JPH0969345A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
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- JPH0969345A JPH0969345A JP24675595A JP24675595A JPH0969345A JP H0969345 A JPH0969345 A JP H0969345A JP 24675595 A JP24675595 A JP 24675595A JP 24675595 A JP24675595 A JP 24675595A JP H0969345 A JPH0969345 A JP H0969345A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明導電膜としてＳｎＯ2 膜を使用すること
によって、優れた電磁波遮蔽性を有し、しかもこのＳｎ
Ｏ2 膜の膜厚を小さくすることができるため、表面反射
が大きくなるのを防止することが可能な陰極線管用パネ
ルを提供することを目的とする。 【解決手段】 パネルガラス（屈折率１．５３６）１０
の外表面には、第１層目として、膜厚が２０００Åで、
連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）
１１が形成され、第２層目として、膜厚が３００ÅのＳ
ｎＯ2 膜（屈折率１．４６）１２が形成されている。
によって、優れた電磁波遮蔽性を有し、しかもこのＳｎ
Ｏ2 膜の膜厚を小さくすることができるため、表面反射
が大きくなるのを防止することが可能な陰極線管用パネ
ルを提供することを目的とする。 【解決手段】 パネルガラス（屈折率１．５３６）１０
の外表面には、第１層目として、膜厚が２０００Åで、
連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）
１１が形成され、第２層目として、膜厚が３００ÅのＳ
ｎＯ2 膜（屈折率１．４６）１２が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電磁波遮蔽性に優れ、
表面反射が小さい陰極線管用パネルに関するものであ
る。
表面反射が小さい陰極線管用パネルに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネック管から構
成される。
と、その背後を形成するファンネル及びネック管から構
成される。
【０００３】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた偏向
コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイルか
ら発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線管
の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、或いは人
体に悪影響を及ぼす虞れがある。
から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた偏向
コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイルか
ら発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線管
の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、或いは人
体に悪影響を及ぼす虞れがある。
【０００４】そこで従来の陰極線管においては、電磁波
を遮蔽する性能を付与するために、パネル外表面に透明
導電膜を形成し、これによって電磁波を遮蔽するために
要求される９×１０2 Ω以下の面抵抗を得ることが試み
られている。
を遮蔽する性能を付与するために、パネル外表面に透明
導電膜を形成し、これによって電磁波を遮蔽するために
要求される９×１０2 Ω以下の面抵抗を得ることが試み
られている。
【０００５】この種の透明導電膜としては、主にＳｎＯ
2 膜が使用されているが、陰極線管用パネルの外表面
に、直接ＳｎＯ2 膜を形成すると、後工程でパネルガラ
スを加熱する際に、パネルガラス中から溶出するアルカ
リ成分と、Ｓｎ原料中に含まれる塩素が反応し、ＳｎＯ
2 膜の導電性が低下するため、パネルガラスとＳｎＯ2
膜の間にＳｉＯ2 膜を形成することが提案されている。
2 膜が使用されているが、陰極線管用パネルの外表面
に、直接ＳｎＯ2 膜を形成すると、後工程でパネルガラ
スを加熱する際に、パネルガラス中から溶出するアルカ
リ成分と、Ｓｎ原料中に含まれる塩素が反応し、ＳｎＯ
2 膜の導電性が低下するため、パネルガラスとＳｎＯ2
膜の間にＳｉＯ2 膜を形成することが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したＳｉＯ2 膜
は、一般にシリカ微粒子が分散した溶液をパネルガラス
に被着させることによって形成され、このようなＳｉＯ
2 膜を、パネルガラスとＳｎＯ2 膜の間に形成すると、
パネルガラスからのアルカリ成分の溶出を、ある程度緩
和することはできるが、完全に防止することは困難であ
る。
は、一般にシリカ微粒子が分散した溶液をパネルガラス
に被着させることによって形成され、このようなＳｉＯ
2 膜を、パネルガラスとＳｎＯ2 膜の間に形成すると、
パネルガラスからのアルカリ成分の溶出を、ある程度緩
和することはできるが、完全に防止することは困難であ
る。
【０００７】ＳｎＯ2 の導電性は、その膜厚が大きいほ
ど高くなるが、上記事情からアルカリ成分によってＳｎ
Ｏ2 膜の導電性が低下しても、所望の面抵抗を維持でき
るようにするため、その膜厚を１１００Å以上にしてい
る。
ど高くなるが、上記事情からアルカリ成分によってＳｎ
Ｏ2 膜の導電性が低下しても、所望の面抵抗を維持でき
るようにするため、その膜厚を１１００Å以上にしてい
る。
【０００８】しかしながらＳｎＯ2 膜の屈折率は、２．
０であり、パネルガラスの屈折率（１．５３６）に比べ
てかなり高いため、その膜厚が１１００Å以上になる
と、表面反射が非常に大きくなり、画像が見づらくなる
という問題が生じる。
０であり、パネルガラスの屈折率（１．５３６）に比べ
てかなり高いため、その膜厚が１１００Å以上になる
と、表面反射が非常に大きくなり、画像が見づらくなる
という問題が生じる。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、透明導電膜としてＳｎＯ2 膜を使用することによ
って、優れた電磁波遮蔽性を有し、しかもこのＳｎＯ2
膜の膜厚を小さくすることができるため、表面反射が大
きくなるのを防止することが可能な陰極線管用パネルを
提供することを目的とする。
あり、透明導電膜としてＳｎＯ2 膜を使用することによ
って、優れた電磁波遮蔽性を有し、しかもこのＳｎＯ2
膜の膜厚を小さくすることができるため、表面反射が大
きくなるのを防止することが可能な陰極線管用パネルを
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく、種々の実験を繰り返した結果、パネルガ
ラスとＳｎＯ2 膜の間に、膜厚が５００〜２５００Å
で、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜を形成すると、
パネルガラスからのアルカリ成分の溶出を完全に抑える
ことができ、よってＳｎＯ2 膜の導電性が低下すること
がないため、ＳｎＯ2 膜の膜厚を小さくしても、９×１
０2 Ω以下の面抵抗が得られることを見いだし、本発明
を提案するに至った。
を達成すべく、種々の実験を繰り返した結果、パネルガ
ラスとＳｎＯ2 膜の間に、膜厚が５００〜２５００Å
で、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜を形成すると、
パネルガラスからのアルカリ成分の溶出を完全に抑える
ことができ、よってＳｎＯ2 膜の導電性が低下すること
がないため、ＳｎＯ2 膜の膜厚を小さくしても、９×１
０2 Ω以下の面抵抗が得られることを見いだし、本発明
を提案するに至った。
【００１１】すなわち本発明の陰極線管用パネルは、外
表面側に第１層目として、膜厚が５００〜２５００Å
で、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が形成され、第
２層目として、膜厚が２００〜６００ÅのＳｎＯ2 膜が
形成されてなることを特徴とする。
表面側に第１層目として、膜厚が５００〜２５００Å
で、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が形成され、第
２層目として、膜厚が２００〜６００ÅのＳｎＯ2 膜が
形成されてなることを特徴とする。
【００１２】また本発明の陰極線管用パネルは、外表面
側に第１層目として、膜厚が５００〜２５００Åで、連
続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が形成され、第２層目
として、膜厚が２００〜６００ÅのＳｎＯ2 膜が形成さ
れ、第３層目として、ＳｎＯ2 膜よりも屈折率の低い反
射防止膜が形成されてなることを特徴とする。
側に第１層目として、膜厚が５００〜２５００Åで、連
続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が形成され、第２層目
として、膜厚が２００〜６００ÅのＳｎＯ2 膜が形成さ
れ、第３層目として、ＳｎＯ2 膜よりも屈折率の低い反
射防止膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１３】さらに本発明の陰極線管用パネルは、外表
面側に第１層目として、膜厚が５００〜２５００Åで、
連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が形成され、第２層
目として、膜厚が２００〜６００ÅのＳｎＯ2 膜が形成
され、第３層目として、ＳｎＯ2 膜よりも屈折率の低い
反射防止膜が形成され、第４層目として、微細な凹凸を
有するＳｉＯ2 膜が形成されてなることを特徴とする。
面側に第１層目として、膜厚が５００〜２５００Åで、
連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が形成され、第２層
目として、膜厚が２００〜６００ÅのＳｎＯ2 膜が形成
され、第３層目として、ＳｎＯ2 膜よりも屈折率の低い
反射防止膜が形成され、第４層目として、微細な凹凸を
有するＳｉＯ2 膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１４】また本発明の陰極線管用パネルは、第１層
目の連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が、アルキルシ
リケートを原料として作製されてなることを特徴とし、
さらに第２層目のＳｎＯ2 膜が、ＣＶＤ法によって形成
され、９×１０2 Ω／□以下の面抵抗を有することを特
徴とし、また第３層目の反射防止膜が、ＳｉＯ2 膜であ
ることを特徴とする。
目の連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が、アルキルシ
リケートを原料として作製されてなることを特徴とし、
さらに第２層目のＳｎＯ2 膜が、ＣＶＤ法によって形成
され、９×１０2 Ω／□以下の面抵抗を有することを特
徴とし、また第３層目の反射防止膜が、ＳｉＯ2 膜であ
ることを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明において、外表面側に第１層目として形
成されるＳｉＯ2 膜は、膜厚が５００〜２５００Åで、
連続した膜構造を有するが、このような膜を形成するこ
とによって、パネルガラスを加熱しても、ガラス中から
溶出するアルカリ成分と、Ｓｎ原料中の塩素との反応を
完全に抑えることが可能となる。
成されるＳｉＯ2 膜は、膜厚が５００〜２５００Åで、
連続した膜構造を有するが、このような膜を形成するこ
とによって、パネルガラスを加熱しても、ガラス中から
溶出するアルカリ成分と、Ｓｎ原料中の塩素との反応を
完全に抑えることが可能となる。
【００１６】この種のＳｉＯ2 膜が、このような作用を
有する理由は、従来のシリカ微粒子の分散した溶液から
形成されるＳｉＯ2 膜が、不連続な膜構造を有するた
め、不連続部分を通って、ガラスから溶出したアルカリ
成分が染み込み、ＳｉＯ2 膜の表面に溶出し易いのに対
し、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜には、不連続部
分が存在しないため、アルカリ成分が染み込み難いため
である。但し、このＳｉＯ2 膜の膜厚が、５００Å未満
であると、ガラスから溶出したアルカリ成分が染み込
み、ＳｉＯ2 膜の表面に溶出する可能性があるため好ま
しくない。またその膜厚が、２５００Åより厚くなる
と、光の干渉効果が小さくなり、陰極線管用パネルの表
面反射が大きくなるため好ましくない。
有する理由は、従来のシリカ微粒子の分散した溶液から
形成されるＳｉＯ2 膜が、不連続な膜構造を有するた
め、不連続部分を通って、ガラスから溶出したアルカリ
成分が染み込み、ＳｉＯ2 膜の表面に溶出し易いのに対
し、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜には、不連続部
分が存在しないため、アルカリ成分が染み込み難いため
である。但し、このＳｉＯ2 膜の膜厚が、５００Å未満
であると、ガラスから溶出したアルカリ成分が染み込
み、ＳｉＯ2 膜の表面に溶出する可能性があるため好ま
しくない。またその膜厚が、２５００Åより厚くなる
と、光の干渉効果が小さくなり、陰極線管用パネルの表
面反射が大きくなるため好ましくない。
【００１７】連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜を作製
するには、原料としてアルキルシリケート、シリルイソ
シアネート、ハロゲン化ケイ素等を使用すれば良いが、
特にアルキルシリケートは、材料が安価であるため好ま
しい。
するには、原料としてアルキルシリケート、シリルイソ
シアネート、ハロゲン化ケイ素等を使用すれば良いが、
特にアルキルシリケートは、材料が安価であるため好ま
しい。
【００１８】また第１層目のＳｉＯ2 膜の形成方法とし
ては、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコ
ート法のいずれがが適している。
ては、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコ
ート法のいずれがが適している。
【００１９】従って本発明においては、第２層目のＳｎ
Ｏ2 膜の導電性が低下することがないため、ＳｎＯ2 膜
の膜厚を２００〜６００Åにすることが可能である。Ｓ
ｎＯ2 膜の膜厚が、２００Åより小さくなると、９×１
０2 Ω／□以下の面抵抗が得られなくなり、一方、６０
０Åより大きくなると、ＳｎＯ2 膜による表面反射が大
きくなるため好ましくない。
Ｏ2 膜の導電性が低下することがないため、ＳｎＯ2 膜
の膜厚を２００〜６００Åにすることが可能である。Ｓ
ｎＯ2 膜の膜厚が、２００Åより小さくなると、９×１
０2 Ω／□以下の面抵抗が得られなくなり、一方、６０
０Åより大きくなると、ＳｎＯ2 膜による表面反射が大
きくなるため好ましくない。
【００２０】本発明においては、ＳｎＯ2 膜をＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法で形成するのが好ましいが、その理由は、ＣＶＤ
法が、他のコーティング法に比べて、安価で、大量生産
に向いているからである。また透明導電膜の電磁波遮蔽
性は、電気抵抗が小さいほど向上するが、ＳｎＯ2 膜を
ＣＶＤ法によって形成すると、膜が細かい粒子からなる
緻密な構造となり、低い面抵抗を有する膜となるため、
特に優れた電磁波遮蔽性が得られるためである。
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法で形成するのが好ましいが、その理由は、ＣＶＤ
法が、他のコーティング法に比べて、安価で、大量生産
に向いているからである。また透明導電膜の電磁波遮蔽
性は、電気抵抗が小さいほど向上するが、ＳｎＯ2 膜を
ＣＶＤ法によって形成すると、膜が細かい粒子からなる
緻密な構造となり、低い面抵抗を有する膜となるため、
特に優れた電磁波遮蔽性が得られるためである。
【００２１】尚、透明導電膜としては、ＳｎＯ2 膜以外
にも、Ｉｎ2 Ｏ3 膜も存在するが、ＳｎＯ2 膜の方が、
安価で、性能が安定しているため好ましく、またＳｎＯ
2 膜には、抵抗値を下げる目的で、少量のＳｂ2 Ｏ3 を
添加しても良い。
にも、Ｉｎ2 Ｏ3 膜も存在するが、ＳｎＯ2 膜の方が、
安価で、性能が安定しているため好ましく、またＳｎＯ
2 膜には、抵抗値を下げる目的で、少量のＳｂ2 Ｏ3 を
添加しても良い。
【００２２】また本発明においては、より優れた反射防
止性を付与する目的で、第３層目に、ＳｎＯ2 膜よりも
屈折率の低い反射防止膜を形成することも可能である。
反射防止膜としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 等が使用可能であるが、コスト面や膜強度等
を考慮すると、ＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）を使用す
ることが好ましく、その形成方法としては、スピンコー
ト法、ディップコート法、スプレーコート法のいずれが
が適している。このＳｉＯ2 膜は、第１層目のように連
続した膜構造を有するものであっても良いし、或いはシ
リカ微粒子が分散した溶液を被着することによって形成
した不連続な膜構造を有するものでも良い。
止性を付与する目的で、第３層目に、ＳｎＯ2 膜よりも
屈折率の低い反射防止膜を形成することも可能である。
反射防止膜としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 等が使用可能であるが、コスト面や膜強度等
を考慮すると、ＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）を使用す
ることが好ましく、その形成方法としては、スピンコー
ト法、ディップコート法、スプレーコート法のいずれが
が適している。このＳｉＯ2 膜は、第１層目のように連
続した膜構造を有するものであっても良いし、或いはシ
リカ微粒子が分散した溶液を被着することによって形成
した不連続な膜構造を有するものでも良い。
【００２３】さらに本発明では、第４層目として、微細
な凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成すると、陰極線管用パ
ネルの外部から光線が照射された際の拡散反射を大きく
し、逆に正反射を小さくさせ、これによって防眩効果を
付与することができる。
な凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成すると、陰極線管用パ
ネルの外部から光線が照射された際の拡散反射を大きく
し、逆に正反射を小さくさせ、これによって防眩効果を
付与することができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００２５】（実施例１）図１は、本発明の実施例の陰
極線管用パネルを示す概略縦断面図である。
極線管用パネルを示す概略縦断面図である。
【００２６】図中、パネルガラス（屈折率１．５３６）
１０の外表面には、第１層目として、膜厚が２０００Å
で、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４
６）１１が形成され、第２層目として、膜厚が３００Å
のＳｎＯ2 膜（屈折率１．４６）１２が形成されてい
る。
１０の外表面には、第１層目として、膜厚が２０００Å
で、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４
６）１１が形成され、第２層目として、膜厚が３００Å
のＳｎＯ2 膜（屈折率１．４６）１２が形成されてい
る。
【００２７】このパネルガラス１０への、ＳｉＯ2 膜１
１とＳｎＯ2 膜１２の形成は、次のようにして行った。
１とＳｎＯ2 膜１２の形成は、次のようにして行った。
【００２８】まずパネルガラス１０を洗浄、乾燥させ、
予熱した状態で回転させながら、その外表面に、部分加
水分解したエチルシリケートを滴下した後、自然乾燥さ
せ、次いで焼成することによって連続した膜構造を有す
るＳｉＯ2 膜１１を形成した。
予熱した状態で回転させながら、その外表面に、部分加
水分解したエチルシリケートを滴下した後、自然乾燥さ
せ、次いで焼成することによって連続した膜構造を有す
るＳｉＯ2 膜１１を形成した。
【００２９】さらにこのパネルガラス１０を予熱し、Ｓ
ｉＯ2 膜１１上に、ジメチル２塩化錫と３塩化アンチモ
ンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ＝１／１００）を吹き付け、
常圧のＣＶＤ法によってＳｂがドープされたＳｎＯ2 膜
１２を形成した。
ｉＯ2 膜１１上に、ジメチル２塩化錫と３塩化アンチモ
ンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ＝１／１００）を吹き付け、
常圧のＣＶＤ法によってＳｂがドープされたＳｎＯ2 膜
１２を形成した。
【００３０】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図である。
の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図である。
【００３１】図中、パネルガラス２０の外表面には、第
１層目として、膜厚が２０００Åで、連続した膜構造を
有するＳｉＯ2 膜２１が形成され、第２層目として、膜
厚が３００ÅのＳｎＯ2 膜２２が形成され、第３層目と
して、膜厚が１０００Åで、不連続な膜構造を有するＳ
ｉＯ2 膜２３が形成されている。
１層目として、膜厚が２０００Åで、連続した膜構造を
有するＳｉＯ2 膜２１が形成され、第２層目として、膜
厚が３００ÅのＳｎＯ2 膜２２が形成され、第３層目と
して、膜厚が１０００Åで、不連続な膜構造を有するＳ
ｉＯ2 膜２３が形成されている。
【００３２】このパネルガラス２０への、ＳｉＯ2 膜２
１、ＳｎＯ2 膜２２の形成は、実施例１と同様に行い、
さらに第３層目のＳｉＯ2 膜２３は、パネルガラス２０
を予熱した状態で回転させながら、ＳｎＯ2 膜２２の上
に、シリカ微粒子を含有するアルコール溶液を滴下した
後、自然乾燥させ、次いで焼成することによって形成し
た。
１、ＳｎＯ2 膜２２の形成は、実施例１と同様に行い、
さらに第３層目のＳｉＯ2 膜２３は、パネルガラス２０
を予熱した状態で回転させながら、ＳｎＯ2 膜２２の上
に、シリカ微粒子を含有するアルコール溶液を滴下した
後、自然乾燥させ、次いで焼成することによって形成し
た。
【００３３】（実施例３）図３も、本発明の他の実施例
の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図である。
の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図である。
【００３４】図中、パネルガラス３０の外表面には、第
１層目として、膜厚が２０００Åで、連続した膜構造を
有するＳｉＯ2 膜３１が形成され、第２層目として、膜
厚が３００ÅのＳｎＯ2 膜３２が形成され、第３層目と
して、膜厚が１０００Åで、不連続な膜構造を有するＳ
ｉＯ2 膜３３が形成され、第４層目として、微細な凹凸
を有するＳｉＯ2 膜３４が形成されている。
１層目として、膜厚が２０００Åで、連続した膜構造を
有するＳｉＯ2 膜３１が形成され、第２層目として、膜
厚が３００ÅのＳｎＯ2 膜３２が形成され、第３層目と
して、膜厚が１０００Åで、不連続な膜構造を有するＳ
ｉＯ2 膜３３が形成され、第４層目として、微細な凹凸
を有するＳｉＯ2 膜３４が形成されている。
【００３５】このパネルガラス３０への、ＳｉＯ2 膜３
１、ＳｎＯ2 膜３２及びＳｉＯ2 膜３３の形成は、実施
例２と同様に行い、さらに第４層目の微細な凹凸を有す
るＳｉＯ2 膜３４は、パネルガラス３０を予熱した状態
で回転させながら、ＳｉＯ2膜３３の上に、ＳｉＯ2 を
含むエタノール溶液を吹き付けるスプレーコート法によ
って形成した。
１、ＳｎＯ2 膜３２及びＳｉＯ2 膜３３の形成は、実施
例２と同様に行い、さらに第４層目の微細な凹凸を有す
るＳｉＯ2 膜３４は、パネルガラス３０を予熱した状態
で回転させながら、ＳｉＯ2膜３３の上に、ＳｉＯ2 を
含むエタノール溶液を吹き付けるスプレーコート法によ
って形成した。
【００３６】（比較例）実施例３の陰極線管用パネルの
第１層目のＳｉＯ2 膜３１に代えて、シリカ微粒子が分
散した溶液で被着され、膜厚が２０００Åで、不連続な
膜構造を有するＳｉＯ2 膜を使用し、また第２層目のＳ
ｎＯ2 膜３２に代えて、膜厚が１３００ÅのＳｎＯ2 膜
を使用し、第３層目と第４層目の膜構造は、実施例３と
同一の陰極線管用パネルを作製した。
第１層目のＳｉＯ2 膜３１に代えて、シリカ微粒子が分
散した溶液で被着され、膜厚が２０００Åで、不連続な
膜構造を有するＳｉＯ2 膜を使用し、また第２層目のＳ
ｎＯ2 膜３２に代えて、膜厚が１３００ÅのＳｎＯ2 膜
を使用し、第３層目と第４層目の膜構造は、実施例３と
同一の陰極線管用パネルを作製した。
【００３７】このパネルガラスへの上記ＳｉＯ2 膜とＳ
ｎＯ2 膜の形成は、次のようにして行った。
ｎＯ2 膜の形成は、次のようにして行った。
【００３８】まずパネルガラスを洗浄、乾燥させた状態
で回転させながら、ＳｉＯ2 微粒子を含有するアルコー
ル溶液を滴下した後、自然乾燥させ、次いで焼成するこ
とによって不連続な膜構造を有するＳｉＯ2 膜を形成し
た。さらにパネルガラスを予熱しておき、ＳｉＯ2 膜の
上に、ジメチル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気
（Ｓｂ／Ｓｎ＝１／１００）を吹き付け、常圧のＣＶＤ
法によってＳｂがドープされたＳｎＯ2 を形成した。
尚、第３層目と第４層目の膜は、実施例３と同様の方法
で形成した。
で回転させながら、ＳｉＯ2 微粒子を含有するアルコー
ル溶液を滴下した後、自然乾燥させ、次いで焼成するこ
とによって不連続な膜構造を有するＳｉＯ2 膜を形成し
た。さらにパネルガラスを予熱しておき、ＳｉＯ2 膜の
上に、ジメチル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気
（Ｓｂ／Ｓｎ＝１／１００）を吹き付け、常圧のＣＶＤ
法によってＳｂがドープされたＳｎＯ2 を形成した。
尚、第３層目と第４層目の膜は、実施例３と同様の方法
で形成した。
【００３９】こうして作製した各実施例及び比較例の陰
極線管用パネルの面抵抗を測定したところ、いずれも３
×１０2 Ω／□以下の低い面抵抗を有しており、優れた
電磁波遮蔽性を有していた。
極線管用パネルの面抵抗を測定したところ、いずれも３
×１０2 Ω／□以下の低い面抵抗を有しており、優れた
電磁波遮蔽性を有していた。
【００４０】また実施例３と比較例の陰極線管用パネル
の４００〜７００ｎｍの波長における反射率を測定し、
その結果を図４に示した。図４のグラフから分かるよう
に、実施例３の陰極線管用パネルは、比較例の陰極線管
用パネルに比べて、広い波長域に亙って低い反射率を有
しており、反射防止性に優れていた。
の４００〜７００ｎｍの波長における反射率を測定し、
その結果を図４に示した。図４のグラフから分かるよう
に、実施例３の陰極線管用パネルは、比較例の陰極線管
用パネルに比べて、広い波長域に亙って低い反射率を有
しており、反射防止性に優れていた。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明の陰極線管用パネル
は、第１層目として、膜厚が５００〜２５００Åで、連
続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が形成されてなるた
め、ガラス中から溶出するアルカリ成分と、Ｓｎ原料中
の塩素との反応を完全に抑えることができ、これによっ
て第２層目として形成するＳｎＯ2 膜の厚みを小さくし
ても、優れた電磁波遮蔽性を得ることができ、しかも表
面反射が大きくなるのを防止することが可能である。
は、第１層目として、膜厚が５００〜２５００Åで、連
続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜が形成されてなるた
め、ガラス中から溶出するアルカリ成分と、Ｓｎ原料中
の塩素との反応を完全に抑えることができ、これによっ
て第２層目として形成するＳｎＯ2 膜の厚みを小さくし
ても、優れた電磁波遮蔽性を得ることができ、しかも表
面反射が大きくなるのを防止することが可能である。
【００４２】また本発明においては、第３層目として、
反射防止膜を形成することによって、より優れた反射防
止性を得ることができ、さらに第４層目として、微細な
凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成することによって、拡散
反射を大きくし、優れた防眩効果を得ることができる。
反射防止膜を形成することによって、より優れた反射防
止性を得ることができ、さらに第４層目として、微細な
凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成することによって、拡散
反射を大きくし、優れた防眩効果を得ることができる。
【図１】本発明の実施例の陰極線管用パネルを示す概略
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の陰極線管用パネルを示す
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
【図３】本発明の他の実施例の陰極線管用パネルを示す
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
【図４】実施例３と比較例の陰極線管用パネルの反射率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１０、２０、３０ パネルガラス １１、２１、３１ 連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜 １２、２２、３２ ＳｎＯ2 膜 ２３、３３ 不連続な膜構造を有するＳｉＯ2 膜 ３４ 微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜
Claims (6)
- 【請求項１】 外表面側に第１層目として、膜厚が５０
０〜２５００Åで、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜
が形成され、第２層目として、膜厚が２００〜６００Å
であるＳｎＯ2 膜が形成されてなることを特徴とする陰
極線管用パネル。 - 【請求項２】 外表面側に第１層目として、膜厚が５０
０〜２５００Åで、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜
が形成され、第２層目として、膜厚が２００〜６００Å
のＳｎＯ2 膜が形成され、第３層目として、ＳｎＯ2 膜
よりも屈折率の低い反射防止膜が形成されてなることを
特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項３】 外表面側に第１層目として、膜厚が５０
０〜２５００Åで、連続した膜構造を有するＳｉＯ2 膜
が形成され、第２層目として、膜厚が２００〜６００Å
のＳｎＯ2 膜が形成され、第３層目として、ＳｎＯ2 膜
よりも屈折率の低い反射防止膜が形成され、第４層目と
して、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 膜が形成されてなる
ことを特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項４】 第１層目の連続した膜構造を有するＳｉ
Ｏ2 膜が、アルキルシリケートを原料として作製された
ものであることを特徴とする請求項１乃至３の陰極線管
用パネル。 - 【請求項５】 第２層目のＳｎＯ2 膜が、ＣＶＤ法によ
って形成され、９×１０2 Ω／□以下の面抵抗を有する
ことを特徴とする請求項１乃至３の陰極線管用パネル。 - 【請求項６】 第３層目の反射防止膜が、ＳｉＯ2 膜で
あることを特徴とする請求項１乃至３の陰極線管用パネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24675595A JPH0969345A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24675595A JPH0969345A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969345A true JPH0969345A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=17153181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24675595A Pending JPH0969345A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969345A (ja) |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP24675595A patent/JPH0969345A/ja active Pending
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