JPH0922668A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPH0922668A JPH0922668A JP7168754A JP16875495A JPH0922668A JP H0922668 A JPH0922668 A JP H0922668A JP 7168754 A JP7168754 A JP 7168754A JP 16875495 A JP16875495 A JP 16875495A JP H0922668 A JPH0922668 A JP H0922668A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス製フェースパネル上に、アルカリイオ
ン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成したこと
により、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効果が得
られ、さらに漏洩電界についてTCO規格を満足するこ
とができ、比較的低コストなCRTを提供する。 【解決手段】 屈折率が1.54のガラス製フェースパ
ネル1の外面上に、第1層としてZrO2とSiO2を主
成分とする屈折率が1.75の透明なアルカリイオン拡
散防止薄膜2が膜厚t1 が80nmとなるように均一に
形成し、第1層の表面上に第2層としてSnO2 を主成
分とする屈折率が2.00の透明な導電性高屈折率薄膜
3が膜厚t2 が60nmとなるように均一に形成されて
おり、さらに第2層2の表面上に第3層としてSiO2
を主成分とする屈折率1.47の平滑な透明な低屈折率
薄膜4が膜厚t3 が95nmとなるように形成する。
ン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成したこと
により、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効果が得
られ、さらに漏洩電界についてTCO規格を満足するこ
とができ、比較的低コストなCRTを提供する。 【解決手段】 屈折率が1.54のガラス製フェースパ
ネル1の外面上に、第1層としてZrO2とSiO2を主
成分とする屈折率が1.75の透明なアルカリイオン拡
散防止薄膜2が膜厚t1 が80nmとなるように均一に
形成し、第1層の表面上に第2層としてSnO2 を主成
分とする屈折率が2.00の透明な導電性高屈折率薄膜
3が膜厚t2 が60nmとなるように均一に形成されて
おり、さらに第2層2の表面上に第3層としてSiO2
を主成分とする屈折率1.47の平滑な透明な低屈折率
薄膜4が膜厚t3 が95nmとなるように形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェースパネル表
面に漏洩電界の遮蔽、帯電防止および外光反射の低減の
機能性表面コートを備えた陰極線管(以下CRTとい
う)に関するものである。
面に漏洩電界の遮蔽、帯電防止および外光反射の低減の
機能性表面コートを備えた陰極線管(以下CRTとい
う)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】室内照明灯などの外光が、CRTのフェ
ースパネルの外面で鏡面反射すると、再生画像が非常に
見づらくなる。また、CRTは、動作原理上25kV以
上の高圧が印加されており、フェースパネルの外表面が
帯電して、観測者が接近した時に放電現象が起こり、観
測者に不快感を与えたり、場合によっては電撃を与える
ことがある。これらの問題を解決するために、外光反射
を低減し、かつフェースパネルの帯電を防止する手段と
して、フェースパネル表面上にSnO2 などの金属酸化
物を分散させたエチルシリケートのアルコール溶液およ
びエチルシリケートのアルコール溶液を順次スピンコー
トしたのち、焼成することで、CRTフェースパネルの
外面上に導電性の高屈折率薄膜と低屈折率薄膜の2層膜
を設け、帯電防止機能と干渉作用による反射低減機能を
得る方法が特開平5−67432号公報に開示されてお
り、実用化されている。また、前記の2層の帯電防止お
よび低反射機能を有するCRTの表面コートの露出表面
に凹凸を設けて、帯電防止機能および干渉による反射低
減と反射光の乱反射の相乗効果により顕著な反射低減機
能を得る方法が特開平5−343008号公報および特
開平6−243803号公報に開示されており、実用化
されている。
ースパネルの外面で鏡面反射すると、再生画像が非常に
見づらくなる。また、CRTは、動作原理上25kV以
上の高圧が印加されており、フェースパネルの外表面が
帯電して、観測者が接近した時に放電現象が起こり、観
測者に不快感を与えたり、場合によっては電撃を与える
ことがある。これらの問題を解決するために、外光反射
を低減し、かつフェースパネルの帯電を防止する手段と
して、フェースパネル表面上にSnO2 などの金属酸化
物を分散させたエチルシリケートのアルコール溶液およ
びエチルシリケートのアルコール溶液を順次スピンコー
トしたのち、焼成することで、CRTフェースパネルの
外面上に導電性の高屈折率薄膜と低屈折率薄膜の2層膜
を設け、帯電防止機能と干渉作用による反射低減機能を
得る方法が特開平5−67432号公報に開示されてお
り、実用化されている。また、前記の2層の帯電防止お
よび低反射機能を有するCRTの表面コートの露出表面
に凹凸を設けて、帯電防止機能および干渉による反射低
減と反射光の乱反射の相乗効果により顕著な反射低減機
能を得る方法が特開平5−343008号公報および特
開平6−243803号公報に開示されており、実用化
されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来構成
の帯電防止を目的とした表面コートでは、ほとんどが表
面抵抗率は106Ω/□程度で、もっとも優れたもので
も104Ω/□が限界であり、反射低減機能に比べて帯
電防止機能が不十分であるという傾向があった。これ
は、表面抵抗をさらに低くするために導電性薄膜の膜厚
を厚くすると表面の反射率が高くなり反射防止効果が損
なわれるためである。前記において、□は正方形の面積
当たりを示す。
の帯電防止を目的とした表面コートでは、ほとんどが表
面抵抗率は106Ω/□程度で、もっとも優れたもので
も104Ω/□が限界であり、反射低減機能に比べて帯
電防止機能が不十分であるという傾向があった。これ
は、表面抵抗をさらに低くするために導電性薄膜の膜厚
を厚くすると表面の反射率が高くなり反射防止効果が損
なわれるためである。前記において、□は正方形の面積
当たりを示す。
【0004】また、真空蒸着やスパッタリングによる導
電性薄膜を含む4層以上の多層蒸着膜は、帯電防止膜に
十分な導電性を持たせ、かつ、反射防止効果を得ること
ができるが、高価な設備と材料が必要であり、製造コス
トが増大するという問題がある。
電性薄膜を含む4層以上の多層蒸着膜は、帯電防止膜に
十分な導電性を持たせ、かつ、反射防止効果を得ること
ができるが、高価な設備と材料が必要であり、製造コス
トが増大するという問題がある。
【0005】特に、近年CRTの電子ビームの変調や偏
向ヨークから発生する低周波の交番電界が人体に与える
悪影響が懸念され、スウェーデンにおけるTCO(The
Swedish Confederation of Professional Employees )
規格のようにCRTを用いたディスプレイモニターから
の漏洩電界強度が規制されるようになってきている。こ
のため、ディスプレイモニターセットとの複合の対策な
しにCRT単体でこの漏洩電界を遮蔽するためにも、よ
り低抵抗の帯電防止膜が要求されている。
向ヨークから発生する低周波の交番電界が人体に与える
悪影響が懸念され、スウェーデンにおけるTCO(The
Swedish Confederation of Professional Employees )
規格のようにCRTを用いたディスプレイモニターから
の漏洩電界強度が規制されるようになってきている。こ
のため、ディスプレイモニターセットとの複合の対策な
しにCRT単体でこの漏洩電界を遮蔽するためにも、よ
り低抵抗の帯電防止膜が要求されている。
【0006】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効果が得ら
れ、さらに漏洩電界についてTCO規格を満足すること
ができる比較的低コストなCRTを提供することを目的
とする。
め、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効果が得ら
れ、さらに漏洩電界についてTCO規格を満足すること
ができる比較的低コストなCRTを提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の陰極線管は、ガラス製フェースパネル上に、ア
ルカリイオン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形
成したという構成を備えたものである。。
本発明の陰極線管は、ガラス製フェースパネル上に、ア
ルカリイオン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形
成したという構成を備えたものである。。
【0008】前記構成においては、導電性薄膜上に、さ
らに低屈折率薄膜からなる導電性の反射防止膜を備えた
ことが好ましい。また前記構成においては、導電性薄膜
上に、さらに多数の凹凸を露出表面に有する低屈折率薄
膜膜からなる導電性の反射防止膜を備えたことが好まし
い。
らに低屈折率薄膜からなる導電性の反射防止膜を備えた
ことが好ましい。また前記構成においては、導電性薄膜
上に、さらに多数の凹凸を露出表面に有する低屈折率薄
膜膜からなる導電性の反射防止膜を備えたことが好まし
い。
【0009】また前記構成においては、導電性薄膜の表
面抵抗率が、2000Ω/□以下であることが好まし
い。導電性薄膜の表面抵抗率の下限値は特に制限はない
が通常100Ω/□程度である。
面抵抗率が、2000Ω/□以下であることが好まし
い。導電性薄膜の表面抵抗率の下限値は特に制限はない
が通常100Ω/□程度である。
【0010】また前記構成においては、導電性薄膜が、
SnO2 及びIn2O3から選ばれる少なくとも一つの酸
化物を主成分とすることが好ましい。導電性に優れるか
らである。
SnO2 及びIn2O3から選ばれる少なくとも一つの酸
化物を主成分とすることが好ましい。導電性に優れるか
らである。
【0011】また前記構成においては、アルカリイオン
拡散防止薄膜が、ZrO2 及びSiO2 から選ばれる少
なくとも一つを主成分とすることが好ましい。フェース
パネルに含まれるアルカリイオンが導電性薄膜に拡散す
ることによる導電性の劣化をさらに防止できるからであ
る。
拡散防止薄膜が、ZrO2 及びSiO2 から選ばれる少
なくとも一つを主成分とすることが好ましい。フェース
パネルに含まれるアルカリイオンが導電性薄膜に拡散す
ることによる導電性の劣化をさらに防止できるからであ
る。
【0012】以上の通り、本発明のCRTは、ガラス製
フェースパネルの外面上に、アルカリイオン拡散防止薄
膜を介して導電性薄膜を形成しており、さらには、前記
導電性薄膜上に形成された平坦な低屈折率薄膜、もしく
は多数の凹凸を露出表面に有する低屈折率薄膜からなる
導電性の反射防止表面コートを備える。
フェースパネルの外面上に、アルカリイオン拡散防止薄
膜を介して導電性薄膜を形成しており、さらには、前記
導電性薄膜上に形成された平坦な低屈折率薄膜、もしく
は多数の凹凸を露出表面に有する低屈折率薄膜からなる
導電性の反射防止表面コートを備える。
【0013】
【発明の実施の形態】前記した本発明の陰極線管によれ
ば、ガラス製フェースパネル上に、アルカリイオン拡散
防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成したという構成
を備えたことにより、十分な反射防止効果と十分な帯電
防止効果が得られ、さらに漏洩電界についてTCO規格
を満足することができる比較的低コストなCRTを実現
できる。すなわち、上記構成とすることで、フェースパ
ネルに含まれるアルカリイオンが導電性薄膜に拡散する
ことによる導電性の劣化がなく、安定な低抵抗率を確保
することができ、優れた帯電防止効果が得られるばかり
でなく、CRTからの漏洩電界強度をTCO規制を満足
するレベルまで低減することができる。
ば、ガラス製フェースパネル上に、アルカリイオン拡散
防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成したという構成
を備えたことにより、十分な反射防止効果と十分な帯電
防止効果が得られ、さらに漏洩電界についてTCO規格
を満足することができる比較的低コストなCRTを実現
できる。すなわち、上記構成とすることで、フェースパ
ネルに含まれるアルカリイオンが導電性薄膜に拡散する
ことによる導電性の劣化がなく、安定な低抵抗率を確保
することができ、優れた帯電防止効果が得られるばかり
でなく、CRTからの漏洩電界強度をTCO規制を満足
するレベルまで低減することができる。
【0014】また、アルカリイオンの拡散防止膜の屈折
率を適切にすることで、導電性薄膜の膜厚を厚くしても
優れた反射防止効果を得ることができる。図2はCRT
の全体図を示している。CRTは、その内部に図示しな
い蛍光面を有するフェースパネル1とファンネル22よ
り構成されている。ファンネル22には、高圧電源から
アノード電圧を供給するためのアノードボタン23が埋
設されている。ファンネル22の後端部には、内部に図
示しない電子銃を有するネック部24が設けられてい
る。このネック部の最後端部より、図示しないステムピ
ンを介して電子銃の各電極に所定の駆動電圧が印加され
る。ファンネル部22とネック部24との境界部の外側
には、電子銃から発射された電子ビームを蛍光面上で走
査するための偏向ヨーク26が設けられている。25は
CRT電子銃に駆動電源を接続するソケットであり、2
7はCRTの爆縮を防ぐための補強バンドである。
率を適切にすることで、導電性薄膜の膜厚を厚くしても
優れた反射防止効果を得ることができる。図2はCRT
の全体図を示している。CRTは、その内部に図示しな
い蛍光面を有するフェースパネル1とファンネル22よ
り構成されている。ファンネル22には、高圧電源から
アノード電圧を供給するためのアノードボタン23が埋
設されている。ファンネル22の後端部には、内部に図
示しない電子銃を有するネック部24が設けられてい
る。このネック部の最後端部より、図示しないステムピ
ンを介して電子銃の各電極に所定の駆動電圧が印加され
る。ファンネル部22とネック部24との境界部の外側
には、電子銃から発射された電子ビームを蛍光面上で走
査するための偏向ヨーク26が設けられている。25は
CRT電子銃に駆動電源を接続するソケットであり、2
7はCRTの爆縮を防ぐための補強バンドである。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
具体的に説明する。 (実施例1)Zr(OC3H7)4とSi(OC2H5)4を
モル比が1:1の割合でエタノール溶媒中、塩酸触媒存
在下で加水分解及び共重合させ、次いでイソプロピルア
ルコールまたはジアセトンアルコールなどの比較的沸点
の高い溶媒で希釈してコーティング溶液を調整した。こ
のコーティング溶液をフェースパネル1の外面上に、ス
ピンコート法で塗布し乾燥した。その後、CVD(chemi
cal vapor deposite:化学蒸着)法にてSnO2を積層し
た。さらにSi(OC2H5)4 をエタノール溶媒中、塩
酸触媒存在下で加水分解、および重縮合させ、次いでイ
ソプロピルアルコールまたはジアセトンアルコールなど
の比較的沸点の高い溶媒で希釈した溶液をスピンコート
法で塗布したのち、450℃にて焼成を行った。
具体的に説明する。 (実施例1)Zr(OC3H7)4とSi(OC2H5)4を
モル比が1:1の割合でエタノール溶媒中、塩酸触媒存
在下で加水分解及び共重合させ、次いでイソプロピルア
ルコールまたはジアセトンアルコールなどの比較的沸点
の高い溶媒で希釈してコーティング溶液を調整した。こ
のコーティング溶液をフェースパネル1の外面上に、ス
ピンコート法で塗布し乾燥した。その後、CVD(chemi
cal vapor deposite:化学蒸着)法にてSnO2を積層し
た。さらにSi(OC2H5)4 をエタノール溶媒中、塩
酸触媒存在下で加水分解、および重縮合させ、次いでイ
ソプロピルアルコールまたはジアセトンアルコールなど
の比較的沸点の高い溶媒で希釈した溶液をスピンコート
法で塗布したのち、450℃にて焼成を行った。
【0016】以上のようにして得られた陰極線管は、図
1に示すように屈折率が1.54のガラス製フェースパ
ネル1の外面上に、第1層としてZrO2 とSiO2 を
主成分とする屈折率:1.75の透明なアルカリイオン
拡散防止薄膜2が膜厚t1 :80nmで均一に形成され
ており、第1層の表面上に第2層としてSnO2 を主成
分とする屈折率:2.00の透明な導電性高屈折率薄膜
3が膜厚t2 :60nmで均一に形成されており、さら
に第2層2の表面上に第3層としてSiO2 を主成分と
する屈折率:1.47の平滑な透明な低屈折率薄膜4が
膜厚t3 :95nmで形成されていた。
1に示すように屈折率が1.54のガラス製フェースパ
ネル1の外面上に、第1層としてZrO2 とSiO2 を
主成分とする屈折率:1.75の透明なアルカリイオン
拡散防止薄膜2が膜厚t1 :80nmで均一に形成され
ており、第1層の表面上に第2層としてSnO2 を主成
分とする屈折率:2.00の透明な導電性高屈折率薄膜
3が膜厚t2 :60nmで均一に形成されており、さら
に第2層2の表面上に第3層としてSiO2 を主成分と
する屈折率:1.47の平滑な透明な低屈折率薄膜4が
膜厚t3 :95nmで形成されていた。
【0017】本実施例のCRT表面の鏡面反射光のスペ
クトルを測定した結果を、図4の曲線5に示す。比較例
として、未処理のCRT表面の鏡面反射スペクトルを直
線6に示す。図4から明らかなように、未処理のCRT
の鏡面反射率の4.5%に対し、本実施例のCRTの反
射率は可視光の470〜640nmの広範囲にわたって
0.5%以下に抑えられた優れた反射防止効果が得られ
た。
クトルを測定した結果を、図4の曲線5に示す。比較例
として、未処理のCRT表面の鏡面反射スペクトルを直
線6に示す。図4から明らかなように、未処理のCRT
の鏡面反射率の4.5%に対し、本実施例のCRTの反
射率は可視光の470〜640nmの広範囲にわたって
0.5%以下に抑えられた優れた反射防止効果が得られ
た。
【0018】また、本実施例のCRTの表面抵抗率は、
300Ω/□であり、図5のCRTの電源ON時、OF
F時のフェースパネルの表面の電位変化を表す表面電位
減衰特性に示すように、本実施例のCRTの電源ON
時、OFF時のフェースパネルの表面電位減衰特性曲線
7、8は瞬時に表面電位が減衰していた。これに対して
比較例の未処理のCRTの電源ON時、OFF時のフェ
ースパネルの表面電位減衰特性曲線9、10は、表面電
位が減衰するまでに長時間を要した。図5から明らかな
通り、本実施例のCRTは比較例に比べ顕著に表面の帯
電が低減されていることが確認できた。
300Ω/□であり、図5のCRTの電源ON時、OF
F時のフェースパネルの表面の電位変化を表す表面電位
減衰特性に示すように、本実施例のCRTの電源ON
時、OFF時のフェースパネルの表面電位減衰特性曲線
7、8は瞬時に表面電位が減衰していた。これに対して
比較例の未処理のCRTの電源ON時、OFF時のフェ
ースパネルの表面電位減衰特性曲線9、10は、表面電
位が減衰するまでに長時間を要した。図5から明らかな
通り、本実施例のCRTは比較例に比べ顕著に表面の帯
電が低減されていることが確認できた。
【0019】このように、表面電位減衰特性が向上する
のは、アルカリイオン拡散防止薄膜を介したことで、導
電性薄膜や反射防止膜を形成する際の焼成時に、フェー
スパネルガラスに含まれるナトリウムイオンなどのアル
カリイオンが導電性薄膜に拡散し、本来の導電性を阻害
することが防止できたからであると考えられる。
のは、アルカリイオン拡散防止薄膜を介したことで、導
電性薄膜や反射防止膜を形成する際の焼成時に、フェー
スパネルガラスに含まれるナトリウムイオンなどのアル
カリイオンが導電性薄膜に拡散し、本来の導電性を阻害
することが防止できたからであると考えられる。
【0020】CRTからの漏洩電界の遮蔽については、
TCO規格に準じて測定した結果、図6に表面抵抗率と
電界強度(VLF帯域)の関係として曲線11に示すよ
うに、表面抵抗率が2000Ω/□以下でTCO規格の
1V/m以下を満足することができることがわかる。本
実施例のCRTでは、電界強度(VLF帯域)が0.2
V/mであり、充分にTCO規格を満足することができ
ることが確認できた。
TCO規格に準じて測定した結果、図6に表面抵抗率と
電界強度(VLF帯域)の関係として曲線11に示すよ
うに、表面抵抗率が2000Ω/□以下でTCO規格の
1V/m以下を満足することができることがわかる。本
実施例のCRTでは、電界強度(VLF帯域)が0.2
V/mであり、充分にTCO規格を満足することができ
ることが確認できた。
【0021】(実施例2)本実施例は、第3層4´とし
て露出表面に多数の凹凸を設ける場合であり、実施例1
と同様の方法で第1層2、第2層3および第3層4を塗
布した。その後、焼成を行う前に、第3層4表面上にS
i(OC2H5)4 をエタノール溶媒中、塩酸触媒存在下
で加水分解、および重縮合させた溶液を気−液2流体噴
霧方式(空気などの気体とコーティング溶液を噴霧方式
で吹き付けるコーティング方法)にて低密度のスプレー
コートを行うか、もしくはスピンコート法による第3層
4の形成の代わりに、第2層3の表面上にSi(OC2
H5)4 をエタノール溶媒中、塩酸触媒存在下で加水分
解、および重縮合させた溶液を気−液2流体噴霧方式に
てスプレーコートを行い、多数の凹凸を有する第3層4
´を塗布した。その後、焼成を行うことで、図3に示す
ように実施例1と同様にフェースパネル1の外表面上に
第1層のアルカリイオン拡散防止薄膜2および第2層の
導電性高屈折率薄膜3が順次積層されており、第2層3
の表面上に第3層としてSiO2 を主成分とする屈折
率:1.47の露出表面に多数の凹凸を有する透明低屈
折率薄膜4´が、平均膜厚t4 :95nmで形成でき
た。
て露出表面に多数の凹凸を設ける場合であり、実施例1
と同様の方法で第1層2、第2層3および第3層4を塗
布した。その後、焼成を行う前に、第3層4表面上にS
i(OC2H5)4 をエタノール溶媒中、塩酸触媒存在下
で加水分解、および重縮合させた溶液を気−液2流体噴
霧方式(空気などの気体とコーティング溶液を噴霧方式
で吹き付けるコーティング方法)にて低密度のスプレー
コートを行うか、もしくはスピンコート法による第3層
4の形成の代わりに、第2層3の表面上にSi(OC2
H5)4 をエタノール溶媒中、塩酸触媒存在下で加水分
解、および重縮合させた溶液を気−液2流体噴霧方式に
てスプレーコートを行い、多数の凹凸を有する第3層4
´を塗布した。その後、焼成を行うことで、図3に示す
ように実施例1と同様にフェースパネル1の外表面上に
第1層のアルカリイオン拡散防止薄膜2および第2層の
導電性高屈折率薄膜3が順次積層されており、第2層3
の表面上に第3層としてSiO2 を主成分とする屈折
率:1.47の露出表面に多数の凹凸を有する透明低屈
折率薄膜4´が、平均膜厚t4 :95nmで形成でき
た。
【0022】以上のようにして得られた陰極線管も実施
例1と同様に、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効
果が得られ、さらに漏洩電界についてTCO規格を満足
することができた。
例1と同様に、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効
果が得られ、さらに漏洩電界についてTCO規格を満足
することができた。
【0023】上記実施例1および実施例2の第1層のア
ルカリイオン拡散防止薄膜2および実施例1の第3層の
低屈折率薄膜4の形成方法としてスピンコート法を用い
たが、膜厚を均一にできる方法であれば、ディップコー
ト法などを用いることができる。また、実施例1および
実施例2の第2層の導電性高屈折率薄膜3は、CVD法
によるSnO2 を用いたが、SbをドープしたSnO2
やSnをドープしたIn2O3の微粒子を分散させた溶液
をスピンコートやディップコートなどで得ることができ
る。また、第1層のアルカリイオン拡散防止薄膜2の屈
折率は実施例1および実施例2では1.75としたが、
図7のアルカリイオン拡散防止薄膜の屈折率と反射スペ
クトルの関係に示すようにアルカリイオン拡散防止膜の
構成をZnO2とSiO2の混合比により屈折率1.7〜
1.8の範囲にすることで、各層の反射光が可視光の幅
広い範囲において干渉作用により打ち消し合うため、S
iO2単独の場合の屈折率1.47やZnO2単独の場合
の屈折率2.00の場合に比べて特に優れた反射防止効
果が得られる。
ルカリイオン拡散防止薄膜2および実施例1の第3層の
低屈折率薄膜4の形成方法としてスピンコート法を用い
たが、膜厚を均一にできる方法であれば、ディップコー
ト法などを用いることができる。また、実施例1および
実施例2の第2層の導電性高屈折率薄膜3は、CVD法
によるSnO2 を用いたが、SbをドープしたSnO2
やSnをドープしたIn2O3の微粒子を分散させた溶液
をスピンコートやディップコートなどで得ることができ
る。また、第1層のアルカリイオン拡散防止薄膜2の屈
折率は実施例1および実施例2では1.75としたが、
図7のアルカリイオン拡散防止薄膜の屈折率と反射スペ
クトルの関係に示すようにアルカリイオン拡散防止膜の
構成をZnO2とSiO2の混合比により屈折率1.7〜
1.8の範囲にすることで、各層の反射光が可視光の幅
広い範囲において干渉作用により打ち消し合うため、S
iO2単独の場合の屈折率1.47やZnO2単独の場合
の屈折率2.00の場合に比べて特に優れた反射防止効
果が得られる。
【0024】焼成温度については、実用的な表面コート
の膜強度が得られる150℃からフェースパネルが変形
しない500℃まで自由に選択することができる。
の膜強度が得られる150℃からフェースパネルが変形
しない500℃まで自由に選択することができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、ガラス製フ
ェースパネル上に、アルカリイオン拡散防止薄膜を介し
て透明導電性薄膜を形成したことにより、十分な反射防
止効果と十分な帯電防止効果が得られ、さらに漏洩電界
についてTCO規格を満足することができ、比較的低コ
ストなCRTを提供できる。より好ましくは、フェース
パネル上にSiO2もしくはZrO2を主成分とするアル
カリイオンの拡散防止膜、表面抵抗率が2000Ω/□
以下の透明導電性薄膜、平坦なもしくは多数の凹凸を有
する低屈折率薄膜のそれぞれ適切な屈折率と膜厚の薄膜
を積層することで、優れた帯電防止効果によりフェース
パネルへのほこりの付着を防ぎ、常に解像度の良い画像
を維持するとともに観測者がフェースパネルに触れた際
の不快感や電撃ショクを無くすことができる。また、漏
洩電界に関してのTCO規格を満足する漏洩電界遮蔽効
果により人体への悪影響が懸念される低周波の交番電界
の放射をほとんど無くすことができ、さらに、優れた反
射防止効果により煩わしい室内照明灯などの外光の反射
を防いで視覚疲労を軽減することで、観測者の健康に対
して安全な陰極線管を提供することができる。
ェースパネル上に、アルカリイオン拡散防止薄膜を介し
て透明導電性薄膜を形成したことにより、十分な反射防
止効果と十分な帯電防止効果が得られ、さらに漏洩電界
についてTCO規格を満足することができ、比較的低コ
ストなCRTを提供できる。より好ましくは、フェース
パネル上にSiO2もしくはZrO2を主成分とするアル
カリイオンの拡散防止膜、表面抵抗率が2000Ω/□
以下の透明導電性薄膜、平坦なもしくは多数の凹凸を有
する低屈折率薄膜のそれぞれ適切な屈折率と膜厚の薄膜
を積層することで、優れた帯電防止効果によりフェース
パネルへのほこりの付着を防ぎ、常に解像度の良い画像
を維持するとともに観測者がフェースパネルに触れた際
の不快感や電撃ショクを無くすことができる。また、漏
洩電界に関してのTCO規格を満足する漏洩電界遮蔽効
果により人体への悪影響が懸念される低周波の交番電界
の放射をほとんど無くすことができ、さらに、優れた反
射防止効果により煩わしい室内照明灯などの外光の反射
を防いで視覚疲労を軽減することで、観測者の健康に対
して安全な陰極線管を提供することができる。
【図1】本発明の実施例1の陰極線管を示す要部拡大断
面図
面図
【図2】本発明の陰極線管の全体構成を示す模式的側面
図
図
【図3】本発明の実施例2による陰極線管の要部拡大断
面図
面図
【図4】本発明の実施例1と比較例の陰極線管表面の鏡
面反射光のスペクトル
面反射光のスペクトル
【図5】本発明の実施例1と比較例の電源ON時、OF
F時の陰極線管フェースパネルの表面電位減衰特性
F時の陰極線管フェースパネルの表面電位減衰特性
【図6】表面抵抗率と電界強度(VLF帯域)の関係
【図7】本発明の実施例1〜2の陰極線管のアルカリイ
オン拡散防止薄膜の屈折率と反射スペクトルの関係
オン拡散防止薄膜の屈折率と反射スペクトルの関係
1 陰極線管フェースパネル 2 アルカリイオン拡散防止薄膜 3 導電性高屈折率薄膜 4 低屈折率薄膜 5 実施例1のCRT表面の鏡面反射光のスペクトル 6 比較例のCRT表面の鏡面反射スペクトル 7,8 実施例1のCRTの表面電位減衰特性曲線 9,10 比較例のCRTの表面電位減衰特性曲線 11 表面抵抗率と電界強度(VLF帯域)の関係曲線 22 ファンネル 23 アノードボタン 24 ネック部 25 ソケット 26 偏向ヨーク 27 補強バンド
Claims (6)
- 【請求項1】 ガラス製フェースパネル上に、アルカリ
イオン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成した
ことを特徴とする陰極線管。 - 【請求項2】 導電性薄膜上に、さらに低屈折率薄膜か
らなる導電性の反射防止膜を備えた請求項1に記載の陰
極線管。 - 【請求項3】 導電性薄膜上に、さらに多数の凹凸を露
出表面に有する低屈折率薄膜膜からなる導電性の反射防
止膜を備えた請求項1に記載の陰極線管。 - 【請求項4】 導電性薄膜の表面抵抗率が、2000Ω
/□以下である請求項1〜3のいずれかに記載の陰極線
管。 - 【請求項5】 導電性薄膜が、SnO2及びIn2O3 か
ら選ばれる少なくとも一つの酸化物を主成分とする請求
項1〜3のいずれかに記載の陰極線管。 - 【請求項6】 アルカリイオン拡散防止薄膜が、ZrO
2 及びSiO2 から選ばれる少なくとも一つを主成分と
する請求項1〜3のいずれかに記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7168754A JPH0922668A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7168754A JPH0922668A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 陰極線管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0922668A true JPH0922668A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15873819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7168754A Pending JPH0922668A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 陰極線管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0922668A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006022427A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Fujifilm Corporation | Anti-reflection film and polarizing plate and image display comprising same |
EP1972968A3 (en) * | 2005-02-18 | 2010-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
US8501270B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP7168754A patent/JPH0922668A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006022427A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Fujifilm Corporation | Anti-reflection film and polarizing plate and image display comprising same |
EP1972968A3 (en) * | 2005-02-18 | 2010-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
US7811684B2 (en) | 2005-02-18 | 2010-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
US7931936B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
US8501270B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
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