JPH05299036A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH05299036A JPH05299036A JP4130106A JP13010692A JPH05299036A JP H05299036 A JPH05299036 A JP H05299036A JP 4130106 A JP4130106 A JP 4130106A JP 13010692 A JP13010692 A JP 13010692A JP H05299036 A JPH05299036 A JP H05299036A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- panel
- ray tube
- thin film
- film
- sno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な帯電防止性及び反射防止性を有すると
共に、優れた電磁波遮蔽性をも有する陰極線管用パネル
を提供することを目的とする。 【構成】 パネルガラス１０の外表面には、３００Åの
膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜１１が形成され、またその上
には１１５０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１２が形成
されている。
共に、優れた電磁波遮蔽性をも有する陰極線管用パネル
を提供することを目的とする。 【構成】 パネルガラス１０の外表面には、３００Åの
膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜１１が形成され、またその上
には１１５０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１２が形成
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外表面に透明導電膜と
反射防止膜が形成されてなる陰極線管用パネルに関する
ものである。
反射防止膜が形成されてなる陰極線管用パネルに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が写し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
され、通常、パネルの外表面には、透明導電膜が形成さ
れている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
され、通常、パネルの外表面には、透明導電膜が形成さ
れている。
【０００３】透明導電膜は、陰極線管の動作中、パネル
に高電圧が帯電することによって、人体等との間で放電
が発生したり、表面に埃が吸着して画像が低下するのを
防止する帯電防止作用と共に、陰極線管の内部回路から
発生する不要電磁波の漏洩によって、人体や他の機器に
悪影響を及ぼさないように電磁波を遮蔽する作用を有し
ている。
に高電圧が帯電することによって、人体等との間で放電
が発生したり、表面に埃が吸着して画像が低下するのを
防止する帯電防止作用と共に、陰極線管の内部回路から
発生する不要電磁波の漏洩によって、人体や他の機器に
悪影響を及ぼさないように電磁波を遮蔽する作用を有し
ている。
【０００４】透明導電膜の材質としては、一般にＳｎＯ
2 やＩｎ2 Ｏ3 が用いられているが、これらの材料は、
ガラスに比べて高い屈折率を有しているので、パネル外
表面に透明導電膜を形成すると、光の表面反射が強くな
って画像が見えにくくなるという問題が発生する。
2 やＩｎ2 Ｏ3 が用いられているが、これらの材料は、
ガラスに比べて高い屈折率を有しているので、パネル外
表面に透明導電膜を形成すると、光の表面反射が強くな
って画像が見えにくくなるという問題が発生する。
【０００５】そこでパネル表面に透明導電膜を形成した
後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て、光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的に
は、パネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜をスピ
ンコート法によって形成した後、さらにその上にＳｉＯ
2 からなる反射防止膜をスピンコート法によって形成し
てなる陰極線管が提案されている。
後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て、光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的に
は、パネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜をスピ
ンコート法によって形成した後、さらにその上にＳｉＯ
2 からなる反射防止膜をスピンコート法によって形成し
てなる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の陰極線管は、パ
ネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜が形成されて
なるため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、電
磁波を完全に遮蔽するには未だ不十分である。
ネル外表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜が形成されて
なるため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、電
磁波を完全に遮蔽するには未だ不十分である。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、良好な帯電防止性及び反射防止性を有すると共
に、優れた電磁波遮蔽性をも有する陰極線管用パネルを
提供することを目的とするものである。
あり、良好な帯電防止性及び反射防止性を有すると共
に、優れた電磁波遮蔽性をも有する陰極線管用パネルを
提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管用パネ
ルは、外表面にＣＶＤ法によって、２００Å以上の膜厚
と、１×１０6 Ω以下の面抵抗（正方形当たりの抵抗
値）を有するＳｎＯ2 薄膜が形成され、その上にＳｎＯ
2 より低い屈折率の材料からなる薄膜が形成されてなる
ことを特徴とする。
ルは、外表面にＣＶＤ法によって、２００Å以上の膜厚
と、１×１０6 Ω以下の面抵抗（正方形当たりの抵抗
値）を有するＳｎＯ2 薄膜が形成され、その上にＳｎＯ
2 より低い屈折率の材料からなる薄膜が形成されてなる
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
ＳｎＯ2 薄膜は、２．０の屈折率（ｎｄ）を有し、Ｉｎ
2 Ｏ3 薄膜に比べて、安価で、性能が安定していること
を特徴とする。
ＳｎＯ2 薄膜は、２．０の屈折率（ｎｄ）を有し、Ｉｎ
2 Ｏ3 薄膜に比べて、安価で、性能が安定していること
を特徴とする。
【００１０】本発明において、このＳｎＯ2 薄膜をＣＶ
Ｄ法によって形成する理由は、ＣＶＤ法が他のコーティ
ング法に比べて安価で、大量生産に向いており、また透
明導電膜の帯電防止性と電磁波遮蔽性は、膜の電気抵抗
が小さいほど向上するが、ＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によ
って形成すると、膜が細かい粒子の緻密構造となり、さ
らにこれを２００Å以上の膜厚にすることによって、１
×１０6 以下の面抵抗を有する薄膜となり、特に優れた
電磁波遮蔽性が得られるためである。
Ｄ法によって形成する理由は、ＣＶＤ法が他のコーティ
ング法に比べて安価で、大量生産に向いており、また透
明導電膜の帯電防止性と電磁波遮蔽性は、膜の電気抵抗
が小さいほど向上するが、ＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によ
って形成すると、膜が細かい粒子の緻密構造となり、さ
らにこれを２００Å以上の膜厚にすることによって、１
×１０6 以下の面抵抗を有する薄膜となり、特に優れた
電磁波遮蔽性が得られるためである。
【００１１】さらにこの第一層目の薄膜を構成するＳｎ
Ｏ2 には、帯電防止性を向上させる目的で、少量のＳｂ
2 Ｏ3 を添加することが可能である。
Ｏ2 には、帯電防止性を向上させる目的で、少量のＳｂ
2 Ｏ3 を添加することが可能である。
【００１２】また本発明においてＳｎＯ2 より低い屈折
率の材料からなる薄膜は、反射防止膜として用いられ、
その材質としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ａ
ｌ2Ｏ3 等が使用可能であるが、コスト面や膜の強度を
考慮すると、ＳｉＯ2 （屈折率１．４６）を使用するの
が最も好ましく、その形成方法としては、スピンコート
法、ディップコート法、スプレーコート法のいずれかの
方法が適している。
率の材料からなる薄膜は、反射防止膜として用いられ、
その材質としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ａ
ｌ2Ｏ3 等が使用可能であるが、コスト面や膜の強度を
考慮すると、ＳｉＯ2 （屈折率１．４６）を使用するの
が最も好ましく、その形成方法としては、スピンコート
法、ディップコート法、スプレーコート法のいずれかの
方法が適している。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００１４】（実施例）図１は、本発明の陰極線管用パ
ネルの縦断面図であり、このパネルガラス１０（屈折率
１．５３６）の外表面には、３００Åの膜厚を有するＳ
ｎＯ2 薄膜１１が形成され、またその上には１１５０Å
の膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１２が形成されている。
ネルの縦断面図であり、このパネルガラス１０（屈折率
１．５３６）の外表面には、３００Åの膜厚を有するＳ
ｎＯ2 薄膜１１が形成され、またその上には１１５０Å
の膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１２が形成されている。
【００１５】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は、以下の方法によって行った。
の形成は、以下の方法によって行った。
【００１６】まずパネルガラス１０を歪点（約４８０
℃）まで加熱しておき、この外表面にジメチル二塩化錫
と塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ＝１／１０
０）を吹き付け、常圧のＣＶＤ法によって、Ｓｂがドー
プされたＳｎＯ2 薄膜１１を形成した。
℃）まで加熱しておき、この外表面にジメチル二塩化錫
と塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ＝１／１０
０）を吹き付け、常圧のＣＶＤ法によって、Ｓｂがドー
プされたＳｎＯ2 薄膜１１を形成した。
【００１７】次いでこのＳｎＯ2 薄膜１１を洗浄、乾燥
させた後、パネルガラス１０を約４０℃に予熱し、約１
００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上にＳｉＯ2
含有アルコール溶液を滴下し、さらに自然乾燥させ、４
５０℃で３０分間焼成することによって、ＳｉＯ2 薄膜
１２を形成した。
させた後、パネルガラス１０を約４０℃に予熱し、約１
００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上にＳｉＯ2
含有アルコール溶液を滴下し、さらに自然乾燥させ、４
５０℃で３０分間焼成することによって、ＳｉＯ2 薄膜
１２を形成した。
【００１８】（比較例１）図１に示すようなパネルガラ
スを用意し、このパネルガラスを約４０℃に予熱し、約
１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上にエタノ
ールアンチモンドープ酸化錫のゾル液（Ｓｂ／Ｓｎ＝１
／１００）を滴下した後、自然乾燥させることによっ
て、７９５Åの膜厚を有し、ＳｂがドープされたＳｎＯ
2 薄膜を形成した。
スを用意し、このパネルガラスを約４０℃に予熱し、約
１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上にエタノ
ールアンチモンドープ酸化錫のゾル液（Ｓｂ／Ｓｎ＝１
／１００）を滴下した後、自然乾燥させることによっ
て、７９５Åの膜厚を有し、ＳｂがドープされたＳｎＯ
2 薄膜を形成した。
【００１９】次いでパネルガラスを約４０℃に予熱し、
約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上にＳｉ
Ｏ2 含有アルコール溶液を滴下し、さらに自然乾燥さ
せ、４５０℃で３０分間焼成することによって、８９９
Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜を形成した。
約１００ｒｐｍの速さで回転させながら、その上にＳｉ
Ｏ2 含有アルコール溶液を滴下し、さらに自然乾燥さ
せ、４５０℃で３０分間焼成することによって、８９９
Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜を形成した。
【００２０】（比較例２）図１に示すようなパネルガラ
スを用意し、このパネルガラス上に比較例１と同様の方
法でＳｎＯ2 膜を形成した。
スを用意し、このパネルガラス上に比較例１と同様の方
法でＳｎＯ2 膜を形成した。
【００２１】こうして作製した各々の陰極線管用パネル
の反射率を測定し、その結果を図２に示した。
の反射率を測定し、その結果を図２に示した。
【００２２】図２から明らかなように実施例と比較例１
の各パネルは、比較例２のパネルに比べて、全般に反射
率が低かった。
の各パネルは、比較例２のパネルに比べて、全般に反射
率が低かった。
【００２３】また各陰極線管用パネルの面抵抗を測定し
たところ、実施例のパネルは、１×１０3 Ωの低い面抵
抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有していた。一
方、比較例１と２のパネルの面抵抗は、各々５×１０9
Ω、１×１０9 Ωと高く、電磁波遮蔽性に劣っていた。
たところ、実施例のパネルは、１×１０3 Ωの低い面抵
抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有していた。一
方、比較例１と２のパネルの面抵抗は、各々５×１０9
Ω、１×１０9 Ωと高く、電磁波遮蔽性に劣っていた。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によると、良好な帯
電防止性と反射防止性を有すると共に、優れた電磁波遮
蔽性をも有する陰極線管を得ることが可能である。
電防止性と反射防止性を有すると共に、優れた電磁波遮
蔽性をも有する陰極線管を得ることが可能である。
【図１】本発明の陰極線管用パネルの縦断面図である。
【図２】実施例と比較例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
１０ パネルガラス １１ ＳｎＯ2 膜 １２ ＳｉＯ2 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 幸雄 滋賀県大津市晴嵐２丁目７番１号 日本電 気硝子株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 外表面にＣＶＤ法によって、２００Å以
上の膜厚と、１×１０6 Ω以下の面抵抗を有するＳｎＯ
2 薄膜が形成され、その上にＳｎＯ2 より低い屈折率の
材料からなる薄膜が形成されてなることを特徴とする陰
極線管用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130106A JPH05299036A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130106A JPH05299036A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299036A true JPH05299036A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=15026099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4130106A Pending JPH05299036A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299036A (ja) |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP4130106A patent/JPH05299036A/ja active Pending
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