JPH10255693A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
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- JPH10255693A JPH10255693A JP9078983A JP7898397A JPH10255693A JP H10255693 A JPH10255693 A JP H10255693A JP 9078983 A JP9078983 A JP 9078983A JP 7898397 A JP7898397 A JP 7898397A JP H10255693 A JPH10255693 A JP H10255693A
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- panel
- ruthenium oxide
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、優れた電磁波遮蔽性と反射
防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。 【解決手段】 波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．１
６ｍｍでの透過率が８０％のパネルガラス（屈折率１．
５３６）１０の外表面側には、酸化ルテニウム微粒子を
含み、透過率が６０％で、１５０ｎｍの薄膜を有する第
１の薄膜（屈折率１．７５）１１が形成され、その上に
１００ｎｍの薄膜を有するＳｉＯ2膜（屈折率１．４
６）１２が形成されている。
防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。 【解決手段】 波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．１
６ｍｍでの透過率が８０％のパネルガラス（屈折率１．
５３６）１０の外表面側には、酸化ルテニウム微粒子を
含み、透過率が６０％で、１５０ｎｍの薄膜を有する第
１の薄膜（屈折率１．７５）１１が形成され、その上に
１００ｎｍの薄膜を有するＳｉＯ2膜（屈折率１．４
６）１２が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、優れた電磁波遮蔽性、
反射防止性を有し、輝度とコンスラストを調整可能な陰
極線管用パネルに関するものである。
反射防止性を有し、輝度とコンスラストを調整可能な陰
極線管用パネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が写し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネルおよびネックから構
成されるが、パネルに高電圧が帯電することによって、
その外表面にほこりが付着して画像品位が低下したり、
人体との間で放電が発生することがある。
と、その背後を形成するファンネルおよびネックから構
成されるが、パネルに高電圧が帯電することによって、
その外表面にほこりが付着して画像品位が低下したり、
人体との間で放電が発生することがある。
【０００３】また陰極線管は、ネック管内に装着した電
子銃から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた
偏向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイ
ルから発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極
線管の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、人体
に悪影響を及ぼす虞がある。
子銃から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた
偏向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイ
ルから発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極
線管の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、人体
に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００４】そこで従来よりパネルガラスの外表面に導
電性を有する酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜を形成
し、これによって帯電を防止すると共に電磁波を遮蔽す
ることが試みられている。
電性を有する酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜を形成
し、これによって帯電を防止すると共に電磁波を遮蔽す
ることが試みられている。
【０００５】ただしＳｎＯ2 膜は、屈折率が２．０であ
り、パネルガラスの屈折率（１．５３６）に比べて高い
ため、パネルガラス上にＳｎＯ2 膜を形成すると表面反
射が大きくなり、画像が見づらくなる。
り、パネルガラスの屈折率（１．５３６）に比べて高い
ため、パネルガラス上にＳｎＯ2 膜を形成すると表面反
射が大きくなり、画像が見づらくなる。
【０００６】表面反射を抑えるためには、パネルガラス
上にＳｎＯ2 膜を形成した後、その上にＳｎＯ2 膜より
屈折率の低い反射防止膜を形成すれば良く、例えばパネ
ルガラスの外表面にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 からなる透
明導電膜を形成し、その上にスピンコートによりＳｉＯ
2 等の低屈折率材料からなる反射防止膜を形成すること
が試みられている。
上にＳｎＯ2 膜を形成した後、その上にＳｎＯ2 膜より
屈折率の低い反射防止膜を形成すれば良く、例えばパネ
ルガラスの外表面にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 からなる透
明導電膜を形成し、その上にスピンコートによりＳｉＯ
2 等の低屈折率材料からなる反射防止膜を形成すること
が試みられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うにＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 膜が形成された陰極線管用パ
ネルは、ＳｎＯ2 膜によって比較的良好な電磁波遮蔽性
を有しているが、ＳｎＯ2 膜の厚みが２０〜４０ｎｍと
薄く、その表面抵抗値（正方形当たりの抵抗値）が１×
１０6 Ω／□以上と高いため、不要電磁波を完全に遮蔽
するには、未だ不十分である。
うにＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 膜が形成された陰極線管用パ
ネルは、ＳｎＯ2 膜によって比較的良好な電磁波遮蔽性
を有しているが、ＳｎＯ2 膜の厚みが２０〜４０ｎｍと
薄く、その表面抵抗値（正方形当たりの抵抗値）が１×
１０6 Ω／□以上と高いため、不要電磁波を完全に遮蔽
するには、未だ不十分である。
【０００８】本発明の目的は、優れた電磁波遮蔽性と反
射防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。
射防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管用パネ
ルは、外表面側に、酸化ルテニウム微粒子を含む薄膜が
形成されてなり、薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が
９０％以下、表面抵抗値が１０4 Ω／□以下であること
を特徴とする。
ルは、外表面側に、酸化ルテニウム微粒子を含む薄膜が
形成されてなり、薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が
９０％以下、表面抵抗値が１０4 Ω／□以下であること
を特徴とする。
【００１０】また本発明の陰極線管用パネルは、外表面
側に、酸化ルテニウム微粒子を含む第１の薄膜が形成さ
れ、その上に第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜が
形成されてなり、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透
過率が９０％以下、表面抵抗値が１０4 Ω／□以下であ
ることを特徴とする。
側に、酸化ルテニウム微粒子を含む第１の薄膜が形成さ
れ、その上に第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜が
形成されてなり、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透
過率が９０％以下、表面抵抗値が１０4 Ω／□以下であ
ることを特徴とする。
【００１１】さらに本発明の陰極線管用パネルは、外表
面側に、酸化ルテニウム微粒子を含む第１の薄膜が形成
され、その上に第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜
が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第３の
薄膜が形成されてなり、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以
上、透過率が９０％以下、表面抵抗値が１０4 Ω／□以
下であることを特徴とする。
面側に、酸化ルテニウム微粒子を含む第１の薄膜が形成
され、その上に第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜
が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第３の
薄膜が形成されてなり、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以
上、透過率が９０％以下、表面抵抗値が１０4 Ω／□以
下であることを特徴とする。
【００１２】また本発明の陰極線管用パネルは、酸化ル
テニウム微粒子を含む薄膜（第１の薄膜）には、重量比
でＳｉＯ2 ／ＲｕＯ2 が１／１０未満となるようにシリ
ケートが混合されてなることを特徴とし、さらにパネル
ガラスとして、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．１
６ｍｍでの透過率が６０％以上のガラスが用いられてな
ることを特徴とする。
テニウム微粒子を含む薄膜（第１の薄膜）には、重量比
でＳｉＯ2 ／ＲｕＯ2 が１／１０未満となるようにシリ
ケートが混合されてなることを特徴とし、さらにパネル
ガラスとして、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．１
６ｍｍでの透過率が６０％以上のガラスが用いられてな
ることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明において使用する酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ2 ）の微粒子は、高導電性酸化微粒子であり、これを
含む薄膜（第１の薄膜）は、導電膜として作用する。
Ｏ2 ）の微粒子は、高導電性酸化微粒子であり、これを
含む薄膜（第１の薄膜）は、導電膜として作用する。
【００１４】この酸化ルテニウム微粒子は黒体であり、
可視光を吸収する作用を有しているため、第１の薄膜の
透過光量は少なくなる。
可視光を吸収する作用を有しているため、第１の薄膜の
透過光量は少なくなる。
【００１５】陰極線管用パネルの透過光量は、画像を写
し出した際の輝度とコントラストに影響する。すなわち
陰極線管用パネルの透過光量が多く、透過率が高くなる
と、輝度が大きくなり、コントラストが低下する。逆に
透過光量が少なく、透過率が低くなると、輝度が小さく
なり、コントラストが向上する。
し出した際の輝度とコントラストに影響する。すなわち
陰極線管用パネルの透過光量が多く、透過率が高くなる
と、輝度が大きくなり、コントラストが低下する。逆に
透過光量が少なく、透過率が低くなると、輝度が小さく
なり、コントラストが向上する。
【００１６】従って酸化ルテニウム微粒子の含有量と、
パネルガラスの透過率を適宜組み合わすことによって、
様々な透過率を有する陰極線管用パネルを作製でき、輝
度とコントラストを調整することが可能となる。
パネルガラスの透過率を適宜組み合わすことによって、
様々な透過率を有する陰極線管用パネルを作製でき、輝
度とコントラストを調整することが可能となる。
【００１７】ところで陰極線管用パネルガラスの肉厚
は、防爆対策のため、その中央部と周辺部で異なってい
る。そのためパネルガラスの透過率が低いと、その中央
部と周辺部とで透過率の差が生じ、画像を写し出した
時、輝度とコントラストの差が生じる。そのため本発明
においては、パネルガラスとして、透過率の高いガラ
ス、具体的には、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．
１６ｍｍでの透過率が６０％以上のガラスを使用するこ
とが望ましい。つまりこのような透過率の高いパネルガ
ラスを使用すると、その上に透過率の低い第１の薄膜を
形成することによって、中央部と周辺部における輝度と
コントラストの差が小さくなる。
は、防爆対策のため、その中央部と周辺部で異なってい
る。そのためパネルガラスの透過率が低いと、その中央
部と周辺部とで透過率の差が生じ、画像を写し出した
時、輝度とコントラストの差が生じる。そのため本発明
においては、パネルガラスとして、透過率の高いガラ
ス、具体的には、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．
１６ｍｍでの透過率が６０％以上のガラスを使用するこ
とが望ましい。つまりこのような透過率の高いパネルガ
ラスを使用すると、その上に透過率の低い第１の薄膜を
形成することによって、中央部と周辺部における輝度と
コントラストの差が小さくなる。
【００１８】本発明において第１の薄膜の透過率が９０
％以下となるように酸化ルテニウム微粒子を含有させ、
且つ、その膜厚を５０ｎｍ以上にすると、その表面抵抗
値は１０4 Ω／□以下となり、優れた電磁波遮蔽性が得
られる。ただし第１の薄膜中の酸化ルテニウム微粒子の
含有量を増加させ、その透過率が５０％以下になると、
陰極線管用パネルの輝度が小さくなりすぎるため好まし
くない。
％以下となるように酸化ルテニウム微粒子を含有させ、
且つ、その膜厚を５０ｎｍ以上にすると、その表面抵抗
値は１０4 Ω／□以下となり、優れた電磁波遮蔽性が得
られる。ただし第１の薄膜中の酸化ルテニウム微粒子の
含有量を増加させ、その透過率が５０％以下になると、
陰極線管用パネルの輝度が小さくなりすぎるため好まし
くない。
【００１９】パネルガラスの外表面側に第１の薄膜を形
成するには、まずエタノール等の有機溶剤中に酸化ルテ
ニウム微粒子を均一に分散させた溶剤をパネルガラスに
塗布した後、所定温度で焼成する方法が採られる。酸化
ルテニウム微粒子の平均粒径は、５０ｎｍ以下が適当で
ある。
成するには、まずエタノール等の有機溶剤中に酸化ルテ
ニウム微粒子を均一に分散させた溶剤をパネルガラスに
塗布した後、所定温度で焼成する方法が採られる。酸化
ルテニウム微粒子の平均粒径は、５０ｎｍ以下が適当で
ある。
【００２０】さらに本発明においては、酸化ルテニウム
微粒子と共に、シリケートを添加させることによって、
膜強度を向上させることが可能である。しかしながらシ
リケートの添加量が多くなるほど、表面抵抗値が高くな
るため、重量比でＳｉＯ2 ／ＲｕＯ2 が１／１０未満と
なるようにすることが好ましい。
微粒子と共に、シリケートを添加させることによって、
膜強度を向上させることが可能である。しかしながらシ
リケートの添加量が多くなるほど、表面抵抗値が高くな
るため、重量比でＳｉＯ2 ／ＲｕＯ2 が１／１０未満と
なるようにすることが好ましい。
【００２１】本発明においてパネルガラス上に有機溶剤
中に酸化ルテニウムの微粒子を分散させた溶剤を塗布す
る方法としては、スピンコート法、ディップコート法、
スプレー法等が採用できるが、均一な膜厚を得るために
は、スピンコート法が最も適している。
中に酸化ルテニウムの微粒子を分散させた溶剤を塗布す
る方法としては、スピンコート法、ディップコート法、
スプレー法等が採用できるが、均一な膜厚を得るために
は、スピンコート法が最も適している。
【００２２】また酸化ルテニウムの微粒子を含む第１の
薄膜の屈折率は１．６〜１．８であり、パネルガラスの
屈折率に比べて高いため、表面反射が大きくなり、画像
が見づらくなる。そのため第１の薄膜の上に、第１の薄
膜より屈折率の低い第２の薄膜（反射防止膜）を形成す
ることによって、表面反射を抑えることが望ましい。
薄膜の屈折率は１．６〜１．８であり、パネルガラスの
屈折率に比べて高いため、表面反射が大きくなり、画像
が見づらくなる。そのため第１の薄膜の上に、第１の薄
膜より屈折率の低い第２の薄膜（反射防止膜）を形成す
ることによって、表面反射を抑えることが望ましい。
【００２３】この第２の薄膜の構成材料としては、第１
の薄膜より屈折率の低いＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用できるが、材料コストや膜強度
を考慮すると、ＳｉＯ2 （屈折率１．４６）が好適であ
り、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが採られる。
の薄膜より屈折率の低いＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用できるが、材料コストや膜強度
を考慮すると、ＳｉＯ2 （屈折率１．４６）が好適であ
り、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが採られる。
【００２４】さらにこの第２の薄膜上に、微細な凹凸を
有する第３の薄膜を形成すると、外部から光線が照射し
た際の拡散反射が大きくなり、逆に正反射が小さくなる
ため、防眩効果が得られることになる。この第３の薄膜
としては、Ｓｉアルコキシドを含む溶液をスプレーコー
トして、表面に凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成したもの
が好適である。
有する第３の薄膜を形成すると、外部から光線が照射し
た際の拡散反射が大きくなり、逆に正反射が小さくなる
ため、防眩効果が得られることになる。この第３の薄膜
としては、Ｓｉアルコキシドを含む溶液をスプレーコー
トして、表面に凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成したもの
が好適である。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例及
び比較例に基づいて詳細に説明する。
び比較例に基づいて詳細に説明する。
【００２６】（実施例１）図１は、本発明の陰極線管用
パネルの概略縦断面図である。
パネルの概略縦断面図である。
【００２７】図中、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１
０．１６ｍｍでの透過率が８０％のパネルガラス（屈折
率１．５３６）１０の外表面側には、酸化ルテニウム微
粒子を含み、透過率が６０％で、１５０ｎｍの膜厚を有
する第１の薄膜（屈折率１．７５）１１が形成され、そ
の上に１００ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折率
１．４６）１２が形成されている。
０．１６ｍｍでの透過率が８０％のパネルガラス（屈折
率１．５３６）１０の外表面側には、酸化ルテニウム微
粒子を含み、透過率が６０％で、１５０ｎｍの膜厚を有
する第１の薄膜（屈折率１．７５）１１が形成され、そ
の上に１００ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折率
１．４６）１２が形成されている。
【００２８】この陰極線管用パネルの作製方法は、次の
とおりである。
とおりである。
【００２９】まずパネルガラス１０を洗浄、乾燥してか
ら予熱した状態で回転させ、その上に有機溶剤中に酸化
ルテニウム微粒子とシリケートを、重量比でＲｕＯ2
２０：ＳｉＯ2 １の割合で分散させた溶剤を滴下した
後、自然乾燥させ、次いで焼成することによって第１の
薄膜１１を形成した。
ら予熱した状態で回転させ、その上に有機溶剤中に酸化
ルテニウム微粒子とシリケートを、重量比でＲｕＯ2
２０：ＳｉＯ2 １の割合で分散させた溶剤を滴下した
後、自然乾燥させ、次いで焼成することによって第１の
薄膜１１を形成した。
【００３０】次に再度このパネルガラス１０を予熱した
状態で回転させ、第１の薄膜１１上に、ＳｉＯ2 を含有
するアルコール溶液を滴下した後、自然乾燥させ、次い
で焼成することによって第２の薄膜を形成した。
状態で回転させ、第１の薄膜１１上に、ＳｉＯ2 を含有
するアルコール溶液を滴下した後、自然乾燥させ、次い
で焼成することによって第２の薄膜を形成した。
【００３１】こうして得られた陰極線管用パネルの表面
抵抗値を測定したところ、６×１０2 Ω／□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
抵抗値を測定したところ、６×１０2 Ω／□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
【００３２】（実施例２）図２は、本発明の他の陰極線
管用パネルの概略縦断面図である。
管用パネルの概略縦断面図である。
【００３３】図中、パネルガラス１０の外表面側には、
酸化ルテニウム微粒子を含む第１の薄膜１１が形成さ
れ、その上に第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜１
２が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第３
の薄膜１３が形成されている。
酸化ルテニウム微粒子を含む第１の薄膜１１が形成さ
れ、その上に第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜１
２が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第３
の薄膜１３が形成されている。
【００３４】この陰極線管用パネルは、実施例１と同様
にパネルガラス１０上に、第１の薄膜１１と第２の薄膜
１２を形成した後、さらにその上にＳｉＯ2 を含有する
アルコール溶液をスプレーコートし、自然乾燥、焼成
し、第３の薄膜１３を形成することによって作製した。
にパネルガラス１０上に、第１の薄膜１１と第２の薄膜
１２を形成した後、さらにその上にＳｉＯ2 を含有する
アルコール溶液をスプレーコートし、自然乾燥、焼成
し、第３の薄膜１３を形成することによって作製した。
【００３５】こうして得られた陰極線管用パネルの表面
抵抗値を測定したところ、６×１０2 Ω／□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
抵抗値を測定したところ、６×１０2 Ω／□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
【００３６】（比較例）パネルガラスの外表面側に、Ｃ
ＶＤ法によって２７ｎｍの膜厚を有するＳｎＯ2 膜を形
成し、その上にスピンコート法によって１００ｎｍの膜
厚を有するＳｉＯ2 膜を形成することによって陰極線管
用パネルを作製し、この陰極線管用パネルの表面抵抗値
を測定したところ、５×１０5 Ω／□であり、実施例
１、２に比べて高かった。
ＶＤ法によって２７ｎｍの膜厚を有するＳｎＯ2 膜を形
成し、その上にスピンコート法によって１００ｎｍの膜
厚を有するＳｉＯ2 膜を形成することによって陰極線管
用パネルを作製し、この陰極線管用パネルの表面抵抗値
を測定したところ、５×１０5 Ω／□であり、実施例
１、２に比べて高かった。
【００３７】また実施例１、２の陰極線管用パネルの波
長４００〜７００ｎｍにおける反射率を測定したとこ
ろ、図３のグラフに示すように、いずれも広範囲にわた
って低い反射率を有しており、優れた反射防止性も有し
ていた。さらにこれらの陰極線管用パネルの視感透過率
を測定したところ、図４のグラフに示すように、いずれ
も同じ透過率曲線を描き、約５０％であった。
長４００〜７００ｎｍにおける反射率を測定したとこ
ろ、図３のグラフに示すように、いずれも広範囲にわた
って低い反射率を有しており、優れた反射防止性も有し
ていた。さらにこれらの陰極線管用パネルの視感透過率
を測定したところ、図４のグラフに示すように、いずれ
も同じ透過率曲線を描き、約５０％であった。
【００３８】尚、上記の表面抵抗値は、東亜電波株式会
社製超絶縁抵抗計によって測定し、また反射率は、大塚
電子株式会社製ＭＣＰＤ１０００ １５゜正反射によっ
て測定し、さらに視感透過率は、日立製作所株式会社製
Ｕ−４０００分光光度計によって測定したものである。
社製超絶縁抵抗計によって測定し、また反射率は、大塚
電子株式会社製ＭＣＰＤ１０００ １５゜正反射によっ
て測定し、さらに視感透過率は、日立製作所株式会社製
Ｕ−４０００分光光度計によって測定したものである。
【００３９】
【発明の効果】以上のように本発明の陰極線管用パネル
は、優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有していると共
に、輝度とコントラストを調整することが可能である。
は、優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有していると共
に、輝度とコントラストを調整することが可能である。
【図１】本発明の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図
である。
である。
【図２】本発明の他の陰極線管用パネルを示す概略縦断
面図である。
面図である。
【図３】実施例１、２の陰極線管用パネルの波長４００
〜７００ｎｍにおける反射率曲線を示すグラフである。
〜７００ｎｍにおける反射率曲線を示すグラフである。
【図４】実施例１、２の陰極線管用パネルの波長４００
〜７００ｎｍにおける透過率曲線を示すグラフである。
〜７００ｎｍにおける透過率曲線を示すグラフである。
１０ パネルガラス １１ 第１の薄膜 １２ 第２の薄膜 １３ 第３の薄膜
Claims (5)
- 【請求項１】 パネルガラスの外表面側に、酸化ルテニ
ウム微粒子を含む薄膜が形成されてなり、薄膜の膜厚が
５０ｎｍ以上、透過率が９０％以下であり、表面抵抗値
が１０4 Ω／□以下であることを特徴とする陰極線管用
パネル。 - 【請求項２】 パネルガラスの外表面側に、酸化ルテニ
ウム微粒子を含む第１の薄膜が形成され、その上に第１
の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜が形成されてなり、
第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％以下
であり、表面抵抗値が１０4 Ω／□以下であることを特
徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項３】 パネルガラスの外表面側に、酸化ルテニ
ウム微粒子を含む第１の薄膜が形成され、その上に第１
の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜が形成され、さらに
その上に微細な凹凸を有する第３の薄膜が形成されてな
り、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％
以下であり、表面抵抗値が１０4 Ω／□以下であること
を特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項４】 酸化ルテニウム微粒子を含む薄膜には、
重量比でＳｉＯ2 ／ＲｕＯ2 が１／１０未満となるよう
にシリケートが含有されてなることを特徴とする請求項
１、２、３記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項５】 パネルガラスとして、波長５４６ｎｍに
おいて、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が６０％以上の
ガラスが用いられてなることを特徴とする請求項１、
２、３、４記載の陰極線管用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078983A JPH10255693A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078983A JPH10255693A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10255693A true JPH10255693A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13677136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9078983A Pending JPH10255693A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10255693A (ja) |
-
1997
- 1997-03-12 JP JP9078983A patent/JPH10255693A/ja active Pending
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