JPH08138580A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH08138580A JPH08138580A JP30322094A JP30322094A JPH08138580A JP H08138580 A JPH08138580 A JP H08138580A JP 30322094 A JP30322094 A JP 30322094A JP 30322094 A JP30322094 A JP 30322094A JP H08138580 A JPH08138580 A JP H08138580A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- panel
- ray tube
- film
- sno
- Prior art date
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- Pending
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた電磁波遮蔽性と広い波長域に亙って安
定した反射防止性を有する陰極線管用パネルを提供す
る。 【構成】 外表面側の第１層目に１０００Å以上の膜厚
と３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有し且つ１〜２０％
のフッ素を含有して１．６〜１．９の屈折率を有するＳ
ｎＯ2 薄膜１１が形成され、第２層目に微細な凹凸を有
するＳｉＯ2 薄膜１２が形成されてなることを特徴とす
る陰極線管用パネル。
定した反射防止性を有する陰極線管用パネルを提供す
る。 【構成】 外表面側の第１層目に１０００Å以上の膜厚
と３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有し且つ１〜２０％
のフッ素を含有して１．６〜１．９の屈折率を有するＳ
ｎＯ2 薄膜１１が形成され、第２層目に微細な凹凸を有
するＳｉＯ2 薄膜１２が形成されてなることを特徴とす
る陰極線管用パネル。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外表面に高い電磁波遮
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するも
のである。
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
【０００３】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
からでる電子ビームをファンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有するＳｎＯ2 等の透明導電
膜が形成されている。
からでる電子ビームをファンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有するＳｎＯ2 等の透明導電
膜が形成されている。
【０００４】しかしながら、従来一般に供されている陰
極線管用パネルでは、その外表面に形成されているＳｎ
Ｏ2 薄膜の面抵抗（正方形当りの抵抗値）が１×１０6
Ω／□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全
に遮蔽するには不十分である。また、通常のＳｎＯ2 薄
膜は、屈折率が２．０とパネルガラスの屈折率１．５３
６に比べて高い屈折率を有しているので、導電性を付与
するために、単にＳｎＯ2 薄膜を形成するだけでは表面
反射が大きく、画像が見えにくいという問題が生じてい
る。
極線管用パネルでは、その外表面に形成されているＳｎ
Ｏ2 薄膜の面抵抗（正方形当りの抵抗値）が１×１０6
Ω／□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全
に遮蔽するには不十分である。また、通常のＳｎＯ2 薄
膜は、屈折率が２．０とパネルガラスの屈折率１．５３
６に比べて高い屈折率を有しているので、導電性を付与
するために、単にＳｎＯ2 薄膜を形成するだけでは表面
反射が大きく、画像が見えにくいという問題が生じてい
る。
【０００５】そこで、パネル表面にＳｎＯ2 薄膜を形成
した後、さらにその上に反射防止膜を形成することによ
って光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的に
は、パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜２８０
Åの膜厚のＳｎＯ2 薄膜を形成した後、さらにその上に
ＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート法によって
形成してなる陰極線管が提案されている。
した後、さらにその上に反射防止膜を形成することによ
って光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的に
は、パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜２８０
Åの膜厚のＳｎＯ2 薄膜を形成した後、さらにその上に
ＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート法によって
形成してなる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の陰
極線管では、パネルの表面に形成されたＳｎＯ2 薄膜の
膜厚が薄いために面抵抗が高く、不要電磁波を遮蔽する
には不十分である。また、先記したようにＳｎＯ2 薄膜
は高い屈折率を有しているので、ＳｎＯ2 薄膜の膜厚を
厚くすると表面反射が非常に大きくなり、その上に反射
防止膜を形成したとしても表面反射はさほど小さくなら
ず、画面が見にくいという問題は依然として生じる。ま
た、従来の陰極線管では、５５０ｎｍ付近の波長域とそ
れよりも低波長である４００ｎｍ付近及び高波長である
７００ｎｍ付近の反射率を比較した場合、５５０ｎｍ付
近の反射率が最低の値を示すが、４００ｎｍ付近及び７
００ｎｍ付近の反射率の値との差が非常に大きいため、
画像が濃い赤紫色彩を呈し、映像を見る人の目に濃い色
彩として感じられ、疲労感を与えやすいという欠点があ
る。
極線管では、パネルの表面に形成されたＳｎＯ2 薄膜の
膜厚が薄いために面抵抗が高く、不要電磁波を遮蔽する
には不十分である。また、先記したようにＳｎＯ2 薄膜
は高い屈折率を有しているので、ＳｎＯ2 薄膜の膜厚を
厚くすると表面反射が非常に大きくなり、その上に反射
防止膜を形成したとしても表面反射はさほど小さくなら
ず、画面が見にくいという問題は依然として生じる。ま
た、従来の陰極線管では、５５０ｎｍ付近の波長域とそ
れよりも低波長である４００ｎｍ付近及び高波長である
７００ｎｍ付近の反射率を比較した場合、５５０ｎｍ付
近の反射率が最低の値を示すが、４００ｎｍ付近及び７
００ｎｍ付近の反射率の値との差が非常に大きいため、
画像が濃い赤紫色彩を呈し、映像を見る人の目に濃い色
彩として感じられ、疲労感を与えやすいという欠点があ
る。
【０００７】このように、従来の陰極線管では電磁波遮
蔽性と反射防止性について共に高い性能を得ることは困
難である。
蔽性と反射防止性について共に高い性能を得ることは困
難である。
【０００８】従って、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性と広い波長域に亙って安定した反射防止性を有する
陰極線管用パネルを提供することである。
蔽性と広い波長域に亙って安定した反射防止性を有する
陰極線管用パネルを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題及び
目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に１
０００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を
有し且つ１〜２０％のフッ素を含有して１．６〜１．９
の屈折率を有するＳｎＯ2 薄膜が形成され、第２層目に
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜が形成されてなること
を特徴とする陰極線管用パネルである。
目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に１
０００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を
有し且つ１〜２０％のフッ素を含有して１．６〜１．９
の屈折率を有するＳｎＯ2 薄膜が形成され、第２層目に
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜が形成されてなること
を特徴とする陰極線管用パネルである。
【００１０】また、本発明は外表面側の第１層目に１０
００Åの膜厚と３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有し且
つ１〜２０％のフッ素を含有して１．６〜１．９の屈折
率を有するＳｎＯ2 薄膜が形成され、第２層目に平坦な
ＳｉＯ2 薄膜が形成され第３層目に微細な凹凸を有する
ＳｉＯ2 薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線
管用パネルである。
００Åの膜厚と３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有し且
つ１〜２０％のフッ素を含有して１．６〜１．９の屈折
率を有するＳｎＯ2 薄膜が形成され、第２層目に平坦な
ＳｉＯ2 薄膜が形成され第３層目に微細な凹凸を有する
ＳｉＯ2 薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線
管用パネルである。
【００１１】さらに上記の陰極線管用パネルにおいて、
第１層目のＳｎＯ2 薄膜がＣＶＤ法によって形成されて
なることを特徴とする。
第１層目のＳｎＯ2 薄膜がＣＶＤ法によって形成されて
なることを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第１層目のＳｎＯ2 薄膜は、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べて、
安価で性能が安定しており、１０００Å以上の膜厚にす
ることによって、３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有す
る薄膜となり、優れた電磁波遮蔽性が得られる。また、
フッ素を含有して１．６〜１．９という従来に比べて低
い屈折率（ｎｄ）を有していることにより従来に比べて
優れた光の干渉効果を得ることができ、反射率が低いこ
とを特徴とする。
第１層目のＳｎＯ2 薄膜は、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べて、
安価で性能が安定しており、１０００Å以上の膜厚にす
ることによって、３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有す
る薄膜となり、優れた電磁波遮蔽性が得られる。また、
フッ素を含有して１．６〜１．９という従来に比べて低
い屈折率（ｎｄ）を有していることにより従来に比べて
優れた光の干渉効果を得ることができ、反射率が低いこ
とを特徴とする。
【００１３】このＳｎＯ2 薄膜上に形成される第２層目
の微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜（屈折率１．４６）
は、スプレーコート法により形成され、外部からの光の
拡散反射を大きくして、正反射を小さくするように作用
する。
の微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜（屈折率１．４６）
は、スプレーコート法により形成され、外部からの光の
拡散反射を大きくして、正反射を小さくするように作用
する。
【００１４】また、本発明において、第１層目に前記の
ＳｎＯ2 薄膜が形成され、第２層目に平坦なＳｉＯ2 薄
膜が形成され、第３層目に微細な凹凸を有するＳｉＯ2
薄膜が形成される陰極線管用パネルにおいては、この平
坦なＳｉＯ2 薄膜はスピンコート法によって形成され、
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜はスプレーコート法に
より形成されものである。平坦なＳｉＯ2 薄膜は第１層
目のＳｎＯ2 薄膜の屈折率と協働して外部からの光を干
渉するように作用し、該平坦なＳｉＯ2 薄膜上に形成さ
れた微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜は、外部からの光
の拡散反射を大きくして、正反射を小さくするように作
用する。
ＳｎＯ2 薄膜が形成され、第２層目に平坦なＳｉＯ2 薄
膜が形成され、第３層目に微細な凹凸を有するＳｉＯ2
薄膜が形成される陰極線管用パネルにおいては、この平
坦なＳｉＯ2 薄膜はスピンコート法によって形成され、
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜はスプレーコート法に
より形成されものである。平坦なＳｉＯ2 薄膜は第１層
目のＳｎＯ2 薄膜の屈折率と協働して外部からの光を干
渉するように作用し、該平坦なＳｉＯ2 薄膜上に形成さ
れた微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜は、外部からの光
の拡散反射を大きくして、正反射を小さくするように作
用する。
【００１５】また、本発明において、第１層目のＳｎＯ
2 薄膜をＣＶＤ法によって形成する理由は、ＣＶＤ法は
他のコーティング法に比べて安価で大量生産に向いてお
り、また、透明導電膜の電磁波遮蔽性は膜の電気抵抗が
小さい程向上するが、ＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によって
形成すると膜が細かい粒子の緻密構造となるため、特に
優れた電磁波遮蔽性が得られるためである。
2 薄膜をＣＶＤ法によって形成する理由は、ＣＶＤ法は
他のコーティング法に比べて安価で大量生産に向いてお
り、また、透明導電膜の電磁波遮蔽性は膜の電気抵抗が
小さい程向上するが、ＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によって
形成すると膜が細かい粒子の緻密構造となるため、特に
優れた電磁波遮蔽性が得られるためである。
【００１６】本発明において、第１層目に形成されるＳ
ｎＯ2 薄膜の膜厚は１０００Å以上であるが、実用上の
上限値としては２０００Å未満とすることが好ましい。
その理由は、ＳｎＯ2 薄膜の膜厚が２０００Å以上にな
ると、４００〜７００ｎｍの波長域における反射率に高
低差のバラツキが生じ、全体として一様な反射率の低下
を示さず、その結果、陰極線管の画像における色彩変化
が著しくなり、実用に供しないからである。
ｎＯ2 薄膜の膜厚は１０００Å以上であるが、実用上の
上限値としては２０００Å未満とすることが好ましい。
その理由は、ＳｎＯ2 薄膜の膜厚が２０００Å以上にな
ると、４００〜７００ｎｍの波長域における反射率に高
低差のバラツキが生じ、全体として一様な反射率の低下
を示さず、その結果、陰極線管の画像における色彩変化
が著しくなり、実用に供しないからである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１８】（実施例１）図１は本発明の陰極線管用パ
ネルの縦断面図である。
ネルの縦断面図である。
【００１９】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第１層目として１３００Åの膜厚を
有するフッ素含有のＳｎＯ2 薄膜１１（屈折率１．７
５）が形成され、第２層目として微細な凹凸を有するＳ
ｉＯ2 薄膜１２（屈折率１．４６）が形成されている。
６）の外表面には、第１層目として１３００Åの膜厚を
有するフッ素含有のＳｎＯ2 薄膜１１（屈折率１．７
５）が形成され、第２層目として微細な凹凸を有するＳ
ｉＯ2 薄膜１２（屈折率１．４６）が形成されている。
【００２０】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【００２１】まず、パネルガラス１０を洗浄、乾燥させ
予熱した状態で、外表面にジメチル２塩化錫とフッ素の
混合蒸気（Ｆ／Ｓｎ＝９／１００）を吹き付け、常圧の
ＣＶＤ法によってフッ素がドープされたＳｎＯ2 薄膜１
１を形成した。フッ素としては、ポリフルオロ酢酸、フ
ッ化水素、フッ化カルボン酸、ブタノール溶液にＳｎＦ
2 を溶解させたもの等が使用できる。
予熱した状態で、外表面にジメチル２塩化錫とフッ素の
混合蒸気（Ｆ／Ｓｎ＝９／１００）を吹き付け、常圧の
ＣＶＤ法によってフッ素がドープされたＳｎＯ2 薄膜１
１を形成した。フッ素としては、ポリフルオロ酢酸、フ
ッ化水素、フッ化カルボン酸、ブタノール溶液にＳｎＦ
2 を溶解させたもの等が使用できる。
【００２２】次いで、ＳｎＯ2 薄膜１１の上に、ＳｉＯ
2 含有のエタノール溶液をスプレーコート法により吹き
付けることによって、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜
１２を形成した。
2 含有のエタノール溶液をスプレーコート法により吹き
付けることによって、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜
１２を形成した。
【００２３】（実施例２）図２は本発明の陰極線管用パ
ネルの縦断面図である。
ネルの縦断面図である。
【００２４】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第１層目として１３００Åの膜厚を
有するフッ素含有のＳｎＯ2 薄膜１３（屈折率１．７
５）が形成され、さらに、第２層目として８００Åの膜
厚を有する平坦なＳｉＯ2 薄膜１４（屈折率１．４６）
が形成され、第３層目として微細な凹凸を有するＳｉＯ
2薄膜１５が形成されている。
６）の外表面には、第１層目として１３００Åの膜厚を
有するフッ素含有のＳｎＯ2 薄膜１３（屈折率１．７
５）が形成され、さらに、第２層目として８００Åの膜
厚を有する平坦なＳｉＯ2 薄膜１４（屈折率１．４６）
が形成され、第３層目として微細な凹凸を有するＳｉＯ
2薄膜１５が形成されている。
【００２５】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【００２６】先ず、第１層目のＳｎＯ2 薄膜１３は実施
例１と同じ方法で形成した。
例１と同じ方法で形成した。
【００２７】次いで、このパネルガラス１０を予熱した
状態で回転させながら、ＳｎＯ2 薄膜１３の上にＳｉＯ
2 含有のアルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させ
た後に焼成させることによって、平坦なＳｉＯ2 薄膜１
４を形成した。
状態で回転させながら、ＳｎＯ2 薄膜１３の上にＳｉＯ
2 含有のアルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させ
た後に焼成させることによって、平坦なＳｉＯ2 薄膜１
４を形成した。
【００２８】その後、前記平坦なＳｎＯ2 薄膜１４上
に、ＳｉＯ2 含有のエタノール溶液をスプレーコート法
により吹き付けることによって、微細な凹凸を有するＳ
ｉＯ2薄膜１５を形成した。
に、ＳｉＯ2 含有のエタノール溶液をスプレーコート法
により吹き付けることによって、微細な凹凸を有するＳ
ｉＯ2薄膜１５を形成した。
【００２９】上記のようにして作製した各々の陰極線管
用パネルの面抵抗を測定したところ、実施例１、２の陰
極線管用パネルは１×１０3 Ω／□の低い面抵抗を有し
ており、優れた電磁波遮蔽性を有していた。
用パネルの面抵抗を測定したところ、実施例１、２の陰
極線管用パネルは１×１０3 Ω／□の低い面抵抗を有し
ており、優れた電磁波遮蔽性を有していた。
【００３０】また、各々の陰極線管用パネルの４００〜
７００ｎｍの波長における反射率を測定し、その結果を
図３に示した。図３においては、外表面が未処理の陰極
線管用パネルガラス（屈折率１．５３６）を比較例とし
ている。図３のグラフから明らかなように、実施例１、
２の陰極線管用パネルは、広い波長域に亙って全般的に
低い反射率を有していた。
７００ｎｍの波長における反射率を測定し、その結果を
図３に示した。図３においては、外表面が未処理の陰極
線管用パネルガラス（屈折率１．５３６）を比較例とし
ている。図３のグラフから明らかなように、実施例１、
２の陰極線管用パネルは、広い波長域に亙って全般的に
低い反射率を有していた。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた電
磁波遮蔽性と広い波長域に亙って安定した反射防止性を
有する陰極線管用パネルを得ることが可能である。
磁波遮蔽性と広い波長域に亙って安定した反射防止性を
有する陰極線管用パネルを得ることが可能である。
【図１】本発明の実施例１の陰極線管用パネルの縦断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例２の陰極線管用パネルの縦断面
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
１０ パネルガラス １１、１３ ＳｎＯ2 薄膜 １２、１５ 微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜 １４ 平坦なＳｉＯ2 薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小森 好治 滋賀県大津市晴嵐２丁目７番１号 日本電 気硝子株式会社内 (72)発明者 今村 努 滋賀県大津市晴嵐２丁目７番１号 日本電 気硝子株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 外表面側の第１層目に１０００Å以上の
膜厚と３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有し且つ１〜２
０％のフッ素を含有して１．６〜１．９の屈折率を有す
るＳｎＯ2 薄膜が形成され、第２層目に微細な凹凸を有
するＳｉＯ2薄膜が形成されてなることを特徴とする陰
極線管用パネル。 - 【請求項２】 外表面側の第１層目に１０００Å以上の
膜厚と３×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有し且つ１〜２
０％のフッ素を含有して１．６〜１．９の屈折率を有す
るＳｎＯ2 薄膜が形成され、第２層目に平坦なＳｉＯ2
薄膜が形成され、第３層目に微細な凹凸を有するＳｉＯ
2 薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パ
ネル。 - 【請求項３】 第１層目のＳｎＯ2 薄膜がＣＶＤ法によ
って形成されてなることを特徴とする請求項１又は２の
陰極線管用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30322094A JPH08138580A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30322094A JPH08138580A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138580A true JPH08138580A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17918330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30322094A Pending JPH08138580A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08138580A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428967B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2004-07-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극선관및그제조방법 |
-
1994
- 1994-11-10 JP JP30322094A patent/JPH08138580A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428967B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2004-07-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극선관및그제조방법 |
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