JPH0883581A - 表示装置の表面基板処理膜とその製造方法 - Google Patents
表示装置の表面基板処理膜とその製造方法Info
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- JPH0883581A JPH0883581A JP6218919A JP21891994A JPH0883581A JP H0883581 A JPH0883581 A JP H0883581A JP 6218919 A JP6218919 A JP 6218919A JP 21891994 A JP21891994 A JP 21891994A JP H0883581 A JPH0883581 A JP H0883581A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】表示装置の表面基体に反射防止／帯電防止／漏
洩電磁界低減膜を形成する。 【構成】表示装置の表面基板（基体）１と空気層４との
間に高屈折率層２と低屈折率層３をこの順で形成して外
来光の反射防止、静電気の帯電防止、または漏洩電磁界
の低減を行うための表面基板処理膜において、前記高屈
折率層２は、前記表面基板１側から前記低屈折率層３に
向かって順次小となる密度分布を有し、前記低屈折率層
３と共に前記表示基板側１から前記空気層４の間に屈折
率が連続的に小さくなるグレーディッド型膜構造を形成
した。
洩電磁界低減膜を形成する。 【構成】表示装置の表面基板（基体）１と空気層４との
間に高屈折率層２と低屈折率層３をこの順で形成して外
来光の反射防止、静電気の帯電防止、または漏洩電磁界
の低減を行うための表面基板処理膜において、前記高屈
折率層２は、前記表面基板１側から前記低屈折率層３に
向かって順次小となる密度分布を有し、前記低屈折率層
３と共に前記表示基板側１から前記空気層４の間に屈折
率が連続的に小さくなるグレーディッド型膜構造を形成
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管や液晶表示装
置、その他の各種表示装置における表面基板に、外光の
反射や静電気の帯電を防止し、あるいは陰極線管にあっ
ては電磁界の漏洩を防止するための表示装置の表面基板
処理膜とその製造方法に関する。
置、その他の各種表示装置における表面基板に、外光の
反射や静電気の帯電を防止し、あるいは陰極線管にあっ
ては電磁界の漏洩を防止するための表示装置の表面基板
処理膜とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パソコンやワークステーション等の情報
処理端末のモニター、対応ソフトウエアの表示性能の高
度化、エルゴノミクス関連規制の広まりに伴って、表示
装置の表面基板（表示面）における表面基板処理膜（以
下、単に表面処理膜とも言う）の性能向上が一層必要と
なっている。
処理端末のモニター、対応ソフトウエアの表示性能の高
度化、エルゴノミクス関連規制の広まりに伴って、表示
装置の表面基板（表示面）における表面基板処理膜（以
下、単に表面処理膜とも言う）の性能向上が一層必要と
なっている。
【０００３】特に、情報量の多いカラーディスプレイモ
ニターに使用される超高精細度のカラーディスプレイ管
としてのシャドウマスク型カラー陰極線管では、そのシ
ャドウマスクのマスクピッチは益々細かくなっており、
表面に機能性処理層を施しても、表面処理を施さない管
（無処理管）と同等レベルの解像度が要求されている。
ニターに使用される超高精細度のカラーディスプレイ管
としてのシャドウマスク型カラー陰極線管では、そのシ
ャドウマスクのマスクピッチは益々細かくなっており、
表面に機能性処理層を施しても、表面処理を施さない管
（無処理管）と同等レベルの解像度が要求されている。
【０００４】このような要求への対策のための表面処理
膜として、光の干渉を利用した多層の蒸着膜や、所謂Ｃ
ＶＤ膜が実用化されている。しかし、これらの蒸着膜や
ＣＶＤ膜（多層コーティング膜）は、その形成コストが
高いため、極く限られた高級品種のみに適用されている
のが現状であり、高性能の表面処理膜を低コストで得る
ことが重要な課題となっている。
膜として、光の干渉を利用した多層の蒸着膜や、所謂Ｃ
ＶＤ膜が実用化されている。しかし、これらの蒸着膜や
ＣＶＤ膜（多層コーティング膜）は、その形成コストが
高いため、極く限られた高級品種のみに適用されている
のが現状であり、高性能の表面処理膜を低コストで得る
ことが重要な課題となっている。
【０００５】また、テレビ用のカラー陰極線管やディス
プレイ用のカラー陰極線管は電源を投入したり切断した
りするときに、そのパネル（表面基板）の内面に電子ビ
ームが当たることによるマイナスの高電位を形成した
り、この高電位が急激に無くなった時に、当該高電位に
対向するための静電荷がパネルの外表面に発生する。
プレイ用のカラー陰極線管は電源を投入したり切断した
りするときに、そのパネル（表面基板）の内面に電子ビ
ームが当たることによるマイナスの高電位を形成した
り、この高電位が急激に無くなった時に、当該高電位に
対向するための静電荷がパネルの外表面に発生する。
【０００６】そして、この静電荷がいつまでも減衰しな
いで残ることで人体に不快感を与えたり、陰極線管の表
面に接触した場合には蓄積した静電荷が人体を通して放
電し、電撃を与えることがある。
いで残ることで人体に不快感を与えたり、陰極線管の表
面に接触した場合には蓄積した静電荷が人体を通して放
電し、電撃を与えることがある。
【０００７】また、反対の電荷に帯電した空気中の埃や
塵、汚染物質がパネルに吸着して陰極線管の映像輝度の
劣化や不快感を招来して映像を見ずらくしてしまう。
塵、汚染物質がパネルに吸着して陰極線管の映像輝度の
劣化や不快感を招来して映像を見ずらくしてしまう。
【０００８】これらの諸問題を解決するために、従来か
ら陰極線管のパネル表面に導電性膜を付与する試みが種
々なされてきた。
ら陰極線管のパネル表面に導電性膜を付与する試みが種
々なされてきた。
【０００９】しかし、近年、急激なパソコン等の情報機
器が普及したことに伴って、その端末表面装置（ＶＤ
Ｕ：Ｖｉｓｕａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｕｎｉｔ）の表面
から漏洩する電磁波輻射、特に低周波交番電界による電
波障害の問題がクローズアップされてきた。
器が普及したことに伴って、その端末表面装置（ＶＤ
Ｕ：Ｖｉｓｕａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｕｎｉｔ）の表面
から漏洩する電磁波輻射、特に低周波交番電界による電
波障害の問題がクローズアップされてきた。
【００１０】この問題に関して、特にスエーデンではＶ
ＤＵからの不要輻射の規制に関する規格「ＭＰＲ−II」
が提案されている。
ＤＵからの不要輻射の規制に関する規格「ＭＰＲ−II」
が提案されている。
【００１１】そして、現在、欧米を中心に、上記の規格
を参考としたＶＤＵからの不要輻射規制の草案が作成さ
れている。さらに、最近では上記「ＭＰＲ−II」よりも
厳しい規格が同国の労働組合より「ＴＣＯ」として提案
されている。
を参考としたＶＤＵからの不要輻射規制の草案が作成さ
れている。さらに、最近では上記「ＭＰＲ−II」よりも
厳しい規格が同国の労働組合より「ＴＣＯ」として提案
されている。
【００１２】このような電磁波ノイズによる人体への影
響が各国で問題視されてきており、これを解決すること
が最大の急務となっている。
響が各国で問題視されてきており、これを解決すること
が最大の急務となっている。
【００１３】漏洩電磁界は、主として陰極線管の偏向ヨ
ークから発生する。この漏洩電磁界を防止する１手段と
して、パネル表面の導電性膜に電磁波が当たったとき
に、当該膜中に渦電流が発生することを利用して電磁波
が観察者に達しないようにする方法がある。
ークから発生する。この漏洩電磁界を防止する１手段と
して、パネル表面の導電性膜に電磁波が当たったとき
に、当該膜中に渦電流が発生することを利用して電磁波
が観察者に達しないようにする方法がある。
【００１４】従来、電源のオン／オフ時に誘起されるパ
ネル表面の静電気の帯電防止のみを対象とした低反射導
電膜を備えた表示装置は、例えば特開平１−１８６５３
３号公報に開示されている。しかし、この従来技術で
は、その表面抵抗値が１０7 Ω／□前後であり、高い電
界強度に耐え得るための電気特性の良導体としては不十
分なものであった。
ネル表面の静電気の帯電防止のみを対象とした低反射導
電膜を備えた表示装置は、例えば特開平１−１８６５３
３号公報に開示されている。しかし、この従来技術で
は、その表面抵抗値が１０7 Ω／□前後であり、高い電
界強度に耐え得るための電気特性の良導体としては不十
分なものであった。
【００１５】このような漏洩電磁界を遮断するための導
電性としては、表面抵抗値が少なくとも１０4 Ω／□以
下の導電膜が必要とされる。
電性としては、表面抵抗値が少なくとも１０4 Ω／□以
下の導電膜が必要とされる。
【００１６】それと同時に、反射防止特性を有すること
も表面装置の機能を高める上で必要不可欠である。
も表面装置の機能を高める上で必要不可欠である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】表示装置の表面反射の
防止と帯電防止のための表面処理膜として、本発明者等
は先に特願平５−２８２５７６号を提案した。
防止と帯電防止のための表面処理膜として、本発明者等
は先に特願平５−２８２５７６号を提案した。
【００１８】この提案では、表示装置の表面基板上にＳ
ｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種以
上の超微粒子からなる導電性高屈折率層と、これらの超
微粒子間および／またはその上にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の
少なくとも一方の低屈折率成分からなるマトリクス層と
を備えた帯電防止および反射防止膜を形成したものであ
る。
ｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種以
上の超微粒子からなる導電性高屈折率層と、これらの超
微粒子間および／またはその上にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の
少なくとも一方の低屈折率成分からなるマトリクス層と
を備えた帯電防止および反射防止膜を形成したものであ
る。
【００１９】上記の処理膜は高屈折率層導電層の超微粒
子の配列が緻密でなく、その表面抵抗値が１０8 Ω／□
前後と高いために、導電性のさらなる向上が必要であ
る。
子の配列が緻密でなく、その表面抵抗値が１０8 Ω／□
前後と高いために、導電性のさらなる向上が必要であ
る。
【００２０】図１１は表示装置の表面基板処理膜の１例
を説明する２層構造の反射防止膜の構造と作用を説明す
る模式図であって、０１は基体（表面基板）、０２は高
屈折率層（第１層）、０３は低屈折率層（第２層）、０
４は空気層である。
を説明する２層構造の反射防止膜の構造と作用を説明す
る模式図であって、０１は基体（表面基板）、０２は高
屈折率層（第１層）、０３は低屈折率層（第２層）、０
４は空気層である。
【００２１】同図において、ｎ0 は基体の屈折率、ｎ1
は高屈折率層の屈折率、ｎ2 は低屈折率層の屈折率、ｎ
3 は空気層の屈折率、ｄ1 は高屈折率層の膜厚、ｄ2 は
低屈折率層の膜厚、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 ，ｒ3 はそれぞれ
基体，高屈折率層，低屈折率層，空気層の各界面におけ
る反射率である。
は高屈折率層の屈折率、ｎ2 は低屈折率層の屈折率、ｎ
3 は空気層の屈折率、ｄ1 は高屈折率層の膜厚、ｄ2 は
低屈折率層の膜厚、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 ，ｒ3 はそれぞれ
基体，高屈折率層，低屈折率層，空気層の各界面におけ
る反射率である。
【００２２】このような処理膜構造における全反射率を
Ｒａとすると、外来光の中心波長をλとして、 Ｒａ＝１−｛（ｒ0 2−１）（ｒ1 2−１）（ｒ2 2−１）｝／Ｄ2 ・・（１） となる。
Ｒａとすると、外来光の中心波長をλとして、 Ｒａ＝１−｛（ｒ0 2−１）（ｒ1 2−１）（ｒ2 2−１）｝／Ｄ2 ・・（１） となる。
【００２３】高屈折率層の位相をδ1 ，低屈折率層の位
相をδ2 としたとき、垂直入射光の場合は、 δ1 ＝４πｎ1 ｄ1 ／λ δ2 ＝４πｎ2 ｄ2 ／λ であり、さらに、 Ｄ2 ＝１＋（ｒ0 ｒ1 ）2 ＋（ｒ1 ｒ2 ）2 ＋（ｒ2 ｒ
0 ）2＋［ｒ1 ｒ2 （１＋ｒ0 2）ｃｏｓδ2 ＋ｒ0 ｒ1
（１＋ｒ2 2）ｃｏｓδ1＋ｒ2 ｒ0 ｛ｃｏｓ（δ1 ＋δ
2 ）＋ｒ1 2ｃｏｓ（δ1 −δ2 ）｝ 垂直入射光の場合は、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 はフレネルの法
則から、 ｒ0 ＝（ｎ1 −ｎ0 ）／（ｎ1 ＋ｎ0 ） ｒ1 ＝（ｎ2 −ｎ1 ）／（ｎ2 ＋ｎ1 ） ｒ2 ＝（ｎ3 −ｎ2 ）／（ｎ3 ＋ｎ2 ） で表すことができるので、式（１）から全反射率Ｒａを
計算することができる。ここで、基体０１の屈折率ｎ0
＝１．５３、高屈折率層の屈折率ｎ1 、低屈折率層の屈
折率ｎ2 ＝１．４５、空気層の屈折率ｎ3 ＝１．００、
各層の膜厚をそれぞれｄ1 ，ｄ2 としたとき、中心波長
λ＝５５５ｎｍとして、 ｎ1 ｄ1 ＝ｎ2 ｄ2 ＝１λ／４ の場合で、高屈折率層の屈折率ｎ1 が変化したとき、全
反射率Ｒａがどのように変化するかを計算した結果を図
１２に示す。
相をδ2 としたとき、垂直入射光の場合は、 δ1 ＝４πｎ1 ｄ1 ／λ δ2 ＝４πｎ2 ｄ2 ／λ であり、さらに、 Ｄ2 ＝１＋（ｒ0 ｒ1 ）2 ＋（ｒ1 ｒ2 ）2 ＋（ｒ2 ｒ
0 ）2＋［ｒ1 ｒ2 （１＋ｒ0 2）ｃｏｓδ2 ＋ｒ0 ｒ1
（１＋ｒ2 2）ｃｏｓδ1＋ｒ2 ｒ0 ｛ｃｏｓ（δ1 ＋δ
2 ）＋ｒ1 2ｃｏｓ（δ1 −δ2 ）｝ 垂直入射光の場合は、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 はフレネルの法
則から、 ｒ0 ＝（ｎ1 −ｎ0 ）／（ｎ1 ＋ｎ0 ） ｒ1 ＝（ｎ2 −ｎ1 ）／（ｎ2 ＋ｎ1 ） ｒ2 ＝（ｎ3 −ｎ2 ）／（ｎ3 ＋ｎ2 ） で表すことができるので、式（１）から全反射率Ｒａを
計算することができる。ここで、基体０１の屈折率ｎ0
＝１．５３、高屈折率層の屈折率ｎ1 、低屈折率層の屈
折率ｎ2 ＝１．４５、空気層の屈折率ｎ3 ＝１．００、
各層の膜厚をそれぞれｄ1 ，ｄ2 としたとき、中心波長
λ＝５５５ｎｍとして、 ｎ1 ｄ1 ＝ｎ2 ｄ2 ＝１λ／４ の場合で、高屈折率層の屈折率ｎ1 が変化したとき、全
反射率Ｒａがどのように変化するかを計算した結果を図
１２に示す。
【００２４】図１２では、横軸に光の波長（ｎｍ）を、
縦軸に反射率（％）を取って高屈折率層の屈折率ｎ1 を
１．７、１．８、１．９、２．０、２．１と変化させた
ときの光波長に対するそれぞれの反射率の状態を示す。
縦軸に反射率（％）を取って高屈折率層の屈折率ｎ1 を
１．７、１．８、１．９、２．０、２．１と変化させた
ときの光波長に対するそれぞれの反射率の状態を示す。
【００２５】このような２層構造の処理膜で高導電性を
得るためには導電性成分である例えばＩｎ2 Ｏ3 ，Ｓｎ
Ｏ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 の密度を高くして緻密な膜
にすればよいが、これらの成分は本来屈折率が大きいも
のであるため、上記高屈折率層の屈折率ｎ1 が大きくな
り、図１２に示したごとく、分光反射特性の形状（波長
に対する反射率の変化）がシャープなＶ字形状となり、
最小反射率の値も順次大きくなる。
得るためには導電性成分である例えばＩｎ2 Ｏ3 ，Ｓｎ
Ｏ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 の密度を高くして緻密な膜
にすればよいが、これらの成分は本来屈折率が大きいも
のであるため、上記高屈折率層の屈折率ｎ1 が大きくな
り、図１２に示したごとく、分光反射特性の形状（波長
に対する反射率の変化）がシャープなＶ字形状となり、
最小反射率の値も順次大きくなる。
【００２６】このように、光の波長に対してシャープな
Ｖ字形状となる膜の反射光は、特定の色に着色して見え
るので、不快感を呈すると同時に人が感じる視感反射率
も大きくなるという問題があった。
Ｖ字形状となる膜の反射光は、特定の色に着色して見え
るので、不快感を呈すると同時に人が感じる視感反射率
も大きくなるという問題があった。
【００２７】以上のことから、本発明の目的は、スピン
ニング法、ディッピング法、スプレイイング法、あるい
はロールコータ法等の簡便な塗布方法で、かつ低温での
焼成により１０4 Ω／□以下の導電膜がえられると共
に、他の膜と組合せて低反射性が得られる表示装置の表
面基板処理膜を提供することにある。
ニング法、ディッピング法、スプレイイング法、あるい
はロールコータ法等の簡便な塗布方法で、かつ低温での
焼成により１０4 Ω／□以下の導電膜がえられると共
に、他の膜と組合せて低反射性が得られる表示装置の表
面基板処理膜を提供することにある。
【００２８】また、本発明の目的は、高導電性を得るた
めに、高屈折率層導電層を緻密にしても、その反射特性
が損なわれない構造の表示装置の表面基板処理膜を提供
することにある。
めに、高屈折率層導電層を緻密にしても、その反射特性
が損なわれない構造の表示装置の表面基板処理膜を提供
することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、表示装置の表面基板からその表面に向か
って順次第１層（高屈折率層）、第２層（低屈折率層）
で構成される膜構造において、上記基板側の高屈折率層
が緻密で、低屈折率層に向かうに従ってその密度が順次
小さくなるようにして、連続的に屈折率が小さくなる屈
折率グレーデッド型の膜構造を表面基板に形成するもの
である。
に、本発明は、表示装置の表面基板からその表面に向か
って順次第１層（高屈折率層）、第２層（低屈折率層）
で構成される膜構造において、上記基板側の高屈折率層
が緻密で、低屈折率層に向かうに従ってその密度が順次
小さくなるようにして、連続的に屈折率が小さくなる屈
折率グレーデッド型の膜構造を表面基板に形成するもの
である。
【００３０】そして、この高屈折率層の膜は、その表面
抵抗値が１０4 Ω／□以下、望ましくは１０3 Ω／□以
下となるようにＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｔ
ｉＯ2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種
以上の導電性を有する緻密な超微粒子および／または結
合体から構成する。そして、屈折率調整と膜強度を高め
るために、ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＭｇＦ2 およびこれらの混合物の中から選択される１種
以上の超微粒子および／または結合体を含むようにした
ものである。
抵抗値が１０4 Ω／□以下、望ましくは１０3 Ω／□以
下となるようにＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｔ
ｉＯ2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種
以上の導電性を有する緻密な超微粒子および／または結
合体から構成する。そして、屈折率調整と膜強度を高め
るために、ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＭｇＦ2 およびこれらの混合物の中から選択される１種
以上の超微粒子および／または結合体を含むようにした
ものである。
【００３１】そして、表面の低屈折率層は、ＳｉＯ2 ，
ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 の中から選択された１種以上の超微
粒子および／または結合体から構成する。
ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 の中から選択された１種以上の超微
粒子および／または結合体から構成する。
【００３２】なお、上記表面基板と第１層である高屈折
率層の間にＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法等によ
る低抵抗高屈折率膜を形成したり、あるいは上記高屈折
率層や低屈折率層に顔料および／または染料を添加して
光吸収特性を付与させたものでもよい。
率層の間にＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法等によ
る低抵抗高屈折率膜を形成したり、あるいは上記高屈折
率層や低屈折率層に顔料および／または染料を添加して
光吸収特性を付与させたものでもよい。
【００３３】図１は本発明による表示装置の表面基板処
理膜の基本的構造とその作用を説明する模式図であっ
て、（ａ）は膜構造、（ｂ）は表面基板（基体）１から
空気層４に至る膜の断面方向に沿った屈折率を示し、ｎ
1aは高屈折率層２の基体１側の屈折率、ｎ1bは高屈折率
層２の低屈折率層３側の屈折率、ｄ1aは高屈折率層２の
基体１側の密領域の膜厚、ｄ1bは高屈折率層２の低屈折
率層３側の疎領域の膜厚である。なお、他の符号は前記
図１１と同一部分に相当する。
理膜の基本的構造とその作用を説明する模式図であっ
て、（ａ）は膜構造、（ｂ）は表面基板（基体）１から
空気層４に至る膜の断面方向に沿った屈折率を示し、ｎ
1aは高屈折率層２の基体１側の屈折率、ｎ1bは高屈折率
層２の低屈折率層３側の屈折率、ｄ1aは高屈折率層２の
基体１側の密領域の膜厚、ｄ1bは高屈折率層２の低屈折
率層３側の疎領域の膜厚である。なお、他の符号は前記
図１１と同一部分に相当する。
【００３４】この場合の反射率は、前記式（１）におい
て、近似的に、 ｒ0 ＝（ｎ1a−ｎ0 ）／（ｎ1a＋ｎ0 ） ｒ0 ＝（ｎ2 −ｎ1b）／（ｎ2 ＋ｎ1b） ｒ0 ＝（ｎ3 −ｎ2 ）／（ｎ3 ＋ｎ2 ） と置いて計算することができる。
て、近似的に、 ｒ0 ＝（ｎ1a−ｎ0 ）／（ｎ1a＋ｎ0 ） ｒ0 ＝（ｎ2 −ｎ1b）／（ｎ2 ＋ｎ1b） ｒ0 ＝（ｎ3 −ｎ2 ）／（ｎ3 ＋ｎ2 ） と置いて計算することができる。
【００３５】図２は高屈折率層の低屈折率層側の屈折率
を順次変えたときの反射特性の変化の説明図であって、
基体の屈折率ｎ0 を１．５３、空気の屈折率を１．０
０、低屈折率層の屈折率ｎ2 を１．４５、高屈折率層の
基板側の屈折率ｎ1aを２．００として高屈折率層の低屈
折率層側の屈折率ｎ1bを順次変えたときの反射特性の変
化を調べた結果を示す。
を順次変えたときの反射特性の変化の説明図であって、
基体の屈折率ｎ0 を１．５３、空気の屈折率を１．０
０、低屈折率層の屈折率ｎ2 を１．４５、高屈折率層の
基板側の屈折率ｎ1aを２．００として高屈折率層の低屈
折率層側の屈折率ｎ1bを順次変えたときの反射特性の変
化を調べた結果を示す。
【００３６】なお、光学膜厚ｎ・ｄは、それぞれ ｎ2 ・ｄ2 ＝（１／４）λ ｎ1a・ｄ1a＝（１／８）λ ｎ1b・ｄ1b＝（１／８）λ として計算した。
【００３７】このように、本発明は第１層の高屈折率層
に屈折率の連続変化を持たせることによって、反射率が
下がり、かつ分光反射率カーブがシャープなＶ字形状か
ら緩やかなＵ字形状に移行し、視感反射率が下がり、特
異な反射色の色を示さずに優れた膜が得られることが確
認された。
に屈折率の連続変化を持たせることによって、反射率が
下がり、かつ分光反射率カーブがシャープなＶ字形状か
ら緩やかなＵ字形状に移行し、視感反射率が下がり、特
異な反射色の色を示さずに優れた膜が得られることが確
認された。
【００３８】すなわち、請求項１に記載の第１の発明
は、表示装置の表面基板と空気層との間に高屈折率層と
低屈折率層をこの順で形成して外来光の反射防止、静電
気の帯電防止、または漏洩電磁界の低減を行うための表
面基板処理膜において、前記高屈折率層は、前記表面基
板側から前記低屈折率層に向かって順次小となる密度分
布を有し、前記低屈折率層と共に前記表示基板側から前
記空気層の間に屈折率が連続的に小さくなるグレーディ
ッド型膜構造を形成してなることを特徴とする。また、
請求項２に記載の第２の発明は、表示装置の表面基板と
空気層との間に高屈折率層と低屈折率層をこの順で形成
して外来光の反射防止、静電気の帯電防止、または漏洩
電磁界の低減を行うための表面基板処理膜において、前
記高屈折率層は、前記表面基板側から前記低屈折率層に
向かって順次小となる密度分布を有し、前記低屈折率層
と共に前記表面基板側から前記空気層の間に屈折率が連
続的に小さくなるグレーディッド型膜構造を形成すると
共に、前記表面基板と前記高屈折率層との間に低抵抗高
屈折率層を有するか、およびまたは高屈折率層自身が低
抵抗層であることを特徴とする。
は、表示装置の表面基板と空気層との間に高屈折率層と
低屈折率層をこの順で形成して外来光の反射防止、静電
気の帯電防止、または漏洩電磁界の低減を行うための表
面基板処理膜において、前記高屈折率層は、前記表面基
板側から前記低屈折率層に向かって順次小となる密度分
布を有し、前記低屈折率層と共に前記表示基板側から前
記空気層の間に屈折率が連続的に小さくなるグレーディ
ッド型膜構造を形成してなることを特徴とする。また、
請求項２に記載の第２の発明は、表示装置の表面基板と
空気層との間に高屈折率層と低屈折率層をこの順で形成
して外来光の反射防止、静電気の帯電防止、または漏洩
電磁界の低減を行うための表面基板処理膜において、前
記高屈折率層は、前記表面基板側から前記低屈折率層に
向かって順次小となる密度分布を有し、前記低屈折率層
と共に前記表面基板側から前記空気層の間に屈折率が連
続的に小さくなるグレーディッド型膜構造を形成すると
共に、前記表面基板と前記高屈折率層との間に低抵抗高
屈折率層を有するか、およびまたは高屈折率層自身が低
抵抗層であることを特徴とする。
【００３９】さらに、請求項３に記載の第３の発明は、
上記第１または第２の発明において、前記高屈折率層お
よび／または低屈折率層に顔料および／または染料を添
加して所定の光吸収特性を持たせてなることを特徴とす
る。
上記第１または第２の発明において、前記高屈折率層お
よび／または低屈折率層に顔料および／または染料を添
加して所定の光吸収特性を持たせてなることを特徴とす
る。
【００４０】またさらに、請求項４に記載の第４の発明
は、上記第１，第２または第３の発明において、前記高
屈折率層がＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2 ，ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＦ
2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種以上
の超微粒子および／または結合体から構成され、前記低
屈折率層がＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 の中から選択
された１種以上の超微粒子および／または結合体から構
成したことを特徴とする。
は、上記第１，第２または第３の発明において、前記高
屈折率層がＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2 ，ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＦ
2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種以上
の超微粒子および／または結合体から構成され、前記低
屈折率層がＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 の中から選択
された１種以上の超微粒子および／または結合体から構
成したことを特徴とする。
【００４１】そして、請求項５に記載の第５の発明は、
上記第１，第２または第３の発明の表示装置の表面基板
に表面処理膜を形成するための表面基板処理膜の形成方
法において、前記表示装置の表面基板に導電性超微粒子
を含む高屈折率層材料、およびまたは導電性超微粒子そ
のものが高屈折率材料となるものを主成分とする超微粒
子を溶媒に懸濁した第１溶液をコーティングして第１層
を形成する第１工程と、前記第１工程でコーティングし
た第１層の上に、低屈折率層材料を主成分とする超微粒
子を溶媒に懸濁した第２溶液をコーティングして第２層
を形成する第２工程と、第１層と第２層を形成した前記
表面基板を焼成する第３工程とを含むことを特徴とす
る。
上記第１，第２または第３の発明の表示装置の表面基板
に表面処理膜を形成するための表面基板処理膜の形成方
法において、前記表示装置の表面基板に導電性超微粒子
を含む高屈折率層材料、およびまたは導電性超微粒子そ
のものが高屈折率材料となるものを主成分とする超微粒
子を溶媒に懸濁した第１溶液をコーティングして第１層
を形成する第１工程と、前記第１工程でコーティングし
た第１層の上に、低屈折率層材料を主成分とする超微粒
子を溶媒に懸濁した第２溶液をコーティングして第２層
を形成する第２工程と、第１層と第２層を形成した前記
表面基板を焼成する第３工程とを含むことを特徴とす
る。
【００４２】そしてまた、請求項６に記載の第６の発明
は、上記第５の発明の表示装置の表面基板処理膜を形成
するための表示装置の表面基板処理膜の形成方法におい
て、前記表面基板にＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着
法の何れかを用いて前記低抵抗高屈折率層を形成する工
程を含むことを特徴とする。
は、上記第５の発明の表示装置の表面基板処理膜を形成
するための表示装置の表面基板処理膜の形成方法におい
て、前記表面基板にＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着
法の何れかを用いて前記低抵抗高屈折率層を形成する工
程を含むことを特徴とする。
【００４３】
【作用】上記請求項１の発明の構成において、前記高屈
折率層を前記表面基板側から前記低屈折率層に向かって
順次小となる密度分布とし、前記低屈折率層と共に前記
表示基板側から前記空気層の間に屈折率が連続的に小さ
くなるグレーディッド型膜構造を形成したことにより、
分光反射率カーブが緩やかなＵ字形状となり、低反射性
かつ帯電防止性、および漏洩電磁界低減効果を持った処
理膜を得ることができる。
折率層を前記表面基板側から前記低屈折率層に向かって
順次小となる密度分布とし、前記低屈折率層と共に前記
表示基板側から前記空気層の間に屈折率が連続的に小さ
くなるグレーディッド型膜構造を形成したことにより、
分光反射率カーブが緩やかなＵ字形状となり、低反射性
かつ帯電防止性、および漏洩電磁界低減効果を持った処
理膜を得ることができる。
【００４４】また、請求項２の第２の発明の構成におい
て、前記高屈折率層を前記表面基板側から前記低屈折率
層に向かって順次小となる密度分布とし、前記低屈折率
層と共に前記表面基板側から前記空気層の間に屈折率が
連続的に小さくなるグレーディッド型膜構造を形成する
と共に、前記表面基板と前記高屈折率層との間に低抵抗
高屈折率層を有するか、およびまたは高屈折率層自身が
低抵抗材としたことにより、分光反射率カーブが緩やか
なＵ字形状となり、低反射性かつ帯電防止性、および漏
洩電磁界低減効果をさらに向上させた処理膜を得ること
ができる。
て、前記高屈折率層を前記表面基板側から前記低屈折率
層に向かって順次小となる密度分布とし、前記低屈折率
層と共に前記表面基板側から前記空気層の間に屈折率が
連続的に小さくなるグレーディッド型膜構造を形成する
と共に、前記表面基板と前記高屈折率層との間に低抵抗
高屈折率層を有するか、およびまたは高屈折率層自身が
低抵抗材としたことにより、分光反射率カーブが緩やか
なＵ字形状となり、低反射性かつ帯電防止性、および漏
洩電磁界低減効果をさらに向上させた処理膜を得ること
ができる。
【００４５】さらに、請求項３の第３の発明の発明の構
成において、前記高屈折率層および／または低屈折率層
に顔料および／または染料を添加して所定の光吸収特性
を持たせてたことにより、さらに良好な光反射特性を持
つ処理膜を得ることができる。
成において、前記高屈折率層および／または低屈折率層
に顔料および／または染料を添加して所定の光吸収特性
を持たせてたことにより、さらに良好な光反射特性を持
つ処理膜を得ることができる。
【００４６】またさらに、請求項４の発明の構成におい
て、前記高屈折率層をＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ
3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，ＭｇＦ2 、およびこれらの混合物の中から選択され
た１種以上の超微粒子および／または結合体から構成
し、前記低屈折率層をＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 の
中から選択された１種以上の超微粒子および／または結
合体から構成したことにより、低反射性かつ帯電防止
性、および漏洩電磁界低減効果を持った処理膜を得るこ
とができる。
て、前記高屈折率層をＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ
3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，ＭｇＦ2 、およびこれらの混合物の中から選択され
た１種以上の超微粒子および／または結合体から構成
し、前記低屈折率層をＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 の
中から選択された１種以上の超微粒子および／または結
合体から構成したことにより、低反射性かつ帯電防止
性、および漏洩電磁界低減効果を持った処理膜を得るこ
とができる。
【００４７】そして、請求項５の発明の構成において、
前記表示装置の表面基板に導電性超微粒子を含む高屈折
率層材料、およびまたは導電性超微粒子そのものが高屈
折率材料となるものを主成分とする超微粒子を溶媒に懸
濁した第１溶液をコーティングして第１層を形成する第
１工程と、前記第１工程でコーティングした第１層の上
に、低屈折率層材料を主成分とする超微粒子を溶媒に懸
濁した第２溶液をコーティングして第２層を形成する第
２工程と、第１層と第２層を形成した前記表面基板を焼
成する第３工程とを含む製造方法としたことにより、低
反射性かつ帯電防止性、および漏洩電磁界低減効果を持
った処理膜を得ることができる。
前記表示装置の表面基板に導電性超微粒子を含む高屈折
率層材料、およびまたは導電性超微粒子そのものが高屈
折率材料となるものを主成分とする超微粒子を溶媒に懸
濁した第１溶液をコーティングして第１層を形成する第
１工程と、前記第１工程でコーティングした第１層の上
に、低屈折率層材料を主成分とする超微粒子を溶媒に懸
濁した第２溶液をコーティングして第２層を形成する第
２工程と、第１層と第２層を形成した前記表面基板を焼
成する第３工程とを含む製造方法としたことにより、低
反射性かつ帯電防止性、および漏洩電磁界低減効果を持
った処理膜を得ることができる。
【００４８】そしてまた、請求項６の発明の構成におい
て、上記第５の発明の前記表面基板にＣＶＤ法、スパッ
タリング法、蒸着法の何れかを用いて前記低抵抗高屈折
率層を形成する工程を含む製造方法としたことにより、
低反射性かつ帯電防止性、および漏洩電磁界低減効果を
持った処理膜を得ることができる。
て、上記第５の発明の前記表面基板にＣＶＤ法、スパッ
タリング法、蒸着法の何れかを用いて前記低抵抗高屈折
率層を形成する工程を含む製造方法としたことにより、
低反射性かつ帯電防止性、および漏洩電磁界低減効果を
持った処理膜を得ることができる。
【００４９】このように、本発明は第１層の高屈折率層
に屈折率の連続変化を持たせることによって、反射率が
下がり、かつ分光反射率カーブがシャープなＶ字形状か
ら緩やかなＵ字形状に移行し、視感反射率が下がり、特
異な反射色の色を示さずに優れた膜を得ることができ
る。
に屈折率の連続変化を持たせることによって、反射率が
下がり、かつ分光反射率カーブがシャープなＶ字形状か
ら緩やかなＵ字形状に移行し、視感反射率が下がり、特
異な反射色の色を示さずに優れた膜を得ることができ
る。
【００５０】
【実施例】以下本発明の実施例につき、詳細に説明す
る。
る。
【００５１】第１表は本発明による表示装置の表面基板
処理膜の製造方法の第１〜第４実施例で製造した処理膜
の塗布膜組成、成膜（塗布法）、屈折率、膜厚、表面抵
抗値、帯電防止性能、低周波漏洩電界の各測定結果の説
明図である。
処理膜の製造方法の第１〜第４実施例で製造した処理膜
の塗布膜組成、成膜（塗布法）、屈折率、膜厚、表面抵
抗値、帯電防止性能、低周波漏洩電界の各測定結果の説
明図である。
【００５２】なお、反射特性は中心波長をλ＝５５５ｎ
ｍとした測定例である。
ｍとした測定例である。
【００５３】
【表１】
【００５４】〔実施例１〕同表において、実施例１（Ｎ
ｏ．１）は陰極線管のパネルガラスの表面にＩｎ
2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を主成分とする導電粒子を含むエタノ
ール溶液をスピンコーティング法により所定の厚みに塗
布した。
ｏ．１）は陰極線管のパネルガラスの表面にＩｎ
2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を主成分とする導電粒子を含むエタノ
ール溶液をスピンコーティング法により所定の厚みに塗
布した。
【００５５】次に、その上にエチルシリケートを主成分
とするエタノール溶液をスピンコーティング法により所
定の厚みに塗布した。
とするエタノール溶液をスピンコーティング法により所
定の厚みに塗布した。
【００５６】そして、これを空気中で１５０°Ｃ、３０
分間焼成した。
分間焼成した。
【００５７】なお、上記の焼成工程である空気中で１５
０°Ｃ、３０分間焼成後に、空気中あるいは中性または
還元性雰囲気中で１５０°Ｃ、３０分間焼成してもよ
い。また、空気中焼成の変わりに中性または還元性雰囲
気焼成のみでもよい。
０°Ｃ、３０分間焼成後に、空気中あるいは中性または
還元性雰囲気中で１５０°Ｃ、３０分間焼成してもよ
い。また、空気中焼成の変わりに中性または還元性雰囲
気焼成のみでもよい。
【００５８】図３は本発明の実施例１で製造した処理膜
を横から見た構成成分のマイクロオージェ電子分析法に
よる分析結果の説明図、図４は同ＳＥＭ（走査電子顕微
鏡）写真の模写図である。
を横から見た構成成分のマイクロオージェ電子分析法に
よる分析結果の説明図、図４は同ＳＥＭ（走査電子顕微
鏡）写真の模写図である。
【００５９】図３では、横軸に処理膜の厚み（ｎｍ）
を、縦軸に強度（相対値）を取って示す。図中○印で示
した数値は相対値である。また、図４には高屈折率層が
ガラス基板側で密度が高く、低屈折率側で密度が低いこ
とが示されている。
を、縦軸に強度（相対値）を取って示す。図中○印で示
した数値は相対値である。また、図４には高屈折率層が
ガラス基板側で密度が高く、低屈折率側で密度が低いこ
とが示されている。
【００６０】図３と図４から、各層の厚みと成分比が分
かり、その成分比から屈折率を体積比例配分で求めるこ
とができる。
かり、その成分比から屈折率を体積比例配分で求めるこ
とができる。
【００６１】この実施例１の場合は、各成分のバルクの
屈折率を、それぞれ、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 ≒２．０
０、ＳｉＯ2 ≒１．４５として、 ｎ0 ＝１．５３ ｎ3 ＝１．００ ｎ2 ＝１．４５ ｎ1a＝１．４５×０．２２＋２．００（０．６６＋０．
１２）＝１．８０ ｎ1b＝１．４５×０．９０＋２．００（０．０８＋０．
０２）＝１．５０ λ＝５５５ｎｍとして、 ｎ2 ・ｄ2 ≒（１／４）λ ｎ1a・ｄ1a≒（１／１１）λ ｎ1b・ｄ1b≒（１／１１）λ となる。
屈折率を、それぞれ、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 ≒２．０
０、ＳｉＯ2 ≒１．４５として、 ｎ0 ＝１．５３ ｎ3 ＝１．００ ｎ2 ＝１．４５ ｎ1a＝１．４５×０．２２＋２．００（０．６６＋０．
１２）＝１．８０ ｎ1b＝１．４５×０．９０＋２．００（０．０８＋０．
０２）＝１．５０ λ＝５５５ｎｍとして、 ｎ2 ・ｄ2 ≒（１／４）λ ｎ1a・ｄ1a≒（１／１１）λ ｎ1b・ｄ1b≒（１／１１）λ となる。
【００６２】この膜構成における反射率の計算は前記の
式（１）で近似的に計算することができる。その結果を
図５のＩに示す。
式（１）で近似的に計算することができる。その結果を
図５のＩに示す。
【００６３】図５は本発明の実施例の処理膜の分光反射
率特性の説明図であって、IIは実測値である。
率特性の説明図であって、IIは実測値である。
【００６４】同図のＩとIIに示したように、計算値と実
測値とが良く一致していることが分かり、かつ波長に対
して平坦で、且つλ＝５５０ｎｍにおいて低反射性の優
れた膜が得られていることが分る。
測値とが良く一致していることが分かり、かつ波長に対
して平坦で、且つλ＝５５０ｎｍにおいて低反射性の優
れた膜が得られていることが分る。
【００６５】この優れた特性は、前記したように高屈折
率層に基板側から前記空気層の間に屈折率が連続的に小
さくなるグレーディッド型膜構造を形成したことで得ら
れている。
率層に基板側から前記空気層の間に屈折率が連続的に小
さくなるグレーディッド型膜構造を形成したことで得ら
れている。
【００６６】なお、前記表１には、この処理膜の表面抵
抗値、静電気帯電防止性能、低周波交番漏洩電磁界が示
されている。この処理膜は静電気帯電防止性能は十分で
あり、かつ前記したスエーデンの漏洩電磁界の規格「Ｍ
ＰＲ−II」と「ＴＣＯ」の規制値に合格している。
抗値、静電気帯電防止性能、低周波交番漏洩電磁界が示
されている。この処理膜は静電気帯電防止性能は十分で
あり、かつ前記したスエーデンの漏洩電磁界の規格「Ｍ
ＰＲ−II」と「ＴＣＯ」の規制値に合格している。
【００６７】〔実施例２〕実施例２は表１のＮｏ．２に
示したように、高屈折率層に黒色顔料を混入した点を除
いて、前記実施例１と同様である。
示したように、高屈折率層に黒色顔料を混入した点を除
いて、前記実施例１と同様である。
【００６８】この実施例２の処理膜は、図５のIII に示
したように、黒色顔料を添加したことにより、反射特性
が波長に対してより平坦になり、視感反射率の低い優れ
た処理膜が得られた。また、電気的特性に関しても前記
実施例１と同様の優れた結果が得られた。
したように、黒色顔料を添加したことにより、反射特性
が波長に対してより平坦になり、視感反射率の低い優れ
た処理膜が得られた。また、電気的特性に関しても前記
実施例１と同様の優れた結果が得られた。
【００６９】〔実施例３〕実施例３は、前記表１のＮ
ｏ．３に示したように、ガラス基板の表面にＩｎ
2Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を主成分とする導電粒子を含むエタノ
ール溶液をスパッタリング法により所定の厚みに塗布し
た。
ｏ．３に示したように、ガラス基板の表面にＩｎ
2Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を主成分とする導電粒子を含むエタノ
ール溶液をスパッタリング法により所定の厚みに塗布し
た。
【００７０】次に、その上に実施例１と同様の成膜を施
した。
した。
【００７１】実施例３による処理膜を断面からみた構成
成分は前記図６と図７に示した。
成分は前記図６と図７に示した。
【００７２】なお、ここでは、Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を
主成分とする導電粒子の層の屈折率をｎ1 、第１層の屈
折率をｎ2 、第２層の屈折率をｎ3 、空気層の屈折率を
ｎ4とした。
主成分とする導電粒子の層の屈折率をｎ1 、第１層の屈
折率をｎ2 、第２層の屈折率をｎ3 、空気層の屈折率を
ｎ4とした。
【００７３】本実施例の各層の屈折率と厚みを実施例１
と同様の方法で求めると、 ｎ0 ＝１．５３ ｎ4 ＝１．００ ｎ3 ＝１．４５ ｎ1 ＝２．００ ｎ1a＝１．４５×０．２２＋２．００（０．６６＋０．
１２）＝１．８０ ｎ2b＝１．４５×０．９０＋２．００（０．０８＋０．
０２）＝１．５０ λ＝５５５ｎｍとして、 ｎ3 ・ｄ3 ≒（１／４）λ ｎ2 ・ｄ2a≒（１／１６）λ ｎ2b・ｄ2b≒（１／１２）λ ｎ1 ・ｄ1 ≒（１／２５）λ となる。
と同様の方法で求めると、 ｎ0 ＝１．５３ ｎ4 ＝１．００ ｎ3 ＝１．４５ ｎ1 ＝２．００ ｎ1a＝１．４５×０．２２＋２．００（０．６６＋０．
１２）＝１．８０ ｎ2b＝１．４５×０．９０＋２．００（０．０８＋０．
０２）＝１．５０ λ＝５５５ｎｍとして、 ｎ3 ・ｄ3 ≒（１／４）λ ｎ2 ・ｄ2a≒（１／１６）λ ｎ2b・ｄ2b≒（１／１２）λ ｎ1 ・ｄ1 ≒（１／２５）λ となる。
【００７４】この膜構成における反射率の計算は前記の
式（１）で近似的に計算することができる。その結果を
図８のＩに示す。
式（１）で近似的に計算することができる。その結果を
図８のＩに示す。
【００７５】図８は本発明の実施例３の処理膜の分光反
射率特性の説明図であって、IIは実測値である。
射率特性の説明図であって、IIは実測値である。
【００７６】同図のＩとIIに示したように、計算値と実
測値とが良く一致していることが分かり、かつ波長に対
し平坦で、且つλ＝５５５ｎｍにおいて低反射性の優れ
た膜が得られていることが分る。
測値とが良く一致していることが分かり、かつ波長に対
し平坦で、且つλ＝５５５ｎｍにおいて低反射性の優れ
た膜が得られていることが分る。
【００７７】この優れた特性は、ガラス基板と第１層の
間にＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を主成分とする導電層をスパ
ッタリング法で形成したことで、第１表に示したよう
に、表面抵抗値が１０3 Ω／□と小さく、静電気帯電防
止性能はもちろんのこと、前記したスエーデンの漏洩電
磁界の規格「ＭＰＲ−II」と「ＴＣＯ」の規制値に十分
に合格している。
間にＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を主成分とする導電層をスパ
ッタリング法で形成したことで、第１表に示したよう
に、表面抵抗値が１０3 Ω／□と小さく、静電気帯電防
止性能はもちろんのこと、前記したスエーデンの漏洩電
磁界の規格「ＭＰＲ−II」と「ＴＣＯ」の規制値に十分
に合格している。
【００７８】〔実施例４〕この実施例は、表１のＮｏ．
４に示したように、第２層の高屈折率層に黒色顔料を混
入した他は実施例３と同一の方法で処理膜を形成したも
のである。
４に示したように、第２層の高屈折率層に黒色顔料を混
入した他は実施例３と同一の方法で処理膜を形成したも
のである。
【００７９】本実施例の反射特性の実測値を図８のIII
に示した。
に示した。
【００８０】黒色顔料を混入したことによって、反射特
性が波長に対して平坦となり、視感反射率の低い優れた
処理膜が得られた。また、電気的特性に関しても前記実
施例３と同様の優れた結果が得られた。
性が波長に対して平坦となり、視感反射率の低い優れた
処理膜が得られた。また、電気的特性に関しても前記実
施例３と同様の優れた結果が得られた。
【００８１】なお、上記各実施例における表面抵抗値の
測定器としては三菱油化製の「ロレスタＡＰ抵抗測定
器」を用いた。
測定器としては三菱油化製の「ロレスタＡＰ抵抗測定
器」を用いた。
【００８２】図９は上記各実施例における処理膜の特性
測定系の説明図であって、９１はＶＤＵ、９２は測定
器、９３は記録器である。
測定系の説明図であって、９１はＶＤＵ、９２は測定
器、９３は記録器である。
【００８３】同図において、帯電防止特性の測定器とし
てはシシド静電気（株）製の「スタチロンＴＨ型静電気
測定器」を、漏洩電磁界特性の測定器としてはコンビノ
バＡＢ社製の「ＥＦＭ型電界測定器」を用い、反射特性
の測定器としては日立製作所製の「Ｕ−３２００型自記
分光光度計」を用いた。
てはシシド静電気（株）製の「スタチロンＴＨ型静電気
測定器」を、漏洩電磁界特性の測定器としてはコンビノ
バＡＢ社製の「ＥＦＭ型電界測定器」を用い、反射特性
の測定器としては日立製作所製の「Ｕ−３２００型自記
分光光度計」を用いた。
【００８４】図９において、ＶＤＵ９１と測定器９２の
間隔Ｄは、静電気（帯電特性）を測定する場合は１０ｃ
ｍ、漏洩電磁界を測定する場合は５０ｃｍとする。そし
て、ＶＤＵ９１は床から１００ｃｍ以上離して測定す
る。
間隔Ｄは、静電気（帯電特性）を測定する場合は１０ｃ
ｍ、漏洩電磁界を測定する場合は５０ｃｍとする。そし
て、ＶＤＵ９１は床から１００ｃｍ以上離して測定す
る。
【００８５】この測定系により前記の表１の結果を得
た。
た。
【００８６】図１０は本発明の実施例を適用したカラー
陰極線管の構造を説明する断面図であって、１１はカラ
ー陰極線管、１２はパネル部、１２ａは処理膜、１３は
ファンネル部、１４はネック部、１５は蛍光膜、１６は
シャドウマスク、１７はマスクフレーム、１８はシャド
ウマスク懸架機構、１９は磁気シールド、２０は電子
銃、２１は偏向ヨーク、２２は補正磁気装置、２３は封
止部、２４は緊締バンドである。
陰極線管の構造を説明する断面図であって、１１はカラ
ー陰極線管、１２はパネル部、１２ａは処理膜、１３は
ファンネル部、１４はネック部、１５は蛍光膜、１６は
シャドウマスク、１７はマスクフレーム、１８はシャド
ウマスク懸架機構、１９は磁気シールド、２０は電子
銃、２１は偏向ヨーク、２２は補正磁気装置、２３は封
止部、２４は緊締バンドである。
【００８７】同図において、カラー陰極線管１１はパネ
ル部１２とファンネル部１３およびネック部１４で真空
外囲器が構成され、パネル部１２の全表面には前記実施
例で説明した方法と装置によって形成した反射防止／帯
電防止／漏洩電磁界低減のための処理膜１２ａが被着さ
れている。
ル部１２とファンネル部１３およびネック部１４で真空
外囲器が構成され、パネル部１２の全表面には前記実施
例で説明した方法と装置によって形成した反射防止／帯
電防止／漏洩電磁界低減のための処理膜１２ａが被着さ
れている。
【００８８】ネック部１４に収容された電子銃２０から
発射された３本の電子ビームＢｃ，Ｂｓ（×２）はネッ
ク部１４とファンネル部１３の遷移領域に外装された偏
向ヨーク２１で水平と垂直の２方向に偏向されて蛍光膜
１５に指向される。
発射された３本の電子ビームＢｃ，Ｂｓ（×２）はネッ
ク部１４とファンネル部１３の遷移領域に外装された偏
向ヨーク２１で水平と垂直の２方向に偏向されて蛍光膜
１５に指向される。
【００８９】蛍光膜１５の直前には多数の開孔を有する
シャドウマスク１６が配置されており、上記３本の電子
ビームはこの開孔で色選別されてそれぞれの所定の蛍光
体に射突することによってカラー画像を再生する。
シャドウマスク１６が配置されており、上記３本の電子
ビームはこの開孔で色選別されてそれぞれの所定の蛍光
体に射突することによってカラー画像を再生する。
【００９０】電子ビームの射突によって刺激された蛍光
膜１５の発光はパネル部１２を通して外部に出射する。
膜１５の発光はパネル部１２を通して外部に出射する。
【００９１】このとき、パネル部１２に外部から入射す
る外光は反射防止／帯電防止／漏洩電磁界低減のための
処理膜１２ａにより反射が抑制される。また、パネル部
１２に帯電する静電気は反射防止／帯電防止膜１２ａか
ら緊締バンド２４を通して接地に流されるため、パネル
部表面に静電気が帯電することはない。そして、偏向ヨ
ーク２１から主として発生する漏洩電磁界も低減され
る。
る外光は反射防止／帯電防止／漏洩電磁界低減のための
処理膜１２ａにより反射が抑制される。また、パネル部
１２に帯電する静電気は反射防止／帯電防止膜１２ａか
ら緊締バンド２４を通して接地に流されるため、パネル
部表面に静電気が帯電することはない。そして、偏向ヨ
ーク２１から主として発生する漏洩電磁界も低減され
る。
【００９２】このように、本発明を適用した陰極線管
は、外光反射が抑制されて再生画像品質に優れ、また静
電気の帯電が防止されると共に、漏洩電磁界も低減され
る。
は、外光反射が抑制されて再生画像品質に優れ、また静
電気の帯電が防止されると共に、漏洩電磁界も低減され
る。
【００９３】なお、上記本発明の各実施例における処理
膜の最表面に、解像度の劣化をもたらさない範囲でスプ
レーによるシリカコートを施しても差支えはない。
膜の最表面に、解像度の劣化をもたらさない範囲でスプ
レーによるシリカコートを施しても差支えはない。
【００９４】また、上記の各実施例は、陰極線管のパネ
ルガラスを基体として説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、液晶表示装置、その他のあらゆる
表示装置の表示面に適用できることは言うまでもない。
ルガラスを基体として説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、液晶表示装置、その他のあらゆる
表示装置の表示面に適用できることは言うまでもない。
【００９５】さらに、本発明は、ガラス基板に限らず、
プラスチック基板にも適用でき、例えば液晶表示素子の
組立てにおける偏光板等の張り付け工程での静電気の発
生防止にも適用可能である。
プラスチック基板にも適用でき、例えば液晶表示素子の
組立てにおける偏光板等の張り付け工程での静電気の発
生防止にも適用可能である。
【００９６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
優れた電気的および光学的特性を有する処理膜をスピン
ニング法、ディッピング法、スプレイイング法、あるい
はロールコータ法等の簡便な塗布方法で、かつ低温での
焼成により１０4 Ω／□以下の導電膜がえられると共
に、他の膜と組合せて優れた低反射性能、帯電防止性
能、および漏洩電磁界抑制性能をもつ処理膜を得ること
ができ、低コストで高性能の処理膜を大量生産すること
ができる。
優れた電気的および光学的特性を有する処理膜をスピン
ニング法、ディッピング法、スプレイイング法、あるい
はロールコータ法等の簡便な塗布方法で、かつ低温での
焼成により１０4 Ω／□以下の導電膜がえられると共
に、他の膜と組合せて優れた低反射性能、帯電防止性
能、および漏洩電磁界抑制性能をもつ処理膜を得ること
ができ、低コストで高性能の処理膜を大量生産すること
ができる。
【図１】本発明による表示装置の表面基板処理膜の基本
的構造とその作用を説明する模式図である。
的構造とその作用を説明する模式図である。
【図２】高屈折率層の低屈折率層側の屈折率を順次変え
たときの反射特性の変化の説明図である。
たときの反射特性の変化の説明図である。
【図３】本発明の実施例１で製造した処理膜を横から見
た構成成分のマイクロオージェ電子分析法による分析結
果の説明図である。
た構成成分のマイクロオージェ電子分析法による分析結
果の説明図である。
【図４】本発明の実施例１で製造した処理膜を横から見
た構成成分のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真の模写図で
ある。
た構成成分のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真の模写図で
ある。
【図５】本発明の実施例の処理膜の分光反射率特性の説
明図である。
明図である。
【図６】本発明の実施例３で製造した処理膜を横から見
た構成成分のマイクロオージェ電子分析法による分析結
果の説明図である。
た構成成分のマイクロオージェ電子分析法による分析結
果の説明図である。
【図７】本発明の実施例３で製造した処理膜を横から見
た構成成分のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真の模写図で
ある。
た構成成分のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真の模写図で
ある。
【図８】本発明の実施例３で製造した処理膜の分光反射
率特性の説明図である。
率特性の説明図である。
【図９】本発明の各実施例における処理膜の特性測定系
の説明図である。
の説明図である。
【図１０】本発明の実施例を適用したカラー陰極線管の
構造を説明する断面図である。
構造を説明する断面図である。
【図１１】表示装置の表面基板処理膜の１例を説明する
２層構造の反射防止膜の構造と作用を説明する模式図で
ある。
２層構造の反射防止膜の構造と作用を説明する模式図で
ある。
【図１２】高屈折率層の屈折率が変化したとき、全反射
率がどのように変化するかを計算した結果の説明図であ
る。
率がどのように変化するかを計算した結果の説明図であ
る。
１ 表面基板（基体） ２ 高屈折率層 ３ 低屈折率層 ４ 空気層 １１ カラー陰極線管 １２ パネル部 １２ａ 処理膜 １３ ファンネル部 １４ ネック部 １５ 蛍光膜 １６ シャドウマスク １７ マスクフレーム １８ シャドウマスク懸架機構 １９ 磁気シールド ２０ 電子銃 ２１ 偏向ヨーク ２２ 補正磁気装置 ２３ 封止部 ２４ 緊締バンド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 喜重 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】表示装置の表面基板と空気層との間に高屈
折率層と低屈折率層をこの順で形成して外来光の反射防
止、静電気の帯電防止、または漏洩電磁界の低減を行う
ための表面基板処理膜において、 前記高屈折率層は、前記表面基板側から前記低屈折率層
に向かって順次小となる密度分布を有し、前記低屈折率
層と共に前記表示基板側から前記空気層の間に屈折率が
連続的に小さくなるグレーディッド型膜構造を形成して
なることを特徴とする表示装置の表面基板処理膜。 - 【請求項２】表示装置の表面基板と空気層との間に高屈
折率層と低屈折率層をこの順で形成して外来光の反射防
止、静電気の帯電防止、または漏洩電磁界の低減を行う
ための表面基板処理膜において、 前記高屈折率層は、前記表面基板側から前記低屈折率層
に向かって順次小となる密度分布を有し、前記低屈折率
層と共に前記表面基板側から前記空気層の間に屈折率が
連続的に小さくなるグレーディッド型膜構造を形成する
と共に、前記表面基板と前記高屈折率層との間、および
または高屈折率層自身が低抵抗高屈折率層を有すること
を特徴とする表示装置の表面基板処理膜。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記高屈折率
層および／または低屈折率層に顔料および／または染料
を添加して所定の光吸収特性を持たせてなることを特徴
とする表示装置の表面基板処理膜。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記高屈
折率層がＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｍｇ
Ｆ2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種以
上の超微粒子および／または結合体から構成され、前記
低屈折率層がＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 の中から選
択された１種以上の超微粒子および／または結合体から
構成したことを特徴とする表示装置の表面基板処理膜。 - 【請求項５】表示装置の表面基板と空気層との間に高屈
折率層と低屈折率層をこの順で形成して外来光の反射防
止、静電気の帯電防止、または漏洩電磁界の低減を行う
ための表面基板処理膜の形成方法において、 前記表示装置の表面基板に導電性超微粒子を含む高屈折
率層材料、およびまたは導電性超微粒子そのものが高屈
折率材料となるものを主成分とする超微粒子を溶媒に懸
濁した第１溶液をコーティングして第１層を形成する第
１工程と、 前記第１工程でコーティングした第１層の上に、低屈折
率層材料を主成分とする超微粒子を溶媒に懸濁した第２
溶液をコーティングして第２層を形成する第２工程と、 第１層と第２層を形成した前記表面基板を焼成する第３
工程とを含むことを特徴とする表示装置の表面基板処理
膜の形成方法。 - 【請求項６】請求項５において、前記表面基板にＣＶＤ
法、スパッタリング法、蒸着法の何れかを用いて前記低
抵抗高屈折率層を形成する工程を含むことを特徴とする
表示装置の表面基板処理膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6218919A JPH0883581A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 表示装置の表面基板処理膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6218919A JPH0883581A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 表示装置の表面基板処理膜とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883581A true JPH0883581A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16727381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6218919A Pending JPH0883581A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 表示装置の表面基板処理膜とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0883581A (ja) |
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-
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- 1994-09-13 JP JP6218919A patent/JPH0883581A/ja active Pending
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