JPH06119888A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH06119888A JPH06119888A JP4293788A JP29378892A JPH06119888A JP H06119888 A JPH06119888 A JP H06119888A JP 4293788 A JP4293788 A JP 4293788A JP 29378892 A JP29378892 A JP 29378892A JP H06119888 A JPH06119888 A JP H06119888A
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- Japan
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- ray tube
- film
- thin film
- cathode ray
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な帯電防止性と反射防止性を有すると共
に、優れた電磁波遮蔽性と防眩性をも有する陰極線管用
パネルを提供することを目的とする。 【構成】 パネルガラス１０（屈折率１．５３６）の外
表面１０ａには、多数の微細な凹凸（平均粗さ０．６μ
ｍ、平均粒径８μｍ）が形成され、その上には、３００
Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜１１が形成され、さらに
その上には、１１５０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１
２が形成されている。
に、優れた電磁波遮蔽性と防眩性をも有する陰極線管用
パネルを提供することを目的とする。 【構成】 パネルガラス１０（屈折率１．５３６）の外
表面１０ａには、多数の微細な凹凸（平均粗さ０．６μ
ｍ、平均粒径８μｍ）が形成され、その上には、３００
Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜１１が形成され、さらに
その上には、１１５０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１
２が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、優れた帯電防止性、電
磁波遮蔽性、反射防止性及び防眩性を有する陰極線管用
パネルに関するものである。
磁波遮蔽性、反射防止性及び防眩性を有する陰極線管用
パネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が写し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
され、通常、パネルの外表面には、透明導電膜が形成さ
れている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
され、通常、パネルの外表面には、透明導電膜が形成さ
れている。
【０００３】透明導電膜は、陰極線管の動作中、パネル
に高電圧が帯電することによって、人体等との間で放電
が発生したり、表面に埃が吸着して画像が低下するのを
防止する帯電防止作用と共に、陰極線管の内部回路から
発生する不要電磁波の漏洩によって、人体や他の機器に
悪影響を及ぼさないように電磁波を遮蔽する作用を有し
ている。
に高電圧が帯電することによって、人体等との間で放電
が発生したり、表面に埃が吸着して画像が低下するのを
防止する帯電防止作用と共に、陰極線管の内部回路から
発生する不要電磁波の漏洩によって、人体や他の機器に
悪影響を及ぼさないように電磁波を遮蔽する作用を有し
ている。
【０００４】透明導電膜の材質としては、一般にＳｎＯ
2 やＩｎ2 Ｏ3 が用いられているが、これらの材料は、
ガラスに比べて高い屈折率を有しているので、パネル外
表面に透明導電膜を形成すると、光の表面反射が強くな
って画像が見えにくくなるという問題が発生する。
2 やＩｎ2 Ｏ3 が用いられているが、これらの材料は、
ガラスに比べて高い屈折率を有しているので、パネル外
表面に透明導電膜を形成すると、光の表面反射が強くな
って画像が見えにくくなるという問題が発生する。
【０００５】そこでパネル外表面に透明導電膜を形成し
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て、光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的に
は、パネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜をスピ
ンコート法によって形成した後、さらにその上にＳｉＯ
2 からなる反射防止膜をスピンコート法によって形成し
てなる陰極線管が提案されている。
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て、光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的に
は、パネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜をスピ
ンコート法によって形成した後、さらにその上にＳｉＯ
2 からなる反射防止膜をスピンコート法によって形成し
てなる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の陰極線管は、パ
ネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜が形成されて
なるため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、電
磁波を完全に遮蔽するには未だ不十分である。
ネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜が形成されて
なるため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、電
磁波を完全に遮蔽するには未だ不十分である。
【０００７】またこの陰極線管は、透明導電膜の上にＳ
ｉＯ2 からなる反射防止膜が形成されてなるため、比較
的低い表面反射率を有しているが、強い光線が照射され
ると、やはり画面が眩しく見えるという問題を有してい
る。
ｉＯ2 からなる反射防止膜が形成されてなるため、比較
的低い表面反射率を有しているが、強い光線が照射され
ると、やはり画面が眩しく見えるという問題を有してい
る。
【０００８】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、良好な帯電防止性と反射防止性を有すると共に、
優れた電磁波遮蔽性と防眩性をも有する陰極線管用パネ
ルを提供することを目的とするものである。
あり、良好な帯電防止性と反射防止性を有すると共に、
優れた電磁波遮蔽性と防眩性をも有する陰極線管用パネ
ルを提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管用パネ
ルは、多数の微細な凹凸を有する外表面にＣＶＤ法によ
って、２００Å以上の膜厚と、１×１０6 Ω以下の面抵
抗（正方形当たりの抵抗値）を有するＳｎＯ2 薄膜が形
成され、その上にＳｉＯ2 からなる薄膜が形成されてな
ることを特徴とする。
ルは、多数の微細な凹凸を有する外表面にＣＶＤ法によ
って、２００Å以上の膜厚と、１×１０6 Ω以下の面抵
抗（正方形当たりの抵抗値）を有するＳｎＯ2 薄膜が形
成され、その上にＳｉＯ2 からなる薄膜が形成されてな
ることを特徴とする。
【００１０】また本発明の陰極線管用パネルガラスの微
細な凹凸は、その平均径が４０μｍ以下であり、平均粗
さが２μｍ以下であることを特徴とする。
細な凹凸は、その平均径が４０μｍ以下であり、平均粗
さが２μｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明において透明導電膜としてＳｎＯ2 薄膜
を形成する理由は、この薄膜が２．０の屈折率（ｎｄ）
を有し、しかもＩｎ2 Ｏ3 薄膜に比べて、安価で、しか
も性能が安定しているからである。
を形成する理由は、この薄膜が２．０の屈折率（ｎｄ）
を有し、しかもＩｎ2 Ｏ3 薄膜に比べて、安価で、しか
も性能が安定しているからである。
【００１２】またこのＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によって
形成する理由は、ＣＶＤ法が他のコーティング法に比べ
て安価で、大量生産に向いており、また透明導電膜の帯
電防止性と電磁波遮蔽性は、膜の電気抵抗が小さいほど
向上するが、ＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によって形成する
と、膜が細かい粒子の緻密構造となり、さらにこれを２
００Å以上の膜厚にすることによって、１×１０6 以下
の面抵抗を有する薄膜となり、特に優れた電磁波遮蔽性
が得られるためである。
形成する理由は、ＣＶＤ法が他のコーティング法に比べ
て安価で、大量生産に向いており、また透明導電膜の帯
電防止性と電磁波遮蔽性は、膜の電気抵抗が小さいほど
向上するが、ＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によって形成する
と、膜が細かい粒子の緻密構造となり、さらにこれを２
００Å以上の膜厚にすることによって、１×１０6 以下
の面抵抗を有する薄膜となり、特に優れた電磁波遮蔽性
が得られるためである。
【００１３】尚、このＳｎＯ2 薄膜には、帯電防止性を
向上させる目的で、少量のＳｂ2 Ｏ3 を添加することが
可能である。
向上させる目的で、少量のＳｂ2 Ｏ3 を添加することが
可能である。
【００１４】また本発明におけるＳｉＯ2 薄膜は、反射
防止膜として用いられ、１．４６の屈折率を有してい
る。反射防止膜の材質としては、ＳｉＯ2 以外にも、Ｍ
ｇＦ2、ＣａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等があるが、コスト面や
膜の強度を考慮すると、ＳｉＯ2 が最も好ましく、その
形成方法としては、スピンコート法、ディップコート
法、スプレーコート法のいずれかの方法が適している。
防止膜として用いられ、１．４６の屈折率を有してい
る。反射防止膜の材質としては、ＳｉＯ2 以外にも、Ｍ
ｇＦ2、ＣａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等があるが、コスト面や
膜の強度を考慮すると、ＳｉＯ2 が最も好ましく、その
形成方法としては、スピンコート法、ディップコート
法、スプレーコート法のいずれかの方法が適している。
【００１５】さらに本発明においては、パネル外表面に
多数の微細な凹凸が形成されてなるため、外部から光線
が照射された際の拡散反射率が大きくなり、逆に正反射
率が小さくなるため、優れた防眩性が得られる。
多数の微細な凹凸が形成されてなるため、外部から光線
が照射された際の拡散反射率が大きくなり、逆に正反射
率が小さくなるため、優れた防眩性が得られる。
【００１６】従って本発明の陰極線管用パネルは、例え
ば鏡面研磨された外表面の上にＣＶＤ法によってＳｎＯ
2 薄膜が形成され、さらにその上にＳｉＯ2 薄膜が形成
された陰極線管用パネルガラスに比べても、低い反射率
を有することになる。
ば鏡面研磨された外表面の上にＣＶＤ法によってＳｎＯ
2 薄膜が形成され、さらにその上にＳｉＯ2 薄膜が形成
された陰極線管用パネルガラスに比べても、低い反射率
を有することになる。
【００１７】すなわち多数の微細な凹凸を有するパネル
外表面の上にＣＶＤ法によってＳｎＯ2 薄膜を形成する
と、薄膜が凹凸形状に沿って均一な厚みで形成される
が、さらにその上にＳｉＯ2 薄膜をスピンコート法やデ
ィップコート法によって形成すると、凸部に比べて凹部
に若干多めにＳｉＯ2 が埋まるため、ＳｉＯ2 薄膜は不
均一な厚みとなり、その結果、部所によって反射率が異
なることになり、広い波長域に亙って低い反射率曲線を
得ることが可能となる。
外表面の上にＣＶＤ法によってＳｎＯ2 薄膜を形成する
と、薄膜が凹凸形状に沿って均一な厚みで形成される
が、さらにその上にＳｉＯ2 薄膜をスピンコート法やデ
ィップコート法によって形成すると、凸部に比べて凹部
に若干多めにＳｉＯ2 が埋まるため、ＳｉＯ2 薄膜は不
均一な厚みとなり、その結果、部所によって反射率が異
なることになり、広い波長域に亙って低い反射率曲線を
得ることが可能となる。
【００１８】しかしながら鏡面研磨されたパネル外表面
の上にＣＶＤ法によってＳｎＯ2 薄膜を形成し、その上
にスピンコート法やディップコート法によってＳｉＯ2
薄膜を形成した場合、パネル外表面の全面において薄膜
の厚みが均一になるため、いずれの部所も同じ反射率を
有し、狭い波長域だけで低い反射率曲線が得られること
になる。
の上にＣＶＤ法によってＳｎＯ2 薄膜を形成し、その上
にスピンコート法やディップコート法によってＳｉＯ2
薄膜を形成した場合、パネル外表面の全面において薄膜
の厚みが均一になるため、いずれの部所も同じ反射率を
有し、狭い波長域だけで低い反射率曲線が得られること
になる。
【００１９】本発明において、特に優れた防眩性を得る
ためには、微細な凹凸の平均径を４０μｍ以下、望まし
くは、２０μｍ以下、さらに平均粗さを２μｍ以下、望
ましくは１μｍ以下にすることが好ましい。すなわち平
均径が４０μｍ以上、平均粗さが２μｍ以上になると、
拡散反射率が大きくなって、画像の解像度が低下しやす
いからである。
ためには、微細な凹凸の平均径を４０μｍ以下、望まし
くは、２０μｍ以下、さらに平均粗さを２μｍ以下、望
ましくは１μｍ以下にすることが好ましい。すなわち平
均径が４０μｍ以上、平均粗さが２μｍ以上になると、
拡散反射率が大きくなって、画像の解像度が低下しやす
いからである。
【００２０】外表面に多数の微細な凹凸を形成したパネ
ルを作製する方法としては、一旦ガラスパネルを作製し
た後、その外表面をエッチング溶液と接触させたり、機
械的に研磨する方法やガラスの成形時に金型の粗面を、
ガラスのパネル外表面に相当する箇所に転写する方法が
考えられる。
ルを作製する方法としては、一旦ガラスパネルを作製し
た後、その外表面をエッチング溶液と接触させたり、機
械的に研磨する方法やガラスの成形時に金型の粗面を、
ガラスのパネル外表面に相当する箇所に転写する方法が
考えられる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００２２】（実施例）図１は、本発明の陰極線管用パ
ネルの部分拡大断面図であり、このパネルガラス１０
（屈折率１．５３６）の外表面１０ａには、多数の微細
な凹凸（平均粗さ０．６μｍ、平均粒径８μｍ）が形成
され、その上には、３００Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄
膜１１が形成され、さらにその上には、１１５０Åの膜
厚を有するＳｉＯ2 薄膜１２が形成されている。
ネルの部分拡大断面図であり、このパネルガラス１０
（屈折率１．５３６）の外表面１０ａには、多数の微細
な凹凸（平均粗さ０．６μｍ、平均粒径８μｍ）が形成
され、その上には、３００Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄
膜１１が形成され、さらにその上には、１１５０Åの膜
厚を有するＳｉＯ2 薄膜１２が形成されている。
【００２３】このパネルガラス１０は、以下の方法によ
って作製した。
って作製した。
【００２４】まず外表面を鏡面研磨したパネルガラス１
０を準備し、その外表面１０ａに砂を吹き付けた後、弗
硫酸のエッチング溶液に所定時間浸漬することによっ
て、多数の微細な凹凸を形成した。
０を準備し、その外表面１０ａに砂を吹き付けた後、弗
硫酸のエッチング溶液に所定時間浸漬することによっ
て、多数の微細な凹凸を形成した。
【００２５】次にこのパネルガラス１０を歪点（約４８
０℃）まで加熱しておき、その外表面１０ａにジメチル
二塩化錫と塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ＝１
／１００）を吹き付け、常圧のＣＶＤ法によって、Ｓｂ
がドープされたＳｎＯ2 薄膜１１を形成した。
０℃）まで加熱しておき、その外表面１０ａにジメチル
二塩化錫と塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ＝１
／１００）を吹き付け、常圧のＣＶＤ法によって、Ｓｂ
がドープされたＳｎＯ2 薄膜１１を形成した。
【００２６】次いでこのＳｎＯ2 薄膜１１を洗浄、乾燥
させた後、パネルガラス１０を約４０℃に予熱し、約１
００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上にＳｉＯ2
含有アルコール溶液を滴下してから、自然乾燥させ、さ
らに４５０℃で３０分間焼成することによって、ＳｉＯ
2 薄膜１２を形成した。
させた後、パネルガラス１０を約４０℃に予熱し、約１
００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上にＳｉＯ2
含有アルコール溶液を滴下してから、自然乾燥させ、さ
らに４５０℃で３０分間焼成することによって、ＳｉＯ
2 薄膜１２を形成した。
【００２７】（比較例１）外表面が鏡面研磨されたまま
のパネルガラスを準備し、このパネルガラスを約４０℃
に予熱し、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、そ
の上にエタノールアンチモンドープ酸化錫のゾル液（Ｓ
ｂ／Ｓｎ＝１／１００）を滴下した後、自然乾燥させる
ことによって、７９５Åの膜厚を有し、Ｓｂがドープさ
れたＳｎＯ2 薄膜を形成した。
のパネルガラスを準備し、このパネルガラスを約４０℃
に予熱し、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、そ
の上にエタノールアンチモンドープ酸化錫のゾル液（Ｓ
ｂ／Ｓｎ＝１／１００）を滴下した後、自然乾燥させる
ことによって、７９５Åの膜厚を有し、Ｓｂがドープさ
れたＳｎＯ2 薄膜を形成した。
【００２８】次いでこのパネルガラスを約４０℃に予熱
し、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上に
ＳｉＯ2 含有アルコール溶液を滴下してから、自然乾燥
させ、さらに４５０℃で３０分間焼成することによっ
て、８９９Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜を形成した。
し、約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上に
ＳｉＯ2 含有アルコール溶液を滴下してから、自然乾燥
させ、さらに４５０℃で３０分間焼成することによっ
て、８９９Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜を形成した。
【００２９】（比較例２）外表面が鏡面研磨されたまま
のパネルガラスを準備し、実施例と同様の方法でＳｎＯ
2 薄膜とＳｉＯ2 薄膜を形成した。
のパネルガラスを準備し、実施例と同様の方法でＳｎＯ
2 薄膜とＳｉＯ2 薄膜を形成した。
【００３０】こうして作製した各陰極線管用パネルの反
射率を測定し、その結果を図２に示した。
射率を測定し、その結果を図２に示した。
【００３１】図２から明らかなように実施例の陰極線管
用パネル１０は、比較例１、２の陰極線管用パネルに比
べて、広い波長域において反射率が低かった。
用パネル１０は、比較例１、２の陰極線管用パネルに比
べて、広い波長域において反射率が低かった。
【００３２】また各陰極線管用パネルの面抵抗を測定し
たところ、実施例の陰極線管用パネル１０は、１×１０
3 Ωの低い面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を
有していた。一方、比較例１のパネルの面抵抗は、５×
１０9 Ωと高く、電磁波遮蔽性に劣っていた。
たところ、実施例の陰極線管用パネル１０は、１×１０
3 Ωの低い面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を
有していた。一方、比較例１のパネルの面抵抗は、５×
１０9 Ωと高く、電磁波遮蔽性に劣っていた。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によると、良好な帯
電防止性と反射防止性を有すると共に、優れた電磁波遮
蔽性と防眩性をも有する陰極線管用パネルを得ることが
可能である。
電防止性と反射防止性を有すると共に、優れた電磁波遮
蔽性と防眩性をも有する陰極線管用パネルを得ることが
可能である。
【図１】本発明の陰極線管用パネルの一部拡大断面図で
ある。
ある。
【図２】実施例と比較例１、２の陰極線管用パネルの反
射率を示すグラフである。
射率を示すグラフである。
１０ パネルガラス １０ａ 外表面 １１ ＳｎＯ2 膜 １２ ＳｉＯ2 膜
Claims (2)
- 【請求項１】 多数の微細な凹凸を有する外表面にＣＶ
Ｄ法によって、２００Å以上の膜厚と、１×１０6 Ω以
下の面抵抗を有するＳｎＯ2 薄膜が形成され、その上に
ＳｉＯ2 薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線
管用パネル。 - 【請求項２】 微細な凹凸は、その平均径が４０μｍ以
下であり、平均粗さが２μｍ以下であることを特徴とす
る請求項１の陰極線管用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4293788A JPH06119888A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4293788A JPH06119888A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119888A true JPH06119888A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17799179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4293788A Pending JPH06119888A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06119888A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10246802A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | 低反射樹脂基材 |
| JP2005165252A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Sony Corp | 光機能性拡散板、反射型スクリーン及びその製造方法 |
| JP2005345983A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Nitto Denko Corp | 防眩性反射防止フィルム、光学素子および画像表示装置 |
| US9841536B2 (en) | 2012-08-31 | 2017-12-12 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Anti-glare/antireflection member and method for producing same |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP4293788A patent/JPH06119888A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10246802A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | 低反射樹脂基材 |
| JP2005165252A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Sony Corp | 光機能性拡散板、反射型スクリーン及びその製造方法 |
| JP2005345983A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Nitto Denko Corp | 防眩性反射防止フィルム、光学素子および画像表示装置 |
| US9841536B2 (en) | 2012-08-31 | 2017-12-12 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Anti-glare/antireflection member and method for producing same |
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