JPH0669681A - 低周電磁波減衰機能を持つ反射防止膜 - Google Patents
低周電磁波減衰機能を持つ反射防止膜Info
- Publication number
- JPH0669681A JPH0669681A JP4245855A JP24585592A JPH0669681A JP H0669681 A JPH0669681 A JP H0669681A JP 4245855 A JP4245855 A JP 4245855A JP 24585592 A JP24585592 A JP 24585592A JP H0669681 A JPH0669681 A JP H0669681A
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- refractive
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】基板／高屈折率膜／低屈折率膜／高屈折率膜／
低屈折率膜の構成の４層からなる反射防止膜において、
基板から第１層目をシート抵抗値が７×１０3 Ω／□以
下のＩＴＯ膜とする。 【効果】４００ｋＨｚ以下の低周電磁波を１／４以下に
減衰させることができる。
低屈折率膜の構成の４層からなる反射防止膜において、
基板から第１層目をシート抵抗値が７×１０3 Ω／□以
下のＩＴＯ膜とする。 【効果】４００ｋＨｚ以下の低周電磁波を１／４以下に
減衰させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低周電磁波減衰機能を持
つ反射防止膜に関するものである。
つ反射防止膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電性を持つ反射防止膜は、帯電
防止を目的に各種提案されてきたが、従来のものは、帯
電防止反射防止膜は１０8 Ω／□以上のシート抵抗であ
り、近年ＣＲＴ（陰極線管）の人体へ与える影響として
問題となりつつある４００ｋＨｚ以下の低周電磁波（以
下、ＶＬＦという）の減衰についてはほとんど効果がな
かった。
防止を目的に各種提案されてきたが、従来のものは、帯
電防止反射防止膜は１０8 Ω／□以上のシート抵抗であ
り、近年ＣＲＴ（陰極線管）の人体へ与える影響として
問題となりつつある４００ｋＨｚ以下の低周電磁波（以
下、ＶＬＦという）の減衰についてはほとんど効果がな
かった。
【０００３】また、特開昭６１−１６８８９９号公報、
特開昭６３−２６６４０１号公報により４層膜の導電性
反射防止膜の提案はなされているが、実施例の膜厚では
充分な反射特性は得られず、現行ＣＲＴ等で使用されて
いる高性能、反射防止膜等への展開可否判断ができず、
また低周電磁波の減衰効果も不明であった。
特開昭６３−２６６４０１号公報により４層膜の導電性
反射防止膜の提案はなされているが、実施例の膜厚では
充分な反射特性は得られず、現行ＣＲＴ等で使用されて
いる高性能、反射防止膜等への展開可否判断ができず、
また低周電磁波の減衰効果も不明であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、４層反射防
止膜の反射特性を維持したまま、４００ｋＨｚ以下の低
周電磁波を１／４以下に減衰する反射防止膜を提供する
ものである。
止膜の反射特性を維持したまま、４００ｋＨｚ以下の低
周電磁波を１／４以下に減衰する反射防止膜を提供する
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、基板／高屈折率膜／
低屈折率膜／高屈折率膜／低屈折率膜の構成の４層から
なる反射防止膜において、基板より第１層目の高屈折率
膜が、シート抵抗値が７×１０3 Ω／□以下であり、４
００ｋＨｚ以下の低周電磁波を１／４以下に減衰可能で
あることを特徴とする低周電磁波減衰機能を持つ反射防
止膜を提供するものである。
を解決すべくなされたものであり、基板／高屈折率膜／
低屈折率膜／高屈折率膜／低屈折率膜の構成の４層から
なる反射防止膜において、基板より第１層目の高屈折率
膜が、シート抵抗値が７×１０3 Ω／□以下であり、４
００ｋＨｚ以下の低周電磁波を１／４以下に減衰可能で
あることを特徴とする低周電磁波減衰機能を持つ反射防
止膜を提供するものである。
【０００６】本発明の４層反射防止膜は、４００ｋＨｚ
以下の低周電磁波を１／４以下に減衰させるために、基
板から第１層目の高屈折率膜が、シート抵抗が７×１０
3 Ω／□以下の膜からなるものである。また、かかる第
１層目の膜の光学膜厚ｎ1 ｄ1 （ｎ1 ：屈折率、ｄ1 ：
実際の膜厚、下付文字は基板側からの層数を示す。以下
同じ）は、設計波長をλ0 とすると、０．０４λ0 以上
０．０８２λ0 以下であり、ｎ1 が１．９以上２．１以
下であることが望ましい。これは、上述のシート抵抗値
を得、かつ充分な反射防止性能を得るためである。第１
層目の膜の材料としては、インジウム−スズ酸化物（以
下、ＩＴＯという。屈折率２．０）、酸化スズ（屈折率
２．０）、酸化亜鉛（屈折率２．１）等を主成分とする
膜が好ましい。
以下の低周電磁波を１／４以下に減衰させるために、基
板から第１層目の高屈折率膜が、シート抵抗が７×１０
3 Ω／□以下の膜からなるものである。また、かかる第
１層目の膜の光学膜厚ｎ1 ｄ1 （ｎ1 ：屈折率、ｄ1 ：
実際の膜厚、下付文字は基板側からの層数を示す。以下
同じ）は、設計波長をλ0 とすると、０．０４λ0 以上
０．０８２λ0 以下であり、ｎ1 が１．９以上２．１以
下であることが望ましい。これは、上述のシート抵抗値
を得、かつ充分な反射防止性能を得るためである。第１
層目の膜の材料としては、インジウム−スズ酸化物（以
下、ＩＴＯという。屈折率２．０）、酸化スズ（屈折率
２．０）、酸化亜鉛（屈折率２．１）等を主成分とする
膜が好ましい。
【０００７】また、基板から第２層目の低屈折率膜につ
いては、光学膜厚ｎ2 ｄ2 が、ｎ1ｄ1 ＋ｎ2 ｄ2 の値
が０．０８λ0 以上０．１５λ0 以下となるような値で
あることが望ましく、更にｎ2 ｄ2 はｎ1 ｄ1 ±０．２
０λ0 の範囲内であることが望ましい。また、ｎ2 は
１．３８〜１．３９が好ましく、材料としてはＭｇＦ2
膜が好ましい。
いては、光学膜厚ｎ2 ｄ2 が、ｎ1ｄ1 ＋ｎ2 ｄ2 の値
が０．０８λ0 以上０．１５λ0 以下となるような値で
あることが望ましく、更にｎ2 ｄ2 はｎ1 ｄ1 ±０．２
０λ0 の範囲内であることが望ましい。また、ｎ2 は
１．３８〜１．３９が好ましく、材料としてはＭｇＦ2
膜が好ましい。
【０００８】基板から第３層目の高屈折率膜は、光学膜
厚ｎ3 ｄ3 が約０．５０λ0 で、ｎ3 が２．０〜２．２
であることが好ましい。材料としては、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2等が挙げられるが特に限定されない。
厚ｎ3 ｄ3 が約０．５０λ0 で、ｎ3 が２．０〜２．２
であることが好ましい。材料としては、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2等が挙げられるが特に限定されない。
【０００９】基板から第４層目の低屈折率膜は、光学膜
厚ｎ4 ｄ4 が約０．２５λ0 であることが好ましい。こ
の第４層目には、ｎ4 が１．３８〜１．３９のＭｇＦ2
膜を用いるのが望ましい。
厚ｎ4 ｄ4 が約０．２５λ0 であることが好ましい。こ
の第４層目には、ｎ4 が１．３８〜１．３９のＭｇＦ2
膜を用いるのが望ましい。
【００１０】本発明の基板としては、屈折率１．５２程
度のガラス基板が用いられる。なお、１層目のＩＴＯ膜
からの接地は、ガラスハンダ（商品名セラソルザ）、銀
およびガラスフリットを含むペーストの印刷焼付等で容
易に行うことができる。
度のガラス基板が用いられる。なお、１層目のＩＴＯ膜
からの接地は、ガラスハンダ（商品名セラソルザ）、銀
およびガラスフリットを含むペーストの印刷焼付等で容
易に行うことができる。
【００１１】
【作用】本発明は、絶縁体である透明基板に７×１０3
Ω／□以下の透明導電膜ＩＴＯ膜をコーティングし、こ
れを接地することにより、漏洩するＶＬＦ波強度を減少
させる。本発明は、ＩＴＯ膜が上記抵抗値を得られる充
分な膜厚範囲内で、第１層の膜厚条件を設けることによ
り、良好な反射防止特性を得ている。
Ω／□以下の透明導電膜ＩＴＯ膜をコーティングし、こ
れを接地することにより、漏洩するＶＬＦ波強度を減少
させる。本発明は、ＩＴＯ膜が上記抵抗値を得られる充
分な膜厚範囲内で、第１層の膜厚条件を設けることによ
り、良好な反射防止特性を得ている。
【００１２】
【実施例】［実施例１〜３］３ｍｍ厚のガラス板（屈折
率１．５２）に以下に述べる各種４層反射防止膜を形成
した。第１層はＩＴＯ膜（ｎ1 ＝２．００）、第２層お
よび第４層はＭｇＦ 2 膜（ｎ2 、ｎ4 ＝１．３８）、第
３層はＺｒＯ2 膜（ｎ3 ＝２．１４）とし、膜厚を変え
て表１のような反射防止膜を形成した。設計波長は５２
０ｎｍとした。表１において第１段は膜厚ｄを、第２段
は光学膜厚ｎｄを、第３段はシート抵抗値Ｒ（ｋΩ／
□）を示す。
率１．５２）に以下に述べる各種４層反射防止膜を形成
した。第１層はＩＴＯ膜（ｎ1 ＝２．００）、第２層お
よび第４層はＭｇＦ 2 膜（ｎ2 、ｎ4 ＝１．３８）、第
３層はＺｒＯ2 膜（ｎ3 ＝２．１４）とし、膜厚を変え
て表１のような反射防止膜を形成した。設計波長は５２
０ｎｍとした。表１において第１段は膜厚ｄを、第２段
は光学膜厚ｎｄを、第３段はシート抵抗値Ｒ（ｋΩ／
□）を示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】実施例１〜３において形成した反射防止膜
付ガラス板の上下左右の４カ所に第１層のＩＴＯ膜と導
通させて接地端子を設け、各接地端子を接地状態とした
後、反射防止膜を前面となるようにしてＣＲＴ前面に近
接して設置した。かかるガラス板から３０ｃｍ離れたと
ころにＶＬＦ測定機を置き、ＣＲＴから放射されるＶＬ
Ｆの減衰効果を測定した。
付ガラス板の上下左右の４カ所に第１層のＩＴＯ膜と導
通させて接地端子を設け、各接地端子を接地状態とした
後、反射防止膜を前面となるようにしてＣＲＴ前面に近
接して設置した。かかるガラス板から３０ｃｍ離れたと
ころにＶＬＦ測定機を置き、ＣＲＴから放射されるＶＬ
Ｆの減衰効果を測定した。
【００１５】反射防止膜を形成しないガラス基板を配置
した場合のＶＬＦ強度を１．０とし、上述の反射防止膜
付きガラス基板を配置した場合のＶＬＦ相対強度とシー
ト抵抗値の関係を図１に示す。図１よりＶＬＦ相対強度
を１／４以下に減衰させるためにはシート抵抗が７ｋΩ
／□以下の必要があることがわかる。
した場合のＶＬＦ強度を１．０とし、上述の反射防止膜
付きガラス基板を配置した場合のＶＬＦ相対強度とシー
ト抵抗値の関係を図１に示す。図１よりＶＬＦ相対強度
を１／４以下に減衰させるためにはシート抵抗が７ｋΩ
／□以下の必要があることがわかる。
【００１６】［実施例４，５、比較例１，２］実施例１
〜３と同様の膜構成で膜厚のみ変えて表２のような各種
反射防止膜を形成した。
〜３と同様の膜構成で膜厚のみ変えて表２のような各種
反射防止膜を形成した。
【００１７】
【表２】
【００１８】図５より、ｎ1 ｄ1 が０．０３５では５２
０ｎｍ付近の反射率がかなり上昇してしまうこと、また
図６よりｎ1 ｄ1 が０．０８７では反射率の低い波長範
囲が４７０ｎｍ〜５６０ｎｍとせまくなることがわか
る。
０ｎｍ付近の反射率がかなり上昇してしまうこと、また
図６よりｎ1 ｄ1 が０．０８７では反射率の低い波長範
囲が４７０ｎｍ〜５６０ｎｍとせまくなることがわか
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、反射防止膜に帯電防止機
能に加え、低周電磁波を１／４以下に減衰する効果を付
与することができる。
能に加え、低周電磁波を１／４以下に減衰する効果を付
与することができる。
【図１】実施例１〜３におけるシート抵抗とＶＬＦ相対
強度の関係を示すグラフ
強度の関係を示すグラフ
【図２】実施例１の反射防止性能を示すグラフ
【図３】実施例２の反射防止性能を示すグラフ
【図４】実施例３の反射防止性能を示すグラフ
【図５】実施例４および比較例１の反射防止性能を示す
グラフ
グラフ
【図６】実施例５および比較例２の反射防止性能を示す
グラフ
グラフ
Claims (4)
- 【請求項１】基板／高屈折率膜／低屈折率膜／高屈折率
膜／低屈折率膜の構成の４層からなる反射防止膜におい
て、基板より第１層目の高屈折率膜が、シート抵抗値が
７×１０3 Ω／□以下であり、４００ｋＨｚ以下の低周
電磁波を１／４以下に減衰可能であることを特徴とする
低周電磁波減衰機能を持つ反射防止膜。 - 【請求項２】前記膜構成において、基板側から第１層目
の高屈折率膜の光学膜厚が、設計波長をλ0 とすると、
０．０４λ0 以上０．０８２λ0 以下であることを特徴
とする請求項１の低周電磁波減衰機能を持つ反射防止
膜。 - 【請求項３】基板から第１層目の高屈折率膜が、インジ
ウム−スズ酸化物膜であることを特徴とする請求項１又
は２の低周電磁波減衰機能を持つ反射防止膜。 - 【請求項４】前記第２層、第４層の低屈折率膜がＭｇＦ
2 からなり、前記第３層が屈折率２．０〜２．２の材料
からなることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項の
低周電磁波減衰機能を持つ反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245855A JPH0669681A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 低周電磁波減衰機能を持つ反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245855A JPH0669681A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 低周電磁波減衰機能を持つ反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669681A true JPH0669681A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=17139843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4245855A Withdrawn JPH0669681A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 低周電磁波減衰機能を持つ反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669681A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08307088A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | C I Kasei Co Ltd | 電波吸収体 |
| EP0975207A2 (en) * | 1998-07-23 | 2000-01-26 | Konica Corporation | Electromagnetic wave attenuating transparent member |
| JP2002217585A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Kitagawa Ind Co Ltd | 電磁波抑制部材および電磁波抑制方法 |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP4245855A patent/JPH0669681A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08307088A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | C I Kasei Co Ltd | 電波吸収体 |
| EP0975207A2 (en) * | 1998-07-23 | 2000-01-26 | Konica Corporation | Electromagnetic wave attenuating transparent member |
| EP0975207A3 (en) * | 1998-07-23 | 2003-01-02 | Konica Corporation | Electromagnetic wave attenuating transparent member |
| JP2002217585A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Kitagawa Ind Co Ltd | 電磁波抑制部材および電磁波抑制方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |