JPH0950775A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH0950775A JPH0950775A JP22250695A JP22250695A JPH0950775A JP H0950775 A JPH0950775 A JP H0950775A JP 22250695 A JP22250695 A JP 22250695A JP 22250695 A JP22250695 A JP 22250695A JP H0950775 A JPH0950775 A JP H0950775A
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有する陰
極線管用パネルを提供することを目的とする。 【解決手段】 パネルガラス（屈折率１．５３６）１０
の外表面には、第１層目として、２７０Åの膜厚を有す
るＺｎＯ膜（屈折率２．０）１１が形成され、第２層目
として、１１００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折率
１．４６）１２が形成されている。
極線管用パネルを提供することを目的とする。 【解決手段】 パネルガラス（屈折率１．５３６）１０
の外表面には、第１層目として、２７０Åの膜厚を有す
るＺｎＯ膜（屈折率２．０）１１が形成され、第２層目
として、１１００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折率
１．４６）１２が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、優れた電磁波遮蔽性と
反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するものであ
る。
反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネック管から構
成される。
と、その背後を形成するファンネル及びネック管から構
成される。
【０００３】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた偏向
コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイルか
ら発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線管
の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、或いは人
体に悪影響を及ぼす虞れがある。
から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた偏向
コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイルか
ら発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線管
の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、或いは人
体に悪影響を及ぼす虞れがある。
【０００４】そこで、従来の陰極線管においては、電磁
波を遮蔽する性能を付与するために、パネルの外表面
に、ＳｎＯ2 等からなる透明導電膜が形成されている。
波を遮蔽する性能を付与するために、パネルの外表面
に、ＳｎＯ2 等からなる透明導電膜が形成されている。
【０００５】またＳｎＯ2 等からなる透明導電膜の屈折
率は、パネルガラスの屈折率（１．５３６）に比べて高
く、パネル上に透明導電膜を形成すると表面反射が大き
く、画像が見づらくなるため、透明導電膜の上に、反射
防止膜を形成することによって、光の表面反射を抑える
ことも試みられており、具体的には、パネル外表面に、
２００〜４００Åの膜厚を有するＳｎＯ2 膜を形成した
後、その上に、ＳｉＯ2 からなる反射防止膜を形成して
なる陰極線管が提案されている。
率は、パネルガラスの屈折率（１．５３６）に比べて高
く、パネル上に透明導電膜を形成すると表面反射が大き
く、画像が見づらくなるため、透明導電膜の上に、反射
防止膜を形成することによって、光の表面反射を抑える
ことも試みられており、具体的には、パネル外表面に、
２００〜４００Åの膜厚を有するＳｎＯ2 膜を形成した
後、その上に、ＳｉＯ2 からなる反射防止膜を形成して
なる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらＳｎＯ2
からなる透明導電膜は、面抵抗（正方形当たりの抵抗
値）が、１×１０6 Ω／□以上と高いため、導電性が低
いという欠点がある。
からなる透明導電膜は、面抵抗（正方形当たりの抵抗
値）が、１×１０6 Ω／□以上と高いため、導電性が低
いという欠点がある。
【０００７】例えば、上記した２００〜４００Åの膜厚
を有するＳｎＯ2 膜であっても、面抵抗が１×１０6 Ω
／□であるため、導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには未だ不十分である。
を有するＳｎＯ2 膜であっても、面抵抗が１×１０6 Ω
／□であるため、導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには未だ不十分である。
【０００８】しかもＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、パネル外表
面に直接ＳｎＯ2 膜を形成すると、パネルの加熱処理に
より、ガラス中のアルカリ成分とＳｎ原料中に含まれる
塩素が反応し、導電性が損なわれる。このようなアルカ
リ成分と塩素の反応を防ぐためには、ＳｎＯ2 膜の下層
に、ＳｉＯ2 膜からなるアンダーコートを設ければ良い
が、このようなＳｉＯ2 膜を形成することはコストが上
昇する要因となるため好ましくない。
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、パネル外表
面に直接ＳｎＯ2 膜を形成すると、パネルの加熱処理に
より、ガラス中のアルカリ成分とＳｎ原料中に含まれる
塩素が反応し、導電性が損なわれる。このようなアルカ
リ成分と塩素の反応を防ぐためには、ＳｎＯ2 膜の下層
に、ＳｉＯ2 膜からなるアンダーコートを設ければ良い
が、このようなＳｉＯ2 膜を形成することはコストが上
昇する要因となるため好ましくない。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有する陰極線
管用パネルを提供することを目的とするものである。
あり、優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有する陰極線
管用パネルを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管用パネ
ルは、外表面側に第１層目として、１００〜９００Åの
膜厚を有するＺｎＯ膜が形成され、第２層目として、５
００〜１５００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜が形成され
てなることを特徴とする。
ルは、外表面側に第１層目として、１００〜９００Åの
膜厚を有するＺｎＯ膜が形成され、第２層目として、５
００〜１５００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜が形成され
てなることを特徴とする。
【００１１】また本発明の陰極線管用パネルは、外表面
側に第１層目として、１００〜９００Åの膜厚を有する
ＺｎＯ膜が形成され、第２層目として、５００〜１５０
０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜が形成され、第３層目と
して、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜が形成されてなる
ことを特徴とする。
側に第１層目として、１００〜９００Åの膜厚を有する
ＺｎＯ膜が形成され、第２層目として、５００〜１５０
０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜が形成され、第３層目と
して、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜が形成されてなる
ことを特徴とする。
【００１２】さらに本発明の陰極線管用パネルは、第１
層目のＺｎＯ膜が、ＣＶＤ法によって形成され、１×１
０3 Ω／□以下の面抵抗を有することを特徴とする。
層目のＺｎＯ膜が、ＣＶＤ法によって形成され、１×１
０3 Ω／□以下の面抵抗を有することを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明において、透明導電膜として使用される
第１層目のＺｎＯ膜は、ＳｎＯ2 膜とほぼ同等の２．０
〜２．１の屈折率（ｎｄ）を有し、またＳｎＯ2 膜と同
様に透明導電膜として使用されるＩｎ2 Ｏ3 膜に比べて
安価で性能が安定しており、しかも１００〜９００Åの
膜厚で、１×１０3 Ω／□以下の面抵抗を得ることが可
能である。
第１層目のＺｎＯ膜は、ＳｎＯ2 膜とほぼ同等の２．０
〜２．１の屈折率（ｎｄ）を有し、またＳｎＯ2 膜と同
様に透明導電膜として使用されるＩｎ2 Ｏ3 膜に比べて
安価で性能が安定しており、しかも１００〜９００Åの
膜厚で、１×１０3 Ω／□以下の面抵抗を得ることが可
能である。
【００１４】このＺｎＯ膜の膜厚を１００〜９００Åに
限定した理由は、１００Åより小さくなると、１×１０
3 Ω／□以下の面抵抗が得難くなり、９００Åより大き
くなると、パネルの表面反射が大きくなりやすいからで
ある。
限定した理由は、１００Åより小さくなると、１×１０
3 Ω／□以下の面抵抗が得難くなり、９００Åより大き
くなると、パネルの表面反射が大きくなりやすいからで
ある。
【００１５】本発明においては、ＺｎＯ膜をＣＶＤ法に
よって形成するのが好ましい。すなわちＣＶＤ法は、他
の被覆法に比べて安価で大量生産に向いているからであ
る。
よって形成するのが好ましい。すなわちＣＶＤ法は、他
の被覆法に比べて安価で大量生産に向いているからであ
る。
【００１６】また本発明においては、ＺｎＯ膜をＣＶＤ
法で形成しても、ハロゲンを含まないＺｎ有機化合物を
原料として用いることにより、ガラス中のアルカリ成分
との反応が抑制されるため、ＳｉＯ2 膜からなるアンダ
ーコートが不要となり、しかも１００〜９００Åという
薄い膜厚で、１×１０3 Ω／□以下の面抵抗が得やすく
なる。
法で形成しても、ハロゲンを含まないＺｎ有機化合物を
原料として用いることにより、ガラス中のアルカリ成分
との反応が抑制されるため、ＳｉＯ2 膜からなるアンダ
ーコートが不要となり、しかも１００〜９００Åという
薄い膜厚で、１×１０3 Ω／□以下の面抵抗が得やすく
なる。
【００１７】またこの第１層目として、ＺｎＯに対し、
少量のＡｌ2 Ｏ3 を添加してなるＺｎＯ膜を使用する
と、Ａｌ2 Ｏ3 の作用によって抵抗値がより低下しやす
くなるため好ましい。
少量のＡｌ2 Ｏ3 を添加してなるＺｎＯ膜を使用する
と、Ａｌ2 Ｏ3 の作用によって抵抗値がより低下しやす
くなるため好ましい。
【００１８】第２層目として形成されるＳｉＯ2 膜は、
反射防止膜として用いられ、その形成方法は、スピンコ
ート法、ディップコート法、スプレーコート法のいずれ
かが適している。このＳｉＯ2 膜の屈折率は、１．４６
であり、第１層目のＺｎＯ膜の屈折率よりも低いため、
光の干渉効果によって反射を抑えることが可能となる。
しかもＳｉＯ2 は、他の低屈折率材料であるＭｇＦ2 、
ＣａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3に比べ、安価で、膜にした時の強
度が高く、しかも性能が安定しているという長所を有し
ている。
反射防止膜として用いられ、その形成方法は、スピンコ
ート法、ディップコート法、スプレーコート法のいずれ
かが適している。このＳｉＯ2 膜の屈折率は、１．４６
であり、第１層目のＺｎＯ膜の屈折率よりも低いため、
光の干渉効果によって反射を抑えることが可能となる。
しかもＳｉＯ2 は、他の低屈折率材料であるＭｇＦ2 、
ＣａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3に比べ、安価で、膜にした時の強
度が高く、しかも性能が安定しているという長所を有し
ている。
【００１９】また本発明においては、このＳｉＯ2 膜の
膜厚を５００〜１５００Åに規定しているが、その理由
は、このような膜厚である時、光の干渉効果による表面
反射が最も低くなるからである。
膜厚を５００〜１５００Åに規定しているが、その理由
は、このような膜厚である時、光の干渉効果による表面
反射が最も低くなるからである。
【００２０】さらに本発明においては、第３層目とし
て、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成することも可
能であり、このＳｉＯ2 膜は、スプレーコート法によっ
て形成することが可能である。このＳｉＯ2 膜を形成す
ると、外部から光線が照射された際に、拡散反射が大き
くなり、逆に正反射が小さくなり、その結果、優れた防
眩効果が得られるため好ましい。
て、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成することも可
能であり、このＳｉＯ2 膜は、スプレーコート法によっ
て形成することが可能である。このＳｉＯ2 膜を形成す
ると、外部から光線が照射された際に、拡散反射が大き
くなり、逆に正反射が小さくなり、その結果、優れた防
眩効果が得られるため好ましい。
【００２１】
【実施例】以下、実施例と比較例に基づいて本発明の陰
極線管用パネルを詳細に説明する。
極線管用パネルを詳細に説明する。
【００２２】（実施例１）図１は、本発明の実施例の陰
極線管用パネル１を示す概略縦断面図である。
極線管用パネル１を示す概略縦断面図である。
【００２３】このパネルガラス（屈折率１．５３６）１
０の外表面には、第１層目として、２７０Åの膜厚を有
するＺｎＯ膜（屈折率２．０）１１が形成され、第２層
目として、１１００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折
率１．４６）１２が形成されている。
０の外表面には、第１層目として、２７０Åの膜厚を有
するＺｎＯ膜（屈折率２．０）１１が形成され、第２層
目として、１１００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折
率１．４６）１２が形成されている。
【００２４】この陰極線管用パネル１は、次のようにし
て作製した。
て作製した。
【００２５】まずパネルガラス１０を予熱しておき、そ
の外表面に亜鉛アセチルアセトネートの蒸気を吹き付
け、常圧のＣＶＤ法によってＺｎＯ膜１１を形成した。
次いでこのパネルガラス１０を予熱した状態で回転させ
ながら、ＺｎＯ膜１１のほぼ中央に、ＳｉＯ2 を含有す
るアルコール溶液を滴下し、自然乾燥させた後、焼成す
ることによってＳｉＯ2 膜１２を形成した。
の外表面に亜鉛アセチルアセトネートの蒸気を吹き付
け、常圧のＣＶＤ法によってＺｎＯ膜１１を形成した。
次いでこのパネルガラス１０を予熱した状態で回転させ
ながら、ＺｎＯ膜１１のほぼ中央に、ＳｉＯ2 を含有す
るアルコール溶液を滴下し、自然乾燥させた後、焼成す
ることによってＳｉＯ2 膜１２を形成した。
【００２６】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
の陰極線管用パネル２を示す概略縦断面図である。
の陰極線管用パネル２を示す概略縦断面図である。
【００２７】このパネルガラス（屈折率１．５３６）２
０の外表面には、第１層目として、２７０Åの膜厚を有
するＺｎＯ膜（屈折率２．０）２１が形成され、第２層
目として、１０００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折
率１．４６）２２が形成され、第３層目として、微細な
凹凸を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）２３が形成
されている。
０の外表面には、第１層目として、２７０Åの膜厚を有
するＺｎＯ膜（屈折率２．０）２１が形成され、第２層
目として、１０００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折
率１．４６）２２が形成され、第３層目として、微細な
凹凸を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）２３が形成
されている。
【００２８】この陰極線管用パネル２は、次のようにし
て作製した。
て作製した。
【００２９】まずパネルガラス２０を予熱しておき、そ
の外表面に、亜鉛アセチルアセトネートの蒸気を吹き付
け、常圧のＣＶＤ法によってＺｎＯ膜２１を形成した。
次いでこのパネルガラス２０を予熱した状態で、回転さ
せながら、ＺｎＯ膜２１のほぼ中央に、ＳｉＯ2 含有の
アルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後、焼
成することによってＳｉＯ2 膜２２を形成した。次いで
このＳｉＯ2 膜２２の上に、ＳｉＯ2 を含むエタノール
溶液をスプレーコート法により吹き付け、微細な凹凸を
有するＳｉＯ2 膜２３を形成した。
の外表面に、亜鉛アセチルアセトネートの蒸気を吹き付
け、常圧のＣＶＤ法によってＺｎＯ膜２１を形成した。
次いでこのパネルガラス２０を予熱した状態で、回転さ
せながら、ＺｎＯ膜２１のほぼ中央に、ＳｉＯ2 含有の
アルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後、焼
成することによってＳｉＯ2 膜２２を形成した。次いで
このＳｉＯ2 膜２２の上に、ＳｉＯ2 を含むエタノール
溶液をスプレーコート法により吹き付け、微細な凹凸を
有するＳｉＯ2 膜２３を形成した。
【００３０】こうして作製した実施例１、２の陰極線管
用パネルの面抵抗を測定したところ、いずれも３×１０
2 Ω／□であり、優れた電磁波遮蔽性を備えていた。
用パネルの面抵抗を測定したところ、いずれも３×１０
2 Ω／□であり、優れた電磁波遮蔽性を備えていた。
【００３１】また実施例１、２の陰極線管用パネルと、
外表面側に何らの膜も形成していない陰極線管用パネル
（比較例）について、４００〜７００ｎｍの波長におけ
る反射率を測定し、その結果を図３に示した。
外表面側に何らの膜も形成していない陰極線管用パネル
（比較例）について、４００〜７００ｎｍの波長におけ
る反射率を測定し、その結果を図３に示した。
【００３２】図３から明らかなように、実施例１、２の
陰極線管用パネルは、広い波長域にわたって低い反射率
を有し、優れた反射防止性を備えているが、比較例の陰
極線管用パネルは、全ての波長域にわたって４．５％付
近の高い反射率を有していた。
陰極線管用パネルは、広い波長域にわたって低い反射率
を有し、優れた反射防止性を備えているが、比較例の陰
極線管用パネルは、全ての波長域にわたって４．５％付
近の高い反射率を有していた。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の陰極線管用パネル
は、第１層目として１００〜９００Åの膜厚を有するＺ
ｎＯ膜が形成されてなるため、１×１０3 Ω／□以下の
低い面抵抗を有し、しかもこのＺｎＯ膜の上に、第２層
目として５００〜１５００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜
が形成されてなるため、広い波長域にわたって低い反射
率を有している。
は、第１層目として１００〜９００Åの膜厚を有するＺ
ｎＯ膜が形成されてなるため、１×１０3 Ω／□以下の
低い面抵抗を有し、しかもこのＺｎＯ膜の上に、第２層
目として５００〜１５００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜
が形成されてなるため、広い波長域にわたって低い反射
率を有している。
【００３４】また本発明においては、第３層目として、
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成することによっ
て、拡散反射を大きくし、優れた防眩効果を得ることが
可能である。
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成することによっ
て、拡散反射を大きくし、優れた防眩効果を得ることが
可能である。
【図１】実施例の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図
である。
である。
【図２】他の実施例の陰極線管用パネルを示す概略縦断
面図である。
面図である。
【図３】実施例と比較例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
１、２ 陰極線管用パネル １０、２０ パネルガラス １１、２１ ＺｎＯ膜 １２、２２ ＳｉＯ2 膜 ２３ 微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜
Claims (3)
- 【請求項１】 外表面側に第１層目として、１００〜９
００Åの膜厚を有するＺｎＯ膜が形成され、第２層目と
して、５００〜１５００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜が
形成されてなることを特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項２】 外表面側に第１層目として、１００〜９
００Åの膜厚を有するＺｎＯ膜が形成され、第２層目と
して、５００〜１５００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜が
形成され、第３層目として、微細な凹凸を有するＳｉＯ
2 膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パネ
ル。 - 【請求項３】 第１層目のＺｎＯ膜が、ＣＶＤ法によっ
て形成され、１×１０3 Ω／□以下の面抵抗を有してな
ることを特徴とする請求項１または２の陰極線管用パネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22250695A JPH0950775A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22250695A JPH0950775A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950775A true JPH0950775A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16783502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22250695A Pending JPH0950775A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950775A (ja) |
-
1995
- 1995-08-07 JP JP22250695A patent/JPH0950775A/ja active Pending
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