JPH087796A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH087796A JPH087796A JP16591394A JP16591394A JPH087796A JP H087796 A JPH087796 A JP H087796A JP 16591394 A JP16591394 A JP 16591394A JP 16591394 A JP16591394 A JP 16591394A JP H087796 A JPH087796 A JP H087796A
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- Japan
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- thin film
- film
- panel
- ray tube
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた電磁波遮蔽性と、さらには優れた反射
防止性を有する陰極線管用パネルを提供する。 【構成】 パネルガラス１０の外表面には、第１層目に
ＳｉＯ2 薄膜１１が形成され、第２層目にＳｎＯ2 薄膜
１２が形成され、第３層目にＴｉＯ2 とＳｉＯ2との混
合薄膜１３が形成されている。
防止性を有する陰極線管用パネルを提供する。 【構成】 パネルガラス１０の外表面には、第１層目に
ＳｉＯ2 薄膜１１が形成され、第２層目にＳｎＯ2 薄膜
１２が形成され、第３層目にＴｉＯ2 とＳｉＯ2との混
合薄膜１３が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外表面に高い電磁波遮
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するも
のである。
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
【０００３】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
【０００４】しかしながら、従来一般に供されている陰
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、酸化錫の膜はパネルガ
ラスに比べて高い屈折率を有しているので、導電性を付
与するために、単に酸化錫の膜を形成するだけでは表面
反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じてい
る。
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、酸化錫の膜はパネルガ
ラスに比べて高い屈折率を有しているので、導電性を付
与するために、単に酸化錫の膜を形成するだけでは表面
反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じてい
る。
【０００５】そこで、パネル表面に透明導電膜を形成し
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜４００Åの
膜厚のＳｎＯ2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜４００Åの
膜厚のＳｎＯ2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な陰極線管では、パネルの表面に形成されたＳｎＯ2 の
膜厚が２００〜４００Åと薄いために透明導電膜の面抵
抗が１×１０6 Ω／□と高く、不要電磁波を遮蔽するに
は不十分である。
な陰極線管では、パネルの表面に形成されたＳｎＯ2 の
膜厚が２００〜４００Åと薄いために透明導電膜の面抵
抗が１×１０6 Ω／□と高く、不要電磁波を遮蔽するに
は不十分である。
【０００７】従って、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性と、さらには優れた反射防止性を有する陰極線管用
パネルを提供することである。
蔽性と、さらには優れた反射防止性を有する陰極線管用
パネルを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題及
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に
ＳｉＯ2 薄膜が形成され、第２層目にＳｎＯ2 薄膜が形
成され、第３層目に第２層目より低い屈折率を有する材
料からなる薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極
線管用パネルである。
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に
ＳｉＯ2 薄膜が形成され、第２層目にＳｎＯ2 薄膜が形
成され、第３層目に第２層目より低い屈折率を有する材
料からなる薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極
線管用パネルである。
【０００９】また、第３層目の薄膜がＴｉＯ2 とＳｉＯ
2 との混合物もしくはＳｉＯ2 からなることを特徴とす
る。
2 との混合物もしくはＳｉＯ2 からなることを特徴とす
る。
【００１０】さらに、第２層目のＳｎＯ2 薄膜がＣＶＤ
法によって形成され、５００Å以上の膜厚と３×１０3
Ω以下の面抵抗を有することを特徴とする。
法によって形成され、５００Å以上の膜厚と３×１０3
Ω以下の面抵抗を有することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第２層目のＳｎＯ2 膜は２．０の屈折率（ｎｄ）を有
し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
第２層目のＳｎＯ2 膜は２．０の屈折率（ｎｄ）を有
し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
【００１２】さらに、本発明においては、このＳｎＯ2
薄膜をＣＶＤ法によって形成する理由は、ＣＶＤ法は他
のコーティング法に比べて安価で大量生産に向いてお
り、また、透明導電膜の電磁波遮蔽性は膜の電気抵抗が
小さい程向上するが、ＳｎＯ2薄膜をＣＶＤ法によって
形成すると膜が細かい粒子の緻密構造となり、更にこれ
を５００Å以上の膜厚にすることによって、３×１０3
Ω／□以下の面抵抗を有する薄膜となり、特に優れた電
磁波遮蔽性が得られるためである。
薄膜をＣＶＤ法によって形成する理由は、ＣＶＤ法は他
のコーティング法に比べて安価で大量生産に向いてお
り、また、透明導電膜の電磁波遮蔽性は膜の電気抵抗が
小さい程向上するが、ＳｎＯ2薄膜をＣＶＤ法によって
形成すると膜が細かい粒子の緻密構造となり、更にこれ
を５００Å以上の膜厚にすることによって、３×１０3
Ω／□以下の面抵抗を有する薄膜となり、特に優れた電
磁波遮蔽性が得られるためである。
【００１３】また、本発明において、第３層目、すなわ
ち第２層目のＳｎＯ2 薄膜より低い屈折率を有する材料
からなる薄膜は反射防止膜として作用し、その材質とし
てはＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使
用可能であるが、コスト面や膜強度等を考慮するとＴｉ
Ｏ2 とＳｉＯ2 との混合物（屈折率＝１．６５）もしく
はＳｉＯ2 （屈折率１．４６）を使用するのが望まし
く、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが適している。
ち第２層目のＳｎＯ2 薄膜より低い屈折率を有する材料
からなる薄膜は反射防止膜として作用し、その材質とし
てはＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使
用可能であるが、コスト面や膜強度等を考慮するとＴｉ
Ｏ2 とＳｉＯ2 との混合物（屈折率＝１．６５）もしく
はＳｉＯ2 （屈折率１．４６）を使用するのが望まし
く、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが適している。
【００１４】通常、ＣＶＤ法によりパネルの表面に直接
ＳｎＯ2 の薄膜を形成すると、パネルの加熱処理により
ガラス中のアルカリ成分がパネルの表面に出るため、３
×１０3 Ω／□以下の抵抗値を得るには膜厚を相当厚く
しなければならない。しかしながら、第１層目にＳｉＯ
2 薄膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ
成分が出るのを防止することが可能となり、ＳｎＯ2 の
膜が薄い膜厚でも３×１０3 Ω／□以下の抵抗値を安定
して得ることが可能である。さらに、この第１層目のＳ
ｉＯ2 薄膜は反射防止膜として作用する。
ＳｎＯ2 の薄膜を形成すると、パネルの加熱処理により
ガラス中のアルカリ成分がパネルの表面に出るため、３
×１０3 Ω／□以下の抵抗値を得るには膜厚を相当厚く
しなければならない。しかしながら、第１層目にＳｉＯ
2 薄膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ
成分が出るのを防止することが可能となり、ＳｎＯ2 の
膜が薄い膜厚でも３×１０3 Ω／□以下の抵抗値を安定
して得ることが可能である。さらに、この第１層目のＳ
ｉＯ2 薄膜は反射防止膜として作用する。
【００１５】第２層目の薄膜を構成するＳｎＯ2 には抵
抗値を下げる目的で少量のＳｂ2 Ｏ3 を添加することが
可能である。
抗値を下げる目的で少量のＳｂ2 Ｏ3 を添加することが
可能である。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）図１は本発明の陰極線管用パ
ネルの縦断面図である。
ネルの縦断面図である。
【００１８】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第１層目として１５００Åの膜厚を
有するＳｉＯ2 薄膜１１（屈折率１．４６）が形成さ
れ、また第２層目として６００Åの膜厚を有するＳｎＯ
2 薄膜１２（屈折率２．０）が形成され、さらに第３層
目として８６０Åの膜厚を有するＴｉＯ2 とＳｉＯ2 と
の混合薄膜１３（屈折率１．６５）が形成されている。
６）の外表面には、第１層目として１５００Åの膜厚を
有するＳｉＯ2 薄膜１１（屈折率１．４６）が形成さ
れ、また第２層目として６００Åの膜厚を有するＳｎＯ
2 薄膜１２（屈折率２．０）が形成され、さらに第３層
目として８６０Åの膜厚を有するＴｉＯ2 とＳｉＯ2 と
の混合薄膜１３（屈折率１．６５）が形成されている。
【００１９】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【００２０】まず、パネルガラスを洗浄、乾燥させ、予
熱した状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有の
アルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼
成することによってＳｉＯ2 薄膜１１を形成した。
熱した状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有の
アルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼
成することによってＳｉＯ2 薄膜１１を形成した。
【００２１】その後、このＳｉＯ2 薄膜１１を形成した
パネルガラス１０を予熱しておき、この外表面にジメチ
ル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ
＝１／１００）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によってＳ
ｂがドープされたＳｎＯ2 薄膜１２を形成した。
パネルガラス１０を予熱しておき、この外表面にジメチ
ル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ
＝１／１００）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によってＳ
ｂがドープされたＳｎＯ2 薄膜１２を形成した。
【００２２】次いでこのパネルガラス１０を予熱した状
態で回転させながら、その上にＴｉＯ2 とＳｉＯ2 含有
アルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼
成することによって、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 との混合薄膜
１３を形成した。
態で回転させながら、その上にＴｉＯ2 とＳｉＯ2 含有
アルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼
成することによって、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 との混合薄膜
１３を形成した。
【００２３】また、このＴｉＯ2 とＳｉＯ2 との混合薄
膜１３の上にＳｉＯ2 を含むエタノール溶液をスプレー
コート法により吹き付け、パネルガラス１０の最外表面
に微小な凹凸面を形成させ、外部から光線が照射された
際の拡散反射を大きくし、逆に正反射を小さくさせるこ
とにより、防眩効果をもたせることも可能である。
膜１３の上にＳｉＯ2 を含むエタノール溶液をスプレー
コート法により吹き付け、パネルガラス１０の最外表面
に微小な凹凸面を形成させ、外部から光線が照射された
際の拡散反射を大きくし、逆に正反射を小さくさせるこ
とにより、防眩効果をもたせることも可能である。
【００２４】（実施例２）図２は本発明の陰極線管用パ
ネルの縦断面図である。
ネルの縦断面図である。
【００２５】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第１層目として１５００Åの膜厚を
有するＳｉＯ2 薄膜１４（屈折率１．４６）が形成さ
れ、また第２層目として６００Åの膜厚を有するＳｎＯ
2 薄膜１５（屈折率２．０）が形成され、さらに第３層
目として９７０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１６（屈
折率１．４６）が形成されている。
６）の外表面には、第１層目として１５００Åの膜厚を
有するＳｉＯ2 薄膜１４（屈折率１．４６）が形成さ
れ、また第２層目として６００Åの膜厚を有するＳｎＯ
2 薄膜１５（屈折率２．０）が形成され、さらに第３層
目として９７０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１６（屈
折率１．４６）が形成されている。
【００２６】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【００２７】まず、第１層目のＳｉＯ2 薄膜１４及び第
２層目のＳｎＯ2 薄膜１５は実施例１と同じ方法でそれ
ぞれ形成した。
２層目のＳｎＯ2 薄膜１５は実施例１と同じ方法でそれ
ぞれ形成した。
【００２８】次いで、このパネルガラス１０を予熱した
状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有のアルコ
ール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼成する
ことによってＳｉＯ2 薄膜１６を形成した。
状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有のアルコ
ール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼成する
ことによってＳｉＯ2 薄膜１６を形成した。
【００２９】また、実施例１と同様に第３層目のＳｉＯ
2 薄膜１６の上にＳｉＯ2 を含むエタノール溶液をスプ
レーコート法により吹き付け、微小な凹凸面を形成させ
ることにより、防眩効果をもたせることも可能である。
2 薄膜１６の上にＳｉＯ2 を含むエタノール溶液をスプ
レーコート法により吹き付け、微小な凹凸面を形成させ
ることにより、防眩効果をもたせることも可能である。
【００３０】（実施例３）図３は本発明の陰極線管用パ
ネルの縦断面図である。
ネルの縦断面図である。
【００３１】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第１層目として平均１５００Åの膜
厚を有するＳｉＯ2 薄膜１７（屈折率１．４６）が形成
され、また第２層目として６００Åの膜厚を有するＳｎ
Ｏ2 薄膜１８（屈折率２．０）が形成され、さらに第３
層目として平均９７０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１
９（屈折率１．４６）が形成されている。
６）の外表面には、第１層目として平均１５００Åの膜
厚を有するＳｉＯ2 薄膜１７（屈折率１．４６）が形成
され、また第２層目として６００Åの膜厚を有するＳｎ
Ｏ2 薄膜１８（屈折率２．０）が形成され、さらに第３
層目として平均９７０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１
９（屈折率１．４６）が形成されている。
【００３２】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【００３３】まず、パネルガラスを洗浄、乾燥させ、予
熱した状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有の
エタノール溶液をスプレーコート法を用いパネルガラス
１０へ吹き付け、これを自然乾燥させた後に焼成するこ
とによってＳｉＯ2 薄膜１７を形成した。
熱した状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有の
エタノール溶液をスプレーコート法を用いパネルガラス
１０へ吹き付け、これを自然乾燥させた後に焼成するこ
とによってＳｉＯ2 薄膜１７を形成した。
【００３４】その後、この第２層目ＳｎＯ2 薄膜１８及
び第３層目のＳｉＯ2 薄膜１９は実施例２と同じ方法で
それぞれ形成した。
び第３層目のＳｉＯ2 薄膜１９は実施例２と同じ方法で
それぞれ形成した。
【００３５】第１層目のＳｉＯ2 薄膜１７をスプレーコ
ート法を用いて形成することにより、パネルガラス１０
の外表面に多数の微細な凹凸が形成されるため、外部か
ら光線が照射された際の拡散反射が大きくなり、逆に正
反射が小さくなるために防眩効果が得られる。すなわ
ち、多数の微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜１７上にＣ
ＶＤ法によってＳｎＯ2 薄膜１８が形成されると、Ｓｎ
Ｏ2 薄膜１８がＳｉＯ2薄膜１７の凹凸形状に沿って形
成され、さらに、その上にＳｉＯ2 薄膜１９をスピンコ
ート法によって形成すると、ＳｎＯ2 薄膜１８の凹凸部
において、ＳｉＯ2 粒子が凸部に比べて凹部に若干多め
に埋まるため、ＳｉＯ2 薄膜１９は不均一な厚みとな
り、その結果、部所によって反射率が異なり、広い波長
域で低い反射率を得ることが可能になる。
ート法を用いて形成することにより、パネルガラス１０
の外表面に多数の微細な凹凸が形成されるため、外部か
ら光線が照射された際の拡散反射が大きくなり、逆に正
反射が小さくなるために防眩効果が得られる。すなわ
ち、多数の微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜１７上にＣ
ＶＤ法によってＳｎＯ2 薄膜１８が形成されると、Ｓｎ
Ｏ2 薄膜１８がＳｉＯ2薄膜１７の凹凸形状に沿って形
成され、さらに、その上にＳｉＯ2 薄膜１９をスピンコ
ート法によって形成すると、ＳｎＯ2 薄膜１８の凹凸部
において、ＳｉＯ2 粒子が凸部に比べて凹部に若干多め
に埋まるため、ＳｉＯ2 薄膜１９は不均一な厚みとな
り、その結果、部所によって反射率が異なり、広い波長
域で低い反射率を得ることが可能になる。
【００３６】こうして作製した各々の陰極線管用パネル
の面抵抗を測定したところ、実施例１、２、３の陰極線
管用パネルは１×１０3 Ω／□の低い面抵抗を有してお
り、優れた電磁波遮蔽性を有していた。
の面抵抗を測定したところ、実施例１、２、３の陰極線
管用パネルは１×１０3 Ω／□の低い面抵抗を有してお
り、優れた電磁波遮蔽性を有していた。
【００３７】また、各々の陰極線管用パネルの４００〜
７００ｎｍの波長における反射率を測定し、その結果を
図４に示した。図４においては、外表面が未処理の陰極
線管用パネルガラス（屈折率１．５３６）を比較例とし
ている。図４のグラフから明らかなように、実施例１、
２、３の陰極線管用パネルの反射曲線は、視感反射曲線
のピークとなる５５０ｎｍ付近の反射が極めて低く、優
れた反射防止性を有していた。
７００ｎｍの波長における反射率を測定し、その結果を
図４に示した。図４においては、外表面が未処理の陰極
線管用パネルガラス（屈折率１．５３６）を比較例とし
ている。図４のグラフから明らかなように、実施例１、
２、３の陰極線管用パネルの反射曲線は、視感反射曲線
のピークとなる５５０ｎｍ付近の反射が極めて低く、優
れた反射防止性を有していた。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた電
磁波遮蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルを得
ることが可能である。
磁波遮蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルを得
ることが可能である。
【図１】本発明の実施例１の陰極線管用パネルの縦断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例２の陰極線管用パネルの縦断面
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例３の陰極線管用パネルの縦断面
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
１０ パネルガラス １１、１４、１６、１７、１９ ＳｉＯ2 薄膜 １２、１５、１８ ＳｎＯ2 薄膜 １３ ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 との混合薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 外表面側の第１層目にＳｉＯ2 薄膜が形
成され、第２層目にＳｎＯ2 薄膜が形成され、第３層目
に第２層目より低い屈折率を有する材料からなる薄膜が
形成されてなることを特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項２】 第３層目の薄膜がＴｉＯ2 とＳｉＯ2 と
の混合物もしくはＳｉＯ2 からなることを特徴とする請
求項１記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項３】 第２層目の薄膜がＣＶＤ法によって形成
され、５００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω／□以下の面
抵抗を有することを特徴とする請求項１記載の陰極線管
用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16591394A JPH087796A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16591394A JPH087796A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087796A true JPH087796A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15821398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16591394A Pending JPH087796A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087796A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106380085A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-08 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 一种低阻高透电磁屏蔽玻璃 |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP16591394A patent/JPH087796A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106380085A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-08 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 一种低阻高透电磁屏蔽玻璃 |
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