KR100330315B1 - 도전성반사방지막및음극선관 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 도전성 미립자를 함유한 제1층과, 제1층을 덮도록 설치되어 SiO2및 도전성 미립자를 함유한 제2층을 구비한 도전성 반사방지막 및 그 도전성 반사방지막을 갖춘 음극선관이다.
본 발명의 도전성 반사방지막은, AEF(Alternating Electric Field)의 발생과 광의 반사를 거의 완전하게 방지함과 더불어, 표면으로부터 용이하게 도통을 취할 수 있어 생산성 및 내구성이 우수하다. 또, 본 발명의 음극선관은 화질이 우수한 화상을 장기에 걸쳐 표시한다.

Description

도전성 반사방지막 및 음극선관
본 발명은, 반사방지막으로서 기능하고, AEF(Alternating Electric Field)의 발생을 방지하는 도전성 반사방지막 및 페이스 플레이트(face plate)의 앞면(페이스 패널; face panel)의 바깥표면에 있어서 광의 반사가 저감되어 AEF의 발생을 방지하는 음극선관에 관한 것이다.
TV의 브라운관이나 컴퓨터의 CRT 등에 이용되는 음극선관에서는, 내부의 전자총이나 편향요크(deflection yoke)의 근방으로부터 전자파가 발생하고 있다.
근래, 이와 같은 전자파가 음극선관의 외부로 누설되어 주변에 배치된 전자기기 등에 악영향을 줄 가능성이 지적되고 있다.
그 때문에, 음극선관으로부터 그 전자파(전장)의 누설을 방지하는 방법으로서, 음극선관의 페이스 패널의 표면저항치를 낮추는 방법이 제안되어 있다.
예컨대, 일본 특개소 61-118932호 공보, 일본 특개소 61-118946호 공보, 일본 특개소 63-160140호 공보에는, 페이스 패널의 대전방지를 행하기 위해 페이스 패널에 대한 여러가지의 표면처리방법이 개시되어 있는데, 이들 방법을 응용하여 누설전장(AEF)의 발생을 방지하는 것이 고려되고 있다. 페이스 패널에 표면저항치가 낮은 도전층을 형성하는 방법으로서는, PVD법, CVD법, 스퍼터링(sputtering)법 등의 기상방법을 생각할 수 있다. 예컨대, 일본 특개평 1-242769호 공보에는 스퍼터링법에 의한 투명한 저저항 도전층의 형성방법이 개시되어 있다.
일반적으로, 도전층은 굴절률이 높기 때문에 도전층만으로 충분한 반사방지의 효과를 얻는 것은 곤란하다. 따라서, 통상적으로 도전성 반사방지막은, 도전성과 반사의 방지를 양립시키면서 도전층을 보호하기 위해, 예컨대 SiO2를 함유하는 굴절률이 낮은 반사방지층으로 도전층이 덮여져 있다. 그렇지만, SiO2를 함유하는 굴절률이 낮은 반사방지층은 표면저항치가 높아, 이와 같이 도전층을 반사방지층으로 덮어 버리면, 반사방지층에 도통을 취하는 것이 곤란하게 된다.
음극선관의 반사방지층에 도통을 취하기 위한 구조로서는 다음과 같은 방법이 제안되어 있다.
(1) 도 2에 나타낸 바와 같이, 페이스 패널(8)상에 설치된 도전성 반사방지막(2)을 구성하는 도전층(3)에 도통시키기 위해, 반사방지층(4)을 관통하여 도전층 (3)에 이르는 도통부(5)를 설치하고 특수한 땜납(6)을 부착한다.
(2) 도 3에 나타낸 바와 같이, 도전층(3)에 도통부(5)로 되는 영역을 설치하고, 도통부(5)에는 반사방지층(4)을 형성하지 않는다.
(3) 도 4에 나타낸 바와 같이, 도전층(3)을 덮는 반사방지층(4)을 다공질의 층으로 되도록 형성하고, 도전층(3)을 일부 노출시켜 그곳을 도통부로 한다.
그렇지만, 도전성 반사방지막에 도통을 취하기 위해 반사방지층을 관통하도록 도통부를 설치하거나, 그 도통부에 대해 땜납을 부착하거나 하면, 도전성 반사방지막의 구조가 복잡해지는 데다가, 제조시에 공정수가 증가하기 때문에 도전성반사방지막의 생산성이 낮아진다는 문제가 있었다.
또, 도전층을 덮는 반사방지층을 다공질의 층으로 되도록 형성하면, 반사방지층의 강도가 저하되어 도전성 반사방지막의 내구성이 현저하게 저하된다는 문제가 있었다.
그런데, 페이스 패널 등의 기재(基材)상에 도전층을 형성하는 방법으로서는, 종래부터 도포법 또는 웨트(wet)법에 의해 기재상에 도전성의 산화물 미립자 또는 금속입자를 분산시킨 도포액을 도포하여 도포막을 형성하고, 이 도포막을 건조·경화 또는 소성하여 도전층으로 하는 방법이 알려져 있다.
이 방법에서는, 기재에 가장 가까운 층의 굴절률을 높이고, 그 층상에 적층된 층의 굴절률을 기재에 가장 가까운 층의 굴절률보다 낮추도록 굴절률을 변화시켜 복수의 층이 형성된다. 즉, 이 방법에 있어서는, 기재로부터 가장 먼 층의 굴절률이 가장 낮게 된다.
그렇지만, 통상적으로 도전률이 높은 층은 낮은 층에 비해 굴절률이 높기 때문에, 기재로부터 가장 먼 층에 도전층을 형성하면, 도전성 반사방지막의 광의 반사를 방지하는 기능이 저하되거나 소실되어 버린다는 문제가 있다.
그래서, 도전층상에 예컨대 SiO2를 함유한 굴절률이 낮은 반사방지층을 설치하여 광의 반사를 방지하고 있지만, 이 경우 반사방지층은 콘덴서로서 작용하기 때문에, 도전성 반사방지막의 표면을 충분히 낮은 저항치로 할 수 없어, 이대로는 도전성 반사방지막의 표면에 도통부를 형성할 수 없다.
본 발명의 목적은, AEF의 발생과 광의 반사를 거의 완전히 방지함과 더불어, 표면으로부터 용이하게 도통을 취할 수 있어 생산성 및 내구성이 우수한 도전성 반사방지막을 제공함에 있다.
또, 본 발명의 다른 목적은, 상기 도전성 반사방지막을 갖춘 품질이 높은 화상을 장기에 걸쳐 표시할 수 있는 음극선관을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 음극선관 및 도전성 반사방지막의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 종래의 음극선관에 있어서, 도전성 반사방지막의 구성을 모식적으로 나타낸 도면,
도 3은 종래의 음극선관에 있어서, 도전성 반사방지막의 구성을 모식적으로 나타낸 도면,
도 4는 종래의 음극선관에 있어서, 도전성 반사방지막의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 --- 패널, 2 --- 도전성 반사방지막,
3 --- 도전층, 4 --- 반사방지층,
5 --- 도통부, 6 --- 땜납,
7 --- 퍼널(funnel), 8 --- 페이스 패널,
9 --- 형광면, 10 --- 섀도우 마스크,
11 --- 목, 12 --- 전자총,
13 --- 미립자, 14 --- 제1층,
15 --- 제2층.
본 발명은, 도전성 반사방지막의 표면(기재로부터 가장 먼 부분)으로 되는 층에 SiO2와 더불어 도전성 미립자를 존재시킴으로써, 도전성 반사방지막의 표면을 도전성으로 하여 표면에 용이하게 도통부를 형성하는 것을 가능하게 한 것이다.
즉, 본 발명에 따른 도전성 반사방지막은, 도전성 미립자를 함유한 제1층과, 상기 제1층을 덮도록 설치되어 SiO2및 도전성 미립자를 함유한 제2층을 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따른 도전성 반사방지막에 의하면, 도전성 미립자를 함유한 제1층을, SiO2및 도전성 미립자를 함유한 제2층으로 덮음으로써, 제2층의 굴절률을 제1층의 굴절률보다 작게 함과 더불어, 제2층의 표면저항치를 낮출 수 있다. 따라서, 제2층에 의해 광의 반사를 방지하면서 제2층으로부터 직접 도통을 취하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 음극선관은, 형광물질을 갖춘 제1면을 갖는 페이스 플레이트와, 상기 페이스 플레이트의 제1면과 대향하는 제2면상에 설치되어 도전성 미립자를 함유하는 제1층과, 상기 제1층을 덮도록 설치되어 SiO2및 도전성 미립자를 함유한 제2층을 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따른 음극선관에 의하면, 형광물질을 갖춘 제1면을 갖는 페이스 플레이트에 대해 그 제1면과 대향하는 제2면상에 도전성 미립자를 함유한 제1층을 설치하고, 그 제1층을 SiO2및 도전성 미립자를 함유한 제2층으로 덮음으로써, 제2층의 굴절률을 제1층의 굴절률보다 작게 하면서 제2층의 표면저항치를 낮출 수 있다. 따라서, 제2층에 의해 광의 반사를 방지하면서 제2층에 필요한 도전률로 전기적으로 접촉시키는 것이 가능하게 된다.
본 발명에서의 제1층에 함유되는 도전성 미립자와 제2층에 함유되는 도전성 미립자는 동일한 것이어도 좋고, 다른 것이어도 좋다.
본 발명에 사용되는 도전성 미립자로서는, 금, 은, 은화합물, 동, 동화합물, 주석화합물 및 티탄화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질의 초미립자가 예시된다. 상기 은화합물로서는, 예컨대 산화은, 질산은, 초산은, 안식향산은, 브롬산은, 브롬화은, 탄산은, 염화은, 크롬산은, 구연산은, 시클로헥산 젖산은을 들 수 있다. 제1 및 제2층에서 보다 안정한 상태로 존재할 수 있다는 관점으로부터, 예컨대 Ag-Pd, Ag-Pt 및 Ag-Au로 대표되는 은의 합금이 적합하다. 상기 동화합물로서는, 예컨대 황산동, 질산동, 프탈로시아닌동 등을 들 수 있다. 주석화합물로서는, 예컨대 SbXSn1-XO2, InXSn1-XO2로 나타내어지는 ATO(Antimony-Tin-Oxide)나 ITO(Indium-Tin-Oxide)를 들 수 있다. 또, 티탄화합물로서는 TiN 등을 들 수 있다.
도전성 미립자는, 예컨대 이들 물질로 이루어진 미립자 중에서 1종류 또는 2종류 이상을 선택하여 사용한다.
도전성 미립자의 크기는, 도전성의 향상이라는 점을 고려하면 클수록 좋지만, 도전성 반사방지막의 광학적 특성을 고려하면 입자지름(입자를 동일한 체적을 나타내는 구로 환산한 값)이 400nm이하, 보다 바람직하게는 50~200nm인 것이 바람직하다. 도전성 미립자의 입자지름이 400nm를 넘으면, 도전성 반사방지막의 광의 투과율이 현저하게 저하되는 데다가, 미립자에 의한 광의 산란이 생겨 도전성 반사방지막이 흐려지게 된다. 입자지름이 400nm를 넘는 도전성 미립자를 이용하여 작성한 도전성 반사방지막을 음극선관에 적용한 경우에는, 음극선관의 해상도가 저하될 가능성이 있다.
또, 제2층에 함유시키는 도전성 미립자의 바람직한 배합량은, SiO2에 대해, 즉 도전성 미립자(wt)/SiO2(wt)×100으로 한 값이 5~50wt%, 보다 바람직하게는 1 0~40wt%이다. 제2층에 함유시키는 도전성 미립자의 양이 SiO2에 대해 5wt%를 하회하면, 제2층의 표면저항치가 도전성 반사방지막의 표면과 도통을 취하는 데에 필요한 낮은 저항치로 되지 않을 가능성이 있다.
또, 제2층에 함유시키는 도전성 미립자의 양이 SiO2에 대해 50wt%를 넘으면, 도전성 반사방지막의 광의 반사율이 높아져 광의 반사를 충분히 방지하는 것이 곤란하게 될 가능성이 있다.
더욱이, 본 발명에 있어서, 제1층에 도전성 반사방지막의 광학적 특성을 향상시키기 위해, 예컨대 프탈로시아닌동 등의 색소의 안료 초미립자를 존재시킬 수 있다. 이때, 색소의 초미립자의 입자지름(입자를 동일한 체적을 나타내는 구로 환산한 값)은, 10~200nm정도의 범위로 된다. 또, 제2층에 그 제2층의 내후성(耐候性; 내수성이나 내약품성 등)을 향상시키고 도전성 반사방지막의 신뢰성을 높이기 위해, 예컨대 ZrO2, 불화실란(fluoro silane) 또는 규산염(silicate)류와 같은 화합물의 1종류 또는 복수 종류를 환경조건 등에 따라 존재시킬 수 있다. 또한, 제2층에서의 그 화합물의 존재량은, 도전성 반사방지막의 기능을 손상시키지 않는 범위로 되도록 조정된다. 예컨대, 제2층에 ZrO2를 존재시키는 경우, 그 ZrO2의 함유량은 SiO2의 함유량에 대해, 즉 ZrO2(wt)/SiO2(wt)×100의 값이 5~40mol%, 보다 바람직하게는 10~20mol%로 한다. 제2층에서의 ZrO2의 함유량이 SiO2의 5mol% 미만에서는 ZrO2에 의한 효과가 거의 얻어지지 않는다. 또, 제2층에서의 ZrO2의 함유량이 SiO2의 함유량에 대해 40mol%를 넘으면, 제2층의 강도가 저하된다. 더욱이, 상술한 바와 같이 제2층에 ZrO2를, 예컨대 불화실란과 함께 함유시키는 것도 가능하다. 이 경우, 도전성 반사방지막은 표면에 필요한 도전률로 용이하게 접촉시킬 수 있는 데다가, 내수성이나 내산성, 내알칼리성 등을 더 향상시킬 수 있다.
본 발명에 있어서 제1층을 형성하는 방법으로서는, 예컨대 비이온계 계면활성제와 더불어 은이나 구리 등의 미립자를 분산한 용액을 스핀 코트(spin coat)법, 스프레이(spray)법 또는 침지법(浸漬法) 등에 의해, 음극선관의 페이스 패널의 바깥표면 등의 기재상에 도포하는 방법이 예시된다. 이때, 제1층을 형성할 때의 얼룩의 발생을 더 억제하여 균일한 막두께를 갖는 제1층을 얻기 위해, 기재의 표면의 온도를 5~60℃정도로 해 두는 것이 바람직하다. 제1층의 막두께는, 용액에 포함되는 은이나 구리 등의 금속 미립자의 농도, 스핀 코트법에서의 도포시의 회전수, 스프레이법에서의 분산액의 방출량 또는 침지법에서의 끌어올림(引上)속도 등을 조정함으로써 용이하게 제어할 수 있다. 또, 용액의 용매로서는, 필요에 따라 물과 더불어 예컨대 에탄올이나 IPA(Iso Propyl Alcohol) 등을 함유시킬 수 있다. 또, 용액내에 유기금속화합물, 안료 및 염료 등을 더 함유시켜, 형성된 제1층에 다른 기능을 부가할 수도 있다.
또, 제1층상에 제2층을 형성하는 방법으로서는, 예컨대 비이온계 계면활성제와 더불어 은이나 구리 등의 미립자 및 규산염을 분산한 용액을 스핀 코트법, 스프레이법 또는 침지법 등에 의해 제1층상에 도포하는 방법이 예시된다. 제2층의 막두께는, 예컨대 용액에 포함되는 은, 구리 및 규산염 등의 농도, 스핀 코트법에서의 도포시의 회전수, 스프레이법에서의 용액의 방출량 또는 침지법에서의 끌어올림속도 등을 조정함으로써 용이하게 제어할 수 있다. 이렇게 해서 형성된 제1 및 제2도포막을, 150~450℃에서 10~180분 동안에 걸쳐 동시에 소성함으로써, 본 발명에 따른 도전성 반사방지막을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는, 도전성 반사방지막에서의 반사율을 보다 효과적으로 저감시키기 위해, 제1층과 제2층의 사이에, 예컨대 제1층의 반사율과 제2층의 반사율의 거의 중간에 해당하는 반사율을 갖는 제3층을 설치하여 2층 이상의 구성으로 할 수 있다. 이때, 서로 이웃하는 2개의 층 사이에 있어서 굴절률의 차가 낮아지도록 설정함으로써, 도전성 반사방지막의 반사율을 효과적으로 저감시킬 수 있다. 본 발명에 있어서, 제1 및 제2층으로 도전성 반사방지막을 구성하는 경우에는, 통상 제1층에 대해서는 층의 두께를 200nm이하, 굴절률을 1.7~3정도로 되도록 설정하고, 제2층에 대해서는 층의 두께를 제1층의 두께의 10배 정도 이하, 굴절률을 1.38~1.70정도로 되도록 설정하지만, 제1층과 제2층의 사이에 제3층을 설치하는 경우에는 제1~제3층에서의 각 층의 두께나 굴절률은 반사방지막 전체의 광의 투과율이나 반사율 등을 감안하여 적당하게 설정하면 좋다.
(발명의 실시형태)
다음에, 구체적으로 실시예를 들어 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
우선, ITO의 미립자를 에탄올로 분산시켜 2wt% ITO 분산액을 조제했다. 또, 1wt% 규산염용액(알콕시용액)에 대해 SiO2고형분 환산으로 SiO2에 대해 0중량%(비교예), 5, 10, 20, 40, 50 및 100중량%(실시예 1~실시예 6)로 되도록 ITO의 미립자를 각각 첨가·혼합하여 제2~제8분산액을 조제했다(여기에서 중량%는 ITO(중량)/SiO2(중량)×100이다.).
다음에, 조립 종료후의 음극선관의 페이스 패널(17인치 패널)의 바깥표면을산화세륨(cerium oxide)에 의해 버핑(buffing)하여 티끌, 먼지 및 유분 등을 제거한 후, 제1분산액을 스핀 코트법에 의해 도포하여 제1도포막을 성막했다. 도포조건은, 패널(도포면)온도가 30℃, 회전속도가 용액주입시 80rpm-5sec, 용액을 떨쳐낼 때(성막시) 150rpm-80sec로 했다. 다음으로, 제1도포막상에 제2~제8의 각 하나의 용액을 용액주입시 80rpm-5sec, 용액을 떨쳐낼 때 150rpm-80sec의 조건으로 스핀 코트법에 의해 도포하여 제2도포막을 성막한 후, 제1 및 제2도포막을 210℃의 온도로 30분간 소성했다.
도 1에, 이렇게 해서 얻어지고, 실시예1~실시예6에 상당하는 음극선관을 나타낸다.
도 1a에 있어서, 컬러 음극선관은 패널(1) 및 패널(1)에 일체로 접합된 퍼널 (funnel; 7)로 이루어진 외위기를 갖추고, 이 패널(1)에 짜넣어진 페이스 패널(8)의 내면에는 청, 녹, 적으로 발광하는 삼색형광체층과, 이 삼색형광체층의 간극부를 메우는 흑색의 광흡수층으로 이루어진 형광면(9)이 형성되어 있다. 삼색형광체층은, 각 형광체를 PVA, 계면활성제, 순수 등과 함께 분산시킨 슬러리(slurry)를 이용하여 이것을 통상의 방법에 따라 페이스 패널(8)의 내면에 도포함으로써 얻어진다. 삼색형광체층의 형상은 스트라이프형상이어도 좋고, 도트형상이어도 좋지만, 여기에서는 도트형상으로 했다. 따라서, 형광면(9)에 대향하여 그 내측에 다수의 전자빔 통과구멍이 형성된 섀도우 마스크(shadow mask; 10)가 부착되어 있다. 또, 퍼널(7)의 목(neck; 11) 내부에는, 형광면(9)에 전자빔을 조사하기 위한 전자총(12)이 배설되어 있고, 전자총(12)에 의해 방출된 전자빔이 형광면(9)에 충돌하여 삼색형광체층을 여기, 발광시키는 것이다. 따라서, 페이스 패널(8)의 바깥표면에는 도전성 반사방지막(2)이 형성되어 있다. 또, 도 1b에 도 1a에서 나타낸 음극선관을 A-A를 따라 절단한 단면을 나타낸다. 도 1b에 나타낸 바와 같이, 페이스 패널(8)의 표면상에는 ITO의 미립자(13)를 함유한 제1층(도전층; 14)과, SiO2의 매트릭스내에 ITO의 미립자(13)가 분산된 제2층(15)으로 구성된 도전성 반사방지막 (2)이 형성되어 있다.
다음으로, 실시예1~6 및 비교예에서 각각 얻어진 도전성 반사방지막에 대해 표면저항치, 저항안정성, 막의 강도 및 시감 정반사율(視感正反射率)을 각각 측정했다. 여기에서, 표면저항치는, Loresta IP MCP-T250(유화전자사 제품)을 사용하여 측정해서 얻은 값이고, 저항안정성에 대해서는 측정중 수치가 변동하지 않는 것을 ○, 측정중 수치가 변동하는 것을 ×로 했다. 더욱이, 막의 강도는 SUS 304로 이루어진 탐침을 1.5㎏/㎠의 압력으로 도전성 반사방지막과 접촉시킨 후, 그 탐침을 1.5㎏/㎠의 압력으로 가압한 채 도전성 반사방지막상을 이동시켜 탑침에 의해 흠집이 생기지 않는 것을 ○, 흠집이 생기는 것을 ×로 했다. 또, 시감 정반사율은, CR-353G(미놀타사 제품)에 의해 얻은 값이다. 표 1에 이들 측정결과를 나타낸다.
[표 1]
표 1로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이, 실시예1~6에서 얻어진 도전성 반사방지막에서는 모두 도전성 반사방지막의 표면으로부터 도통을 취하기 위해 유효한 낮은 표면저항치를 갖는 데다가, 충분한 저항안정성을 갖고 있다. 또, 시감 정반사율에 있어서도, 도전성 반사방지막으로서 기능하기 위해 실용상 충분한 값으로 되어 있다. 이에 대해, 비교예에서 얻어진 도전성 반사방지막에서는, 제2층에 ITO의 미립자가 존재하고 있지 않기 때문에, 표면저항치가 높아 저항안정성도 불안정한 것이었다. 그 결과, 도전성 반사방지막의 표면으로부터 도통을 취할 수 없었다.
또한, 실시예6에 있어서는 막의 강도가 ×로 되어 있지만, 실시예6의 도전성 반사방지막의 막의 강도는 실용적으로는 충분한 것이었다.
이상의 실시예로부터도 명백히 알 수 있는 바와 같이 본 발명의 도전성 반사방지막에 의하면, 제1도전성 미립자를 함유한 제1층을, SiO2의 매트릭스중에 제2도전성 미립자를 함유한 제2층으로 덮음으로써, 제2층의 굴절률을 제1층의 굴절률보다 작게 함과 더불어 제2층의 표면저항치를 낮게 할 수 있다. 따라서, AEF의 발생을 방지함과 더불어, 제2층에 의해 광의 반사를 방지하면서 도통부 등을 형성하지 않고 제2층으로부터 안정하게 도통을 취하는 것이 가능한 도전성 반사방지막을 제공할 수 있다. 또, 도전성 반사방지막으로부터 도통을 취할 때의 공정수 및 비용을 삭감할 수 있기 때문에, 생산성이 우수한 도전성 반사방지막을 제공할 수 있다. 더욱이, 제1층을 덮는 제2층의 안정성이 높기 때문에, 내구성이 우수한 도전성 반사방지막을 제공할 수 있다.
또, 본 발명의 음극선관에 의하면, 페이스 플레이트의 면상에 제1도전성 미립자를 함유한 제1층을 설치하고, 그 제1층을 SiO2및 제2도전성 미립자를 함유한 제2층으로 덮음으로써, 제2층의 굴절률을 제1층의 굴절률보다 작게 하면서 제2층의 표면저항치를 낮출 수 있다. 따라서, AEF의 발생을 방지함과 더불어, 제2층에 의해 광의 반사를 방지하면서 도통부 등을 형성하지 않고 제2층으로부터 안정하게 도통을 취하는 것이 가능한 음극선관을 제공할 수 있다. 또, 도전성 반사방지막으로부터 도통을 취할 때의 공정수 및 비용을 삭감할 수 있기 때문에, 생산성이 우수한 음극선관을 제공할 수 있다. 더욱이, 제1층을 덮는 제2층의 안정성이 높기 때문에, 장기에 걸쳐 화질이 높은 화상을 표시할 수 있는 음극선관을 제공할 수 있다.

Claims (4)

  1. 도전성 미립자를 함유한 제1층과,
    상기 제1층을 덮도록 설치되어 SiO2및 도전성 미립자를 함유한 제2층으로 이루어지고,
    상기 제2층에 함유시키는 도전성 미립자의 배합량이 그 도전성 미립자와 SiO2의 합계량에 대해 5~40wt%이며,
    상기 도전성 미립자의 입자지름(입자를 동일한 체적을 나타내는 구로 환산한 값)이 400nm이하인 것을 특징으로 하는 도전성 반사방지막.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전성 미립자는, 금, 은, 은화합물, 동, 동화합물, 주석화합물 및 티탄화합물로 이루어진 군에서 선택된 동일 또는 다른 물질인 것을 특징으로 하는 도전성 반사방지막.
  3. 형광물질을 갖춘 제1면을 갖는 페이스 플레이트와,
    상기 페이스 플레이트의 제1면과 대향하는 제2면상에 설치되어 도전성 미립자를 함유한 제1층과, 상기 제1층을 덮도록 설치되어 SiO2및 도전성 미립자를 함유한 제2층으로 이루어지고,
    상기 제2층에 함유시키는 도전성 미립자의 배합량이 그 도전성 미립자와 SiO2의 합계량에 대해 5~40wt%이며,
    상기 도전성 미립자의 입자지름(입자를 동일한 체적을 나타내는 구로 환산한 값)이 400nm이하인 것을 특징으로 하는 음극선관.
  4. 제3항에 있어서, 상기 도전성 미립자는, 금, 은, 은화합물, 동, 동화합물, 주석화합물 및 티탄화합물로 이루어진 군에서 선택된 동일 또는 다른 물질인 것을 특징으로 하는 음극선관.
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