JPH06325702A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
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- JPH06325702A JPH06325702A JP5113054A JP11305493A JPH06325702A JP H06325702 A JPH06325702 A JP H06325702A JP 5113054 A JP5113054 A JP 5113054A JP 11305493 A JP11305493 A JP 11305493A JP H06325702 A JPH06325702 A JP H06325702A
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射防止に伴う解像度やコトラストの低下を
抑制すると共に、帯電防止機能も併せ持つスクリーン基
板構造を備えた表示装置を提供する。 【構成】 スクリーンを構成する基板の表面上にSnO2，
Sb2O3 ，In2 O3の少なくとも１種を成分とする超微粒子
をエチルシリケートの分解により生成したSiO2バインダ
ーで固定してなる第１層と、SiO2，MgF2の少なくとも１
種を成分とする超微粒子をエチルシリケートの分解によ
り生成したSiO2バインダーで固定してなる第２層とから
なる帯電防止および反射防止膜を形成した。 【効果】 各層の光の干渉による反射率低減と、超微粒
子の表面形状効果による屈折率連続変化の反射率低減の
両原理による低反射性と、第１層による帯電防止性の両
機能が得られる。
抑制すると共に、帯電防止機能も併せ持つスクリーン基
板構造を備えた表示装置を提供する。 【構成】 スクリーンを構成する基板の表面上にSnO2，
Sb2O3 ，In2 O3の少なくとも１種を成分とする超微粒子
をエチルシリケートの分解により生成したSiO2バインダ
ーで固定してなる第１層と、SiO2，MgF2の少なくとも１
種を成分とする超微粒子をエチルシリケートの分解によ
り生成したSiO2バインダーで固定してなる第２層とから
なる帯電防止および反射防止膜を形成した。 【効果】 各層の光の干渉による反射率低減と、超微粒
子の表面形状効果による屈折率連続変化の反射率低減の
両原理による低反射性と、第１層による帯電防止性の両
機能が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示装置に係り、特に
陰極線管，液晶表示装置，その他の表示装置のスクリー
ンを構成する基板の帯電防止と反射防止の機能を備えた
構造を有する表示装置に関する。
陰極線管，液晶表示装置，その他の表示装置のスクリー
ンを構成する基板の帯電防止と反射防止の機能を備えた
構造を有する表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管や液晶表示装置等の表面光沢性
を有するスクリーンの基板に外光が反射することによっ
て、その上に形成される再生画質が劣化するのを防止す
るために、従来から各種の反射防止膜を当該基板に施す
ことが行われている。その代表的なものとして、基板面
にセラミックを多層コートし、このセラミックコート層
による光の干渉を利用して反射率を小さくする方法が知
られている（例えば、特公昭４９−１５５０３号公
報）。
を有するスクリーンの基板に外光が反射することによっ
て、その上に形成される再生画質が劣化するのを防止す
るために、従来から各種の反射防止膜を当該基板に施す
ことが行われている。その代表的なものとして、基板面
にセラミックを多層コートし、このセラミックコート層
による光の干渉を利用して反射率を小さくする方法が知
られている（例えば、特公昭４９−１５５０３号公
報）。
【０００３】この方法は、コートしたセラミック層の凹
凸が殆どない平滑面であるために、表示画像に歪みが生
ぜず、超高精細のカラーディスプレイ管などのスクリー
ン画面の反射防止に適しているが、セラミックコート層
の形成コストが高いために、高級機種に限定して適用さ
れている。そのため、一般の汎用機種については、シリ
カのスプレーコーティングやサンドブラストにより表面
に凹凸を形成して光を拡散反射させ、反射像の輪郭をぼ
かした，所謂ノングレア方式の反射防止膜が広く適用さ
れている。
凸が殆どない平滑面であるために、表示画像に歪みが生
ぜず、超高精細のカラーディスプレイ管などのスクリー
ン画面の反射防止に適しているが、セラミックコート層
の形成コストが高いために、高級機種に限定して適用さ
れている。そのため、一般の汎用機種については、シリ
カのスプレーコーティングやサンドブラストにより表面
に凹凸を形成して光を拡散反射させ、反射像の輪郭をぼ
かした，所謂ノングレア方式の反射防止膜が広く適用さ
れている。
【０００４】また、上記した光の干渉を利用した反射防
止機能と、光の拡散反射を利用して反射像の輪郭をぼか
した反射防止機能の両方の性質を備える方式も提案され
ている（テレビジョン学会技術報告 Vol.16，No.83 ，
１９９２年１２月）。上記の方式は、スクリーンを構成
する基板表面に付与される最表面シリカコート層を薄く
して反射率の低減を図ると共に、解像度やコントラスト
が低下するのを防止するものである。
止機能と、光の拡散反射を利用して反射像の輪郭をぼか
した反射防止機能の両方の性質を備える方式も提案され
ている（テレビジョン学会技術報告 Vol.16，No.83 ，
１９９２年１２月）。上記の方式は、スクリーンを構成
する基板表面に付与される最表面シリカコート層を薄く
して反射率の低減を図ると共に、解像度やコントラスト
が低下するのを防止するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術におい
て、上記ノングレア方式の反射防止膜は、反射像の輪郭
をぼかすと同時に、表示される画像もぼかしてしまい、
解像度を低下させてしまうという欠点を有する。また、
拡散光も強く、スクリーン全体が白っぽくなってコント
ラストを低下させてしまうという問題もある。そのた
め、上記の方式は高精細度カラーディスプレィ管等の表
示装置には適用できない。
て、上記ノングレア方式の反射防止膜は、反射像の輪郭
をぼかすと同時に、表示される画像もぼかしてしまい、
解像度を低下させてしまうという欠点を有する。また、
拡散光も強く、スクリーン全体が白っぽくなってコント
ラストを低下させてしまうという問題もある。そのた
め、上記の方式は高精細度カラーディスプレィ管等の表
示装置には適用できない。
【０００６】また、上記したスクリーン基板にセラミッ
クを多層コートする従来技術においては、多層蒸着装置
などの大規模設備を必要とし、プロセスも複雑となって
低コストで高性能の反射表示機能を備えた表示装置を提
供することが困難であるという問題があった。本発明の
目的は、上記従来技術の諸問題を解消し、多層蒸着法に
必要とする大規模な製造装置と複雑な製造プロセスを必
要とせず、また、ノングレア方式のように、反射防止に
伴う解像度やコトラストの低下を抑制できると共に、帯
電防止機能も併せもつスクリーン基板構造を備えた表示
装置を提供することにある。
クを多層コートする従来技術においては、多層蒸着装置
などの大規模設備を必要とし、プロセスも複雑となって
低コストで高性能の反射表示機能を備えた表示装置を提
供することが困難であるという問題があった。本発明の
目的は、上記従来技術の諸問題を解消し、多層蒸着法に
必要とする大規模な製造装置と複雑な製造プロセスを必
要とせず、また、ノングレア方式のように、反射防止に
伴う解像度やコトラストの低下を抑制できると共に、帯
電防止機能も併せもつスクリーン基板構造を備えた表示
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、表示装置のスクリーンを構成する基板の
表面上にＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 の中から選
択した少なくとも１種を成分とする超微粒子をエチルシ
リケートの分解により生成したＳｉＯ2 バインダーで固
定してなる第１層と、前記第１層上にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ
2 の中から選択した少なくとも１種を成分とする超微粒
子をエチルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2 バ
インダーで固定してなる第２層とからなる帯電防止およ
び反射防止膜を形成したことを特徴とする。
に、本発明は、表示装置のスクリーンを構成する基板の
表面上にＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 の中から選
択した少なくとも１種を成分とする超微粒子をエチルシ
リケートの分解により生成したＳｉＯ2 バインダーで固
定してなる第１層と、前記第１層上にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ
2 の中から選択した少なくとも１種を成分とする超微粒
子をエチルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2 バ
インダーで固定してなる第２層とからなる帯電防止およ
び反射防止膜を形成したことを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、表示装置のスクリーンを
構成する基板の表面上にＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2
Ｏ3 の中から選択した少なくとも１種を成分とする超微
粒子をエチルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2
バインダーで固定してなる第１層と、前記第１層上にＳ
ｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の中から選択した少なくとも１種を成
分とする超微粒子をエチルシリケートの分解により生成
したＳｉＯ2 バインダーで固定してなる第２層と、前記
第１層と第２層の間に形成した空気を含む中間層からな
る帯電防止機能を有する反射防止膜を形成したことを特
徴とする。
構成する基板の表面上にＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2
Ｏ3 の中から選択した少なくとも１種を成分とする超微
粒子をエチルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2
バインダーで固定してなる第１層と、前記第１層上にＳ
ｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の中から選択した少なくとも１種を成
分とする超微粒子をエチルシリケートの分解により生成
したＳｉＯ2 バインダーで固定してなる第２層と、前記
第１層と第２層の間に形成した空気を含む中間層からな
る帯電防止機能を有する反射防止膜を形成したことを特
徴とする。
【０００９】なお、上記構成において、第１層に含まれ
る超微粒子の大きさは５０ｎｍ以下とし、上記第２層に
含まれる超微粒子微粒子の多くさは２００ｎｍ以下とし
たことを特徴とする。さらに、上記第１層に含まれる超
微粒子の大きさは５０ｎｍ以下とし、上記第２層に含ま
れる超微粒子微粒子の多くさは２００ｎｍ以下とした上
記構成において、第１層の平均屈折率をｎ3 ，その膜厚
をｄ3 、第２層の平均屈折率をｎ1 ，その膜厚をｄ1 と
し、または第１層の平均屈折率をｎ3 ，その膜厚を
ｄ3 、第２層の平均屈折率をｎ1 ，その膜厚をｄ1 、中
間層のシリカ層の平均屈折率をｎ2，その膜厚をｄ2 、
空気を含む中間層の平均屈折率をｎ4 ，その膜厚をｄ4
としたとき、 ｎ1 ｄ1 ，ｎ2 ｄ2 ，ｎ3 ｄ3 ，ｎ4 ｄ4 ＝１／３２λ
〜λ の関係としたことを特徴とする。
る超微粒子の大きさは５０ｎｍ以下とし、上記第２層に
含まれる超微粒子微粒子の多くさは２００ｎｍ以下とし
たことを特徴とする。さらに、上記第１層に含まれる超
微粒子の大きさは５０ｎｍ以下とし、上記第２層に含ま
れる超微粒子微粒子の多くさは２００ｎｍ以下とした上
記構成において、第１層の平均屈折率をｎ3 ，その膜厚
をｄ3 、第２層の平均屈折率をｎ1 ，その膜厚をｄ1 と
し、または第１層の平均屈折率をｎ3 ，その膜厚を
ｄ3 、第２層の平均屈折率をｎ1 ，その膜厚をｄ1 、中
間層のシリカ層の平均屈折率をｎ2，その膜厚をｄ2 、
空気を含む中間層の平均屈折率をｎ4 ，その膜厚をｄ4
としたとき、 ｎ1 ｄ1 ，ｎ2 ｄ2 ，ｎ3 ｄ3 ，ｎ4 ｄ4 ＝１／３２λ
〜λ の関係としたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記本発明の構成において、第１層が高屈折率
の導電層であり、第２層が低屈折率の超微粒子である。
これらの各層の光の干渉による反射率低減と、超微粒子
の表面形状効果による屈折率連続変化の反射率低減の両
原理による低反射性と、第１層による帯電防止性の両機
能が得られる。
の導電層であり、第２層が低屈折率の超微粒子である。
これらの各層の光の干渉による反射率低減と、超微粒子
の表面形状効果による屈折率連続変化の反射率低減の両
原理による低反射性と、第１層による帯電防止性の両機
能が得られる。
【００１１】また、上記第１層と第２層の間に、空気を
含む中間層を設けることにより、さらに反射防止効果が
向上する。上記反射防止膜を形成した本発明による表示
装置は、当該反射防止膜を構成する各層の屈折率と厚み
をコントロールして、光の干渉による反射率の低減と、
最表面の規則正しい超微粒子の配列によるスクリーン基
板の内部方向への屈折率連続変化を利用した反射率の低
減の両原理を応用した優れた低反射性を呈する。
含む中間層を設けることにより、さらに反射防止効果が
向上する。上記反射防止膜を形成した本発明による表示
装置は、当該反射防止膜を構成する各層の屈折率と厚み
をコントロールして、光の干渉による反射率の低減と、
最表面の規則正しい超微粒子の配列によるスクリーン基
板の内部方向への屈折率連続変化を利用した反射率の低
減の両原理を応用した優れた低反射性を呈する。
【００１２】さらに、上記反射防止膜は、その下地層で
ある第１層は高屈折率であると共に、導電性を有するＳ
ｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 を成分とする超微粒子
を用いているため、陰極線管などの表示装置に適用する
場合に必要とされる帯電防止機能を併せもつ。そして、
上地層である第２層の最表面の凹凸は１００ｎｍ（超微
粒子の粒径の半分）以下であり、拡散反射はほとんど気
にならない。スプレーコート法により形成した従来の反
射膜は、スプレー粒子を小さく絞っても、当該粒子が重
なり合って大きな凹凸ができて拡散反射が残り、白く曇
ることがあるのに対して、本発明による反射防止膜には
上記のような不具合は生じない。
ある第１層は高屈折率であると共に、導電性を有するＳ
ｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 を成分とする超微粒子
を用いているため、陰極線管などの表示装置に適用する
場合に必要とされる帯電防止機能を併せもつ。そして、
上地層である第２層の最表面の凹凸は１００ｎｍ（超微
粒子の粒径の半分）以下であり、拡散反射はほとんど気
にならない。スプレーコート法により形成した従来の反
射膜は、スプレー粒子を小さく絞っても、当該粒子が重
なり合って大きな凹凸ができて拡散反射が残り、白く曇
ることがあるのに対して、本発明による反射防止膜には
上記のような不具合は生じない。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。図１は本発明による表示装置の第１
実施例の構成を説明する要部断面図であって、１０はス
クリーンを構成する基板、１１はバインダを含む高屈折
率の第１層、１２は低屈折率の第２層、１３はＳｉＯ2
粒子を含むバインダ層である。
て詳細に説明する。図１は本発明による表示装置の第１
実施例の構成を説明する要部断面図であって、１０はス
クリーンを構成する基板、１１はバインダを含む高屈折
率の第１層、１２は低屈折率の第２層、１３はＳｉＯ2
粒子を含むバインダ層である。
【００１４】同図において、第１層１１として、表示装
置のスクリーンを構成する基板１０の表面上にＳｎＯ2
を成分とする平均粒径が５０ｎｍ以下の超微粒子をエチ
ルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2 バインダー
で固定する。この第１層１１上にＳｉＯ2 を成分とする
平均粒径が２００ｎｍ以下の超微粒子をエチルシリケー
トの分解により生成したＳｉＯ2 バインダーで固定して
第２層１２を形成する。
置のスクリーンを構成する基板１０の表面上にＳｎＯ2
を成分とする平均粒径が５０ｎｍ以下の超微粒子をエチ
ルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2 バインダー
で固定する。この第１層１１上にＳｉＯ2 を成分とする
平均粒径が２００ｎｍ以下の超微粒子をエチルシリケー
トの分解により生成したＳｉＯ2 バインダーで固定して
第２層１２を形成する。
【００１５】第１層１１は導電性を有し、基板表面に静
電荷は帯電するのを防止する機能を有し、第２層１２と
共に反射防止膜を形成する。ここで、第１層１１の平均
屈折率ｎ3 はＳｎ０2 の屈折率に相当するｎsn、第２層
１２の屈折率ｎ1はＳｉ０2 の空気側の屈折率ｎ11とバ
インダ側の屈折率ｎ12の平均値（ｎ11＋ｎ12）／２、Ｓ
ｉＯ2 粒子を含むバインダ層１３の屈折率ｎ2はＳｉ０
2 の屈折率に相当するｎsiとなる。
電荷は帯電するのを防止する機能を有し、第２層１２と
共に反射防止膜を形成する。ここで、第１層１１の平均
屈折率ｎ3 はＳｎ０2 の屈折率に相当するｎsn、第２層
１２の屈折率ｎ1はＳｉ０2 の空気側の屈折率ｎ11とバ
インダ側の屈折率ｎ12の平均値（ｎ11＋ｎ12）／２、Ｓ
ｉＯ2 粒子を含むバインダ層１３の屈折率ｎ2はＳｉ０
2 の屈折率に相当するｎsiとなる。
【００１６】この構成で、反射率が最小となる組合せ条
件は、第１層１１の膜厚をｄ3 ，バインダ層の膜厚をｄ
2 ，第２層の膜厚をｄ1 、空気の屈折率をｎ0 ，基板１
０の屈折率をｎgとしたとき、下記のようになる。 １．位相条件： ｎsn・ｄ3 ＝ｎsi・ｄ2 ＝｛（ｎ11＋ｎ12）／２｝・ｄ1 ＝λ0 ／４ ・・・・（１） ２．振幅条件： ｎsi・√ｎg ＝ｎsn・（ｎ11＋ｎ12）／２ ・・・・（２） ｎsi＝ｎ11・ｎ12 ・・・・（３） ｎで代表される屈折率は、微粒子やバインダ、その他の
構成材の材質で決り、またそれらの混合層の堆積比率に
よって決まる。また、ｄで代表される各層の膜厚は塗布
液の組成や膜形成のプロセス条件によって決まる。
件は、第１層１１の膜厚をｄ3 ，バインダ層の膜厚をｄ
2 ，第２層の膜厚をｄ1 、空気の屈折率をｎ0 ，基板１
０の屈折率をｎgとしたとき、下記のようになる。 １．位相条件： ｎsn・ｄ3 ＝ｎsi・ｄ2 ＝｛（ｎ11＋ｎ12）／２｝・ｄ1 ＝λ0 ／４ ・・・・（１） ２．振幅条件： ｎsi・√ｎg ＝ｎsn・（ｎ11＋ｎ12）／２ ・・・・（２） ｎsi＝ｎ11・ｎ12 ・・・・（３） ｎで代表される屈折率は、微粒子やバインダ、その他の
構成材の材質で決り、またそれらの混合層の堆積比率に
よって決まる。また、ｄで代表される各層の膜厚は塗布
液の組成や膜形成のプロセス条件によって決まる。
【００１７】各層の平均屈折率をｎで代表し、各層の平
均膜厚をｄで代表して示すと、狙いとする反射光の中心
波長をλとしたとき、 ｎ・ｄ＝１／３２λ〜λ とする。上記のように構成した本実施例によれば、各層
の光の干渉による反射率低減と、超微粒子の表面形状効
果による屈折率連続変化の反射率低減の両原理による低
反射性、および第１層による帯電防止性の両機能を兼ね
備えたスクリーンを得ることができる。
均膜厚をｄで代表して示すと、狙いとする反射光の中心
波長をλとしたとき、 ｎ・ｄ＝１／３２λ〜λ とする。上記のように構成した本実施例によれば、各層
の光の干渉による反射率低減と、超微粒子の表面形状効
果による屈折率連続変化の反射率低減の両原理による低
反射性、および第１層による帯電防止性の両機能を兼ね
備えたスクリーンを得ることができる。
【００１８】図２は本発明による表示装置の第２実施例
の構成を説明する要部断面図であって、１０はスクリー
ンを構成する基板、１１はバインダを含む高屈折率の第
１層、１２は低屈折率の第２層、１３はＳｉＯ2 粒子を
含むバインダ層、１４は空気層を含む中間層である。同
図において、第１層１１として、前記第１実施例と同様
に、表示装置のスクリーンを構成する基板１０の表面上
にＳｎＯ2 を成分とする平均粒径が５０ｎｍ以下の超微
粒子をエチルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2
バインダーで固定する。
の構成を説明する要部断面図であって、１０はスクリー
ンを構成する基板、１１はバインダを含む高屈折率の第
１層、１２は低屈折率の第２層、１３はＳｉＯ2 粒子を
含むバインダ層、１４は空気層を含む中間層である。同
図において、第１層１１として、前記第１実施例と同様
に、表示装置のスクリーンを構成する基板１０の表面上
にＳｎＯ2 を成分とする平均粒径が５０ｎｍ以下の超微
粒子をエチルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2
バインダーで固定する。
【００１９】この第１層１１上に低屈折率の超微粒子と
高屈折率の導電性超微粒子及び空気を含む中間層を低屈
折率のバインダ層で形成した中間層１４と、ＳｉＯ2 を
成分とする平均粒径が２００ｎｍ以下の超微粒子をエチ
ルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2 バインダー
で固定して第２層１２を形成する。第１層１１は導電性
を有し、基板表面に静電荷は帯電するのを防止する機能
を有し、第２層１２と共に反射防止膜を形成する。
高屈折率の導電性超微粒子及び空気を含む中間層を低屈
折率のバインダ層で形成した中間層１４と、ＳｉＯ2 を
成分とする平均粒径が２００ｎｍ以下の超微粒子をエチ
ルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2 バインダー
で固定して第２層１２を形成する。第１層１１は導電性
を有し、基板表面に静電荷は帯電するのを防止する機能
を有し、第２層１２と共に反射防止膜を形成する。
【００２０】ここで、第１層１１の平均屈折率ｎ3 はＳ
ｎ０2 の屈折率に相当するｎsn、第２層１２の屈折率ｎ
1はＳｉ０2 の空気側の屈折率ｎ11とバインダ側の屈折
率ｎ12の平均値（ｎ11＋ｎ12）／２、バインダ層１３の
屈折率ｎ2 はＳｉ０2 の屈折率に相当するｎsi、中間層
１４の屈折率ｎ4 は下層の第１層１１を構成する高屈折
率の導電性超微粒子，ＳｉＯ2 粒子を含むバインダ層１
３を構成する低屈折率の超微粒子および低屈折率のバイ
ンダに空気層を含むｎ0 ’となる。
ｎ０2 の屈折率に相当するｎsn、第２層１２の屈折率ｎ
1はＳｉ０2 の空気側の屈折率ｎ11とバインダ側の屈折
率ｎ12の平均値（ｎ11＋ｎ12）／２、バインダ層１３の
屈折率ｎ2 はＳｉ０2 の屈折率に相当するｎsi、中間層
１４の屈折率ｎ4 は下層の第１層１１を構成する高屈折
率の導電性超微粒子，ＳｉＯ2 粒子を含むバインダ層１
３を構成する低屈折率の超微粒子および低屈折率のバイ
ンダに空気層を含むｎ0 ’となる。
【００２１】この構成で、反射率が最小となる組合せ条
件は、第１層１１の膜厚をｄ3 ，ＳｉＯ2 粒子を含むバ
インダ層１３の膜厚をｄ2 ，第２層の膜厚をｄ1 、空気
の屈折率をｎ0 ，基板１０の屈折率をｎg，中間層１４
の膜厚をｄ4 としたとき、下記のようになる。 １．位相条件： ｎsn・ｄ3 ＝ｎ0 ’・ｄ4 ＝ｎsi・ｄ2 ＝｛（ｎ11＋ｎ12）／２｝・ｄ1 ＝λ0 ／４ ・・・・（１’） ２．振幅条件： ｎsi・√ｎg ＝｛（ｎ11＋ｎ12）／２｝・｛（ｎ0 ’＋ｎsn）／２｝ ・・・・（２’） ｎsi＝ｎ11・ｎ12 ・・・・（３’） 前記実施例と同様に、ｎで代表される屈折率は、微粒子
やバインダ、その他の構成材の材質で決り、またそれら
の混合層の体積比率によって決まる。また、ｄで代表さ
れる各層の膜厚は塗布液の組成や膜形成のプロセス条件
によって決まる。
件は、第１層１１の膜厚をｄ3 ，ＳｉＯ2 粒子を含むバ
インダ層１３の膜厚をｄ2 ，第２層の膜厚をｄ1 、空気
の屈折率をｎ0 ，基板１０の屈折率をｎg，中間層１４
の膜厚をｄ4 としたとき、下記のようになる。 １．位相条件： ｎsn・ｄ3 ＝ｎ0 ’・ｄ4 ＝ｎsi・ｄ2 ＝｛（ｎ11＋ｎ12）／２｝・ｄ1 ＝λ0 ／４ ・・・・（１’） ２．振幅条件： ｎsi・√ｎg ＝｛（ｎ11＋ｎ12）／２｝・｛（ｎ0 ’＋ｎsn）／２｝ ・・・・（２’） ｎsi＝ｎ11・ｎ12 ・・・・（３’） 前記実施例と同様に、ｎで代表される屈折率は、微粒子
やバインダ、その他の構成材の材質で決り、またそれら
の混合層の体積比率によって決まる。また、ｄで代表さ
れる各層の膜厚は塗布液の組成や膜形成のプロセス条件
によって決まる。
【００２２】各層の平均屈折率をｎで代表し、各層の平
均膜厚をｄで代表して示すと、狙いとする反射光の中心
波長をλとしたとき、 ｎ・ｄ＝１／３２λ〜λ とすることも前記実施例と同様である。上記のように構
成した本実施例によれば、各層の光の干渉による反射率
低減と、超微粒子の表面形状効果による屈折率連続変化
の反射率低減の両原理による低反射性、および第１層に
よる帯電防止性の両機能に加えて、空気層を含む中間層
を介在させたことにより、反射率が最小となる理想の条
件に近づき、さらに反射率の小さな膜が得られる。
均膜厚をｄで代表して示すと、狙いとする反射光の中心
波長をλとしたとき、 ｎ・ｄ＝１／３２λ〜λ とすることも前記実施例と同様である。上記のように構
成した本実施例によれば、各層の光の干渉による反射率
低減と、超微粒子の表面形状効果による屈折率連続変化
の反射率低減の両原理による低反射性、および第１層に
よる帯電防止性の両機能に加えて、空気層を含む中間層
を介在させたことにより、反射率が最小となる理想の条
件に近づき、さらに反射率の小さな膜が得られる。
【００２３】なお、上記各実施例では、第１層にＳｎＯ
2 を用い、第２層にＳｉＯ2 を用いたが、第１層にＳｂ
Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 を、第２層にＭｇＦ2 を、またこれら
とＳｎＯ2 、ＳｉＯ2 を混合したものをのそれぞれ用い
ても同様の機能を得ることができる。上記各実施例にお
いて、第１層をＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 の少
なくとも１種の５０ｎｍ以下の超微粒子で構成したこと
の理由は、これらの成分の屈折率が大きく、反射防止条
件を満たすために最適であることと、導電性を有してい
ることである。
2 を用い、第２層にＳｉＯ2 を用いたが、第１層にＳｂ
Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 を、第２層にＭｇＦ2 を、またこれら
とＳｎＯ2 、ＳｉＯ2 を混合したものをのそれぞれ用い
ても同様の機能を得ることができる。上記各実施例にお
いて、第１層をＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 の少
なくとも１種の５０ｎｍ以下の超微粒子で構成したこと
の理由は、これらの成分の屈折率が大きく、反射防止条
件を満たすために最適であることと、導電性を有してい
ることである。
【００２４】第１層の超微粒子の粒径を５０ｎｍ以下と
した理由は、粒径が５０ｎｍを越えると拡散反射が生じ
て、反射防止膜が白くなってしまうからである。一方、
第２層の超微粒子の粒径を２００ｎｍ以下としたことの
理由は、これらの成分の屈折率が小さく、反射防止条件
を満たすために最適であることと共に、粒径が２００ｎ
ｍを越えると拡散反射が発生して反射防止膜が白くな
り、解像度やコントラストを低下させてしまうからであ
る。
した理由は、粒径が５０ｎｍを越えると拡散反射が生じ
て、反射防止膜が白くなってしまうからである。一方、
第２層の超微粒子の粒径を２００ｎｍ以下としたことの
理由は、これらの成分の屈折率が小さく、反射防止条件
を満たすために最適であることと共に、粒径が２００ｎ
ｍを越えると拡散反射が発生して反射防止膜が白くな
り、解像度やコントラストを低下させてしまうからであ
る。
【００２５】また、前記したように、狙いとする反射光
の中心波長をλとしたとき、ｎ・ｄ＝１／３２λ〜λの
関係において、各層のｎｄが１／３２より小さい場合
は、光の干渉作用を示さなくなり、反射率の低減効果が
なくなる。そして、ｎｄがλ以上になると、膜厚が大き
くなって拡散反射が発生して反射防止膜が白くなり、解
像度やコントラストが低下してしまう。
の中心波長をλとしたとき、ｎ・ｄ＝１／３２λ〜λの
関係において、各層のｎｄが１／３２より小さい場合
は、光の干渉作用を示さなくなり、反射率の低減効果が
なくなる。そして、ｎｄがλ以上になると、膜厚が大き
くなって拡散反射が発生して反射防止膜が白くなり、解
像度やコントラストが低下してしまう。
【００２６】次に、上記反射防止膜の構成成分と形成方
法およびその特性について説明する。図３は反射防止膜
の構成成分の具体例と形成方法およびその特性の説明図
である。まず、反射防止膜を形成するスクリーン基板の
表面を、所定の方法によって清浄にする。
法およびその特性について説明する。図３は反射防止膜
の構成成分の具体例と形成方法およびその特性の説明図
である。まず、反射防止膜を形成するスクリーン基板の
表面を、所定の方法によって清浄にする。
【００２７】この基板上に図３に示した組成の溶液を順
次塗布して第１層（下地層）と第２層（上地層）を形成
する。この溶液の塗布は２回ディップで行ったが、これ
に限らずスピンコートで行ってもよい。また、塗布回数
も２回に限らず１〜数回の適宜の回数でよい。スピンコ
ートの場合は、塗布液濃度を少し希釈した方がよい。所
定の塗布作業を終了後、基板が変形損傷しない温度範囲
で焼成を行う。同図には塗布条件、焼成完了品の各種特
性も同時に示す。
次塗布して第１層（下地層）と第２層（上地層）を形成
する。この溶液の塗布は２回ディップで行ったが、これ
に限らずスピンコートで行ってもよい。また、塗布回数
も２回に限らず１〜数回の適宜の回数でよい。スピンコ
ートの場合は、塗布液濃度を少し希釈した方がよい。所
定の塗布作業を終了後、基板が変形損傷しない温度範囲
で焼成を行う。同図には塗布条件、焼成完了品の各種特
性も同時に示す。
【００２８】そして、超微粒子の材質，液組成材質，塗
布速度，乾燥速度、その他の条件を変えて各層の反射
率、膜厚の制御を行った結果を示す。同図において、具
体例Ｎｏ．１は前記実施例１に相当する構成例であり、
各層のｎｄがλ／６．５〜λ／９の範囲にあり、振幅条
件の一致度が０．８８〜１．００にある場合で、反射率
は０．９％となり、無処理の場合の４．２％と比べて１
／４小さい。かつ、表面抵抗値も１×１０8 （Ω／ｓ
ｑ）と小さく、帯電防止機能を十分に果たすことのでき
る値である。
布速度，乾燥速度、その他の条件を変えて各層の反射
率、膜厚の制御を行った結果を示す。同図において、具
体例Ｎｏ．１は前記実施例１に相当する構成例であり、
各層のｎｄがλ／６．５〜λ／９の範囲にあり、振幅条
件の一致度が０．８８〜１．００にある場合で、反射率
は０．９％となり、無処理の場合の４．２％と比べて１
／４小さい。かつ、表面抵抗値も１×１０8 （Ω／ｓ
ｑ）と小さく、帯電防止機能を十分に果たすことのでき
る値である。
【００２９】具体例Ｎｏ．２は前記実施例２に相当する
構成例であり、各層のｎｄがλ／４〜λ／９の範囲にあ
り、振幅条件の一致度が１．００〜１．０８と更に近い
組合せの場合で、反射率は０．３％となり上記具体例１
のものよりさらに向上しており、かつ表面抵抗値も１×
１０8 （Ω／ｓｑ）と小さく、帯電防止機能を十分に果
たすことのできる値である。
構成例であり、各層のｎｄがλ／４〜λ／９の範囲にあ
り、振幅条件の一致度が１．００〜１．０８と更に近い
組合せの場合で、反射率は０．３％となり上記具体例１
のものよりさらに向上しており、かつ表面抵抗値も１×
１０8 （Ω／ｓｑ）と小さく、帯電防止機能を十分に果
たすことのできる値である。
【００３０】具体例Ｎｏ．３も前記実施例２に相当する
構成例であり、各層のｎｄがλ／４〜λ／９の範囲にあ
り、下地層（第１層）としてはＩｎ2 Ｏ3 ＋Ｓｎ０
2 を、上地層（第２層）としてはＳｉＯ2 にＭｇＦ2 を
加えたものをそれぞれ使用したものである。そして、振
幅条件の一致度は１．００〜１．０２と更に近い組合せ
の場合で、反射率は０．２％となり、上記具体例Ｎｏ．
１，Ｎｏ．２のものより反射率はさらに向上し、かつ表
面抵抗値も１×１０6 （Ω／ｓｑ）と更に小さく、帯電
防止機能と同時に電界漏洩防止に対しても効果がある。
構成例であり、各層のｎｄがλ／４〜λ／９の範囲にあ
り、下地層（第１層）としてはＩｎ2 Ｏ3 ＋Ｓｎ０
2 を、上地層（第２層）としてはＳｉＯ2 にＭｇＦ2 を
加えたものをそれぞれ使用したものである。そして、振
幅条件の一致度は１．００〜１．０２と更に近い組合せ
の場合で、反射率は０．２％となり、上記具体例Ｎｏ．
１，Ｎｏ．２のものより反射率はさらに向上し、かつ表
面抵抗値も１×１０6 （Ω／ｓｑ）と更に小さく、帯電
防止機能と同時に電界漏洩防止に対しても効果がある。
【００３１】上記した具体例Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎ
ｏ．３は共に、拡散反射率が０．２％で、スクリーンは
白っぽくなく、ブルー系の黒く沈んだ膜となる。一方、
参考例は本発明の範囲外の構成例であり、一部の層のｎ
ｄが１．１λとなる場合で、拡散反射率が１．５％と大
きく、反射防止膜が白くなり、解像度，コントラストが
低下し、実用上に問題がある。
ｏ．３は共に、拡散反射率が０．２％で、スクリーンは
白っぽくなく、ブルー系の黒く沈んだ膜となる。一方、
参考例は本発明の範囲外の構成例であり、一部の層のｎ
ｄが１．１λとなる場合で、拡散反射率が１．５％と大
きく、反射防止膜が白くなり、解像度，コントラストが
低下し、実用上に問題がある。
【００３２】図４は図３の具体例Ｎｏ．２と表面無処理
基板とシリカスプレーコートの正反射率と全反射率の分
光特性図であり、横軸に波長（ｎｍ）を、縦軸に反射率
（％）を示す。なお、拡散反射率は、全反射率−正反射
率で表される。同図において、ａは具体例Ｎｏ．２の基
板、ｂは表面無処理基板、ｃはシリカスプレーコート基
板の特性を、図中太線は全反射率を、細線は正反射率
を、また斜線は拡散反射率を示す。
基板とシリカスプレーコートの正反射率と全反射率の分
光特性図であり、横軸に波長（ｎｍ）を、縦軸に反射率
（％）を示す。なお、拡散反射率は、全反射率−正反射
率で表される。同図において、ａは具体例Ｎｏ．２の基
板、ｂは表面無処理基板、ｃはシリカスプレーコート基
板の特性を、図中太線は全反射率を、細線は正反射率
を、また斜線は拡散反射率を示す。
【００３３】具体例Ｎｏ．２は、ａの曲線に示されたよ
うに、従来のシリカスプレーコート基板（ｃ）に比べて
格段に反射防止特性が優れていることが分る。図５は本
発明をカラー陰極線管に適用した例を説明する部分断面
図であって、１はスクリーンであるパネル、２はファン
ネル、３はネック、４はネック３の部分に収納された電
子銃、５はシャドウマスク、６は蛍光面、７はファンネ
ルに装着された偏向ヨーク、８はパネルの外面に形成し
た反射防止層、９は防爆バンドである。
うに、従来のシリカスプレーコート基板（ｃ）に比べて
格段に反射防止特性が優れていることが分る。図５は本
発明をカラー陰極線管に適用した例を説明する部分断面
図であって、１はスクリーンであるパネル、２はファン
ネル、３はネック、４はネック３の部分に収納された電
子銃、５はシャドウマスク、６は蛍光面、７はファンネ
ルに装着された偏向ヨーク、８はパネルの外面に形成し
た反射防止層、９は防爆バンドである。
【００３４】なお、パネル１，ファンネル２およびネッ
ク３で陰極線管の外周器を構成し、Ｒ，Ｇ，Ｂは電子ビ
ームを示す。図示したように、スクリーンすなわち画面
を構成するパネル１の外面に前記した本発明による反射
防止層８が形成されている。これにより外光の反射を防
止して高コントラストの画像を再生できると共に、スク
リーンの帯電も防止される。
ク３で陰極線管の外周器を構成し、Ｒ，Ｇ，Ｂは電子ビ
ームを示す。図示したように、スクリーンすなわち画面
を構成するパネル１の外面に前記した本発明による反射
防止層８が形成されている。これにより外光の反射を防
止して高コントラストの画像を再生できると共に、スク
リーンの帯電も防止される。
【００３５】なお、本発明は、カラー陰極線管に限ら
ず、投射型陰極線管等の単色陰極線管、液晶表示装置、
その他の表示装置に適用できることは言うまでもない。
ず、投射型陰極線管等の単色陰極線管、液晶表示装置、
その他の表示装置に適用できることは言うまでもない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スクリーンの反射防止効果および帯電防止効果に優れた
表示装置を構成できる。特に、本発明を適用した陰極線
管は、多層コーティングしたスクリーン基板と同じ原理
の光干渉を利用した反射防止膜であるために、高解像度
性を有し、かつスクリーンが黒く沈むため高コントラス
トであり、優れた表示特性を持つ。
スクリーンの反射防止効果および帯電防止効果に優れた
表示装置を構成できる。特に、本発明を適用した陰極線
管は、多層コーティングしたスクリーン基板と同じ原理
の光干渉を利用した反射防止膜であるために、高解像度
性を有し、かつスクリーンが黒く沈むため高コントラス
トであり、優れた表示特性を持つ。
【００３７】また、反射防止膜を、例えば２回のディッ
ピングの簡単な成膜方法で形成できるため、低コスト化
できる。
ピングの簡単な成膜方法で形成できるため、低コスト化
できる。
【図１】本発明による表示装置の第１実施例の構成を説
明する要部断面図である。
明する要部断面図である。
【図２】本発明による表示装置の第２実施例の構成を説
明する要部断面図である。
明する要部断面図である。
【図３】反射防止膜の構成成分の具体例と形成方法およ
びその特性の説明図である。
びその特性の説明図である。
【図４】図３の具体例Ｎｏ．２と表面無処理基板とシリ
カスプレーコートの正反射率と全反射率の分光特性図で
ある。
カスプレーコートの正反射率と全反射率の分光特性図で
ある。
【図５】本発明をカラー陰極線管に適用した例を説明す
る部分断面図である。
る部分断面図である。
１ スクリーン基板であるパネル ２ ファンネル ３ ネック ４ ネックの部分に収納された電子銃 ５ シャドウマスク ６ 蛍光面 ７ ファンネルに装着された偏向ヨーク ８ パネルの外面に形成した反射防止層 ９ 防爆バンド １０ スクリーンを構成する基板 １１ バインダを含む高屈折率の第１層 １２ 低屈折率の第２層 １３ バインダ層 １４ 空気層を含む中間層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 5/72 Ａ 9068−5Ｃ (72)発明者 河村 孝男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 遠藤 喜重 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】表示装置のスクリーンを構成する基板の表
面上にＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 の中から選択
した少なくとも１種を成分とする超微粒子をエチルシリ
ケートの分解により生成したＳｉＯ2 バインダーで固定
してなる第１層と、前記第１層上にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2
の中から選択した少なくとも１種を成分とする超微粒子
をエチルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2 バイ
ンダーで固定してなる第２層とからなる帯電防止および
反射防止膜を形成したことを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】表示装置のスクリーンを構成する基板の表
面上にＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 の中から選択
した少なくとも１種を成分とする超微粒子をエチルシリ
ケートの分解により生成したＳｉＯ2 バインダーで固定
してなる第１層と、前記第１層上にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2
の中から選択した少なくとも１種を成分とする超微粒子
をエチルシリケートの分解により生成したＳｉＯ2 バイ
ンダーで固定してなる第２層と、前記第１層と第２層の
間に形成した空気を含む中間層からなる帯電防止機能を
有する反射防止膜を形成したことを特徴とする表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5113054A JPH06325702A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5113054A JPH06325702A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325702A true JPH06325702A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14602337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5113054A Pending JPH06325702A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06325702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015050017A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止フィルム、偏光板、カバーガラス、及び画像表示装置、並びに反射防止フィルムの製造方法 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP5113054A patent/JPH06325702A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015050017A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止フィルム、偏光板、カバーガラス、及び画像表示装置、並びに反射防止フィルムの製造方法 |
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