JPH0922668A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPH0922668A JPH0922668A JP7168754A JP16875495A JPH0922668A JP H0922668 A JPH0922668 A JP H0922668A JP 7168754 A JP7168754 A JP 7168754A JP 16875495 A JP16875495 A JP 16875495A JP H0922668 A JPH0922668 A JP H0922668A
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- ray tube
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス製フェースパネル上に、アルカリイオ
ン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成したこと
により、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効果が得
られ、さらに漏洩電界についてＴＣＯ規格を満足するこ
とができ、比較的低コストなＣＲＴを提供する。 【解決手段】 屈折率が１．５４のガラス製フェースパ
ネル１の外面上に、第１層としてＺｒＯ2とＳｉＯ2を主
成分とする屈折率が１．７５の透明なアルカリイオン拡
散防止薄膜２が膜厚ｔ1 が８０ｎｍとなるように均一に
形成し、第１層の表面上に第２層としてＳｎＯ2 を主成
分とする屈折率が２．００の透明な導電性高屈折率薄膜
３が膜厚ｔ2 が６０ｎｍとなるように均一に形成されて
おり、さらに第２層２の表面上に第３層としてＳｉＯ2
を主成分とする屈折率１．４７の平滑な透明な低屈折率
薄膜４が膜厚ｔ3 が９５ｎｍとなるように形成する。
ン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成したこと
により、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効果が得
られ、さらに漏洩電界についてＴＣＯ規格を満足するこ
とができ、比較的低コストなＣＲＴを提供する。 【解決手段】 屈折率が１．５４のガラス製フェースパ
ネル１の外面上に、第１層としてＺｒＯ2とＳｉＯ2を主
成分とする屈折率が１．７５の透明なアルカリイオン拡
散防止薄膜２が膜厚ｔ1 が８０ｎｍとなるように均一に
形成し、第１層の表面上に第２層としてＳｎＯ2 を主成
分とする屈折率が２．００の透明な導電性高屈折率薄膜
３が膜厚ｔ2 が６０ｎｍとなるように均一に形成されて
おり、さらに第２層２の表面上に第３層としてＳｉＯ2
を主成分とする屈折率１．４７の平滑な透明な低屈折率
薄膜４が膜厚ｔ3 が９５ｎｍとなるように形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェースパネル表
面に漏洩電界の遮蔽、帯電防止および外光反射の低減の
機能性表面コートを備えた陰極線管（以下ＣＲＴとい
う）に関するものである。
面に漏洩電界の遮蔽、帯電防止および外光反射の低減の
機能性表面コートを備えた陰極線管（以下ＣＲＴとい
う）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】室内照明灯などの外光が、ＣＲＴのフェ
ースパネルの外面で鏡面反射すると、再生画像が非常に
見づらくなる。また、ＣＲＴは、動作原理上２５ｋＶ以
上の高圧が印加されており、フェースパネルの外表面が
帯電して、観測者が接近した時に放電現象が起こり、観
測者に不快感を与えたり、場合によっては電撃を与える
ことがある。これらの問題を解決するために、外光反射
を低減し、かつフェースパネルの帯電を防止する手段と
して、フェースパネル表面上にＳｎＯ2 などの金属酸化
物を分散させたエチルシリケートのアルコール溶液およ
びエチルシリケートのアルコール溶液を順次スピンコー
トしたのち、焼成することで、ＣＲＴフェースパネルの
外面上に導電性の高屈折率薄膜と低屈折率薄膜の２層膜
を設け、帯電防止機能と干渉作用による反射低減機能を
得る方法が特開平５−６７４３２号公報に開示されてお
り、実用化されている。また、前記の２層の帯電防止お
よび低反射機能を有するＣＲＴの表面コートの露出表面
に凹凸を設けて、帯電防止機能および干渉による反射低
減と反射光の乱反射の相乗効果により顕著な反射低減機
能を得る方法が特開平５−３４３００８号公報および特
開平６−２４３８０３号公報に開示されており、実用化
されている。
ースパネルの外面で鏡面反射すると、再生画像が非常に
見づらくなる。また、ＣＲＴは、動作原理上２５ｋＶ以
上の高圧が印加されており、フェースパネルの外表面が
帯電して、観測者が接近した時に放電現象が起こり、観
測者に不快感を与えたり、場合によっては電撃を与える
ことがある。これらの問題を解決するために、外光反射
を低減し、かつフェースパネルの帯電を防止する手段と
して、フェースパネル表面上にＳｎＯ2 などの金属酸化
物を分散させたエチルシリケートのアルコール溶液およ
びエチルシリケートのアルコール溶液を順次スピンコー
トしたのち、焼成することで、ＣＲＴフェースパネルの
外面上に導電性の高屈折率薄膜と低屈折率薄膜の２層膜
を設け、帯電防止機能と干渉作用による反射低減機能を
得る方法が特開平５−６７４３２号公報に開示されてお
り、実用化されている。また、前記の２層の帯電防止お
よび低反射機能を有するＣＲＴの表面コートの露出表面
に凹凸を設けて、帯電防止機能および干渉による反射低
減と反射光の乱反射の相乗効果により顕著な反射低減機
能を得る方法が特開平５−３４３００８号公報および特
開平６−２４３８０３号公報に開示されており、実用化
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来構成
の帯電防止を目的とした表面コートでは、ほとんどが表
面抵抗率は１０6Ω／□程度で、もっとも優れたもので
も１０4Ω／□が限界であり、反射低減機能に比べて帯
電防止機能が不十分であるという傾向があった。これ
は、表面抵抗をさらに低くするために導電性薄膜の膜厚
を厚くすると表面の反射率が高くなり反射防止効果が損
なわれるためである。前記において、□は正方形の面積
当たりを示す。
の帯電防止を目的とした表面コートでは、ほとんどが表
面抵抗率は１０6Ω／□程度で、もっとも優れたもので
も１０4Ω／□が限界であり、反射低減機能に比べて帯
電防止機能が不十分であるという傾向があった。これ
は、表面抵抗をさらに低くするために導電性薄膜の膜厚
を厚くすると表面の反射率が高くなり反射防止効果が損
なわれるためである。前記において、□は正方形の面積
当たりを示す。
【０００４】また、真空蒸着やスパッタリングによる導
電性薄膜を含む４層以上の多層蒸着膜は、帯電防止膜に
十分な導電性を持たせ、かつ、反射防止効果を得ること
ができるが、高価な設備と材料が必要であり、製造コス
トが増大するという問題がある。
電性薄膜を含む４層以上の多層蒸着膜は、帯電防止膜に
十分な導電性を持たせ、かつ、反射防止効果を得ること
ができるが、高価な設備と材料が必要であり、製造コス
トが増大するという問題がある。
【０００５】特に、近年ＣＲＴの電子ビームの変調や偏
向ヨークから発生する低周波の交番電界が人体に与える
悪影響が懸念され、スウェーデンにおけるＴＣＯ（The
Swedish Confederation of Professional Employees ）
規格のようにＣＲＴを用いたディスプレイモニターから
の漏洩電界強度が規制されるようになってきている。こ
のため、ディスプレイモニターセットとの複合の対策な
しにＣＲＴ単体でこの漏洩電界を遮蔽するためにも、よ
り低抵抗の帯電防止膜が要求されている。
向ヨークから発生する低周波の交番電界が人体に与える
悪影響が懸念され、スウェーデンにおけるＴＣＯ（The
Swedish Confederation of Professional Employees ）
規格のようにＣＲＴを用いたディスプレイモニターから
の漏洩電界強度が規制されるようになってきている。こ
のため、ディスプレイモニターセットとの複合の対策な
しにＣＲＴ単体でこの漏洩電界を遮蔽するためにも、よ
り低抵抗の帯電防止膜が要求されている。
【０００６】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効果が得ら
れ、さらに漏洩電界についてＴＣＯ規格を満足すること
ができる比較的低コストなＣＲＴを提供することを目的
とする。
め、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効果が得ら
れ、さらに漏洩電界についてＴＣＯ規格を満足すること
ができる比較的低コストなＣＲＴを提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の陰極線管は、ガラス製フェースパネル上に、ア
ルカリイオン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形
成したという構成を備えたものである。。
本発明の陰極線管は、ガラス製フェースパネル上に、ア
ルカリイオン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形
成したという構成を備えたものである。。
【０００８】前記構成においては、導電性薄膜上に、さ
らに低屈折率薄膜からなる導電性の反射防止膜を備えた
ことが好ましい。また前記構成においては、導電性薄膜
上に、さらに多数の凹凸を露出表面に有する低屈折率薄
膜膜からなる導電性の反射防止膜を備えたことが好まし
い。
らに低屈折率薄膜からなる導電性の反射防止膜を備えた
ことが好ましい。また前記構成においては、導電性薄膜
上に、さらに多数の凹凸を露出表面に有する低屈折率薄
膜膜からなる導電性の反射防止膜を備えたことが好まし
い。
【０００９】また前記構成においては、導電性薄膜の表
面抵抗率が、２０００Ω／□以下であることが好まし
い。導電性薄膜の表面抵抗率の下限値は特に制限はない
が通常１００Ω／□程度である。
面抵抗率が、２０００Ω／□以下であることが好まし
い。導電性薄膜の表面抵抗率の下限値は特に制限はない
が通常１００Ω／□程度である。
【００１０】また前記構成においては、導電性薄膜が、
ＳｎＯ2 及びＩｎ2Ｏ3から選ばれる少なくとも一つの酸
化物を主成分とすることが好ましい。導電性に優れるか
らである。
ＳｎＯ2 及びＩｎ2Ｏ3から選ばれる少なくとも一つの酸
化物を主成分とすることが好ましい。導電性に優れるか
らである。
【００１１】また前記構成においては、アルカリイオン
拡散防止薄膜が、ＺｒＯ2 及びＳｉＯ2 から選ばれる少
なくとも一つを主成分とすることが好ましい。フェース
パネルに含まれるアルカリイオンが導電性薄膜に拡散す
ることによる導電性の劣化をさらに防止できるからであ
る。
拡散防止薄膜が、ＺｒＯ2 及びＳｉＯ2 から選ばれる少
なくとも一つを主成分とすることが好ましい。フェース
パネルに含まれるアルカリイオンが導電性薄膜に拡散す
ることによる導電性の劣化をさらに防止できるからであ
る。
【００１２】以上の通り、本発明のＣＲＴは、ガラス製
フェースパネルの外面上に、アルカリイオン拡散防止薄
膜を介して導電性薄膜を形成しており、さらには、前記
導電性薄膜上に形成された平坦な低屈折率薄膜、もしく
は多数の凹凸を露出表面に有する低屈折率薄膜からなる
導電性の反射防止表面コートを備える。
フェースパネルの外面上に、アルカリイオン拡散防止薄
膜を介して導電性薄膜を形成しており、さらには、前記
導電性薄膜上に形成された平坦な低屈折率薄膜、もしく
は多数の凹凸を露出表面に有する低屈折率薄膜からなる
導電性の反射防止表面コートを備える。
【００１３】
【発明の実施の形態】前記した本発明の陰極線管によれ
ば、ガラス製フェースパネル上に、アルカリイオン拡散
防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成したという構成
を備えたことにより、十分な反射防止効果と十分な帯電
防止効果が得られ、さらに漏洩電界についてＴＣＯ規格
を満足することができる比較的低コストなＣＲＴを実現
できる。すなわち、上記構成とすることで、フェースパ
ネルに含まれるアルカリイオンが導電性薄膜に拡散する
ことによる導電性の劣化がなく、安定な低抵抗率を確保
することができ、優れた帯電防止効果が得られるばかり
でなく、ＣＲＴからの漏洩電界強度をＴＣＯ規制を満足
するレベルまで低減することができる。
ば、ガラス製フェースパネル上に、アルカリイオン拡散
防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成したという構成
を備えたことにより、十分な反射防止効果と十分な帯電
防止効果が得られ、さらに漏洩電界についてＴＣＯ規格
を満足することができる比較的低コストなＣＲＴを実現
できる。すなわち、上記構成とすることで、フェースパ
ネルに含まれるアルカリイオンが導電性薄膜に拡散する
ことによる導電性の劣化がなく、安定な低抵抗率を確保
することができ、優れた帯電防止効果が得られるばかり
でなく、ＣＲＴからの漏洩電界強度をＴＣＯ規制を満足
するレベルまで低減することができる。
【００１４】また、アルカリイオンの拡散防止膜の屈折
率を適切にすることで、導電性薄膜の膜厚を厚くしても
優れた反射防止効果を得ることができる。図２はＣＲＴ
の全体図を示している。ＣＲＴは、その内部に図示しな
い蛍光面を有するフェースパネル１とファンネル２２よ
り構成されている。ファンネル２２には、高圧電源から
アノード電圧を供給するためのアノードボタン２３が埋
設されている。ファンネル２２の後端部には、内部に図
示しない電子銃を有するネック部２４が設けられてい
る。このネック部の最後端部より、図示しないステムピ
ンを介して電子銃の各電極に所定の駆動電圧が印加され
る。ファンネル部２２とネック部２４との境界部の外側
には、電子銃から発射された電子ビームを蛍光面上で走
査するための偏向ヨーク２６が設けられている。２５は
ＣＲＴ電子銃に駆動電源を接続するソケットであり、２
７はＣＲＴの爆縮を防ぐための補強バンドである。
率を適切にすることで、導電性薄膜の膜厚を厚くしても
優れた反射防止効果を得ることができる。図２はＣＲＴ
の全体図を示している。ＣＲＴは、その内部に図示しな
い蛍光面を有するフェースパネル１とファンネル２２よ
り構成されている。ファンネル２２には、高圧電源から
アノード電圧を供給するためのアノードボタン２３が埋
設されている。ファンネル２２の後端部には、内部に図
示しない電子銃を有するネック部２４が設けられてい
る。このネック部の最後端部より、図示しないステムピ
ンを介して電子銃の各電極に所定の駆動電圧が印加され
る。ファンネル部２２とネック部２４との境界部の外側
には、電子銃から発射された電子ビームを蛍光面上で走
査するための偏向ヨーク２６が設けられている。２５は
ＣＲＴ電子銃に駆動電源を接続するソケットであり、２
７はＣＲＴの爆縮を防ぐための補強バンドである。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
具体的に説明する。 （実施例１）Ｚｒ（ＯＣ3Ｈ7）4とＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4を
モル比が１：１の割合でエタノール溶媒中、塩酸触媒存
在下で加水分解及び共重合させ、次いでイソプロピルア
ルコールまたはジアセトンアルコールなどの比較的沸点
の高い溶媒で希釈してコーティング溶液を調整した。こ
のコーティング溶液をフェースパネル１の外面上に、ス
ピンコート法で塗布し乾燥した。その後、ＣＶＤ(chemi
cal vapor deposite：化学蒸着)法にてＳｎＯ2を積層し
た。さらにＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4 をエタノール溶媒中、塩
酸触媒存在下で加水分解、および重縮合させ、次いでイ
ソプロピルアルコールまたはジアセトンアルコールなど
の比較的沸点の高い溶媒で希釈した溶液をスピンコート
法で塗布したのち、４５０℃にて焼成を行った。
具体的に説明する。 （実施例１）Ｚｒ（ＯＣ3Ｈ7）4とＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4を
モル比が１：１の割合でエタノール溶媒中、塩酸触媒存
在下で加水分解及び共重合させ、次いでイソプロピルア
ルコールまたはジアセトンアルコールなどの比較的沸点
の高い溶媒で希釈してコーティング溶液を調整した。こ
のコーティング溶液をフェースパネル１の外面上に、ス
ピンコート法で塗布し乾燥した。その後、ＣＶＤ(chemi
cal vapor deposite：化学蒸着)法にてＳｎＯ2を積層し
た。さらにＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4 をエタノール溶媒中、塩
酸触媒存在下で加水分解、および重縮合させ、次いでイ
ソプロピルアルコールまたはジアセトンアルコールなど
の比較的沸点の高い溶媒で希釈した溶液をスピンコート
法で塗布したのち、４５０℃にて焼成を行った。
【００１６】以上のようにして得られた陰極線管は、図
１に示すように屈折率が１．５４のガラス製フェースパ
ネル１の外面上に、第１層としてＺｒＯ2 とＳｉＯ2 を
主成分とする屈折率：１．７５の透明なアルカリイオン
拡散防止薄膜２が膜厚ｔ1 ：８０ｎｍで均一に形成され
ており、第１層の表面上に第２層としてＳｎＯ2 を主成
分とする屈折率：２．００の透明な導電性高屈折率薄膜
３が膜厚ｔ2 ：６０ｎｍで均一に形成されており、さら
に第２層２の表面上に第３層としてＳｉＯ2 を主成分と
する屈折率：１．４７の平滑な透明な低屈折率薄膜４が
膜厚ｔ3 ：９５ｎｍで形成されていた。
１に示すように屈折率が１．５４のガラス製フェースパ
ネル１の外面上に、第１層としてＺｒＯ2 とＳｉＯ2 を
主成分とする屈折率：１．７５の透明なアルカリイオン
拡散防止薄膜２が膜厚ｔ1 ：８０ｎｍで均一に形成され
ており、第１層の表面上に第２層としてＳｎＯ2 を主成
分とする屈折率：２．００の透明な導電性高屈折率薄膜
３が膜厚ｔ2 ：６０ｎｍで均一に形成されており、さら
に第２層２の表面上に第３層としてＳｉＯ2 を主成分と
する屈折率：１．４７の平滑な透明な低屈折率薄膜４が
膜厚ｔ3 ：９５ｎｍで形成されていた。
【００１７】本実施例のＣＲＴ表面の鏡面反射光のスペ
クトルを測定した結果を、図４の曲線５に示す。比較例
として、未処理のＣＲＴ表面の鏡面反射スペクトルを直
線６に示す。図４から明らかなように、未処理のＣＲＴ
の鏡面反射率の４．５％に対し、本実施例のＣＲＴの反
射率は可視光の４７０〜６４０ｎｍの広範囲にわたって
０．５％以下に抑えられた優れた反射防止効果が得られ
た。
クトルを測定した結果を、図４の曲線５に示す。比較例
として、未処理のＣＲＴ表面の鏡面反射スペクトルを直
線６に示す。図４から明らかなように、未処理のＣＲＴ
の鏡面反射率の４．５％に対し、本実施例のＣＲＴの反
射率は可視光の４７０〜６４０ｎｍの広範囲にわたって
０．５％以下に抑えられた優れた反射防止効果が得られ
た。
【００１８】また、本実施例のＣＲＴの表面抵抗率は、
３００Ω／□であり、図５のＣＲＴの電源ＯＮ時、ＯＦ
Ｆ時のフェースパネルの表面の電位変化を表す表面電位
減衰特性に示すように、本実施例のＣＲＴの電源ＯＮ
時、ＯＦＦ時のフェースパネルの表面電位減衰特性曲線
７、８は瞬時に表面電位が減衰していた。これに対して
比較例の未処理のＣＲＴの電源ＯＮ時、ＯＦＦ時のフェ
ースパネルの表面電位減衰特性曲線９、１０は、表面電
位が減衰するまでに長時間を要した。図５から明らかな
通り、本実施例のＣＲＴは比較例に比べ顕著に表面の帯
電が低減されていることが確認できた。
３００Ω／□であり、図５のＣＲＴの電源ＯＮ時、ＯＦ
Ｆ時のフェースパネルの表面の電位変化を表す表面電位
減衰特性に示すように、本実施例のＣＲＴの電源ＯＮ
時、ＯＦＦ時のフェースパネルの表面電位減衰特性曲線
７、８は瞬時に表面電位が減衰していた。これに対して
比較例の未処理のＣＲＴの電源ＯＮ時、ＯＦＦ時のフェ
ースパネルの表面電位減衰特性曲線９、１０は、表面電
位が減衰するまでに長時間を要した。図５から明らかな
通り、本実施例のＣＲＴは比較例に比べ顕著に表面の帯
電が低減されていることが確認できた。
【００１９】このように、表面電位減衰特性が向上する
のは、アルカリイオン拡散防止薄膜を介したことで、導
電性薄膜や反射防止膜を形成する際の焼成時に、フェー
スパネルガラスに含まれるナトリウムイオンなどのアル
カリイオンが導電性薄膜に拡散し、本来の導電性を阻害
することが防止できたからであると考えられる。
のは、アルカリイオン拡散防止薄膜を介したことで、導
電性薄膜や反射防止膜を形成する際の焼成時に、フェー
スパネルガラスに含まれるナトリウムイオンなどのアル
カリイオンが導電性薄膜に拡散し、本来の導電性を阻害
することが防止できたからであると考えられる。
【００２０】ＣＲＴからの漏洩電界の遮蔽については、
ＴＣＯ規格に準じて測定した結果、図６に表面抵抗率と
電界強度（ＶＬＦ帯域）の関係として曲線１１に示すよ
うに、表面抵抗率が２０００Ω／□以下でＴＣＯ規格の
１Ｖ／ｍ以下を満足することができることがわかる。本
実施例のＣＲＴでは、電界強度（ＶＬＦ帯域）が０．２
Ｖ／ｍであり、充分にＴＣＯ規格を満足することができ
ることが確認できた。
ＴＣＯ規格に準じて測定した結果、図６に表面抵抗率と
電界強度（ＶＬＦ帯域）の関係として曲線１１に示すよ
うに、表面抵抗率が２０００Ω／□以下でＴＣＯ規格の
１Ｖ／ｍ以下を満足することができることがわかる。本
実施例のＣＲＴでは、電界強度（ＶＬＦ帯域）が０．２
Ｖ／ｍであり、充分にＴＣＯ規格を満足することができ
ることが確認できた。
【００２１】（実施例２）本実施例は、第３層４´とし
て露出表面に多数の凹凸を設ける場合であり、実施例１
と同様の方法で第１層２、第２層３および第３層４を塗
布した。その後、焼成を行う前に、第３層４表面上にＳ
ｉ（ＯＣ2Ｈ5）4 をエタノール溶媒中、塩酸触媒存在下
で加水分解、および重縮合させた溶液を気−液２流体噴
霧方式（空気などの気体とコーティング溶液を噴霧方式
で吹き付けるコーティング方法）にて低密度のスプレー
コートを行うか、もしくはスピンコート法による第３層
４の形成の代わりに、第２層３の表面上にＳｉ（ＯＣ2
Ｈ5）4 をエタノール溶媒中、塩酸触媒存在下で加水分
解、および重縮合させた溶液を気−液２流体噴霧方式に
てスプレーコートを行い、多数の凹凸を有する第３層４
´を塗布した。その後、焼成を行うことで、図３に示す
ように実施例１と同様にフェースパネル１の外表面上に
第１層のアルカリイオン拡散防止薄膜２および第２層の
導電性高屈折率薄膜３が順次積層されており、第２層３
の表面上に第３層としてＳｉＯ2 を主成分とする屈折
率：１．４７の露出表面に多数の凹凸を有する透明低屈
折率薄膜４´が、平均膜厚ｔ4 ：９５ｎｍで形成でき
た。
て露出表面に多数の凹凸を設ける場合であり、実施例１
と同様の方法で第１層２、第２層３および第３層４を塗
布した。その後、焼成を行う前に、第３層４表面上にＳ
ｉ（ＯＣ2Ｈ5）4 をエタノール溶媒中、塩酸触媒存在下
で加水分解、および重縮合させた溶液を気−液２流体噴
霧方式（空気などの気体とコーティング溶液を噴霧方式
で吹き付けるコーティング方法）にて低密度のスプレー
コートを行うか、もしくはスピンコート法による第３層
４の形成の代わりに、第２層３の表面上にＳｉ（ＯＣ2
Ｈ5）4 をエタノール溶媒中、塩酸触媒存在下で加水分
解、および重縮合させた溶液を気−液２流体噴霧方式に
てスプレーコートを行い、多数の凹凸を有する第３層４
´を塗布した。その後、焼成を行うことで、図３に示す
ように実施例１と同様にフェースパネル１の外表面上に
第１層のアルカリイオン拡散防止薄膜２および第２層の
導電性高屈折率薄膜３が順次積層されており、第２層３
の表面上に第３層としてＳｉＯ2 を主成分とする屈折
率：１．４７の露出表面に多数の凹凸を有する透明低屈
折率薄膜４´が、平均膜厚ｔ4 ：９５ｎｍで形成でき
た。
【００２２】以上のようにして得られた陰極線管も実施
例１と同様に、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効
果が得られ、さらに漏洩電界についてＴＣＯ規格を満足
することができた。
例１と同様に、十分な反射防止効果と十分な帯電防止効
果が得られ、さらに漏洩電界についてＴＣＯ規格を満足
することができた。
【００２３】上記実施例１および実施例２の第１層のア
ルカリイオン拡散防止薄膜２および実施例１の第３層の
低屈折率薄膜４の形成方法としてスピンコート法を用い
たが、膜厚を均一にできる方法であれば、ディップコー
ト法などを用いることができる。また、実施例１および
実施例２の第２層の導電性高屈折率薄膜３は、ＣＶＤ法
によるＳｎＯ2 を用いたが、ＳｂをドープしたＳｎＯ2
やＳｎをドープしたＩｎ2Ｏ3の微粒子を分散させた溶液
をスピンコートやディップコートなどで得ることができ
る。また、第１層のアルカリイオン拡散防止薄膜２の屈
折率は実施例１および実施例２では１．７５としたが、
図７のアルカリイオン拡散防止薄膜の屈折率と反射スペ
クトルの関係に示すようにアルカリイオン拡散防止膜の
構成をＺｎＯ2とＳｉＯ2の混合比により屈折率１．７〜
１．８の範囲にすることで、各層の反射光が可視光の幅
広い範囲において干渉作用により打ち消し合うため、Ｓ
ｉＯ2単独の場合の屈折率１．４７やＺｎＯ2単独の場合
の屈折率２．００の場合に比べて特に優れた反射防止効
果が得られる。
ルカリイオン拡散防止薄膜２および実施例１の第３層の
低屈折率薄膜４の形成方法としてスピンコート法を用い
たが、膜厚を均一にできる方法であれば、ディップコー
ト法などを用いることができる。また、実施例１および
実施例２の第２層の導電性高屈折率薄膜３は、ＣＶＤ法
によるＳｎＯ2 を用いたが、ＳｂをドープしたＳｎＯ2
やＳｎをドープしたＩｎ2Ｏ3の微粒子を分散させた溶液
をスピンコートやディップコートなどで得ることができ
る。また、第１層のアルカリイオン拡散防止薄膜２の屈
折率は実施例１および実施例２では１．７５としたが、
図７のアルカリイオン拡散防止薄膜の屈折率と反射スペ
クトルの関係に示すようにアルカリイオン拡散防止膜の
構成をＺｎＯ2とＳｉＯ2の混合比により屈折率１．７〜
１．８の範囲にすることで、各層の反射光が可視光の幅
広い範囲において干渉作用により打ち消し合うため、Ｓ
ｉＯ2単独の場合の屈折率１．４７やＺｎＯ2単独の場合
の屈折率２．００の場合に比べて特に優れた反射防止効
果が得られる。
【００２４】焼成温度については、実用的な表面コート
の膜強度が得られる１５０℃からフェースパネルが変形
しない５００℃まで自由に選択することができる。
の膜強度が得られる１５０℃からフェースパネルが変形
しない５００℃まで自由に選択することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、ガラス製フ
ェースパネル上に、アルカリイオン拡散防止薄膜を介し
て透明導電性薄膜を形成したことにより、十分な反射防
止効果と十分な帯電防止効果が得られ、さらに漏洩電界
についてＴＣＯ規格を満足することができ、比較的低コ
ストなＣＲＴを提供できる。より好ましくは、フェース
パネル上にＳｉＯ2もしくはＺｒＯ2を主成分とするアル
カリイオンの拡散防止膜、表面抵抗率が２０００Ω／□
以下の透明導電性薄膜、平坦なもしくは多数の凹凸を有
する低屈折率薄膜のそれぞれ適切な屈折率と膜厚の薄膜
を積層することで、優れた帯電防止効果によりフェース
パネルへのほこりの付着を防ぎ、常に解像度の良い画像
を維持するとともに観測者がフェースパネルに触れた際
の不快感や電撃ショクを無くすことができる。また、漏
洩電界に関してのＴＣＯ規格を満足する漏洩電界遮蔽効
果により人体への悪影響が懸念される低周波の交番電界
の放射をほとんど無くすことができ、さらに、優れた反
射防止効果により煩わしい室内照明灯などの外光の反射
を防いで視覚疲労を軽減することで、観測者の健康に対
して安全な陰極線管を提供することができる。
ェースパネル上に、アルカリイオン拡散防止薄膜を介し
て透明導電性薄膜を形成したことにより、十分な反射防
止効果と十分な帯電防止効果が得られ、さらに漏洩電界
についてＴＣＯ規格を満足することができ、比較的低コ
ストなＣＲＴを提供できる。より好ましくは、フェース
パネル上にＳｉＯ2もしくはＺｒＯ2を主成分とするアル
カリイオンの拡散防止膜、表面抵抗率が２０００Ω／□
以下の透明導電性薄膜、平坦なもしくは多数の凹凸を有
する低屈折率薄膜のそれぞれ適切な屈折率と膜厚の薄膜
を積層することで、優れた帯電防止効果によりフェース
パネルへのほこりの付着を防ぎ、常に解像度の良い画像
を維持するとともに観測者がフェースパネルに触れた際
の不快感や電撃ショクを無くすことができる。また、漏
洩電界に関してのＴＣＯ規格を満足する漏洩電界遮蔽効
果により人体への悪影響が懸念される低周波の交番電界
の放射をほとんど無くすことができ、さらに、優れた反
射防止効果により煩わしい室内照明灯などの外光の反射
を防いで視覚疲労を軽減することで、観測者の健康に対
して安全な陰極線管を提供することができる。
【図１】本発明の実施例１の陰極線管を示す要部拡大断
面図
面図
【図２】本発明の陰極線管の全体構成を示す模式的側面
図
図
【図３】本発明の実施例２による陰極線管の要部拡大断
面図
面図
【図４】本発明の実施例１と比較例の陰極線管表面の鏡
面反射光のスペクトル
面反射光のスペクトル
【図５】本発明の実施例１と比較例の電源ＯＮ時、ＯＦ
Ｆ時の陰極線管フェースパネルの表面電位減衰特性
Ｆ時の陰極線管フェースパネルの表面電位減衰特性
【図６】表面抵抗率と電界強度（ＶＬＦ帯域）の関係
【図７】本発明の実施例１〜２の陰極線管のアルカリイ
オン拡散防止薄膜の屈折率と反射スペクトルの関係
オン拡散防止薄膜の屈折率と反射スペクトルの関係
１ 陰極線管フェースパネル ２ アルカリイオン拡散防止薄膜 ３ 導電性高屈折率薄膜 ４ 低屈折率薄膜 ５ 実施例１のＣＲＴ表面の鏡面反射光のスペクトル ６ 比較例のＣＲＴ表面の鏡面反射スペクトル ７，８ 実施例１のＣＲＴの表面電位減衰特性曲線 ９，１０ 比較例のＣＲＴの表面電位減衰特性曲線 １１ 表面抵抗率と電界強度（ＶＬＦ帯域）の関係曲線 ２２ ファンネル ２３ アノードボタン ２４ ネック部 ２５ ソケット ２６ 偏向ヨーク ２７ 補強バンド
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラス製フェースパネル上に、アルカリ
イオン拡散防止薄膜を介して透明導電性薄膜を形成した
ことを特徴とする陰極線管。 - 【請求項２】 導電性薄膜上に、さらに低屈折率薄膜か
らなる導電性の反射防止膜を備えた請求項１に記載の陰
極線管。 - 【請求項３】 導電性薄膜上に、さらに多数の凹凸を露
出表面に有する低屈折率薄膜膜からなる導電性の反射防
止膜を備えた請求項１に記載の陰極線管。 - 【請求項４】 導電性薄膜の表面抵抗率が、２０００Ω
／□以下である請求項１〜３のいずれかに記載の陰極線
管。 - 【請求項５】 導電性薄膜が、ＳｎＯ2及びＩｎ2Ｏ3 か
ら選ばれる少なくとも一つの酸化物を主成分とする請求
項１〜３のいずれかに記載の陰極線管。 - 【請求項６】 アルカリイオン拡散防止薄膜が、ＺｒＯ
2 及びＳｉＯ2 から選ばれる少なくとも一つを主成分と
する請求項１〜３のいずれかに記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168754A JPH0922668A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168754A JPH0922668A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922668A true JPH0922668A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15873819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7168754A Pending JPH0922668A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0922668A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022427A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Fujifilm Corporation | Anti-reflection film and polarizing plate and image display comprising same |
| EP1972968A3 (en) * | 2005-02-18 | 2010-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
| US8501270B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP7168754A patent/JPH0922668A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022427A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Fujifilm Corporation | Anti-reflection film and polarizing plate and image display comprising same |
| EP1972968A3 (en) * | 2005-02-18 | 2010-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
| US7811684B2 (en) | 2005-02-18 | 2010-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
| US7931936B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
| US8501270B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical transparent member and optical system using the same |
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