JP3072991B2 - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JP3072991B2 JP3072991B2 JP63114603A JP11460388A JP3072991B2 JP 3072991 B2 JP3072991 B2 JP 3072991B2 JP 63114603 A JP63114603 A JP 63114603A JP 11460388 A JP11460388 A JP 11460388A JP 3072991 B2 JP3072991 B2 JP 3072991B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode ray
- ray tube
- film
- transparent conductive
- panel
- Prior art date
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/89—Optical or photographic arrangements structurally combined or co-operating with the vessel
- H01J29/896—Anti-reflection means, e.g. eliminating glare due to ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/867—Means associated with the outside of the vessel for shielding, e.g. magnetic shields
- H01J29/868—Screens covering the input or output face of the vessel, e.g. transparent anti-static coatings, X-ray absorbing layers
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、バルブのパネルによる外光の反射を防止し
て表示画像を見易くし、かつ静電誘導による帯電を防止
して使用者がショツクを受ける恐れを減少させた陰極線
管に関する。
て表示画像を見易くし、かつ静電誘導による帯電を防止
して使用者がショツクを受ける恐れを減少させた陰極線
管に関する。
陰極線管の画像表示を行うバルブのパネル面は、一般
に光沢状態となつており、外来光を強烈に反射し易く、
そのために表示画像が観察し難くなるという問題が生じ
ていた。
に光沢状態となつており、外来光を強烈に反射し易く、
そのために表示画像が観察し難くなるという問題が生じ
ていた。
近年はテレビジョン受像機のほかに情報機器の端末と
して各種陰極線管からなるデイスプレイ装置が広く使用
されており、前記した外来光反射の問題はVDT(Visual
Display Terminal)の分野で解決すべき課題として広く
取り上げられるようになつてきた。
して各種陰極線管からなるデイスプレイ装置が広く使用
されており、前記した外来光反射の問題はVDT(Visual
Display Terminal)の分野で解決すべき課題として広く
取り上げられるようになつてきた。
また近年、防爆形陰極線管の普及に伴い、テレビジョ
ン受像機またはデイスプレイ装置の前面保護ガラスが不
要となり、陰極線管の全面部分が直接外部に露出するよ
うになつた。このため人が直接陰極線管の全面部分(パ
ネル)に触れる場合が生じ、電源スイツチの点滅の際に
静電誘導によつてパネル表面に帯電した高電圧の静電気
によつて、人が大きなショツクを受けることも生じるよ
うになつた。
ン受像機またはデイスプレイ装置の前面保護ガラスが不
要となり、陰極線管の全面部分が直接外部に露出するよ
うになつた。このため人が直接陰極線管の全面部分(パ
ネル)に触れる場合が生じ、電源スイツチの点滅の際に
静電誘導によつてパネル表面に帯電した高電圧の静電気
によつて、人が大きなショツクを受けることも生じるよ
うになつた。
更にまた、パネルが静電気によつて大気中の塵や挨を
吸着し、これが推積してパネル面が汚れ、画像を非常に
見難くするという問題も生じていた。
吸着し、これが推積してパネル面が汚れ、画像を非常に
見難くするという問題も生じていた。
以上の理由から、前面パネルが反射防止性能と帯電防
止性能の両機能を備えた陰極線管に対する要求が非常に
強くなつてきた。
止性能の両機能を備えた陰極線管に対する要求が非常に
強くなつてきた。
なお、陰極線管の前面パネルの表面が帯電する理由を
第1図を参照して説明すると、陰極線管1のガラスパネ
ル2の内面に塗布されている螢光体3の上に薄い均一な
アルミニウム膜4が蒸着されており、このアルミニウム
膜4に高い陽極電圧が印加されたり、遮断されたりする
時に、パネル2に静電誘導により帯電現象を起こすこと
による。
第1図を参照して説明すると、陰極線管1のガラスパネ
ル2の内面に塗布されている螢光体3の上に薄い均一な
アルミニウム膜4が蒸着されており、このアルミニウム
膜4に高い陽極電圧が印加されたり、遮断されたりする
時に、パネル2に静電誘導により帯電現象を起こすこと
による。
従来も各種の方法で外来光のパネル表面での反射防止
が図られており、例えば蒸着により形成された多層反射
防止膜(ARコート)を被着させた所謂テレパネルを陰極
線管のパネル表面に貼付ける方法とか、Si(OR)4のア
ルコール溶液を直接陰極線管のパネル表面に吹き付けた
後、焼成し、SiO2の微小凹凸を有する被膜を形成させる
方法がある。
が図られており、例えば蒸着により形成された多層反射
防止膜(ARコート)を被着させた所謂テレパネルを陰極
線管のパネル表面に貼付ける方法とか、Si(OR)4のア
ルコール溶液を直接陰極線管のパネル表面に吹き付けた
後、焼成し、SiO2の微小凹凸を有する被膜を形成させる
方法がある。
一方、テレビジョン受像機や各種端末デイスプレイ装
置等の陰極線管前面に、静電誘導により生ずる帯電を防
止する方法として、透明導電性被膜を形成し、それを接
地する方法がある。
置等の陰極線管前面に、静電誘導により生ずる帯電を防
止する方法として、透明導電性被膜を形成し、それを接
地する方法がある。
しかし、反射防止性能と帯電防止性能の両方の機能を
備えたものは未だなかつた。
備えたものは未だなかつた。
蒸着により形成されたARコート被着テレパネルを陰極
線管のパネル外表面に貼付ける方法は、反射防止性能は
非常に優れているが、絶縁物を蒸着しているため帯電防
止性能は得られず、原価も高くつく。また、Si(OR)4
のアルコール溶液を直接陰極線管のパネル表面に吹き付
けた後、焼成し、SiO2からなる微小凹凸を有する単層被
膜を形成する方法では、防眩効果は十分に得られ、製造
原価も安価であるが、強度を向上させるための焼成によ
り水酸基が減少して表面抵抗値が高くなり、帯電防止効
果は得られないという問題がある。
線管のパネル外表面に貼付ける方法は、反射防止性能は
非常に優れているが、絶縁物を蒸着しているため帯電防
止性能は得られず、原価も高くつく。また、Si(OR)4
のアルコール溶液を直接陰極線管のパネル表面に吹き付
けた後、焼成し、SiO2からなる微小凹凸を有する単層被
膜を形成する方法では、防眩効果は十分に得られ、製造
原価も安価であるが、強度を向上させるための焼成によ
り水酸基が減少して表面抵抗値が高くなり、帯電防止効
果は得られないという問題がある。
一方、帯電防止性能を付与するための透明導電膜形成
方法は、一般に真空蒸着やスパツタリング、CVD等の大
がかりな装置を必要とし、真空処理などの工数を必要と
するため量産向きではなく、完成された陰極線管等に直
接施工することは困難である。
方法は、一般に真空蒸着やスパツタリング、CVD等の大
がかりな装置を必要とし、真空処理などの工数を必要と
するため量産向きではなく、完成された陰極線管等に直
接施工することは困難である。
そこで本発明者等は、陰極線管のパネル前表面に、透
明導電膜を第1層目にコートし、その上に、Si(OR)4
(R:アルキル基)のアルコール溶液を吹き付け法により
コートとして第2層目とし、第1層目で帯電防止性能
を、第2層目で反射防止性能を保持させて両方の機能を
備えた陰極線管を特許出願中である。
明導電膜を第1層目にコートし、その上に、Si(OR)4
(R:アルキル基)のアルコール溶液を吹き付け法により
コートとして第2層目とし、第1層目で帯電防止性能
を、第2層目で反射防止性能を保持させて両方の機能を
備えた陰極線管を特許出願中である。
本発明の目的は、前記特許出願中の発明で得られる帯
電防止性能及び反射防止性能を最も効果的に発揮する陰
極線管を提供することにある。即ち、本発明者等は、上
記特許出願中の発明を実施した陰極線管について実験を
重ねた結果、第2層目の反射防止膜の表面粗度を詳細に
規定する必要があることを発明するに至つた。
電防止性能及び反射防止性能を最も効果的に発揮する陰
極線管を提供することにある。即ち、本発明者等は、上
記特許出願中の発明を実施した陰極線管について実験を
重ねた結果、第2層目の反射防止膜の表面粗度を詳細に
規定する必要があることを発明するに至つた。
上記目的は、陰極線管のパネル前表面に、それ自身が
既に導電性を保有するSnO2、In2O3の中の1種以上と、
Rをアルキル基としてSi(OR)4とを含有するアルコー
ル溶液を塗布して透明導電膜を形成し、その上に、焼成
後の表面粗度が日本工業規格で規定する最大高さRmaxで
0.1〜1μm、10点平均粗さRzで0.05〜0.5μmの範囲に
なるように、Si(OR)4のアルコール溶液を塗布して反
射防止膜を形成することにより達成される。
既に導電性を保有するSnO2、In2O3の中の1種以上と、
Rをアルキル基としてSi(OR)4とを含有するアルコー
ル溶液を塗布して透明導電膜を形成し、その上に、焼成
後の表面粗度が日本工業規格で規定する最大高さRmaxで
0.1〜1μm、10点平均粗さRzで0.05〜0.5μmの範囲に
なるように、Si(OR)4のアルコール溶液を塗布して反
射防止膜を形成することにより達成される。
上記の如くすれば、第1層目の下地膜は導電性を有
し、しかもパネルのガラス面に対する接着力が強い。第
2層目の表面膜は良好な反射防止性能を発揮し、下地膜
との接着力も強く、かつ膜欠点も全く見られないと共
に、解像度も優れている。また、その製造工程は簡単で
安価に済む。これにより、パネル表面の高電圧帯電によ
る問題がなく、しかも表面膜による散乱反射で良好な反
射防止効果のある量産に適した陰極線管を得られる。
し、しかもパネルのガラス面に対する接着力が強い。第
2層目の表面膜は良好な反射防止性能を発揮し、下地膜
との接着力も強く、かつ膜欠点も全く見られないと共
に、解像度も優れている。また、その製造工程は簡単で
安価に済む。これにより、パネル表面の高電圧帯電によ
る問題がなく、しかも表面膜による散乱反射で良好な反
射防止効果のある量産に適した陰極線管を得られる。
また第2層目を吹付け法によつて行うことにより、膜
欠点は殆んど目立たず、第1層目の膜欠点を消去した
り、低減したりするのに非常に効果がある。しかし、第
2層目のRmaxが0.1μm以下、Rzが0.05μm以下の場合
は、画像の解像度は非常に優れているが、第1層目の透
明導電膜の中に存在する微細な膜欠点を消去する能力が
低下し、かつ反射防止性能も悪くなる。また第2層目の
Rmaxが1.0μm以上、Rzが0.5μm以上の場合は、第1層
目の膜欠点は容易に消去でき、反射防止性能も優れてい
るが、画像の解像度が80本/cm(20cmの高さから識別)
以下となり、デイスプレイ装置としての機能が低下す
る。
欠点は殆んど目立たず、第1層目の膜欠点を消去した
り、低減したりするのに非常に効果がある。しかし、第
2層目のRmaxが0.1μm以下、Rzが0.05μm以下の場合
は、画像の解像度は非常に優れているが、第1層目の透
明導電膜の中に存在する微細な膜欠点を消去する能力が
低下し、かつ反射防止性能も悪くなる。また第2層目の
Rmaxが1.0μm以上、Rzが0.5μm以上の場合は、第1層
目の膜欠点は容易に消去でき、反射防止性能も優れてい
るが、画像の解像度が80本/cm(20cmの高さから識別)
以下となり、デイスプレイ装置としての機能が低下す
る。
以下、本発明の一実施例を第1図によつて説明する。
まず、陰極線管1のパネル2の前表面をCeO2等の研摩材
及びシリロン(商標名、ヘンケル−白水社製)等のアル
カリ洗剤を用いて洗浄化する。次に、それ自身が既に導
電性を有するSnO2、IN2O3微粒子(通常500Å以下)の中
の一つ以上と、Rをアルキル基としてSi(OR)4とを含
有するアルコール溶液を、例えばスピンナーを用いて均
一に回転塗布する。上記溶液の滴下量は、14形の陰極線
管で約10cm3、塗布時の回転速度は100〜600rpmで、時間
は1分間とした。但し、塗布法は回転塗布法に限らず、
浸漬法でも吹き付け法でも、また他のどのような方法で
も、要は膜が得られる方法なら差し支えない。
まず、陰極線管1のパネル2の前表面をCeO2等の研摩材
及びシリロン(商標名、ヘンケル−白水社製)等のアル
カリ洗剤を用いて洗浄化する。次に、それ自身が既に導
電性を有するSnO2、IN2O3微粒子(通常500Å以下)の中
の一つ以上と、Rをアルキル基としてSi(OR)4とを含
有するアルコール溶液を、例えばスピンナーを用いて均
一に回転塗布する。上記溶液の滴下量は、14形の陰極線
管で約10cm3、塗布時の回転速度は100〜600rpmで、時間
は1分間とした。但し、塗布法は回転塗布法に限らず、
浸漬法でも吹き付け法でも、また他のどのような方法で
も、要は膜が得られる方法なら差し支えない。
塗布した後、陰極線管1を100〜110℃で5分間、仮焼
成して下地膜である透明導電膜5を形成した。但し、溶
媒のアルコールを除去する目的の前記仮焼成は、前記し
た温度に限定されるものではなく、低温保持でも、室温
放置でも差し支えない。また第2層をコートするための
予熱処理(50℃)で、上記の溶媒のアルコールの除去を
かねても良い。次に、パネル2の外表面の温度を約50℃
に予熱し、Si(OR)4のアルコール溶液を空気圧力3.5k
g/cm2で一定の光沢度となるようにスプレイ塗布した。
その後150〜200℃の温度で30分間本焼成することにより
SiO2の微細な凹凸を待つた、しかも強固な反射防止膜6
を形成させた。ここで、反射防止膜6のSiO2の微細な凹
凸膜は、日本工業規格で規定する最大高さRmaxが0.1〜
1.0μm、10点平均粗さRzが0.05〜0.5μmの範囲になる
ようにした。
成して下地膜である透明導電膜5を形成した。但し、溶
媒のアルコールを除去する目的の前記仮焼成は、前記し
た温度に限定されるものではなく、低温保持でも、室温
放置でも差し支えない。また第2層をコートするための
予熱処理(50℃)で、上記の溶媒のアルコールの除去を
かねても良い。次に、パネル2の外表面の温度を約50℃
に予熱し、Si(OR)4のアルコール溶液を空気圧力3.5k
g/cm2で一定の光沢度となるようにスプレイ塗布した。
その後150〜200℃の温度で30分間本焼成することにより
SiO2の微細な凹凸を待つた、しかも強固な反射防止膜6
を形成させた。ここで、反射防止膜6のSiO2の微細な凹
凸膜は、日本工業規格で規定する最大高さRmaxが0.1〜
1.0μm、10点平均粗さRzが0.05〜0.5μmの範囲になる
ようにした。
第2図は前記のようにして形成した反射防止膜6の表
面粗度の測定結果を示す。この表面粗度はほぼ平均膜厚
を表わしていると考えて差支えない。同図(A)はRmax
=0.2μm、Rz=0.098μmであり、表面粗度のほぼ下限
(膜厚最小)を示し、同図(B)はRmax=0.95μm、Rz
=0.46μmであり、表面粗度のほぼ上限(膜厚最大)を
示す。この場合、日本工業規格で規定される光沢度は、
パネルガラスがグレー色の場合には、前者は70%、後者
は40%であった。
面粗度の測定結果を示す。この表面粗度はほぼ平均膜厚
を表わしていると考えて差支えない。同図(A)はRmax
=0.2μm、Rz=0.098μmであり、表面粗度のほぼ下限
(膜厚最小)を示し、同図(B)はRmax=0.95μm、Rz
=0.46μmであり、表面粗度のほぼ上限(膜厚最大)を
示す。この場合、日本工業規格で規定される光沢度は、
パネルガラスがグレー色の場合には、前者は70%、後者
は40%であった。
ところで、反射防止膜6の表面粗度がRmax=0.1μm
以下、Rz=0.05μm以下であると、画像の解像度は非常
に優れ、80本/cm(20cmの高さから識別)以上を充分に
区別できるが、第1図に示すように透明導電膜5の中に
存在する異物7を消去できなくなる。
以下、Rz=0.05μm以下であると、画像の解像度は非常
に優れ、80本/cm(20cmの高さから識別)以上を充分に
区別できるが、第1図に示すように透明導電膜5の中に
存在する異物7を消去できなくなる。
一方、表面粗度がRmax=1.0μm以上、Rz=0.5μm以
上であると、異物7を完全に被覆して全く見えなくな
り、反射防止性能も優れているが、画像の解像度が低下
し、80本/cmの区別ができなくなる。
上であると、異物7を完全に被覆して全く見えなくな
り、反射防止性能も優れているが、画像の解像度が低下
し、80本/cmの区別ができなくなる。
このようにして形成された反射防止膜6の反射特性に
おける5゜正反射率は、無処理のパネルガラスの4.5%
に対して1.5%と十分に低く、良好な反射防止効果を有
していた。また、反射防止膜6の表面を消しゴム(ライ
オン50−50)で50回擦つても5゜正反射率は0.1%変化
しただけで、十分強く、特性上は全く問題なかつた。
おける5゜正反射率は、無処理のパネルガラスの4.5%
に対して1.5%と十分に低く、良好な反射防止効果を有
していた。また、反射防止膜6の表面を消しゴム(ライ
オン50−50)で50回擦つても5゜正反射率は0.1%変化
しただけで、十分強く、特性上は全く問題なかつた。
次に帯電防止機能について説明する。第3図は、20形
テレビジョン受像機のスイツチ遮断後の経過時間(秒)
と表面帯電圧の関係を示したものであり、測定条件は、
温度21〜23℃、湿度20〜23%である。図中、線8はパネ
ル表面無処理の従来の管の帯電減衰特性を示し、300秒
経過後も殆ど帯電圧が変化していない。これに対して本
発明にかかる管の帯電減衰特性は、線9で示すように電
源遮断後5秒で帯電圧が殆ど0KVになつていることが判
つた。
テレビジョン受像機のスイツチ遮断後の経過時間(秒)
と表面帯電圧の関係を示したものであり、測定条件は、
温度21〜23℃、湿度20〜23%である。図中、線8はパネ
ル表面無処理の従来の管の帯電減衰特性を示し、300秒
経過後も殆ど帯電圧が変化していない。これに対して本
発明にかかる管の帯電減衰特性は、線9で示すように電
源遮断後5秒で帯電圧が殆ど0KVになつていることが判
つた。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、帯
電防止機能と反射防止機能に優れ、かつ機械的にも強い
膜をパネル前面に有し、しかも量産容易で安価な陰極線
管が得られる。また反射防止膜の表面粗度を、Rmax=0.
1〜1μm、Rz=0.05〜0.5μmの範囲にすることによ
り、帯電防止機能及び反射防止機能を最も効果的に発揮
することができる。
電防止機能と反射防止機能に優れ、かつ機械的にも強い
膜をパネル前面に有し、しかも量産容易で安価な陰極線
管が得られる。また反射防止膜の表面粗度を、Rmax=0.
1〜1μm、Rz=0.05〜0.5μmの範囲にすることによ
り、帯電防止機能及び反射防止機能を最も効果的に発揮
することができる。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図(A)
(B)はそれぞれ反射防止膜の表面粗度を示す測定図、
第3図は膜の帯電防止効果を説明する説明図である。 1……陰極線管、2……ガラスパネル、 5……透明導電膜、6……反射防止膜。
(B)はそれぞれ反射防止膜の表面粗度を示す測定図、
第3図は膜の帯電防止効果を説明する説明図である。 1……陰極線管、2……ガラスパネル、 5……透明導電膜、6……反射防止膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小原 克美 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭63−76247(JP,A) 特開 昭53−118326(JP,A) 特開 昭62−289801(JP,A) 特開 昭60−129778(JP,A) 特開 昭60−77150(JP,A) 特開 昭62−280286(JP,A) 特開 昭60−181177(JP,A) 実開 昭59−168951(JP,U)
Claims (6)
- 【請求項1】陰極線管のパネル前表面に、SiO2と、それ
自身が導電性を有するSnO2、In2O3の微粒子の中の1種
以上とからなる透明導電膜を形成し、前記透明導電膜の
上にSiO2の微細な凹凸を有する反射防止膜を形成したこ
とを特徴とする陰極線管。 - 【請求項2】前記透明導電膜は、前記導電性の微粒子
と、Rをアルキル基としてSi(OR)4とを含有するアル
コール液を吹付けによつて塗布してなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の陰極線管。 - 【請求項3】前記透明導電膜は、前記導電性の微粒子
と、Rをアルキル基としてSi(OR)4とを含有するアル
コール液を回転塗布してなることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の陰極線管。 - 【請求項4】前記SiO2の微細な凹凸を有する反射防止膜
は、表面粗度が日本工業規格で規定する最大高さで0.1
〜1μm、10点平均粗さで0.05〜0.5μmの範囲である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の陰極線
管。 - 【請求項5】前記透明導電膜は、前記導電性の微粒子
と、Rをアルキル基としてSi(OR)4とを含有するアル
コール液を吹付けによつて塗布してなることを特徴とす
る特許請求の範囲第4項記載の陰極線管。 - 【請求項6】前記透明導電膜は、前記導電性の微粒子
と、Rをアルキル基としてSi(OR)4とを含有するアル
コール液を回転塗布してなることを特徴とする特許請求
の範囲第4項記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63114603A JP3072991B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63114603A JP3072991B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 陰極線管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01286240A JPH01286240A (ja) | 1989-11-17 |
JP3072991B2 true JP3072991B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=14641986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63114603A Expired - Lifetime JP3072991B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 陰極線管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3072991B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0482145A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Toshiba Corp | 表示装置 |
EP0533030B1 (en) * | 1991-09-20 | 1995-06-21 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for forming an anti-reflection film for a cathode-ray tube |
JPH08138581A (ja) | 1994-09-16 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 反射防止型陰極線管およびその製造方法 |
KR970012944A (ko) * | 1995-08-10 | 1997-03-29 | 윤종용 | 음극선관 및 그 제조방법 |
KR100389656B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2003-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극선관 패널의 코팅막 형성방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60129778A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | 三菱電機株式会社 | ノングレアデイスプレイ装置 |
JPS6376247A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | ブラウン管 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63114603A patent/JP3072991B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH01286240A (ja) | 1989-11-17 |
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