JPH06251728A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH06251728A JPH06251728A JP5035505A JP3550593A JPH06251728A JP H06251728 A JPH06251728 A JP H06251728A JP 5035505 A JP5035505 A JP 5035505A JP 3550593 A JP3550593 A JP 3550593A JP H06251728 A JPH06251728 A JP H06251728A
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- fingerprints
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 画面に汚れ等の耐付着性をもつ帯電防止と反
射防止機能をもつ表示装置を提供する。 【構成】 表示装置の画面を構成する基板１の表面上
に、SnO2，Sb2O3 ，In2O3，TiO2，ZrO2およびこれらの
混合物の中から選択した少なくとも１種の第１超微粒子
14からなる第１層と、第１層の上層に上記超微粒子より
大きな粒子径を持つ上記物質およびこれらの混合物の中
から選択した少なくとも１種の第２超微粒子13からなる
第２層と、第２層を構成する第２超微粒子間の隙間およ
び／または第１層を構成する第１超微粒子間と第１層を
構成する第２超微粒子間の隙間を埋めるようにSiO2，Mn
F2の少なくとも一方かならるマトリクス層12備えた帯電
防止および反射防止膜を有する。 【効果】 汚れや指紋の付着性が低く、呼気布拭きなど
の日常の簡単な方法で払拭できる。
射防止機能をもつ表示装置を提供する。 【構成】 表示装置の画面を構成する基板１の表面上
に、SnO2，Sb2O3 ，In2O3，TiO2，ZrO2およびこれらの
混合物の中から選択した少なくとも１種の第１超微粒子
14からなる第１層と、第１層の上層に上記超微粒子より
大きな粒子径を持つ上記物質およびこれらの混合物の中
から選択した少なくとも１種の第２超微粒子13からなる
第２層と、第２層を構成する第２超微粒子間の隙間およ
び／または第１層を構成する第１超微粒子間と第１層を
構成する第２超微粒子間の隙間を埋めるようにSiO2，Mn
F2の少なくとも一方かならるマトリクス層12備えた帯電
防止および反射防止膜を有する。 【効果】 汚れや指紋の付着性が低く、呼気布拭きなど
の日常の簡単な方法で払拭できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管、液晶表示装
置、等の表示装置、およびその他の表示装置に係り、特
にその表面に反射防止と帯電防止構造をもつ表示装置に
関する。
置、等の表示装置、およびその他の表示装置に係り、特
にその表面に反射防止と帯電防止構造をもつ表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管や液晶表示装置等の表面光沢性
を有するスクリーンが外光の反射によって、その再生画
質が劣化するのを防止するために、従来から各種の反射
防止手段を当該スクリーン面に施すことが行われてい
る。その代表的なものとして、スクリーン面にセラミッ
クを蒸着により多層コートし、このセラミックコート層
による光の干渉を利用して反射率を小さくする方法が知
られている。
を有するスクリーンが外光の反射によって、その再生画
質が劣化するのを防止するために、従来から各種の反射
防止手段を当該スクリーン面に施すことが行われてい
る。その代表的なものとして、スクリーン面にセラミッ
クを蒸着により多層コートし、このセラミックコート層
による光の干渉を利用して反射率を小さくする方法が知
られている。
【０００３】この方法は、コートしたセラミック層の凹
凸が殆どない平滑面であるために、表示画像に歪みが生
ぜず、超高精細のカラーディスプレイ管などの反射防止
に適しているが、セラミックコート層の形成コストが高
いために、高級機種に限定して適用されている。そのた
め、一般の汎用機種については、表面に凹凸を形成して
光を拡散させ、反射像の輪郭をぼかした，所謂ノングレ
ア方式の反射防止膜が広く適用されている。
凸が殆どない平滑面であるために、表示画像に歪みが生
ぜず、超高精細のカラーディスプレイ管などの反射防止
に適しているが、セラミックコート層の形成コストが高
いために、高級機種に限定して適用されている。そのた
め、一般の汎用機種については、表面に凹凸を形成して
光を拡散させ、反射像の輪郭をぼかした，所謂ノングレ
ア方式の反射防止膜が広く適用されている。
【０００４】本出願人は、前者の光の干渉を利用した反
射防止膜を比較的低コストで実現できるものとして、超
微粒子を用いた反射防止を提案した（特開昭６３−１９
３１０１号公報参照）。上記公報に開示の発明は、表示
装置の画面にＳｉＯ2 超微粒子を添加したＳｉ（ＯＲ）
4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を塗布し、これ
を焼成して当該画面上にＳｉＯ2 超微粒子およびこれを
固定するＳｉＯ2 バインダーからなる反射防止膜を形成
するものである。
射防止膜を比較的低コストで実現できるものとして、超
微粒子を用いた反射防止を提案した（特開昭６３−１９
３１０１号公報参照）。上記公報に開示の発明は、表示
装置の画面にＳｉＯ2 超微粒子を添加したＳｉ（ＯＲ）
4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を塗布し、これ
を焼成して当該画面上にＳｉＯ2 超微粒子およびこれを
固定するＳｉＯ2 バインダーからなる反射防止膜を形成
するものである。
【０００５】上記反射防止膜は、超微粒子と空気で構成
される表面層の屈折率が、順次厚さ方向に連続的に変化
することによる光の干渉を利用して反射率を実質的に低
下させるものである。図７は上記従来技術による表示装
置の反射防止膜の構造と作用を説明する要部断面図であ
って、１０は表示装置のスクリーン基板（以下、パネル
という）、１１は空気層、２１はＳｉＯ2 微粒子層、２
２はＳｉＯ2 バインダー層である。
される表面層の屈折率が、順次厚さ方向に連続的に変化
することによる光の干渉を利用して反射率を実質的に低
下させるものである。図７は上記従来技術による表示装
置の反射防止膜の構造と作用を説明する要部断面図であ
って、１０は表示装置のスクリーン基板（以下、パネル
という）、１１は空気層、２１はＳｉＯ2 微粒子層、２
２はＳｉＯ2 バインダー層である。
【０００６】同図において、Ａに示す位置における屈折
率は空気の屈折率ｎ0 （ｎ0 ≒１）、Ｂに示す位置から
パネル１０側ではＳｉＯ2 微粒子２１とＳｉＯ2 バイン
ダー層とが充填された状態にあるので、その屈折率ｎsi
はＳｉＯ2 の屈折率（≒１．４６）となり、また、ガラ
スからなるパネル１０の屈折率ｎg はガラスの屈折率
（≒１．５３）に等しい。
率は空気の屈折率ｎ0 （ｎ0 ≒１）、Ｂに示す位置から
パネル１０側ではＳｉＯ2 微粒子２１とＳｉＯ2 バイン
ダー層とが充填された状態にあるので、その屈折率ｎsi
はＳｉＯ2 の屈折率（≒１．４６）となり、また、ガラ
スからなるパネル１０の屈折率ｎg はガラスの屈折率
（≒１．５３）に等しい。
【０００７】そして、上記ＡとＢとの囲まれた凹凸部分
における屈折率は、ＳｉＯ2 の体積分率、つまりＡ，Ｂ
平面に平行な平面で切った微小な厚みの板を仮想したと
き、その板の体積全体に占めるＳｉＯ2 部分の体積の割
合に応じれ連続的に変化する。すなわち，Ａより僅かに
Ｂ側に入った部分での屈折率をｎ1 、Ｂより僅かにＡ側
に入った部分の屈折率をｎ2 としたとき、ｎ1 ＜ｎ2 と
なる。
における屈折率は、ＳｉＯ2 の体積分率、つまりＡ，Ｂ
平面に平行な平面で切った微小な厚みの板を仮想したと
き、その板の体積全体に占めるＳｉＯ2 部分の体積の割
合に応じれ連続的に変化する。すなわち，Ａより僅かに
Ｂ側に入った部分での屈折率をｎ1 、Ｂより僅かにＡ側
に入った部分の屈折率をｎ2 としたとき、ｎ1 ＜ｎ2 と
なる。
【０００８】上記の構造をもったパネルの反射防止膜の
反射率をＲａとすると、 但し、δ＝｛２π（ｎ1 ＋ｎ2 ）｝ｄ／λ （１）式において、Ｒａが最も小さくなるのは、Ｓｉｎ
δ／２が最大（すなわちδ＝π）のときで、この条件を
満足させる組合せは ｛（ｎ1 ＋ｎ2 ）／２｝ｄ＝λ／４ ・・・・・(1-a) であり、そのときのＲａの最小条件は ｎsi＝ｎ1 ・ｎ2 ・・・・・(1-b) である。
反射率をＲａとすると、 但し、δ＝｛２π（ｎ1 ＋ｎ2 ）｝ｄ／λ （１）式において、Ｒａが最も小さくなるのは、Ｓｉｎ
δ／２が最大（すなわちδ＝π）のときで、この条件を
満足させる組合せは ｛（ｎ1 ＋ｎ2 ）／２｝ｄ＝λ／４ ・・・・・(1-a) であり、そのときのＲａの最小条件は ｎsi＝ｎ1 ・ｎ2 ・・・・・(1-b) である。
【０００９】上記の各関係を満足させるようにＡ位置か
らＢ位置の距離すなわち深さｄ、ＳｉＯ2 の粒子径、粒
子配列、粒子配列表面側の凹部を埋めるマトリックス
（導電層）、および溶媒、塗布条件等をコントロールし
て反射防止特性を得ている。さらに、反射防止に加えて
帯電防止性が要求されるときは、次のような多層コーテ
ィング膜構成が取られる。
らＢ位置の距離すなわち深さｄ、ＳｉＯ2 の粒子径、粒
子配列、粒子配列表面側の凹部を埋めるマトリックス
（導電層）、および溶媒、塗布条件等をコントロールし
て反射防止特性を得ている。さらに、反射防止に加えて
帯電防止性が要求されるときは、次のような多層コーテ
ィング膜構成が取られる。
【００１０】図８は従来技術による表示装置の帯電防止
性を併せ持つ反射防止膜の構造と作用を説明する要部断
面図であって、２３はＳｎＯ2 導電層、ｎsnはＳｎＯ2
導電層の屈折率である。同図に示したように、基板１０
の上に帯電防止層として機能する第１層としてＳｎＯ2
の導電層２３が設けられ、この上に第２層としての反射
率Ｒａの反射防止層を形成した多層膜を設けている。こ
の反射防止層の構造は前記図７で説明したものと同様で
ある。
性を併せ持つ反射防止膜の構造と作用を説明する要部断
面図であって、２３はＳｎＯ2 導電層、ｎsnはＳｎＯ2
導電層の屈折率である。同図に示したように、基板１０
の上に帯電防止層として機能する第１層としてＳｎＯ2
の導電層２３が設けられ、この上に第２層としての反射
率Ｒａの反射防止層を形成した多層膜を設けている。こ
の反射防止層の構造は前記図７で説明したものと同様で
ある。
【００１１】図８の構成において反射率Ｒが最小となる
条件は、図７の反射率Ｒａが最小となる条件の他に、帯
電防止層２３の反射率Ｒｂとの干渉を考慮する必要があ
る。これらを含めた反射率Ｒが最小となる条件は、２層
膜の特性マトリックスの計算方法から ｎsi・ｄ1 ＝｛（ｎ1 ＋ｎ2 ）／２｝ｄ1＝λ／４ ・・・・(2-a) ｎsi＝｛（ｎ1 ＋ｎ2 ）／２｝√（ｎsn） ・・・・(2-b) の関係を満たすことが必要である。
条件は、図７の反射率Ｒａが最小となる条件の他に、帯
電防止層２３の反射率Ｒｂとの干渉を考慮する必要があ
る。これらを含めた反射率Ｒが最小となる条件は、２層
膜の特性マトリックスの計算方法から ｎsi・ｄ1 ＝｛（ｎ1 ＋ｎ2 ）／２｝ｄ1＝λ／４ ・・・・(2-a) ｎsi＝｛（ｎ1 ＋ｎ2 ）／２｝√（ｎsn） ・・・・(2-b) の関係を満たすことが必要である。
【００１２】従来の技術においては、上記したような条
件を満足させて帯電および反射防止膜を形成している。
なお、図７，図８の構成における反射防止原理の説明
は、基板１０との界面の反射についても考慮する必要が
あるが、説明の便宜上省略してある。
件を満足させて帯電および反射防止膜を形成している。
なお、図７，図８の構成における反射防止原理の説明
は、基板１０との界面の反射についても考慮する必要が
あるが、説明の便宜上省略してある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、Ｓｉ
Ｏ2 超微粒子による方法や、蒸着多層コーティング膜に
よる方法は、前記（１−ａ）式、（２−ａ）式に示した
ように、物理的な膜の厚みをｄ、屈折率をｎとしたと
き、物理的膜厚ｎｄが反射防止特性に非常に敏感に影響
する。例えば、その表面（パネル表面）に汚れや指紋が
付着すると厚みｄが変化して、反射率は一般に大きく変
化する。
Ｏ2 超微粒子による方法や、蒸着多層コーティング膜に
よる方法は、前記（１−ａ）式、（２−ａ）式に示した
ように、物理的な膜の厚みをｄ、屈折率をｎとしたと
き、物理的膜厚ｎｄが反射防止特性に非常に敏感に影響
する。例えば、その表面（パネル表面）に汚れや指紋が
付着すると厚みｄが変化して、反射率は一般に大きく変
化する。
【００１４】したがって、汚れや指紋が付着した部分の
反射率が変わり、当該部分は明瞭に浮き出て見えるよう
になり、表示品質を劣化させてしまう。特に、表面に微
細な凹凸のある反射防止膜は、その微細な凹凸の隙間に
汚れや指紋が入り込み易く、それが奥深く侵入した場合
は簡単に除去できない。本発明の目的は、上記従来技術
の問題点を解消し、反射防止効果に優れ、汚れや指紋の
付着が少なく、かつ付着した汚れや指紋を容易に除去で
きる反射防止構造をもつ表示装置を提供することにあ
る。
反射率が変わり、当該部分は明瞭に浮き出て見えるよう
になり、表示品質を劣化させてしまう。特に、表面に微
細な凹凸のある反射防止膜は、その微細な凹凸の隙間に
汚れや指紋が入り込み易く、それが奥深く侵入した場合
は簡単に除去できない。本発明の目的は、上記従来技術
の問題点を解消し、反射防止効果に優れ、汚れや指紋の
付着が少なく、かつ付着した汚れや指紋を容易に除去で
きる反射防止構造をもつ表示装置を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記したごとく、超微粒
子による表面の凹凸を利用した反射防止膜は反射防止性
に優れ、汚れに対しても実用的には問題ないが、この反
射防止膜の信頼性をより向上させるために、本発明は、
汚れや指紋の付着性が低く、呼気布拭きなどの日常の簡
単な方法で払拭でき、かつ傷つき難く膜強度に優れた帯
電防止と反射防止膜をもつ表示装置を提供するものであ
る。
子による表面の凹凸を利用した反射防止膜は反射防止性
に優れ、汚れに対しても実用的には問題ないが、この反
射防止膜の信頼性をより向上させるために、本発明は、
汚れや指紋の付着性が低く、呼気布拭きなどの日常の簡
単な方法で払拭でき、かつ傷つき難く膜強度に優れた帯
電防止と反射防止膜をもつ表示装置を提供するものであ
る。
【００１６】すなわち、本発明の請求項１の発明は、表
示装置の画面（スクリーン）を構成する基板（パネル）
の表面上に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2 およびこれらの混合物の中から選択した
少なくとも１種の第１超微粒子からなる第１層と、この
第１層の上層に上記超微粒子より大きな粒子径を持つＳ
ｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2
およびこれらの混合物の中から選択した少なくとも１種
の第２超微粒子からなる第２層と、上記第２層を構成す
る第２超微粒子間の隙間および／または上記第１層を構
成する第１超微粒子間と上記第１層を構成する第２超微
粒子間の隙間を埋めるようにＳｉＯ2 ，ＭｎＦ2 の少な
くとも一方かならるマトリクス層とを備えた帯電防止お
よび反射防止膜を有することを特徴とする。
示装置の画面（スクリーン）を構成する基板（パネル）
の表面上に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2 およびこれらの混合物の中から選択した
少なくとも１種の第１超微粒子からなる第１層と、この
第１層の上層に上記超微粒子より大きな粒子径を持つＳ
ｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2
およびこれらの混合物の中から選択した少なくとも１種
の第２超微粒子からなる第２層と、上記第２層を構成す
る第２超微粒子間の隙間および／または上記第１層を構
成する第１超微粒子間と上記第１層を構成する第２超微
粒子間の隙間を埋めるようにＳｉＯ2 ，ＭｎＦ2 の少な
くとも一方かならるマトリクス層とを備えた帯電防止お
よび反射防止膜を有することを特徴とする。
【００１７】また、本発明の請求項２の発明は、前記第
１超微粒子および第２超微粒子が、ＳｉＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 の中から選択した少なくとも１種からな
るマトリクス層により固定してなることを特徴とする。
さらに、本発明の請求項３の発明は、請求項１または２
において、前記第２層の空気層との界面より僅かに内側
に入った部分での屈折率をｎ1 、第２層を構成する第２
超微粒子の相互接触面より僅かに上記空気層側に寄った
部分の屈折率をｎ2 、前記導電層部分の屈折率をｎ3 と
したとき ｎ1 ＜ｎ2 ＜ｎ3 であることを特徴とする。
１超微粒子および第２超微粒子が、ＳｉＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 の中から選択した少なくとも１種からな
るマトリクス層により固定してなることを特徴とする。
さらに、本発明の請求項３の発明は、請求項１または２
において、前記第２層の空気層との界面より僅かに内側
に入った部分での屈折率をｎ1 、第２層を構成する第２
超微粒子の相互接触面より僅かに上記空気層側に寄った
部分の屈折率をｎ2 、前記導電層部分の屈折率をｎ3 と
したとき ｎ1 ＜ｎ2 ＜ｎ3 であることを特徴とする。
【００１８】そして、本発明の請求項４の発明は、請求
項１，２または３において、前記マトリクス層の最外表
面が、滑らかに連続する凹凸を有することを特徴とす
る。
項１，２または３において、前記マトリクス層の最外表
面が、滑らかに連続する凹凸を有することを特徴とす
る。
【００１９】
【作用】上記本発明の構成において、反射率を最小にす
る条件は、前記（１−ａ）式，（１−ｂ）式、および
（２−ａ）式，（２−ｂ）式と同様の方法により求める
と、 n3・d1＝｛(n1＋n2)/2｝・d2＝λ/4 ・・・・・（３−ａ） n3＝n1・n2 ・・・・・（３−ｂ） n3＝｛(n1＋n2)/2｝・√(n・g) ・・・・・（３−ｃ） となり、このような条件が得られるように、成膜の材
質、膜厚をコントロールして成膜すれば、反射率を小さ
くすることができる。
る条件は、前記（１−ａ）式，（１−ｂ）式、および
（２−ａ）式，（２−ｂ）式と同様の方法により求める
と、 n3・d1＝｛(n1＋n2)/2｝・d2＝λ/4 ・・・・・（３−ａ） n3＝n1・n2 ・・・・・（３−ｂ） n3＝｛(n1＋n2)/2｝・√(n・g) ・・・・・（３−ｃ） となり、このような条件が得られるように、成膜の材
質、膜厚をコントロールして成膜すれば、反射率を小さ
くすることができる。
【００２０】また、帯電，反射防止層を構成する膜の最
外表面に、汚れや指紋の付着がし難く、付着した汚れや
指紋を容易に除去できる範囲で滑らかな多少の凹凸を有
せしめると、上記ｎ1 をさらに小さくすることができ、
反射防止効果をより向上できる。
外表面に、汚れや指紋の付着がし難く、付着した汚れや
指紋を容易に除去できる範囲で滑らかな多少の凹凸を有
せしめると、上記ｎ1 をさらに小さくすることができ、
反射防止効果をより向上できる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。図１は本発明による表示装置をカラ
ー陰極線管に適用した実施例を説明するための当該カラ
ー陰極線管の構造を示す部分断面模式図である。同図に
おいて、１はスクリーンであるパネル、２はファンネ
ル、３はネック、４はネック３の部分に収納された電子
銃、５はシャドウマスク、６は蛍光面、７はファンネル
に装架された偏向ヨーク、８はパネルの外面に形成した
帯電防止および反射防止層、９は防爆バンドである。
て詳細に説明する。図１は本発明による表示装置をカラ
ー陰極線管に適用した実施例を説明するための当該カラ
ー陰極線管の構造を示す部分断面模式図である。同図に
おいて、１はスクリーンであるパネル、２はファンネ
ル、３はネック、４はネック３の部分に収納された電子
銃、５はシャドウマスク、６は蛍光面、７はファンネル
に装架された偏向ヨーク、８はパネルの外面に形成した
帯電防止および反射防止層、９は防爆バンドである。
【００２２】なお、パネル１，ファンネル２およびネッ
ク３で陰極線管の外周器を構成し、Ｒ，Ｇ，Ｂは電子ビ
ームを示す。図示したように、スクリーンすなわち画面
を構成するパネル１の外面に帯電，反射防止層８が形成
され、これにより外光の反射を防止して高コントラスト
の画像を再生できると共に、パネル１の内面に印加され
る高電圧による高圧の静電気は防爆バンド９を通して接
地される。
ク３で陰極線管の外周器を構成し、Ｒ，Ｇ，Ｂは電子ビ
ームを示す。図示したように、スクリーンすなわち画面
を構成するパネル１の外面に帯電，反射防止層８が形成
され、これにより外光の反射を防止して高コントラスト
の画像を再生できると共に、パネル１の内面に印加され
る高電圧による高圧の静電気は防爆バンド９を通して接
地される。
【００２３】図２は本発明の第１実施例を説明する図１
の矢印Ａ部分の拡大断面図であって、図１と同一符号は
同一部分に対応し、１２は低屈折率のマトリクス層、１
３は第１超微粒子、１４は第２超微粒子、１３ａは高屈
折率の第２層、１４ａは第２層よりさらに高屈折率の第
１層である。帯電防止および反射防止層８は第１層１４
ａと第１層１３ａの多層から構成される。
の矢印Ａ部分の拡大断面図であって、図１と同一符号は
同一部分に対応し、１２は低屈折率のマトリクス層、１
３は第１超微粒子、１４は第２超微粒子、１３ａは高屈
折率の第２層、１４ａは第２層よりさらに高屈折率の第
１層である。帯電防止および反射防止層８は第１層１４
ａと第１層１３ａの多層から構成される。
【００２４】同図において、低屈折率のマトリクス層１
２は超微粒子１３からなる第２層の表面の微細な凹凸や
隙間を埋めて、汚れや指紋の付着を低減し、付着した汚
れや指紋を容易に除去できるように、その最外表面が滑
らかな多少の凹凸を有している。上記マトリクス層は、
ＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の少なくとも１種を含み、ＳｉＯ2
はエチルシリケートなどの金属アルコキシドの分解重縮
合反応により形成する。
２は超微粒子１３からなる第２層の表面の微細な凹凸や
隙間を埋めて、汚れや指紋の付着を低減し、付着した汚
れや指紋を容易に除去できるように、その最外表面が滑
らかな多少の凹凸を有している。上記マトリクス層は、
ＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の少なくとも１種を含み、ＳｉＯ2
はエチルシリケートなどの金属アルコキシドの分解重縮
合反応により形成する。
【００２５】なお、ＭｇＦ2 の場合は、ＭｇＦ2 をエチ
ルシリケートに添加してもよい。また、両者共に別の有
機金属化合物から導入しても差支えない。第２層を構成
する第２超微粒子１３は高屈折率の材料で、屈折率の連
続変化が体積分律で得られる形状であれば図示したよう
な球形に限らない。球形の場合は８０〜１２０ｎｍ程度
が好ましい。
ルシリケートに添加してもよい。また、両者共に別の有
機金属化合物から導入しても差支えない。第２層を構成
する第２超微粒子１３は高屈折率の材料で、屈折率の連
続変化が体積分律で得られる形状であれば図示したよう
な球形に限らない。球形の場合は８０〜１２０ｎｍ程度
が好ましい。
【００２６】この材質は、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ
2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 およびこれらの中から選択
した少なくとも１種の超微粒子で構成される。第１層を
構成する第１超微粒子１４は高屈折率の材料で、かつ導
電性を得るために、第２超微粒子１３よりは粒子径が小
さい（例えば、５〜７ｎｍ、なお２０ｎｍ程度でも可）
ものが均一緻密に詰まった構成とされる。
2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 およびこれらの中から選択
した少なくとも１種の超微粒子で構成される。第１層を
構成する第１超微粒子１４は高屈折率の材料で、かつ導
電性を得るために、第２超微粒子１３よりは粒子径が小
さい（例えば、５〜７ｎｍ、なお２０ｎｍ程度でも可）
ものが均一緻密に詰まった構成とされる。
【００２７】この材質としては、上記と同様にＳｎ
Ｏ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 お
よびこれらの中から選択した少なくとも１種の超微粒子
で構成される。なお、ｄ1 ，ｄ2 は前記反射率の計算に
おける厚さである。この実施例によれば、反射防止効果
に優れ、汚れや指紋の付着が少なく、かつ付着した汚れ
や指紋を容易に除去できる反射防止構造をもつ表示装置
を提供することができる。
Ｏ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 お
よびこれらの中から選択した少なくとも１種の超微粒子
で構成される。なお、ｄ1 ，ｄ2 は前記反射率の計算に
おける厚さである。この実施例によれば、反射防止効果
に優れ、汚れや指紋の付着が少なく、かつ付着した汚れ
や指紋を容易に除去できる反射防止構造をもつ表示装置
を提供することができる。
【００２８】図３は本発明の第２実施例を説明する図１
の矢印Ａ部分の拡大断面図であって、図１と同一符号は
同一部分に対応する。同図の実施例は、第１層を構成す
る第１超微粒子の大きさを略々第２層を構成する超微粒
子と同程度として、反射防止層を複数層１３ａ’，１４
ａ’で構成したものである。この場合は、層１３ａ’の
厚みがｄ2 、層１４’の厚みがｄ1 となる。
の矢印Ａ部分の拡大断面図であって、図１と同一符号は
同一部分に対応する。同図の実施例は、第１層を構成す
る第１超微粒子の大きさを略々第２層を構成する超微粒
子と同程度として、反射防止層を複数層１３ａ’，１４
ａ’で構成したものである。この場合は、層１３ａ’の
厚みがｄ2 、層１４’の厚みがｄ1 となる。
【００２９】このように、超微粒子の層を複数層とした
場合においても、それらの屈折率の連続変化が体積分律
で得られればよい。なお、第１層１４ａ’には、少量の
マトリクスがバインダーとして含まれていてもよい。そ
して、第１層１４ａ’の屈折率は第２層の屈折率に等し
いか、出来るだけ近い値であることが望ましい。
場合においても、それらの屈折率の連続変化が体積分律
で得られればよい。なお、第１層１４ａ’には、少量の
マトリクスがバインダーとして含まれていてもよい。そ
して、第１層１４ａ’の屈折率は第２層の屈折率に等し
いか、出来るだけ近い値であることが望ましい。
【００３０】この場合のマトリクスとしては、Ｓｉ
Ｏ2 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 の中から選択した少なくとも
１種を用いる。この実施例によっても、反射防止効果に
優れ、汚れや指紋の付着が少なく、かつ付着した汚れや
指紋を容易に除去できる反射防止構造をもつ表示装置を
提供することができる。
Ｏ2 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 の中から選択した少なくとも
１種を用いる。この実施例によっても、反射防止効果に
優れ、汚れや指紋の付着が少なく、かつ付着した汚れや
指紋を容易に除去できる反射防止構造をもつ表示装置を
提供することができる。
【００３１】上記帯電防止，反射防止層の形成は、溶
媒，触媒，その他の膜形成調節剤、所定の超微粒子、ア
ルコキシド等により塗布液を調整し、ディップ法，スピ
ンコート法，ロールコータ法，スプレー法等のどのよう
な塗布方法を採用してもよく、その塗布も１回、あるい
は数回の繰り返しで行う。また、出来上がった膜表面
は、必ずしも図示したような平坦面に限らず、図４ある
いは図５に示したように、汚れや指紋の付着性が低く、
付着した汚れや指紋を容易に除去できる範囲で多少の凹
凸を有する方が反射防止効果が大きい。
媒，触媒，その他の膜形成調節剤、所定の超微粒子、ア
ルコキシド等により塗布液を調整し、ディップ法，スピ
ンコート法，ロールコータ法，スプレー法等のどのよう
な塗布方法を採用してもよく、その塗布も１回、あるい
は数回の繰り返しで行う。また、出来上がった膜表面
は、必ずしも図示したような平坦面に限らず、図４ある
いは図５に示したように、汚れや指紋の付着性が低く、
付着した汚れや指紋を容易に除去できる範囲で多少の凹
凸を有する方が反射防止効果が大きい。
【００３２】次に、図６を参照して本発明の帯電，反射
防止層の具体的な形成方法を説明する。図６は本発明の
帯電，反射防止層の組成と形成方法および特性の各種具
体例の説明図である。まず、清浄化した表示装置の画面
を構成する基体表面に同図に示した組成の混合液を塗布
する。
防止層の具体的な形成方法を説明する。図６は本発明の
帯電，反射防止層の組成と形成方法および特性の各種具
体例の説明図である。まず、清浄化した表示装置の画面
を構成する基体表面に同図に示した組成の混合液を塗布
する。
【００３３】同図の例では、混合液の塗布を２回ディッ
プで行ったが、スピンコート法でも同様であり、また塗
布回数も１回〜数回でよい。なお、スピンコート法で塗
布する場合は、塗布液の濃度を少し希釈した方がよい結
果が得られる。所定の塗布作業を終了後、基体を変形損
傷させない温度範囲で焼成する。図６には、塗布条件，
焼成完成品の各種特性も示してある。
プで行ったが、スピンコート法でも同様であり、また塗
布回数も１回〜数回でよい。なお、スピンコート法で塗
布する場合は、塗布液の濃度を少し希釈した方がよい結
果が得られる。所定の塗布作業を終了後、基体を変形損
傷させない温度範囲で焼成する。図６には、塗布条件，
焼成完成品の各種特性も示してある。
【００３４】また、同図では、各層の屈折率や膜厚の制
御は、超微粒子の材質，塗布液組成，塗布速度，環装速
度、等を変えて行った結果を示す。同図に参考例として
示したＮｏ．１は従来例を示す。この参考例でも帯電防
止特性や反射防止特性は満足される実用値を示すが、汚
れや指紋が付着し易く、かつその除去性は難しい。すな
わち、この参考例は、前記図８に示した表面状態にあ
り、表面の凹凸の隙間部分に汚れや指紋が付着し易く、
呼気による布拭きでは付着した汚れや指紋を除去できな
い。また、頑固な汚れはメタノール等の溶剤でも除去し
きれない。
御は、超微粒子の材質，塗布液組成，塗布速度，環装速
度、等を変えて行った結果を示す。同図に参考例として
示したＮｏ．１は従来例を示す。この参考例でも帯電防
止特性や反射防止特性は満足される実用値を示すが、汚
れや指紋が付着し易く、かつその除去性は難しい。すな
わち、この参考例は、前記図８に示した表面状態にあ
り、表面の凹凸の隙間部分に汚れや指紋が付着し易く、
呼気による布拭きでは付着した汚れや指紋を除去できな
い。また、頑固な汚れはメタノール等の溶剤でも除去し
きれない。
【００３５】これに対し、Ｎｏ．２〜Ｎｏ．６では、表
面が前記図２〜図５に示した状態となり、超微粒子間の
隙間が詰まった滑らかな状態になるため、汚れや指紋が
トラップされ難く、かつ、たとえ付着し残留しても、そ
の除去は容易である。すなわち、呼気を吹きかけて布で
擦ることで簡単に除去することができる。また、消しゴ
ムで擦ったとき、正反射率の増加は、前者が約２倍であ
るのに対して、後者は１．１倍以下である。
面が前記図２〜図５に示した状態となり、超微粒子間の
隙間が詰まった滑らかな状態になるため、汚れや指紋が
トラップされ難く、かつ、たとえ付着し残留しても、そ
の除去は容易である。すなわち、呼気を吹きかけて布で
擦ることで簡単に除去することができる。また、消しゴ
ムで擦ったとき、正反射率の増加は、前者が約２倍であ
るのに対して、後者は１．１倍以下である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、反射防止効果に優
れ、汚れや指紋の付着が少なく、かつ、クリーニングし
易い表示画面を有する表示装置を提供できる。特に、本
発明を適用した陰極線管は、多層コーティングと同じ原
理の光干渉を利用した反射防止層であるために高解像度
性を有し、かつ、画面状態が黒く沈むために高コントラ
ストであり、製造コストも低く、そして帯電防止性を兼
ね備えた高性能の表示装置として優れたものとなる。
れ、汚れや指紋の付着が少なく、かつ、クリーニングし
易い表示画面を有する表示装置を提供できる。特に、本
発明を適用した陰極線管は、多層コーティングと同じ原
理の光干渉を利用した反射防止層であるために高解像度
性を有し、かつ、画面状態が黒く沈むために高コントラ
ストであり、製造コストも低く、そして帯電防止性を兼
ね備えた高性能の表示装置として優れたものとなる。
【００３７】本発明は、実施例で説明したカラー陰極線
管に限らず、各種液晶表示装置，投写型陰極線管、その
他の帯電および反射防止を必要とする表示装置に適用し
て優れた機能を発揮できる。
管に限らず、各種液晶表示装置，投写型陰極線管、その
他の帯電および反射防止を必要とする表示装置に適用し
て優れた機能を発揮できる。
【図１】本発明による表示装置をカラー陰極線管に適用
した実施例を説明するための当該カラー陰極線管の構造
を示す部分断面模式図である。
した実施例を説明するための当該カラー陰極線管の構造
を示す部分断面模式図である。
【図２】本発明の第１実施例を説明する図１の矢印Ａ部
分の拡大断面図である。
分の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を説明する図１の矢印Ａ部
分の拡大断面図である。
分の拡大断面図である。
【図４】本発明による表示装置の帯電防止および反射防
止層の他の表面状態を説明する部分断面である。
止層の他の表面状態を説明する部分断面である。
【図５】本発明による表示装置の帯電防止および反射防
止層の他の表面状態を説明する他の部分断面である。
止層の他の表面状態を説明する他の部分断面である。
【図６】本発明の帯電，反射防止層の組成と形成方法お
よび特性の各種具体例の説明図である。
よび特性の各種具体例の説明図である。
【図７】従来技術による表示装置の反射防止膜の構造と
作用を説明する要部断面図である。
作用を説明する要部断面図である。
【図８】従来技術による表示装置の帯電防止性を併せも
持つ射防止膜の構造と作用を説明する要部断面図であ
る。
持つ射防止膜の構造と作用を説明する要部断面図であ
る。
１ パネル ２ ファンネル ３ ネック ４ 電子銃 ５ シャドウマスク ６ 蛍光面 ７ 偏向ヨーク ８ 帯電防止および反射防止層 ９ 防爆バンド １２ 低屈折率のマトリクス層 １３ 第１超微粒子 １４ 第２超微粒子 １３ａ 高屈折率の第２層 １４ａ 第２層よりさらに高屈折率の第１層。
フロントページの続き (72)発明者 河村 孝男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 遠藤 喜重 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】表示装置の画面を構成する基板の表面上
に、ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 およびこれらの混合物の中から選択した少なくと
も１種の第１超微粒子からなる第１層と、この超微粒子
層からなる第１層の上層に上記超微粒子より大きな粒子
径を持つＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2 およびこれらの混合物の中から選択した
少なくとも１種の第２超微粒子からなる第２層と、上記
第２層を構成する第２超微粒子間の隙間および／または
上記第１層を構成する第１超微粒子間と上記第１層を構
成する第２超微粒子間の隙間を埋めるようにＳｉＯ2 ，
ＭｎＦ2 の少なくとも一方かならるマトリクス層とを備
えた帯電防止および反射防止膜を有することを特徴とす
る表示装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記第１超微粒子およ
び第２超微粒子が、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 の中
から選択した少なくとも１種からなるマトリクス層によ
り固定してなる帯電防止および反射防止膜を有すること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記第２層の
空気層との界面より僅かに内側に入った部分での屈折率
をｎ1 、第２層を構成する第２超微粒子の相互接触面よ
り僅かに上記空気層側に寄った部分の屈折率をｎ2 、前
記導電層部分の屈折率をｎ3としたとき ｎ1 ＜ｎ2 ＜ｎ3 である帯電防止および反射防止膜を有することを特徴と
する表示装置。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記マト
リクス層の最外表面が滑らかに連続する凹凸を有する帯
電防止および反射防止膜を有することを特徴とする表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035505A JPH06251728A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035505A JPH06251728A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251728A true JPH06251728A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12443622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5035505A Pending JPH06251728A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009107874A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 住友化学株式会社 | 積層体の製造方法 |
| JPWO2012086560A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-05-22 | 宇部エクシモ株式会社 | 反射防止材料 |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP5035505A patent/JPH06251728A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009107874A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 住友化学株式会社 | 積層体の製造方法 |
| JPWO2012086560A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-05-22 | 宇部エクシモ株式会社 | 反射防止材料 |
| JP5913133B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2016-04-27 | 宇部エクシモ株式会社 | 反射防止材料 |
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