JPH05299037A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH05299037A JPH05299037A JP4130107A JP13010792A JPH05299037A JP H05299037 A JPH05299037 A JP H05299037A JP 4130107 A JP4130107 A JP 4130107A JP 13010792 A JP13010792 A JP 13010792A JP H05299037 A JPH05299037 A JP H05299037A
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- JP
- Japan
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- thin film
- panel
- ray tube
- layer
- sno
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- Pending
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広い波長域に亙って低い反射率を有するた
め、画像が見えにくくなるという問題を解消できる陰極
線管用パネルを提供することを目的とする。 【構成】 パネルガラス１０の外表面には、第一層目と
して６５６Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜１１が形成さ
れ、また第二層目として５７１Åの膜厚を有するＴｉＯ
2 薄膜１２が形成され、さらに第三層目として、８９９
Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１３が形成されている。
め、画像が見えにくくなるという問題を解消できる陰極
線管用パネルを提供することを目的とする。 【構成】 パネルガラス１０の外表面には、第一層目と
して６５６Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜１１が形成さ
れ、また第二層目として５７１Åの膜厚を有するＴｉＯ
2 薄膜１２が形成され、さらに第三層目として、８９９
Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１３が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外表面に透明導電膜と
反射防止膜が形成されてなる陰極線管用パネルに関する
ものである。
反射防止膜が形成されてなる陰極線管用パネルに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が写し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
され、通常、パネルの外表面には、透明導電膜が形成さ
れている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
され、通常、パネルの外表面には、透明導電膜が形成さ
れている。
【０００３】透明導電膜は、陰極線管の動作中、パネル
に高電圧が帯電することによって、人体等との間で放電
が発生したり、表面に埃が吸着して画質が低下するのを
防止する帯電防止作用と共に、陰極線管の内部回路から
発生する不要電磁波の漏洩によって、人体や他の機器に
悪影響を及ぼさないように電磁波を遮蔽する作用を有し
ている。
に高電圧が帯電することによって、人体等との間で放電
が発生したり、表面に埃が吸着して画質が低下するのを
防止する帯電防止作用と共に、陰極線管の内部回路から
発生する不要電磁波の漏洩によって、人体や他の機器に
悪影響を及ぼさないように電磁波を遮蔽する作用を有し
ている。
【０００４】透明導電膜の材質としては、一般にＳｎＯ
2 やＩｎ2 Ｏ3 が用いられているが、これらの材料は、
ガラスに比べて高い屈折率を有しているので、パネル外
表面に透明導電膜を形成すると、光の表面反射が強くな
って画像が見えにくくなるという問題が発生する。
2 やＩｎ2 Ｏ3 が用いられているが、これらの材料は、
ガラスに比べて高い屈折率を有しているので、パネル外
表面に透明導電膜を形成すると、光の表面反射が強くな
って画像が見えにくくなるという問題が発生する。
【０００５】そこでパネル表面に透明導電膜を形成した
後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て、光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的に
は、パネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜をスピ
ンコート法によって形成した後、さらにその上にＳｉＯ
2 からなる反射防止膜をスピンコート法によって形成し
てなる陰極線管が提案されている。
後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て、光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的に
は、パネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜をスピ
ンコート法によって形成した後、さらにその上にＳｉＯ
2 からなる反射防止膜をスピンコート法によって形成し
てなる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な陰極線管は、約５００〜５５０ｎｍの狭い波長域にお
いては、かなり低い反射率を有するが、それ以外の可視
域においては、反射率が高くなるため、上記したような
画像が見えにくくなるという問題を解消するには、未だ
不十分である。
な陰極線管は、約５００〜５５０ｎｍの狭い波長域にお
いては、かなり低い反射率を有するが、それ以外の可視
域においては、反射率が高くなるため、上記したような
画像が見えにくくなるという問題を解消するには、未だ
不十分である。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、その第一の目的は、広い波長域（以下、広帯域と
いう）に亙って低い反射率を有するため、画像が見えに
くくなるという問題を解消できる陰極線管用パネルを提
供することである。
あり、その第一の目的は、広い波長域（以下、広帯域と
いう）に亙って低い反射率を有するため、画像が見えに
くくなるという問題を解消できる陰極線管用パネルを提
供することである。
【０００８】本発明の第二の目的は、特に優れた電磁波
遮蔽性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。
遮蔽性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々の研
究を重ねた結果、陰極線管用パネルガラスの外表面にＳ
ｎＯ2 を形成した後、さらにその上に所望の屈折率を有
する二層の薄膜を形成することによって、上記第一の目
的を達成することが可能であることを見いだし、本発明
として提案するものである。
究を重ねた結果、陰極線管用パネルガラスの外表面にＳ
ｎＯ2 を形成した後、さらにその上に所望の屈折率を有
する二層の薄膜を形成することによって、上記第一の目
的を達成することが可能であることを見いだし、本発明
として提案するものである。
【００１０】すなわち本発明の陰極線管用パネルは、外
表面側の第一層目にＳｎＯ2 薄膜が形成され、第二層目
にＳｎＯ2 より高い屈折率の材料からなる薄膜が形成さ
れ、第三層目にＳｎＯ2 より低い屈折率の材料からなる
薄膜が形成されてなることを特徴とする。
表面側の第一層目にＳｎＯ2 薄膜が形成され、第二層目
にＳｎＯ2 より高い屈折率の材料からなる薄膜が形成さ
れ、第三層目にＳｎＯ2 より低い屈折率の材料からなる
薄膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１１】また本発明は、好ましくは、第二層目の薄
膜が、ＴｉＯ2 からなり、第三層目の薄膜が、ＳｉＯ2
からなることを特徴とする。
膜が、ＴｉＯ2 からなり、第三層目の薄膜が、ＳｉＯ2
からなることを特徴とする。
【００１２】さらに本発明において、第一層目のＳｎＯ
2 薄膜がＣＶＤ法によって形成され、２００Å以上の膜
厚と、１×１０6 Ω以下の面抵抗（正方形当たりの抵抗
値）を有すると、上記第二の目的を達成することが可能
となる。
2 薄膜がＣＶＤ法によって形成され、２００Å以上の膜
厚と、１×１０6 Ω以下の面抵抗（正方形当たりの抵抗
値）を有すると、上記第二の目的を達成することが可能
となる。
【００１３】
【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第一層目のＳｎＯ2 薄膜は、２．０の屈折率（ｎｄ）を
有し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べて、安価で、性能が安定し
ていることを特徴とする。
第一層目のＳｎＯ2 薄膜は、２．０の屈折率（ｎｄ）を
有し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べて、安価で、性能が安定し
ていることを特徴とする。
【００１４】さらに本発明においては、第二層目の薄膜
として、ＳｎＯ2 より高い屈折率を有する薄膜が形成さ
れ、さらに第三層目の薄膜として、ＳｎＯ2 より低い屈
折率を有する薄膜が形成されてなるため、広帯域に亙っ
て低い反射率を得ることが可能となる。
として、ＳｎＯ2 より高い屈折率を有する薄膜が形成さ
れ、さらに第三層目の薄膜として、ＳｎＯ2 より低い屈
折率を有する薄膜が形成されてなるため、広帯域に亙っ
て低い反射率を得ることが可能となる。
【００１５】第二層目の薄膜、すなわちＳｎＯ2 より高
い屈折率を有する薄膜の材質としては、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳ、ＣｅＯ2 等が使用可能であ
り、第三層目の薄膜、すなわちＳｎＯ2 より低い屈折率
を有する薄膜の材質としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、Ｃ
ａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第二層目としてＴ
ｉＯ2 （屈折率２．３）の薄膜、第三層目としてＳｉＯ
2 （屈折率１．４６）の薄膜を使用するのが最も望まし
く、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかの方法が適して
いる。
い屈折率を有する薄膜の材質としては、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳ、ＣｅＯ2 等が使用可能であ
り、第三層目の薄膜、すなわちＳｎＯ2 より低い屈折率
を有する薄膜の材質としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、Ｃ
ａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第二層目としてＴ
ｉＯ2 （屈折率２．３）の薄膜、第三層目としてＳｉＯ
2 （屈折率１．４６）の薄膜を使用するのが最も望まし
く、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかの方法が適して
いる。
【００１６】またＣＶＤ法は、他のコーティング法に比
べて安価で、大量生産に向いており、また透明導電膜の
帯電防止性と電磁波遮蔽性は、膜の電気抵抗が小さいほ
ど向上するが、本発明において第一層目のＳｎＯ2 薄膜
をＣＶＤ法によって形成すると、膜が細かい粒子の緻密
構造となり、さらにこれを２００Å以上の膜厚にするこ
とによって、１×１０6 以下の面抵抗を有する薄膜とな
るため、特に優れた電磁波遮蔽性が得られる。
べて安価で、大量生産に向いており、また透明導電膜の
帯電防止性と電磁波遮蔽性は、膜の電気抵抗が小さいほ
ど向上するが、本発明において第一層目のＳｎＯ2 薄膜
をＣＶＤ法によって形成すると、膜が細かい粒子の緻密
構造となり、さらにこれを２００Å以上の膜厚にするこ
とによって、１×１０6 以下の面抵抗を有する薄膜とな
るため、特に優れた電磁波遮蔽性が得られる。
【００１７】さらにこの第一層目の薄膜を構成するＳｎ
Ｏ2 には、帯電防止性を向上させる目的で、少量のＳｂ
2 Ｏ3 を添加することが可能である。
Ｏ2 には、帯電防止性を向上させる目的で、少量のＳｂ
2 Ｏ3 を添加することが可能である。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００１９】（実施例）図１は、本発明の陰極線管用パ
ネルの縦断面図である。
ネルの縦断面図である。
【００２０】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第一層目として６５６Åの膜厚を有
するＳｎＯ2 薄膜１１が形成され、また第二層目として
５７１Åの膜厚を有するＴｉＯ2 薄膜１２が形成され、
さらに第三層目として、８９９Åの膜厚を有するＳｉＯ
2 薄膜１３が形成されている。
６）の外表面には、第一層目として６５６Åの膜厚を有
するＳｎＯ2 薄膜１１が形成され、また第二層目として
５７１Åの膜厚を有するＴｉＯ2 薄膜１２が形成され、
さらに第三層目として、８９９Åの膜厚を有するＳｉＯ
2 薄膜１３が形成されている。
【００２１】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は、以下の方法によって行った。
の形成は、以下の方法によって行った。
【００２２】まずパネルガラス１０を歪点（約４８０
℃）まで加熱しておき、この外表面にジメチル二塩化錫
と塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ＝１／１０
０）を吹き付け、常圧のＣＶＤ法によって、Ｓｂがドー
プされたＳｎＯ2 薄膜１１を形成した。
℃）まで加熱しておき、この外表面にジメチル二塩化錫
と塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ＝１／１０
０）を吹き付け、常圧のＣＶＤ法によって、Ｓｂがドー
プされたＳｎＯ2 薄膜１１を形成した。
【００２３】その後、このＳｎＯ2 薄膜１１を洗浄、乾
燥させ、パネルガラス１０を約４０℃に予熱した状態
で、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上に
ＴｉＯ2 含有アルコール溶液を適下した後、これを自然
乾燥させ、４５０℃で３０分間焼成することによって、
ＴｉＯ2 薄膜１２を形成した。
燥させ、パネルガラス１０を約４０℃に予熱した状態
で、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上に
ＴｉＯ2 含有アルコール溶液を適下した後、これを自然
乾燥させ、４５０℃で３０分間焼成することによって、
ＴｉＯ2 薄膜１２を形成した。
【００２４】次いで、このＴｉＯ2 薄膜１２を洗浄、乾
燥させ、パネルガラス１０を約４０℃に予熱した状態
で、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上に
ＳｉＯ2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを自然
乾燥させ、４５０℃で３０分間焼成することによって、
ＳｉＯ2 薄膜１３を形成した。
燥させ、パネルガラス１０を約４０℃に予熱した状態
で、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上に
ＳｉＯ2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを自然
乾燥させ、４５０℃で３０分間焼成することによって、
ＳｉＯ2 薄膜１３を形成した。
【００２５】（比較例）図１に示すようなパネルガラス
を用意し、このパネルガラスを約４０℃に予熱した状態
で、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上に
エタノールアンチモンドープ酸化錫のゾル液（Ｓｂ／Ｓ
ｎ＝１／１００）を滴下した後、これを自然乾燥させる
ことによって、７９５Åの膜厚を有し、Ｓｂがドープさ
れたＳｎＯ2 薄膜を形成した。
を用意し、このパネルガラスを約４０℃に予熱した状態
で、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上に
エタノールアンチモンドープ酸化錫のゾル液（Ｓｂ／Ｓ
ｎ＝１／１００）を滴下した後、これを自然乾燥させる
ことによって、７９５Åの膜厚を有し、Ｓｂがドープさ
れたＳｎＯ2 薄膜を形成した。
【００２６】次いでパネルガラスを約４０℃に予熱した
状態で、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その
上にＳｉＯ2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを
自然乾燥させ、４５０℃で３０分間焼成することによっ
て、８９９Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜を形成した。
状態で、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その
上にＳｉＯ2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを
自然乾燥させ、４５０℃で３０分間焼成することによっ
て、８９９Åの膜厚を有するＳｉＯ2 膜を形成した。
【００２７】こうして作製した各々の陰極線管用パネル
の反射率を測定し、その結果を図２に示した。
の反射率を測定し、その結果を図２に示した。
【００２８】図２から明らかなように、実施例のパネル
は、広帯域に亙って低い反射率を有し、特に約４８０ｎ
ｍから約５８０ｎｍの波長では、無反射に近い特性を有
していた。しかしながら比較例のパネルは、実施例のパ
ネルに比べて全般に反射率が高かった。
は、広帯域に亙って低い反射率を有し、特に約４８０ｎ
ｍから約５８０ｎｍの波長では、無反射に近い特性を有
していた。しかしながら比較例のパネルは、実施例のパ
ネルに比べて全般に反射率が高かった。
【００２９】また各陰極線管用パネルの面抵抗を測定し
たところ、実施例のパネルは、１×１０3 Ωの低い面抵
抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有していた。一
方、比較例のパネルは、面抵抗が５×１０9 Ωと高く、
電磁波遮蔽性に劣っていた。
たところ、実施例のパネルは、１×１０3 Ωの低い面抵
抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有していた。一
方、比較例のパネルは、面抵抗が５×１０9 Ωと高く、
電磁波遮蔽性に劣っていた。
【００３０】尚、上記の膜厚（Å）は、可視域の光の波
長を表すλを５２５ｎｍに設定し、各層の膜の屈折率を
ｎとして、λ／４ｎの条件式によって求めたものであ
る。
長を表すλを５２５ｎｍに設定し、各層の膜の屈折率を
ｎとして、λ／４ｎの条件式によって求めたものであ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた反
射防止性、帯電防止性及び電磁波遮蔽性を有する陰極線
管用パネルを得ることが可能である。
射防止性、帯電防止性及び電磁波遮蔽性を有する陰極線
管用パネルを得ることが可能である。
【図１】本発明の陰極線管用パネルの縦断面図である。
【図２】実施例と比較例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
１０ パネルガラス １１ ＳｎＯ2 膜 １２ ＴｉＯ2 膜 １３ ＳｉＯ2 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 幸雄 滋賀県大津市晴嵐２丁目７番１号 日本電 気硝子株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 外表面側の第一層目にＳｎＯ2 薄膜が形
成され、第二層目にＳｎＯ2 より高い屈折率の材料から
なる薄膜が形成され、第三層目にＳｎＯ2 より低い屈折
率の材料からなる薄膜が形成されてなることを特徴とす
る陰極線管用パネル。 - 【請求項２】 第二層目の薄膜が、ＴｉＯ2 からなるこ
とを特徴とする請求項１の陰極線管用パネル。 - 【請求項３】 第三層目の薄膜が、ＳｉＯ2 からなるこ
とを特徴とする請求項１の陰極線管用パネル。 - 【請求項４】 第一層目の薄膜がＣＶＤ法によって形成
され、２００Å以上の膜厚と、１×１０6 Ω以下の面抵
抗を有することを特徴とする請求項１の陰極線管用パネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130107A JPH05299037A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130107A JPH05299037A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299037A true JPH05299037A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=15026123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4130107A Pending JPH05299037A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299037A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428967B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2004-07-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극선관및그제조방법 |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP4130107A patent/JPH05299037A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428967B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2004-07-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극선관및그제조방법 |
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