする
表面装置に適用して顕著な効果が得られる。
止層の高屈折率層がＳｎＯ2 で代表されるように導電性
を有しているため、陰極線管など帯電防止を必要とする
表面装置に適用して顕著な効果が得られる。
【００５９】このように、本発明によれば、外光反射を
低減した高品質の画像表示を得ることができると共に、
帯電防止効果を兼ね備えた優れた表示装置を提供するこ
とができる。
低減した高品質の画像表示を得ることができると共に、
帯電防止効果を兼ね備えた優れた表示装置を提供するこ
とができる。
【図１】本発明による表示装置をカラー陰極線管に適用
した実施例を説明するための当該カラー陰極線管の構造
を説明する部分断面した模式図である。
した実施例を説明するための当該カラー陰極線管の構造
を説明する部分断面した模式図である。
【図２】本発明による表示装置をカラー陰極線管に適用
した実施例を説明するための図１の矢印Ａ部分の構成の
１実施例の説明図である。
した実施例を説明するための図１の矢印Ａ部分の構成の
１実施例の説明図である。
【図３】本発明による表示装置をカラー陰極線管に適用
した実施例を説明するための図１の矢印Ａ部分の構成の
他の実施例の説明図である。
した実施例を説明するための図１の矢印Ａ部分の構成の
他の実施例の説明図である。
【図４】本発明による帯電防止／反射防止層の形成方法
の実施例と形成した帯電防止／反射防止層の特性の説明
図である。
の実施例と形成した帯電防止／反射防止層の特性の説明
図である。
１ スクリーンであるパネル ２ ファンネル ３ ネック ４ ネック３の部分に収納された電子銃 ５ シャドウマスク ６ 蛍光面 ７ ファンネル２の部分に装架された偏向ヨーク ８ パネル１の外面に形成した帯電防止および反射防止
層（帯電防止／反射防止層） ９ 防爆バンド １１ 低屈折率のマトリクス層 １２ 高屈折率の超微粒子を含む層 １３ パネルを構成するガラス基板 １４ 中間空気層 １５ 帯電防止／反射防止層 １６ 帯電防止／反射防止層。
層（帯電防止／反射防止層） ９ 防爆バンド １１ 低屈折率のマトリクス層 １２ 高屈折率の超微粒子を含む層 １３ パネルを構成するガラス基板 １４ 中間空気層 １５ 帯電防止／反射防止層 １６ 帯電防止／反射防止層。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河村 孝男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 遠藤 喜重 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】表示装置の画面を構成する基板の表面上
に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 、およびこれらの混合物の中から選択した１種以
上の超微粒子からなる導電性高屈折率層と、前記導電性
高屈折率層を構成する前記超微粒子の間および／または
上層にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の少なくとも一方からなるマ
トリクス層とを備えたことを特徴とする帯電防止および
反射防止膜を有する表示装置。 - 【請求項２】表示装置の画面を構成する基板の表面上
に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 、およびこれらの混合物の中から選択した１種以
上の超微粒子からなる導電性高屈折率層と、前記導電性
高屈折率層を構成する前記超微粒子の間および／または
上層にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の少なくとも一方からなるマ
トリクス層とを備えると共に、前記導電性高屈折率層の
一部に空気層からなる中間層を設けたことを特徴とする
帯電防止および反射防止膜を有する表示装置。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の表示装置の反射
率調整方法において、前記超微粒子，中間層，マトリク
ス層、および最外層空気のそれぞれの占める体積分率に
よって前記帯電防止および反射防止膜の厚み方向の各部
分の屈折率を設定することを特徴とする表示装置の反射
率調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282576A JPH07134955A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 表示装置およびその反射率調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282576A JPH07134955A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 表示装置およびその反射率調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07134955A true JPH07134955A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17654294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5282576A Pending JPH07134955A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 表示装置およびその反射率調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07134955A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079571A3 (en) * | 2000-04-18 | 2002-04-04 | Millennium Inorganic Chem | Tio2 compounds obtained from a high silica content ore |
| WO2005116694A1 (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Fujifilm Corporation | 光学フイルム、偏光板、及びそれを用いた画像表示装置 |
| WO2006030848A1 (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 非晶質酸化珪素バインダを有するＭｇＦ２光学薄膜、及びそれを備える光学素子、並びにそのＭｇＦ２光学薄膜の製造方法 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP5282576A patent/JPH07134955A/ja active Pending
Cited By (22)
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| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
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| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US7524553B2 (en) | 2004-05-31 | 2009-04-28 | Fujifilm Corporation | Optical film, polarizing plate and image display using the same |
| WO2005116694A1 (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Fujifilm Corporation | 光学フイルム、偏光板、及びそれを用いた画像表示装置 |
| JP4858170B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 非晶質酸化珪素バインダを有するＭｇＦ２光学薄膜の製造方法 |
| JPWO2006030848A1 (ja) * | 2004-09-16 | 2008-05-15 | 株式会社ニコン | 非晶質酸化珪素バインダを有するＭｇＦ２光学薄膜、及びそれを備える光学素子、並びにそのＭｇＦ２光学薄膜の製造方法 |
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| US9915761B2 (en) | 2004-09-16 | 2018-03-13 | Nikon Corporation | Optical system having optical thin film including amorphous silicon oxide-based binder |
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| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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