JP2002117790A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3607—Coatings of the type glass/inorganic compound/metal
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた電磁波遮蔽性、反射防止性とともに高
い膜強度を有して、陰極線管製造時の加熱処理による膜
透過率や反射色の変化を起こさない陰極線管用パネルを
提供する。 【解決手段】 パネルガラス１０の外表面に、膜厚が５
０ｎｍ以上、透過率が９０％以下、表面抵抗値が１０4
Ω／□以下であるルテニウム微粒子を含有する第１の薄
膜１１と、第１の薄膜１１の上にＳｉＯ2 微粒子を主成
分とする第２の薄膜１２が形成されてなり、第１及び第
２の薄膜１１、１２は、４５０℃以上で少なくとも６０
分以上加熱され、且つ加熱処理時の最高温度として、５
００〜５２０℃の温度条件下で焼成されてなる。
い膜強度を有して、陰極線管製造時の加熱処理による膜
透過率や反射色の変化を起こさない陰極線管用パネルを
提供する。 【解決手段】 パネルガラス１０の外表面に、膜厚が５
０ｎｍ以上、透過率が９０％以下、表面抵抗値が１０4
Ω／□以下であるルテニウム微粒子を含有する第１の薄
膜１１と、第１の薄膜１１の上にＳｉＯ2 微粒子を主成
分とする第２の薄膜１２が形成されてなり、第１及び第
２の薄膜１１、１２は、４５０℃以上で少なくとも６０
分以上加熱され、且つ加熱処理時の最高温度として、５
００〜５２０℃の温度条件下で焼成されてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、輝度とコントラストを
調整可能とし、優れた電磁波遮蔽性、反射防止性ととも
に高い膜強度を有して、陰極線管製造時の加熱処理によ
る膜透過率や反射色の変化を起こさない陰極線管用パネ
ルに関するものである。
調整可能とし、優れた電磁波遮蔽性、反射防止性ととも
に高い膜強度を有して、陰極線管製造時の加熱処理によ
る膜透過率や反射色の変化を起こさない陰極線管用パネ
ルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されるが、パネルに高電圧が帯電することによって、そ
の外表面に埃や塵が付着して画像品位が低下したり、人
体との間で放電が発生することがある。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されるが、パネルに高電圧が帯電することによって、そ
の外表面に埃や塵が付着して画像品位が低下したり、人
体との間で放電が発生することがある。
【０００３】また、陰極線管は、ネック管内に装着した
電子銃から出る電子ビームをファンネル周りに取り付け
た偏向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コ
イルから発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰
極線管の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、人
体に悪影響を及ぼす虞がある。
電子銃から出る電子ビームをファンネル周りに取り付け
た偏向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コ
イルから発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰
極線管の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、人
体に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００４】そこで、従来よりパネルガラスの外表面に
導電性を有する酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜を形
成し、これによって帯電を防止し電磁波を遮蔽すること
が行われている。
導電性を有する酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜を形
成し、これによって帯電を防止し電磁波を遮蔽すること
が行われている。
【０００５】但し、ＳｎＯ2 膜は、屈折率が２．０で、
パネルガラスの屈折率１．５３６に比べて高いため、パ
ネルガラス上にＳｎＯ2 膜を形成しただけでは表面反射
が大きくなり、画像が見づらくなる。
パネルガラスの屈折率１．５３６に比べて高いため、パ
ネルガラス上にＳｎＯ2 膜を形成しただけでは表面反射
が大きくなり、画像が見づらくなる。
【０００６】表面反射を抑えるためには、パネルガラス
上にＳｎＯ2 膜を形成後、その上にＳｎＯ2 膜よりも屈
折率の低い反射防止膜を形成すればよく、例えばパネル
ガラスの外表面にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 からなる透明
導電膜を形成し、その上にスピンコートによりＳｉＯ2
等の低屈折率材料からなる反射防止膜を形成することが
試みられている。
上にＳｎＯ2 膜を形成後、その上にＳｎＯ2 膜よりも屈
折率の低い反射防止膜を形成すればよく、例えばパネル
ガラスの外表面にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 からなる透明
導電膜を形成し、その上にスピンコートによりＳｉＯ2
等の低屈折率材料からなる反射防止膜を形成することが
試みられている。
【０００７】しかしながら上記にようにＳｎＯ2 膜とそ
の上にＳｉＯ2 膜が形成された陰極線管用パネルは、Ｓ
ｎＯ2 膜によって比較的良好な電磁波遮蔽性を有してい
るが、ＳｎＯ2 膜の厚みが２０〜４０ｎｍと薄く、その
表面抵抗値（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため、不要電磁波を完全に遮蔽するために
は未だ不十分である。
の上にＳｉＯ2 膜が形成された陰極線管用パネルは、Ｓ
ｎＯ2 膜によって比較的良好な電磁波遮蔽性を有してい
るが、ＳｎＯ2 膜の厚みが２０〜４０ｎｍと薄く、その
表面抵抗値（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため、不要電磁波を完全に遮蔽するために
は未だ不十分である。
【０００８】そこで、不要電磁波の遮蔽を目的として、
パネルガラスの外表面に、ルテニウムからなる金属膜
と、その上に反射防止膜として機能するＳｉＯ2 膜を形
成することによる導電性反射防止膜を形成した陰極線管
用パネルが提案されている。
パネルガラスの外表面に、ルテニウムからなる金属膜
と、その上に反射防止膜として機能するＳｉＯ2 膜を形
成することによる導電性反射防止膜を形成した陰極線管
用パネルが提案されている。
【０００９】上記のルテニウム金属膜とＳｉＯ2 膜によ
る導電性反射防止膜は、ルテニウムの金属微粒子を含有
した塗布液をパネルガラスの外表面に塗布形成した後、
その上に珪酸塩を主成分とする塗布液を塗布した後、１
６０〜１８０℃の温度で３０分間加熱処理することによ
り形成される。
る導電性反射防止膜は、ルテニウムの金属微粒子を含有
した塗布液をパネルガラスの外表面に塗布形成した後、
その上に珪酸塩を主成分とする塗布液を塗布した後、１
６０〜１８０℃の温度で３０分間加熱処理することによ
り形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ルテニウム金属膜とＳｉＯ2 膜による導電性反射防止膜
を備えた陰極線管用パネルにおいては、後の陰極線管の
製造工程における加熱処理により、膜の透過率が上昇し
たり、反射色が異なって見えるという問題がある。即
ち、陰極線管の製造工程においては、陰極線管用パネル
とファンネルとがフリットガラスを介して封着される封
着工程や、ガラスバルブの内部を真空排気する排気工程
があり、これらの工程において陰極線管用パネルは、３
００〜４５０℃といった高温条件下に曝されるため、ル
テニウム微粒子の酸化により屈折率や吸光係数が変化し
たり、また外層に形成されたＳｉＯ2 膜に化学変化が生
じる。その結果、陰極線管の製造工程後において、導電
性反射防止膜の透過率が上昇することにより所期の透過
率を有する膜を得るのが困難となったり、表面反射率曲
線が変化することにより反射色が陰極線管の製造工程前
後において異なって見えるという不都合を生じる。
ルテニウム金属膜とＳｉＯ2 膜による導電性反射防止膜
を備えた陰極線管用パネルにおいては、後の陰極線管の
製造工程における加熱処理により、膜の透過率が上昇し
たり、反射色が異なって見えるという問題がある。即
ち、陰極線管の製造工程においては、陰極線管用パネル
とファンネルとがフリットガラスを介して封着される封
着工程や、ガラスバルブの内部を真空排気する排気工程
があり、これらの工程において陰極線管用パネルは、３
００〜４５０℃といった高温条件下に曝されるため、ル
テニウム微粒子の酸化により屈折率や吸光係数が変化し
たり、また外層に形成されたＳｉＯ2 膜に化学変化が生
じる。その結果、陰極線管の製造工程後において、導電
性反射防止膜の透過率が上昇することにより所期の透過
率を有する膜を得るのが困難となったり、表面反射率曲
線が変化することにより反射色が陰極線管の製造工程前
後において異なって見えるという不都合を生じる。
【００１１】また、上記従来の陰極線管用パネルにおい
ては、外層のＳｉＯ2 膜はその大部分が非晶質の状態で
あるため、膜強度としても弱く、後工程での取り扱い時
に膜の損傷を生じ易いという問題がある。
ては、外層のＳｉＯ2 膜はその大部分が非晶質の状態で
あるため、膜強度としても弱く、後工程での取り扱い時
に膜の損傷を生じ易いという問題がある。
【００１２】そこで、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性、反射防止性とともに高い膜強度を有して、陰極線
管製造時の加熱処理による膜透過率や反射色の変化を起
こさない陰極線管用パネルを提供することである。
蔽性、反射防止性とともに高い膜強度を有して、陰極線
管製造時の加熱処理による膜透過率や反射色の変化を起
こさない陰極線管用パネルを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題及
び目的に鑑みてなされたもので、パネルガラスの外表面
に、膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％以下、表面抵
抗値が１０4 Ω／□以下であるルテニウム微粒子を含有
する第１の薄膜と、該第１の薄膜の上にＳｉＯ 2 微粒子
を主成分とする第２の薄膜が形成されてなり、前記第１
及び第２の薄膜は、４５０℃以上で少なくとも６０分以
上加熱され、且つ加熱処理時の最高温度として５００〜
５２０℃の温度条件下で焼成されてなることを特徴とす
る陰極線管用パネルである。
び目的に鑑みてなされたもので、パネルガラスの外表面
に、膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％以下、表面抵
抗値が１０4 Ω／□以下であるルテニウム微粒子を含有
する第１の薄膜と、該第１の薄膜の上にＳｉＯ 2 微粒子
を主成分とする第２の薄膜が形成されてなり、前記第１
及び第２の薄膜は、４５０℃以上で少なくとも６０分以
上加熱され、且つ加熱処理時の最高温度として５００〜
５２０℃の温度条件下で焼成されてなることを特徴とす
る陰極線管用パネルである。
【００１４】また、上記パネルガラスが、波長５４６ｎ
ｍ、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラ
スから形成されてなることを特徴とする。
ｍ、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラ
スから形成されてなることを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、パネルガラスの外表面
に、膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％以下、表面抵
抗値が１０4 Ω／□以下であるルテニウム微粒子を含有
する第１の薄膜と、該第１の薄膜の上にＳｉＯ2 微粒子
を主成分とする第２の薄膜と、該第２の薄膜の上に微細
な凹凸を有するＳｉＯ2 を主成分とする第３の薄膜とが
形成されてなり、前記第１、第２及び第３の薄膜は、４
５０℃以上で少なくとも６０分以上加熱され、且つ加熱
処理時の最高温度として５００〜５２０℃の温度条件下
で焼成されてなることを特徴とする陰極線管用パネルで
ある。
に、膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％以下、表面抵
抗値が１０4 Ω／□以下であるルテニウム微粒子を含有
する第１の薄膜と、該第１の薄膜の上にＳｉＯ2 微粒子
を主成分とする第２の薄膜と、該第２の薄膜の上に微細
な凹凸を有するＳｉＯ2 を主成分とする第３の薄膜とが
形成されてなり、前記第１、第２及び第３の薄膜は、４
５０℃以上で少なくとも６０分以上加熱され、且つ加熱
処理時の最高温度として５００〜５２０℃の温度条件下
で焼成されてなることを特徴とする陰極線管用パネルで
ある。
【００１６】また、上記パネルガラスが、波長５４６ｎ
ｍ、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラ
スから形成されてなることを特徴とする。
ｍ、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラ
スから形成されてなることを特徴とする。
【００１７】
【作用】本発明において使用するルテニウム（Ｒｕ）微
粒子は、高導電性金属微粒子であり、これを含む薄膜
（第１の薄膜）は導電膜として作用する。
粒子は、高導電性金属微粒子であり、これを含む薄膜
（第１の薄膜）は導電膜として作用する。
【００１８】本発明において、第１の薄膜の透過率が９
０％以下となるようにルテニウム微粒子を含有させ、且
つその膜厚を５０ｎｍ以上にすると、その表面抵抗値は
１０ 4 Ω／□以下となり、優れた電磁波遮蔽性が得られ
る。表面抵抗値を考慮すると第１の薄膜の更に好ましい
透過率は８０％以下である。また、ルテニウム微粒子の
平均粒径は、５０ｎｍ以下が適当であり、表面にＳｉ等
の無機化合物を付着させたルテニウム微粒子を使用する
と第１の薄膜の表面抵抗値を低下させる作用があるため
更に好適である。また、エタノール等の有機溶剤中にル
テニウム微粒子を均一に分散させて塗布液を形成する際
に、シリケート化合物を添加すると、膜強度が向上する
ため好ましいが、添加量が多くなるほど膜の表面抵抗値
が高くなるため、質量比で、ＳｉＯ2 ／Ｒｕが１／１０
以下とするのが好ましい。
０％以下となるようにルテニウム微粒子を含有させ、且
つその膜厚を５０ｎｍ以上にすると、その表面抵抗値は
１０ 4 Ω／□以下となり、優れた電磁波遮蔽性が得られ
る。表面抵抗値を考慮すると第１の薄膜の更に好ましい
透過率は８０％以下である。また、ルテニウム微粒子の
平均粒径は、５０ｎｍ以下が適当であり、表面にＳｉ等
の無機化合物を付着させたルテニウム微粒子を使用する
と第１の薄膜の表面抵抗値を低下させる作用があるため
更に好適である。また、エタノール等の有機溶剤中にル
テニウム微粒子を均一に分散させて塗布液を形成する際
に、シリケート化合物を添加すると、膜強度が向上する
ため好ましいが、添加量が多くなるほど膜の表面抵抗値
が高くなるため、質量比で、ＳｉＯ2 ／Ｒｕが１／１０
以下とするのが好ましい。
【００１９】パネルガラス上にルテニウム微粒子を含有
する塗布液を塗布する方法としては、スピンコート法、
ディップコート法、スプレー法等が採用できるが、均一
な膜厚を得るためにはスピンコート法が最も適してい
る。
する塗布液を塗布する方法としては、スピンコート法、
ディップコート法、スプレー法等が採用できるが、均一
な膜厚を得るためにはスピンコート法が最も適してい
る。
【００２０】本発明において、第１の薄膜の上に形成さ
れる第２の薄膜は、第１の薄膜の屈折率（１．７〜２．
５）よりも屈折率の低いＳｉＯ2 微粒子を主成分として
いることにより、表面反射を防止できる。ＳｉＯ2 微粒
子を主成分とした第２の薄膜は、反射防止機能の他、耐
熱性が非常に高く、膜の密着強度が高い上、熱焼成によ
り膜強度を著しく向上できるという利点がある。かかる
ＳｉＯ2 微粒子を含有する塗布液を塗布する方法として
は、スピンコート法、ディップコート法、スプレー法
等、公知の方法が採られる。
れる第２の薄膜は、第１の薄膜の屈折率（１．７〜２．
５）よりも屈折率の低いＳｉＯ2 微粒子を主成分として
いることにより、表面反射を防止できる。ＳｉＯ2 微粒
子を主成分とした第２の薄膜は、反射防止機能の他、耐
熱性が非常に高く、膜の密着強度が高い上、熱焼成によ
り膜強度を著しく向上できるという利点がある。かかる
ＳｉＯ2 微粒子を含有する塗布液を塗布する方法として
は、スピンコート法、ディップコート法、スプレー法
等、公知の方法が採られる。
【００２１】本発明において、更に第２の薄膜の上に形
成される第３の薄膜は、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 を
主成分とする薄膜であることにより、外部から光線が陰
極線管用パネルに照射した際の拡散反射が大きくなり、
逆に正反射が小さくなるため、防眩効果が得られる。か
かる第３の薄膜は、例えばＳｉアルコキシドを含む溶液
をスプレーコートすることにより、表面に凹凸を有する
ＳｉＯ2 薄膜を形成できる。
成される第３の薄膜は、微細な凹凸を有するＳｉＯ2 を
主成分とする薄膜であることにより、外部から光線が陰
極線管用パネルに照射した際の拡散反射が大きくなり、
逆に正反射が小さくなるため、防眩効果が得られる。か
かる第３の薄膜は、例えばＳｉアルコキシドを含む溶液
をスプレーコートすることにより、表面に凹凸を有する
ＳｉＯ2 薄膜を形成できる。
【００２２】本発明において、ルテニウム微粒子を含有
する第１の薄膜と、第１の薄膜の上に形成されるＳｉＯ
2 微粒子を主成分とする第２の薄膜、また、必要に応じ
て、第２の薄膜の上に形成される微細な凹凸を有するＳ
ｉＯ2 を主成分とする第３の薄膜は、４５０℃以上で少
なくとも６０分以上加熱されて焼成されていることによ
り、後の陰極線管の製造工程となる封着工程や排気工程
といった高温熱処理を伴う工程において、膜の屈折率や
吸光係数に変化を来すことなく、化学特性に変化を生じ
させず、外層に形成されたＳｉＯ2 膜についても膜の結
晶化が進行して安定化されることにより、膜厚等の膜状
態の変化を誘起せしめず、反射色の変化や反射率の変化
を大幅に抑制することができる。また、上記の加熱処理
においての最高温度として、５００〜５２０℃の温度条
件下で焼成されることにより、外層のＳｉＯ2 膜の膜強
度が極めて高くなり、後の高温熱処理を伴う陰極線管の
製造工程において、膜の化学特性に変化を生じさせない
とともに、強度的にも優れた性能を有する膜が形成され
ることとなる。一方、加熱処理の最高温度が５２０℃を
超えるとパネルガラスの変形が実用に供し得ない程度と
なる。
する第１の薄膜と、第１の薄膜の上に形成されるＳｉＯ
2 微粒子を主成分とする第２の薄膜、また、必要に応じ
て、第２の薄膜の上に形成される微細な凹凸を有するＳ
ｉＯ2 を主成分とする第３の薄膜は、４５０℃以上で少
なくとも６０分以上加熱されて焼成されていることによ
り、後の陰極線管の製造工程となる封着工程や排気工程
といった高温熱処理を伴う工程において、膜の屈折率や
吸光係数に変化を来すことなく、化学特性に変化を生じ
させず、外層に形成されたＳｉＯ2 膜についても膜の結
晶化が進行して安定化されることにより、膜厚等の膜状
態の変化を誘起せしめず、反射色の変化や反射率の変化
を大幅に抑制することができる。また、上記の加熱処理
においての最高温度として、５００〜５２０℃の温度条
件下で焼成されることにより、外層のＳｉＯ2 膜の膜強
度が極めて高くなり、後の高温熱処理を伴う陰極線管の
製造工程において、膜の化学特性に変化を生じさせない
とともに、強度的にも優れた性能を有する膜が形成され
ることとなる。一方、加熱処理の最高温度が５２０℃を
超えるとパネルガラスの変形が実用に供し得ない程度と
なる。
【００２３】このように、パネルガラスの外表面に形成
される上記の薄膜が、４５０℃以上で少なくとも６０分
以上加熱され、且つ加熱処理時の最高温度として５００
〜５２０℃の温度条件下で焼成されていることにより、
後の高温熱処理を伴う工程においても、かかる工程前に
得られた所期の膜特性を安定して維持でき、高温安定性
及び強度の高い導電性反射防止膜を再現良く得ることが
できる。
される上記の薄膜が、４５０℃以上で少なくとも６０分
以上加熱され、且つ加熱処理時の最高温度として５００
〜５２０℃の温度条件下で焼成されていることにより、
後の高温熱処理を伴う工程においても、かかる工程前に
得られた所期の膜特性を安定して維持でき、高温安定性
及び強度の高い導電性反射防止膜を再現良く得ることが
できる。
【００２４】加熱焼成に使用する焼成炉としては、バッ
チ式、連続移動式等、公知の温度調節可能な焼成炉を使
用すればよい。
チ式、連続移動式等、公知の温度調節可能な焼成炉を使
用すればよい。
【００２５】本発明において、ルテニウム微粒子が酸化
してできる酸化ルテニウム（ＲｕＯ 2 ）微粒子は、高導
電性金属酸化物であり、ルテニウム微粒子と同様に導電
膜として作用する。これらのルテニウム微粒子及び酸化
ルテニウム微粒子は何れも黒体であり、可視光を吸収す
る作用を有しているため、第１の薄膜の透過光量は少な
くなる。陰極線管用パネルの透過量は、画像を表示した
際の輝度とコントラストに影響する。即ち、陰極線管用
パネルの透過光量が多く、透過率が高くなると、輝度が
高くなり、コントラストが低下する。逆に透過光量が少
なく、透過率が低くなると、輝度が小さくなり、コント
ラストが向上する。従って、ルテニウム微粒子の含有量
とパネルガラスの透過率を組み合わせることによって輝
度とコントラストを調整することが可能となる。
してできる酸化ルテニウム（ＲｕＯ 2 ）微粒子は、高導
電性金属酸化物であり、ルテニウム微粒子と同様に導電
膜として作用する。これらのルテニウム微粒子及び酸化
ルテニウム微粒子は何れも黒体であり、可視光を吸収す
る作用を有しているため、第１の薄膜の透過光量は少な
くなる。陰極線管用パネルの透過量は、画像を表示した
際の輝度とコントラストに影響する。即ち、陰極線管用
パネルの透過光量が多く、透過率が高くなると、輝度が
高くなり、コントラストが低下する。逆に透過光量が少
なく、透過率が低くなると、輝度が小さくなり、コント
ラストが向上する。従って、ルテニウム微粒子の含有量
とパネルガラスの透過率を組み合わせることによって輝
度とコントラストを調整することが可能となる。
【００２６】陰極線管用パネルの肉厚は、パネルの軽量
化とガラスバルブとしての真空応力に抗する強度上の観
点から、その中央部にくらべて周辺部が厚肉に成形され
ており、そのためパネルの中央部と周辺部とで透過率の
差が生じ、画像を映し出したとき、輝度とコントラスト
の差が生じる。そのため、本発明においては、パネルガ
ラスが、波長５４６ｎｍ、肉厚１０．１６ｍｍでの透過
率が４０％以上のガラスを用いることが、より好まし
い。特に、パネルガラス外表面の曲率半径がパネル中心
より全ての方向において１００００ｍｍ以上であるフラ
ットパネルにおいては、パネルガラスの真空強度を維持
するために、パネルガラスの周辺部が中央部に比べて一
層厚肉に成形されているために、中央部と周辺部との透
過率の差による輝度差、コントラスト差が大きく、この
ようなフラットパネルの場合においては、パネルガラス
が、波長５４６ｎｍ、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が
７０％以上のガラスを用いることが、更に好ましい。か
かる透過率の高いパネルガラスを使用すると、その上に
透過率の低いルテニウム微粒子を含有する第１の薄膜を
形成することによって、パネルガラスの中央部と周辺部
における輝度とコントラストの差が小さくなる。
化とガラスバルブとしての真空応力に抗する強度上の観
点から、その中央部にくらべて周辺部が厚肉に成形され
ており、そのためパネルの中央部と周辺部とで透過率の
差が生じ、画像を映し出したとき、輝度とコントラスト
の差が生じる。そのため、本発明においては、パネルガ
ラスが、波長５４６ｎｍ、肉厚１０．１６ｍｍでの透過
率が４０％以上のガラスを用いることが、より好まし
い。特に、パネルガラス外表面の曲率半径がパネル中心
より全ての方向において１００００ｍｍ以上であるフラ
ットパネルにおいては、パネルガラスの真空強度を維持
するために、パネルガラスの周辺部が中央部に比べて一
層厚肉に成形されているために、中央部と周辺部との透
過率の差による輝度差、コントラスト差が大きく、この
ようなフラットパネルの場合においては、パネルガラス
が、波長５４６ｎｍ、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が
７０％以上のガラスを用いることが、更に好ましい。か
かる透過率の高いパネルガラスを使用すると、その上に
透過率の低いルテニウム微粒子を含有する第１の薄膜を
形成することによって、パネルガラスの中央部と周辺部
における輝度とコントラストの差が小さくなる。
【００２７】また、本発明において、波長５４６ｎｍ、
肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が７０％以上のパネルガ
ラスを用いる場合、パネルガラスに膜を形成した後の輝
度やコントラストのバランスから、ルテニウム微粒子を
含有する第１の薄膜の透過率を４０〜６０％とする必要
がある。このため、ルテニウム微粒子を含有する膜の膜
厚を大きくすると、表面抵抗値が非常に小さく、電磁波
遮蔽性の高い膜が得られるが、一方で、ルテニウム微粒
子のみを含有する膜では、可視光の吸収係数が１．２〜
２．０と非常に大きいため、これを使用した導電性反射
防止膜は、裏面反射率が高くなり、陰極線管用パネル内
面の蛍光体の光が導電性反射防止膜の裏面で反射され、
再び陰極線管用パネル内面で反射されるので、陰極線管
用パネルの表面には蛍光体からの直接光による映像と、
反射光による位相がずれた映像とが同時に映し出され、
映像が二重に見えるという現象が生じることから、この
場合には、ルテニウム微粒子を含有する第１の薄膜に更
にコバルト含有無機顔料の微粒子を含有させ、幾何学的
厚みを７０〜２００ｍｍ、可視光の吸収係数を０．０５
〜１．０の導電性を備えた光吸収係数の低い着色層とす
ることにより、膜と基体との密着強度を向上させるとと
もに、上層のＳｉＯ2 膜との干渉作用により表面反射光
を低減させながら、裏面反射率を著しく低減させること
ができる。コバルト含有無機顔料としては、例えば、コ
バルトブルー（Ｃｏ、Ｍｇ）Ｏ・Ａｌ 2 Ｏ3 、コバルト
グリーンＣｏＯ−ＺｎＯ、セルリアンブルー２（Ｃｏ、
Ｍｇ）Ｏ・ＳｎＯ2 等が適している。
肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が７０％以上のパネルガ
ラスを用いる場合、パネルガラスに膜を形成した後の輝
度やコントラストのバランスから、ルテニウム微粒子を
含有する第１の薄膜の透過率を４０〜６０％とする必要
がある。このため、ルテニウム微粒子を含有する膜の膜
厚を大きくすると、表面抵抗値が非常に小さく、電磁波
遮蔽性の高い膜が得られるが、一方で、ルテニウム微粒
子のみを含有する膜では、可視光の吸収係数が１．２〜
２．０と非常に大きいため、これを使用した導電性反射
防止膜は、裏面反射率が高くなり、陰極線管用パネル内
面の蛍光体の光が導電性反射防止膜の裏面で反射され、
再び陰極線管用パネル内面で反射されるので、陰極線管
用パネルの表面には蛍光体からの直接光による映像と、
反射光による位相がずれた映像とが同時に映し出され、
映像が二重に見えるという現象が生じることから、この
場合には、ルテニウム微粒子を含有する第１の薄膜に更
にコバルト含有無機顔料の微粒子を含有させ、幾何学的
厚みを７０〜２００ｍｍ、可視光の吸収係数を０．０５
〜１．０の導電性を備えた光吸収係数の低い着色層とす
ることにより、膜と基体との密着強度を向上させるとと
もに、上層のＳｉＯ2 膜との干渉作用により表面反射光
を低減させながら、裏面反射率を著しく低減させること
ができる。コバルト含有無機顔料としては、例えば、コ
バルトブルー（Ｃｏ、Ｍｇ）Ｏ・Ａｌ 2 Ｏ3 、コバルト
グリーンＣｏＯ−ＺｎＯ、セルリアンブルー２（Ｃｏ、
Ｍｇ）Ｏ・ＳｎＯ2 等が適している。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルについて、
実施例に基づいて説明する。
実施例に基づいて説明する。
【００２９】（実施例１）図１は、本発明の陰極線管用
パネルの概略縦断面図である。
パネルの概略縦断面図である。
【００３０】図中、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１
０．１６ｍｍでの透過率が５７％（ティント）の１７イ
ンチのパネルガラス（屈折率１．５３６、中央肉厚１２
ｍｍ）１０の外表面には、ルテニウム微粒子を含み、透
過率が８０％で、１００ｎｍの膜厚を有する第１の薄膜
（屈折率１．７５）１１が形成され、その上に８０ｎｍ
の膜厚を有するＳｉＯ2 微粒子を主成分とする第２の薄
膜（屈折率１．４６）１２が形成されている。
０．１６ｍｍでの透過率が５７％（ティント）の１７イ
ンチのパネルガラス（屈折率１．５３６、中央肉厚１２
ｍｍ）１０の外表面には、ルテニウム微粒子を含み、透
過率が８０％で、１００ｎｍの膜厚を有する第１の薄膜
（屈折率１．７５）１１が形成され、その上に８０ｎｍ
の膜厚を有するＳｉＯ2 微粒子を主成分とする第２の薄
膜（屈折率１．４６）１２が形成されている。
【００３１】この陰極線管用パネルの作成方法は以下の
通りである。
通りである。
【００３２】まず、パネルガラス１０を洗浄、乾燥して
から予熱した状態で回転させ、その上に有機溶媒中にル
テニウム微粒子を分散させた溶剤を滴下した後、自然乾
燥させることで、ルテニウム微粒子を含有する第１の薄
膜１１を形成し、続いてこの第１の薄膜１１上にＳｉＯ
2 微粒子を含有するアルコール溶液を滴下した後、自然
乾燥することで、第１の薄膜１１の上にＳｉＯ2 微粒子
を主成分とする第２の薄膜１２を形成した。このように
して２層膜が形成されたパネルガラス１０を、常温〜４
００℃までを１０℃／分、４００〜５１０℃までを３℃
／分の加熱条件で昇温し、５１０℃で３０分間保持した
後、５１０〜３５０℃までを３℃／分、３５０℃〜常温
までを１０℃／分の条件で降温するよう温度勾配を形成
した連続炉中に通し、外表面に加熱焼成により形成され
た２層膜を有するパネルガラス１０を作製した。
から予熱した状態で回転させ、その上に有機溶媒中にル
テニウム微粒子を分散させた溶剤を滴下した後、自然乾
燥させることで、ルテニウム微粒子を含有する第１の薄
膜１１を形成し、続いてこの第１の薄膜１１上にＳｉＯ
2 微粒子を含有するアルコール溶液を滴下した後、自然
乾燥することで、第１の薄膜１１の上にＳｉＯ2 微粒子
を主成分とする第２の薄膜１２を形成した。このように
して２層膜が形成されたパネルガラス１０を、常温〜４
００℃までを１０℃／分、４００〜５１０℃までを３℃
／分の加熱条件で昇温し、５１０℃で３０分間保持した
後、５１０〜３５０℃までを３℃／分、３５０℃〜常温
までを１０℃／分の条件で降温するよう温度勾配を形成
した連続炉中に通し、外表面に加熱焼成により形成され
た２層膜を有するパネルガラス１０を作製した。
【００３３】（実施例２）図２は、本発明の他の陰極線
管用パネルの概略縦断面図である。
管用パネルの概略縦断面図である。
【００３４】図中、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１
０．１６ｍｍでの透過率が５７％（ティント）の１７イ
ンチのパネルガラス（屈折率１．５３６、中央肉厚１２
ｍｍ）１０の外表面には、ルテニウム微粒子を含み、透
過率が８０％で、１００ｎｍの膜厚を有する第１の薄膜
（屈折率１．７５）１１が形成され、その上に８０ｎｍ
の膜厚を有するＳｉＯ2 微粒子を主成分とする第２の薄
膜（屈折率１．４６）１２が形成され、更にその上に微
細な凹凸を有するＳｉＯ2 を主成分とする第３の薄膜１
３が形成されている。
０．１６ｍｍでの透過率が５７％（ティント）の１７イ
ンチのパネルガラス（屈折率１．５３６、中央肉厚１２
ｍｍ）１０の外表面には、ルテニウム微粒子を含み、透
過率が８０％で、１００ｎｍの膜厚を有する第１の薄膜
（屈折率１．７５）１１が形成され、その上に８０ｎｍ
の膜厚を有するＳｉＯ2 微粒子を主成分とする第２の薄
膜（屈折率１．４６）１２が形成され、更にその上に微
細な凹凸を有するＳｉＯ2 を主成分とする第３の薄膜１
３が形成されている。
【００３５】この陰極線管用パネルの作成方法は実施例
１と同様に、パネルガラス１０にルテニウム微粒子を含
有する第１の薄膜１１と、第１の薄膜１１上にＳｉＯ2
微粒子を主成分とする第２の薄膜１２とを形成した後、
第２の薄膜１２の上にＳｉアルコキシドを含む溶液をス
プレーコートすることにより、表面に凹凸を有するＳｉ
Ｏ2 薄膜を第３の薄膜１３として形成した。
１と同様に、パネルガラス１０にルテニウム微粒子を含
有する第１の薄膜１１と、第１の薄膜１１上にＳｉＯ2
微粒子を主成分とする第２の薄膜１２とを形成した後、
第２の薄膜１２の上にＳｉアルコキシドを含む溶液をス
プレーコートすることにより、表面に凹凸を有するＳｉ
Ｏ2 薄膜を第３の薄膜１３として形成した。
【００３６】このようにして３層膜が形成されたパネル
ガラス１０を、実施例１と同条件の温度勾配を形成した
連続炉中に通し、外表面に加熱焼成により形成された３
層膜を有するパネルガラス１０を作製した。
ガラス１０を、実施例１と同条件の温度勾配を形成した
連続炉中に通し、外表面に加熱焼成により形成された３
層膜を有するパネルガラス１０を作製した。
【００３７】（実施例３）本実施例の図面については実
施例１で用いた図１を用いて説明する。
施例１で用いた図１を用いて説明する。
【００３８】図中、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１
０．１６ｍｍでの透過率が８０％（クリア）の１７イン
チのパネルガラス（屈折率１．５３６、中央肉厚１２ｍ
ｍ）１０の外表面には、ルテニウム微粒子及びコバルト
ブルー微粒子を含み、透過率が５０％で、１２０ｎｍの
膜厚を有する第１の薄膜（屈折率１．７０）１１が形成
され、その上に９０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ2 微粒子
を主成分とする第２の薄膜（屈折率１．４６）１２が形
成されている。
０．１６ｍｍでの透過率が８０％（クリア）の１７イン
チのパネルガラス（屈折率１．５３６、中央肉厚１２ｍ
ｍ）１０の外表面には、ルテニウム微粒子及びコバルト
ブルー微粒子を含み、透過率が５０％で、１２０ｎｍの
膜厚を有する第１の薄膜（屈折率１．７０）１１が形成
され、その上に９０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ2 微粒子
を主成分とする第２の薄膜（屈折率１．４６）１２が形
成されている。
【００３９】この陰極線管用パネルの作成方法は以下の
通りである。
通りである。
【００４０】まず、パネルガラス１０を洗浄、乾燥して
から予熱した状態で回転させ、その上に有機溶媒中にル
テニウム微粒子及びコバルトブルー微粒子を分散させた
溶剤を滴下した後、自然乾燥させることで、ルテニウム
微粒子とコバルトブルー微粒子を含有する第１の薄膜１
１を形成し、続いてこの第１の薄膜１１上にＳｉＯ2微
粒子を含有するアルコール溶液を滴下した後、自然乾燥
することで、第１の薄膜１１の上にＳｉＯ2 微粒子を主
成分とする第２の薄膜１２を形成した。このようにして
２層膜が形成されたパネルガラス１０を、実施例１と同
条件の温度勾配を形成した連続炉中に通し、外表面に加
熱焼成により形成された２層膜を有するパネルガラス１
０を作製した。
から予熱した状態で回転させ、その上に有機溶媒中にル
テニウム微粒子及びコバルトブルー微粒子を分散させた
溶剤を滴下した後、自然乾燥させることで、ルテニウム
微粒子とコバルトブルー微粒子を含有する第１の薄膜１
１を形成し、続いてこの第１の薄膜１１上にＳｉＯ2微
粒子を含有するアルコール溶液を滴下した後、自然乾燥
することで、第１の薄膜１１の上にＳｉＯ2 微粒子を主
成分とする第２の薄膜１２を形成した。このようにして
２層膜が形成されたパネルガラス１０を、実施例１と同
条件の温度勾配を形成した連続炉中に通し、外表面に加
熱焼成により形成された２層膜を有するパネルガラス１
０を作製した。
【００４１】（比較例１）実施例１と同様のパネルガラ
スに、実施例１と同様の第１の薄膜と第２の薄膜を形成
し、常温〜２００℃までを１０℃／分の加熱条件で昇温
し、２００℃で３０分間保持した後、２００〜常温まで
を１０℃／分の条件で降温するよう温度勾配を形成した
連続炉中に通し、外表面に加熱焼成により形成された２
層膜を有するパネルガラスを作製した。
スに、実施例１と同様の第１の薄膜と第２の薄膜を形成
し、常温〜２００℃までを１０℃／分の加熱条件で昇温
し、２００℃で３０分間保持した後、２００〜常温まで
を１０℃／分の条件で降温するよう温度勾配を形成した
連続炉中に通し、外表面に加熱焼成により形成された２
層膜を有するパネルガラスを作製した。
【００４２】（比較例２）実施例２と同様のパネルガラ
スに、実施例２と同様の第１の薄膜と第２の薄膜及び第
３の薄膜を形成し、常温〜３５０℃までを１０℃／分、
３５０〜４５０℃までを３℃／分の加熱条件で昇温し、
４５０℃で３０分間保持した後、４５０〜３５０℃常温
までを３℃／分、３５０℃〜常温までを１０℃／分の条
件で降温するよう温度勾配を形成した連続炉中に通し、
外表面に加熱焼成により形成された３層膜を有するパネ
ルガラスを作製した。
スに、実施例２と同様の第１の薄膜と第２の薄膜及び第
３の薄膜を形成し、常温〜３５０℃までを１０℃／分、
３５０〜４５０℃までを３℃／分の加熱条件で昇温し、
４５０℃で３０分間保持した後、４５０〜３５０℃常温
までを３℃／分、３５０℃〜常温までを１０℃／分の条
件で降温するよう温度勾配を形成した連続炉中に通し、
外表面に加熱焼成により形成された３層膜を有するパネ
ルガラスを作製した。
【００４３】表１及び表２は、各例の導電性反射防止膜
を構成する各薄膜層の材料と幾何学的厚み、及び加熱焼
成の最高温度と保持時間を示す。
を構成する各薄膜層の材料と幾何学的厚み、及び加熱焼
成の最高温度と保持時間を示す。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
【００４６】実施例１〜３及び比較例１、２の導電性反
射防止膜を有する陰極線管用パネルの中央部において、
Ｄ６５光源２°視野での波長４００〜７００ｎｍにおけ
る表面視感反射率及びＣＩＥ反射色度、また、波長５５
０ｎｍにおける透過率を測定した後、各例の陰極線管用
パネルを４５０℃で６０分間再加熱処理し、再度、上記
の表面視感反射率、反射色度、透過率を測定した。
射防止膜を有する陰極線管用パネルの中央部において、
Ｄ６５光源２°視野での波長４００〜７００ｎｍにおけ
る表面視感反射率及びＣＩＥ反射色度、また、波長５５
０ｎｍにおける透過率を測定した後、各例の陰極線管用
パネルを４５０℃で６０分間再加熱処理し、再度、上記
の表面視感反射率、反射色度、透過率を測定した。
【００４７】
【表３】
【００４８】実施例１〜３の陰極線管用パネルの表面抵
抗値は、８×１０2 Ω／□、７×１０2 Ω／□と低抵抗
で、優れた電磁波遮蔽性を有しており、再加熱処理後に
おいても表面抵抗値に変化はみられなかった。
抗値は、８×１０2 Ω／□、７×１０2 Ω／□と低抵抗
で、優れた電磁波遮蔽性を有しており、再加熱処理後に
おいても表面抵抗値に変化はみられなかった。
【００４９】また、実施例１〜３の陰極線管用パネルの
波長４００〜７００ｎｍにおける表面視感反射率は、図
３のグラフに示すように、何れも広範囲に亘って低い反
射率を示しており、優れた反射防止特性を備え、再加熱
処理後においてもこれら反射率の値に変化はみられなか
った。また、表３に示すように、反射色度も変化せず、
外観上もその反射色調に変化は確認されなかった。
波長４００〜７００ｎｍにおける表面視感反射率は、図
３のグラフに示すように、何れも広範囲に亘って低い反
射率を示しており、優れた反射防止特性を備え、再加熱
処理後においてもこれら反射率の値に変化はみられなか
った。また、表３に示すように、反射色度も変化せず、
外観上もその反射色調に変化は確認されなかった。
【００５０】これに対して、比較例１の陰極線管用パネ
ルの波長４００〜７００ｎｍにおける表面視感反射率
は、図３のグラフに示すように、再加熱処理前後におい
て、その反射率曲線は短波長方向に変化が確認された。
また、比較例１及び２の陰極線管用パネルは、表３に示
すように再加熱処理前後で反射色度が変化し、外観上の
反射色調にも変化が確認された。
ルの波長４００〜７００ｎｍにおける表面視感反射率
は、図３のグラフに示すように、再加熱処理前後におい
て、その反射率曲線は短波長方向に変化が確認された。
また、比較例１及び２の陰極線管用パネルは、表３に示
すように再加熱処理前後で反射色度が変化し、外観上の
反射色調にも変化が確認された。
【００５１】また、実施例１〜３の陰極線管用パネル
は、表３に示すように再加熱処理前後で透過率の変化は
みられなかったが、比較例１及び２の陰極線管用パネル
では、再加熱処理前後で透過率の変化が確認された。
は、表３に示すように再加熱処理前後で透過率の変化は
みられなかったが、比較例１及び２の陰極線管用パネル
では、再加熱処理前後で透過率の変化が確認された。
【００５２】更に、実施例１〜３の陰極線管用パネル
は、表３に示すように、鉛筆硬度が９Ｈと非常に高く、
高強度の膜を形成しているが、対する比較例１及び２の
陰極線管用パネルでは、強度が低く、傷を発生させ易い
結果となった。
は、表３に示すように、鉛筆硬度が９Ｈと非常に高く、
高強度の膜を形成しているが、対する比較例１及び２の
陰極線管用パネルでは、強度が低く、傷を発生させ易い
結果となった。
【００５３】なお、上記の表面抵抗値は、東亜電波株式
会社製絶縁抵抗計によって測定し、また、反射率は、大
塚電子株式会社製ＭＣＰＤ−１０００を用いて１５°正
反射によって測定し、更に、視感透過率（膜及びガラス
の透過率の和）は、日立製作所株式会社製Ｕ−４０００
分光光度計によって測定したものである。
会社製絶縁抵抗計によって測定し、また、反射率は、大
塚電子株式会社製ＭＣＰＤ−１０００を用いて１５°正
反射によって測定し、更に、視感透過率（膜及びガラス
の透過率の和）は、日立製作所株式会社製Ｕ−４０００
分光光度計によって測定したものである。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の陰極線管
用パネルによれば、優れた電磁波遮蔽性、反射防止性と
ともに高い膜強度を有して、陰極線管製造時の加熱処理
による膜透過率や反射色の変化を起こさないという優れ
た効果を奏するものである。
用パネルによれば、優れた電磁波遮蔽性、反射防止性と
ともに高い膜強度を有して、陰極線管製造時の加熱処理
による膜透過率や反射色の変化を起こさないという優れ
た効果を奏するものである。
【図１】本発明の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図
である。
である。
【図２】本発明の他の陰極線管用パネルを示す概略縦断
面図である。
面図である。
【図３】実施例１〜３及び比較例１の陰極線管用パネル
の４００〜７００ｎｍにおける反射率曲線を示すグラフ
である。
の４００〜７００ｎｍにおける反射率曲線を示すグラフ
である。
１０ パネルガラス １１ 第１の薄膜 １２ 第２の薄膜 １３ 第３の薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】 パネルガラスの外表面に、膜厚が５０ｎ
ｍ以上、透過率が９０％以下、表面抵抗値が１０4 Ω／
□以下であるルテニウム微粒子を含有する第１の薄膜
と、該第１の薄膜の上にＳｉＯ2 微粒子を主成分とする
第２の薄膜が形成されてなり、前記第１及び第２の薄膜
は、４５０℃以上で少なくとも６０分以上加熱され、且
つ加熱処理時の最高温度として、５００〜５２０℃の温
度条件下で焼成されてなることを特徴とする陰極線管用
パネル。 - 【請求項２】 パネルガラスが、波長５４６ｎｍ、肉厚
１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラスから形
成されてなることを特徴とする請求項１記載の陰極線管
用パネル。 - 【請求項３】 パネルガラスの外表面に、膜厚が５０ｎ
ｍ以上、透過率が９０％以下、表面抵抗値が１０4 Ω／
□以下であるルテニウム微粒子を含有する第１の薄膜
と、該第１の薄膜の上にＳｉＯ2 微粒子を主成分とする
第２の薄膜と、該第２の薄膜の上に微細な凹凸を有する
ＳｉＯ2 を主成分とする第３の薄膜とが形成されてな
り、前記第１、第２及び第３の薄膜は、４５０℃以上で
少なくとも６０分以上加熱され、且つ加熱処理時の最高
温度として、５００〜５２０℃の温度条件下で焼成され
てなることを特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項４】 パネルガラスが、波長５４６ｎｍ、肉厚
１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラスから形
成されてなることを特徴とする請求項３記載の陰極線管
用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000305745A JP2002117790A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 陰極線管用パネル |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000305745A JP2002117790A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002117790A true JP2002117790A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18786547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000305745A Pending JP2002117790A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002117790A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019003570A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | 加飾ガラスパネル及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-10-05 JP JP2000305745A patent/JP2002117790A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019003570A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | 加飾ガラスパネル及びその製造方法 |
| CN110809567A (zh) * | 2017-06-27 | 2020-02-18 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | 装饰玻璃面板及其制造方法 |
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